KR101192075B1 - Method for fabricating of organic electro-luminescence display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로, 다수의 서브픽셀이 정의된 제 1 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 기판상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상의 각 서브 픽셀을 구획하는 외곽영역에 위치하고, 암모니아 가스의 유량이 실란 가스의 유량에 비해 3배 이상이 되는 공정 조건으로 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 세퍼레이터를 형성하는 단계; 상기 제 1 전극상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 유기발광층 상에 위치하고, 상기 세퍼레이터에 의해 각 서브픽셀 단위로 분리되는 제 2 전극을 형성하는 단계로 유기 전계 발광 표시 장치를 제조함으로써, 상기 버퍼층의 모폴로지를 개선하고, 이로인해 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극의 쇼트불량을 방지할 수 있다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display device, comprising: providing a first substrate in which a plurality of subpixels are defined; Forming a first electrode on the first substrate; Forming a buffer layer on an outer region partitioning each subpixel on the first electrode, and forming a buffer layer under process conditions such that a flow rate of ammonia gas is three times or more than a flow rate of silane gas; Forming a separator on the buffer layer; Forming an organic emission layer on the first electrode; And forming a second electrode disposed on the organic light emitting layer and separated by each subpixel unit by the separator, thereby manufacturing an organic light emitting display device, thereby improving the morphology of the buffer layer and thereby the first electrode. And a short failure of the second electrode can be prevented.
듀얼 패널, 유기 전계 발광 표시 장치, 세퍼레이터, 모폴로지, 질화막 Dual panel, organic electroluminescent display, separator, morphology, nitride film
Description
도 1은 종래의 유기 전계 발광 표시 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device.
도 2는 도 1의 A 영역의 버퍼층의 표면을 보여 주는 사진이다.FIG. 2 is a photograph showing the surface of a buffer layer in region A of FIG. 1.
도 3a 내지 도 3f는 본원 발명에 의한 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.3A to 3F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention.
도 4a 내지 도 4d는 실란 가스와 암모니아 가스의 비를 제어하여 버퍼층을 형성하는 실험의 결과를 나타내는 사진들이다.4A to 4D are photographs showing the results of an experiment of forming a buffer layer by controlling a ratio of silane gas and ammonia gas.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the symbols for the main parts of the drawings>
300 : 제 1 기판 305 : 보조 전극300: first substrate 305: auxiliary electrode
310 : 제 1 전극 315 : 버퍼층310: first electrode 315: buffer layer
320 : 유기막 325 : 세퍼레이터320: organic film 325: separator
330 : 제 2 전극 350 : 스페이서330: second electrode 350: spacer
본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 실란 가스 대 암모니아 가스의 비를 제어하여 버퍼층의 모폴러지를 개선하고, 상기 버퍼층의 모폴러지를 개선함으로써 쇼트 불량을 개선할 수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display device, and more particularly, to control the ratio of silane gas to ammonia gas to improve the morphology of the buffer layer, and to improve the short defect by improving the morphology of the buffer layer. An organic electroluminescent display device manufacturing method.
음극선관(Cathode Ray Tube)의 무게와 크기의 문제점을 해결하여 소형 경량화의 장점을 가지고 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display)가 주목받고 있다. 이러한 평판 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electro Luminescence Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emitter Display) 및 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel) 등이 있다.Flat panel displays, which have the advantages of small size and light weight by solving problems of weight and size of cathode ray tubes, are attracting attention. The flat panel display includes a liquid crystal display, an organic electroluminescence display, a field emitter display, a plasma display panel, and the like.
이와 같은 평판 표시 장치 중에서도 유기 전계 발광 표시 장치는 전자(electron)와 정공(hole)이 반도체 안에서 전자-정공 쌍을 만들거나 캐리어(carrier)들이 좀더 높은 에너지 상태로 여기된 후 다시 안정화 상태인 바닥 상태로 떨어지는 과정을 통해 빛을 발생하는 현상을 이용한 장치로서, 종래 음극선관에 비해 소비전력이 낮고, 경박단소화가 용이하며 대형화 및 고정세화가 가능하여 널리 사용되고 있다.Among such flat panel displays, an organic electroluminescent display device is a ground state in which electrons and holes form electron-hole pairs in a semiconductor, or carriers are stabilized again after being excited to a higher energy state. As a device using the phenomenon of generating light through the falling process, the power consumption is lower than the conventional cathode ray tube, easy to thin and short, large size and high resolution is widely used.
