JPH1011365A - Protecting circuit for nonvolatile storage device - Google Patents
Protecting circuit for nonvolatile storage deviceInfo
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- JPH1011365A JPH1011365A JP8159423A JP15942396A JPH1011365A JP H1011365 A JPH1011365 A JP H1011365A JP 8159423 A JP8159423 A JP 8159423A JP 15942396 A JP15942396 A JP 15942396A JP H1011365 A JPH1011365 A JP H1011365A
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- power supply
- protection circuit
- supply voltage
- operation table
- memory device
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電気的に書き換え
可能な不揮発性記憶装置の保護回路に係わり、とくに、
電圧低下時の書き込みデータの保護に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a protection circuit for an electrically rewritable nonvolatile memory device, and more particularly, to a protection circuit for an electrically rewritable nonvolatile memory device.
The present invention relates to protection of write data when a voltage drops.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は従来の不揮発性記憶装置(以下E
EPROMと記す)を利用したエアコン等の装置の制御
回路の構成を示すブロック図である。図において、1は
制御部、2はプログラムの書き込まれたPROM、3は
RAM、4は温度検出器4a、送風ファン等の駆動部4
b等からなる被制御機器、5はEEPROM、60は電
源電圧検出器である。通常電圧時には、前記制御部3が
PROM1に書き込まれたプログラムに従って、温度検
出器4aよりの検出データや、その時の動作モード等を
RAM3に記憶し、同RAM3の内容を参照しながら送
風ファン等の駆動部4bを制御するように動作してい
る。いま、動作中に何らかの原因で電源電圧が所定値以
下に降下すると、前記電源電圧検出器60がこれを検出
し、制御部1が同検出信号を受信すると、前記RAMに
記憶される動作モード等のデータをEEPROM5に書
き込んで退避させるようにし、電源復帰時に、同EEP
ROM5に書き込まれたデータを読み出してRAM3に
書き込み、電源断前の動作を再開するようにしていた。
しかし、このような不揮発性記憶装置の保護回路では、
前記RAM3に書き込まれているデータの量が多くなる
と、書き込み途中で電源電圧がEEPROM5の動作可
能電圧以下に降下して、RAM3上のデータが全て書き
込みできないため、電源電圧が復帰したとき、RAM3
上に一部のデータが欠如した、不完全なデータが書き込
まれるため、異常動作するという問題があった。このよ
うな問題を解決するため、一般に、この制御系の電源に
コンデンサ等を挿入して、電源電圧の降下を遅らせるよ
うにしていた。しかし、EEPROM5に書き込むデー
タが多い場合は、書き込みに時間を要し、書き込みの間
に電圧が低下して、書き込み不良を起こす場合があっ
た。2. Description of the Related Art FIG. 4 shows a conventional nonvolatile storage device (hereinafter referred to as E
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a control circuit of a device such as an air conditioner using an EPROM. In the figure, 1 is a control unit, 2 is a PROM in which a program is written, 3 is a RAM, 4 is a driving unit 4 such as a temperature detector 4a, a blower fan, etc.
b is a controlled device, and 5 is an EEPROM, 60 is a power supply voltage detector. At the time of the normal voltage, the control unit 3 stores the detection data from the temperature detector 4a and the operation mode at that time in the RAM 3 in accordance with the program written in the PROM 1 and stores the detected data in the RAM 3 while referring to the contents of the RAM 3. It operates to control the driving unit 4b. Now, if the power supply voltage drops below a predetermined value for some reason during operation, the power supply voltage detector 60 detects this, and when the control unit 1 receives the detection signal, the operation mode and the like stored in the RAM Is written to the EEPROM 5 and saved, and when the power is restored, the EEPROM
The data written in the ROM 5 is read and written in the RAM 3, and the operation before the power is turned off is restarted.
However, in such a protection circuit for a nonvolatile memory device,
When the amount of data written in the RAM 3 increases, the power supply voltage drops below the operable voltage of the EEPROM 5 during writing, and all data on the RAM 3 cannot be written.
