JPH118149A - 軟磁性合金膜の形成法 - Google Patents
軟磁性合金膜の形成法Info
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- JPH118149A JPH118149A JP13460997A JP13460997A JPH118149A JP H118149 A JPH118149 A JP H118149A JP 13460997 A JP13460997 A JP 13460997A JP 13460997 A JP13460997 A JP 13460997A JP H118149 A JPH118149 A JP H118149A
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- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐摩耗性と金属合金よりも高い比抵抗を有
し、かつ４πＭsを維持できる軟磁性合金膜を得るこ
と。 【解決手段】合金ターゲットを用いてスパッター法によ
り磁性合金膜を形成する際、Ａｒスパッターガス中にＮ
2ガスを周期的に混合して膜を形成する。本発明の一実
施例の合金Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｎと、従来例であるＦｅ
−Ｎ、Ｆｅ−Ｂ−Ｎ合金の飽和磁化と抗磁力のプラズマ
中のＮ2ガス混合比依存性を図１グラフに示す。
し、かつ４πＭsを維持できる軟磁性合金膜を得るこ
と。 【解決手段】合金ターゲットを用いてスパッター法によ
り磁性合金膜を形成する際、Ａｒスパッターガス中にＮ
2ガスを周期的に混合して膜を形成する。本発明の一実
施例の合金Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｎと、従来例であるＦｅ
−Ｎ、Ｆｅ−Ｂ−Ｎ合金の飽和磁化と抗磁力のプラズマ
中のＮ2ガス混合比依存性を図１グラフに示す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッド等に適
した軟磁性合金膜及びその形成法に関する。
した軟磁性合金膜及びその形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＡｒガス中にＮ2 ガスを混入さ
せたスパッター法や、窒化物をターゲットに用いたスパ
ッター法により、窒素を含む磁性合金膜の作成が試みら
れて来た。これらのものには、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉとガラ
ス化元素Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｐ、Ｃ等より成る合金の窒化
膜（特開昭５４−９４４２８号公報、及び同６０−１５
２６５１号公報）や、Ｆｅの窒化物の研究がある（ジャ
ーナル オブ アプライドフイジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ
Ｐｈｙｓ．）５３（１１）Ｐ８３３２〜３４（１９８
２））。前者においては、たとえばＦｅ−Ｂ系を窒化し
たＦｅ−Ｂ−Ｎにおいては垂直磁気異方性が増加したり
して、Ｆｅ−Ｂ系合金の有する軟磁性がそこなわれ、抗
磁力Ｈｃの大きな磁性膜になるほか、飽和磁化４πＭs
もＮ含有量と伴に低下する事が知られている。後者にお
いては微量のＮを含む場合４πＭsはむしろＦｅのそれ
より微かに増加するが、このＦｅ−Ｎ系合金膜のＨｃは
やはり大きく軟磁性を示さないことが知られている。
せたスパッター法や、窒化物をターゲットに用いたスパ
ッター法により、窒素を含む磁性合金膜の作成が試みら
れて来た。これらのものには、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉとガラ
ス化元素Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｐ、Ｃ等より成る合金の窒化
膜（特開昭５４−９４４２８号公報、及び同６０−１５
２６５１号公報）や、Ｆｅの窒化物の研究がある（ジャ
ーナル オブ アプライドフイジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ
Ｐｈｙｓ．）５３（１１）Ｐ８３３２〜３４（１９８
２））。前者においては、たとえばＦｅ−Ｂ系を窒化し
たＦｅ−Ｂ−Ｎにおいては垂直磁気異方性が増加したり
して、Ｆｅ−Ｂ系合金の有する軟磁性がそこなわれ、抗
磁力Ｈｃの大きな磁性膜になるほか、飽和磁化４πＭs
もＮ含有量と伴に低下する事が知られている。後者にお
いては微量のＮを含む場合４πＭsはむしろＦｅのそれ
