JP2011501426A5

JP2011501426A5 -

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Publication number: JP2011501426A5
Application number: JP2010529422A
Authority: JP
Filing date: 2008-10-09
Publication date: 2011-12-01
Anticipated expiration: 2028-10-09

Claims

制御された気圧の下で密閉されたキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）であって、少なくとも一つの装置（３）と、少なくとも一つのゲッタ層（７）を含むゲッタ（６ａ）とが内部に配設され、基板と封止カバーとによって画定されるキャビティを備える構造であって、
前記ゲッタ層（７）の活性化温度の調整サブ層（８）が、前記ゲッタ層（７）と、前記基板（２）および／または前記封止カバー（４，１１）と、の間に配置されて、前記調整サブ層（８）は前記基板および／または前記封止カバーの上に形成され、
前記ゲッタ層（７）が、前記調整サブ層（８）の上方に配設された異なる組成の複数の基本（ｅｌｅｍｅｎｔａｒｙ）ゲッタ層（７ａ，７ｂ）によって形成され、
前記調整サブ層の上に配設された前記基本ゲッタ層（７ａ，７ｂ）は、前記調整サブ層（８）からの距離と共に低くなる活性化温度を提供し、
各基本ゲッタ層（７ａ，７ｂ）の材料は、金属であり、チタンおよびジルコニウムから選択される、
ことを特徴とする構造。
前記調整サブ層（８）の材料は、金属であり、ルテニウム（Ｒｕ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）および金（Ａｕ）から選択されることを特徴とする請求項１に記載の構造。
前記調整サブ層（８）の熱膨張率は、５×１０^−６／℃と２３×１０^−６／℃との間に含まれることを特徴とする請求項２に記載の構造。
前記調整サブ層（８）と、対応する基板および／またはカバーと、の間にチタンおよびジルコニウムから選択された接着サブ層（９）が配設されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の構造。
前記調整サブ層（８）の厚さは、実質的に５０ｎｍと５００ｎｍとの間に含まれることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の構造。
前記ゲッタ層（７）の厚さは、実質的に１００ｎｍと２０００ｎｍとの間に含まれることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の構造。
前記ゲッタ（６ａ）とは異なる活性化温度を有する少なくとも一つの追加のゲッタ（６ｂ）を備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の構造。
前記ゲッタ（６ａ）の前記調整サブ層（８）の材料と、前記追加のゲッタ（６ｂ）の材料は同一であることを特徴とする請求項７に記載の構造。
前記ゲッタ（６ａ）の前記ゲッタ層（７）の材料と、前記追加のゲッタ（６ｂ）の材料は同一であることを特徴とする請求項７に記載の構造。
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の構造を製造する方法であって、
基板および／またはカバーの上に、前記調整サブ層（８）と前記基本ゲッタ層（７ａ，７ｂ）とを連続して堆積させることと、
これらの層をパターニングすることと、
最上層の基本ゲッタ層（７ｂ）の外部表面を洗浄することと、
を備える方法。
前記調整サブ層（８）の形成温度と溶解温度との比率は、実質的に０．１と０．３との間に含まれることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
前記ゲッタ層（７）の外部表面の前処理工程を備えることを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
前記前処理工程は、二次真空内の熱処理を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
前記ゲッタ（６ａ）の活性化温度よりも低い活性化温度を有する犠牲ゲッタ層を形成することを備えることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の方法。