KR100719574B1 - Flat panel display device and Electron emission device - Google Patents

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KR100719574B1 KR1020050105478A KR20050105478A KR100719574B1 KR 100719574 B1 KR100719574 B1 KR 100719574B1 KR 1020050105478 A KR1020050105478 A KR 1020050105478A KR 20050105478 A KR20050105478 A KR 20050105478A KR 100719574 B1 KR100719574 B1 KR 100719574B1
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손승현
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Abstract

본 발명은 일정한 간격을 두고 서로 대향되게 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 마련되는 것으로, 상기 제1 기판과 제2 기판 사이의 공간을 구획하여 다수의 셀을 형성하는 다수의 격벽; 상기 셀들의 내부에 채워지는 여기가스; 상기 셀들의 내벽에 양자점(Quantum Dot:QD)을 사용하여 형성된 형광체층; 상기 제1 기판의 내면에 형성되는 다수의 제1 전극; 상기 제2 기판의 내면에 상기 제1 전극들과 교차하는 방향으로 형성되는 다수의 제2 전극; 상기 제1 전극들 상에 형성되는 다수의 제3 전극; 및 상기 제1 전극과 제3 전극 사이에 형성되는 것으로, 상기 제1 전극과 제3 전극에 전압이 인가됨에 따라 상기 여기가스를 여기시키는 제1 전자빔을 상기 셀 내부로 방출시키는 제1 전자가속층;을 구비하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다. The present invention includes a first substrate and a second substrate disposed to face each other at regular intervals; A plurality of partition walls provided between the first substrate and the second substrate and partitioning a space between the first substrate and the second substrate to form a plurality of cells; An excitation gas filled in the cells; A phosphor layer formed on an inner wall of the cells using a quantum dot (QD); A plurality of first electrodes formed on an inner surface of the first substrate; A plurality of second electrodes formed on an inner surface of the second substrate in a direction crossing the first electrodes; A plurality of third electrodes formed on the first electrodes; And a first electron acceleration layer formed between the first electrode and the third electrode to emit a first electron beam that excites the excitation gas into the cell as a voltage is applied to the first electrode and the third electrode. It provides a flat panel display device having a.

Description

평판 디스플레이 장치 및 전자 방출 소자{Flat panel display device and Electron emission device} Flat panel display device and Electron emission device

도 1은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 분리 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a conventional plasma display panel.

도 2a 및 도 2b는 각각 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널을 가로방향 및 세로방향으로 절단하여 도시한 단면도들이다.2A and 2B are cross-sectional views illustrating the plasma display panel of FIG. 1 cut in the horizontal and vertical directions, respectively.

도 3은 본 발명의 형광체로서 사용되는 양자점의 구조를 개략적으로 도시한 것이다. Figure 3 schematically shows the structure of a quantum dot used as the phosphor of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 평판 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다. 4 is a schematic cross-sectional view of a flat panel display device according to an embodiment of the present invention.

도 5는 크세논(Xe)의 에너지 준위(energy level)를 도시한 도면이다.5 is a diagram illustrating an energy level of xenon (Xe).

도 6은 본 발명에 따른 평판 디스플레이 장치의 변형예를 도시한 개략적인 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the flat panel display device according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 일 구현예를 도시한 개략적인 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an electron emitting device according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110...제1 기판 113...격벽 110 first substrate 113 bulkhead

114...셀 115...형광체층114 ... cell 115 ... phosphor layer

120...제2 기판 131...제1 전극120 ... second substrate 131 ... first electrode

132...제2 전극 133...제3 전극132 ... second electrode 133 ... third electrode

140...전자가속층140.Electron Acceleration Layer

본 발명은 평판 디스플레이 장치 및 전자 방출 소자에 관한 것으로, 상세하게는 구동전압(driving voltage)을 낮출 수 있고, 발광효율(luminous efficiency)을 향상시킬 수 있는 평판 디스플레이 장치 및 전자 방출 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display device and an electron emission device, and more particularly, to a flat panel display device and an electron emission device capable of lowering a driving voltage and improving luminous efficiency.

평판 디스플레이 장치의 일종인 플라즈마 디스플레이 패널(PDP; Plasma Display Panel)은 전기적 방전을 이용하여 화상을 형성하는 장치로서, 휘도나 시야각 등의 표시 성능이 우수하여 그 사용이 날로 증대되고 있다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 전극들에 인가되는 직류 또는 교류 전압에 의하여 상기 전극들 사이에서 가스 방전이 일어나게 되고, 이 방전 과정에서 발생되는 자외선에 의하여 형광체가 여기되어 가시광을 발산하게 된다. Plasma Display Panel (PDP), which is a type of flat panel display device, is an apparatus for forming an image by using an electric discharge, and its use is increasing day by day because of its excellent display performance such as brightness and viewing angle. In the plasma display panel, gas discharge occurs between the electrodes by a direct current or an alternating voltage applied to the electrodes, and phosphors are excited by ultraviolet rays generated in the discharge process to emit visible light.

