KR100618054B1 - 금 합금 본딩 와이어 - Google Patents

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gold
bonding
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윤경식
조종수
박용진
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엠케이전자 주식회사
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Abstract

반도체 소자 패키지용 금 합금 본딩 와이어를 개시한다. 본 발명에 따른 본딩 와이어는 순도 99.999% 이상의 초고순도 순금(Au)에, Mo, As, Po, B 중 적어도 한 원소를 2 - 25 중량ppm 함유한다. 여기에, Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중 적어도 한 원소를 2 - 30 중량ppm 더 함유할 수 있다. 또는 P, Tc, Re, Tl, Ho 중 적어도 한 원소를 3 - 30 중량ppm 더 함유할 수 있다. 또는 Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중 적어도 한 원소를 2 - 30 중량ppm 더 함유하고, P, Tc, Re, Tl, Ho 중 적어도 한 원소를 3 - 30 중량ppm 더 함유할 수 있다. 이러한 본딩 와이어는 칩 패드와의 접합부에 균열 발생을 방지하고, 낮은 루프에서도 볼 네크 부위의 손상을 방지할 수 있으며, 몰딩 공정에서 발생하는 몰드 스위핑을 개선할 수 있고, 저유전체 반도체 칩에도 적용할 수 있다.

Description

금 합금 본딩 와이어{Au alloy bonding wire}
본 발명은 반도체 소자의 패키징시 반도체 칩의 칩 패드와 리드 프레임 또는 인쇄회로기판(PCB)을 전기적으로 연결하는 본딩 와이어에 관한 것으로, 특히 고집적 반도체 소자의 패키징에 적합한 금 합금 본딩 와이어에 관한 것이다.
환경 유해 물질 규제에 따라 반도체 및 전자 업계에서는 납이 들어있지 않은 솔더, 즉 무연(lead-free) 솔더를 사용하고 있다. 무연 솔더를 사용한 반도체 패키지에 대한 IR 리플로우 공정은 기존보다 약 30~ 50℃ 정도 높은 250℃ 이상의 온도에서 진행된다. 이러한 고온 환경에 반도체 패키지가 장시간 노출될 경우, 칩 패드와 본딩 와이어의 접합부에 금속간 화합물(intermetallic compound)이 형성되고 이로 인한 균열이 발생하여 반도체 패키지의 불량을 유발한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 100 - 10,000 중량ppm까지의 균열 방지 원소를 첨가하는 방법이 있으나, 오히려 합금첨가로 인해 전기저항을 증가시켜 반도체 소자의 작동속도를 저하시키고 저항열을 증가시키는 문제가 있다.
한편, 반도체 소자의 속도를 증가시키기 위하여 반도체 칩의 배선 수를 지속적으로 증가시키고 있어, 본딩 와이어가 접합되는 칩 패드의 크기와 배선간의 간격 이 감소되고 있다. 이 때문에 배선은 더 얇은 금속선을 사용해야 하지만 얇고 조밀한 배선으로 인해 노이즈에 의한 전기신호 전송 불량이 문제되고 있다. 이를 개선하기 위하여 배선을 얇은 저유전체 박막으로 코팅하고 절연한 저유전체 반도체 칩이 있다. 이러한 저유전체를 사용함에 있어서 발생하는 문제는 매우 낮은 유전상수를 갖는 기존의 물질들이 유연하고 매우 약하여 실리콘이나 금속 배선에 대한 접착력이 약하여 외부로부터 작은 힘이 전달되어도 쉽게 금이 가거나 벗겨진다는 것이다. 따라서, 저유전체 반도체 칩에 접합하더라도 칩 패임(chip cratering) 및 칩 깨짐 등의 불량이 없는 본딩 와이어가 필요하다.