より微かに増加するが、このＦｅ−Ｎ系合金膜のＨｃは
やはり大きく軟磁性を示さないことが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題点
を解決し、窒化物特有の耐摩耗性と金属合金よりも高い
比抵抗を有し、かつ軟磁性をさほどそこなう事なく高い
４πＭsを維持する事を可能とする軟磁性合金膜の形成
法を提供することを目的とする。
を解決し、窒化物特有の耐摩耗性と金属合金よりも高い
比抵抗を有し、かつ軟磁性をさほどそこなう事なく高い
４πＭsを維持する事を可能とする軟磁性合金膜の形成
法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の軟磁性合金膜の形成法は、Ｔx'Ｍy'で示さ
れる組成より成る合金ターゲットを用いてスパッター法
により磁性合金膜を形成する際、Ａｒスパッターガス中
にＮ2 ガスを周期的に混合することによりＴxＭyＮz で
示される組成の層とＴx'Ｍy'で示される組成の層とを交
互に積み重ねて多層とし、かつ前記合金ターゲットおよ
び前記両層のそれぞれの組成が、ＴはＦｅ、Ｃｏを主成
分としてＦｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉより成る群から選択さ
れた少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｈｆより成る群から選択された少なくと
も１種の金属、ＮはＮ（窒素）であって、ｘ、ｙ、ｚお
よびｘ′、ｙ′は原子パーセントを表し、ｘ、ｙ、ｚ、
ｘ′およびｙ′がそれぞれ、７５≦ｘ＜９４、６≦ｙ＜
２５、０．１≦ｚ≦２０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、７５≦
ｘ′＜９４、６≦ｙ′＜２５、ｘ′＋ｙ′＝１００であ
ることを特徴とする。
め、本発明の軟磁性合金膜の形成法は、Ｔx'Ｍy'で示さ
れる組成より成る合金ターゲットを用いてスパッター法
により磁性合金膜を形成する際、Ａｒスパッターガス中
にＮ2 ガスを周期的に混合することによりＴxＭyＮz で
示される組成の層とＴx'Ｍy'で示される組成の層とを交
互に積み重ねて多層とし、かつ前記合金ターゲットおよ
び前記両層のそれぞれの組成が、ＴはＦｅ、Ｃｏを主成
分としてＦｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉより成る群から選択さ
れた少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｈｆより成る群から選択された少なくと
も１種の金属、ＮはＮ（窒素）であって、ｘ、ｙ、ｚお
よびｘ′、ｙ′は原子パーセントを表し、ｘ、ｙ、ｚ、
ｘ′およびｙ′がそれぞれ、７５≦ｘ＜９４、６≦ｙ＜
２５、０．１≦ｚ≦２０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、７５≦
ｘ′＜９４、６≦ｙ′＜２５、ｘ′＋ｙ′＝１００であ
ることを特徴とする。
【０００５】前記形成法においては、１層の層厚が１０
００オングストローム以下となるようにＮ2 ガスの混合
周期を設定することが好ましい。前記した本発明による
軟磁性合金膜によれば、次の組成式（化１）で表わされ
るメタル−メタル系合金の窒化物から構成される。
００オングストローム以下となるようにＮ2 ガスの混合
周期を設定することが好ましい。前記した本発明による
軟磁性合金膜によれば、次の組成式（化１）で表わされ
るメタル−メタル系合金の窒化物から構成される。
【０００６】
【化１】ＴxＭyＮz ただし、ＴはＦｅ又はＣｏを主成分としＦｅ、Ｃｏ、Ｍ
ｎよりなる群から選ばれた少なくとも１種の金属、Ｍは
Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗより成る群から選ばれた少
なくとも１種の金属、Ｎは窒素であり、ｘ、ｙ、ｚは各
々原子パーセントを表し、下記式（数１）の関係を示
す。
ｎよりなる群から選ばれた少なくとも１種の金属、Ｍは
Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗより成る群から選ばれた少
なくとも１種の金属、Ｎは窒素であり、ｘ、ｙ、ｚは各
々原子パーセントを表し、下記式（数１）の関係を示
す。
【０００７】
【数１】７５≦ｘ＜９４、６≦ｙ＜２５、０．１≦ｚ≦
２０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ 前記式（化１）で示した組成の（スパッター）合金膜
は、窒化物でありながらｚ≦２０であるとき、前記式
（化１）においてｚ＝０である窒化していない合金膜に