도 1은 종래의 유기 전계 발광 표시 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device.
도 1을 참조하여 설명하면, 상기 유기 전계 발광 표시 장치는 서로 일정간격으로 이격되어 배치되어 위치하는 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the organic light emitting display device includes a
상기 제 1 기판(100)의 내측에는 유기 전계 발광 다이오드 소자(E)가 형성되어 있다. 또, 상기 제 2 기판(200)의 내측에는 적어도 하나의 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다. An organic EL device E is formed inside the
여기서, 상기 박막트랜지스터(Tr)와 상기 유기 전계 발광 다이오드 소자(E)는 연결전극(150)에 의해 서로 전기적으로 연결되어, 상기 박막트랜지스터(Tr)의 구동에 의해서, 상기 유기 전계 발광 다이오드 소자(E)는 발광하게 되고, 상기 제 1 기판(100)으로 광이 방출되어, 사용자에게 화상을 제공할 수 있다.Here, the thin film transistor Tr and the organic light emitting diode element E are electrically connected to each other by a connecting
상기 제 1 기판(100)상에 공통전극인 제 1 전극(110)이 형성되어 있다. 상기 제 1 전극(110)상에 서브픽셀의 외곽부에 형성되는 버퍼층(115)과 상기 버퍼층(115)상에 세퍼레이터(125)가 형성되어 있다. 상기 제 1 전극(110)상에 서브픽셀단위로 패터닝된 유기발광층(120)과 제 2 전극(130)이 형성되어 있다. 상기 제 2 전극(130)은 상기 버퍼층(115)상에 형성된 세퍼레이터(125)에 의해 서브픽셀 단위로 자연적으로 패터닝된다.The
또, 상기 제 2 기판(200)상에 게이트 전극, 반도체층 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터를 포함하는 상기 제 2 기판(200) 전면에 보호막(210)이 형성되어 있다. 이때, 상기 보호막(210)은 상기 박막트랜지스터의 일부를 노출하는 콘텍홀이 형성되어 있고, 상기 콘텍홀에 의해 노출된 상기 박막트랜지스터와 상기 제 2 전극(130)을 연결전극(150)을 통해 접속시킴으로써, 상기 유기전계발광다이오드 소자(E)와 상기 박막트랜지스터(Tr)는 전기적으로 연결된다.In addition, a thin film transistor Tr including a gate electrode, a semiconductor layer, and a source / drain electrode is formed on the
도 2는 도 1의 A 영역의 버퍼층의 표면을 보여 주는 사진이다.FIG. 2 is a photograph showing the surface of a buffer layer in region A of FIG. 1.
도 2를 참조하여 설명하면, 사진에서 보여 주는 바와 같이 종래의 방법으로 실리콘 질화막인 버퍼층(115)을 형성하게 되면 표면의 모폴러지(morphology)가 나쁘다는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that the morphology of the surface is bad when the
상기 버퍼층(115)의 모폴러지가 나빠지게 되면 그 상부에 형성되는 상기 유기발광층(220)이 제대로 형성되지 않거나, 상기 제 1 전극(110)과 상기 제 2 전극(130)간의 쇼트 불량을 발생시킬 수 있다.When the morphology of the
본 발명은 상기 버퍼층을 형성할 때 이용되는 실란 가스 대 암모니아 가스의 비를 제어하여 버퍼층의 모폴러지를 개선하고 이로 인해 발생되는 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극간의 쇼트불량을 방지할 수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention is to improve the morphology of the buffer layer by controlling the ratio of the silane gas to ammonia gas used when forming the buffer layer and to prevent the short defect between the first electrode and the second electrode caused by It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an electroluminescent display.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 유기전계발광표시장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 다수의 서브픽셀이 정의된 제 1 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 기판상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상의 각 서브 픽셀을 구획하는 외곽영역에 위치하고, 암모니아 가스의 유량이 실란 가스의 유량에 비해 3배 이상이 되는 공정 조건으로 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 세퍼레이터를 형성하는 단계; 상기 제 1 전극상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 유기발광층 상에 위치하고, 상기 세퍼레이터에 의해 각 서브픽셀 단위로 분리되는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, an aspect of the present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting display device. The manufacturing method includes providing a first substrate on which a plurality of subpixels are defined; Forming a first electrode on the first substrate; Forming a buffer layer on an outer region partitioning each subpixel on the first electrode, and forming a buffer layer under process conditions such that a flow rate of ammonia gas is three times or more than a flow rate of silane gas; Forming a separator on the buffer layer; Forming an organic emission layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic light emitting layer and separated by each subpixel unit by the separator.
