KR101022822B1 - Method for manufacturing photovoltaic device - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 13
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 69
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 25
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 3
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 mono silane (SiH4) Chemical compound 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Sustainable Energy (AREA)
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Abstract
본 발명의 광기전력 장치의 제조 방법은 기판이 반응실 내 로딩 플레이트 상에 놓이는 단계, 상기 로딩 플레이트 상에 놓인 기판과 기판 홀더가 접촉하는 단계, 원료 가스 및 도핑 가스를 주입한 후 플라즈마로 분해하여 박막 반도체층을 증착하는 단계, 불활성 가스를 주입하여 상기 불활성 가스의 플라즈마를 형성하는 단계 및 상기 기판과 상기 기판 홀더가 분리되는 단계를 포함한다.The method of manufacturing a photovoltaic device of the present invention comprises the steps of placing a substrate on a loading plate in a reaction chamber, contacting the substrate placed on the loading plate and a substrate holder, injecting a source gas and a doping gas, and then decomposing it into a plasma. Depositing a thin film semiconductor layer, injecting an inert gas to form a plasma of the inert gas, and separating the substrate and the substrate holder.
광기전력, 플라즈마, 정전기 Photovoltaic, Plasma, Static Electricity
Description
본 발명은 광기전력 장치의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a photovoltaic device.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 광기전력장치는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다. Recently, as the prediction of depletion of existing energy sources such as oil and coal is increasing, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, photovoltaic devices are particularly attracting attention because they are rich in energy resources and have no problems with environmental pollution.
광기전력 장치는 빛을 전기에너지로 변환시키는 광전변환현상을 이용한다. 광기전력 장치는 실리콘 반도체(silicon semiconductor)나 화합물 반도체를 이용하는 것과 같이 다양한 형태가 있다. 예를 들어, 실리콘 반도체의 경우 불순물로 도핑된 실리콘 반도체에 빛이 입사되면 빛의 에너지가 반도체 내부의 전자와 홀을 발생시키고 반도체에 연결된 전극 및 도선을 통하여 외부로 전류가 흐르게 된다. Photovoltaic devices utilize photovoltaic phenomena that convert light into electrical energy. Photovoltaic devices come in various forms, such as using silicon semiconductors or compound semiconductors. For example, in the case of a silicon semiconductor, when light is incident on a silicon semiconductor doped with an impurity, energy of the light generates electrons and holes in the semiconductor, and current flows to the outside through electrodes and conductors connected to the semiconductor.
이와 같은 광기전력 장치에 대한 관심이 높아지고 시장이 형성됨에 따라 광기전력 모듈의 제조 비용을 줄이고 수율을 높이기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다.As interest in such a photovoltaic device is increased and a market is formed, various studies are being conducted to reduce the manufacturing cost and increase the yield of the photovoltaic module.
본 발명의 광기전력 장치의 수율 향상을 통한 제조 비용을 줄일 수 있는 광기전력 장치의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.It is to provide a method of manufacturing a photovoltaic device that can reduce the manufacturing cost by improving the yield of the photovoltaic device of the present invention.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned above will be clearly understood by those skilled in the art from the following description. Could be.
본 발명의 광기전력 장치의 제조 방법은 기판이 반응실 내 로딩 플레이트 상에 놓이는 단계, 상기 로딩 플레이트 상에 놓인 기판과 기판 홀더가 접촉하는 단계, 원료 가스 및 도핑 가스를 주입한 후 플라즈마로 분해하여 박막 반도체층을 증착하는 단계, 불활성 가스를 주입하여 상기 불활성 가스의 플라즈마를 형성하는 단계 및 상기 기판과 상기 기판 홀더가 분리되는 단계를 포함한다.The method of manufacturing a photovoltaic device of the present invention comprises the steps of placing a substrate on a loading plate in a reaction chamber, contacting the substrate placed on the loading plate and a substrate holder, injecting a source gas and a doping gas, and then decomposing it into a plasma. Depositing a thin film semiconductor layer, injecting an inert gas to form a plasma of the inert gas, and separating the substrate and the substrate holder.