比べて飽和磁化４πＭs の減少が少なく、又この範囲内
で窒素を適当量含有する時増加する。さらに窒化しても
窒化する前の合金膜の軟磁性が従来知られているような
窒化膜と異なって、ｚ≦２０の範囲内であまりそこなわ
れない。なお窒化した事による耐摩耗性向上の効果が現
われるには、０．１≦ｚである事が必要である。
２０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ 前記式（化１）で示した組成の（スパッター）合金膜
は、窒化物でありながらｚ≦２０であるとき、前記式
（化１）においてｚ＝０である窒化していない合金膜に
比べて飽和磁化４πＭs の減少が少なく、又この範囲内
で窒素を適当量含有する時増加する。さらに窒化しても
窒化する前の合金膜の軟磁性が従来知られているような
窒化膜と異なって、ｚ≦２０の範囲内であまりそこなわ
れない。なお窒化した事による耐摩耗性向上の効果が現
われるには、０．１≦ｚである事が必要である。
【０００８】又磁気特性として優れた軟磁性を得る為に
は、６≦ｙ（即ちｘ＜９４）である事が必要であり、磁
気ヘッド用等への応用を考えた場合４πＭs≧５０００
ガウス（Ｇａｕｓｓ）である為には、７５≦ｘ（即ちｙ
＜２５）である事が必要である。
は、６≦ｙ（即ちｘ＜９４）である事が必要であり、磁
気ヘッド用等への応用を考えた場合４πＭs≧５０００
ガウス（Ｇａｕｓｓ）である為には、７５≦ｘ（即ちｙ
＜２５）である事が必要である。
【０００９】又この合金膜と、窒化されていない、極め
て優れた軟磁性を示すメタル−メタル系合金膜、ＴxＭy
（ｘ＋ｙ＝１００のほか、定義は前記式（数１）に同
じ）を交互に積層して多層膜化する事により、全体とし
て耐耗摩性がよくかつ軟磁性をも有する多層膜が得ら
れ、１層の厚さをｔとするとき、ｔ≦１０００オングス
トロームでその多層膜化の効果が著しく、ＴxＭyＮz部
とＴxＭy部との間の偏摩耗もほとんどなく、かつＴxＭy
Ｎz膜部の軟磁性の改善度も大で、全体として優れた軟
磁性をも併せ持つ。
て優れた軟磁性を示すメタル−メタル系合金膜、ＴxＭy
（ｘ＋ｙ＝１００のほか、定義は前記式（数１）に同
じ）を交互に積層して多層膜化する事により、全体とし
て耐耗摩性がよくかつ軟磁性をも有する多層膜が得ら
れ、１層の厚さをｔとするとき、ｔ≦１０００オングス
トロームでその多層膜化の効果が著しく、ＴxＭyＮz部
とＴxＭy部との間の偏摩耗もほとんどなく、かつＴxＭy
Ｎz膜部の軟磁性の改善度も大で、全体として優れた軟
磁性をも併せ持つ。
【００１０】すなわち、窒化する事により多少そこなわ
れる軟磁気特性も、ＴxＭy（ｘ＋ｙ＝１００のほか、定
義は前記式（数１）に同じ）の式で表わされ、６≦ｙ
（即ちｘ＜９４）、７５≦ｘ（即ちｙ＜２５）の組成範
囲の、優れた軟磁気特性を有する事が知られているメタ
ルーメタル系合金膜（米国特許第４４３７９１２号明細
書）と交互に重ねて多層膜化する事により改善される。
れる軟磁気特性も、ＴxＭy（ｘ＋ｙ＝１００のほか、定
義は前記式（数１）に同じ）の式で表わされ、６≦ｙ
（即ちｘ＜９４）、７５≦ｘ（即ちｙ＜２５）の組成範
囲の、優れた軟磁気特性を有する事が知られているメタ
ルーメタル系合金膜（米国特許第４４３７９１２号明細
書）と交互に重ねて多層膜化する事により改善される。
【００１１】
（実施例１）Ｃｏ85Ｎｂ10Ｚ15なる組成のターゲットを
用い、Ａｒ中にＮ2を０．１〜５０vol.％混合したガス
を用いて反応スパッター法により厚さ１μｍの窒化膜を
作成した。
用い、Ａｒ中にＮ2を０．１〜５０vol.％混合したガス
を用いて反応スパッター法により厚さ１μｍの窒化膜を
作成した。
【００１２】比較の為、Ｆｅ、Ｆｅ80Ｂ20なる組成のタ
ーゲットを同じ条件でスパッターしこれらの窒化膜を作
成し、特性の比較を行なった結果を図１に示す。同図の
データよりわかるように、本発明合金Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ
−Ｎは窒化によってもその軟磁性が比較的劣化しにく
く、かつ４πＭsは窒化によって減少しないばかりか、
むしろｘ＝１０％で極大を示し、微かながらこの付近で
増大を示す事がわかった。
ーゲットを同じ条件でスパッターしこれらの窒化膜を作
成し、特性の比較を行なった結果を図１に示す。同図の
データよりわかるように、本発明合金Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ
−Ｎは窒化によってもその軟磁性が比較的劣化しにく
く、かつ４πＭsは窒化によって減少しないばかりか、
むしろｘ＝１０％で極大を示し、微かながらこの付近で
増大を示す事がわかった。
【００１３】図２に示した分析結果とこのデータとの比