칩 패드의 크기와 배선간의 간격이 감소됨에 따라 본딩 와이어의 직경도 감소되고 있다. 이에 따라 본딩 및 본딩 후 몰딩 공정에서 와이어의 직진성, 몰딩 콤파운드(molding compound) 주입시 유동에 의한 몰드 스위핑(mold sweeping) 즉, 방향성 쏠림 현상이 문제화되고 있다. 그리고, 최근 IT 산업 및 통신 산업의 발달에 따라서 전자 부품 기술의 발전이 가속화됨에 따라, 전자 부품의 경박 단소화를 위해서 본딩 와이어로 구현되는 루프의 높이를 낮게 하고 있지만, 루프의 높이를 너무 낮추면 볼 네크(ball neck) 부분에서 데미지(damage)가 발생하는 문제가 있다. 이 때문에, 낮은 루프에서도 볼 네크 데미지를 해결하는 기술이 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는, 칩 패드와의 접합부에 균열 발생을 방지하고, 낮은 루프에서도 볼 네크 부위의 손상을 방지할 수 있으며, 몰딩 공정에 서 발생하는 몰드 스위핑을 개선할 수 있고, 저유전체 반도체 칩에도 적용할 수 있는 합금 조성을 가진 금 합금 본딩 와이어를 제공하는 것이다.
상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 본딩 와이어의 일 태양은 순도 99.999% 이상의 초고순도 순금(Au)에, Mo, As, Po, B 중 적어도 한 원소를 2 - 25 중량ppm 함유하는 것이다.
여기에, 30 - 90 중량ppm의 Pd와 20 - 90 중량ppm의 Ca 중 적어도 한 원소를 더 함유할 수 있다. 대신에 Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중 적어도 한 원소를 2 - 30 중량ppm 더 함유할 수 있다. 또는 P, Tc, Re, Tl, Ho 중 적어도 한 원소를 3 - 30 중량ppm 더 함유할 수 있다. 또는 Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중 적어도 한 원소를 2 - 30 중량ppm 더 함유하고, P, Tc, Re, Tl, Ho 중 적어도 한 원소를 3 - 30 중량ppm 더 함유할 수 있다. 이러한 조성에 Ni, Cu 중 적어도 한 원소를 20 - 90 중량ppm 더 함유할 수도 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 본딩 와이어의 다른 태양은 순도 99.999% 이상의 초고순도 순금에, Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중 적어도 한 원소를 2 - 30 중량ppm 함유하는 것이다.
여기에, P, Tc, Re, Tl, Ho 중 적어도 한 원소를 3 - 30 중량ppm 더 함유할 수 있다. 그리고, 이러한 조성에 Ni, Cu 중 적어도 한 원소를 20 - 90 중량ppm 더 함유할 수도 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 본딩 와이어의 또 다른 태양은 순도 99.999% 이상의 초고순도 순금에, P, Tc, Re, Tl, Ho 중 적어도 한 원소를 3 - 30 중량ppm 함유하는 것이다.
본 명세서에 있어서, 중량ppm은 패키지용 금 합금 본딩 와이어의 총중량에 대한 중량ppm임을 밝혀둔다.
제1 실시예
본 발명의 제1 실시예에 따른 본딩 와이어는 순도 99.999% 이상의 초고순도 순금에, Mo, As, Po, B 중 적어도 한 원소를 2 - 25 중량ppm 함유한다. 여기에, 30 - 90 중량ppm의 Pd와 20 - 90 중량ppm의 Ca 중 적어도 한 원소를 더 함유할 수 있다. 대신에 Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중 적어도 한 원소를 2 - 30 중량ppm 더 함유할 수 있다. 또는 P, Tc, Re, Tl, Ho 중 적어도 한 원소를 3 - 30 중량ppm 더 함유할 수 있다. Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중 적어도 한 원소를 2 - 30 중량ppm 더 함유하는 동시에, P, Tc, Re, Tl, Ho 중 적어도 한 원소를 3 - 30 중량ppm 더 함유할 수도 있다. 이러한 다양한 조성에 Ni, Cu 중 적어도 한 원소를 20 - 90 중량ppm 더 함유할 수도 있다.
본 발명에서 제안하는 합금 조성을 이루는 첨가원소는 100 중량ppm 미만의 미량으로 첨가하더라도 칩 패드와 본딩 와이어의 접합부에 발생하는 균열 방지가 우수한 효과를 가진다. 첨가원소의 함유량이 작으므로 99.99% 이상의 고순도를 유지하여 우수한 전기적 특성을 가지며 전기저항 증가로 인한 전기신호의 시간지연 문제를 해결할 수 있다. 또한, 후술하는 실험예에서 볼 수 있는 바와 같이, 150℃ 이상의 고온 공정 온도 및 신뢰성 시험 온도에서, 칩 패드와 본딩 와이어의 접합부 에 발생하는 균열을 방지한다.