플라즈마 디스플레이 패널은 전극들의 배치 구조에 따라 대향 방전(facing discharge) 구조의 플라즈마 디스플레이 패널과 면 방전(surface discharge) 구조의 플라즈마 디스플레이 패널로 분류될 수 있다. 대향 방전 구조의 플라즈마 디스플레이 패널은 쌍을 이루는 두 개의 유지전극이 각각 상부기판과 하부기판에 배치되어 방전이 기판에 수직인 방향으로 일어난다. 그리고, 면 방전 구조의 플라즈마 디스플레이 패널은 쌍을 이루는 두 개의 유지전극이 동일한 기판 상에 배치되어 방전이 기판에 나란한 방향으로 일어난다. The plasma display panel may be classified into a plasma display panel having a facing discharge structure and a plasma display panel having a surface discharge structure according to the arrangement structure of the electrodes. In a plasma display panel having an opposite discharge structure, two pairs of sustain electrodes are disposed on an upper substrate and a lower substrate, respectively, so that discharge occurs in a direction perpendicular to the substrate. In the plasma display panel having a surface discharge structure, two pairs of sustain electrodes are disposed on the same substrate so that discharge occurs in a direction parallel to the substrate.

도 1에는 종래 교류형 면 방전 구조의 플라즈마 디스플레이 패널이 도시되어 있다. 그리고, 도 2a 및 도 2b에는 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널을 가로 방향 및 세로 방향으로 절단한 단면이 도시되어 있다.1 shows a plasma display panel of a conventional AC type surface discharge structure. 2A and 2B illustrate cross-sectional views of the plasma display panel of FIG. 1 cut in the horizontal and vertical directions.

도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 하부기판(10)과 상부기판(20)이 일정한 간격을 두고 서로 대향되게 배치되어 그 사이에 플라즈마 방전이 일어나는 방전공간을 형성한다. 상기 하부기판(10)의 상면에는 다수의 어드레스전극(11)이 형성되어 있으며, 이 어드레스전극들(11)은 제1 유전체층(12)에 의해 매립된다. 상기 제1 유전체층(12)의 상면에는 방전공간을 구획하여 다수의 방전셀(14)을 형성하고, 이 방전셀들(14) 간의 전기적, 광학적 크로스토크(cross talk)를 방지하는 다수의 격벽(13)이 형성되어 있다. 상기 방전셀들(14)의 내벽에는 각각 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체층(15)이 도포되어 있다. 그리고, 상기 방전셀들(14) 내부에는 일반적으로 크세논(Xe)을 포함하는 방전가스가 채워진다. 1, 2A and 2B, the lower substrate 10 and the upper substrate 20 are disposed to face each other at regular intervals to form a discharge space in which plasma discharge occurs. A plurality of address electrodes 11 are formed on an upper surface of the lower substrate 10, and the address electrodes 11 are filled by the first dielectric layer 12. A plurality of barrier ribs are formed on the upper surface of the first dielectric layer 12 to form a plurality of discharge cells 14 by dividing a discharge space, and to prevent electrical and optical cross talk between the discharge cells 14. 13) is formed. Phosphor layers 15 of red (R), green (G), and blue (B) are respectively coated on the inner walls of the discharge cells 14. In addition, a discharge gas including xenon (Xe) is generally filled in the discharge cells 14.

상기 상부기판(20)은 가시광이 투과될 수 있는 투명기판으로서 격벽들(13)이 형성된 하부기판(10)에 결합된다. 상기 상부기판(20)의 하면에는 방전셀(14)마다 한 쌍의 유지전극(21a,21b)이 상기 어드레스전극들(11)과 직교하는 방향으로 형성되어 있다. 여기서, 상기 유지전극들(21a,21b)은 가시광이 투과될 수 있도록 주로 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명한 도전성 재료로 이루어진다. 그리고, 상기 유지전극들(21a,21b)의 라인 저항을 줄이기 위하여, 상기 유지전극들(21a,21b)의 하면에는 금속으로 이루어진 버스전극들(22a,22b)이 상기 유지전극들(21a,21b)보다 좁은 폭을 가지고 형성되어 있다. 상기 유지전극들(21a,21b) 및 버스전극들(22a,22b)은 투명한 제2 유전체층(23)에 의해 매립된다. 그리고, 상기 제2 유전체층(23)의 하면에는 산화마그네슘(MgO)로 이루어진 보호막(24)이 형성되어 있다. 상기 보호막(24)은 플라즈마 입자의 스퍼터링에 의한 제2 유전체층(23)의 손상을 방지하고, 2차 전자를 방출하여 방전전압을 낮추어 주는 역할을 한다. The upper substrate 20 is a transparent substrate through which visible light can pass and is coupled to the lower substrate 10 on which the partitions 13 are formed. On the lower surface of the upper substrate 20, a pair of sustain electrodes 21a and 21b are formed in a direction orthogonal to the address electrodes 11 for each discharge cell 14. Here, the sustain electrodes 21a and 21b are mainly made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) to transmit visible light. In order to reduce the line resistance of the sustain electrodes 21a and 21b, bus electrodes 22a and 22b made of metal are formed on the bottom surfaces of the sustain electrodes 21a and 21b. It has a narrower width than). The sustain electrodes 21a and 21b and the bus electrodes 22a and 22b are buried by the transparent second dielectric layer 23. A protective film 24 made of magnesium oxide (MgO) is formed on the bottom surface of the second dielectric layer 23. The protective layer 24 prevents damage to the second dielectric layer 23 by sputtering of plasma particles and lowers the discharge voltage by emitting secondary electrons.