이하, 본 발명에 의한 도면을 참고하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of an apparatus may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.
도 3a 내지 도 3f는 본원 발명에 의한 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.3A to 3F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention.
도 3a를 참조하면, 다수의 서브픽셀로 정의된 제 1 기판(300)을 제공한다. 상기 제 1 기판(300)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판으로, 투명한 재질로 선택하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 3A, a
상기 제 1 기판(300)상에 저 저항체의 도전물질을 증착한 뒤, 패터닝하여 보조전극(305)을 형성한다. 상기 보조전극(305)은 후속 공정에서 형성되는 제 1 전극의 저항차를 줄이는 역할을 한다. 상기 저 저항체의 도전물질은 Al, AlNd, Mo 또는 Cr로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질일 수 있다.A low resistance conductive material is deposited on the
상기 보조전극(305)을 포함하는 제 1 기판(300) 상에 투명성의 도전물질을 증착한 뒤, 패터닝하여 제 1 전극(310)을 형성한다. 이를테면, 상기 투명성의 도전물질은 ITO 또는 IZO일 수 있다. A transparent conductive material is deposited on the
도 3b를 참조하여 설명하면, 상기 제1전극(310)상에 각 서브 픽셀을 구획하는 외곽 영역에 위치하는 버퍼층(315)을 형성한다.Referring to FIG. 3B, a
이때, 상기 버퍼층(315)은 무기막 특히 실리콘 질화막으로 형성되는데, 종래 기술에서도 기술한 바와 같이 종래의 실리콘 질화막 형성 방법으로 상기 버퍼층(315)을 형성하는 경우에는 모폴러지가 나빠지는 문제점이 있다.In this case, the
이때, 상기 버퍼층(315)의 모폴러지가 나쁜 경우, 이후 형성되는 세퍼레이터 또는 스페이서와의 접촉 특성이 나빠지게 되고 이로 인해 상기 세퍼레이터 및 스페이서가 쉽게 분리되는 등의 문제점이 발생한다.In this case, when the morphology of the
따라서, 상기 버퍼층(315)의 모폴러지를 개선하기 위해, 상기 버퍼층(315)을 형성할 때 사용되는 실란(SiH4) 가스, 암모니아(NH3) 가스 및 질소(N2) 가스 중 실란 가스와 암모니아 가스의 비를 제어하여 상기 버퍼층을 형성하는 실험을 실시한 결과, 도 4a 내지 도 4d에 도시된 것과 같은 결과를 얻을 수 있었다.Therefore, in order to improve the morphology of the
도 4a는 실란 가스 대 암모니아 가스의 비가 1:1일 때 형성된 버퍼층(315)의 표면을 나타내는 사진이고, 도 4b는 실란 가스 대 암모니아 가스의 비가 1:2일 때 형성된 버퍼층(315)의 표면을 나타내는 사진이고, 도 4c는 실란 가스 대 암모니아 가스의 비가 1:3일 때 형성된 버퍼층(315)의 표면을 나타내는 사진이고, 도 4d는 실란 가스 대 암모니아 가스의 비가 1:4일 때 형성된 버퍼층(315)의 표면을 나타내 는 사진이다.4A is a photograph showing the surface of the
따라서, 암모니아 가스의 유량이 실란 가스의 유량에 비해 3배 이상이 되는 경우 모폴러지는 개선되는 것을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that the morphology is improved when the flow rate of the ammonia gas becomes three times or more than the flow rate of the silane gas.