較により、膜幅にＮを約２０％以下含むものはＨｃも比
較的小さく又４πＭsも減少せず、磁気ヘッド用軟磁性
合金として有望であることがわかる。
較により、膜幅にＮを約２０％以下含むものはＨｃも比
較的小さく又４πＭsも減少せず、磁気ヘッド用軟磁性
合金として有望であることがわかる。
【００１４】これに反し、メタル−メタロイド系のもの
は図１に示したＦｅ−Ｂ−Ｎのデータからもわかるよう
に、窒化により４πＭsが比較的早く減少するほか、本
発明のＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｎの場合と比較して窒化によ
るＨｃの増大も大きい。又Ｆｅの窒化膜Ｆｅ−Ｎはある
窒素含有量に対しＦｅ膜よりもむしろ４πＭsが増加す
るものの、Ｈｃが極めて大きく軟磁性体としては実用的
でない。
は図１に示したＦｅ−Ｂ−Ｎのデータからもわかるよう
に、窒化により４πＭsが比較的早く減少するほか、本
発明のＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｎの場合と比較して窒化によ
るＨｃの増大も大きい。又Ｆｅの窒化膜Ｆｅ−Ｎはある
窒素含有量に対しＦｅ膜よりもむしろ４πＭsが増加す
るものの、Ｈｃが極めて大きく軟磁性体としては実用的
でない。
【００１５】（実施例２）実施例１と同じターゲットを
用い、スパッター中に一定時間間隔をおいてＡｒガス中
にＮ2ガスを１０％混合する事により、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚ
ｒとＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｎの多層膜を作成した。このＮ
2ガスを混合してスパッターする時間を変化させる事に
より、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｎ膜の膜厚ｔを変化させた、
又Ｎ2混合スパッター時間と非混合スパッター時間を等
しくする事により、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ膜の膜厚ｔ′はほ
ぼｔと等しくなるようにした（厳密にはわずかながら
ｔ′＞ｔである）。得られた多層膜の総厚は約１２μｍ
となるようにして、作成した多層膜は以下の通りであ
る。
用い、スパッター中に一定時間間隔をおいてＡｒガス中
にＮ2ガスを１０％混合する事により、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚ
ｒとＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｎの多層膜を作成した。このＮ
2ガスを混合してスパッターする時間を変化させる事に
より、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｎ膜の膜厚ｔを変化させた、
又Ｎ2混合スパッター時間と非混合スパッター時間を等
しくする事により、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ膜の膜厚ｔ′はほ
ぼｔと等しくなるようにした（厳密にはわずかながら
ｔ′＞ｔである）。得られた多層膜の総厚は約１２μｍ
となるようにして、作成した多層膜は以下の通りであ
る。
【００１６】 試料１：t＝9500オングストローム、t´＝10500オング
ストローム、層数ｎ＝12 試料２：t＝2800オングストローム、t´＝3200オングス
トローム、ｎ＝40 試料３：t＝1000オングストローム、t´＝1000オングス
トローム、ｎ＝120 試料４：t＝300オングストローム、t´＝300オングスト
ローム、ｎ＝400 試料５：t＝100オングストローム、t´＝100オングスト
ローム、ｎ＝1200
ストローム、層数ｎ＝12 試料２：t＝2800オングストローム、t´＝3200オングス
トローム、ｎ＝40 試料３：t＝1000オングストローム、t´＝1000オングス
トローム、ｎ＝120 試料４：t＝300オングストローム、t´＝300オングスト
ローム、ｎ＝400 試料５：t＝100オングストローム、t´＝100オングスト
ローム、ｎ＝1200
【００１７】これらの多層膜をもう１枚の基板でサンド
イッチして接着し、多層膜側面がテープ摺動面となるよ
うに磁気ヘッドチップ形状に加工し市販のＶＴＲデッキ
に取付け、テープを１００時間走行させた後のテープ摺
動面の偏摩耗を調べた。窒化膜部は窒化されていない膜
部よりも耐摩耗性がある為、図３に示したような偏摩耗
Δ１が生ずる。このΔ１を多層膜の１層の膜厚ｔの関数
として図３に示した。又作成した多層膜のＨｃもｔの関
数として同図に示した。実験結果よりもｔの減少ととも