상기와 같은 구조를 가지는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동은 크게 어드레스방전을 위한 구동과 유지방전을 위한 구동으로 나뉜다. 어드레스방전은 어드레스전극(11)과 한 쌍의 유지전극(21a,21b) 중 어느 하나의 전극 사이에서 일어나게 되며, 이때 벽전하(wall charge)가 형성된다. 다음으로, 유지방전은 한 쌍의 유지전극(21a,21b) 사이의 전위차에 의해서 일어나게 되며, 이러한 유지방전시 방전가스로부터 발생되는 자외선에 의해 형광체층(15)이 여기되어 가시광이 발산된다. 그리고, 이렇게 발산된 가시광은 상부기판을 통해 출사되어 사용자가 인식할 수 있는 화상을 형성하게 된다. The driving of the plasma display panel having the above structure is largely divided into driving for address discharge and driving for sustain discharge. The address discharge occurs between the address electrode 11 and one of the pair of sustain electrodes 21a and 21b, and wall charge is formed. Next, the sustain discharge is caused by the potential difference between the pair of sustain electrodes 21a and 21b, and the phosphor layer 15 is excited by the ultraviolet rays generated from the discharge gas during the sustain discharge to emit visible light. The emitted light is emitted through the upper substrate to form an image that can be recognized by the user.

그러나, 상기와 같은 종래 플라즈마 디스플레이 패널에서는 방전가스가 이온화(ionization)되어 플라즈마 방전이 일어나는 과정에서 여기 상태(excited state)의 크세논(Xe*)이 안정화되면서 자외선이 발생하게 된다. 따라서, 종래 사용되는 발광재료는 방전가스를 이온화시킬 수 있을 정도로 높은 에너지가 필요하고, 구동전압은 크며, 발광효율은 낮다는 문제점이 있었다.However, in the conventional plasma display panel as described above, ultraviolet rays are generated while the discharge gas is ionized and the xenon Xe * of the excited state is stabilized during the plasma discharge. Therefore, conventionally used light emitting materials require high energy enough to ionize the discharge gas, have a large driving voltage, and low luminous efficiency.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 발광재료로서 양자점 (Quantum Dot:QD)을 사용함으로써 구동전압을 낮출 수 있고, 발광효율을 향상시킬 수 있는 평판 디스플레이 장치 및 전자 방출 소자를 제공하는 데 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, a flat panel display device and an electron emitting device that can lower the driving voltage, improve the luminous efficiency by using a quantum dot (QD) as a light emitting material The purpose is to provide.

상기한 목적을 달성하기 위하여,In order to achieve the above object,

본 발명의 일 구현예에 따른 평판 디스플레이 장치는,A flat panel display device according to an embodiment of the present invention,

일정한 간격을 두고 서로 대향되게 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;A first substrate and a second substrate disposed to face each other at regular intervals;

상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 마련되는 것으로, 상기 제1 기판과 제2 기판 사이의 공간을 구획하여 다수의 셀을 형성하는 다수의 격벽;A plurality of partition walls provided between the first substrate and the second substrate and partitioning a space between the first substrate and the second substrate to form a plurality of cells;

상기 셀들의 내부에 채워지는 여기가스;An excitation gas filled in the cells;

상기 셀들의 내벽에 양자점(Quantum Dot:QD)을 사용하여 형성된 형광체층;A phosphor layer formed on an inner wall of the cells using a quantum dot (QD);

상기 제1 기판의 내면에 형성되는 다수의 제1 전극;A plurality of first electrodes formed on an inner surface of the first substrate;

상기 제2 기판의 내면에 상기 제1 전극들과 교차하는 방향으로 형성되는 다수의 제2 전극;A plurality of second electrodes formed on an inner surface of the second substrate in a direction crossing the first electrodes;

상기 제1 전극들 상에 형성되는 다수의 제3 전극; 및A plurality of third electrodes formed on the first electrodes; And

상기 제1 전극과 제3 전극 사이에 형성되는 것으로, 상기 제1 전극과 제3 전극에 전압이 인가됨에 따라 상기 여기가스를 여기시키는 제1 전자빔을 상기 셀 내부로 방출시키는 제1 전자가속층;을 구비한다.A first electron acceleration layer formed between the first electrode and the third electrode to emit a first electron beam that excites the excitation gas into the cell as a voltage is applied to the first electrode and the third electrode; It is provided.

한편, 본 발명의 다른 일 구현예에 따른 전자 방출 소자는,On the other hand, the electron emission device according to another embodiment of the present invention,

서로 대향되게 배치된 제1기판 및 제2기판; A first substrate and a second substrate disposed to face each other;

상기 제1기판 상에 형성된 캐소드 전극; A cathode electrode formed on the first substrate;

상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극과 전기적으로 연결되도록 형성된 전자 방출원; An electron emission source formed to be electrically connected to a cathode electrode formed on the substrate;

상기 제2기판 상에 형성된 애노드 전극; 및 An anode electrode formed on the second substrate; And

상기 전자 방출원으로부터 방출된 전자에 의하여 발광하고, 양자점(Quantum Dot:QD)을 사용하여 형성된 형광층;을 구비한다.And a fluorescent layer which emits light by electrons emitted from the electron emission source and is formed using a quantum dot (QD).

