KR100436181B1 - 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 기판 상에 스위칭 영역과 화소 영역과 데이터 영역과 스토리지 영역을 정의하는 단계와;상기 기판 상에 제 1 마스크 공정으로, 끝단에 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선과, 게이트 배선에서 소정면적 돌출된 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 게이트 패드가 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막과 순수 비정질 실리콘층(a-Si:H)과 불순물 비정질 실리콘층(n+a-Si:H)과 제 2 금속층과 PR층을 형성하는 단계와;상기 PR층이 형성된 기판의 상부에 투과영역과 차단영역과 반투과 영역으로 구성된 마스크를 위치시키고, 상기 반투과영역은 상기 스위칭 영역의 중앙에 대응하여 위치하도록 하는 단계와;상기 마스크를 통한 노광공정과 현상공정을 진행하여, 상기 화소영역과 데이터 영역과 스위칭 영역과 스토리지 영역의 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하되, 상기 스위칭 영역의 상부에는 서로 다른 두께의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 포토레지스터 패턴 사이로 노출된 제 2 금속층과, 하부의 불순물 비정질 실리콘층과 순수 비정질 실리콘층과 제 1 절연막을 순차적으로 식각하여, 상기 스위칭 영역에는 소스/드레인 전극패턴과, 상기 데이터 영역에는 일 끝단에 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선과, 상기 스토리지 영역에는 아일랜드 형상의 금속패턴과, 상기 소스/드레인 전극패턴의 하부에는 액티브층과 오믹콘택층을 형성하는 동시에 상기 게이트 패드전극을 노출하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴 중 상기 스위칭 영역상부에 서로 다른 두께로 남겨진 포토레지스트 패턴 중 얇은 부분을 제거하여 하부의 소스/드레인전극패턴의 일부를 노출하는 단계와;상기 노출된 소스/드레인 전극패턴과 그 하부의 불순물 비정질 실리콘층을 식각하여, 서로 이격된 소스전극과 드레인 전극을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와;상기 소스 전극과 드레인 전극이 형성된 기판의 전면에 투명 도전성 금속층을 형성한 후 제 3 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 게이트 패드전극과 접촉하는 게이트 패드 전극단자와, 상기 드레인 전극과 접촉하면서 상기 금속패턴과 접촉하는 화소전극과, 상기 데이터 패드 전극과 접촉하는 데이터 패드 전극단자를 형성하는 단계와;상기 화소전극과 게이트 패드 전극단자와 데이터 패드 전극단자가 형성된 기판의 전면에 제 3 절연막인 무기절연막을 증착하는 단계와;상기 제 3 절연막이 형성된 기판 중 상기 게이트 패드전극과 데이터 패드전극이 위치하는 영역을 제외한 영역에만 투명한 유기막을 형성하는 단계와;상기 투명한 유기막 사이로 노출된 제 3 절연막을 식각하여, 상기 게이트 패드 전극단자와 데이터 패드 전극단자를 노출하는 단계를포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 배선과 게이트 패드전극과 게이트 전극은 알루미늄을 포함한 이중금속층인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 액티브층과 오믹콘택층은 상기 데이터배선과 데이터 패드의 하부로 연장형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 마스크에 구성되는 반투과영역은 다수의 슬릿이 구성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
- 제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트는 현상 공정 중 노광된 부분이 제거되는 특성을 가진 포지티브형인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 무기 절연막은 질화 실리콘(SiNX)인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 무기 절연막은 300℃에서 500Å~1000Å의 두께로 증착된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 투명한 유기막은 프린팅 방식으로 형성되는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 투명 유기막은 폴리 이미드인 액정표시장치용 어레기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속층은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta)등을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 소스/드레인전극 패턴과 그 하부의 불순물 비정질 실리콘층은 건식식각으로 일괄 식각하거나, 습식식각과 건식식각을 순차적으로 진행하여 식각하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0020724A KR100436181B1 (ko) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0020724A KR100436181B1 (ko) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030082144A KR20030082144A (ko) | 2003-10-22 |
KR100436181B1 true KR100436181B1 (ko) | 2004-06-12 |
Family
ID=19720374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0020724A KR100436181B1 (ko) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7199846B2 (ko) |
JP (1) | JP4710026B2 (ko) |
KR (1) | KR100436181B1 (ko) |
CN (1) | CN100383646C (ko) |
DE (1) | DE10317627B4 (ko) |
FR (1) | FR2838562B1 (ko) |
GB (1) | GB2387707B (ko) |
TW (1) | TWI226502B (ko) |
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Legal Events
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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