JPS59101485A - アセチジノン誘導体 - Google Patents

アセチジノン誘導体

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JPS59101485A
JPS59101485A JP57210490A JP21049082A JPS59101485A JP S59101485 A JPS59101485 A JP S59101485A JP 57210490 A JP57210490 A JP 57210490A JP 21049082 A JP21049082 A JP 21049082A JP S59101485 A JPS59101485 A JP S59101485A
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Shigeru Torii
滋 鳥居
Hideo Tanaka
秀雄 田中
Junzo Nogami
野上　潤造
Michio Sasaoka
笹岡　三千雄
Takashi Shiroi
城井　敬史
Norio Saito
斎藤　紀雄
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Otsuka Chemical Co Ltd
Otsuka Kagaku Yakuhin KK
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Otsuka Chemical Co Ltd
Otsuka Kagaku Yakuhin KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規なアゼ予ジノシ誘導体及びその製造法に
関する。さらに詳しくは、本発明は一般式 〔式中Ｒ１は置換もしくは未置換のフェニル基又は置換
もしくは未置換のフェノ＋シ基を示す。Ｒ２ｎ水素原子
、置換基を有することのある炭化水素残基又は有機酸も
しくは無機酸から誘導されるアシ＼ ／Ｃ＝０基又はンＣ＝Ｎ−ＯＲ”基（Ｒ３は水素原子又
は低級アル＋ル基を示す）を示す。またＸｌおよびＸ２
の一方又は両者がへロゲシ原子、水酸基、アルコ＋シ基
、アシＯ士シ基、ＳＲ４基（Ｒ４は置換もしくは未置換
の直鎖もしくは分岐の低級アル中ル基、置換もしくは未
置換のフェニル基又は置換もしくは未置換の複素環基を
示す）又はアミノ基であってもよい。Ｒ５は置換もしく
は未置換のフェニル基又は置換もしくは未置換の複素環
基を示す。〕で表わされる新規なアゼチジノシ誘導体及
びその製造法に関する。
本発明のアぜチジノシ誘導体（Ｉ）は、文献未記載の新
規化合物である。従来、Ｘ’＝Ｘ２＝Ｈである化合物に
関しては、多数の合成法が確立されているが、Ｘｌ、Ｘ
２に官能基を有する化合物についての合成例はない。一
般式（ｌｌｒ）で表わされるアゼチジノシ誘導体は、例
えば下記反応式によって７位アミド基に必要な官能基を
有するｔノア０スボリシ誘導体に変換できる重要な合成
中間体である。
一般に、抗菌作用を有し抗菌剤として有用なセファロス
ポリシ化合物は、７位アミド側鎖上にアいが、従来これ
らの官能基を有するアミド側鎖を導入するために、７位
のアミド基の脱アシル化を１ 導入する方法がとられている。しかし本発明のアゼチジ
ノｙ誘導体（Ｉ）は、すでにこれらの必要な官能基を持
ったアミド基を有するため、上記反応式に示したように
一挙に必要な官能基をすべて有しているセファ０スボリ
シ化合物に変換される。
すなわち、本発明の目的は、アミド側鎖上に官能基を有
する一般式（Ｉ）で表わされる新規なアぜチジノ、７誘
導体を提供するにある。