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 예를 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따르면 평판 디스플레이 장치 및 전자 방출 소자에 있어서 사용되는 형광체층(115)은 양자점(Quantum Dot:QD)을 이용할 수 있다. 종래의 고체 발광재료에서는 원자들이 밀집되어 있기 때문에 에너지 밴드가 형성되고, 외부에서 에너지를 받으면 들뜬 전자가 전도성 밴드(conduction band)에서 밸런스 밴드(valence band)로 안정화되면서 그 갭(gap) 만큼의 광을 발광하게 된다. 그러나 양자점을 사용하게 되는 경우에는 원자들의 간섭이 없기 때문에 외부에서 에너지를 받게 되면 원자 에너지 수준에서 들뜬전자가 안정화되면서 발광하게 된다. 이러한 경우 이론적인 양자효율은 100%까지 가능하고, 낮은 전압에서도 여기가 가능하기 때문에 효율을 향상시킬 수 있으며 인쇄공정이 가능하여 대형화에도 유리하다. According to the present invention, the phosphor layer 115 used in the flat panel display device and the electron emission device may use a quantum dot (QD). In conventional solid-state light emitting materials, energy bands are formed because atoms are concentrated, and when energy is received from the outside, excited electrons are stabilized from a conduction band to a balance band, so that light of the gap is increased. Will emit light. However, when quantum dots are used, there is no interference of atoms, and when energy is received from the outside, excited electrons are stabilized at the atomic energy level and emit light. In this case, theoretical quantum efficiency can be up to 100%, and excitation can be performed at low voltage, thereby improving efficiency, and printing process is possible, which is advantageous for large size.

양자점은 코어, 셸, 및 상기의 코어와 셸을 덮는 유기막 구조로 이루어진다. 바람직하게는 상기 코어는 CdSe이고, 셸은 ZnS이며, 또한 상기 유기막은 트리옥틸포스핀 옥사이드(trioctylphosphine oxide)이다. The quantum dot is composed of a core, a shell, and an organic film structure covering the core and the shell. Preferably the core is CdSe, the shell is ZnS and the organic film is trioctylphosphine oxide.

도 3은 본 발명의 평판 디스플레이 장치에서 발광 재료로 사용되는 양자점의 일 구현예를 개략적으로 도시한 것이다. 코어는 CdSe이고, 셸은 ZnS이며, 유기막은 트리옥틸포스핀 옥사이드를 나타내고 있다. 양자점의 PL(photoluminescent) 특성은 400nm 근처의 에너지를 받아서 580nm 근처의 에너지를 내어 놓는다. 이때 양자의 효율은 100%에 가까울 수 있다. 따라서 양자점은 EDD, FED 등의 평판 디스플레이 장치에 있어서 발광재료로서 사용될 수 있다. 이러한 양자점은 단층으로 형성될 수도 있고, 다중층으로 형성될 수도 있으나 일반적으로 단층으로 형성하는 것이 효율면에서 우수하다. 3 schematically illustrates an embodiment of a quantum dot used as a light emitting material in the flat panel display device of the present invention. The core is CdSe, the shell is ZnS, and the organic film shows trioctylphosphine oxide. The photoluminescent (PL) properties of quantum dots receive energy near 400 nm and give out energy near 580 nm. At this time, the efficiency of both may be close to 100%. Therefore, the quantum dot can be used as a light emitting material in flat panel display devices such as EDD and FED. Such quantum dots may be formed in a single layer or may be formed in multiple layers, but in general, the quantum dots may be formed in a single layer.

도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 직류형 대향 방전 구조의 평판 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 일부 단면도이다. 도 4를 참조하면, 하부기판인 제1 기판(110)과 상부기판인 제2 기판(120)이 일정한 간격을 두고 서로 대향되게 배치되어 있다. 여기서, 상기 제1 기판(110) 및 제2 기판(120)은 투명한 유리기판으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제1 기판(110)과 제2 기판(120) 사이에는 제1 기판(110)과 제2 기판(120) 사이의 공간을 구획하여 다수의 셀(cell,114)을 형성하고, 상기 셀들(114) 간의 전기적, 광학적 크로스토크를 방지하는 다수의 격벽(barrier rib,113)이 마련되어 있다. 상기 셀들(114)의 내벽에는 각각 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체층(115)이 도포되어 있다. 이러한 형광체층(115)은 본 발 명에 따른 양자점(Quantum Dot:QD)을 이용한다. 상기 셀들(114) 내부에는 일반적으로 크세논(Xe)을 포함하는 여기가스(excitation gas)가 채워진다. 이하 본 발명에서 지칭하는 여기가스는 전자빔 등의 외부 에너지에 의해 여기되어 자외선을 발생시킬 수 있는 가스를 말한다. 한편, 본 발명의 여기가스는 방전가스로 작용하는 것도 가능하다. 4 is a partial cross-sectional view schematically illustrating a flat panel display device having a direct current counter discharge structure according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the first substrate 110, which is the lower substrate, and the second substrate 120, which is the upper substrate, are disposed to face each other at regular intervals. Here, the first substrate 110 and the second substrate 120 may be made of a transparent glass substrate. In addition, a space between the first substrate 110 and the second substrate 120 is partitioned between the first substrate 110 and the second substrate 120 to form a plurality of cells 114. A number of barrier ribs 113 are provided to prevent electrical and optical crosstalk between cells 114. Phosphor layers 115 of red (R), green (G), and blue (B) are respectively coated on the inner walls of the cells 114. The phosphor layer 115 uses a quantum dot (QD) according to the present invention. The cells 114 are generally filled with an excitation gas including xenon (Xe). Hereinafter, the excitation gas referred to in the present invention refers to a gas that is excited by external energy such as an electron beam to generate ultraviolet rays. On the other hand, the excitation gas of the present invention can also act as a discharge gas.

