JPH10180624A - ラッピング装置及び方法 - Google Patents
ラッピング装置及び方法Info
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- JPH10180624A JPH10180624A JP8339594A JP33959496A JPH10180624A JP H10180624 A JPH10180624 A JP H10180624A JP 8339594 A JP8339594 A JP 8339594A JP 33959496 A JP33959496 A JP 33959496A JP H10180624 A JPH10180624 A JP H10180624A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハ等の被加工物のラップ面の平
坦度を向上させることを可能としたラッピング装置を提
供する。 【解決手段】 上下の定盤と、該上下の定盤に回動可能
に挟持されかつ複数個の受け穴が穿設された円板状の被
加工物保持金具とを有し、該受け穴に平板状の被加工物
を配置し、該被加工物を該被加工物保持金具とともに該
上下の定盤に対し相対運動させながら研磨を行う研磨装
置において、該被加工物保持金具の厚さが該被加工物の
仕上がり厚さよりも薄くかつ該被加工物保持金具の厚さ
と該被加工物の仕上がり厚さの差が７０μｍ以上となる
ように設定する。
坦度を向上させることを可能としたラッピング装置を提
供する。 【解決手段】 上下の定盤と、該上下の定盤に回動可能
に挟持されかつ複数個の受け穴が穿設された円板状の被
加工物保持金具とを有し、該受け穴に平板状の被加工物
を配置し、該被加工物を該被加工物保持金具とともに該
上下の定盤に対し相対運動させながら研磨を行う研磨装
置において、該被加工物保持金具の厚さが該被加工物の
仕上がり厚さよりも薄くかつ該被加工物保持金具の厚さ
と該被加工物の仕上がり厚さの差が７０μｍ以上となる
ように設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
の平板状の被加工物のラップ面の平坦度を向上させるこ
とを可能としたラッピング装置に関するものである。
の平板状の被加工物のラップ面の平坦度を向上させるこ
とを可能としたラッピング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般に半導体シリコン鏡面ウェー
ハの製造方法は、単結晶製造装置によって製造された単
結晶棒をスライスして薄円板状のウェーハを得るスライ
ス工程と、該スライス工程で得られたウェーハの割れ欠
けを防ぐためにその外周エッジ部を面取りする面取り工
程と、面取りされたウェーハをラッピングしてこれを平
坦化するラッピング工程と、面取りおよびラッピングさ
れたウェーハ表面に残留する加工歪を除去するエッチン
グ工程と、エッチングされたウェーハの表面を鏡面状に
仕上げるポリッシュ工程と、ポリッシュされたウェーハ
を洗浄する洗浄工程から成る。
ハの製造方法は、単結晶製造装置によって製造された単
結晶棒をスライスして薄円板状のウェーハを得るスライ
ス工程と、該スライス工程で得られたウェーハの割れ欠
けを防ぐためにその外周エッジ部を面取りする面取り工
程と、面取りされたウェーハをラッピングしてこれを平
坦化するラッピング工程と、面取りおよびラッピングさ
れたウェーハ表面に残留する加工歪を除去するエッチン
グ工程と、エッチングされたウェーハの表面を鏡面状に
仕上げるポリッシュ工程と、ポリッシュされたウェーハ
を洗浄する洗浄工程から成る。
【０００３】ところで、ラッピング工程の目的は、スラ
イスされたウェーハを所定の厚みに揃えると同時にその
平坦度、平行度などの必要な形状精度を得ることであ
る。一般に、このラッピング加工後のウェーハが最も形
状精度が良いことが知られており、最終ウェーハの形状
を決定するとも言われ、ラッピング工程での形状精度が
きわめて重要である。
イスされたウェーハを所定の厚みに揃えると同時にその
平坦度、平行度などの必要な形状精度を得ることであ
る。一般に、このラッピング加工後のウェーハが最も形
状精度が良いことが知られており、最終ウェーハの形状
を決定するとも言われ、ラッピング工程での形状精度が
きわめて重要である。
【０００４】また、ラッピング技術として従来から同
心円形状の定盤の自転運動、円形の被加工物保持金具
の装置本体に対する公転運動、円形の被加工物保持金
具の自転運動の三つの運動を組み合わせ、定盤と被加工
物に相対運動を与えることにより、ラップを行うラッピ
ング装置が知られている。このラッピング装置は、例え
ば、図４〜６に示すような構成を有している。
心円形状の定盤の自転運動、円形の被加工物保持金具
の装置本体に対する公転運動、円形の被加工物保持金
具の自転運動の三つの運動を組み合わせ、定盤と被加工
物に相対運動を与えることにより、ラップを行うラッピ
ング装置が知られている。このラッピング装置は、例え
ば、図４〜６に示すような構成を有している。