本発明の他の目的は、新規なアゼチジノシ誘導体（Ｉ）
の製造法を提供することにある。
即ち本発明によれば目的化合物（Ｉ）は、一般式〔式中
Ｒ１、Ｒ２、Ｘｌ及びＸ２は前記に同じ。〕で表わされ
るチアソリノアゼチジノシ誘導体と一般式Ｒ”　−ｓ　
−ｓ　−Ｒ５（Ｖ） 〔式中Ｒ５は前記に同じ。〕で表わされるジスルフィド
とを酸の存在下含水有機溶媒中反応させて製造される。
本発明において出発原料として用いられる化合物（Ｉ）
のＲ１の具体例としては、例えばフェニル基、トリル基
、＋シリル基、Ｐ−クロ０フエニル基、Ｐ−ニド０フエ
ニル基等の置換もしくは未置換のフェニル基、フェノ＋
シ基、トリルオ＋シ基、十シリルオ牛シ基、ｐ−り００
フ工ニルオ士シ基、ｐ−ニド０フエニルオ牛シ基等の置
換もしくは未置換のフェノ士シ基を挙げることができる
。
Ｒ２としては、水素原子、有機酸または無機酸から誘導
されたアシル基、シリル基、スルボニル基、ホスホニル
基等のアミノ保護基および置換基を有することのある炭
化水素基が挙げられる。置換基を有することのある炭化
水素基の具体例としては、例えば （Ｕ）　　　　　　　　　’（ｍ）　　　　　　　（Ｖ
Ｉ）などを挙げることができる。ここでＲ６は水素原子
又はカルボ＋シル基の保護基を示す。Ｚｌは水素原子、
ハロゲン原子、硫黄基、酸素基、窒素基などを示す。Ｚ
２はＺｌと同じであるか又はＺ１以外の水素原子、ハロ
ゲン原子、硫黄基、酸素基、窒素基などを示す。Ｗは保
護された水酸基を示す。よシ具体的にはＲで示されるカ
ルボ＋シル基の保護基としては、例えばベンジル基、バ
ラニトロベンジル基、バラメト士シベ、：／ジル基、ジ
フェニルメチル基、トリフェニルメチル基等のフェニル
メチル基、フェニルメチル基、パラニトロフェノ士ジメ
チル基、バラメト士ジフェノ士ジメチル基等のフェニル
オ士ジメチル基、メチル基、エチル基、三級づチル基、
２−クロ０エチル基、２，２．２−１−リクＯロエチル
基等の置換又は未置換の低級アル＋ル基々どを挙げるこ
とができる。またＺおよびＺ２で示される置換基として
は、例えば臭素、塩素、弗素等のハロゲン原子、メチル
チオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、パラニトロフ
ェニルチオ基、ペンタクＯＯフェニルチオ基、２−ヒリ
ジルチオ基、２−べ、７ソチアジアジリルチオ基、ｌ、
３゜４−チアシアソール−５−イルチオ基、２−置換−
１，３，４−チアジアジ−ルー５−イルチオ基、１．２
，３．４−テトラジールー５−イルチオ基、ｌ−置換−
１，２，３，４−テトラソール−５Ｍイルチオ基、０−
エチルジチオカルボネート基、Ｎ、Ｎ−ジエチルジチオ
カルバメート基、フェニルスルホニル基、バラメチルフ
ェニルスルホニル基等の硫黄基、ヒドロ＋シ基、メト士
シ基、エト＋シ基、アセト＋シ基、ベニＪジイルオ士シ
基、ニトロソオ＋シ基、ニトリルオ士シ基等の酸素基、
ジメチルアミノ基、ヒペリ、；シーｌ−イル基等の窒素
基などが挙げられる。Ｗで示される保護された水酸基の
具体例としては、例えばジフェニルホスホニルオ牛シ基
、メタジスルホナト基、Ｎ−七ルホニル基、じフェニル
メチルオ十シ基等を挙げることができる。
Ｒ３としては、例えば水素原子、メチル基、エチル基、
づロピル基、イソづチル基、三級づチル基々どの低級ア
ル＋ル基を挙げることができる。
Ｘｌとしては、例えば塩素、臭素、弗素などのハロゲン
原子、水酸基、メト牛シ基、エト牛シ基、づロポ＋シ基
、づト十シ基、イソづト十シ基、三級づト十シ基などの
アルコ＋シ基、アセト＋シ基、づ０ヒオノ＋シ基、づチ
ロ＋シ基、イソづチＤ牛シ基などのアシＤ＋シ基、メチ
ルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基、プロピルアミノ基、ジづ０ピルアミノ基
、づチルアミノ基、ジブチルアミノ基、シクロへ士シル
アミノ基などのアミノ基、メチルチオ基、エチルチオ基
、イソづ口じルチオ基、三級づチルチオ基、フェニルチ
オ基、パラニトロフェニルチオ基、ペシタクＤロフェニ
ルチオ基、２−ヒリジルチオ基、２−ベシジチアジリル
チオ基、２−置換−１，３，４−チアジアジ−ルー５−
イルチオ基、１−置換−１，２，３，４−テトラジール
ー５−イルチオ基々どのＳＲ”基外どが挙げられる。
ｘ２としては、Ｘｌと同じであるか又は水素原子が挙げ
られる。
仁れら原料物質（ＩＶ）は、例えば一般式（■）〔式中
Ｒ１及びＲ６は前記に同じ。〕で表わされるチアソリノ
アゼチジノシ誘導体から既報の方法〔例えばＴａｔｒａ
ｈｅｄｒｏｒＬＬｅｔｔｅｒ　、　３１９３　（１９８
１）　］によって得られる化合物又はそれから公知の方
法などを採用して製造することができる。
本反応に用いる一般式（Ｖ）で示されるジスルフィドと
しては、Ｒ５が置換もしくは未置換のフェニル基である
じスルフィド又はＲ５が置換もしくは未置換の複素環基
であるジスルフィドが挙げられる。
置換もしくは未置換のフェニル基の具体例としては、例
えばフェニル基、Ｐ−ニトロフェニル基、ペシタクロロ
フェニル基、トリクｏＯフェニル基等が挙げられる。ま
た置換もしくは未置換の複素環基の具体例としては、例
えば２−ピリジル基、２−へ、／ソチアジリル基、１，
３，４−チアジアジ−ルー２−イル基、５−メチル−１
，３，４−チアジアジ−ルー２−イル基、５−フェニル
−１，３，４−チアジアジ−ルー２−イル基、１．２，
３．４−テトラジールー５−イル基、１−メチル−１，
２，３，４−テトラソール−５−イル基、■−フェニル
ー１．２，３．４−テトラジールー５−イル基、べ′Ｊ
ズイミタジール基等が挙げられる。
化合物（ＩＶ）と化合物（Ｖ）との使用割合としては、
特に限定はなく広い範囲内で適宜選択できるが、通常前
者に対して後者を１−１０倍モル程度、好ましくは１〜
２倍七ル用いるのがよい。
本発明の反応は、含水有機溶媒中酸の存在下行われる。
用いる含水有機溶媒中に占める水の量としては、特に限
定はないが、通常化合物（ＪＶ）に対して１〜１０００
当量、好ましくは１０〜５００当量程度用いるのがよい
。用いられる有機溶媒としては、例えばペンタシ、へ＋
サシ、べ、：／ゼシ、トルニジなどの炭化水素類、塩化
メチしシ、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロベシゼ
シなどのへロゲシ化炭化水素類、ｆ酸メチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、ジエチ
ルエーテル、ジメチルエーテル、テトうヒドロフラジ、
ジオ士サンなどのエーテル類、メタノール、エタノール
、づタノール、エチレシづリコールなどのアルコール類
、ギ酸、酢酸、プロごオン酸々どのカルポジ酸類、アセ
トニトリル、ベシジニトリルなどのニトリル類、ジメチ
ルボルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド類
、ジメチルスルホ＋シトなどのスルホ＋シト類、ニトロ
メタン、ニドＤエタシなどのニド０炭化水素類、アセト
ル、シクロへ士サンなどのケトン類などの一種以上の混
合溶媒が挙げられる。これらのうち好ましくはエーテル
、ケトン、アルコール、アミド、スルホ＋シトなどの親
水性の極性溶媒やこれら親水性溶媒を含む混合溶媒が用
いられる。用いる溶媒の量としては、出発物質（ＩＶ）