상기 제1 기판(110)의 상면에는 제1 전극(131)이 셀(114)마다 형성되어 있으며, 상기 제2 기판(120)의 하면에는 제2 전극(132)이 상기 제1 전극(131)과 교차하는 방향으로 셀(114)마다 형성되어 있다. 여기서, 상기 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)은 각각 캐소드 전극(cathode electrode) 및 애노드 전극(anode electrode)이 된다. 상기 제2 전극(132)은 가시광이 투과될 수 있도록 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제2 전극(132) 상에는 유전체층(미도시)이 더 형성될 수도 있다.The first electrode 131 is formed for each cell 114 on the upper surface of the first substrate 110, and the second electrode 132 is formed on the lower surface of the second substrate 120. It is formed every cell 114 in the direction which intersects. In this case, the first electrode 131 and the second electrode 132 become a cathode electrode and an anode electrode, respectively. The second electrode 132 may be made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) to transmit visible light. In addition, a dielectric layer (not shown) may be further formed on the second electrode 132.

상기 제1 전극(131)의 상면에는 전자가속층(electron accelerating layer,140)이 형성되어 있으며, 상기 전자가속층(140)의 상면에는 그리드 전극(grid electrode)인 제3 전극(133)이 형성되어 있다. 상기 전자가속층(140)은 전자를 가속시켜 전자빔을 발생시킬 수 있는 물질은 어느 것이라도 적용가능하며, 바람직하게는 산화된 다공성 실리콘(oxidized porous silicon)으로 이루어진다. 이때, 산화된 다공성 실리콘으로는 산화된 다공성 폴리실리콘(poly silicon) 또는 산화된 다공성 비정질 실리콘(amorphous silicon)이 예시된다. An electron accelerating layer 140 is formed on an upper surface of the first electrode 131, and a third electrode 133 that is a grid electrode is formed on an upper surface of the electron acceleration layer 140. It is. The electron acceleration layer 140 may be any material capable of accelerating electrons to generate an electron beam, preferably made of oxidized porous silicon. In this case, the oxidized porous silicon may be oxidized porous polysilicon or oxidized porous amorphous silicon.

상기 전자가속층(140)은 제1 전극(131)과 제3 전극(133)에 각각 소정의 전압 이 인가되면, 상기 제1 전극(131)으로부터 유입된 전자들을 가속시켜 제3 전극(133)을 통하여 상기 셀(114) 내부로 전자빔(E-beam)을 방출시킨다. 상기 셀 (114)내부로 방출된 전자빔은 여기가스를 여기시키게 되고, 여기된 여기가스는 안정화되면서 자외선을 발생시키게 된다. 그리고, 상기 자외선은 형광체층(115)을 여기시켜 가시광을 발생시키게 되고, 이렇게 발생된 가시광은 제2 기판(120)쪽으로 출사되어 화상을 형성하게 된다. When a predetermined voltage is applied to the first electrode 131 and the third electrode 133, the electron acceleration layer 140 accelerates electrons introduced from the first electrode 131 to the third electrode 133. The electron beam (E-beam) is emitted into the cell 114 through the through. The electron beam emitted into the cell 114 excites the excitation gas, and the excited excitation gas is stabilized to generate ultraviolet rays. The ultraviolet rays excite the phosphor layer 115 to generate visible light, and the visible light is emitted toward the second substrate 120 to form an image.

상기 전자빔은 여기가스를 여기(excitation)시키는데 필요한 에너지보다 크고, 여기가스를 이온화(ionization)시키는데 필요한 에너지보다는 작은 에너지를 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 제1 전극(131) 및 제3 전극(133)에는 상기 전자빔이 여기가스를 여기시킬 수 있는 최적화된 전자에너지(optimized electron energy)를 가질 수 있는 전압이 인가된다. The electron beam is preferably larger than the energy required to excite the excitation gas and less than the energy required to ionize the excitation gas. Accordingly, a voltage is applied to the first electrode 131 and the third electrode 133 so that the electron beam may have optimized electron energy capable of exciting the excitation gas.