그러나, 실란 가스의 유량이 감소하게 되면 상기 버퍼층(315)의 증착 속도가 감소하여 전체적인 택타임(Tact time)이 증가하게 되는 문제점이 발생한다.However, when the flow rate of the silane gas is reduced, the deposition rate of the
그러나 이러한 문제점은 상기 버퍼층(315)을 이층 이상의 다층으로 형성할 경우 쉽게 해결할 수 있다.However, this problem can be easily solved when the
즉, 상기 제1전극(310) 상에 상기 버퍼층(315)을 형성할 때, 5Å 이상, 바람직하게는 5 내지 3000Å의 두께를 형성할 때에는 암모니아 가스의 유량이 실란 가스의 유량 보다 3배 이상 많게 하여 초기 버퍼층을 먼저 형성한 후, 이후 정상적인 가스 비, 즉, 3배 이하에서 나머지 버퍼층을 형성함으로써 해결할 수 있다.That is, when forming the
상기와 같은 방법으로 버퍼층(315)을 형성하는 경우 상기 버퍼층(315)의 모폴러지가 양호해질 뿐만 아니라 택타임도 증가시키지 않게 된다.When the
도 3c를 참조하여 설명하면, 상기 버퍼층(315)상에 세퍼레이터(325)를 형성한다. 상기 세퍼레이터(325)는 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드(PI) 및 노볼락계 수지로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 감광성 수지막을 형성한 뒤, 노광 및 현상 공정을 거친다. 이후, 베이킹 공정을 수행하여, 상기 세퍼레이터(325)와 상기 버퍼층(315)간의 접착특성을 향상시킨다.Referring to FIG. 3C, a
또, 상기 서브픽셀영역내에 형성된 버퍼층(315)상에 배치되는 스페이서(350)를 형성한다.In addition, a
상기 스페이서(350)는 절연막을 형성한 뒤, 노광 및 현상공정을 거쳐 형성할 수 있다. 상기 스페이서(350)는 유기 전계 발광 다이오드 소자가 형성된 제 1 기판(300)과 후술할, 박막트랜지스터가 형성된 제 2 기판간의 셀갭을 유지하는 역할을 하며, 이와 더불어, 상기 유기 전계 발광 다이오드 소자와 박막트랜지스터를 전기적으로 연결하는 매개체 역할을 하게 된다.The
도 3d를 참조하면, 상기 제 1 전극(310)상에 유기 발광층(320)을 형성한다. 여기서, 상기 유기 발광층(320)은 저분자 물질 또는 고분자 물질일 수 있다. 이때, 상기 유기 발광층(320)이 저분자 물질일 경우에 있어서, 진공 증착법을 수행하여 형성할 수 있으며, 고분자 물질일 경우에 있어서, 잉크젯 프린팅 방법을 수행하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 유기 발광층(320)을 형성하기 전에 또는 후에 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 억제층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 유기층을 더 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3D, an
이후, 상기 유기 발광층(320)상에 제 2 전극(330)을 형성한다. 이때, 상기 제 2 전극(330)은 도전물질을 증착하는 과정에서, 상기 세퍼레이터(325)에 의해 각 서브픽셀 단위로 자동적으로 분리된다. 이로써, 별도의 패터닝 공정을 수행하지 않고, 상기 제 2 전극(330)을 형성할 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 세퍼레이터(325)는 낮은 역테이퍼 각을 가지도록 형성함으로써, 상기 제 2 전극(330)을 각 서브픽셀 단위로 확실하게 분리하여 형성할 수 있다. Thereafter, a
또한, 상기 제 2 전극(330)은 상기 스페이서(350) 상부에도 형성되는 바, 상기 스페이서(350)에 의해 상기 제 2 전극(350)의 일부분은 상부로 돌출되어, 후술 할 제 2 기판의 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된다.In addition, since the
도 3e를 참조하면, 박막트랜지스터(Tr)가 형성된 제 2 기판(400)을 제공한다. Referring to FIG. 3E, a
자세하게, 상기 제 2 기판(400)상에 박막트랜지스터를 형성하는 방법은 먼저, 제 2 기판(400)을 제공한다. 상기 제 2 기판(400)은 플라스틱, 유리 또는 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 제 2 기판(400) 상에 게이트 전극(405)을 형성하고, 상기 게이트 전극(405)을 포함하는 상기 제 2 기판(400) 전면에 걸쳐 게이트 절연막(410)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(410)은 산화 실리콘 또는 질화 실리콘을 화학기상증착법을 수행하여 형성할 수 있다.In detail, a method of forming a thin film transistor on the
상기 게이트 전극(405)이 대응된 상기 게이트 절연막(410) 상에 반도체층(415)을 형성한다. 여기서, 상기 반도체층(415)은 비정질 실리콘막과, P형 또는 N형 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막을 순차적으로 적층하여 형성한 뒤, 패터닝하여 형성된 활성층(415a)과 오믹콘텍층(415b)을 포함한다. The
상기 반도체층(415)상에 도전성 금속을 증착한 뒤 패터닝하여, 상기 반도체층(415)의 양단부 상에 위치하는 소스/드레인 전극(425a, 425b)을 형성한다. A conductive metal is deposited on the
이로써, 상기 제 2 기판(400) 상에 게이트 전극(405), 액티브층(415) 및 소스/드레인 전극(425a, 425b)을 포함하는 박막트랜지스터(Tr)를 형성할 수 있다. 여기서, 도면에서 상기 제 2 기판(400)상에 하나의 박막트랜지스터(Tr)를 형성하는 것으로 한정하여 설명하였으나, 상기 제 2 기판(400)상에 적어도 하나의 박막트랜지스터 및 캐패시터를 더 형성할 수 있다.Accordingly, the thin film transistor Tr including the
또한, 여기서 상기 박막트랜지스터(Tr)는 비정질 실리콘을 이용한 바텀 게이트(bottom gate) 박막트랜지스터를 형성하는 것으로 제한하여 설명하였으나, 이에 한정되지 아니하고 공지된 여러 형태의 박막트랜지스터를 채용할 수 있다.In addition, although the thin film transistor Tr has been described as being limited to forming a bottom gate thin film transistor using amorphous silicon, various types of known thin film transistors may be employed.