There is a problem that abnormal operation is performed because incomplete data in which some data is missing is written. In order to solve such a problem, a capacitor or the like is generally inserted in the power supply of the control system to delay the drop of the power supply voltage. However, when there is much data to be written to the EEPROM 5, writing takes time, and the voltage drops during writing, which may cause a writing failure.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上述べた問
題点を解決し、電源の降下を早期に検知し、適切な保護
動作を行うことにより、不揮発性記憶装置のデータを保
護する不揮発性記憶装置の保護回路を提供することを目
的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned problems, detects a drop in power supply at an early stage, and performs an appropriate protection operation to protect data in a nonvolatile storage device. It is an object to provide a protection circuit for a storage device.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するため、電源電圧を検出する電源電圧検出回路と、
制御部とで構成し、電源電圧が所定値以下に降下した時
は電気的に書き換え可能な不揮発性記憶装置の書き込み
および読み出しを中止するように制御される不揮発性記
憶装置の保護回路において、前記電源電圧検出回路を検
出電圧のアナログ信号をデジタル信号に変換して出力す
るA/D変換器で構成し、同検出電圧に対応する動作プ
ログラムを記憶する動作テーブルを設け、同動作テーブ
ルに記憶する動作プログラムに従って制御部が書き込
み、読み出しの保護動作を行うように制御するようにし
た。According to the present invention, there is provided a power supply voltage detecting circuit for detecting a power supply voltage.
A protection circuit configured to control the writing and reading of the electrically rewritable nonvolatile storage device when the power supply voltage falls below a predetermined value. The power supply voltage detection circuit includes an A / D converter that converts an analog signal of a detection voltage into a digital signal and outputs the digital signal. An operation table for storing an operation program corresponding to the detection voltage is provided, and the operation table is stored in the operation table. According to the operation program, the control unit controls to perform write and read protection operations.
【0005】[0005]
【発明の実施の形態】以上のように構成したので、本発
明の不揮発性記憶装置の保護回路においては、A/D変
換器により電源電圧をデジタル信号に変換して制御部に
入力し、制御部が動作テーブルを参照して前記検出電圧
に対応する動作プログラムにより不揮発性記憶装置の書
き込みおよび読み出しの保護動作を行うようにしてい
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS With the above-described configuration, in the protection circuit of the nonvolatile memory device according to the present invention, the power supply voltage is converted into a digital signal by the A / D converter, and the digital signal is input to the control unit. The unit refers to the operation table and performs write and read protection operations of the nonvolatile memory device by an operation program corresponding to the detection voltage.
【0006】[0006]
【実施例】以下、図面に基づいて本発明による不揮発性
記憶装置の保護回路を詳細に説明する。図1は本発明に
よる不揮発性記憶装置の保護回路の一実施例を示すブロ
ック図である。図において、図4と同じ機能には同一記
号を使用し、その説明を省略し、6はA/D変換器で、
電源電圧をデジタル信号に変換して制御部1に入力す
る。7は前記PROM2の一部の領域に設けた動作テー
ブルで、同動作テーブル7には前記電源電圧に対応した
動作プログラムを記憶している。本実施例の場合、PR
OM2上に動作テーブル7の領域を設けたが、図示しな
いがEEPROM5上に動作テーブル7の領域を設けて
もよいことは理解出来よう。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a protection circuit of a nonvolatile memory device according to the present invention. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a protection circuit of a nonvolatile memory device according to the present invention. In the drawing, the same symbols are used for the same functions as in FIG. 4 and the description is omitted, and 6 is an A / D converter.
The power supply voltage is converted into a digital signal and input to the control unit 1. Reference numeral 7 denotes an operation table provided in a partial area of the PROM 2. The operation table 7 stores an operation program corresponding to the power supply voltage. In the case of this embodiment, PR
Although the area of the operation table 7 is provided on the OM 2, it can be understood that the area of the operation table 7 may be provided on the EEPROM 5 although not shown.
【0007】以上の構成において、つぎにその動作を説
明する。A/D変換記6でデジタル変換された電源電圧
のデータは、常に制御部1に入力されており、制御部1
は一定時間間隔で、そのデータを監視し(ST0)、動
作テーブル7を参照してその動作を決定し、各部を制御
している。図2に動作テーブル7の一実施例、図3にそ
の動作フローを示しており、以下、同図に基づいて説明
する。電源源電圧が4〜5ボルトの場合は従来の項で説
明した通常動作の制御を行うようにしている。(ST
1)電源源電圧が3〜3.9ボルトになると、電源電圧
の監視を通常の1/2〜1/4の間隔で行うようにし
て、監視を強化し、電圧の降下を一早く知ることができ
るようにしている。(ST2)Next, the operation of the above configuration will be described. The power supply voltage data digitally converted by the A / D converter 6 is always input to the control unit 1.