본 발명의 광기전력 장치의 제조 방법은 마이크로결정 실리콘층이나 비정질 실리콘층의 형성시 정전기를 제거하여 기판과 기판 홀더가 분리되는 과정에서 기판의 파손을 방지함으로써 광기전력 장치의 수율 향상을 통하여 제조 비용을 줄일 수 있다. The manufacturing method of the photovoltaic device of the present invention eliminates static electricity during formation of a microcrystalline silicon layer or an amorphous silicon layer to prevent breakage of the substrate in the process of separating the substrate from the substrate holder, thereby improving the manufacturing cost by improving the yield of the photovoltaic device. Can be reduced.
다음으로 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 제조 방법에 대하여 상세히 설명된다. Next, a method of manufacturing a photovoltaic device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1a 내지 도 1h은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 제조 공정을 나타낸다.1A to 1H illustrate a manufacturing process of a photovoltaic module according to an embodiment of the present invention.
도 1a에 도시된 바와 같이, 먼저 기판(100)이 준비된다. 기판(100)은 절연성 투명기판(100)일 수 있다.As shown in FIG. 1A, a
도 1b에 도시된 바와 같이, 유리 기판(100) 상에 제1 전극(210)이 형성된다. 본 발명의 실시예에서 제1 전극(210)은 CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 형성될 수 있으며, 산화주석(SnO2)이나 산화아연(ZnO)과 같은 투명 전도성 산화물(TCO : Transparent Conductive Oxide)로 이루어질 수 있다. As shown in FIG. 1B, the
도 1c에 도시된 바와 같이, 레이저가 제1 전극(210) 측이나 유리 기판(100)측으로 조사되어 제1 전극(210)이 스크라이브(scribe)된다. 이에 의하여 제1 전극(210)에 제1 분리홈(220)이 형성된다. 즉, 제1 분리홈(220)은 제1 전극(210)을 관통하므로 인접한 제1 전극들(210) 사이의 단락이 방지된다. As shown in FIG. 1C, the laser is irradiated to the
도 1d에 도시된 바와 같이, 제1 전극(210)과 제1 분리홈(220)을 덮도록 광전변환층(230)이 CVD법으로 적층된다. 이 때 광전변환층(230)은 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층 순으로 적층될 수 있다. p 타입 반도체층의 형성을 위하여 모노 실란(SiH4)과 같이 실리콘을 포함하는 원료 가스와 B2H6와 같이 3족 원소를 포함하는 도핑 가스가 반응실에 혼입되면 CVD법에 따라 p 타입 반도체층 이 적층된다. 이후 실리콘을 포함하는 원료 가스만이 반응실에 유입되면 CVD법에 따라 진성 반도체층이 p 타입 반도체층 상에 형성된다. 마지막으로 PH3와 같이 5족 원소를 포함하는 도핑 가스와 실리콘을 포함하는 원료 가스가 혼입되면 CVD법에 따라 n 타입 반도체층이 진성 반도체층 상에 적층된다. 이에 따라 제1 전극(210) 상에 위치하는 광전변환층(230)은 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층 순으로 적층된 비정질 반도체층을 포함한다. As illustrated in FIG. 1D, the
이와 같은 광전변환층(230)의 제조 공정에 대해서는 도 2a 내지 도 2를 참조하여 이후에 상세히 설명될 것이다. The manufacturing process of the
도 1e에 도시된 바와 같이, 대기중에서 레이저가 유리 기판(100)측이나 광전변환층(230)측으로 조사되어 광전변환층(230)이 스크라이브된다. 이에 의하여 광전변환층(230)에 대하여 제2 분리홈(240)이 형성된다. As shown in FIG. 1E, the laser is irradiated to the
도 1f에 도시된 바와 같이, CVD나 스퍼터링 방법으로 광전변환층(230) 및 제2 분리홈(240)을 덮는 산화아연 후면반사층(250)이 형성된다. 제2 전극(260)은 Al이나 Ag와 같은 금속 전극일 수 있다. 이 때 산화아연 후면반사층(250)이 1.5 ㎛ 이상으로 두껍게 형성되면 산화아연 후면반사층(250)이 제2 전극의 역할까지 겸할 수 있으므로 금속전극이 없어질 수 있다. As illustrated in FIG. 1F, a zinc oxide