やジスルフィド（Ｖ）の種類により一定しないが、通常
基質ＣＰＪ’）に対して１〜１０００部、好ましくは２
〜５００部用いられるのがよい。
酸としては、例えばへロゲシ化水素、硫酸、硝酸、リシ
酸、過塩素酸、塩素酸などの鉱酸、アルカシスルホシ酸
、アリールスルホシ酸、アラル＋ルスルホン酸、α−八
へアルカシスルホシ酸などのスルホシ酸、α−八へカル
ボシ酸、ポリカルボン酸など、好ましくは解離恒数約０
．０１以上の酸を用いることができる。特に、過塩素酸
、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、
トリフルオＤメタシスルホシ酸、トリク０ロメタシスル
ホシ酸、塩酸、臭酸、硫酸、ふり化水素酸、硝酸、リシ
酸、ベシゼシスルホシ酸、トルエシスルホシ酸などの酸
が効率よく利用できる。これら酸の添加預としては、反
応基質（ＩＶ）や用いる溶媒の種類、反応温度によシ一
定しないが、通常基質に対して０．ＯＩ〜５０倍七ル、
好ましくは０．１〜１０倍モル程度用いるのがよい。
アゼチジノシ環やアミノ保護基Ｒ２などの分解による副
反応が起きる場合には、酸の種類や濃度、反応温度、反
応時間などの条件を適宜選択することにより高収率で目
的化合物を製造できる。
上記反応は通常室温付近にて行なわれ、一般にには、室
温付近にて２４時間から１２０２０時間反応か又は３０
〜８０℃に加熱下１時間から４８時間反応することによ
シ目的化合物（Ｉ）を高収率で得ることができる。
このようにして得られた目的化合物は、反応終了後、常
法により抽出単離し、沈殿、濾過、再結晶、り０マドグ
ラフイーなどによシ容易に精製することができる。
以下に実施例を示して本発明実施の態様を説明する。
参考例　Ｉ Ｃ０２ＣＨ２Ｐん ２−（３−フェニルジグ０ロメチルーフーオ＋ソー４−
チア−２，６−ジアザピシクｏ　［３，２，０］へづト
ー２−ニジ−６−イル）−３−り０ロメチルー３−づテ
シ酸ベシジル２９．０■にジオ十サシ０．６ｍｌを加え
て均一溶液とし、続いて５％塩酸０、０６　ｍＡを加え
て室温下１５分間反応させる。
上記操作とは別に２−ベシゾチアジリルジスルフイド３
７．９■にジオ士サン２ゴを加え、湯浴で加熱しながら
均一溶液とし、これに塩素の０．５９Ｍ四塩化炭素溶液
０．１４ｍ１を加えて１５分間反応させる。これを上記
ジオ十サシ溶液に加えて、室温で３０分間かきまぜなが
ら反応させる。次いでこの反応混合物を酢酸エチルを用
いて短いシリカゲルカラムを通し、溶出液を減圧濃縮す
る。得られた残渣をベシゼニノに溶解し、再びベシゼシ
を減圧下留去する。このようにして得られた無色固体及
び無色油状物の混合物残渣をシリカゲルカラム上で、ベ
シゼシ、続いてべ、７ゼシー酢酸エチル（１０：１）を
用いてクロマトクラフィーを行なうと、出発原料２９．
０■を回収した。
実施例　１ ２−（３−べ′Ｊジイルー７−オ牛リソ−４−チア２，
６−ジアザビシクロ［３，２，０］へづ］トー２−工ｖ
−６−イル−３−メチル−２−づテｙ酸メチル１１．２
ηとジベ：Ｊソチアゾリルジスルフイド１５．４■をテ
トラしドロフラン１ゴに分散し、これに２０％過塩素酸
水溶液０．２５　ｍＪを加えて室温にて２４時間かきま
ぜる。反応物に酢酸エチル５ｄを加えてのち、不溶物を
ガラスフィルターにて取シ除く。３液を水洗し、無水硫
酸ナトリウム上で乾燥したのち溶媒を留去する。残留物
２４．３■はシリカゲルカラムを用いて分離精製すると
、２−（４−（２−ベシソチアジリル）、；チオ−３−
ベンツイルアミド−２−オ士ソアゼチ、ｌ；シーＩ−イ
ル）−３−メチル−２−づテシ酸メチルが無色泡状物と
して１３．６Ｔｑ（収率８２％）得られる。
ＪＲ（ＣＨＣＬ３）　　　３３７０．１７７８．１７２