Monitors the data at regular time intervals (ST0), determines the operation by referring to the operation table 7, and controls each unit. FIG. 2 shows an embodiment of the operation table 7, and FIG. 3 shows an operation flow thereof. The operation will be described below with reference to FIG. When the power supply voltage is 4 to 5 volts, the control of the normal operation described in the related art section is performed. (ST
1) When the power supply voltage becomes 3 to 3.9 volts, monitor the power supply voltage at intervals of 1/2 to 1/4 of normal, strengthen monitoring, and know the voltage drop as soon as possible. I can do it. (ST2)
【0008】電源電圧が2.9ボルト以下に降下する
と、RAM3の内容をEEPROM5に書き込むように
し(ST3)、書き込み中に電源電圧2.5ボルト以下
になると、RAM3上にデータを無効としてリセットを
指示するデータを作成(ST4)した後、書き込みが完
了するまで書き込みを続行するようにしている。電源電
圧が2ボルト以下になると、RAM3の必要なデータを
EEPROM5に書き込み完了した場合は、正常終了と
して、再書き込み及び動作を中止するようにし(ST
5)、書き込みが完了していない場合は、前記作成した
リセットを指示するデータをRAM3よりEEPROM
5に書き込み(ST6)後、再書き込み及び動作を中止
するようにしている(ST5)。When the power supply voltage drops below 2.9 volts, the contents of the RAM 3 are written into the EEPROM 5 (ST3). When the power supply voltage becomes 2.5 volts or less during writing, the data on the RAM 3 is invalidated and reset. After creating the instructed data (ST4), the writing is continued until the writing is completed. When the power supply voltage falls to 2 volts or less, when the necessary data in the RAM 3 has been completely written into the EEPROM 5, the rewriting and the operation are stopped as normal termination (ST).
5) If the writing has not been completed, the data for instructing the reset which has been created is stored in the EEPROM from the RAM 3.
After the writing into ST5 (ST6), the rewriting and the operation are stopped (ST5).
【0009】つぎに、電源が復帰した場合の動作を説明
する。以上説明したように、RAM3上の必要データが
EEPROM5に完全に書き込まれた場合は、電源が復
帰して、正常電圧(4〜5ボルト)に達すると、EEP
ROM5の内容を制御部1が読み出してリセットを指示
するデータが書き込まれてないと、EEPROM5の内
容をRAM3に書き込み、同RAM3のデータに基づい
た電源断前の動作状態に戻るようにしている。また、書
き込みが完了する前に電源電圧2.5ボルト以下になっ
た場合は、電源が復帰して、正常電圧(4〜5ボルト)
に達すると、EEPROM5に書き込まれたリセットを
指示するデータを制御部1が読み、予め、PROM2上
に書き込まれた初期動作データをRAM3上に書き込
み、同初期動作データに基づいて制御するようにしてい
る。Next, the operation when the power is restored will be described. As described above, when the necessary data in the RAM 3 is completely written in the EEPROM 5, when the power is restored and the normal voltage (4 to 5 volts) is reached, the EEPROM is turned on.
If the control unit 1 reads the contents of the ROM 5 and data for instructing reset is not written, the contents of the EEPROM 5 are written to the RAM 3 to return to the operation state before the power is turned off based on the data in the RAM 3. If the power supply voltage drops to 2.5 volts or less before the writing is completed, the power supply is restored to the normal voltage (4 to 5 volts).
Is reached, the control unit 1 reads the data indicating the reset written in the EEPROM 5, writes the initial operation data written in the PROM 2 in advance in the RAM 3, and controls based on the initial operation data. I have.
【0010】[0010]
【発明の効果】以上説明したように、本発明による不揮
発性記憶装置の保護回路によれば、A/D変換器により
電源電圧をデジタル信号に変換して制御部に入力し、制
御部が動作テーブルを参照して前記電源電圧に対応する
動作プログラムによりEEPROMの書き込みおよび読
み出しの保護動作を行うように制御しているので、電源
の降下を早期に検知し、適切な保護動作を行うことによ
り、不揮発性記憶装置のデータを保護する不揮発性記憶
装置の保護回路を提供することができる。As described above, according to the protection circuit of the nonvolatile memory device according to the present invention, the power supply voltage is converted into a digital signal by the A / D converter and input to the control unit, and the control unit operates. With reference to the table, the operation program corresponding to the power supply voltage is controlled so as to perform the write and read protection operation of the EEPROM. Therefore, it is possible to detect a drop in the power supply early and perform an appropriate protection operation. A protection circuit for a nonvolatile storage device that protects data in the nonvolatile storage device can be provided.