【０００５】図４はラッピング装置の分解説明図、図５
はラッピング装置の断面的説明図及び図６はラッピング
装置の上定盤を取り外した状態を示す上面説明図であ
る。
はラッピング装置の断面的説明図及び図６はラッピング
装置の上定盤を取り外した状態を示す上面説明図であ
る。
【０００６】図４〜図６において、ラッピング装置２２
は上下方向に相対向して設けられた下定盤２４及び上定
盤２６を有している。該下定盤２４及び上定盤２６は不
図示の駆動手段によって互いに逆方向に回転せしめられ
る。
は上下方向に相対向して設けられた下定盤２４及び上定
盤２６を有している。該下定盤２４及び上定盤２６は不
図示の駆動手段によって互いに逆方向に回転せしめられ
る。
【０００７】該下定盤２４はその中心部上面に中心ギア
２８を有し、その周縁部には環状のインターナルギア３
０が隣接して設けられている。
２８を有し、その周縁部には環状のインターナルギア３
０が隣接して設けられている。
【０００８】３２は円板状の被加工物保持金具（一般に
キャリアといわれる）であり、その外周面には上記中心
ギア２８及びインターナルギア３０と噛合するギア部が
形成され、全体として歯車構造をなしている。該被加工
物保持金具３２には複数個の受け穴３４が穿設されてい
る。ラップすべきウェーハ等の被加工物Ｗは該受け穴３
４内に配置される。
キャリアといわれる）であり、その外周面には上記中心
ギア２８及びインターナルギア３０と噛合するギア部が
形成され、全体として歯車構造をなしている。該被加工
物保持金具３２には複数個の受け穴３４が穿設されてい
る。ラップすべきウェーハ等の被加工物Ｗは該受け穴３
４内に配置される。
【０００９】上下の定盤２６，２４の間に被加工物保持
金具３２をおき下定盤２４の中央に位置する中心ギア２
８と下定盤２４の外側にあるインターナルギア３０の間
に被加工物保持金具３２の外側の歯車をかみ合わせ上定
盤２６をおろし、対向しながら回転する上下の定盤２
６，２４の間で被加工物保持金具３２は遊星歯車運動を
行う。被加工物Ｗは被加工物保持金具３２に開口された
受け穴３４の中に収まり、被加工物保持金具３２の自転
と公転の運動が与えられる。
金具３２をおき下定盤２４の中央に位置する中心ギア２
８と下定盤２４の外側にあるインターナルギア３０の間
に被加工物保持金具３２の外側の歯車をかみ合わせ上定
盤２６をおろし、対向しながら回転する上下の定盤２
６，２４の間で被加工物保持金具３２は遊星歯車運動を
行う。被加工物Ｗは被加工物保持金具３２に開口された
受け穴３４の中に収まり、被加工物保持金具３２の自転
と公転の運動が与えられる。
【００１０】ラッピング作業を行うには、スラリーと呼
ばれる酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）等の研磨砥粒と界面活性剤を含む水などの液体の混
濁液Ａをノズル３６から上定盤２６に設けられた貫通孔
３８を介して上下定盤２６，２４の間隙に流して被加工
物Ｗと上下定盤２６，２４の間に砥粒を送り込み、上下
定盤２６，２４の形状を被加工物Ｗに転写している。
ばれる酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）等の研磨砥粒と界面活性剤を含む水などの液体の混
濁液Ａをノズル３６から上定盤２６に設けられた貫通孔
３８を介して上下定盤２６，２４の間隙に流して被加工
物Ｗと上下定盤２６，２４の間に砥粒を送り込み、上下
定盤２６，２４の形状を被加工物Ｗに転写している。
【００１１】ここで平坦度を得るためには上下定盤２
６，２４の形状を忠実に被加工物Ｗに転写することが必
要であり、相対運動を行っている被加工物Ｗと上下定盤
２６，２４の間のスラリーＡの動きは無視できない存在
である。
６，２４の形状を忠実に被加工物Ｗに転写することが必
要であり、相対運動を行っている被加工物Ｗと上下定盤
２６，２４の間のスラリーＡの動きは無視できない存在
である。
【００１２】なぜならば、スラリーＡ中の砥粒は絶えず
磨耗し粒径と切れ味が変化する。ここでスラリーＡの動
きに偏りがあればスラリーＡの流れの悪いところでは他
の部分に比べ粒径の小さい切れ味の悪い砥粒で加工する
部分はたちまち厚く加工されてしまうからである。
磨耗し粒径と切れ味が変化する。ここでスラリーＡの動
きに偏りがあればスラリーＡの流れの悪いところでは他
の部分に比べ粒径の小さい切れ味の悪い砥粒で加工する
部分はたちまち厚く加工されてしまうからである。
【００１３】このため上下の定盤２６，２４には２０ｍ
ｍから５０ｍｍ間隔で方眼状に目切りと呼ばれる溝４０
を掘りここから不要なスラリーＡや切りくずを排出して
いるが十分とはいえないのが現状である。
ｍから５０ｍｍ間隔で方眼状に目切りと呼ばれる溝４０
を掘りここから不要なスラリーＡや切りくずを排出して
いるが十分とはいえないのが現状である。
【００１４】上記したラッピング装置においては、特
に、自転運動と公転運動を行う円形の被加工物保持金具
３２は、上下の定盤２４，２６と被加工物Ｗとの間の加
