KR100655779B1 - Precharging circuit for driving amoled displays - Google Patents

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조규형
손영석
김상경
전진용
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한국과학기술원
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Abstract

A precharge circuit for driving an AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) is provided to reduce the layout area of a data driving chip and power consumption by not using an operation amplifier. A precharge circuit for driving an AMOLED includes a first precharge voltage generation transistor(M1) for generating precharge voltage of a data line according to the input of predetermined current; a second charging transistor(M2) and a discharging current source(IBIAS) for making capacitive load(Cp) of the data line; and first and second switching transistors(SW1,SW2) for controlling the operation of the first and second transistors, where the first and second transistors are N-type transistors. The precharge circuit receives turn-on voltage between gate and source stages of the first transistor through a source stage of the second transistor by connecting the source stage of the second transistor to the gate stage of the first transistor.

Description

AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로{PRECHARGING CIRCUIT FOR DRIVING AMOLED DISPLAYS}PRECHARGING CIRCUIT FOR DRIVING AMOLED DISPLAYS}

도 1은 종래의 AMOLED 표시장치의 구성도.1 is a configuration diagram of a conventional AMOLED display device.

도 2는 도 1의 픽셀 회로도.2 is a pixel circuit diagram of FIG.

도 3은 도 1의 데이터 구동회로의 구성도.3 is a configuration diagram of a data driving circuit of FIG. 1.

도 4는 도 1의 D/A변환회로의 구성도.4 is a configuration diagram of the D / A conversion circuit of FIG.

도 5는 종래의 AMOLED 표시장치의 D/A변환회로 및 계조전압 생성회로의 구성도.5 is a configuration diagram of a D / A conversion circuit and a gradation voltage generation circuit of a conventional AMOLED display device.

도 6은 도 5와 연관된 프리차지 및 픽셀회로의 동작 모형도.FIG. 6 is an operational model diagram of a precharge and pixel circuit associated with FIG. 5; FIG.

도 7은 도 5의 D/A변환회로에서의 전압 드라이버의 회로 구성도.FIG. 7 is a circuit diagram of a voltage driver in the D / A conversion circuit of FIG. 5; FIG.

도 8은 본 발명에 따른 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로의 구성도.8 is a configuration diagram of a precharge circuit for driving an AMOLED according to the present invention.

도 9는 본 발명의 동작 타이밍도.9 is an operation timing diagram of the present invention.

도 10은 본 발명을 픽셀 회로에 적용한 회로도.Fig. 10 is a circuit diagram to which the present invention is applied to a pixel circuit.

도 11은 본 발명에서의 타이밍별 데이터 라인의 전압 파형도.11 is a voltage waveform diagram of a timing-specific data line in the present invention.

도 12는 본 발명의 응용 예도.12 is an application example of the present invention.

도 13은 본 발명의 상보형 회로 구성도.13 is a complementary circuit block diagram of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

210 : 전류 DAC 220 : 픽셀회로210: current DAC 220: pixel circuit

M1,M2 : 트랜지스터 SW1-SW4 : 스위치M1, M2: Transistor SW1-SW4: Switch

본 발명은 평판 디스플레이 구동장치에 관한 것으로, 특히 액티브 매트릭스 유기발광 표시소자(AMOLED)를 전류모드로 구동할 경우 저 전류 영역에서 데이터 구동 속도를 높이기 위하여 사용되는 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display driving apparatus, and more particularly, to a precharge circuit for driving an AMOLED used to increase the data driving speed in a low current region when an active matrix organic light emitting display device (AMOLED) is driven in a current mode. .

기판 상에 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)를 형성하는 기술들은 최근 몇 년 동안 광범위하게 진보되고 있으며, 액티브 매트릭스 형 디스플레이 장치에 대한 그 응용 개발이 진행되고 있다. Techniques for forming thin film transistors (TFTs) on substrates have been extensively advanced in recent years, and their application to active matrix display devices is progressing.

특히, 폴리실리콘 막을 사용하는 TFT는 종래의 비정질 실리콘 막을 사용하는 TFT보다 더 높은 전계 효과 이동도를 가지므로 높은 속도의 동작이 가능하다. 결과적으로, 종래에는 기판 외부의 구동회로에 의해 실행된 픽셀 제어를 픽셀과 동일한 기판 상에 형성된 구동회로에 의해 픽셀 제어를 실행할 수 있게 되었다.In particular, a TFT using a polysilicon film has a higher field effect mobility than a TFT using a conventional amorphous silicon film, thereby enabling high speed operation. As a result, it has become possible to execute pixel control by a drive circuit formed on the same substrate as the pixel in the conventional pixel control executed by the drive circuit outside the substrate.

이러한 형태의 액티브 매트릭스 디스플레이 장치는, 동일한 기판 상에 다양한 회로들 및 소자들을 통합함으로써 얻을 수 있는 감소된 제조 비용, 디스플레이 장치의 소형화, 생산량 증가, 및 더 높은 작업 처리량과 같은 많은 장점 때문에 집중을 받아 왔다.This type of active matrix display device is focused on many advantages, such as the reduced manufacturing costs that can be achieved by integrating various circuits and devices on the same substrate, miniaturization of the display device, increased throughput, and higher throughput. come.

현재, 자기-발광(Self-Light Emitting) 소자로서 EL(Electro Luminescence)소자들을 구비한 액티브 매트릭스 EL 디스플레이 장치들이 활발하게 연구되고 있다. EL 디스플레이 장치는 또한 유기 EL 디스플레이(OELD) 또는 유기 발광 표시소자(OLED)로 부르며, 액티브 매트릭스 유기 발광 표시소자를 AMOLED라 부른다.At present, active matrix EL display devices equipped with EL (Electro Luminescence) elements as self-light emitting elements have been actively studied. The EL display device is also called an organic EL display (OELD) or an organic light emitting display device (OLED), and the active matrix organic light emitting display device is called an AMOLED.

액정 디스플레이 장치들과는 다르게, 유기 디스플레이 장치는 자기 발광 형이다. EL소자는 EL층이 한쌍의 전극들 사이에 끼워지도록 구성되며, 전자주입전극(Cathode)인 제 1 전극(음극)과, 정공주입전극(Anode)인 제 2 전극(양극) 사이에 형성된 유기 발광층에 각각 전자와 정공을 주입하면 전자와 정공이 결합하여 쌍을 이루어 생성된 엑시톤(Exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어지면서 소멸하여 발광하는 소자이다.Unlike liquid crystal display devices, organic display devices are self emissive. The EL element is configured such that the EL layer is sandwiched between a pair of electrodes, and the organic light emitting layer formed between the first electrode (cathode), which is an electron injection electrode, and the second electrode (anode), which is an hole injection electrode, is formed. When electrons and holes are injected into the electrons, the excitons generated by pairing electrons and holes fall from the excited state to the ground state and are extinguished and emit light.

이러한 OLED는 2 내지 30볼트의 DC바이어스로 동작한다. OLED의 휘도는 애노드 및 캐소드에 인가되는 전압 또는 전류를 조절함으로써 제어될 수 있다. 발생되는 상대적인 광량을 그레이 레벨이라고 한다. These OLEDs operate with DC bias of 2 to 30 volts. The brightness of the OLED can be controlled by adjusting the voltage or current applied to the anode and cathode. The relative amount of light generated is called gray level.

OLED는 일반적으로 전류 모드에서 동작할 때 최적으로 동작한다. OLEDs generally operate optimally when operating in current mode.

광출력은 정전압 구동에서 보다 정전류 구동에서 더 안정된다. 이는 일반적으로 전압 모드에서 동작하는 많은 다른 디스플레이 기술과 대조적이다. 따라서 OLED기술을 이용하는 액티브 매트릭스 디스플레이는 전류 동작 모드를 제공하기 위하여 특정 픽셀 구조를 필요로 한다.The light output is more stable in constant current driving than in constant voltage driving. This is in contrast to many other display technologies that typically operate in voltage mode. Therefore, active matrix displays using OLED technology require a specific pixel structure to provide a current mode of operation.

