JPWO2021187574A5 - - Google Patents
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Claims (6)
- 透明基材を用意する用意工程と、
前記透明基材上に、スパッタリング法により光透過性導電材料を成膜して、比抵抗４.５×１０ －４ Ω・ｃｍ以上１２×１０ －４ Ω・ｃｍ以下の非晶質の光透過性導電層を形成する成膜工程と、を含み、
前記成膜工程の前記スパッタリング法では、アルゴンより原子番号が大きな希ガスを含むスパッタリングガスと、反応性ガスとを用い、反応性ガス割合が１５流量％以下で且つ成膜気圧が０.０４Ｐａ以上０.９Ｐａ以下の条件で、前記光透過性導電材料を成膜する、透明導電性フィルムの製造方法。 - 前記希ガスが、クリプトンおよび／またはキセノンである、請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
- 前記スパッタリングガスにおけるクリプトンの含有割合が、５０体積％以上である、請求項１または２に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
- 前記光透過性導電層が、１５５℃で１時間の加熱処理の後に２.２×１０－４Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有する、請求項１から３のいずれか一つに記載の透明導電性フィルムの製造方法。
- 前記光透過性導電層を加熱して結晶化させる工程を更に含む、請求項１から４のいずれか一つに記載の透明導電性フィルムの製造方法。
- 前記光透過性導電層をパターニングする工程を更に含む、請求項１から５のいずれか一つに記載の透明導電性フィルムの製造方法。
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2021
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