３．１６９５．１６７０ｏｎ−１ ＮＭＲ（ＣＤＣ１３）　　δ２．１３（Ｅ、３Ｈ）２．
２０　（Ｊ　、　３Ｈ） ３．１５　（−？　、　３Ｈ） ５．３７　（ｄ、ｄ、　Ｉ　Ｈ、４，７Ｂ’２゜８１１
２） ５−６２　（ｄ　、　Ｉ　Ｅ’　、　４．７Ｈｚ　’）
７．２〜７．７Ｃｍ、７１１） ７．８５　Ｃｄ　、　ＩＨ，８Ｈ２） ８．２〜９．０　（ｍ　、　２Ｋ　） 実施例　２〜１５ １ （Ｉ） チアジリノアゼチジノ−／　（ＩＶ）とジベシジチアジ
ソルジスルフィドとをテトラヒト０フラジに分散し、こ
れに酸を加えて室温下、所定時間がきまぜて反応を行っ
た。表■に示す条件以外は、実施例Ｉと同様の条件下反
応を行い、後処理を行うと目的とするアゼチジノシ銹導
体（Ｉ）を得た。
反応条件と収率を第１表に、生成物（Ｉ）のＩＲおよび
ＨＮＭＲのデータを第■表にまとめて示す。
実施例　１６ Ｃｏ２ＣＥ２Ｐｈ ｊ ２−（３−フェニルジクロルメチル−７一オ士ソー４−
チアー２，６−ジアザピシクロＣ３，２，０］へづトト
ノ２−ニジ−６−イル−３−り０ルメチルー３−づテシ
酸ベシジル１１１．９■とじ−５−メチル−１，３，４
−チアシアシリルジスルフィド７９．６■をテトラヒド
ロフラン２　ｒｎｌに分散し、とれに２０％過垣素酸水
溶液０．５コを加えて室温にて７０時間かきまぜる。実
施例１と同様の後処理を行うと、２−（４−（５−メチ
ル−１，３，４−チ：ｐ、；：ｐ’）−ルー２−イル）
ジチオ−３−フェニルジクロルアセトアミド−２−オ士
ソアゼチジシー１−イル）−３−りＤルメチル−３−づ
テシ酸ベシジルが１０７．３　ｚｙ　（収率７４％）と
、原料のチアジリノアゼチジノシが１６．５■（収率１
８％）得られる。
ＩＲ（ＣＩＩＣｔ３）　　　３３８０．１７８０．１７
４０．１７００．１５Ｑ５ｚ−１ ＮＭＲ（ＣＤＣ１３）　　δ２．６７　（ｓ、　３Ｈ）
４．１８　（、？、　２Ｈ） ５．１９（２，２Ｈ） ５．２４　（、ｒ　、　２Ｈ） ５．２８　（ｄｄ　、　ＩＨ，５Ｈｚ　、　７Ｈｚ　）
５．４８　（Ｊ　、　ＩＨ） ５．６４　（ｄ、、　Ｉ　Ｈ、５Ｈｚ　）７．３２　（
Ｓ　、　’）Ｈ） ７．２〜７．５（展、３Ｈ） ７．５〜７．８（ｍ　、２Ｈ） ８．０６（ｄ、ＩＨ，７Ｈｚ） 実施例　１７ ０ １１１ ２−（３−べ、ｙリイルー７−オ十ソー４−チア−２，
６−ジアザビシクロ［３，２，０］へづトー２−エン−
６−イル）−３−クロロメチル−３−づテシ酸ベシジル
９３．９ｍｙとジベ′Ｊジチアシリルじスルフィド７７
．３　ｍｇをアセトル３ｍｌと塩化メチレジ２ｍｌ！に
分散し、これに１０％過塩素酸水溶液０．５ｍｌを加え
て室温下１０３時間かきまぜる。実施例１と同様の後処
理を行うと、２−（４−（２−ベンジチアシリル）、；
チオ−３−ベニ、／ジイルアミドー２−オ牛ソアゼチジ
シ−１−イル）−３−クロ０メチル−３−づテシ酸ベシ
ジルが９９．０■（収率・７５％）得られる。
ＩＲ（ｃｇｃｔ、５＞　　　’３３７０．＋７８０．１
７４０．１６７０Ｃｒｎ−１ ＮＭＲ（ｃｇｃｔ３）　　　δ４．２６　（、？、　２
Ｈ）５．２０　（−？　、　２Ｈ） ５．２８（ε、ＩＨ） ５．３２（Ｊ？、ＩＨ） ５．３〜５．５６（ｍ、　１７７’） ５．５６　（Ｓ　、　ＩＨ） ５．６６Ｃｄ、　ｌＨ，４ＢＺ） ７．３０　（−ｔ　、　５Ｈ） ７．２〜８．０（ｍ、８Ｈ） ８．０−８．４　（７Ｗ　、　２Ｈ） 実施例　１８ Ｃｏ２ＣＨ２Ｐｈ ０ ｌＩ　ｌＩ Ｃ０２ＣＨ２Ｐｈ ２−（３−ベシジイルー７−オ中ソー４−チア−２，６
−、；アザピシク０　［３，２，０’］へづトー２−ニ
ジ−６−イル）−３−クロ０メチル−３−づテシ酸ベシ
ジル３９．１ｍｇとジベンジチアジリルジスルフイド３