일반적으로 매트릭스 어드레스형 OLED(AMOLED) 디바이스에서, 다수의 OLED는 단일 기판 위에 형성되며, 규칙적인 그리드 패턴 그룹으로 배열된다. 그리드의 칼럼을 형성하는 몇 개의 OLED그룹은 공통 캐소드 또는 캐소드 라인을 공유할 수 있다. 그리드의 로우를 형성하는 몇 개의 OLED 그룹은 공통 애노드 또는 애노드 라인을 공유할 수 있다. 소정 그룹의 개별 OLED는 그들의 캐소드 라인 및 애노드 라인이 동시에 활성화될 때 광을 방출시킨다. 매트릭스 내의 OLED 그룹은 디스플레이에 하나의 픽셀을 형성할 수 있으며, 각각의 OLED는 일반적으로 하나의 서브 픽셀 또는 픽셀 셀 역할을 한다.Generally in matrix addressable OLED (AMOLED) devices, multiple OLEDs are formed on a single substrate and arranged in regular grid pattern groups. Several OLED groups forming a column of the grid may share a common cathode or cathode line. Several OLED groups forming the rows of the grid may share a common anode or anode line. Certain groups of individual OLEDs emit light when their cathode lines and anode lines are activated at the same time. OLED groups within the matrix can form one pixel in the display, with each OLED generally serving as one sub-pixel or pixel cell.

OLED는 넓은 시야각, 고속 응답성, 고 콘트라스트(Contrast) 등의 뛰어난 특징을 갖고 있으므로, 그래픽 디스플레이의 픽셀, 텔레비젼 영상 디스플레이나 표면광원(Surface Light Source)의 픽셀로서 사용될 수 있으며, 플라스틱과 같이 휠 수 있는(Flexible) 투명 기판 위에도 소자를 형성할 수 있고, 매우 얇고 가볍게 만들 수 있으며, 색감이 좋기 때문에 평판 디스플레이(Flat Panel Display : FPD)에 적합한 소자이다.OLEDs have excellent features such as wide viewing angle, high speed response and high contrast, so they can be used as pixels in graphic displays, television image displays or surface light sources, and can be used like plastics. The device can be formed on a flexible transparent substrate, can be made very thin and light, and has good color, making it suitable for flat panel displays (FPDs).

또한, R(Red), GGreen), B(Blue)의 3가지 색을 나타낼 수 있고, 이미 잘 알려진 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD)에 비해 백라이트(Backlight)가 필요치 않아 전력소모가 적으며, 색감이 뛰어나 차세대 풀 컬러 디스플레이(Full Color Display) 소자로 많은 관심의 대상이 되고 있다.In addition, it can display three colors of R (Red), GGreen) and B (Blue), and it requires less backlight than the well-known liquid crystal display (LCD), which consumes less power. It is also attracting much attention as the next generation full color display device because of its excellent color.

상기와 같은 표시소자를 사용하는 종래의 표시장치에 대하여 JP-2004-00022974 및 JP-P-2004-00282758을 우선권 주장하여 국내 출원한 대한민국 특허출 원 제 2005-8376호의 "표시장치, 및 표시장치를 위한 구동회로"의 내용 및 이 특허에서 인용한 종래의 기술을 중심으로 살펴보면 다음과 같다."Display device and display device" of Korean Patent Application No. 2005-8376 filed in Korea filed with priority claim to JP-2004-00022974 and JP-P-2004-00282758 with respect to the conventional display device using the display device as described above. Looking at the contents of the "drive circuit for" and the prior art cited in this patent are as follows.

도 1에 나타낸 표시장치(100)는 순차적인 선 구동 및 스캐닝 방법에 기초하여 구동된다. 스캐닝선 구동회로(102)는 스캐닝 동기신호에 응답하여 소정의 순서대로 복수의 스캐닝선(121)을 구동한다. The display device 100 shown in FIG. 1 is driven based on a sequential line driving and scanning method. The scanning line driver circuit 102 drives the plurality of scanning lines 121 in a predetermined order in response to the scanning synchronization signal.

데이터선 구동회로(101)는 스캐닝선 구동회로(102)에 의해 선택적으로 구동되는 스캐닝선(121)과 관련되어 복수의 데이터선(111)을 구동시켜, 픽셀(105)이 표시데이터를 표시할 수 있도록 한다. The data line driver circuit 101 drives the plurality of data lines 111 in association with the scanning line 121 selectively driven by the scanning line driver circuit 102 so that the pixel 105 can display display data. To help.

데이터선 구동회로(101)는 표시데이터를 표시하기 위한 기간을, 프리차지 기간이라 하는 제 1 기간 및 전류구동기간이라 하는 제 2 기간인, 2 개의 기간으로 나눔으로써 각각의 데이터선(111)을 구동시킨다.The data line driving circuit 101 divides each data line 111 by dividing the period for displaying the display data into two periods, a first period called a precharge period and a second period called a current drive period. Drive it.

도 2는 도 1의 표시장치(100)의 픽셀(105) 회로도를 나타낸 것이다. 2 illustrates a circuit diagram of the pixel 105 of the display device 100 of FIG. 1.

도 2에 도시한 바와 같이, 픽셀(105)은 EL(전계발광) 현상에 따라서 광을 방출하는 전계발광소자(130), 구동 TFT(131), 스위치(132) 및 용량성 소자인 캐패시터(135)를 포함하고 있다.As shown in Fig. 2, the pixel 105 includes an electroluminescent element 130, a driving TFT 131, a switch 132, and a capacitor 135, which is a capacitive element, which emits light according to an EL (electroluminescence) phenomenon. ) Is included.

도 3은 도 1의 데이터선 구동회로(101)의 회로구성을 나타낸 것이다.FIG. 3 shows a circuit configuration of the data line driver circuit 101 of FIG.

도 3에 도시한 바와 같이, 데이터선 구동회로(101)는 시프트 레지스터 회로(112), 데이터 레지스터 회로(113), 데이터 래치 회로(114), D/A변환회로(115), 입력버퍼회로(116), 타이밍 제어회로(117) 및 기준전류 소스(118)를 포함하고 있다.As shown in FIG. 3, the data line driver circuit 101 includes a shift register circuit 112, a data register circuit 113, a data latch circuit 114, a D / A conversion circuit 115, and an input buffer circuit ( 116, a timing control circuit 117, and a reference current source 118.

상기 데이터 레지스터 회로(113)는 표시데이터를 저장하는 메모리 회로로, 데이터 레지스터 회로(113)는 시프트 레지스터 회로(112)로부터 출력되는 신호와 동기하여 표시데이터를 저장한다. The data register circuit 113 is a memory circuit that stores display data, and the data register circuit 113 stores display data in synchronization with a signal output from the shift register circuit 112.

상기 데이터 래치 회로(114)는 타이밍 제어회로(117)로부터의 래치신호와 동기하여 데이터 레지스터 회로(113)에 저장된 표시데이터를 판독한 다음, 그 판독 데이터를 D/A변환회로(115)로 출력한다. D/A변환회로(115)는 데이터 래치 회로(114)로부터의 데이터에 기초하여 데이터선(111) 상으로 출력되어질 전류를 생성한다.The data latch circuit 114 reads display data stored in the data register circuit 113 in synchronization with the latch signal from the timing control circuit 117 and then outputs the read data to the D / A conversion circuit 115. do. The D / A conversion circuit 115 generates a current to be output onto the data line 111 based on the data from the data latch circuit 114.

도 4는 상기 D/A변환회로(115)의 상세 회로 구성을 나타낸 것이다.4 shows a detailed circuit configuration of the D / A conversion circuit 115.