工に伴う摩擦力をもろに受けるために非常に強度的な負
荷の大きい構成部品となる。
に、自転運動と公転運動を行う円形の被加工物保持金具
３２は、上下の定盤２４，２６と被加工物Ｗとの間の加
工に伴う摩擦力をもろに受けるために非常に強度的な負
荷の大きい構成部品となる。
【００１５】しかるに、例えば最新の半導体加工におい
ては被加工物（ウェーハ）の寸法は厚み０．７ｍｍ程
度、直径２００ｍｍと面積に対する厚さが非常に薄くな
っている。このように厚さが非常に薄い被加工物を一度
に複数枚を保持する円板状の被加工物保持金具３２は直
径６００ｍｍと巨大な歯車である。一方、該被加工物保
持金具３２は、その最大にとりうる厚さが被加工物の最
大厚さまでであり、非常に寸法的な規制の大きい部品と
なっている。
ては被加工物（ウェーハ）の寸法は厚み０．７ｍｍ程
度、直径２００ｍｍと面積に対する厚さが非常に薄くな
っている。このように厚さが非常に薄い被加工物を一度
に複数枚を保持する円板状の被加工物保持金具３２は直
径６００ｍｍと巨大な歯車である。一方、該被加工物保
持金具３２は、その最大にとりうる厚さが被加工物の最
大厚さまでであり、非常に寸法的な規制の大きい部品と
なっている。
【００１６】従来の被加工物保持金具３２の厚さは一般
に被加工物、例えばウェーハの厚みに対しスラリー中の
砥粒の最大粒径（約１０μｍ）の２倍程度の薄い状態を
目安にされており、換言すれば、被加工物の厚さより２
０から４０μｍ薄いものであった。
に被加工物、例えばウェーハの厚みに対しスラリー中の
砥粒の最大粒径（約１０μｍ）の２倍程度の薄い状態を
目安にされており、換言すれば、被加工物の厚さより２
０から４０μｍ薄いものであった。
【００１７】上記ラッピング加工は被加工物Ｗの平坦度
の向上を目的として行なわれるにも関わらず、従来は歯
車構造である被加工物保持金具３２の強度を確保するた
め、被加工物Ｗの仕上がり厚さに対し、ぎりぎりまで被
加工物保持金具３２の厚さを確保するのが一般的な操業
条件であった。このため、ラッピングされた被加工物Ｗ
の表面の平坦度は不充分な場合が多かった。また、ウェ
ーハの大口径化とともに、デバイスパターンの微細化が
進行し、より高い平坦度が要求されるようになった。
の向上を目的として行なわれるにも関わらず、従来は歯
車構造である被加工物保持金具３２の強度を確保するた
め、被加工物Ｗの仕上がり厚さに対し、ぎりぎりまで被
加工物保持金具３２の厚さを確保するのが一般的な操業
条件であった。このため、ラッピングされた被加工物Ｗ
の表面の平坦度は不充分な場合が多かった。また、ウェ
ーハの大口径化とともに、デバイスパターンの微細化が
進行し、より高い平坦度が要求されるようになった。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、近年の各
種材料品質及び加工技術の向上によって従来から問題と
されていた被加工物保持金具の寸法について検討し、ラ
ップされた被加工物の平坦度の向上する被加工物保持金
具の寸法について究明を行なった。本発明者は、スラリ
ーの流れに着目し、よりスラリーの流れをスムーズにす
るためあえて従来のタブーに挑み被加工物保持金具３２
の厚さを薄くすることを試み、その結果、該被加工物保
持金具の厚さを該被加工物に対し所定の範囲で薄く設定
することによって、被加工物のラップ面の向上を図るこ
とができることを見出し、本発明を完成したものであ
る。
種材料品質及び加工技術の向上によって従来から問題と
されていた被加工物保持金具の寸法について検討し、ラ
ップされた被加工物の平坦度の向上する被加工物保持金
具の寸法について究明を行なった。本発明者は、スラリ
ーの流れに着目し、よりスラリーの流れをスムーズにす
るためあえて従来のタブーに挑み被加工物保持金具３２
の厚さを薄くすることを試み、その結果、該被加工物保
持金具の厚さを該被加工物に対し所定の範囲で薄く設定
することによって、被加工物のラップ面の向上を図るこ
とができることを見出し、本発明を完成したものであ
る。
【００１９】本発明は、半導体ウェーハ等の被加工物の
ラップ面の平坦度を向上させることを可能としたラッピ
ング装置を提供することを目的とする。
ラップ面の平坦度を向上させることを可能としたラッピ
ング装置を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のラッピング装置は、上下の定盤と、該上下
の定盤に回動可能に挟持されかつ複数個の受け穴が穿設
された円板状の被加工物保持金具とを有し、該受け穴に
平板状の被加工物を配置し、該被加工物を該被加工物保
持金具とともに該上下の定盤に対し相対運動させながら
ラップを行うラッピング装置において、該被加工物保持
金具の厚さが該被加工物の仕上がり厚さよりも薄くかつ
該被加工物保持金具の厚さと該被加工物の仕上がり厚さ
の差が７０μｍ以上となるように設定することを特徴と
する。
め、本発明のラッピング装置は、上下の定盤と、該上下
の定盤に回動可能に挟持されかつ複数個の受け穴が穿設
された円板状の被加工物保持金具とを有し、該受け穴に