위와 같은 조성을 가진 본딩 와이어는 적당한 강도를 가지므로, 몰딩 공정에서 발생하는 방향성 쏠림 현상을 개선 내지 해결할 수 있다. 그리고, 초저루프 본딩시 발생할 수 있는 볼 네크 데미지를 방지할 수 있다.
위와 같은 조성을 가진 본딩 와이어는 또한 적절한 경도를 가지므로, 매우 낮은 유전상수를 갖는 물질을 이용한 칩 위에 본딩시 실리콘이나 금속 배선에 대한 접착력 및 기계적 강도가 약하여 외부로부터 작은 힘이 전달되어도 쉽게 금이 가거나 벗겨지던 문제를 해결할 수 있다.
제2 실시예
본 발명의 제2 실시예에 따른 본딩 와이어는 순도 99.999% 이상의 초고순도 순금에, Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중 적어도 한 원소를 2 - 30 중량ppm 함유하는 것이다. 여기에, P, Tc, Re, Tl, Ho 중 적어도 한 원소를 3 - 30 중량ppm 더 함유할 수 있다. 그리고, 이러한 조성에 Ni, Cu 중 적어도 한 원소를 20 - 90 중량ppm 더 함유할 수도 있다.
이러한 조성의 본딩 와이어 역시 칩 패드와의 접합부에 균열 발생을 방지하고, 낮은 루프에서도 볼 네크 부위의 손상을 방지할 수 있으며, 몰딩 공정에서 발생하는 몰드 스위핑을 개선할 수 있고, 저유전체 반도체 칩에도 적용할 수 있다.
제3 실시예
본 발명의 제3 실시예에 따른 본딩 와이어는 순도 99.999% 이상의 초고순도 순금에, P, Tc, Re, Tl, Ho 중 적어도 한 원소를 3 - 30 중량ppm 함유하는 것이다.
이러한 조성의 본딩 와이어 역시 칩 패드와의 접합부에 균열 발생을 방지하고, 낮은 루프에서도 볼 네크 부위의 손상을 방지할 수 있으며, 몰딩 공정에서 발생하는 몰드 스위핑을 개선할 수 있고, 저유전체 반도체 칩에도 적용할 수 있다.
원료, 합금원소의 종류 및 함량
본 발명에 따른 본딩 와이어에서, 원재료 금으로는 적어도 99.999% 이상으로 정제된 고순도 순금을 사용한다. 금은 전기적 저항이 적어, 전자 회로의 신호 전달용으로 가장 좋은 도체이고, 또한 연성과 전성이 우수하여 길게 늘리거나 넓게 펼칠 수 있는 우수한 특성이 있다. 반면, 금은 주변 온도의 변화에 민감하여 고온에서 늘어나는 경향이 있고 기계적인 강도가 약하므로, 본딩 와이어로 제작하여 반도체 패키지에 배선하였을 경우, 배선이 형성된 루프가 처지는 현상 또는 루프의 쏠림 현상 등이 발생될 수 있다. 따라서, 금의 우수한 전기전도성 상태를 유지하는 범위에서 패키지용 금 본딩 와이어로서의 우수한 특성을 나타내기 위해, 다른 원소들을 중량ppm 단위로 합금화 및 도핑(doping)하여 사용한다. 원재료인 금의 순도가 99.999% 미만이 되면 첨가 원소의 첨가량이 제한되고 불순물의 영향을 받아서 첨가 원소의 첨가 효과가 사라지게 된다. 99.999% 이상의 고순도 금은, 불순물을 제거하여 순도를 높이도록 전기화학적 정제방법 및 국부적 용해 정제 방법의 2단계 정제를 거침으로써 얻을 수 있다.
이러한 금에 Mo, As, Po, B 중에서 적어도 한 가지를 선택하여 함유시, 2 중량ppm 이하 첨가할 경우 초저루프 형성시 볼 네크 데미지 방지 및 고온 신뢰성 향상 효과가 미미하며, 25 중량ppm 이상 첨가시에는 오히려 금 본딩 와이어를 경화시 켜 볼 네크 부분에 지나친 응력 집중으로 볼 네크 데미지를 유발한다. 따라서, 이들 원소의 함유량은 2 - 25 중량ppm으로 정한다.
Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중에서 적어도 한 가지를 선택하여 함유시, 2 중량ppm 이하 첨가할 경우 몰딩 공정에서 발생되는 일 방향 몰드 스위핑 개선 효과가 미미하며, 30 중량ppm 이상 첨가시 일방향 몰드 스위핑 현상은 개선되나, 프리 에어 볼(Free Air Ball) 경도를 증가시켜 매우 낮은 유전상수를 갖는 저유전체 반도체 칩 위에서 본딩시 칩 패드 부위 크랙 및 칩 내부 회로에 영향을 미쳐 반도체의 전기적 성능을 저하시킨다. 이 때문에 위에서 기술한 합금 조성에서 Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중 적어도 한가지를 첨가할 때에는 함유량을 2 - 30 중량ppm으로 정한다.
P, Tc, Re, Tl, Ho 중에서 적어도 한 가지를 선택하여 함유시, 3 중량ppm 이하 첨가할 경우 고온 신뢰성 개선 효과가 미미하며, 30 중량ppm 이상 첨가한 경우 프리 에어 볼 형성시 볼 하부에 응고 수축공이 형성되어 금 본딩 와이어와 칩 패드간의 초기 접착 강도를 저하시킨다. 따라서, P, Tc, Re, Tl, Pb, Ho 중에서 적어도 한가지의 함유량은 3 - 30 중량ppm으로 정한다.
Pd, Ca, Ni, Cu은 특히 Mo, As, Po, B와 함께 합금 첨가시, 고온 신뢰성 상승에 매우 효과적이다.
칩 패드는 보통 알루미늄(Al) 재질로 되어 있다. 이에 따라, 금 합금 본딩 와이어를 접착하는 경우, 금 합금 본딩 와이어의 금이 칩 패드 쪽으로 확산하여 네크 부위에 보이드를 형성하기 쉽다. Pd는 와이어 본딩 후, 금이 풍부한(Au-rich) 영역(즉, 패키지용 금 합금 본딩 와이어 영역)과 알루미늄이 풍부한(Al-rich) 영역 (즉, 칩 패드 영역) 사이의 계면에, 금 원자의 확산을 방해하는 막을 형성한다. 금 원자 확산이 저지되므로 금속간 화합물 형성 및 커켄달 보이드(Kirkendall void) 형성이 억제된다. 따라서, 열적 신뢰성 저하를 방지한다. 또한, Pd는 내산화성이 우수하기 때문에 상온에서의 인장 강도를 향상시키고, 반도체 패키지 공정에 수반되는 다수의 열처리 공정에 견디는 고온 인성을 향상시킨다. 뿐만 아니라, 볼 본딩시 접합 신뢰성을 증가시킨다. Pd는 30 중량ppm 이하 함유시에는 고온 신뢰성 향상 효과가 미미하며, 90 중량ppm 이상 첨가시에는 프리 에어 볼 경도를 증가시킨다. 따라서, Pd 첨가시 함유량은 30 - 90 중량ppm으로 정한다.
Ca는 상온 및 고온 인장강도를 상승시키는 역할을 하며, 루프가 형성된 후의 처짐 또는 쏠림과 같은 루프 형상의 굴곡 또는 변형을 억제하는 작용을 한다. 초저루프 형성시, 볼 네크 부위의 항복 강도를 상승시켜 인성을 증가시키므로 볼 네크 부위의 손상을 감소하거나 제거하는 데에 더욱 효과가 있다. 특히 금 합금 본딩 와이어의 직경이 작아도 볼 네크의 취성 파단을 억제할 수 있다. Ca는 20 중량ppm 이하 함유시에는 고온 신뢰성 향상 효과가 미미하며, 90 중량ppm 이상 첨가시에는 프리 에어 볼에 과도한 응고 수축공을 유발시키며 본딩시 저온 및 고온 신뢰성을 감소시키고 볼 네크 데미지를 증가시킨다. 따라서, Ca 첨가시 함유량은 20 - 90 중량ppm으로 정한다.
Ni 및 Cu은 20 중량ppm 이하 함유시에는 고온 신뢰성 향상 효과가 미미하며, 90 중량ppm 이상 첨가시에는, 오히려 본딩시 저온 및 고온 신뢰성을 저하시킨다. 이 때문에 Ni 및 Cu는 첨가시 함유량을 20 - 90 중량ppm으로 정한다.