도 4에 도시한 바와 같이, D/A변환회로(115)는 데이터선(111) 마다 변환 회로(151)와 프리차지 회로(152)를 포함한다. 변환 회로(151)는 표시데이터를 이용하여 이진 방식으로 가중 처리된 복수의 기준전류의 D/A변환을 수행하여 표시데이터에 대한 계조전류를 생성한다. As shown in FIG. 4, the D / A conversion circuit 115 includes a conversion circuit 151 and a precharge circuit 152 for each data line 111. The conversion circuit 151 performs the D / A conversion of the plurality of reference currents weighted in a binary manner using the display data to generate a gradation current for the display data.

프리차지 회로(152)는 쿼지-추가 회로(153), 전압 드라이버(154) 및 스위치(155, 156 및 157)을 포함하는 것으로, 도 2에 나타낸 픽셀(105)의 입력 임피던스 특성과 동일한 임피던스 특성을 가지는 쿼지-추가 회로(153) 및 전압 드라이버(154)에 의해 변환 회로(151)로부터의 계조전류에 기초하여 픽셀(105)의 입력 임피던스 특성에 적응 가능한 계조전압을 생성한다. The precharge circuit 152 includes a quadrature-addition circuit 153, a voltage driver 154, and switches 155, 156, and 157, and has the same impedance characteristic as the input impedance characteristic of the pixel 105 shown in FIG. 2. The quasi-addition circuit 153 and the voltage driver 154 generate a gradation voltage that is adaptable to the input impedance characteristic of the pixel 105 based on the gradation current from the conversion circuit 151.

또한, 프리차지 회로(152)는 계조전압과 계조전류를 출력하여, 하나의 수평 구동 기간에서의 프리차지 기간과 전류 구동기간의 순서로 상기 스위치(155, 156 및 157)의 스위칭을 통하여 데이터선(111)의 전압구동과 전류구동을 수행한다.Further, the precharge circuit 152 outputs a gray voltage and a gray current, and switches the data lines through switching of the switches 155, 156, and 157 in the order of the precharge period and the current driving period in one horizontal driving period. Voltage drive and current drive of 111 are performed.

데이터선 구동회로(101)에서는 데이터선(111)의 구동을 위한 데이터선 구동기간이 프리차지 기간과 전류구동 기간인 2개의 기간으로 나누어진다. In the data line driving circuit 101, the data line driving period for driving the data line 111 is divided into two periods, a precharge period and a current driving period.

프리차지 기간에서는 데이터선 구동회로(101)가 높은 구동능력으로 전압구동회로에 의해 데이터선(111)을 구동시키며, 이러한 구동을 전압구동이라 한다. 전류구동 기간에서는 데이터선 구동회로(101)가 정전류 소스회로에 의해 정전류값을 가진 전류에서 데이터선(111)을 구동시키며, 이러한 구동을 전류 구동이라 한다. In the precharge period, the data line driving circuit 101 drives the data line 111 by the voltage driving circuit with high driving capability, and this driving is referred to as voltage driving. In the current driving period, the data line driving circuit 101 drives the data line 111 at a current having a constant current value by the constant current source circuit, and this driving is referred to as current driving.

데이터선 구동회로(101)는 프리차지 기간에서 계조전압을 출력하여 전압 구동시 데이터선(111)을 구동시킨다. 각각의 픽셀(105)에 대한 캐패시터(135)는 그 출력 계조전압을 이용하여 단기간에 소정의 전압까지 충전된다. 또한, 픽셀(105)을 전류구동 기간에서 데이터선 구동회로(101)로부터 출력되는 계조전류에 의해 고정밀도로 구동시켜 고정밀도를 가진 표시를 달성할 수 있다.The data line driver circuit 101 outputs a gray voltage in the precharge period to drive the data line 111 during voltage driving. The capacitor 135 for each pixel 105 is charged to a predetermined voltage in a short period of time using its output gray voltage. In addition, the pixel 105 can be driven with high precision by the gradation current output from the data line driving circuit 101 in the current driving period, thereby achieving display with high precision.

도 5는 AMOLED를 사용하는 표시장치에 사용되는 종래의 D/A 변환회로와 계조전압 생성회로를 나타낸 것이고, 도 6은 도 5와 연관된 프리차지 및 픽셀회로의 동작 모형도를 나타낸 것이다.FIG. 5 illustrates a conventional D / A conversion circuit and a gradation voltage generation circuit used in a display device using AMOLED, and FIG. 6 illustrates an operation model diagram of a precharge and pixel circuit associated with FIG. 5.

도 5에서, 계조전압 생성회로(15)는 계조 설정 데이터에 기초하여 복수의 제 1 계조 전압을 생성하는 제 1 계조 전압 생성회로(21) 및 계조 설정 데이터에 기초하여 복수의 제 2 계조 전압을 생성하는 제 2 계조 전압 생성회로(22) 및 멀티플렉서(23)를 포함한다. 상기 멀티플렉서(23)는 복수의 계조 전압으로서 복수의 제 1 계조전압 및 복수의 제 2 계조전압 중 하나의 전압을 D/A변환회로(14)로 병렬로 출력한다.In FIG. 5, the gradation voltage generation circuit 15 generates a plurality of second gradation voltages based on the gradation setting data and the first gradation voltage generation circuit 21 which generates a plurality of first gradation voltages based on the gradation setting data. And a second gray voltage generator 22 and a multiplexer 23 to generate. The multiplexer 23 outputs one of a plurality of first gray voltages and a plurality of second gray voltages in parallel to the D / A conversion circuit 14 as a plurality of gray voltages.

D/A변환회로(14)는 디코더(24), 계조전압 선택회로(25), 전압 드라이버(26), 제 1 스위치(27), 전류 드라이버(28) 및 제 2 스위치(29)를 포함한다.The D / A conversion circuit 14 includes a decoder 24, a gray voltage selection circuit 25, a voltage driver 26, a first switch 27, a current driver 28, and a second switch 29. .

상기 디코더(24)는 데이터 래치회로로부터 공급되는 하나의 픽셀에 대한 표시데이터를 디코딩하여 그 디코딩 데이터를 계조전압 선택회로(25)로 출력한다. 계조전압 선택회로(25)는 디코더(24)로부터 공급되는 표시데이터에 기초하여 계조전압 생성회로(15)로부터 공급되는 복수의 계조전압 중에서 특정 계조전압을 선택한다. 계조전압 선택회로(25)는 이 선택데이터를 전압 드라이버(26) 또는 전류 드라이버(28)로 출력한다. The decoder 24 decodes display data for one pixel supplied from the data latch circuit and outputs the decoded data to the gray voltage selection circuit 25. The gray voltage selection circuit 25 selects a specific gray voltage from a plurality of gray voltages supplied from the gray voltage generation circuit 15 based on the display data supplied from the decoder 24. The gray voltage selection circuit 25 outputs this selection data to the voltage driver 26 or the current driver 28.

전압 드라이버(26)는 높은 구동능력을 가지고 데이터선(6) 들 중 대응하는 하나를 구동시킬 수 있다. 예를 들면, 전압 드라이버(26)에는 전압 팔로워 회로 또는 소스 팔로워 회로가 제공된다. 전압 드라이버(26)는 계조전압 선택회로(25)로부터 공급되는 전압에 대응하는 전압으로 데이터선(6)을 구동시킨다. 전류 드라이버(28)는 정전류로 데이터선(6)을 구동시킬 수 있다. The voltage driver 26 can drive a corresponding one of the data lines 6 with high driving capability. For example, voltage driver 26 is provided with a voltage follower circuit or a source follower circuit. The voltage driver 26 drives the data line 6 to a voltage corresponding to the voltage supplied from the gradation voltage selection circuit 25. The current driver 28 can drive the data line 6 with a constant current.