도 5에는 자외선 발생원(generating source)인 크세논(Xe)의 에너지 준위(energy level)가 개략적으로 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 크세논(Xe)을 이온화시키기 위해서는 12.13eV의 에너지가 필요하며, 크세논(Xe)을 여기시키기 위해서는 8.28eV 이상의 에너지가 필요함을 알 수 있다. 구체적으로는, 크세논(Xe)을 1S5, 1S4, 1S2 상태로 각각 여기시키기 위해서는 8.28eV, 8.45eV, 9.57eV의 에너지가 필요하게 된다. 이렇게 여기된 크세논(Xe*)은 안정화되면서 대략 147nm의 자외선이 발생하게 된다. 그리고, 여기 상태(excited state) 크세논(Xe*)과 기저 상태(ground state) 크세논(Xe)이 충돌하게 되면 엑시머(eximer) 크세논(Xe2 *)이 생성되는데, 이러한 엑시머 크세논(Xe2 *)이 안정화되면 대략 173nm의 자외선이 발생하게 된다. FIG. 5 schematically shows an energy level of xenon (Xe) that is an ultraviolet generating source. Referring to FIG. 5, it can be seen that energy of 12.13 eV is required to ionize xenon (Xe), and energy of 8.28 eV or more is required to excite xenon (Xe). Specifically, in order to excite xenon (Xe) in 1S 5 , 1S 4 , and 1S 2 states, energy of 8.28 eV, 8.45 eV, and 9.57 eV is required. This excited xenon (Xe * ) is stabilized to generate an ultraviolet light of approximately 147nm. Then, the excited state (excited state) of xenon (Xe *) and the ground state (ground state) of xenon (Xe) When a crash excimer (eximer) xenon (Xe 2 *) there is generated, such an excimer xenon (Xe 2 *) When this is stabilized, ultraviolet rays of approximately 173 nm are generated.

이에 따라, 본 발명에서는 전자가속층(140)에 의하여 셀(114) 내부로 방출되는 전자빔이 크세논(Xe)를 여기시키기 위하여 대략 8.28eV ~ 12.13eV의 에너지를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 전자빔은 바람직하게는 8.28eV ~ 9.57eV의 에너지 또는 8.28eV ~ 8.45eV의 에너지를 가질 수 있다. 또한, 상기 전자빔은 8.45eV ~ 9.57eV의 에너지를 가질 수도 있다.Accordingly, in the present invention, the electron beam emitted into the cell 114 by the electron acceleration layer 140 may have an energy of about 8.28 eV to 12.13 eV to excite xenon (Xe). In this case, the electron beam may preferably have an energy of 8.28 eV to 9.57 eV or an energy of 8.28 eV to 8.45 eV. In addition, the electron beam may have an energy of 8.45 eV to 9.57 eV.

도 6은 본 발명에 따른 평판 디스플레이 장치의 변형예를 도시한 도면이다. 제2 전극(132')은 셀(114)에서 발생된 가시광이 투과될 수 있도록 메쉬(mesh) 구조로 형성되어 있다. 그리고, 제3 전극(133')은 전자가속층(140)에 의하여 가속된 전자들이 셀(114) 내부로 용이하게 방출될 수 있도록 메쉬 구조로 형성되어 있다. 6 is a view showing a modification of the flat panel display device according to the present invention. The second electrode 132 ′ is formed in a mesh structure to transmit visible light generated from the cell 114. The third electrode 133 ′ is formed in a mesh structure so that the electrons accelerated by the electron acceleration layer 140 can be easily released into the cell 114.

이상에서는 제1 기판(110)이 하부기판이 되고, 제2 기판(120)이 상부기판이 되는 경우가 설명되었지만, 본 구현예는 전자가속층(140)이 형성된 제1 기판(110)이 상부기판이 되고, 제2 기판(120)이 하부기판이 되는 경우에도 적용될 수 있다. In the above, the case where the first substrate 110 becomes the lower substrate and the second substrate 120 becomes the upper substrate has been described. However, in the present embodiment, the first substrate 110 having the electron acceleration layer 140 is formed on the upper substrate. The substrate may be applied, and the second substrate 120 may be applied to the lower substrate.

또한, 상기 평판 디스플레이 장치는 상기 제2 전극들 상에 형성되는 다수의 제4 전극; 및 상기 제2 전극과 제4 전극 사이에 형성되는 것으로, 상기 제2 전극과 제4 전극에 전압이 인가됨에 따라 상기 여기가스를 여기시키는 제2 전자빔을 상기 셀 내부로 방출시키는 제2 전자가속층;을 더 구비할 수 있다.The flat panel display may further include a plurality of fourth electrodes formed on the second electrodes; And a second electron acceleration layer formed between the second electrode and the fourth electrode to emit a second electron beam that excites the excitation gas into the cell as a voltage is applied to the second electrode and the fourth electrode. It may be further provided.

본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 양자점을 형광체의 발광재료로 이용하는 전자 방출 소자를 제공한다. According to another embodiment of the present invention, an electron emitting device using a quantum dot as a light emitting material of a phosphor is provided.

도 7은 본 발명을 따르는 다양한 전자 방출 소자 중에서도 3극관 구조의 전자 방출 소자를 개략적으로 도시한 것이다. 도 7에 도시된 전자 방출 소자는 상판(201)과 하판(202)를 구비하고, 상기 상판은 상면기판(290), 상기 상면기판의 하면(291)에 배치된 애노드 전극(280), 상기 애노드 전극의 하면(281)에 배치된 형광체층(270)을 구비한다. 이러한 형광체층(270)은 상기 설명한 바와 같이 양자점(Quantum Dot:QD)을 이용한다. 7 schematically shows an electron emitting device having a triode structure among various electron emitting devices according to the present invention. The electron emission device illustrated in FIG. 7 includes an upper plate 201 and a lower plate 202, and the upper plate includes an upper electrode 280, an anode electrode 280 disposed on the lower surface 291 of the upper substrate, and the anode. The phosphor layer 270 disposed on the lower surface 281 of the electrode is provided. The phosphor layer 270 uses a quantum dot (QD) as described above.