平板状の被加工物を配置し、該被加工物を該被加工物保
持金具とともに該上下の定盤に対し相対運動させながら
ラップを行うラッピング装置において、該被加工物保持
金具の厚さが該被加工物の仕上がり厚さよりも薄くかつ
該被加工物保持金具の厚さと該被加工物の仕上がり厚さ
の差が７０μｍ以上となるように設定することを特徴と
する。
【００２１】前記被加工物保持金具の厚さとしては、前
記被加工物の仕上がり厚さよりも少なくとも７０μｍ薄
く設定することの他に、該被加工物の仕上がり厚さの半
分以上の厚さを有するように設定するのが好適である。
記被加工物の仕上がり厚さよりも少なくとも７０μｍ薄
く設定することの他に、該被加工物の仕上がり厚さの半
分以上の厚さを有するように設定するのが好適である。
【００２２】本発明のラッピング方法は、上記したラッ
ピング装置を用いて、該被加工物のラップを行ない、そ
のラップ面の平坦度を向上させるようにしたものであ
る。
ピング装置を用いて、該被加工物のラップを行ない、そ
のラップ面の平坦度を向上させるようにしたものであ
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一つの実施の形態
を添付図面に基づいて説明する。
を添付図面に基づいて説明する。
【００２４】本発明装置の基本的構成は、図４〜図６に
示した従来のラッピング装置と変わるところはないの
で、その構成について再度の説明は避け、本発明の特徴
点についてのみ説明する。図３は図４の要部拡大図であ
る。
示した従来のラッピング装置と変わるところはないの
で、その構成について再度の説明は避け、本発明の特徴
点についてのみ説明する。図３は図４の要部拡大図であ
る。
【００２５】図３において、被加工物保持金具３２の厚
さｄは半導体ウェーハ等の被加工物Ｗの仕上がり厚さｅ
よりも薄く設定されている。該被加工物保持金具３２の
厚さｄの設定の範囲は、該被加工物保持金具３２の厚さ
ｄと該被加工物Ｗの仕上がり厚さｅの差ｆが７０μｍ以
上とすることが必要である。両者の厚さｄ，ｅの差ｆが
７０μｍに満たないと被加工物Ｗのラップ面の平坦度を
充分に向上させることができない。
さｄは半導体ウェーハ等の被加工物Ｗの仕上がり厚さｅ
よりも薄く設定されている。該被加工物保持金具３２の
厚さｄの設定の範囲は、該被加工物保持金具３２の厚さ
ｄと該被加工物Ｗの仕上がり厚さｅの差ｆが７０μｍ以
上とすることが必要である。両者の厚さｄ，ｅの差ｆが
７０μｍに満たないと被加工物Ｗのラップ面の平坦度を
充分に向上させることができない。
【００２６】該被加工物保持金具３２の厚さｄが薄すぎ
ると、強度的な問題が生ずるため、該被加工物保持金具
３２の厚さｄは、該被加工物Ｗの仕上がり厚さｅの半分
以上の厚さを有することが必要である。
ると、強度的な問題が生ずるため、該被加工物保持金具
３２の厚さｄは、該被加工物Ｗの仕上がり厚さｅの半分
以上の厚さを有することが必要である。
【００２７】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
【００２８】（実験例１） 被加工物（試料ウェーハ）：ＣＺ、ｐ型、結晶方位＜１
００＞、１５０ｍｍφ、スライスシリコンウェーハ 研磨剤：酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3＃１２００） スラリー供給量：８００ｃｃ／ｍｉｎ ラップ荷重：１００ｇ／ｃｍ2 ラップ時間：１５分
００＞、１５０ｍｍφ、スライスシリコンウェーハ 研磨剤：酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3＃１２００） スラリー供給量：８００ｃｃ／ｍｉｎ ラップ荷重：１００ｇ／ｃｍ2 ラップ時間：１５分
【００２９】上記ラッピング条件において、被加工物
（試料ウェーハ）の仕上り厚さに対する被加工物保持金
具（キャリア）の厚さの差Ｄ（前者に対して後者がどれ
だけ薄いか）を１０、３０、５０、７０、９０、１１
０、１３０（μｍ）と変化させ、図３〜図５に示したラ
ッピング装置を用いて試料ウェーハ（面取りまで実施し
たスライスウェーハ）１６枚ずつをラップし、ラップ面
の平坦度（ＴＴＶ：面内の最大厚と最小厚の差）を測定
し、図１にその平均値を示した。
（試料ウェーハ）の仕上り厚さに対する被加工物保持金
具（キャリア）の厚さの差Ｄ（前者に対して後者がどれ
だけ薄いか）を１０、３０、５０、７０、９０、１１
０、１３０（μｍ）と変化させ、図３〜図５に示したラ
ッピング装置を用いて試料ウェーハ（面取りまで実施し
たスライスウェーハ）１６枚ずつをラップし、ラップ面
の平坦度（ＴＴＶ：面内の最大厚と最小厚の差）を測定
し、図１にその平均値を示した。
【００３０】図１の結果から明らかなごとく、試料ウェ
ーハの仕上り厚さに対するキャリアの厚さの差が７０μ
ｍに満たない場合には、ラップ面の平坦度（従来の厚さ
の差３０μｍの平均値を１としたときの相対値）は０．
８以上であり、好ましいとはいえないが、上記差Ｄが７
０μｍ以上の場合には、平坦度（相対値）が０．８未満