따라서 데이터선(6)과 픽셀(5)은 전압 드라이버(26)에 의해 프리차지 기간에서 고속으로 전압 구동되며, 데이터선(6)과 픽셀(5)은 전류 드라이버(28)에 의해 전류구동기간에서 소정의 전류로 전류 구동된다. 전압구동에서는 전류 플로우의 값과 방향이 모두 변경가능하다. 반면, 전류 구동에서는, 전류 값이 일정하고 전류 플로우의 방향은 변경되지 않는다.Therefore, the data line 6 and the pixel 5 are voltage driven at a high speed in the precharge period by the voltage driver 26, and the data line 6 and the pixel 5 are driven by the current driver 28 in the current driving period. Current is driven by a predetermined current at. In voltage driving, both the value and direction of the current flow can be changed. On the other hand, in current driving, the current value is constant and the direction of the current flow does not change.

도 6에 도시된 전류 드라이버(28)는 P채널 트랜지스터로 구성되며, 전류(Id)를 생성한 다음 이 전류를 계조전압 선택회로(25)로부터 공급되는 선택된 제 2 계 조전압에 기초하여 데이터선(6)에 공급한다. 상기 전류 드라이버(28)는 P 채널 트랜지스터로 된 단일 트랜지스터로 구성되는데, 그 이유는, 픽셀(5)의 제 1 TFT(34)가 N 채널 트랜지스터이기 때문이다. 픽셀(5)의 제 1 TFT(34)가 P 채널 트랜지스터로 구성되는 경우에는, 전류 드라이버(28)가 N 채널 트랜지스터로 구성되는 것이 바람직하다.The current driver 28 shown in FIG. 6 is composed of a P-channel transistor, which generates a current Id and then, based on the selected second gradation voltage supplied from the gradation voltage selection circuit 25, the data line. It supplies to (6). The current driver 28 is composed of a single transistor made of a P-channel transistor because the first TFT 34 of the pixel 5 is an N-channel transistor. In the case where the first TFT 34 of the pixel 5 is composed of P channel transistors, it is preferable that the current driver 28 is composed of N channel transistors.

도 7은 D/A변환회로(14)에서의 전압 드라이버(26)의 상세 회로구성을 나타낸 것이다.7 shows a detailed circuit configuration of the voltage driver 26 in the D / A conversion circuit 14. As shown in FIG.

도 7을 참조하면, 전압 드라이버(26)의 출력 스테이지는 푸시풀 타입으로 되어 있고, 픽셀(5)의 제 1 TFT(34)가 N 채널 트랜지스터이기 때문에, 차동입력 트랜지스터들은 P 채널 트랜지스터이다. 차동입력 트랜지스터들이 N 채널 트랜지스터인 경우, 전압 범위는 임계전압(Vth)에 의해 협소화된다. 따라서 차동입력 트랜지스터들과 동일한 P 채널 트랜지스터들을 이용하여 접지전위 근방에서 전압범위를 넓힐 수 있다.7, the output stage of the voltage driver 26 is of a push-pull type, and since the first TFT 34 of the pixel 5 is an N channel transistor, the differential input transistors are P channel transistors. When the differential input transistors are N channel transistors, the voltage range is narrowed by the threshold voltage Vth. Therefore, by using the same P channel transistors as the differential input transistors, the voltage range can be widened near the ground potential.

그러나 상기 도 7과 같이 연산 증폭기를 이용한 전압 드라이버는 다수의 트랜지스터 및 데이터 라인의 과도한 정전용량의 부하를 극복하기 위한 보상용 저항과 캐패시터로 구성되는 것이 통상적이며, 상술한 대한민국 특허출원 제 2005-8376 호 역시 이 범주를 벗어나지 못하고 있다.However, as shown in FIG. 7, a voltage driver using an operational amplifier is typically composed of a compensating resistor and a capacitor for overcoming an excessive capacitance load of a plurality of transistors and data lines, and the aforementioned Korean Patent Application No. 2005-8376. Arcs do not escape this category.

도 7과 같은 형태의 전압 드라이버는 각 데이터 채널마다 형성되어야 하는데, 다수의 트랜지스터 및 보상용 캐패시터들로 구성됨으로 데이터 구동 칩에서 상당한 면적을 차지할 수밖에 없으며, 과도한 전류 소모가 필연적이다.A voltage driver of the type shown in FIG. 7 must be formed for each data channel. Since the voltage driver is composed of a plurality of transistors and compensation capacitors, it must occupy a considerable area in the data driving chip, and excessive current consumption is inevitable.

또한 SOG(System on Glass) 회로 설계를 이용하여 패널에 직접 전압 드라이버 설계를 시도하여 구동 시스템의 생산단가 절감을 추구할 경우 전압 드라이버 회로의 복잡성으로 인하여 충분한 전압 드라이버 성능을 얻지 못할 가능성이 매우 높다.In addition, when attempting to design a voltage driver directly to a panel by using a system on glass (SOG) circuit design, and to reduce the production cost of the drive system, it is very likely that the voltage driver circuit complexity does not achieve sufficient voltage driver performance.

즉, 종래 AMOLED와 같은 평판 표시소자를 사용하는 평판 표시장치를 전류 모드로 구동할 경우, 평판 표시장치의 데이터 라인에 발생하는 기생 정전용량에 의하여, 의도한 화소회로로의 데이터 전류 전달 속도가 크게 저하되며, 구동 전류의 레벨이 낮을 수록 구동속도가 저하됨에 따라 데이터 라인 프리차지 회로를 사용하여 이러한 구동속도를 높이고 있다. That is, when driving a flat panel display device using a flat panel display element such as a conventional AMOLED in current mode, the data current transfer speed to the intended pixel circuit is greatly increased due to parasitic capacitance generated in the data line of the flat panel display device. As the driving current is lowered as the level of the driving current decreases, the driving speed is increased by using the data line precharge circuit.

그러나 종래 프리차지 회로는 통상 연산 증폭기를 이용하여 전압 팔로워 형태로 구현되었으며, 이러한 프리차지 회로는 그 기능 대비 과도한 트랜지스터, 칩 면적, 소모 전류를 사용하는 등등의 문제점들이 있다.However, conventional precharge circuits are typically implemented in the form of a voltage follower using an operational amplifier, and such precharge circuits have problems such as using excessive transistors, chip area, and current consumption compared to their functions.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 AMOLED를 사용하는 평판 표시장치의 데이터 라인 프리차지 구현시 연산 증폭기를 사용하지 않고 보다 간단한 구성 및 저 동작 전류로 프리차지가 가능토록 한 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve this problem, and an object of the present invention is to provide a simple configuration and low operating current without using an operational amplifier when implementing data line precharge of a flat panel display using AMOLED. The present invention provides a precharge circuit for driving an AMOLED.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로는, 소정의 전류 입력에 따라 데이터 라인의 프리차지 전압을 생성하는 프리차지 전압 생성용 제 1 트랜지스터; 상기 데이터 라인의 용량성 부하를 의도한 전압이 되도록 충/방전하는 충전용 제 2 트랜지스터 및 방전용 전류원; 및 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터의 동작을 제어하는 제 1, 제 2 스위칭용 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a precharge circuit for driving an AMOLED, including: a first transistor for generating a precharge voltage of a data line according to a predetermined current input; A charging second transistor and a discharge current source for charging / discharging the capacitive load of the data line to an intended voltage; And first and second switching transistors for controlling the operations of the first and second transistors.

상기 제 1 및 제 2 트랜지스터는 각각 N 타입 트랜지스터로, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트단에 제 2 트랜지스터의 소우스단이 연결되어 제 1 트랜지스터의 게이트-소우스간 턴 온 전압을 제 2 트랜지스터의 소우스단을 통해 공급받도록 구성됨이 바람직하다.Each of the first and second transistors is an N-type transistor, and a source terminal of the second transistor is connected to a gate terminal of the first transistor, so that the gate-to-source turn-on voltage of the first transistor is the source of the second transistor. It is preferred to be configured to be fed through the bottom end.