도 1g에 도시된 바와 같이, 대기중에서 레이저가 조사되어 광전변환층(230), 산화아연 후면반사층(250) 및 제2 전극(260)이 스크라이브된다. 이에 따라 광전변환층(230), 산화아연 후면반사층(250) 및 제2 전극(260)에 대하여 제3 분리홈(270)이 형성된다. As shown in FIG. 1G, the laser is irradiated in the air to scribe the
도 1h에 도시된 바와 같이, 제1 전극(210) 및 산화아연 후면반사층(250)에 실버 페이스트가 도포되고 실버 페이스트(silver paste)와 같은 도전성 페이스트에 버스 바(BB, bus bar)가 부착된다. 도전성 페이스트와 버스 바(BB)는 빛의 조사에 의하여 광전변화층(230)으로부터 발생된 전기를 외부로 공급하기 위하여 접속함(미도시)에 연결된다. 광전변환층(230), 제1 전극(210) 및 산화아연 후면반사층(250)을 포함하는 광기전력 셀(200)을 보호하기 위하여 제1 보호층(300)이 라미네이션 공법에 의하여 광기전력 셀(200)의 일부 또는 전부를 덮는다. 제1 보호층(300)은 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)를 포함할 수 있다. 또한 제2 보호층(400)이 제1 보호층(300) 상에 형성될 수 있다. 제2 보호층(400)은 PVF(Poly-Vinyl Fluoride) 필름, Al 포일(foil), PET(Poly-Ethylen Terephthalate) 필름, PVF(Poly-Vinyl Fluoride) 필름이 순서대로 적층되어 샌드위치 구조로 형성된 TPT 구조의 백 시트(back sheet)일 수 있다. 또한 제2 보호층(400)은 PVDF(Poly-VinyliDene Fluoride)필름, Al 포일(foil), PET(Poly-Ethylen Terephthalate) 필름, PVDF(Poly-VinylDene Fluoride)필름이 순서대로 적층된 백 시트를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1H, a silver paste is applied to the
본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 제조 방법은 박막 반도체층이 형성된 후 불활성 가스의 플라즈마가 반응실 내에 형성되어 기판과 기판 홀더의 정전기가 제거된다. In the method of manufacturing a photovoltaic device according to an embodiment of the present invention, a plasma of an inert gas is formed in a reaction chamber after a thin film semiconductor layer is formed to remove static electricity from the substrate and the substrate holder.
도 2a 내지 도 2는 광전변환층의 제조 공정을 나타낸 것이다. 2A to 2 illustrate a manufacturing process of the photoelectric conversion layer.
도 2a에 도시된 바와 같이, 유리 기판(100)은 반응실 내 로딩 플레이트(loading plate)(310) 상에 놓여 있고, 기판 홀더(320)에 감겨진 코 일(coil)(221)에 의하여 유리 기판(100)은 150 ℃ 내지 300 ℃로 가열된다. As shown in FIG. 2A, the
반응실에 모노 실란(SiH4)과 같이 실리콘을 포함하는 원료 가스, CH4와 같은 탄소원료가스, 수소, B2H6와 같이 3족 원소를 포함하는 반응 가스가 혼입되고 외부에서 공급된 13.56 MHz를 지닌 고전압이 공급된다. 이에 따라 방전이 발생하여 원료 가스가 분해되고 p 타입 실리콘 카바이드 창층(window layer)과 같은 p타입 반도체층(230p)이 제1 전극(310) 상에 적층된다. Into the reaction chamber, a source gas containing silicon such as mono silane (SiH4), a carbon source gas such as CH4, a reaction gas containing group III elements such as hydrogen and B2H6 are mixed and a high voltage with 13.56 MHz supplied from outside Supplied. As a result, discharge occurs to decompose the source gas, and a p-
도 2b에 도시된 바와 같이, p타입 반도체층 (230p)이 소정 두께까지 적층되면 원료 가스, 탄소원료가스 수소와 3족 원소를 포함하는 반응 가스가 제거되고 H2, Ar, N2 같은 불활성 가스가 주입된다. 이 때 고전압이 공급되면 불활성 가스는 플라즈마 상태가 된다. 이와 같은 플라즈마 상태의 불활성 가스는 p 타입 반도체(230p)이 적층된 유리 기판(100)과 기판 홀더(320) 사이의 정전기를 없앤다. As shown in FIG. 2B, when the p-
즉, 유리 기판(100)과 기판 홀더(320)는 p 타입 실리콘 카바이드 창층이 형성되는 과정에서 접촉하므로 유리 기판(100)과 기판 홀더(320)의 마찰에 의하여 정전기가 발생한다. 유리 기판(100)과 기판 홀더(320)의 정전기는 기판 홀더(320)가 유리 기판(100)으로부터 분리되는 것을 방해한다. 따라서 기판 홀더(320)가 아래로 이동할 때 유리 기판(100) 역시 정전기에 의하여 기판 홀더(320)의 이동 방향으로 힘이 가해진다. 이 때 유리 기판(100)은 로딩 플레이트(310) 상에 놓여 있는 상태이므로 유리 기판(100)이 파손될 수 있다. That is, since the