４．９７ｎｇをテトラしトロワラ、：／１．５＋ｎＪに
分散し、これに５％塩酸水溶液０．４　ｍｌ！を加え、
６０〜７０℃にて１０時間かきまぜる。実施例１と同様
の後処理を行うと、２−（４−（２−ベシジチアジリル
）、；チオ−３−ベンシイルア三ドー２−オ士ソアゼチ
ジシ−１−イル）−３−クロロメチル−３−″ｊテシ酸
べ、７ジルが３６・、９・η（収率６７％）得られる。
このもののＩＲ及びＮＭＲスペクトルは実施例１７で得
られた化合物のスペクトルと一致した。
実施例　１９ ２−（３−フェニルヒトＤ＋ジメチルー７−オ十ソー４
−チア−２，６−Ｅ：’アザビシクロ［３，２，０１へ
づトー２−■シー６−イル）−３−（＋−メチル−１，
２，３，４−テトラジールー５−イルチオ）メチル−３
−ラテン酸ベシジル１４．３■とジベ、７′）チアシリ
ルジスルフィド１０．６ｍＷをテトラしトロワラ′Ｊ０
．６ｍｌに分散し、これに５チ塩酸水溶液０．１５７ｄ
を加えて室温下１時間かきまぜる。反応物に酢酸エチル
を加えてのち、不溶物をガラスフィルターにて取り除く
。ろ液を水洗し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥したのち
溶媒を留去する。残留物２５　ｍｇはシリカゲルカラム
を用いて分離精製すると２−（４−（２−ベシソチアジ
リル）、；チオ−３−フェニルしドＤ＋ジアセトアミド
ー２−オ十ソアゼチジシ−１−イル）−３−１１−メチ
ル−１，２，３，４−テトラジールー５−イルチオ）メ
チル−３−づテシ酸べ′Ｊジル１５．９■（収率８３係
）が無色泡状物として得られる。
ＩＲ（ＣＨＣＬ３）　　３３８０．１７７８．１７４２
．１６８５α−１ ”Ｂ　７Ｎ！ＭＲ（ＣＤＣｔ３）　　δ３．７２（ｊ＝
、ｉ）４、ｌ５Ｃｂｓ、２１１） ４．０〜４．５　（ｂｍ　、　Ｉｎ ５．０９　（、？、２Ｈ） ５．０〜５．６（７７Ｌ、６Ｈ） ７．０〜７．９　（ｍ　、　１５Ｈ） （以　上） ０発　明　者　笹岡三干雄 徳島市川内町加賀須野４６３番地 大塚化学薬品株式会社徳島工場 内 ′　　　０発　明　者　城井敬史 徳島市川内町加賀須野４６３番地 大塚化学薬品株式会社徳島工場 内 ０発　明　者　斎藤紀雄 徳島市川内町加賀須野４６３番地 大塚化学薬品株式会社徳島工場

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■　一般式 〔式中Ｒ１は置換もしくは未置換のフェニル基又は置換
    もしくは未置換のフェノ＋シ基を示す。 Ｒ２は水素原子、置換基を有することのある炭化水素残
    基又は有機酸もしくは無機酸から誘導されるアシル基、
    シリル基、スルホニル基およびホスホニル基から選ばれ
    るア三）保護基を示す。 は水素原子又は低級アル＋ル基を示す）を示す。 またＸｌおよびＸ２の一方又は両者がハロゲン原子、水
    酸基、アルコ＋シ基、アシ０十シ基、ＳＲ４基（Ｒ４は
    置換もしくは未置換の直鎖もしくは分岐の低級アル＋ル
    基、置換もしくは未置換のフェニル基又は置換もしくは
    未置換の複素環基を示す）又はアミノ基であってもよい
    。Ｒ５は置換もしくは未置換のフェニル基又は置換もし
    くは未置換の複素環基を示す。〕で表わされるＲ１がフ
    ェニル基である特許請求の範囲第１項記載のアゼチジノ
    ン誘導体。 ■　化合物（Ｉ）において、ＸｌおよびＸ２が塩素原子
    である特許請求の範囲第１項記載のアゼチジノン誘導体
    。 ■　化合物（Ｉ）において、Ｘｌが水酸基又はアシ０十
    シ基、Ｘ２が水素原子である特許請求の範囲第１項記載