또한, 프리차지 회로 비동작시 상기 프리차지 전압 생성용 제 1 트랜지스터와 충전용 제 2 트랜지스터, 방전용 전류원 및 제 1, 제 2 스위칭용 트랜지스터의 동작 전류를 줄이기 위한 전력소모 방지요소를 더 포함하는 것이 바람직하다.The apparatus may further include a power dissipation preventing element for reducing an operating current of the first and second transistors for generating the precharge voltage, the charging second transistor, the discharge current source, and the first and second switching transistors when the precharge circuit is inactive. It is preferable.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 입력 디지털 데이터에 해당하는 전류를 생성하는 전류 DAC; 상기 전류 DAC에서 생성된 전류에 따라 필요한 데이터 라인 프리차지 전압을 생성하는 제 1 트랜지스터; 상기 데이터 라인의 용량성 부하를 의도한 전압이 되도록 충전하는 제 2 트랜지스터; 상기 제 2 트랜지스터에 연결되어 데이터 라인의 용량성 부하의 방전 통로를 제공하는 전류원; 및 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터의 동작 제어를 위한 제 1 및 제 2 스위칭용 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, the current DAC for generating a current corresponding to the input digital data; A first transistor for generating a required data line precharge voltage according to the current generated by the current DAC; A second transistor for charging the capacitive load of the data line to a desired voltage; A current source coupled to the second transistor to provide a discharge passage of the capacitive load of the data line; And first and second switching transistors for controlling the operation of the first and second transistors.

상기 제 1 및 제 2 트랜지스터는 각각 N 타입 트랜지스터로, 제 1 트랜지스터의 드레인단은 상기 제 1 스위치용 트랜지스터를 통해 전류 DAC에서 출력되는 전류가 입력되도록 됨과 더불어 상기 제 2 트랜지스터의 게이트단과 연결되며, 게이트단은 상기 제 2 트랜지스터 소우스단과 연결되어 제 1 트랜지스터의 게이트-소우스간 턴 온 전압을 상기 제 2 트랜지스터를 통해 공급받도록 됨일 바람직하며, 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터는 각각 P타입으로, 상기 N타입 트랜지스터와 상보형으로 구성될 수 있음은 물론이다.The first and second transistors are N-type transistors, respectively, and the drain terminal of the first transistor is connected to the gate terminal of the second transistor while the current output from the current DAC is input through the first switch transistor. The gate terminal may be connected to the second transistor source terminal to receive a gate-to-source turn-on voltage of the first transistor through the second transistor. The first and second transistors may be P-type, Of course, it can be configured as a complementary type to the N-type transistor.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기 실시 예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 내용이 하기 실시 예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the following examples are merely to illustrate the present invention is not limited to the contents of the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로를 나타낸 것으로, 이는 데이터 구동 칩을 구성하는 단위 채널의 기본 유닛에 대한 구성도이다.8 shows a precharge circuit for driving an AMOLED according to the present invention, which is a configuration diagram of a basic unit of a unit channel constituting a data driving chip.

도시한 바와 같이, n-비트 디지털 데이터 입력으로부터 이 입력 디지털 데이터에 해당하는 전류를 생성하는 전류 DAC(210), 상기 전류 DAC(210)에서 생성된 전류에 따라 필요한 데이터 라인(Data Line) 프리차지 전압을 생성하는 트랜지스터(M1), 데이터 라인(Data Line)의 기생 정전용량인 용량성 부하(Cp)를 의도한 전압이 되도록 충/방전하는 트랜지스터(M2) 및 전류원(IBIAS), 상기 트랜지스터(M1,M2)의 동작 제어를 위한 스위치용 트랜지스터(SW1,SW2) 및 스캔제어신호(SCAN) 인에이블시 스위칭되어 상기 전류 DAC(210)의 출력 전류를 데이터 라인(Data Line)으로 공급하 는 스위칭용 트랜지스터(SW3)로 구성된다.As shown, a current DAC 210 that generates a current corresponding to this input digital data from an n-bit digital data input, and a required data line precharge according to the current generated by the current DAC 210. A transistor M1 for generating a voltage, a transistor M2 for charging / discharging a capacitive load C p , which is a parasitic capacitance of a data line, and a current source I BIAS , the transistor When switching transistors SW1 and SW2 and scan control signal SCAN are enabled for the operation control of the M1 and M2, the output current of the current DAC 210 is supplied to a data line. It consists of a switching transistor SW3.

이와 같은 도 8의 구성에서 본 발명의 프치 차지 회로를 구성하는 기본 요소는 상기 트랜지스터(M1,M2) 및 전류원(IBIAS)이며, 상기 구성을 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.In the configuration of FIG. 8, the basic elements constituting the fetch charge circuit of the present invention are the transistors M1 and M2 and the current source I BIAS .

먼저, 상기 스위치(SW1)는 N타입 트랜지스터로, 상기 전류 DAC(210)에 드레인단이 연결되고, 게이트단에 본 발명의 프리차지 회로를 동작시키기 위한 신호인 프리차지 인에이블신호(PCEN)가 입력되도록 되어 상기 프리자치 인에이블신호(PCEN) 입력시 스위칭 온 되도록 구성되며, 상기 스위치(SW1)의 소우스단에 상기 트랜지스터(M1)의 드레인단이 접속된다. First, the switch SW1 is an N-type transistor, and a drain terminal is connected to the current DAC 210, and a precharge enable signal PCEN, which is a signal for operating the precharge circuit of the present invention, is connected to the gate terminal. The input terminal is configured to be switched on when the pre-enable enable signal PCEN is input, and the drain terminal of the transistor M1 is connected to the source terminal of the switch SW1.

또한, 상기 스위치(SW2)는 N타입 트랜지스터로, 상기 스위치(SW1)와 마찬가지로 게이트단에 프리차지 인에이블신호(PCEN)가 입력될 경우 스위칭 온 되도록 구성되며, 스위치(SW2)의 소우스단이 상기 트랜지스터(M1)의 게이트단에 접속된다. In addition, the switch SW2 is an N-type transistor. Like the switch SW1, the switch SW2 is configured to be switched on when the precharge enable signal PCEN is input to the gate terminal, and the source terminal of the switch SW2 is configured to be switched on. It is connected to the gate terminal of the transistor M1.

상기 트랜지스터(M1)는 N타입 트랜지스터로, 상기 스위치(SW1)의 소우스단이 드레인단에 접속되고, 스위치(SW2)의 소우스단이 게이트단에 접속되며, 소우스단은 접지에 연결된 것으로, 상기 스위치(SW1,SW2) 온시 상기 전류 DAC(210)에서 생성된 전류에 따라 필요한 데이터 라인(Data Line) 프리차지 전압을 생성하게 된다.The transistor M1 is an N-type transistor, the source terminal of the switch SW1 is connected to the drain terminal, the source terminal of the switch SW2 is connected to the gate terminal, and the source terminal is connected to ground. When the switches SW1 and SW2 are turned on, the data line precharge voltage is generated according to the current generated by the current DAC 210.

또한, 상기 트랜지스터(M2)는 N타입 트랜지스터로, 상기 스위치(SW1)의 소우스단과 트랜지스터(M1)의 드레인단 사이에 게이트단이 접속되고, 드레인단은 전압원(VDD)에 연결되며, 소우스단은 상기 트랜지스터(M1)의 게이트단 및 스위치(SW2) 의 소우스단에 연결되어, 상기 스위치(SW1) 온시 데이터 라인(Data Line)의 용량성 부하(Cp)를 의도한 전압이 되도록 충전한다.In addition, the transistor M2 is an N-type transistor, and a gate terminal is connected between the source terminal of the switch SW1 and the drain terminal of the transistor M1, and the drain terminal is connected to the voltage source VDD. The terminal is connected to the gate terminal of the transistor M1 and the source terminal of the switch SW2 to charge the capacitive load C p of the data line Data on the switch SW1 to an intended voltage. do.