【図1】本発明による不揮発性記憶装置の保護回路の一
実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a protection circuit of a nonvolatile memory device according to the present invention.
【図2】本発明による不揮発性記憶装置の保護回路の動
作テーブルの一実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing one embodiment of an operation table of a protection circuit of the nonvolatile memory device according to the present invention.
【図3】本発明による不揮発性記憶装置の保護回路の一
実施例の動作フローを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an operation flow of an embodiment of the protection circuit of the nonvolatile memory device according to the present invention.
【図4】従来の不揮発性記憶装置の保護回路を示すブロ
ック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a protection circuit of a conventional nonvolatile memory device.
1 制御部 2 PROM 3 RAM 4 被制御機器 5 EEPROM(書き込み可能な不揮発性記憶装置) 6 A/D変換器 7 動作テーブル Reference Signs List 1 control unit 2 PROM 3 RAM 4 controlled device 5 EEPROM (writable nonvolatile storage device) 6 A / D converter 7 operation table
Claims (5)
と、制御部とで構成し、電源電圧が所定値以下に降下し
た時は電気的に書き換え可能な不揮発性記憶装置の書き
込みおよび読み出しを中止するように制御される不揮発
性記憶装置の保護回路において、前記電源電圧検出回路
を検出電圧であるアナログ信号をデジタル信号に変換し
て出力するA/D変換器で構成すると共に、同検出電圧
に対応する動作プログラムを記憶する動作テーブルを設
け、同動作テーブルに従って制御部が書き込み、読み出
しの動作を制御するようにしてなることを特徴とする不
揮発性記憶装置の保護回路。1. A power supply voltage detection circuit for detecting a power supply voltage, and a control unit, wherein when the power supply voltage falls below a predetermined value, writing and reading of an electrically rewritable nonvolatile memory device are stopped. In the protection circuit of the nonvolatile memory device controlled to perform the operation, the power supply voltage detection circuit is configured by an A / D converter that converts an analog signal, which is a detection voltage, into a digital signal and outputs the digital signal. A protection circuit for a nonvolatile memory device, comprising: an operation table for storing a corresponding operation program, wherein a control unit controls writing and reading operations according to the operation table.
性記憶装置内に設けてなることを特徴とする請求項1記
載の不揮発性記憶装置の保護回路。2. The protection circuit according to claim 1, wherein the area of the operation table is provided in the nonvolatile storage device.
ROM内に設けてなることを特徴とする請求項1記載の
不揮発性記憶装置の保護回路。3. The protection circuit according to claim 1, wherein the area of the operation table is provided in a program ROM.
イミングを指示する命令を記憶してなることを特徴とす
る請求項1記載の不揮発性記憶装置の保護回路。4. The protection circuit for a nonvolatile memory device according to claim 1, wherein an instruction for instructing a timing of monitoring a voltage is stored in the operation table.
示す保護データ作成命令を記憶してなることを特徴とす
る請求項1記載の不揮発性記憶装置の保護回路。5. The protection circuit according to claim 1, wherein a protection data creation command indicating validity of data is stored in the operation table.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8159423A JPH1011365A (en) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | Protecting circuit for nonvolatile storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8159423A JPH1011365A (en) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | Protecting circuit for nonvolatile storage device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1011365A true JPH1011365A (en) | 1998-01-16 |
Family
ID=15693427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8159423A Pending JPH1011365A (en) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | Protecting circuit for nonvolatile storage device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1011365A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005536784A (en) * | 2002-01-19 | 2005-12-02 | ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Method for monitoring completion of drive preparation of at least one memory element arranged in an electronic unit |
KR20150018459A (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 실리콘 모션 인코포레이티드 | Data storage device and voltage protection method thereof |
JP2015036988A (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 慧榮科技股▲分▼有限公司 | Data storage device and method of protecting data storage device from abnormal voltage |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP8159423A patent/JPH1011365A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005536784A (en) * | 2002-01-19 | 2005-12-02 | ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Method for monitoring completion of drive preparation of at least one memory element arranged in an electronic unit |
KR20150018459A (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 실리콘 모션 인코포레이티드 | Data storage device and voltage protection method thereof |
JP2015036988A (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 慧榮科技股▲分▼有限公司 | Data storage device and method of protecting data storage device from abnormal voltage |
US9847134B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-12-19 | Silicon Motion, Inc. | Data storage device and voltage protection method thereof |
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