실험예
이하 상기와 같은 첨가원소의 첨가량을 변화시키면서 혼합한 금 합금 본딩 와이어에 대해 실험한 결과를 구체적으로 설명한다. 그러나 하기의 실험예들은 본 발명을 보다 용이하게 이해할 수 있도록 제공하는 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예들에 한정되는 것은 아니다.
우선 순도 99.999% 이상으로 정제된 금에 상기의 합금 재료인 첨가원소를 하기 표 1과 같이 실시예, 비교예로 혼합하여 용해한 후, 연속주조(continuous casting)하여 골드 라드(gold rod)를 제조하였다. 그 후, 인발 가공(drawing process)을 통해 골드 라드의 단면적을 감소시키면서 목적하는 직경의 본딩 와이어로 가공하였다. 본딩 와이어의 직경은 20㎛이었다. 이후, 어닐링(annealing)하여 본딩 와이어 내부의 응력장과 와이어 컬(curl)을 제거하였다.
Figure 112005024140639-pat00001
Figure 112005024140639-pat00002
상기와 같은 조성비로 제조한 본딩 와이어에 대해 평가한 결과를 하기 표 2에 표시하였다. 본딩 와이어에 대해 칩 패임(chip cratering), 프리 에어 볼 형상, 볼 네크 데미지, 몰드 스위핑 및 고온 신뢰성(시간 경과에 따른 본드 불량 비율) 등을 평가하였다.
먼저, 칩 패임에서 '◎는 칩 패임이 없이 매우 양호한 상태, ○는 양호한 상태, △는 보통 상태, ×는 침 패임이 많아 열악한 상태를 표시한다.
프리 에어 볼 형상은 40㎛ 직경의 프리 에어 볼을 형성한 후 SEM(주사 전자현미경)으로 관찰하였다. 볼 형상에서 ◎는 매우 양호한 상태, ○는 양호한 상태, △는 보통 상태, ×는 열악한 상태를 표시한 것이다. 볼 형상의 경우에는 볼 표면에 산화물이 형성되거나 볼 형상이 왜곡되었는지의 여부를 판단하였다.
볼 네크 데미지는 본딩 와이어로 70㎛ 정도 높이의 루프를 형성하면서 와이어 본딩을 실시한 후 볼 네크 부위의 손상 방지 정도를 관찰하여 평가하였다. ◎는 손상 방지 정도가 매우 양호한 상태, ○는 양호한 상태, △는 보통 상태, ×는 열악한 상태를 표시한 것이다.
몰드 스위핑은 본딩 와이어의 길이 대 몰딩시 쓸려간 정도로 측정하였다. ◎는 몰드 스위핑이 발생 안함, ○는 거의 발생 안함, △는 약간 발생함, ×는 많이 발생함으로 표시하였다.
고온 신뢰성 평가는 여러 가지 신뢰성 평가 방법이 있지만, 업계에서 현재 가장 큰 이슈로서 대두되고 있는 HTST(High Temp. Storage Test)를 사용하여 평가하였다. U.S. military spec.인 150℃ - 1000 시간보다도 더 가혹한 조건인, 175℃ - 1000 시간의 조건에서 테스트하였다. 각 시편마다 일정한 시간의 경과 후, 본드 풀 테스트(bond pull test)를 실시하여, 기준치 이하일 경우를 불량(failure)이라 정의한 후, 각 시편별로 50개의 금 본딩 와이어를 시험하여 데이터를 산출하였다.
불량(%)= (기준치 이하의 값을 갖는 금 본딩 와이어 수) / (테스트를 실시한 금 본딩 와이어 수)
Figure 112005024140639-pat00003
Figure 112005024140639-pat00004
표 1 및 표 2에서, 실시예 번호 4, 5, 6, 9-17, 33-36은 Mo, As, Po, B 중에서 적어도 한 가지를 함유하는데 그 함유량이 25 중량ppm을 초과하여 볼 네크 데미지를 유발한다. 따라서, 이들 원소의 함유량은 25 중량ppm 이하로 제한함이 바람직하다.
실시예 번호 21-23, 25-34, 36은 Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중에서 적어도 한 가지를 함유하는데 그 함유량이 30 중량ppm을 초과하는 경우이다. 이 때, 몰드 스위핑 현상은 개선되나, 프리 에어 볼 경도를 증가시켜 저유전체 반도체 칩 위에서 본딩시 칩 패드 부위 크랙 및 칩 내부 회로에 영향을 미쳐 반도체의 전기적 성능을 저하시킨다. 이 때문에 이들 원소의 함유량은 30 중량ppm 이하로 정하는 것이 바람직하다.