따라서 p 타입 반도체(230p)이 제1 전극(210) 상에 형성된 후 불활성 가스의 플라즈마가 유리 기판(100)과 기판 홀더(320) 사이의 정전기를 제거함으로써 유리 기판(100)과 기판 홀더(320)의 분리시 유리 기판(100)이 파손되는 것이 방지된다. Therefore, after the p-
이와 같이 플라즈마에 의하여 정전기가 제거된 후 유리 기판(100)과 기판 홀더(320)가 분리된다. As such, after the static electricity is removed by the plasma, the
본 발명의 실시예에서 불활성 가스는 Ar, N2, H2를 포함할 수 있으며, H2의 경우 분자량이 작아 확산 속도가 빠르고 가격 역시 낮다. 정전기를 제거하기 위하여 반응실로 유입되는 H2의 유량은 100 sccm 이상 10000 sccm 이하일 수 있다. 이 때 sccm은 standard cubic cm per minute의 약자이다. H2의 유량은 100 sccm 이상 10000 sccm 이하인 경우 수소 가스로 인한 제조 비용의 급격한 증가없이 정전기 제거가 가능하다. 즉, H2의 유량은 100 sccm 이하일 경우 정전기 제거가 충분히 이루어지지 않으며 10000 sccm 이상인 경우 제조 비용이 증가한다. In the embodiment of the present invention, the inert gas may include Ar, N2, H2, in the case of H2 has a low molecular weight and the diffusion rate is also low cost. The flow rate of H2 introduced into the reaction chamber to remove static electricity may be 100 sccm or more and 10000 sccm or less. Where sccm is an abbreviation of standard cubic cm per minute. When the flow rate of H2 is 100 sccm or more and 10000 sccm or less, static electricity can be removed without a sharp increase in manufacturing cost due to hydrogen gas. That is, if the flow rate of H2 is less than 100 sccm, the static elimination is not made sufficiently, and if more than 10000 sccm, the manufacturing cost increases.
외부에서 공급되는 H2의 여기 전력은 100 W 이상 12000 W 이하일 수 있다. H2의 여기 전력이 100W 이하인 경우 H2 가스가 플라즈마 상태로 충분하지 않게 변한다. 또한 여기 전력이 10000 W 이상인 경우 수소 양이온의 운동량이 과도하게 커져 p 타입 반도체(230p)의 막질을 손상시킬 수 있다. 즉, 여기 전력이 공급되면 수소 가스는 전자와 수소 양이온이 분리되는 플라즈마 상태가 되며 수소 양이온은 공급되는 전압의 극성에 따라 이동하게 된다. 따라서 여기 전력이 지나치게 크면 수소 양이온의 운동량도 증가하게 되므로 수소 양이온이 p 타입 반도체층의 막질과 충돌하여 막질에 손상을 가한다. H2의 여기 전력은 100 W 이상 12000 W 이하인 경우 막질의 손상없이 정전기가 안정적으로 제거된다. The excitation power of H2 supplied from the outside may be 100 W or more and 12000 W or less. When the excitation power of H2 is 100 W or less, the H2 gas changes insufficiently in the plasma state. In addition, when the excitation power is more than 10000 W, the momentum of the hydrogen cation is excessively large, which may damage the film quality of the p-
수소 가스가 반응실 내에서 플라즈마 상태를 유지하는 시간은 10 초 이상 1 분 이하일 수 있다. 플라즈마 상태를 유지하는 시간이 10 초 이상 1 분 이하인 경우 안정적인 정전기 제거가 가능하고 막질의 손상을 줄일 수 있다. The time for which the hydrogen gas maintains the plasma state in the reaction chamber may be 10 seconds or more and 1 minute or less. If the time to maintain the plasma state is more than 10 seconds and less than 1 minute, it is possible to remove the static electricity and to reduce the damage to the film.
도 2c에 도시된 바와 같이, p 타입 반도체(230p)이 형성된 유리 기판(100)은 다시 로딩 플레이트(loading plate)(310) 상에 놓여 지고, 기판 홀더(320)와 유리 기판(100)이 접촉하여 150 ℃ 내지 300 ℃로 가열된다. p 타입 반도체(230p) 상에는 진성 실리콘과 같은 진성 반도체층(230i)이 형성된다. 이를 위하여 반응실에 수소와 모노 실란(SiH4)과 같이 실리콘을 포함하는 원료 가스가 공급되고, 13.56 MHz를 지닌 고전압이 공급된다. 이에 따라 플라즈마 방전이 발생하여 원료 가스가 분해되고 진성 반도체층(230i)이 p 타입 반도체(230p) 상에 적층된다. As shown in FIG. 2C, the
진성 반도체층(230i)이 형성된 후 바로 또다른 실리콘이 형성될 수도 있으나 진성 반도체층(230i)이 형성된 후 정전기 제거 공정이 이루어질 수 있다. Another silicon may be formed immediately after the
도 2d에 도시된 바와 같이, 원료 가스가 제거된 후 기판 홀더(320)와 유리 기판(100) 사이의 정전기를 제거하기 위하여 불활성 가스가 반응실 내로 주입된다. 불활성 가스는 Ar, N2, H2를 포함할 수 있다. 반응실로 유입되는 H2의 유량은 100 sccm 이상 10000 sccm 이하이고 H2의 여기 전력은 100 W 이상 12000 W 이하일 수 있다. 또한 수소 가스가 반응실 내에서 플라즈마 상태를 유지하는 시간은 10 초 이상 1 분 이하일 수 있다. 이와 같은 수소 가스의 유량, 여기 전력 및 플라즈마 상태를 유지하는 시간에 대한 설명은 앞에서 이루어졌으므로 생략된다. As shown in FIG. 2D, after the source gas is removed, an inert gas is injected into the reaction chamber to remove static electricity between the
도 2e에 도시된 바와 같이, p 타입 반도체(230p) 상에 진성 반도체층(230i) 대신에 버퍼층(230b)이 형성될 수도 있다. p 타입 반도체(230p)이 형성된 유리 기판(100)은 다시 로딩 플레이트(loading plate)(310) 상에 놓여 지고, 기판 홀더(320)와 유리 기판(100)이 접촉하여 150 ℃ 내지 300 ℃로 가열된다. 버퍼층(230b)의 형성을 위하여 반응실 내로 모노실란(SiH4), 수소, B2H6 및 메탄가스(CH4)가 주입된다. 13.56 MHz를 지닌 고전압이 공급되면, 방전이 발생하여 원료 가스가 분해되고 버퍼층(230i)이 p 타입 반도체(230p) 상에 형성된다. As shown in FIG. 2E, a
버퍼층(230b)은 p 타입 반도체(230p)과 이후에 형성되는 진성 반도체층(230i) 사이의 계면에 존재하는 결함을 제거하고, p 타입 반도체(230p)에 포함되는 p형 불순물이 진성 반도체층(230i)에 혼입하여 광감응도(photo sensitivity)가 감소되는 것을 방지한다. The
버퍼층(230b)이 형성된 후 도 2c에 도시된 바와 같이 진성 반도체층(230i) 상에 또다른 실리콘이 형성될 수도 있으나 버퍼층(230b)이 형성된 후 정전기 제거 공정이 이루어질 수 있다. After the
도 2f에 도시된 바와 같이, 반응 가스가 제거된 후 기판 홀더(320)와 유리 기판(100) 사이의 정전기를 제거하기 위하여 불활성 가스가 반응실 내로 주입된다. 불활성 가스는 Ar, N2, H2를 포함할 수 있다. 반응실로 유입되는 H2의 유량은 100 sccm 이상 10000 sccm 이하이고 H2의 여기 전력은 100 W 이상 12000 W 이하일 수 있다. 또한 수소 가스가 반응실 내에서 플라즈마 상태를 유지하는 시간은 10 초 이상 1 분 이하일 수 있다. 이와 같은 수소 가스의 유량, 여기 전력 및 플라즈마 상태를 유지하는 시간에 대한 설명은 앞에서 이루어졌으므로 생략된다. As shown in FIG. 2F, an inert gas is injected into the reaction chamber to remove static electricity between the
도 2g에 도시된 바와 같이, p 타입 반도체(230p), 버퍼층(230b) 및 진성 반도체층(230i)가 형성되거나, p 타입 반도체(230p) 및 진성 반도체층(230i)이 형성된 유리 기판(100)이 다시 로딩 플레이트(loading plate)(310) 상에 놓여 지고, 기판 홀더(320)와 유리 기판(100)이 접촉하여 150 ℃ 내지 300 ℃로 가열된다. 진성 반도체층(230i) 상에는 n 타입 실리콘과 같은 n 타입 반도체층(230n)이 형성된다. 이를 위하여 반응실에 수소, 모노 실란(SiH4)과 같이 실리콘을 포함하는 원료 가스와 PH3와 같이 5족 원소를 포함하는 도핑 가스가 혼입되고 외부에서 공급된 13.56 MHz를 지닌 고전압이 공급된다. 이에 따라 플라즈마 방전이 발생하여 원료 가스가 분해되고 n타입 반도체층(230n)이 진성 반도체층(230i) 상에 적층된다.As shown in FIG. 2G, the
n 타입 반도체층(230n)이 형성된 후 다음 공정으로 넘어갈 수 있으나 n타입 반도체층(230n)이 형성된 후 정전기 제거 공정이 이루어질 수 있다. After the n-
도 2h에 도시된 바와 같이, 반응 가스가 제거된 후 기판 홀더(320)와 유리 기판(100) 사이의 정전기를 제거하기 위하여 불활성 가스가 반응실 내로 주입된다. 불활성 가스는 Ar, N2, H2를 포함할 수 있다. 반응실로 유입되는 H2의 유량은 100 sccm 이상 10000 sccm 이하이고 H2의 여기 전력은 100 W 이상 12000 W 이하일 수 있다. 또한 수소 가스가 반응실 내에서 플라즈마 상태를 유지하는 시간은 10 초 이상 1 분 이하일 수 있다. 이와 같은 수소 가스의 유량, 여기 전력 및 플라즈마 상태를 유지하는 시간에 대한 설명은 앞에서 이루어졌으므로 생략된다. As shown in FIG. 2H, an inert gas is injected into the reaction chamber to remove static electricity between the
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하 지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains can understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. There will be. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive, the scope of the invention being indicated by the appended claims rather than the foregoing description, It is intended that all changes and modifications derived from the equivalent concept be included within the scope of the present invention.
도 1a 내지 도 1h은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 제조 공정을 나타낸 것이다.1A to 1H illustrate a manufacturing process of a photovoltaic device according to an embodiment of the present invention.
도 2a 내지 도 2h는 광전변환층의 제조 공정을 나타낸 것이다. 2A to 2H illustrate a manufacturing process of the photoelectric conversion layer.
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080137942A KR101022822B1 (en) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | Method for manufacturing photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080137942A KR101022822B1 (en) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | Method for manufacturing photovoltaic device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100079449A KR20100079449A (en) | 2010-07-08 |
KR101022822B1 true KR101022822B1 (en) | 2011-03-17 |
Family
ID=42640545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080137942A KR101022822B1 (en) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | Method for manufacturing photovoltaic device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101022822B1 (en) |
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- 2008-12-31 KR KR1020080137942A patent/KR101022822B1/en not_active IP Right Cessation
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