상기 하판(202)은 내부공간을 갖도록 소정의 간격을 두고 상기 상면기판(290)과 대향하여 평행하게 배치되는 하면기판(210), 상기 하면기판(210) 상에 스트라이프 형태로 배치된 캐소드 전극(220), 상기 캐소드 전극(220)과 교차하도록 스트라이프 형태로 배치된 게이트 전극(240), 상기 게이트 전극(240)과 상기 캐소드 전극(220) 사이에 배치된 절연체층(230), 상기 절연체층(230)과 상기 게이트 전극(240)의 일부에 형성된 전자방출원 홀(265), 상기 전자방출원 홀(265)내에 배치되어 상기 캐소드 전극(120)과 통전되고 상기 게이트 전극(240)보다 낮은 높이로 배치되는 전자 방출원(260)을 구비한다. 상기 전자 방출원(260)에 대한 상세한 설명은 상술한 바와 동일하므로 생략한다.The lower plate 202 has a lower surface substrate 210 disposed in parallel with the upper substrate 290 at predetermined intervals to have an inner space, and a cathode electrode disposed in a stripe shape on the lower substrate 210. 220, a gate electrode 240 arranged in a stripe shape to intersect the cathode electrode 220, an insulator layer 230 disposed between the gate electrode 240 and the cathode electrode 220, and the insulator layer ( 230 and an electron emission source hole 265 formed in a portion of the gate electrode 240 and the electron emission source hole 265 are disposed in the electricity is supplied to the cathode electrode 120 and lower than the gate electrode 240 And an electron emission source 260 disposed therein. Detailed description of the electron emission source 260 is the same as described above, and thus will be omitted.

상기 상판(201)과 하판(202)은 대기압보다 낮은 압력의 진공으로 유지되며, 상기 진공에 의해 발생하는 상기 상판과 하판 간의 압력을 지지하고, 발광공간(310)을 구획하도록 스페이서(295)가 상기 상판과 하판 사이에 배치된다.The upper plate 201 and the lower plate 202 are maintained in a vacuum at a pressure lower than atmospheric pressure, and the spacer 295 supports the pressure between the upper plate and the lower plate generated by the vacuum and partitions the light emitting space 310. It is disposed between the upper plate and the lower plate.

상기 애노드 전극(280)은 상기 전자방출원(260)에서 방출된 전자의 가속에 필요한 고전압을 인가하여 상기 전자가 양자점으로 이루어진 형광체층(270)에 고속으로 충돌할 수 있도록 하고 상기 전자에 의해 가시광 등을 방출한다. The anode electrode 280 applies a high voltage necessary for accelerating the electrons emitted from the electron emission source 260 to allow the electrons to collide with the phosphor layer 270 made of quantum dots at high speed, and visible light by the electrons. Emits a back.

상기 게이트 전극(240)은 상기 전자방출원(260)에서 전자가 용이하게 방출될 수 있도록 하는 기능을 담당하며, 상기 절연체층(230)은 상기 전자방출원 홀(269)을 구획하고, 상기 전자방출원(260)과 상기 게이트 전극(240)을 절연하는 기능을 담당한다.The gate electrode 240 is responsible for easily emitting electrons from the electron emission source 260, and the insulator layer 230 partitions the electron emission source hole 269 and the electrons. It serves to insulate the emission source 260 and the gate electrode 240.

양자점은 코어, 셸, 및 상기의 코어와 셸을 덮는 유기막 구조로 이루어진다. 바람직하게는 상기 코어는 CdSe이고, 셸은 ZnS이며, 또한 상기 유기막은 트리옥틸포스핀 옥사이드(trioctylphosphine oxide)이다. The quantum dot is composed of a core, a shell, and an organic film structure covering the core and the shell. Preferably the core is CdSe, the shell is ZnS and the organic film is trioctylphosphine oxide.

상기 전자 방출 소자에 있어서 전자방출원(260)은 카본계 물질, 다공성 실리콘(oxidized porous silicon), MIM(Metal-Insulator-Metal), 또는 SED(Surface Conduction Electron Emitting Display)으로 이루어질 수 있고, 카본계 물질 또는 다공성 실리콘으로 이루어지는 것이 바람직하다. In the electron emission device, the electron emission source 260 may be formed of a carbon-based material, oxidized porous silicon (Metal-Insulator-Metal), or Surface Conduction Electron Emitting Display (SED). It is preferably made of material or porous silicone.

이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다. Although the preferred embodiment according to the present invention has been described above, this is merely illustrative, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the appended claims.