그리고 상기 전류원(IBIAS)은 정 전류원으로, 상기 트랜지스터(M2)의 소우스단에 일측단이 연결되고, 타측단은 접지되어 데이터 라인(Data Line)의 용량성 부하(Cp)가 상기 스위치(SW2)를 통해 접지로 방전될 수 있도록 방전경로를 형성한다.The current source I BIAS is a constant current source, one end of which is connected to the source terminal of the transistor M2, and the other end of which is grounded so that the capacitive load C p of the data line is switched. A discharge path is formed to discharge to ground through SW2.

상기 스위치(SW3)는 N타입 트랜지스터로, 소우스단이 상기 전류 DAC(210)에 연결되고, 드레인단은 상기 스위치(SW2)의 드레인단 및 데이 라인(Data Line)과 연결되며, 게이트단에 스캔제어신호(SCAN)가 입력되도록 되어 상기 스캔제어신호(SCAN) 인에이블시 상기 전류 DAC(210)의 출력이 데이터 라인(Data Line)으로 공급되도록 한다.The switch SW3 is an N-type transistor, a source terminal of which is connected to the current DAC 210, and a drain terminal of which is connected to a drain terminal and a data line of the switch SW2. The scan control signal SCAN is input so that the output of the current DAC 210 is supplied to the data line when the scan control signal SCAN is enabled.

또한, 상기 트랜지스터(M1)는 반도체 기판 위에 제작될 수도 있고, 패널의 글래스 위에 형성되는 TFT가 될 수도 있으며, 상기 전류 DAC(210)를 제외한 구성 요소(M1,M2,SW1-SW3)가 패널의 글래스 위에 TFT로 구성될 수도 있다.In addition, the transistor M1 may be fabricated on a semiconductor substrate, or may be a TFT formed on the glass of the panel, and the components M1, M2, SW1-SW3 except the current DAC 210 may be formed in the panel. It may be composed of a TFT on the glass.

그리고 데이터 라인(Data Line)의 저항(Rp) 및 용량성 부하인 캐패시터(Cp)는 기생 저항 및 기생 정전용량이다.The resistor R p of the data line and the capacitor C p , which are capacitive loads, are parasitic resistances and parasitic capacitances.

상기와 같이 구성된 본 발명의 동작을 도 9의 본 발명의 동작 타이밍도 및 도 8의 회로를 임의 패널의 픽셀회로(220)에 적용하였을 때의 구성을 나타낸 도 10과 함께 살펴본다.The operation of the present invention configured as described above will be described with reference to FIG. 10 showing an operation timing diagram of the present invention of FIG. 9 and a configuration when the circuit of FIG. 8 is applied to the pixel circuit 220 of an arbitrary panel.

먼저, 도 9의 타이밍도에 대하여 살펴보면, Period A는 프레임 타임으로, 통 상적으로 1/60초 또는 1/30초를 사용하고 있다. 그러나 이 프레임 타임은 패널의 응용처에 따라 다양하게 가변될 수 있다. First, referring to the timing diagram of FIG. 9, Period A is a frame time, and typically 1/60 seconds or 1/30 seconds is used. However, this frame time can vary widely depending on the application of the panel.

프레임 타임은 period B로 표시되는 로우 타임(row time ; 이하, row time이라 칭함)구간과 period C로 표시되는 발광 구간(light emitting time)으로 구성된다. 그리고 row time 구간인 period B는 프리차지 구간(period D)과 전류 프로그래밍 구간(current programming time)(period E)으로 나누어지며, 이러한 시간영역에서의 동작은 종래와 동일하다.The frame time is composed of a low time period represented by period B and a light emitting time represented by period C. In addition, a row time period B is divided into a precharge period D and a current programming time period E. The operation in this time domain is the same as in the related art.

도 9와 같은 타이밍을 바탕으로 하는 본 발명에서 임의 row(또는 스캔 라인)가 선택되면, 입력 디지털 데이터에 해당하는 전류가 전류 DAC(210)에 의하여 발생되고, 프리차지 인에이블신호(PCEN)가 인에이블된다. When an arbitrary row (or scan line) is selected in the present invention based on the timing as shown in FIG. 9, a current corresponding to the input digital data is generated by the current DAC 210, and a precharge enable signal PCEN is generated. Is enabled.

상기 프리차지 인에이블신호(PCEN)가 인에이블된 구간(프리차지 구간)에서 상기 스위치(SW1,SW2)가 온 되며, 이에 따라 전류 DAC(210)의 출력 전류는 스위치(SW1)을 통과하여 트랜지스터(M1)의 드레인에 이르게 된다. In the period in which the precharge enable signal PCEN is enabled (precharge period), the switches SW1 and SW2 are turned on, so that the output current of the current DAC 210 passes through the switch SW1 and becomes a transistor. It reaches the drain of M1.

이때 트랜지스터(M1)의 게이트-소우스간 전압은 전류 DAC(210)의 출력 전류가 흐르기 위해 필요한 전압이 형성되도록 트랜지스터(M2)의 소우스 전압이 트랜지스터(M1)의 게이트로 입력되게 된다. At this time, the gate-to-source voltage of the transistor M1 is input so that the source voltage of the transistor M2 is input to the gate of the transistor M1 so that a voltage necessary for the output current of the current DAC 210 is formed.

그리고 데이터 라인(Data Line)은 스위치(SW2)가 도통되어 있음으로 트랜지스터(M1)의 게이트 전압이 되는데, 데이터 라인(Data Line)의 기생 정전용량인 용량성 부하(CP)는 트랜지스터(M2)에 의해 충전되고, 전류원(IBIAS)에 의해 방전될 수 있어 의도한 전류에 해당하는 전압을 거대한 용량성 부하(CP)에 빠른 시간에 유기시킬 수 있게 된다.The data line becomes the gate voltage of the transistor M1 because the switch SW2 is turned on. The capacitive load C P , which is a parasitic capacitance of the data line, is the transistor M2. It can be charged by and discharged by the current source (I BIAS ) to be able to induce a voltage corresponding to the intended current to the large capacitive load (C P ) in a short time.

이후, 프리차지 인에이블신호(PCEN)가 디스에이블되고, 스캔제어신호(SCAN)가 인에이블되면 전류 DAC(210)의 출력 전류는 스위치(SW3)를 통하여 패널의 데이터 라인(Data Line)으로 공급되게 된다.After that, when the precharge enable signal PCEN is disabled and the scan control signal SCAN is enabled, the output current of the current DAC 210 is supplied to the data line of the panel through the switch SW3. Will be.

프리차지 구간(period D)이 끝나면 전류 프로그래밍 구간(period E)이 시작되고, 이 구간에서는 최종적으로 전류 DAC(210)로부터 출력된 전류와 픽셀회로(220)의 구동 트랜지스터(MD)의 드레인 전류는 짧은 시간 내에 동일해질 수 있어야 하고, 이를 위해 픽셀회로(220)의 구동 트랜지스터(MD)가 상기 트랜지스터(M1)의 IDS-VGS 특성과 유사해야 한다. 이는 상기 전류 DAC(210)에서 출력되는 전류에 의해 데이터 라인(Data Line)에 유기되는 전압은 트랜지스터(M1)의 IDS-VGS특성에 의해 결정되기 때문이다. At the end of the precharge period (period D), the current programming period (period E) starts. In this period, the current output from the current DAC 210 and the drain current of the driving transistor MD of the pixel circuit 220 It should be possible to be identical within a short time, and for this purpose, the driving transistor MD of the pixel circuit 220 should be similar to the I DS -V GS characteristic of the transistor M1. This is because the voltage induced in the data line by the current output from the current DAC 210 is determined by the I DS -V GS characteristic of the transistor M1.