となり、平坦度が向上することが確認できた。
ーハの仕上り厚さに対するキャリアの厚さの差が７０μ
ｍに満たない場合には、ラップ面の平坦度（従来の厚さ
の差３０μｍの平均値を１としたときの相対値）は０．
８以上であり、好ましいとはいえないが、上記差Ｄが７
０μｍ以上の場合には、平坦度（相対値）が０．８未満
となり、平坦度が向上することが確認できた。
【００３１】図１に示されるように、被加工物保持金具
の厚さを薄くしてゆくと上記差Ｄが１００μｍ前後のと
ころから平坦度の向上効果はほとんど伸びなくなってゆ
く。さらにウェーハの仕上がり厚さの半分程度まで被加
工物保持金具を薄くするとウェーハの面取り部が被加工
物保持金具に乗り上げやすくなりラッピング作業そのも
のが成り立たなくなるために本発明の有効な範囲の限度
はウェーハの厚みの半分までであることも確認した。
の厚さを薄くしてゆくと上記差Ｄが１００μｍ前後のと
ころから平坦度の向上効果はほとんど伸びなくなってゆ
く。さらにウェーハの仕上がり厚さの半分程度まで被加
工物保持金具を薄くするとウェーハの面取り部が被加工
物保持金具に乗り上げやすくなりラッピング作業そのも
のが成り立たなくなるために本発明の有効な範囲の限度
はウェーハの厚みの半分までであることも確認した。
【００３２】（実施例１及び比較例１）実験例１におけ
るラッピング条件と同様のラッピング条件において、上
記差Ｄを９０μｍ（実施例１）及び４０μｍ（比較例
１）として、試料ウェーハ各１００枚をラップし、その
ラップ面の平坦度を測定して、その平均値を求めた結果
を図２に示した。図２に示されるごとく、実施例１の平
坦度は０．７であったのに対し、比較例１の平坦度は
１．０であった。この結果から、両者の間には品質レベ
ルに明らかな差が生じていることが確認できた。
るラッピング条件と同様のラッピング条件において、上
記差Ｄを９０μｍ（実施例１）及び４０μｍ（比較例
１）として、試料ウェーハ各１００枚をラップし、その
ラップ面の平坦度を測定して、その平均値を求めた結果
を図２に示した。図２に示されるごとく、実施例１の平
坦度は０．７であったのに対し、比較例１の平坦度は
１．０であった。この結果から、両者の間には品質レベ
ルに明らかな差が生じていることが確認できた。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、半
導体ウェーハ等の被加工物のラップ面の平坦度を容易に
向上させることができるという大きな効果が達成され
る。
導体ウェーハ等の被加工物のラップ面の平坦度を容易に
向上させることができるという大きな効果が達成され
る。
【図１】被加工物（試料ウェーハ）の仕上り厚さに対す
る被加工物保持金具（キャリア）の厚さの差とラップ面
の平坦度との関係を示すグラフである。
る被加工物保持金具（キャリア）の厚さの差とラップ面
の平坦度との関係を示すグラフである。
【図２】実施例１と比較例１の被加工物（試料ウェー
ハ）のラップ面の平坦度を示すグラフである。
ハ）のラップ面の平坦度を示すグラフである。
【図３】本発明のラッピング装置の一つの実施の形態を
示す要部の断面的説明図である。
示す要部の断面的説明図である。
【図４】ラッピング装置の分解斜視説明図である。
【図５】ラッピング装置の断面的説明図である。
【図６】ラッピング装置の上定盤を取り外した状態を示
す上面説明図である。
す上面説明図である。
２４ 下定盤 ２６ 上定盤 ２８ 中心ギア ３０ インターナルギア ３２ 被加工物保持金具 ３４ 受け穴 ３６ ノズル ３８ 貫通孔 Ａ スラリー Ｗ 被加工物
Claims (3)
- 【請求項１】 上下の定盤と、該上下の定盤に回動可能
に挟持されかつ複数個の受け穴が穿設された円板状の被
加工物保持金具とを有し、該受け穴に平板状の被加工物
を配置し、該被加工物を該被加工物保持金具とともに該
上下の定盤に対し相対運動させながらラップを行うラッ
ピング装置において、該被加工物保持金具の厚さが該被
加工物の仕上がり厚さよりも薄くかつ該被加工物保持金
具の厚さと該被加工物の仕上がり厚さの差が７０μｍ以
上となるように設定することを特徴とするラッピング装
置。 - 【請求項２】 前記被加工物保持金具の厚さが、前記被
加工物の仕上がり厚さの半分以上の厚さを有するように
設定することを特徴とする請求項１記載のラッピング装
置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の装置を用いて前記
被加工物のラップを行ない、そのラップ面の平坦度を向
上させるようにしたことを特徴とするラッピング方法。
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|---|---|---|---|
| JP8339594A JPH10180624A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | ラッピング装置及び方法 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004507085A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 新規な最終研磨方法を用いて半導体ウェーハを処理する方法および装置 |
| US9490180B2 (en) | 2011-10-04 | 2016-11-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for processing wafer |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19756537A1 (de) * | 1997-12-18 | 1999-07-01 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zum Erzielen eines möglichst linearen Verschleißverhaltens und Werkzeug mit möglichst linearem Verschleißverhalten |
| US6258177B1 (en) | 1999-03-29 | 2001-07-10 | Seh America | Apparatus for cleaning the grooves of lapping plates |
| DE10081456B9 (de) * | 1999-05-17 | 2016-11-03 | Kashiwara Machine Mfg. Co., Ltd. | Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren |
| DE60026953T2 (de) * | 1999-06-28 | 2007-04-05 | Société Européenne de Systèmes Optiques S.E.S.O. | Verfahren zum Polieren von mindestens einer Seite eines Silizium enthaltende Werkstücks |
| AU2001249277A1 (en) * | 2000-03-17 | 2001-10-03 | Wafer Solutions, Inc. | Grind polish cluster and double side polishing of substrates |
| JP3485067B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2004-01-13 | 株式会社村田製作所 | ラッピング加工方法およびラッピング装置 |
| TWI248384B (en) | 2000-06-12 | 2006-02-01 | Hitachi Ltd | Electronic device |
| US6416392B1 (en) * | 2000-11-30 | 2002-07-09 | Seh America, Inc. | Sound enhanced lapping process |
| US6672943B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-01-06 | Wafer Solutions, Inc. | Eccentric abrasive wheel for wafer processing |
| JP2002239895A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 研磨用保持部材、研磨方法および研磨装置 |
| US6632012B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-14 | Wafer Solutions, Inc. | Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids |
| SG119140A1 (en) * | 2001-07-04 | 2006-02-28 | Disco Corp | Grinding wheel |
| DE10361767B4 (de) * | 2003-12-31 | 2005-12-22 | Thielenhaus Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur mechanischen Bearbeitung von parallelen Stirnflächen an kleinteiligen Werkstücken |
| JP5533884B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2014-06-25 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | ウェーハの研磨方法 |
| KR101660898B1 (ko) * | 2014-08-13 | 2016-09-28 | 주식회사 엘지실트론 | 슬러리 공급 장치 및 이를 포함하는 연마 장치 |
