JPH0730362A - Surface acoustic wave device - Google Patents
Surface acoustic wave deviceInfo
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- JPH0730362A JPH0730362A JP5173175A JP17317593A JPH0730362A JP H0730362 A JPH0730362 A JP H0730362A JP 5173175 A JP5173175 A JP 5173175A JP 17317593 A JP17317593 A JP 17317593A JP H0730362 A JPH0730362 A JP H0730362A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、弾性表面波装置に関
するもので、特に小型化可能な弾性表面波装置を提供す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly to a surface acoustic wave device which can be miniaturized.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、弾性表面波装置の表面を保護する
ことを目的として、あるいは温度特性を抑えることを目
的として絶縁体膜を基板表面に形成する方法が用いられ
ている。この種の弾性表面波装置の従来例の構成を図４
を参照しながら説明する。図４は弾性表面波を伝播する
基板の圧電体上にトランスデューサを設け、表面に絶縁
膜を設けたものである。これは例えば１９７７年９月２
２日発行の電子通信学会技術研究報告［超音波］ｖｏｌ
７７．ＮＯ１２５中のｕｓ７７−４３中で示されてい
る。また、更に１９９２年９月２２日発行の電子通信学
会技術研究報告［超音波］ｖｏｌ９２，ＮＯ２３２中の
ｕｓ９２−５６中で詳しく説明されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a method of forming an insulating film on the surface of a substrate has been used for the purpose of protecting the surface of a surface acoustic wave device or suppressing temperature characteristics. FIG. 4 shows the configuration of a conventional example of this type of surface acoustic wave device.
Will be described with reference to. In FIG. 4, a transducer is provided on a piezoelectric body of a substrate that propagates surface acoustic waves, and an insulating film is provided on the surface. This is, for example, September 2, 1977
Technical Report of the Institute of Electronics and Communication Engineers issued on 2nd [Ultrasound] vol
77. Shown in us77-43 in NO125. Further, it is described in detail in the technical report of the Institute of Electronics and Communication Engineers [Ultrasonic] vol92, US92-56 in NO232, published on September 22, 1992.
【０００３】図４において、従来の弾性表面波装置では
弾性表面波を伝播する基板１に金属膜により形成された
パターン２を形成し、更にパターン２ａ上に絶縁体膜３
を形成している。In FIG. 4, in the conventional surface acoustic wave device, a pattern 2 formed of a metal film is formed on a substrate 1 which propagates surface acoustic waves, and an insulating film 3 is formed on the pattern 2a.
Is formed.
【０００４】次に上述した従来例の動作を説明する。金
属膜により形成されたパターン２を、例えば図５のよう
に形成する。入力端子４に供給された入力信号の電力
は、入力トランスデューサ６により弾性表面波に変換さ
れる。変換された弾性表面波は、弾性表面波を伝播する
圧電体基板１上を伝播し、出力トランスデューサ７によ
り、出力信号の電力に変換されて出力端子５より出力さ
れる。Next, the operation of the above-mentioned conventional example will be described. The pattern 2 formed of the metal film is formed as shown in FIG. 5, for example. The power of the input signal supplied to the input terminal 4 is converted into a surface acoustic wave by the input transducer 6. The converted surface acoustic wave propagates on the piezoelectric substrate 1 that propagates the surface acoustic wave, is converted into electric power of an output signal by the output transducer 7, and is output from the output terminal 5.
【０００５】一般に、圧電体基板１は、温度により弾性
表面波を伝播する性質を変える温度特性を有する為、温
度に安定したデバイス製作に利用するのが難しい。In general, the piezoelectric substrate 1 has a temperature characteristic that changes the property of propagating surface acoustic waves depending on the temperature, so that it is difficult to use it for manufacturing a device stable in temperature.
【０００６】従来は、図４のように上気圧電体基板１上
に金属膜により形成されたパターン２ａを形成し、更に
絶縁体膜３のＳｉＯ2 膜を形成している。このＳｉＯ2
膜は、圧電体膜と逆の温度特性を持つために温度変化を
抑えることを目的として使用されている。Conventionally, as shown in FIG. 4, a pattern 2a made of a metal film is formed on an upper piezoelectric substrate 1, and a SiO 2 film of an insulator film 3 is further formed. This SiO 2
Since the film has a temperature characteristic opposite to that of the piezoelectric film, it is used for the purpose of suppressing temperature change.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
弾性表面波装置では、温度特性を抑えるために絶縁体膜
を用いるのみで構造的な改良を加えるためのものではな
かった。また、弾性表面波装置の小型化に伴いパターン
の小型化が必要とされてきたが、実装上の問題により平
面的なパターンでは入出力端子やＧＮＤなどから入出力
トランスデューサへ導通をとるための金属パターンの形
状サイズなどに限界があった。However, in the conventional surface acoustic wave device, only the insulating film is used to suppress the temperature characteristics, and the structure is not improved. Further, as the surface acoustic wave device has been downsized, it has been necessary to downsize the pattern. However, due to mounting problems, a planar pattern is used to connect the input / output terminals and GND to the input / output transducer with a metal. There was a limit to the size of the pattern shape.
【０００８】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、平面的にしかできなかった入
出力端子やＧＮＤから入出力トランスデューサに導通を
とるに致るまでの金属パターン形状などを立体化するこ
とにより、小型で実装方法が簡単な弾性表面波装置を提
供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and is a metal pattern until an input / output transducer can be electrically connected from an input / output terminal or GND which can be formed only in a plane. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device that is small in size and easy to mount by making the shape and the like three-dimensional.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項１の弾性表面波装
置は、弾性表面波を伝播する圧電体基板の表面上に金属
膜よりなるパターンを形成し、該パターン上に絶縁体を
形成した弾性表面波装置において、動作時に電位差を生
じる前記パターン間に、前記絶縁体を挟む構成としたこ
とを特徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a surface acoustic wave device, wherein a pattern made of a metal film is formed on a surface of a piezoelectric substrate which propagates a surface acoustic wave, and an insulator is formed on the pattern. In the surface acoustic wave device, the insulator is sandwiched between the patterns that generate a potential difference during operation.
【００１０】請求項２の弾性表面波装置は、請求項１記
載の弾性表面波装置において、動作時に等電位となるパ
ターンを、金属膜よりなる他のパターンで導通させたこ
とを特徴とする。A surface acoustic wave device according to a second aspect of the present invention is the surface acoustic wave device according to the first aspect, wherein a pattern having an equipotential during operation is made conductive by another pattern made of a metal film.
【００１１】[0011]
【作用】請求項１の弾性表面波装置は、動作時に電位差
を生じるパターン間に絶縁体を挟むので、交差させても
ショートすることがなく、これにより複雑な配線を可能
にする。In the surface acoustic wave device according to the first aspect of the present invention, since the insulator is sandwiched between the patterns that generate a potential difference during operation, short-circuiting does not occur even when they intersect, thereby enabling complicated wiring.
【００１２】請求項２の弾性表面波装置は、従来では行
えなかった配線を狭い場所を活用して行うことができ、
パターンの数を最小限に減らせるため、装置の小型化が
実現できる。According to the surface acoustic wave device of the second aspect, it is possible to perform wiring, which could not be performed conventionally, by utilizing a narrow space.
Since the number of patterns can be reduced to the minimum, miniaturization of the device can be realized.
【００１３】[0013]
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例１を図に
ついて説明する。図１は、弾性表面波を伝播する圧電体
基板１の金属膜により形成されたパターン２ａ上に絶縁
体３を挟んで金属膜により形成されたパターン２ｂを形
成した弾性表面波装置の断面図である。金属膜により形
成されたパターン２ａとパターン２ｂ間には弾性表面波
装置動作時に電位差が生じる。EXAMPLES Example 1. Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device in which a pattern 2b formed of a metal film is formed on a pattern 2a formed of the metal film of a piezoelectric substrate 1 for propagating a surface acoustic wave with an insulator 3 interposed therebetween. is there. A potential difference occurs between the pattern 2a and the pattern 2b formed of the metal film when the surface acoustic wave device operates.
【００１４】上記の構成により、本実施例の図１の弾性
表面波装置は動作時に電位差の生じる金属膜により形成
された２つのパターン２ａ，２ｂを十分な厚みをもった
絶縁体を間に挟んで交差させるため、ショートすること
なく、交差させることが可能となる。これによりより複
雑な配線を可能とし、また逆に平面的であるため、複雑
になったパターンを簡略化できる。With the above structure, the surface acoustic wave device of this embodiment shown in FIG. 1 sandwiches two patterns 2a and 2b formed of a metal film having a potential difference during operation between insulators having a sufficient thickness. Since it intersects at, it is possible to intersect without short-circuiting. This enables more complicated wiring and, conversely, since it is planar, the complicated pattern can be simplified.
【００１５】実施例２．なお、上記実施例では金属膜に
より形成されたパターン２ａを同じくパターン２ｂと絶
縁することを目的として形成しているが、この方法を応
用し、図２のように動作時に電位差の異なる金属膜によ
り形成されたパターン２ｂを挟んで等電位にしたい同じ
くパターン２ａを金属膜により形成されたパターン２ｃ
をもって接続してもよい。Example 2. Although the pattern 2a formed of the metal film is formed for the purpose of insulating the same from the pattern 2b in the above-mentioned embodiment, this method is applied and the pattern 2a formed by the metal film having a different potential difference during operation is used as shown in FIG. It is desired to make the formed pattern 2b sandwiched and to have an equal potential. Similarly, the pattern 2a is formed by a pattern 2c formed of a metal film.
You may connect with.
【００１６】なお、図１と図２では金属膜により形成さ
れたパターンと絶縁膜により形成されたパターンが３層
までであったが、３層までという必要性はなく図３のよ
うに何層でも重ねることは可能である。In FIGS. 1 and 2, the pattern formed by the metal film and the pattern formed by the insulating film are up to three layers, but it is not necessary to be up to three layers, and as shown in FIG. But it is possible to stack them.
【００１７】実施例３．また、図１、図２、図３は弾性
表面波装置の一部の断面図であったが、これを実際のパ
ターンで利用した例が図６と図７である。Embodiment 3. Further, FIGS. 1, 2 and 3 are partial cross-sectional views of the surface acoustic wave device, but FIGS. 6 and 7 show examples in which this is used in an actual pattern.
【００１８】図６では、複数の入力トランスデューサと
出力トランスデューサを組み合わせた場合の配線をパタ
ーンの上面から見た図である。従来では各々のトランス
デューサ毎に、入出力信号またはＧＮＤの一方を外部か
ら与えるためのパターンが必要であり、図のような配置
の場合７箇所必要であった。それに対し、図６では入力
信号、出力信号、ＧＮＤを各々１〜２箇所取ればよく、
４箇所ですむことになる。FIG. 6 is a view of the wiring when a plurality of input transducers and output transducers are combined, as seen from the top surface of the pattern. Conventionally, a pattern for externally applying one of an input / output signal or GND is required for each transducer, and seven locations are required in the case of the arrangement shown in the figure. On the other hand, in FIG. 6, the input signal, the output signal, and the GND may be taken in one or two places,
You only need 4 places.
【００１９】また、図７はトランスデューサとグレーテ
ィング反射器を組み合わせた場合の配線をパターンの上
面から見た図である。従来では、入出力信号やＧＮＤの
一方を外部から与えるためのパターンが８箇所に必要で
あったが、図７の場合３箇所まで減らすことができる。FIG. 7 is a view of the wiring in the case where the transducer and the grating reflector are combined, viewed from the upper surface of the pattern. Conventionally, a pattern for externally applying one of an input / output signal and GND was required at eight locations, but in the case of FIG. 7, it can be reduced to three locations.
【００２０】[0020]
【発明の効果】請求項１の弾性表面波装置は、弾性表面
波を伝播する圧電体基板の表面上に金属膜よりなるパタ
ーンを形成し、該パターン上に絶縁体を形成した弾性表
面波装置において、動作時に電位差を生じる前記パター
ン間に、前記絶縁体を挟む構成としたので、動作時に電
位差を生じるパターン間に絶縁体を挟むので、交差させ
てもショートすることがなく、これにより複雑な配線を
可能にする。According to the surface acoustic wave device of the first aspect of the present invention, a surface acoustic wave device has a pattern of a metal film formed on the surface of a piezoelectric substrate that propagates surface acoustic waves, and an insulator is formed on the pattern. In the above, since the insulator is sandwiched between the patterns that generate a potential difference during operation, the insulator is sandwiched between the patterns that generate a potential difference during operation, so that there is no short circuit even if they intersect, which results in a complicated structure. Enable wiring.
【００２１】請求項２の弾性表面波装置は、請求項１記
載の弾性表面波装置において、動作時に等電位となるパ
ターンを、金属膜よりなる他のパターンで導通させる構
成にしたので、従来では行えなかった配線を狭い場所を
活用して行うことができ、パターンの数を最小限に減ら
せるため、装置の小型化が実現できる。A surface acoustic wave device according to a second aspect of the present invention is the surface acoustic wave device according to the first aspect, in which a pattern having an equipotential during operation is made conductive by another pattern made of a metal film. Wiring that could not be performed can be performed in a narrow space, and the number of patterns can be reduced to the minimum, so that the device can be downsized.
【図１】この発明の実施例１のよる弾性表面波装置の構
成における部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view of the structure of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の実施例２のよる弾性表面波装置の構
成における部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the configuration of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
【図３】この発明の実施例２のよる弾性表面波装置の構
成における部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the configuration of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
【図４】従来の弾性表面波装置の部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a conventional surface acoustic wave device.
【図５】従来の弾性表面波装置の部分平面図である。FIG. 5 is a partial plan view of a conventional surface acoustic wave device.
【図６】この発明の実施例３のよる弾性表面波装置の平
面図である。FIG. 6 is a plan view of a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
【図７】この発明の実施例３のよる弾性表面波装置の構
成の平面図である。FIG. 7 is a plan view of the configuration of the surface acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention.
１ 弾性表面波を伝播する基板 ２ａ 金属膜により形成されたパターン ２ｂ 金属膜により形成されたパターン ２ｃ 金属膜により形成されたパターン ２ｄ 金属膜により形成されたパターン ２ｅ 金属膜により形成されたパターン ３ 絶縁体 ３ａ 絶縁体 ３ｂ 絶縁体 ４ 入力端子 ５ 出力端子 ６ 入力トランスデューサ ７ 出力トランスデューサ ８ グレーティング反射器 1 Substrate Propagating Surface Acoustic Wave 2a Pattern formed by a metal film 2b Pattern formed by a metal film 2c Pattern formed by a metal film 2d Pattern formed by a metal film 2e Pattern formed by a metal film 3 Insulation Body 3a Insulator 3b Insulator 4 Input terminal 5 Output terminal 6 Input transducer 7 Output transducer 8 Grating reflector
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成６年１０月１２日[Submission date] October 12, 1994
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【書類名】 明細書[Document name] Statement
【発明の名称】 弾性表面波装置Title: Surface acoustic wave device
【特許請求の範囲】[Claims]
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、弾性表面波装置に関
するもので、特に小型化可能な弾性表面波装置を提供す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly to a surface acoustic wave device which can be miniaturized.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、弾性表面波装置の表面を保護する
ことを目的として、あるいは温度特性を抑えることを目
的として絶縁体膜を基板表面に形成する方法が用いられ
ている。この種の弾性表面波装置の従来例の構成を図４
を参照しながら説明する。図４は弾性表面波を伝播する
基板の圧電体上にトランスデューサを設け、表面に絶縁
膜を設けたものである。これは例えば１９７７年９月２
２日発行の電子通信学会技術研究報告［超音波］ｖｏｌ
７７．ＮＯ１２５中のｕｓ７７−４３中で示されてい
る。また、更に１９９２年９月２２日発行の電子通信学
会技術研究報告［超音波］ｖｏｌ９２，ＮＯ２３２中の
ｕｓ９２−５６中で詳しく説明されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a method of forming an insulating film on the surface of a substrate has been used for the purpose of protecting the surface of a surface acoustic wave device or suppressing temperature characteristics. FIG. 4 shows the configuration of a conventional example of this type of surface acoustic wave device.
Will be described with reference to. In FIG. 4, a transducer is provided on a piezoelectric body of a substrate that propagates surface acoustic waves, and an insulating film is provided on the surface. This is, for example, September 2, 1977
Technical Report of the Institute of Electronics and Communication Engineers issued on 2nd [Ultrasound] vol
77. Shown in us77-43 in NO125. Further, it is described in detail in the technical report of the Institute of Electronics and Communication Engineers [Ultrasonic] vol92, US92-56 in NO232, published on September 22, 1992.
【０００３】図４において、従来の弾性表面波装置では
弾性表面波を伝播する基板１に金属膜により形成された
パターン２ａを形成し、更にパターン２ａ上に絶縁体膜
３を形成している。In FIG. 4, in a conventional surface acoustic wave device, a pattern 2a formed of a metal film is formed on a substrate 1 which propagates surface acoustic waves, and an insulating film 3 is further formed on the pattern 2a. .