    のアゼチジノン誘導体。 ■　化合物（Ｉ）において、Ｒ２が水素原子又は式％式
    ％） （ＩＩ）　　　　　　　　　　　　（ＩＩＩ）〔式中Ｒ
    ６は水素原子又はカルボ＋シル基の保薩基を示す。Ｚｌ
    は水素原子、ハロゲン原子、硫黄基、酸素基又は窒素基
    を示す。Ｚ２はＺｌと同じであるか又はＺ以外の水素原
    子、ハロゲン原子、硫黄基、酸素基もしくは窒素基を示
    す。〕で表わされる基である特許請求の範囲第１項〜第
    ４項のいずれかに記載のアゼチジノン誘導体。 ■　化合物（Ｉ）において、Ｒ５がベコジチアジ−ルー
    ２−イル基、５−メチル−１，３，４−チアジアジ−ル
    ー２−イル基又は５−フェニル−１，３，４−チアシア
    ソール−２−イル基である特許請求の範囲第１項〜第５
    項のいずれかに記載のアゼチジノン誘導体。 ■　一般式 〔式中Ｒ１は置換もしくは未置換のフェニル基又は置換
    もしくは未置換のフェノ牛シ基を示す。 Ｒ２は水素原子、置換基を有することのある炭化水素残
    基又は有機酸もしくは無機酸から誘導されるアシル基、
    シリル基、スルホニル基および水素原子又は低級アル＋
    ル基を示す）を示す。 またＸｌおよびＸ２の一方又は両者がハロゲン原子、水
    酸基、アルコ＋シ基、アシロ＋シ基、Ｓ−Ｒ”基（Ｒ１
    ′は置換もしくは未置換の直鎖もしくは分岐の低級アル
    中ル基、置換もしくは未置換のフェニル基又は置換もし
    くは未置換の複素環基を示す）又はアミノ基であっても
    よい。〕で表わされるチアジリノアゼチジノシ誘導体と
    一般式 ％式％（） 〔式中Ｒ５は置換もしくは未置換のフェニル基又は置換
    もしくは未置換の複素環基を示す。〕で表わされるジス
    ルフィドとを酸の存在下含水有機溶媒中にて反応させて
    、一般式 じ。〕で表わされるアゼチジノン誘導体を得ることを特
    徴とするアゼチジノン誘導体の製造法。 Ｒ１がフェニル基である特許請求の範囲第７項記載の方
    法。 ■　化合物（ＩＶ）において、Ｘｌおよび７が塩素原子
    である特許請求の範囲第７項記載の方法。 ■　化合物（ＩＶ）において、Ｘｌが水酸基又はアシロ
    牛シ基、Ｘ２が水素原子である特許請求の範囲第７項記
    載の方法。 ■　化合物ａＶ）において、Ｒ２が水素原子又は式（ｎ
    ）および式（ＩＩＩ） （ＩＩ）（ＩＩＩ） 〔式中Ｒ６は水素原子又はカルボ＋シル基の保護基を示
    す。Ｚｌは水素原子、ハロゲン原子、硫黄基、酸素基又
    は窒素基を示す。Ｚ２はＺｌと同じであるか又はＺ１以
    外の水素原子、ハロゲン原子、硫黄基、酸素基もしくは
    窒素基を示す。〕で表わされる基である特許請求の範囲
    第７項〜第１Ｏ項のいずれかに記載の方法。 ■　化合物（Ｖ）において、Ｒ５がベコジチアソール−
    ２−イル基、５−メチル−１，３，４−チアジアジ−ル
    ー２−イル基又は５−フェニル−１，３ｊ４−チアジア
    ジ−ルー２−イル基である特許請求の範囲第７項〜第１
    １項のいずれかに記載の方法。 ■　化合物（ＩＶ）と化合物（Ｖ）との反応において、
    酸が化合物（Ｉ）のチアゾリシ環の加水分解に充分な酸
    性度を持つ有機酸または無機酸である特許請求の範囲第
    ７項〜第１２項のいずれかに記載の方法。 ０　有機溶媒が親水性の極性溶媒単独もしくは他の有機
    溶媒との混合溶媒である特許請求の範囲第７項〜第１３
    項のいずれかに記載の方法。
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