한편, 반도체 기판 위에 형성되는 상기 트랜지스터(M1)로 유기 기판 위에서 형성되는 TFT 구동 트랜지스터(MD)의 특성을 구현하기 위해서 상기 트랜지스터(M1)는 단순 트랜지스터가 아닐 수 있다. 예를 들어, 소우스 디제너레이션(Source Degeneration) 저항을 트랜지스터(M1)에 추가할 수도 있고, 두개의 트랜지스터를 직렬로 연결하여 한 개의 트랜지스터 동작을 하게 할 수도 있다.Meanwhile, in order to implement the characteristics of the TFT driving transistor MD formed on the organic substrate with the transistor M1 formed on the semiconductor substrate, the transistor M1 may not be a simple transistor. For example, a source degeneration resistor may be added to the transistor M1, or two transistors may be connected in series to operate one transistor.

그리고 전류 프로그래밍 구간에서는 구동 트랜지스터(MD)의 드레인 전류가 전류 DAC(210)의 전류 값으로 짧은 시간에 수렴하여야 하는데, 수렴의 정밀도는 전 류 프로그래밍 구간, 데이터 전류 레벨(data current level), 데이터 라인 기생 용량(CP)과 트랜지스터(M1)와 구동 트랜지스터(MD)의 정합 정도에 의해서 결정이 된다. 이 관계는 종래의 기술에서도 그대로 적용이 되는 것이다.In the current programming section, the drain current of the driving transistor MD should converge to the current value of the current DAC 210 in a short time, and the accuracy of the convergence is the current programming section, the data current level, and the data line. It is determined by the degree of matching between the parasitic capacitance C P and the transistor M1 and the driving transistor MD. This relationship is also applied to the prior art as it is.

도 11은 본 발명에서 타이밍별 데이터 라인의 전압 파형도를 나타낸 것으로, T1에서 프리차지 인에이블신호(PCEN)가 인에이블되면 데이터 라인(Data Line) 전압은 초기 전압 V1에서 프리차지 전압 레벨인 V2로 충전된다. FIG. 11 illustrates a voltage waveform diagram of a data line for each timing in the present invention. When the precharge enable signal PCEN is enabled at T 1 , the data line voltage is at the precharge voltage level at an initial voltage V 1 . Is charged with V 2 .

이 프리차지 전압 레벨은 도 8의 전류 DAC(210)의 출력 전류인 IDATA 및 트랜지스터(M1)의 디바이스 파라미터에 의해서 결정되며, 프리차지 전압 방정식은 아래와 같다.This precharge voltage level is determined by I DATA which is the output current of the current DAC 210 of FIG. 8 and the device parameters of the transistor M1, and the precharge voltage equation is as follows.

Figure 112005058127912-pat00001
Figure 112005058127912-pat00001

여기서, W = 트랜지스터(M1)의 채널 폭(channel width), L = 트랜지스터(M1)의 채널 길이(channel length), COX = 단위 용량(unit capacitance)/단위 영역(unit area), VT = 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(threshold voltage), μ= 트랜지스터(M1)의 이동도(mobility)이다.Where W = channel width of transistor M1, L = channel length of transistor M1, COX = unit capacitance / unit area, VT = transistor ( The threshold voltage of M1, μ = mobility of transistor M1.

프리차지 속도를 결정하는 것은 데이터 라인(Data Line)의 충전 시에는 트랜지스터(M2)의 전류 공급 능력에 의해서, 방전 시에는 전류원(IBIAS)에 의해서 결정된다.The precharge rate is determined by the current supply capability of the transistor M2 during charging of the data line and by the current source I BIAS during discharging.

데이터 라인(Data Line)의 필요 전압 변화량이 5V, 기생 용량 100pF, 구동 바이어스 전류가 100uA이면 필요한 프리차지 시간은 5us이면 된다. 따라서 상기와 같은 조건이면 충분한 프리차지 속도를 예상할 수 있게 된다. If the required voltage variation of the data line is 5V, the parasitic capacitance 100pF, and the driving bias current is 100uA, the required precharge time is 5us. Therefore, under such conditions, sufficient precharge speed can be expected.

프리차지 구간이 끝나고 T2에서 스캔제어신호(SCAN)가 인에이블되면 IDATA로 픽셀회로(220)의 구동 트랜지스터(MD)를 구동하며 약간의 전압조정이 발생하게 되는데, 이때 전압조정 양은 본 발명의 프리차지 회로의 트랜지스터(M1)의 전류-전압 특성과 픽셀회로(220)의 구동 트랜지스터(MD)의 전류-전압 특성의 정합정도에 의해 결정된다.When the scan control signal SCAN is enabled at T 2 after the precharge period is completed, some voltage adjustment occurs while driving the driving transistor MD of the pixel circuit 220 with I DATA . The degree of matching between the current-voltage characteristic of the transistor M1 of the precharge circuit and the current-voltage characteristic of the driving transistor MD of the pixel circuit 220 is determined.

도 11에서 V1은 데이터 라인(Data Line)의 초기 전압, V2는 프리차지 동작에 의해서 형성되는 데이터 라인(Data Line) 전압, V3와 V4는 최종 데이터 라인(Data Line) 전압을 표시하며, 픽셀회로(220)의 구동 트랜지스터(MD)의 특성에 따라서 전류구동으로 형성하는 전압을 의미한다. 즉, 프리차지 전압으로 충전한 후, 전류 DAC(210)로 데이터 라인(Data Line) 전압을 정밀 조정해야 하는데, 정밀 조정후의 전압을 두개 표시한 것이 V3, V4이다.In FIG. 11, V 1 denotes an initial voltage of a data line, V 2 denotes a data line voltage formed by a precharge operation, and V 3 and V 4 denote a final data line voltage. In addition, it means a voltage formed by current driving according to the characteristics of the driving transistor MD of the pixel circuit 220. That is, after charging to the precharge voltage, the data line voltage should be precisely adjusted with the current DAC 210. The two voltages after the fine adjustment are indicated by V 3 and V 4 .

도 12는 본 발명의 응용 예로서, 본 발명의 동작 전류를 줄이기 위한 구성을 나타낸 것이다.12 is an application example of the present invention, and shows a configuration for reducing the operating current of the present invention.

이는 도 8의 프리차지 회로에 스위치(SW4)가 더 구비된 형태이며, 상기 스위치(SW4)는 프리차지 인에이블신호(PCEN)가 게이트단에 입력되고, 소우스단은 접지되며, 드레인단은 스위치(SW1)의 소우스단과 트랜지스터(M1)의 드레인단 및 트랜지 스터(M2)의 게이트단에 접속되어, 프리차지 인에이블신호(PCEN)가 디스에이블시 온 되는 P타입 트랜지스터이다.The switch SW4 is further provided in the precharge circuit of FIG. 8. In the switch SW4, the precharge enable signal PCEN is input to the gate terminal, the source terminal is grounded, and the drain terminal is The P-type transistor is connected to the source terminal of the switch SW1, the drain terminal of the transistor M1, and the gate terminal of the transistor M2 to turn on the precharge enable signal PCEN.

이의 동작을 살펴보면, 상기 프리차지 인에이블신호(PCEN)가 인에이블시 스위치(SW4)는 오프 상태가 되어 도 8의 본 발명의 프리차지 회로는 정상동작을 행하게 된다.Referring to this operation, when the precharge enable signal PCEN is enabled, the switch SW4 is turned off, and the precharge circuit of FIG. 8 performs normal operation.