にΔ１、Ｈｃとも減少しｔ≦１０００オングストローム
でその効果が著しい事がわかった。
イッチして接着し、多層膜側面がテープ摺動面となるよ
うに磁気ヘッドチップ形状に加工し市販のＶＴＲデッキ
に取付け、テープを１００時間走行させた後のテープ摺
動面の偏摩耗を調べた。窒化膜部は窒化されていない膜
部よりも耐摩耗性がある為、図３に示したような偏摩耗
Δ１が生ずる。このΔ１を多層膜の１層の膜厚ｔの関数
として図３に示した。又作成した多層膜のＨｃもｔの関
数として同図に示した。実験結果よりもｔの減少ととも
にΔ１、Ｈｃとも減少しｔ≦１０００オングストローム
でその効果が著しい事がわかった。
【００１８】（実施例３）各種合金ターゲットを用い、
種々の（Ａｒ＋Ｎ2）混合ガスでスパッターし合金膜を
作成し、それらの膜の諸特性を比較した。なお合金膜は
熱膨張係数αが約１２０の水冷したガラス基板上にｒｆ
２極スパッター装置を用い投入電力３５０Ｗ、ガス圧１
０×１０-2Ｔｏｒｒで形成した。結果を以下の表に示
す。Ｎ2分圧０．１％でも硬度は上昇する事がわかっ
た。
種々の（Ａｒ＋Ｎ2）混合ガスでスパッターし合金膜を
作成し、それらの膜の諸特性を比較した。なお合金膜は
熱膨張係数αが約１２０の水冷したガラス基板上にｒｆ
２極スパッター装置を用い投入電力３５０Ｗ、ガス圧１
０×１０-2Ｔｏｒｒで形成した。結果を以下の表に示
す。Ｎ2分圧０．１％でも硬度は上昇する事がわかっ
た。
【００１９】
【表１】 （実施例４）本発明多層合金膜をＡｒ中のＮ2混合比が
０と１０％の間で一定時間間隔で変化させ１層の膜厚約
３００オングストロームのものを４００層重ねて総厚１
２μｍとし実施例２と同様の実験を行なった。結果を以
下に示す。
０と１０％の間で一定時間間隔で変化させ１層の膜厚約
３００オングストロームのものを４００層重ねて総厚１
２μｍとし実施例２と同様の実験を行なった。結果を以
下に示す。
【００２０】
【表２】 ただし表中において単層膜とは、比較のためＮ2ガス混
合比を０％と１０％に固定して作成した膜厚１２μｍの
単層膜であり、摩耗量１は、１００時間走行後の総摩耗
量であり、偏摩耗は多層膜の窒化膜部と非窒化膜部との
間に生ずるものである。表２から明らかな通り、多層膜
化により窒化膜よりもＨｃが小さく、又摩耗量は単層の
非窒化膜より少なくなっており特性が改善されているこ
とがわかる。
合比を０％と１０％に固定して作成した膜厚１２μｍの
単層膜であり、摩耗量１は、１００時間走行後の総摩耗
量であり、偏摩耗は多層膜の窒化膜部と非窒化膜部との
間に生ずるものである。表２から明らかな通り、多層膜
化により窒化膜よりもＨｃが小さく、又摩耗量は単層の
非窒化膜より少なくなっており特性が改善されているこ
とがわかる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の軟磁性合金膜は、高い電気抵抗
と高硬度を有し、かつ窒化物でありながら窒化による飽
和磁化の劣化が少なく、逆に増加する場合もあり磁気ヘ
ッド等の応用に適した軟磁性合金膜である。
と高硬度を有し、かつ窒化物でありながら窒化による飽
和磁化の劣化が少なく、逆に増加する場合もあり磁気ヘ
ッド等の応用に適した軟磁性合金膜である。
【図１】 本発明の一実施例の合金Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−
Ｎと、従来例であるＦｅ−Ｎ、Ｆｅ−Ｂ−Ｎ合金の飽和
磁化と抗磁力のプラズマ中のＮ2ガス混合比依存性を示
すグラフ図。
Ｎと、従来例であるＦｅ−Ｎ、Ｆｅ−Ｂ−Ｎ合金の飽和
磁化と抗磁力のプラズマ中のＮ2ガス混合比依存性を示
すグラフ図。
【図２】 本発明の一実施例のＮ2ガス混合比とスパッ
ター法で作成した膜中のＮの原子％との相関を示すグラ
フ図。
ター法で作成した膜中のＮの原子％との相関を示すグラ
フ図。
【図３】 同、（Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ／Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ
−Ｎ）n 多層膜の偏摩耗量Δ１と抗磁力Ｈｃの１層の膜
厚依存性を示すグラフ図。
−Ｎ）n 多層膜の偏摩耗量Δ１と抗磁力Ｈｃの１層の膜
厚依存性を示すグラフ図。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｔx'Ｍy'で示される組成より成る合金タ
ーゲットを用いてスパッター法により磁性合金膜を形成
する際、Ａｒスパッターガス中にＮ2 ガスを周期的に混
合することによりＴxＭyＮz で示される組成の層とＴx'
Ｍy'で示される組成の層とを交互に積み重ねて多層と
し、かつ前記合金ターゲットおよび前記両層のそれぞれ