| JP6885492B1 (ja) * | 2020-05-13 | 2021-06-16 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1491103A (en) * | 1919-07-08 | 1924-04-22 | Pratt & Whitney Co | Method of and machine for making gauges and other articles |
| US1541001A (en) * | 1920-12-04 | 1925-06-09 | Fafnir Bearing Co | Lapping machine |
| US1476863A (en) * | 1922-01-17 | 1923-12-11 | Floyd C Weaver | Machine for making true plane surfaces |
| US2944375A (en) * | 1956-10-26 | 1960-07-12 | Lipkins Morton | Lapping machine |
| JPS55106769A (en) * | 1979-01-31 | 1980-08-15 | Masami Masuko | Lapping method and its apparatus |
| US4593495A (en) * | 1983-11-25 | 1986-06-10 | Toshiba Machine Co., Ltd. | Polishing machine |
| KR860008003A (ko) * | 1985-04-08 | 1986-11-10 | 제이·로렌스 킨 | 양면 포리싱 작업용 캐리어 조립체 |
| DE3524978A1 (de) * | 1985-07-12 | 1987-01-22 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum beidseitigen abtragenden bearbeiten von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben |
| JPH02190258A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-26 | Nkk Corp | チタン板の両面研磨方法 |
| US4996798A (en) * | 1989-05-31 | 1991-03-05 | Moore Steven C | Ultra-precision lapping apparatus |
| JPH0615565A (ja) * | 1991-12-18 | 1994-01-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ自動ラッピング装置 |
| US5762543A (en) * | 1995-11-30 | 1998-06-09 | Speedfam Corporation | Polishing apparatus with improved product unloading |
-
1996
- 1996-12-19 JP JP8339594A patent/JPH10180624A/ja active Pending
-
1997
- 1997-11-21 TW TW086117464A patent/TW374943B/zh active
- 1997-12-09 US US08/987,758 patent/US5941759A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-11 DE DE69711825T patent/DE69711825T2/de not_active Expired - Fee Related
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- 1997-12-18 MY MYPI97006141A patent/MY132707A/en unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004507085A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 新規な最終研磨方法を用いて半導体ウェーハを処理する方法および装置 |
| US9490180B2 (en) | 2011-10-04 | 2016-11-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for processing wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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