실시예 번호 41-44, 46은 P, Tc, Re, Tl, Ho 중에서 적어도 한 가지를 함유하는데, 그 함유량이 30 중량ppm을 초과하여 프리 에어 볼 형상이 열악하다. 따라서, 이들 원소의 함유량은 30 중량ppm 이하로 정함이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명에서 제안하는 바와 같은 조성을 가진 본딩 와이어의 실시예의 경우는 모두 칩 패드와의 접합부에 균열 발생을 방지하고, 낮은 루프에서도 볼 네크 부위의 손상을 방지할 수 있으며, 몰딩 공정에서 발생하는 몰드 스위핑을 개선할 수 있고, 저유전체 반도체 칩에도 적용할 수 있으며, 고온 신뢰성이 우수하다는 것을 표 1 및 표 2로부터 알 수 있다.
이상, 본 발명은 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
상기와 같이 본 발명에 의한 합금으로 제조된 금 합금 본딩 와이어는 100 중량ppm 미만의 미량의 원소를 첨가하더라도 칩 패드와의 접합부에 발생하는 균열 방 지가 우수하다. 첨가원소의 첨가량이 작으므로 99.99% 이상의 고순도를 유지하여 우수한 전기적 특성을 가지며 전기저항 증가로 인한 전기신호의 시간지연 문제를 해결한다. 또한, 150℃ 이상의 고온 작업 온도 및 신뢰성 시험온도에서, 칩 패드와의 접합부에 발생하는 균열을 방지한다. 즉, 고온 신뢰성도 향상되기 때문에 반도체 소자 패키지에 전기적 배선용으로 사용시, 공업적 산업적으로 우수한 이용효과를 기대할 수 있다. 초기 접합 강도 향상 및 고온 신뢰성을 향상시키므로 기존 합금 조성을 이용한 금 본딩 와이어보다 반도체 패키지의 수명을 두 배 이상 증가시킨다.
본 발명에 따른 금 합금 본딩 와이어는 적당한 강도를 가지므로, 몰딩 공정에서 발생하는 몰드 스위핑을 개선 내지 해결할 수 있다. 그리고, 초저루프를 형성하는 경우에도 볼 네크 부위의 손상이 방지된다.
본 발명에 따른 금 본딩 와이어는 또한 적절한 경도를 가지므로, 저유전체 반도체 칩 위에 본딩시 실리콘이나 금속 배선에 대한 접착력 및 기계적 강도가 우수하다. 따라서, 종래의 본딩 와이어가 약하여 외부로부터 작은 힘이 전달되어도 쉽게 금이 가거나 벗겨져 내부 회로에 영향을 미쳐 반도체의 전기적 성능을 감소시키던 문제를 해결할 수 있다,

Claims (7)

  1. 순도 99.999% 이상의 초고순도 순금(Au)에, Mo, As, Po, B 중 적어도 한 원소를 2 - 25 중량ppm 함유하는 것으로 특징으로 하는 금 본딩 와이어.
  2. 순도 99.999% 이상의 초고순도 순금에, Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중 적어도 한 원소를 2 - 30 중량ppm 함유하는 것을 특징으로 하는 금 본딩 와이어.
  3. 순도 99.999% 이상의 초고순도 순금에, P, Tc, Re, Tl, Ho 중 적어도 한 원소를 3 - 30 중량ppm 함유하는 것을 특징으로 하는 금 본딩 와이어.
  4. 제1항에 있어서, Na, Cd, Sb, Ta, Cs 중 적어도 한 원소를 2 - 30 중량ppm 더 함유하는 것을 특징으로 하는 금 본딩 와이어.
  5. 제1항, 제2항 또는 제4항에 있어서, P, Tc, Re, Tl, Ho 중 적어도 한 원소를 3 - 30 중량ppm 더 함유하는 것을 특징으로 하는 금 본딩 와이어.
  6. 제1항에 있어서, 30 - 90 중량ppm의 Pd와 20 - 90 중량ppm의 Ca 중 적어도 한 원소를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 금 본딩 와이어.
  7. 제5항에 있어서, Ni, Cu 중 적어도 한 원소를 20 - 90 중량ppm 더 함유하는 것을 특징으로 하는 금 본딩 와이어.
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