の組成が、 ＴはＦｅ、Ｃｏを主成分としてＦｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ
より成る群から選択された少なくとも１種の金属、 ＭはＮｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｈｆより成る
群から選択された少なくとも１種の金属、 ＮはＮ（窒素）であって、 ｘ、ｙ、ｚおよびｘ′、ｙ′は原子パーセントを表し、
ｘ、ｙ、ｚ、ｘ′およびｙ′がそれぞれ ７５≦ｘ＜９４ ６≦ｙ＜２５ ０．１≦ｚ≦２０ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ ７５≦ｘ′＜９４ ６≦ｙ′＜２５ ｘ′＋ｙ′＝１００ であることを特徴とする軟磁性合金膜の形成法。 - 【請求項２】 １層の層厚が１０００オングストローム
以下となるようにＮ2ガスの混合周期を設定する請求項
１に記載の軟磁性合金膜の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13460997A JP2856725B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 軟磁性合金膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13460997A JP2856725B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 軟磁性合金膜の形成法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5405486A Division JPS62210607A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 軟磁性合金膜及びその形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118149A true JPH118149A (ja) | 1999-01-12 |
| JP2856725B2 JP2856725B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=15132409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13460997A Expired - Lifetime JP2856725B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 軟磁性合金膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2856725B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012057087A1 (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-03 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 磁気記録用軟磁性合金、スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体 |
| WO2013047328A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材並びに軟磁性薄膜層を有する垂直磁気記録媒体 |
-
1997
- 1997-05-26 JP JP13460997A patent/JP2856725B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012057087A1 (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-03 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 磁気記録用軟磁性合金、スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体 |
| WO2013047328A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材並びに軟磁性薄膜層を有する垂直磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2856725B2 (ja) | 1999-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |