JPH08250454A - Manufacture of semiconductor device and dicing jig used for the device - Google Patents
Manufacture of semiconductor device and dicing jig used for the deviceInfo
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- JPH08250454A JPH08250454A JP5145895A JP5145895A JPH08250454A JP H08250454 A JPH08250454 A JP H08250454A JP 5145895 A JP5145895 A JP 5145895A JP 5145895 A JP5145895 A JP 5145895A JP H08250454 A JPH08250454 A JP H08250454A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にトランジスタ型加速度センサや圧力センサな
どの可動部をチップ内に有する半導体装置やエアーブリ
ッジ配線構造などのように機械的な強度に問題がある突
起物を持つ半導体装置を効率的にダイシングカットする
ようにした半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイ
シング治具の構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor device having a movable portion such as a transistor type acceleration sensor or a pressure sensor in a chip, and a mechanical strength such as an air bridge wiring structure. The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device and a structure of a dicing jig used for the same, in which a semiconductor device having a problematic protrusion is efficiently dicing cut.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、シリコンウェハ上に形成された半
導体集積回路素子をチップ分割する方法として、通常は
粘着シート上に置かれたシリコンウェハをダイシングカ
ット装置を用いてダイシングカットを行うことによって
なされていた。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of dividing a semiconductor integrated circuit element formed on a silicon wafer into chips, a silicon wafer placed on an adhesive sheet is usually dicing-cut by using a dicing-cutting device. Was there.
【0003】この際、シリコンの切りくずを除去した
り、切断時の熱を放熱するため、また、カットが容易に
できるように大量の切削水を流しながらウェハをカット
してチップ状に分割していた。At this time, in order to remove chips of silicon and to radiate heat at the time of cutting, and also to cut easily, a wafer is cut into a chip shape while flowing a large amount of cutting water. Was there.
【0004】しかしながら、チップ内に例えば、トラン
ジスタ型加速度センサのように可動部を有する素子やエ
アーブリッジ配線構造のように機械的強度が弱い突起物
を有する機能素子が存在する場合、この大量の切削水の
圧力や表面張力により機能素子が破壊されたり、正常な
動作をしなくなる。However, in the case where, for example, an element having a movable portion such as a transistor type acceleration sensor or a functional element having a protrusion having a weak mechanical strength such as an air bridge wiring structure is present in a chip, this large amount of cutting is performed. The functional element may be damaged or may not operate normally due to water pressure or surface tension.
【0005】この問題に対し、従来技術として、エアー
ブリッジ構造に関しては、特開平2−106947号公
報ではウェハ上にレジストを塗布して硬化した状態でダ
イシングカットし、その後、オゾン雰囲気中の紫外線照
射してレジストを除去する方法が提案されている。To solve this problem, as a conventional technique, in regard to the air bridge structure, in Japanese Patent Laid-Open No. 106947/1990, a resist is applied on a wafer and dicing is cut in a cured state, and thereafter, ultraviolet irradiation is performed in an ozone atmosphere. Then, a method of removing the resist is proposed.
【0006】しかるに、この方法では紫外線の当たらな
い領域にはレジストが残ったり、また、可動部を有する
素子においてはレジスト塗布時にレジストの粘性やスピ
ンナーの回転(角速度)により可動部が破損されたり、
正常動作ができなくなると共に、そのレジストを除去す
る好ましい方法が存在しないなどの問題がある。However, according to this method, the resist remains in a region not exposed to ultraviolet rays, and in an element having a movable portion, the movable portion is damaged due to the viscosity of the resist or the rotation (angular velocity) of the spinner during resist coating.
There are problems such that normal operation cannot be performed and there is no preferable method for removing the resist.
【0007】このようにして、従来の技術では可動部や
突起物を有する半導体装置を高歩留りでチップ分割をす
ることができないのが実状であった。As described above, according to the conventional technique, it is not possible to divide a semiconductor device having a movable portion or a protrusion into chips with a high yield.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は以上
のような点に鑑みてなされたもので、半導体装置内の機
能素子が有するトランジスタ型加速度センサの可動ゲー
トや圧力センサのダイアフラムのような可動部またはエ
アーブリッジ配線構造のような突起物を、ダイシングカ
ット時にレジストなどの液体を使用することなく保護し
てダイシングカットすることにより、高歩留りでチップ
分割をすることができるようにした半導体装置の製造方
法及びそれに用いるダイシング治具を提供することを目
的としている。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the present invention has been made in view of the above points, such as a movable gate of a transistor type acceleration sensor or a diaphragm of a pressure sensor included in a functional element in a semiconductor device. A semiconductor device in which a movable portion or a protrusion such as an air bridge wiring structure is protected by dicing and cutting without using a liquid such as a resist when dicing and cutting, and thus chip division can be performed with high yield. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing the same and a dicing jig used for the method.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明によると、上記課
題を解決するために、半導体基板の表面に可動部または
突起部を有する機能素子を備える半導体装置の製造方法
において、前記可動部または突起部と対向する領域に凹
部及び該凹部の形成領域内または領域外に真空チャック
用の貫通孔が形成されたダイシング治具を用いて半導体
ウェハをダイシングカットすることを特徴とする半導体
装置の製造方法が提供される。According to the present invention, in order to solve the above problems, in a method of manufacturing a semiconductor device having a functional element having a movable portion or a protrusion on a surface of a semiconductor substrate, the movable portion or the protrusion is provided. Method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that a semiconductor wafer is diced using a dicing jig in which a concave portion is formed in a region facing the concave portion and a through hole for a vacuum chuck is formed inside or outside the region where the concave portion is formed. Will be provided.
【0010】また、本発明によると、前記ダイシング治
具として剛性の高い金属、セラミックスなどの材料から
なる治具あるいは面方位(110)のシリコンウェハ
や、(100)と(110)とを絶縁体などを介して接
合したシリコンウェハを用いる半導体装置の製造方法が
提供される。Further, according to the present invention, as the dicing jig, a jig made of a highly rigid material such as metal or ceramics, a silicon wafer having a plane orientation (110), or (100) and (110) is an insulator. Provided is a method for manufacturing a semiconductor device using a silicon wafer bonded via, for example.
【0011】また、本発明によると、半導体基板の表面
に可動部または突起部を有する機能素子が形成された半
導体ウェハを前記ダイシング治具に搭載する工程と、ダ
イシングカット装置のステージからの真空引きにより前
記ダイシング治具内に形成された貫通孔を介して前記半
導体ウェハを吸引し、前記半導体ウェハと前記ダイシン
グ治具とを固定する工程と、前記ダイシングカット装置
により、前記半導体ウェハ裏面から表面方向に前記半導
体ウェハの厚み半分以上切り込む工程と、前記半導体ウ
ェハ裏面に粘着シートを貼り付ける工程と、前記粘着シ
ートを貼り付ける工程の後、前記半導体ウェハの切り込
みが広がる方向に前記粘着シートに引張力を与えるか、
または、熱あるいは振動による衝撃を与えてチップ状に
分割する工程とを含む半導体装置の製造方法が提供され
る。Further, according to the present invention, a step of mounting a semiconductor wafer having a functional element having a movable portion or a protrusion on the surface of a semiconductor substrate on the dicing jig, and vacuuming from a stage of a dicing cut device. By sucking the semiconductor wafer through a through hole formed in the dicing jig by fixing the semiconductor wafer and the dicing jig, and by the dicing cut device, from the back surface of the semiconductor wafer surface direction After the step of cutting the thickness of the semiconductor wafer by more than half, a step of attaching an adhesive sheet to the back surface of the semiconductor wafer, and a step of attaching the adhesive sheet, a tensile force is applied to the adhesive sheet in a direction in which the cut of the semiconductor wafer spreads. Or give
Alternatively, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, which includes a step of applying an impact by heat or vibration to divide the chip into chips.
【0012】また、本発明によると、前記凹部の直下に
前記貫通孔を形成した前記ダイシング治具の表面に第1
の粘着シートを貼り付ける工程と、ダイシングカット装
置のステージからの真空引きにより前記ダイシング治具
内に形成された貫通孔を介して前記第1の粘着シートを
前記凹部に沿って吸引する工程と、前記第1の粘着シー
ト上に、表面に可動部または突起部を有する半導体ウェ
ハを貼り付ける工程と、前記貼り付ける工程の後、前記
半導体ウェハを裏面より表面方向へフルカットでチップ
毎にダイシングカットする工程と、前記ダイシング工程
の後、前記半導体ウェハ裏面に第2の粘着シートを貼り
付ける工程と、前記第2の粘着シートの貼り付け後、前
記第1の粘着シートの粘着力を低下させてから、前記第
1の粘着シートから前記半導体ウェハを剥し、前記半導
体ウェハが貼り付けられた前記第2の粘着シートに引張
力を与えて前記チップ毎の間隔を広げる工程とを含む半
導体装置の製造方法が提供される。Further, according to the present invention, the first dicing jig is formed on the surface of the dicing jig in which the through hole is formed immediately below the recess.
A step of attaching the adhesive sheet, and a step of sucking the first adhesive sheet along the concave portion through a through hole formed in the dicing jig by vacuuming from a stage of a dicing cutting device, A step of sticking a semiconductor wafer having a movable portion or a protrusion on the front surface onto the first adhesive sheet, and after the sticking step, the semiconductor wafer is fully cut from the back surface toward the front surface in a dicing cut for each chip. And a step of attaching a second adhesive sheet to the back surface of the semiconductor wafer after the dicing step, and a step of reducing the adhesive force of the first adhesive sheet after attaching the second adhesive sheet. From the first adhesive sheet, the semiconductor wafer is peeled from the first adhesive sheet, and a tensile force is applied to the second adhesive sheet to which the semiconductor wafer is attached to apply the tensile force. The method of manufacturing a semiconductor device including the step of widening the intervals of flops are provided.
【0013】また、本発明によると、半導体基板の表面
に可動部または突起部を有する機能素子を備える半導体
装置の製造方法において、前記半導体装置可動部または
突起部の周辺を取り囲むように接着剤などの印刷できる
材料で半導体ウェハ表面に壁を形成する工程と、前記半
導体ウェハ表面に形成された壁上に粘着シートを貼る工
程と、前記粘着シートを貼る工程の後、前記半導体ウェ
ハの裏面より表面方向に前記半導体ウェハの厚みの半分
以上切り込む工程と、前記粘着シートを前記半導体ウェ
ハの切り込みが広がる方向に引張力または、熱や振動に
よる衝撃を与えてチップ状に分割する工程とを含む半導
体装置の製造方法が提供される。Further, according to the present invention, in a method of manufacturing a semiconductor device having a functional element having a movable portion or a protrusion on a surface of a semiconductor substrate, an adhesive or the like is provided so as to surround the periphery of the movable portion or the protrusion of the semiconductor device. The step of forming a wall on the surface of the semiconductor wafer with a printable material, the step of sticking an adhesive sheet on the wall formed on the surface of the semiconductor wafer, and the step of sticking the adhesive sheet to the surface from the back surface of the semiconductor wafer A semiconductor device including a step of cutting in the direction of half or more of the thickness of the semiconductor wafer, and a step of dividing the pressure-sensitive adhesive sheet into a chip shape by applying a tensile force or a shock due to heat or vibration in a direction in which the cut of the semiconductor wafer spreads. A method of manufacturing the same is provided.
【0014】また、本発明によると、半導体ウェハの表
面に形成される機能素子の可動部または突起部と対向す
る部分に形成されるもので、前記可動部または前記突起
部を保護する凹部と、該凹部の形成領域内または領域外
に形成されるもので、ダイシング装置の真空チャックス
テージからのバキューム吸引により前記半導体ウェハを
固定する貫通孔とを有することを特徴とするダイシング
治具が提供される。According to the present invention, the functional element formed on the surface of the semiconductor wafer is formed at a portion facing the movable portion or the protruding portion, and the concave portion protects the movable portion or the protruding portion. A dicing jig is provided which is formed inside or outside the region where the recess is formed, and has a through hole for fixing the semiconductor wafer by vacuum suction from a vacuum chuck stage of a dicing device. .
【0015】さらに、本発明によると、前記治具の周縁
部にパッキングを挿入する溝と、前記溝の底面から上方
にガスを吹き出す構造を有することを特徴とするダイシ
ング治具が提供される。Further, according to the present invention, there is provided a dicing jig having a groove into which packing is inserted in a peripheral portion of the jig and a structure for blowing gas upward from a bottom surface of the groove.
【0016】[0016]
【作用】本発明の半導体装置の製造方法の一態様によれ
ば、ダイシングカット時、ウェハはダイシング治具内の
ウェハ固定用真空チャック貫通孔を介して、ダイシング
カット装置の真空チャックステージからのバキューム吸
引により固定される。According to one aspect of the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, during dicing cutting, the wafer is vacuumed from the vacuum chuck stage of the dicing cutting device through the wafer fixing vacuum chuck through hole in the dicing jig. It is fixed by suction.
【0017】その際、半導体装置の可動部や突起物はダ
イシング治具の凹部により保護される。At this time, the movable parts and the projections of the semiconductor device are protected by the recesses of the dicing jig.
【0018】上記の構成により、レジストなどの液体を
可動部などの固定に用いる必要がないために、レジスト
などの液体の塗布や除去工程をなくすことができ、可動
部や突起物のある半導体装置のダイシングカットを効率
的に行うことが可能となる。With the above structure, since it is not necessary to use a liquid such as a resist to fix the movable portion, it is possible to eliminate the step of applying or removing the liquid such as the resist, and the semiconductor device having the movable portion or the protrusion. It becomes possible to efficiently perform the dicing cut.
【0019】従って、本発明によれば、可動部または突
起部を有する半導体装置が形成されたウェハを高歩留り
でチップ分割することができる。Therefore, according to the present invention, the wafer on which the semiconductor device having the movable portion or the protruding portion is formed can be divided into chips with a high yield.
【0020】[0020]
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例につき説
明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0021】(第1の実施例)この第1の実施例では、
図1に示すように、各チップ内に可動部や突起物を有す
る半導体装置が複数個形成されている円盤状のウェハ1
に対応する可動部または突起物保護用凹部2a、ウェハ
固定用真空チャック穴となる貫通孔2b、ウェハ支持用
のOリング2c及びエアー導入口2dとエアー吹出し口
2eとを有するダイシング治具2を用いて、図2に示す
ような工程フローによりダイシングカットを実行する。(First Embodiment) In the first embodiment,
As shown in FIG. 1, a disk-shaped wafer 1 in which a plurality of semiconductor devices having movable parts and protrusions are formed in each chip 1
A dicing jig 2 having a movable part or a protrusion protecting recess 2a corresponding to the above, a through hole 2b serving as a wafer chucking vacuum chuck hole, a wafer supporting O-ring 2c, and an air inlet 2d and an air outlet 2e. The dicing cut is performed by using the process flow shown in FIG.
【0022】なお、本発明で使用するダイシング治具2
の材料としては剛性の高い材料(金属、セラミックス
等)を用いるものとするが、加工が容易なセラミックス
材料マコールが適している。The dicing jig 2 used in the present invention
Although a material having high rigidity (metal, ceramics, etc.) is used as the material of (3), the ceramic material Macor, which is easy to process, is suitable.
【0023】また、治具2の他の材料としてはシリコン
ウェハを用いてもよい。A silicon wafer may be used as another material for the jig 2.
【0024】なお、ダイシング治具2としてシリコンウ
ェハを用いる場合、方位面(110)や、(100)と
(110)とを酸化膜や多結晶シリコンなどを介して接
合したウェハなどでもよい。When a silicon wafer is used as the dicing jig 2, a azimuth plane (110) or a wafer in which (100) and (110) are bonded together through an oxide film or polycrystalline silicon may be used.
【0025】そして、治具2に形成する絶縁膜穴や凹部
の加工方法としてはKOHなどのアルカリ性異方性エッ
チングやレーザー加工などがある。As a method of processing the insulating film holes and the recesses formed in the jig 2, there are alkaline anisotropic etching such as KOH and laser processing.
【0026】また、エアー吹出し口2eとしての溝内に
挿入されるOリング2cによりダイシング治具2の周縁
部が中央部より高くなって、ウェハ1の反りが発生した
ときに備えて、ウェハ1の反りを抑える方向に治具2の
中央部に必要とする高さの突起部(図示せず)を設ける
ようにしてもよい。In addition, the O-ring 2c inserted into the groove as the air outlet 2e causes the peripheral edge of the dicing jig 2 to be higher than the central portion, so that the wafer 1 can be warped in preparation for warping. You may make it provide the protrusion part (not shown) of the required height in the center part of the jig 2 in the direction which suppresses the warp.
【0027】なお、以下の説明ではウェハ1の各チップ
に形成される機能素子が有する可動部や突起物を総称し
てセンサ1aとして説明するものとする。In the following description, the movable parts and protrusions of the functional elements formed on each chip of the wafer 1 will be collectively referred to as the sensor 1a.
【0028】次に、第1の実施例によるダイシングカッ
トの工程フローについて図2を参照して説明する。Next, the process flow of the dicing cut according to the first embodiment will be described with reference to FIG.
【0029】(1)先ず、図2(a)に示すようにダイ
シング治具2をダイシングカット装置の真空チャックス
テージ(図示せず)上に載せる。(1) First, as shown in FIG. 2A, the dicing jig 2 is placed on the vacuum chuck stage (not shown) of the dicing cutting device.
【0030】(2)続いて、図2(b)に示すように可
動部または突起物(センサ1a)を有する半導体装置が
形成されたウェハ1をアライメント後、ダイシング治具
2上に載せる。(2) Subsequently, as shown in FIG. 2B, the wafer 1 on which the semiconductor device having the movable portion or the protrusion (sensor 1a) is formed is aligned and then placed on the dicing jig 2.
【0031】この際、ダイシング治具2の凹部2aはセ
ンサ1aを十分に保護することができる形状となってい
るものとする。At this time, the concave portion 2a of the dicing jig 2 has a shape capable of sufficiently protecting the sensor 1a.
【0032】また、素子パターンと治具凹部との位置合
わせの方法としては、光学プローブにより両方のパター
ンを同時に観察し、画像認識装置で位置合わせを行うよ
うにしたり、予め、素子が形成されたウェハに対し、ダ
イシングラインでカット成形しておき、治具側にも段差
を設けてそこに合わせる等の方法をとることができる。As a method of aligning the element pattern and the jig concave portion, both patterns are observed at the same time by an optical probe and an image recognition device is used for alignment, or the element is formed in advance. The wafer may be cut and formed along a dicing line, and a step may be provided on the jig side to match the step.
【0033】ただし、ダイシングラインでカットしてお
く方法は、センサ1aがその製造プロセスの過程で固定
されている必要がある。However, in the method of cutting with the dicing line, the sensor 1a needs to be fixed during the manufacturing process.
【0034】(3)次に、図2(c)に示すようにダイ
シングカット装置の真空チャックステージ(図示せず)
のバキューム吸引によりダイシング治具2およびウェハ
1を固定する。(3) Next, as shown in FIG. 2C, a vacuum chuck stage (not shown) of a dicing cutting device.
The dicing jig 2 and the wafer 1 are fixed by vacuum suction.
【0035】なお、ダイシング治具2のウェハ固定用真
空チャック穴としての貫通孔2bの位置および個数は、
ウェハ1がダイシングカット時にずれることなく固定さ
れればよく、その条件を満たせばどこに形成してもよ
い。The position and number of the through holes 2b as the wafer chucking vacuum chuck holes of the dicing jig 2 are as follows.
It suffices that the wafer 1 be fixed without shifting during dicing cutting, and it may be formed anywhere as long as the conditions are satisfied.
【0036】また、ダイシング治具2の外周縁部に設け
たOリング2cおよびエアー吹出し口2eはダイシング
カット時に用いられる研削水の侵入を防止するためのも
のであるが、研削水が侵入しなければ、Oリング2cま
たはエアー吹き出し(吹き出しは他のガスでもよい)の
いずれかであってもよいが、望ましくは両方備えるのが
好ましい。Further, the O-ring 2c and the air outlet 2e provided on the outer peripheral edge of the dicing jig 2 are for preventing the entry of grinding water used during dicing cutting, but the grinding water must enter. For example, either the O-ring 2c or the air blow (the blow may be another gas) may be used, but it is preferable to provide both of them.
【0037】そして、ウェハ1およびダイシング治具2
の固定後にダイシングカット1bを行うが、このダイシ
ングカット1bの切り込み深さは極力深くして(ウェハ
1の半分以上の切り込み深さが望ましい)、後のチップ
分割を容易にする。Then, the wafer 1 and the dicing jig 2
The dicing cut 1b is performed after the fixing of No. 1, but the cutting depth of the dicing cut 1b is made as deep as possible (a cutting depth of half or more of the wafer 1 is desirable) to facilitate the subsequent chip division.
【0038】(4)次に、図2(d)に示すようにダイ
シングカット装置のバキューム吸収を停止し、切り込み
を入れて強度的に弱くなっているウェハ1をダイシング
カット装置から外すためにダイシングカット用粘着シー
ト3で貼り付ける。(4) Next, as shown in FIG. 2D, dicing is performed in order to stop the vacuum absorption of the dicing and cutting device and make a notch to remove the weakened wafer 1 from the dicing and cutting device. Stick with the adhesive sheet 3 for cutting.
【0039】(5)図2(e)に示すようにダイシング
治具2からウェハ1を外した後、図2(f)に示すよう
にチップ分割する。(5) After removing the wafer 1 from the dicing jig 2 as shown in FIG. 2 (e), it is divided into chips as shown in FIG. 2 (f).
【0040】このチップ分割の方法としては例えば、エ
キスパンディングによる方法やヒートショックを与えた
り、もしくは、図2(d)に示したような状態でローラ
ー等をウェハ1上に転がしたりして振動によって分割す
るか、レーザ光の照射によりカットするなどの方法があ
る。As the method of dividing the chip, for example, a method by expanding, applying a heat shock, or rolling a roller or the like on the wafer 1 in a state as shown in FIG. There are methods such as dividing or cutting by irradiation with laser light.
【0041】(第2の実施例)図2に示した第1の実施
例では、ダイシングカット時フルカットしないために、
ダイシングカット後にチップ分割を行う工程が必要とな
る。(Second Embodiment) In the first embodiment shown in FIG. 2, since full cutting is not performed during dicing,
A step of dividing the chip after dicing and cutting is required.
【0042】次に、フルカットによりこのチップ分割工
程を削除する例について述べる。Next, an example in which this chip dividing step is eliminated by full cutting will be described.
【0043】この場合に使用するダイシング治具2Aは
図3、4に示すように、図1からOリング2c、エアー
導入孔2d及びエアー吹出し口2eを削除し、貫通孔2
dを凹部2aの直下に形成してある。As shown in FIGS. 3 and 4, the dicing jig 2A used in this case has the through-hole 2 with the O-ring 2c, the air introduction hole 2d and the air outlet 2e removed from FIG.
d is formed immediately below the recess 2a.
【0044】ダイシング治具2Aの材料は微細機械加工
が容易にできるセラミックス製マコールでも、KOHな
どのアルカリ性異方性エッチングにより加工できる面方
位(110)や(100)と(110)とを絶縁物など
で接合したシリコンウェハでもよい。The material of the dicing jig 2A is ceramics Macor, which can be easily micromachined, but can be processed by alkaline anisotropic etching such as KOH. The plane orientations (110) and (100) and (110) are made of an insulating material. It may be a silicon wafer bonded by, for example.
【0045】次に、第2の実施例によるダイシングカッ
トの工程フローについて図5を参照して説明する。Next, the process flow of the dicing cut according to the second embodiment will be described with reference to FIG.
【0046】(1)先ず、図5(a)に示すように、こ
の実施例では凹部2aの一部に貫通孔2bを設けている
ダイシング治具2Aが用いられる。(1) First, as shown in FIG. 5A, a dicing jig 2A in which a through hole 2b is provided in a part of the recess 2a is used in this embodiment.
【0047】なお、凹部は治具の構造上貫通孔の径が小
さい場合必要となるが、貫通孔のみでもよい。The recess is necessary when the diameter of the through hole is small due to the structure of the jig, but it may be only the through hole.
【0048】(2)次に、図5(b)に示すようにダイ
シング治具2Aの表面に熱硬化性粘着シート4を粘着面
を上側にしてセットした状態で図示しない真空チャック
上に治具2Aを置き、ダイシング治具2Aの貫通孔2b
を通して熱硬化性粘着シート4をバキュームにより凹部
2aに沿って吸い付ける。(2) Next, as shown in FIG. 5 (b), the thermosetting adhesive sheet 4 is set on the surface of the dicing jig 2A with the adhesive surface facing upward, and the jig is placed on a vacuum chuck (not shown). 2A is placed and the through hole 2b of the dicing jig 2A is placed.
The thermosetting adhesive sheet 4 is sucked by vacuum along the concave portion 2a.
【0049】(3)次に、図5(c),(d)に示すよ
うに、ウェハ1を熱硬化性粘着シート4の粘着面に密着
させる。(3) Next, as shown in FIGS. 5C and 5D, the wafer 1 is brought into close contact with the adhesive surface of the thermosetting adhesive sheet 4.
【0050】この場合、例えばウェハパターンと治具パ
ターンを画像認識により合わせてからウェハ1とダイシ
ング治具2Aとを粘着シートを介して密着させる。In this case, for example, the wafer pattern and the jig pattern are aligned by image recognition, and then the wafer 1 and the dicing jig 2A are brought into close contact with each other via an adhesive sheet.
【0051】(4)次に、図5(e)に示すように、ウ
ェハ1の裏面側より、図示しないダイシングカット装置
の刃が熱硬化性粘着シート4に達するまでウェハ1に対
してチップ毎にフルカット1cを行う。(4) Next, as shown in FIG. 5E, from the back side of the wafer 1 until the blade of the dicing cutting device (not shown) reaches the thermosetting adhesive sheet 4, the wafer 1 is chip by chip. Perform a full cut 1c.
【0052】その後、加熱により熱硬化性粘着シート4
の粘着力を低下させ、再度ウェハ裏面に紫外線硬化性粘
着シート(図示せず)を貼って、通常のエキスパンディ
ングにより図5(f)に示すようにチップ毎の間隔を広
げる。After that, the thermosetting adhesive sheet 4 is heated.
Then, an ultraviolet-curable adhesive sheet (not shown) is attached to the back surface of the wafer again, and the interval between chips is widened by ordinary expanding as shown in FIG. 5 (f).
【0053】この場合、ウェハ裏面に紫外線硬化性粘着
シートを貼り付けてから、加熱により熱硬化性粘着シー
ト4の粘着力を低下させるようにしてもよい。In this case, the adhesive force of the thermosetting adhesive sheet 4 may be reduced by heating after attaching the ultraviolet curable adhesive sheet to the back surface of the wafer.
【0054】(第3の実施例)これまでの実施例ではダ
イシング治具を使用してのダイシングカットを行う方法
であったが、図6に示す第3の実施例では治具を使用せ
ずにダイシングカットする方法である。(Third Embodiment) Although the dicing jig is used for the dicing cut in the above embodiments, the jig is not used in the third embodiment shown in FIG. It is a method of cutting by dicing.
【0055】次に、この第3の実施例によるダイシング
カットの工程フローについて図6を参照して説明する。Next, the process flow of the dicing cut according to the third embodiment will be described with reference to FIG.
【0056】(1)先ず、図6(a)に示すように、可
動部を有する半導体センサなどの半導体装置が形成され
たウェハ1のセンサ1aの周辺にそれを取り巻く壁1d
を形成するために接着剤などを例えばスクリーン印刷法
により印刷する。(1) First, as shown in FIG. 6 (a), a wall 1d surrounding a sensor 1a of a wafer 1 on which a semiconductor device such as a semiconductor sensor having a movable portion is formed.
An adhesive or the like is printed by, for example, a screen printing method to form the.
【0057】この際、後の工程で貼り付ける粘着シート
5がダイシングカット時にセンサ1aに触れないように
フィラーなど入れるなどしてできるだけ接着剤の高さを
高くし、また、センサ1aと接着剤との距離をできるだ
け近づける。At this time, the height of the adhesive is increased as much as possible by inserting a filler or the like so that the pressure-sensitive adhesive sheet 5 to be attached in a later step does not touch the sensor 1a at the time of dicing cutting, and the sensor 1a and the adhesive are combined. As close as possible.
【0058】その後、オーブンなどを用いて加熱するこ
とにより接着剤を硬化させて壁1dを形成する。After that, the adhesive is hardened by heating with an oven or the like to form the wall 1d.
【0059】(2)次に、図6(b)に示すようにウェ
ハ1をウェハマウンタ真空チャック6に乗せて固定す
る。(2) Next, as shown in FIG. 6B, the wafer 1 is mounted on the wafer mounter vacuum chuck 6 and fixed.
【0060】(3)次に図6(c)に示すようにウェハ
1の表面側において接着剤の印刷により形成された壁1
d上に粘着シート5を貼り付ける。(3) Next, as shown in FIG. 6C, the wall 1 formed by printing an adhesive on the front surface side of the wafer 1.
Stick the adhesive sheet 5 on d.
【0061】(4)続いて、図6(d)に示すようにダ
イシングカット装置ステージの真空チャック7上に、粘
着シート5を貼り付けたウェハ1を接着剤が印刷されて
壁1dが形成された面を真空チャック7側に乗せて固定
する。(4) Subsequently, as shown in FIG. 6D, the wafer 1 having the adhesive sheet 5 attached thereto is printed with an adhesive to form the wall 1d on the vacuum chuck 7 of the stage of the dicing cutting device. The fixed surface is placed on the vacuum chuck 7 side and fixed.
【0062】(5)次に、図6(e)に示すようにウェ
ハ1の裏面よりダイシングカット1bを行う。(5) Next, as shown in FIG. 6E, a dicing cut 1b is performed from the back surface of the wafer 1.
【0063】このときのウェハの切り込み深さはできる
だけ深くする(切り込み深さはウェハの厚みの半分以上
とする)。At this time, the depth of cut of the wafer is made as deep as possible (the depth of cut is not less than half the thickness of the wafer).
【0064】(6)次に、図6(f)に示すように、ウ
ェハ1を真空チャック7から外し、その後のチップ分割
は第1の実施例で述べた方法と同様に行う。(6) Next, as shown in FIG. 6F, the wafer 1 is removed from the vacuum chuck 7, and the subsequent chip division is performed in the same manner as the method described in the first embodiment.
【0065】なお、第1の実施例において、ウェハ載置
兼封止用のパッキングとなるOリング1cの代わりに変
形しやすいシリコンゴムを用いるようにしてもよい。In the first embodiment, the easily deformable silicon rubber may be used in place of the O-ring 1c which serves as packing for mounting and sealing the wafer.
【0066】また、第2の実施例において、ウェハ裏面
に貼り付ける紫外線硬化性粘着シートの代わりに、熱硬
化性粘着シート4よりも耐熱性の高い熱硬化性粘着シー
トを用いるようにしてもよい。In the second embodiment, a thermosetting adhesive sheet having higher heat resistance than the thermosetting adhesive sheet 4 may be used instead of the ultraviolet curable adhesive sheet attached to the back surface of the wafer. .
【0067】また、第2の実施例において、熱硬化性粘
着シート4とダイシング治具2Aとの接合はダイシング
治具2Aの貫通孔2bからのバキューム吸引によるが、
この際、バキュームの吸引力に応じ、貫通孔2bの径の
大きさ、位置、数を決めるものとすると共に、熱硬化性
粘着シート4が凹部2aに沿って撓むようになれば、貫
通孔2bは必ずしも凹部2a内に設けなくてもよい。In the second embodiment, the thermosetting adhesive sheet 4 and the dicing jig 2A are joined by vacuum suction from the through hole 2b of the dicing jig 2A.
At this time, the size, position, and number of diameters of the through holes 2b are determined according to the suction force of the vacuum, and if the thermosetting adhesive sheet 4 bends along the recesses 2a, the through holes 2b are It does not necessarily have to be provided in the recess 2a.
【0068】[0068]
【発明の効果】従って、以上詳述したように本発明によ
れば、半導体装置内の機能素子が有するトランジスタ型
加速度センサの可動ゲートや圧力センサのダイアフラム
のような可動部またはエアーブリッジ配線構造のような
突起物を、ダイシングカット時にレジストなどの液体を
使用することなく保護してダイシングカットすることに
より、高歩留りでチップ分割をすることができるように
した半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング
治具を提供することが可能となる。Therefore, as described in detail above, according to the present invention, a movable part such as a movable gate of a transistor type acceleration sensor or a diaphragm of a pressure sensor or an air bridge wiring structure which a functional element in a semiconductor device has. A method of manufacturing a semiconductor device and a dicing treatment used for the same, which protects such a protrusion without using a liquid such as a resist at the time of dicing and dicing and cutting it so that the chip can be divided at a high yield. It becomes possible to provide a tool.
【図1】第1の実施例に用いるダイシング治具と半導体
ウェハとの対応関係をそれぞれ半分に切欠いて示す図。FIG. 1 is a view showing a corresponding relationship between a dicing jig and a semiconductor wafer used in a first embodiment, each of which is cut in half.
【図2】第1の実施例によるダイシングの工程フローを
示す図。FIG. 2 is a diagram showing a process flow of dicing according to the first embodiment.
【図3】第2の実施例に用いるダイシング治具と半導体
ウェハとの対応関係をそれぞれ半分に切欠いて示す図。FIG. 3 is a view showing a correspondence relationship between a dicing jig and a semiconductor wafer used in the second embodiment, each of which is cut in half.
【図4】第2の実施例に用いるダイシング治具の断面
図。FIG. 4 is a cross-sectional view of a dicing jig used in the second embodiment.
【図5】第2の実施例によるダイシングの工程フローを
示す図。FIG. 5 is a diagram showing a process flow of dicing according to the second embodiment.
【図6】第3の実施例によるダイシングの工程フローを
示す図。FIG. 6 is a diagram showing a process flow of dicing according to a third embodiment.
1…可動部または突起部付き半導体ウェハ、1a…セン
サ(可動部または突起部)、2…ダイシング治具、2a
…可動部または突起部保護用凹部、2b…ウェハ固定用
真空チャック貫通孔、2c…Oリング、2d…エアー導
入孔、2e…エアー吹出し口(Oリング挿入用溝)、3
…粘着シート。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor wafer with movable part or protrusion part, 1a ... Sensor (movable part or protrusion part), 2 ... Dicing jig, 2a
... Movable part or protrusion protection concave part, 2b ... Vacuum chuck through hole for fixing wafer, 2c ... O-ring, 2d ... Air introduction hole, 2e ... Air outlet (O-ring insertion groove), 3
… Adhesive sheet.
Claims (7)
を有する機能素子を備える半導体装置の製造方法におい
て、 前記可動部または突起部と対向する領域に凹部及び該凹
部の形成領域内または領域外に真空チャック用の貫通孔
が形成されたダイシング治具を用いて半導体ウェハをダ
イシングカットすることを特徴とする半導体装置の製造
方法。1. A method of manufacturing a semiconductor device comprising a functional element having a movable portion or a protrusion on the surface of a semiconductor substrate, comprising: a concave portion in a region facing the movable portion or the protrusion and inside or outside the region where the concave portion is formed. A method of manufacturing a semiconductor device, which comprises dicing and cutting a semiconductor wafer using a dicing jig having a through hole for a vacuum chuck formed therein.
属、セラミックスなどの材料からなる治具あるいは面方
位(110)のシリコンウェハや、(100)と(11
0)とを絶縁体などを介して接合したシリコンウェハを
用いる請求項1記載の半導体装置の製造方法。2. A jig made of a highly rigid material such as metal or ceramics as the dicing jig, or a silicon wafer having a plane orientation (110), or (100) and (11).
2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a silicon wafer obtained by bonding (0) and (0) via an insulator or the like is used.
を有する機能素子が形成された半導体ウェハを前記ダイ
シング治具に搭載する工程と、 ダイシングカット装置のステージからの真空引きにより
前記ダイシング治具内に形成された貫通孔を介して前記
半導体ウェハを吸引し、前記半導体ウェハと前記ダイシ
ング治具とを固定する工程と、 前記ダイシングカット装置により、前記半導体ウェハ裏
面から表面方向に前記半導体ウェハの厚み半分以上切り
込む工程と、 前記半導体ウェハ裏面に粘着シートを貼り付ける工程
と、 前記粘着シートを貼り付ける工程の後、前記半導体ウェ
ハの切り込みが広がる方向に前記粘着シートに引張力を
与えるか、または、熱あるいは振動による衝撃を与えて
チップ状に分割する工程とを含む請求項1記載の半導体
装置の製造方法。3. A step of mounting a semiconductor wafer having a functional element having a movable portion or a protrusion on a surface of a semiconductor substrate on the dicing jig, and the dicing jig by vacuuming from a stage of a dicing cut device. A step of sucking the semiconductor wafer through a through-hole formed in the semiconductor wafer and fixing the semiconductor wafer and the dicing jig, and the dicing cutting device from the back surface of the semiconductor wafer to the front surface direction of the semiconductor wafer. A step of cutting more than half the thickness, a step of attaching an adhesive sheet to the back surface of the semiconductor wafer, and a step of applying a tensile force to the adhesive sheet in a direction in which the cut of the semiconductor wafer spreads after the step of attaching the adhesive sheet, or And a step of giving a shock by heat or vibration to divide into chips. Method of manufacturing a conductor arrangement.
前記ダイシング治具の表面に第1の粘着シートを貼り付
ける工程と、 ダイシングカット装置のステージからの真空引きにより
前記ダイシング治具内に形成された貫通孔を介して前記
第1の粘着シートを前記凹部に沿って吸引する工程と、 前記第1の粘着シート上に、表面に可動部または突起部
を有する半導体ウェハを貼り付ける工程と、 前記貼り付ける工程の後、前記半導体ウェハを裏面より
表面方向へフルカットでチップ毎にダイシングカットす
る工程と、 前記ダイシング工程の後、前記半導体ウェハ裏面に第2
の粘着シートを貼り付ける工程と、 前記第2の粘着シートの貼り付け後、前記第1の粘着シ
ートの粘着力を低下させてから、前記第1の粘着シート
から前記半導体ウェハを剥し、前記半導体ウェハが貼り
付けられた前記第2の粘着シートに引張力を与えて前記
チップ毎の間隔を広げる工程とを含む請求項1記載の半
導体装置の製造方法。4. A step of attaching a first adhesive sheet to a surface of the dicing jig having the through hole formed immediately below the recess, and a step of vacuuming from a stage of a dicing cut device to form a dicing jig inside the dicing jig. A step of sucking the first adhesive sheet along the concave portion through the formed through-hole, and a step of attaching a semiconductor wafer having a movable portion or a protrusion portion on the surface on the first adhesive sheet, After the attaching step, a step of dicing and cutting the semiconductor wafer from the back surface to a front surface in a full cut for each chip, and a second step on the back surface of the semiconductor wafer after the dicing step.
The step of attaching the adhesive sheet, and after attaching the second adhesive sheet, reducing the adhesive force of the first adhesive sheet, peeling the semiconductor wafer from the first adhesive sheet, 2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of applying a tensile force to the second adhesive sheet to which the wafer is attached so as to widen the intervals between the chips.
を有する機能素子を備える半導体装置の製造方法におい
て、 前記半導体装置可動部または突起部の周辺を取り囲むよ
うに接着剤などの印刷できる材料で半導体ウェハ表面に
壁を形成する工程と、 前記半導体ウェハ表面に形成された壁上に粘着シートを
貼る工程と、 前記粘着シートを貼る工程の後、前記半導体ウェハの裏
面より表面方向に前記半導体ウェハの厚みの半分以上切
り込む工程と、 前記粘着シートを前記半導体ウェハの切り込みが広がる
方向に引張力または、熱や振動による衝撃を与えてチッ
プ状に分割する工程とを含む半導体装置の製造方法。5. A method of manufacturing a semiconductor device comprising a functional element having a movable portion or a protrusion on a surface of a semiconductor substrate, wherein a printable material such as an adhesive surrounds the periphery of the movable portion or the protrusion of the semiconductor device. The step of forming a wall on the surface of the semiconductor wafer, the step of sticking an adhesive sheet on the wall formed on the surface of the semiconductor wafer, and the step of sticking the adhesive sheet, and then the semiconductor wafer in the surface direction from the back surface of the semiconductor wafer And a step of dividing the pressure-sensitive adhesive sheet into chips by applying a tensile force or an impact of heat or vibration in the direction in which the cut of the semiconductor wafer spreads.
子の可動部または突起部と対向する部分に形成されるも
ので、前記可動部または前記突起部を保護する凹部と、
該凹部の形成領域内または領域外に形成されるもので、
ダイシング装置の真空チャックステージからのバキュー
ム吸引により前記半導体ウェハを固定する貫通孔とを有
することを特徴とするダイシング治具。6. A concave portion for protecting the movable portion or the protrusion, which is formed in a portion of the functional element formed on the surface of the semiconductor wafer, the portion facing the movable portion or the protrusion.
Formed inside or outside the region where the recess is formed,
A dicing jig having a through hole for fixing the semiconductor wafer by vacuum suction from a vacuum chuck stage of a dicing device.
る溝と、 前記溝の底面から上方にガスを吹き出す構造を有するこ
とを特徴とする請求項6記載のダイシング治具。7. The dicing jig according to claim 6, further comprising: a groove into which packing is inserted in a peripheral portion of the jig, and a structure for blowing gas upward from a bottom surface of the groove.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5145895A JP3463398B2 (en) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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JPH08250454A true JPH08250454A (en) | 1996-09-27 |
JP3463398B2 JP3463398B2 (en) | 2003-11-05 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5145895A Expired - Lifetime JP3463398B2 (en) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | Method for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
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|
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