반면, 프리차지 인에이블신호(PCEN)가 디스에이블되면 스위치(SW4)는 온 되어 도 8의 본 발명의 프리차지 회로에 더 이상 전류가 흐르지 않도록 하여 불필요한 동작 전류를 줄이게 된다.On the other hand, when the precharge enable signal PCEN is disabled, the switch SW4 is turned on to prevent unnecessary current from flowing in the precharge circuit of FIG. 8 so as to reduce unnecessary operating current.

도 13은 도 8의 본 발명의 프리차지 회로에 대한 상보(Complementary) 형태의 구성을 나타낸 것으로, 그 동작은 도 8과 동일하므로 상세 설명은 약한다. 또한, 도 13에서도 상기 도 12와 마찬가지로 동작 전류를 줄이기 위한 스위치(SW4)의 추가 구성이 가능함은 물론이다.FIG. 13 illustrates a configuration of a complementary form of the precharge circuit of the present invention of FIG. 8, and since the operation thereof is the same as that of FIG. 8, detailed description thereof is weak. In addition, in FIG. 13, the switch SW4 may be additionally configured in the same manner as in FIG. 12.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다. As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below Or it may be modified.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 다음과 같은 효과를 갖게 된다. As described above, the present invention has the following effects.

첫째, 본 발명은 종래와 같이 프리차지 회로에 연산 증폭기를 사용하지 않고 매우 간단한 형태로 구성 가능하므로 데이터 구동 칩의 면적과 소모 전력을 크게 줄일 수 있게 된다. First, since the present invention can be configured in a very simple form without using an operational amplifier in the precharge circuit as in the related art, the area and power consumption of the data driving chip can be greatly reduced.

둘째, 구동회로의 간단화를 통해 구동 칩의 수율을 높일 수 있게 된다.Second, the yield of the driving chip can be increased by simplifying the driving circuit.

셋째, 반도체 칩으로 구현할 수밖에 없는 회로들을 SOG화할 수 있을 정도로 간단한 회로로 전환할 수 있어, 전류구동 기술의 획기적인 발전을 기대케 할 수 있다.Third, circuits that can only be implemented with semiconductor chips can be converted into circuits that are simple enough to SOG, which can lead to breakthroughs in current-driven technology.

넷째, 소면적 AMOLED 디스플레이 패널 뿐만 아니라, 과도한 데이터 라인 정전용량을 가지는 대면적 패널도 프리차지 동작시 전압 드라이버의 안정도(stability)를 확보할 수 있게 된다.Fourth, not only a small area AMOLED display panel but also a large area panel having excessive data line capacitance can secure the stability of the voltage driver during the precharge operation.

Claims (10)

소정의 전류 입력에 따라 데이터 라인의 프리차지 전압을 생성하는 프리차지 전압 생성용 제 1 트랜지스터; A first transistor for generating a precharge voltage for generating a precharge voltage of the data line according to a predetermined current input; 상기 데이터 라인의 용량성 부하를 의도한 전압이 되도록 충/방전하는 충전용 제 2 트랜지스터 및 방전용 전류원; 및 A charging second transistor and a discharge current source for charging / discharging the capacitive load of the data line to an intended voltage; And 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터의 동작을 제어하는 제 1, 제 2 스위칭용 트랜지스터;First and second switching transistors for controlling the operation of the first and second transistors; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로.A precharge circuit for driving an AMOLED comprising a. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터는 각각 N 타입 트랜지스터로, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트단에 제 2 트랜지스터의 소우스단이 연결되어 제 1 트랜지스터의 게이트-소우스간 턴 온 전압을 제 2 트랜지스터의 소우스단을 통해 공급받도록 구성됨을 특징으로 하는 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로.The gate-to-source turn-on voltage of the first transistor of claim 1, wherein the first and second transistors are N-type transistors, respectively, and a source terminal of the second transistor is connected to a gate terminal of the first transistor. Precharge circuit for driving the AMOLED, characterized in that configured to be supplied via the source terminal of the second transistor. 제 1 항에 있어서, 프리차지 회로 비동작시 상기 각 요소의 동작 전류를 줄이기 위한 전력소모 방지요소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로. The precharge circuit of claim 1, further comprising a power consumption preventing element for reducing an operating current of each element when the precharge circuit is not operated. 제 3 항에 있어서, 상기 전력소모 방지요소는 스위칭용 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로. 4. The precharge circuit of claim 3, wherein the power consumption preventing element is a switching transistor. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 트랜지스터는 소우스 디제너레이션(Source Degeneration) 저항이 삽입되거나 또는 두개의 트랜지스터가 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로. The precharge circuit of claim 1, wherein the first transistor has a source degeneration resistor inserted therein or two transistors are connected in series. 입력 디지털 데이터에 해당하는 전류를 생성하는 전류 DAC;A current DAC for generating a current corresponding to the input digital data; 상기 전류 DAC에서 생성된 전류에 따라 필요한 데이터 라인 프리차지 전압을 생성하는 제 1 트랜지스터; A first transistor for generating a required data line precharge voltage according to the current generated by the current DAC; 상기 데이터 라인의 용량성 부하를 의도한 전압이 되도록 충전하는 제 2 트랜지스터;A second transistor for charging the capacitive load of the data line to a desired voltage; 상기 제 2 트랜지스터에 연결되어 데이터 라인의 용량성 부하의 방전 통로를 제공하는 전류원; 및 A current source coupled to the second transistor to provide a discharge passage of the capacitive load of the data line; And 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터의 동작 제어를 위한 제 1 및 제 2 스위칭용 트랜지스터;First and second switching transistors for controlling the operation of the first and second transistors; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로.A precharge circuit for driving an AMOLED comprising a. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터는 각각 N 타입 트랜지스터로, 제 1 트랜지스터의 드레인단은 상기 제 1 스위치용 트랜지스터를 통해 전류 DAC에서 출력되는 전류가 입력되도록 됨과 더불어 상기 제 2 트랜지스터의 게이트단과 연결되며, 게이트단은 상기 제 2 트랜지스터 소우스단과 연결되어 제 1 트랜지스터의 게이트-소우스간 턴 온 전압을 상기 제 2 트랜지스터를 통해 공급받도록 된 것을 특징으로 하는 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로.The second transistor of claim 6, wherein the first and second transistors are N type transistors, respectively, and the drain terminal of the first transistor is configured to input a current output from the current DAC through the first switch transistor. Is connected to a gate terminal of the gate terminal, and the gate terminal is connected to the second transistor source terminal to receive the gate-source turn-on voltage of the first transistor through the second transistor. Circuit. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터는 각각 P타입으로, 상기 N타입 트랜지스터와 상보형으로 구성됨을 특징으로 하는 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로.The precharge circuit of claim 7, wherein each of the first and second transistors is a P type and is complementary to the N type transistor. 제 6 항에 있어서, 프리차지 회로 비동작시 상기 프리차지 전압 생성용 제 1 트랜지스터와 충전용 제 2 트랜지스터, 방전용 전류원 및 제 1, 제 2 스위칭용 트랜지스터의 동작 전류를 줄이기 위한 전력소모 방지요소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로. 7. The power dissipation preventing element of claim 6, wherein the first transistor for generating the precharge voltage, the second transistor for charging, the current source for discharging, and the first and second switching transistors reduce the power consumption when the precharge circuit is not operated. A precharge circuit for driving an AMOLED further comprising. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 트랜지스터는 소우스 디제너레이션(Source Degeneration) 저항을 삽입하거나 또는 두개의 트랜지스터를 직렬로 연결하여 입력 전류에 대한 프리차지 전압을 다양하게 제어가능토록 된 것을 특징으로 하는 AMOLED 구동을 위한 프리차지 회로.The method of claim 6, wherein the first transistor is configured to variously control the precharge voltage with respect to the input current by inserting a source degeneration resistor or by connecting two transistors in series. Precharge circuit for driving AMOLED.
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