상기 박막트랜지스터(Tr)를 포함하는 제 2 기판(400) 전면에 걸쳐 보호막(420)을 형성한다. 여기서, 상기 보호막(420)은 질화실리콘 또는 산화실리콘으로 이루어질 수 있으며, 화학기상증착법을 수행하여 형성될 수 있다. 상기 보호막(420)에 상기 드레인 전극(425b)을 노출하기 위한 콘텍홀을 형성한다. 더 나아가, 상기 콘텍홀을 통해 노출된 상기 드레인 전극(425b) 상부에 연결전극(435)을 더 형성할 수 있다. The
도 3f를 참조하면, 상기 제 1 기판(300) 또는 상기 제 2 기판(400)의 외곽부에 실 패턴을 도포한 뒤, 상기 제 1 기판(300)의 유기 전계 발광 다이오드 소자(E)와 상기 제 2 기판(400)의 박막 트랜지스터(Tr)가 서로 대향되도록, 상기 제 1 기판(300)과 상기 제 2 기판(400)을 합착하여, 유기 전계 발광 표시 장치를 제조할 수 있다. Referring to FIG. 3F, after the seal pattern is applied to an outer portion of the
이때, 상기 제 1 기판(300)에 형성된 스페이서를 통해 돌출된 제 2 전극(330)과 상기 박막트랜지스터(Tr)의 연결전극(435)을 서로 접촉시킴으로써, 상기 유기 전계 발광 다이오드 소자(E)와 상기 박막트랜지스터(Tr)는 서로 전기적으로 접속된다.In this case, the
따라서, 상기 박막트랜지스터(Tr)와 상기 유기전계발광다이오드 소자(E)를 서로 다른 기판에 각각 형성함으로써, 불량에 대한 수율을 향상시킬 수 있었다.Therefore, the thin film transistor Tr and the organic light emitting diode device E are formed on different substrates, respectively, thereby improving the yield of defects.
또, 상기 유기전계발광표시장치의 제 1 기판(300)을 통해 광을 방출하는 상부 발광형으로 제조함에 따라, 상기 박막트랜지스터(Tr) 및 캐패시터를 크게 설계할 수 있어 소자 특성을 향상시킬 수 있다.In addition, since the thin film transistor Tr and the capacitor are designed to be large in size as the upper emission type emitting light through the
본 발명의 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법은 세퍼레이터의 하부에 위치한 버퍼층을 형성할 때, 가스 비를 제어함으로써 버퍼층의 모폴러지를 개선할 수 있고, 이로 인해 제 1 전극과 2 전극간의 쇼트 불량을 개선할 수 있는 효과가 있다.In the method of manufacturing the organic light emitting display device of the present invention, when forming the buffer layer located below the separator, the morphology of the buffer layer can be improved by controlling the gas ratio, thereby improving the short defect between the first electrode and the second electrode. It can work.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.The present invention has been shown and described with reference to the embodiments as described above, but is not limited to the embodiments described above by those of ordinary skill in the art to which the invention belongs without departing from the spirit of the invention. Various changes and modifications will be possible.
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