이상에서 살펴본 바와 같이, 종래 고체 발광재료들을 사용하는 플라즈마 디 스플레이 패널에서는 비교적 높은 전압을 필요로 하였고 효율이 낮은 반면에, 본 발명에서는 전자가속층으로부터 방출되는 전자빔이 여기가스를 여기시킬 정도의 에너지만 있으면 화상을 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 평판 디스플레이 장치 및 전자 방출 소자는 원자들 간의 에너지 간섭이 없는 양자점을 발광재료로 사용함으로써 구동 전압을 낮출 수 있고, 발광효율을 향상시킬 수 있게 된다. As described above, the plasma display panel using the conventional solid-state light emitting materials require a relatively high voltage and have low efficiency, whereas in the present invention, the electron beam emitted from the electron acceleration layer excites the excitation gas. Only one image can be formed. Therefore, the flat panel display device and the electron emitting device according to the present invention can lower the driving voltage and improve the luminous efficiency by using quantum dots without energy interference between atoms as the light emitting material.

Claims (12)

일정한 간격을 두고 서로 대향되게 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;A first substrate and a second substrate disposed to face each other at regular intervals; 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 마련되는 것으로, 상기 제1 기판과 제2 기판 사이의 공간을 구획하여 다수의 셀을 형성하는 다수의 격벽;A plurality of partition walls provided between the first substrate and the second substrate and partitioning a space between the first substrate and the second substrate to form a plurality of cells; 상기 셀들의 내부에 채워지는 여기가스;An excitation gas filled in the cells; 상기 셀들의 내벽에 양자점(Quantum Dot:QD)을 사용하여 형성된 형광체층;A phosphor layer formed on an inner wall of the cells using a quantum dot (QD); 상기 제1 기판의 내면에 형성되는 다수의 제1 전극;A plurality of first electrodes formed on an inner surface of the first substrate; 상기 제2 기판의 내면에 상기 제1 전극들과 교차하는 방향으로 형성되는 다수의 제2 전극;A plurality of second electrodes formed on an inner surface of the second substrate in a direction crossing the first electrodes; 상기 제1 전극들 상에 형성되는 다수의 제3 전극; 및 A plurality of third electrodes formed on the first electrodes; And 상기 제1 전극과 제3 전극 사이에 형성되는 것으로, 상기 제1 전극과 제3 전극에 전압이 인가됨에 따라 상기 여기가스를 여기시키는 제1 전자빔을 상기 셀 내부로 방출시키는 제1 전자가속층을 구비하고, 상기 양자점(Quantum Dot:QD)은 코어 및 셸로 이루어지며 상기 코어 및 셸을 덮도록 유기막이 형성되어 있고, 상기 코어는 CdSe이고 상기 셸은 ZnS이며 상기 유기막은 트리옥틸포스핀 옥사이드(trioctylphosphine oxide)인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치. A first electron acceleration layer formed between the first electrode and the third electrode, the first electron acceleration layer emitting a first electron beam that excites the excitation gas into the cell as a voltage is applied to the first electrode and the third electrode; The quantum dot (QD) comprises a core and a shell, and an organic layer is formed to cover the core and the shell, the core is CdSe, the shell is ZnS, and the organic layer is trioctylphosphine oxide. oxide). 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 전자빔은 상기 여기가스를 여기시키는데 필요한 에너지보다 크고, 상기 여기가스를 이온화시키는데 필요한 에너지보다 작은 에너지를 가지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치. And the first electron beam has an energy greater than the energy required to excite the excitation gas and less than the energy required to ionize the excitation gas. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 전자가속층은 산화된 다공성 실리콘(oxidized porous silicon)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치. And the first electron acceleration layer is made of oxidized porous silicon. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 전극 상에 유전체층이 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.And a dielectric layer is formed on the second electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 여기가스가 크세논(Xe)를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.And the xenon (Xe) is the excitation gas. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 전자빔은 8.28eV ~ 12.13eV의 에너지를 가지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.And the first electron beam has an energy of 8.28 eV to 12.13 eV. 서로 대향되게 배치된 제1기판 및 제2기판; A first substrate and a second substrate disposed to face each other; 상기 제1기판 상에 형성된 캐소드 전극; A cathode electrode formed on the first substrate; 상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극과 전기적으로 연결되도록 형성된 전자 방출원; An electron emission source formed to be electrically connected to a cathode electrode formed on the substrate; 상기 제2기판 상에 형성된 애노드 전극; 및 An anode electrode formed on the second substrate; And 상기 전자 방출원으로부터 방출된 전자에 의하여 발광하고, 양자점(Quantum Dot:QD)을 사용하여 형성된 형광층을 구비하고, 상기 양자점(Quantum Dot:QD)은 코어 및 셸로 이루어지며 상기 코어 및 셸을 덮도록 유기막이 형성되어 있고, 상기 코어는 CdSe이고 상기 셸은 ZnS이며 상기 유기막은 트리옥틸포스핀 옥사이드인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자. And a fluorescent layer which emits light by electrons emitted from the electron emission source and is formed using a quantum dot (QD), wherein the quantum dot (QD) is composed of a core and a shell and covers the core and the shell. An organic film is formed, the core is CdSe, the shell is ZnS, and the organic film is trioctylphosphine oxide. 삭제delete 삭제delete 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 전자방출원은 카본계 물질, 다공성 실리콘(oxidized porous silicon), MIM(Metal-Insulator-Metal), 또는 SED(Surface Conduction Electron Emitting Display)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.The electron emission source is an electron emission device, characterized in that made of carbon-based material, oxidized porous silicon (Metal-Insulator-Metal), or Surface Conduction Electron Emitting Display (SED).
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