【０００４】次に上述した従来例の動作を説明する。金
属膜により形成されたパターン２を、例えば図５のよう
に形成する。入力端子４に供給された入力信号の電力
は、入力トランスデューサ６により弾性表面波に変換さ
れる。変換された弾性表面波は、弾性表面波を伝播する
圧電体基板１上を伝播し、出力トランスデューサ７によ
り、出力信号の電力に変換されて出力端子５より出力さ
れる。Next, the operation of the above-mentioned conventional example will be described. The pattern 2 formed of the metal film is formed as shown in FIG. 5, for example. The power of the input signal supplied to the input terminal 4 is converted into a surface acoustic wave by the input transducer 6. The converted surface acoustic wave propagates on the piezoelectric substrate 1 that propagates the surface acoustic wave, is converted into electric power of an output signal by the output transducer 7, and is output from the output terminal 5.
【０００５】一般に、圧電体基板１は、温度により弾性
表面波を伝播する性質を変える温度特性を有する為、温
度に安定したデバイス製作に利用するのが難しい。In general, the piezoelectric substrate 1 has a temperature characteristic that changes the property of propagating surface acoustic waves depending on the temperature, so that it is difficult to use it for manufacturing a device stable in temperature.
【０００６】従来は、図４のように上記圧電体基板１上
に金属膜により形成されたパターン２ａを形成し、更に
絶縁体膜３のＳｉＯ2 膜を形成している。このＳｉＯ2
膜は、圧電体膜と逆の温度特性を持つために温度変化を
抑えることを目的として使用されている。Conventionally, a pattern 2a made of a metal film is formed on the piezoelectric substrate 1 as shown in FIG. 4, and a SiO 2 film of an insulator film 3 is further formed. This SiO 2
Since the film has a temperature characteristic opposite to that of the piezoelectric film, it is used for the purpose of suppressing temperature change.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
弾性表面波装置では、温度特性を抑えるために絶縁体膜
を用いるのみで構造的な改良を加えるためのものではな
かった。また、弾性表面波装置の小型化に伴いパターン
の小型化が必要とされてきたが、実装上の問題により平
面的なパターンでは入出力端子やＧＮＤなどから入出力
トランスデューサへ導通をとるための金属パターンの形
状サイズなどに限界があった。However, in the conventional surface acoustic wave device, only the insulating film is used to suppress the temperature characteristics, and the structure is not improved. Further, as the surface acoustic wave device has been downsized, it has been necessary to downsize the pattern. However, due to mounting problems, a planar pattern is used to connect the input / output terminals and GND to the input / output transducer with a metal. There was a limit to the size of the pattern shape.
【０００８】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、平面的にしかできなかった入
出力端子やＧＮＤから入出力トランスデューサに導通を
とるに致るまでの金属パターン形状などを立体化するこ
とにより、小型で実装方法が簡単な弾性表面波装置を提
供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and is a metal pattern until an input / output transducer can be electrically connected from an input / output terminal or GND which can be formed only in a plane. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device that is small in size and easy to mount by making the shape and the like three-dimensional.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項１の弾性表面波装
置は、弾性表面波を伝播する圧電体基板の表面上に金属
膜よりなるパターンを形成し、該パターン上に絶縁体を
形成した弾性表面波装置において、前記絶縁体は、動作
時に電位差を生じる前記パターン間に設けられたもので
ある。 According to another aspect of the present invention, there is provided a surface acoustic wave device, wherein a pattern made of a metal film is formed on a surface of a piezoelectric substrate which propagates a surface acoustic wave, and an insulator is formed on the pattern. In the surface acoustic wave device, the insulator operates
It is provided between the patterns that sometimes cause a potential difference.
is there.
【００１０】請求項２の弾性表面波装置は、請求項１記
載の弾性表面波装置において、動作時に等電位となるパ
ターンを、金属膜よりなる他のパターンで導通させたこ
とを特徴とする。A surface acoustic wave device according to a second aspect of the present invention is the surface acoustic wave device according to the first aspect, wherein a pattern having an equipotential during operation is made conductive by another pattern made of a metal film.
【００１１】請求項３の弾性表面波装置は、パターンに
よりトランスデューサとグレーディング反射器を組み合
わせた配線に導通をとる弾性表面波装置において、動作
時に電位差を生じる前記パターン間に設けられた絶縁体
を備え、動作時に等電位となるパターンを、金属膜より
なる他のパターンで導通させたものである。 The surface acoustic wave device according to claim 3 has a pattern.
More combined transducer and grading reflector
Operation in a surface acoustic wave device that conducts electricity to the connected wiring
Insulator provided between the patterns that sometimes causes a potential difference
A pattern that is equipotential during operation from the metal film.
The other patterns are electrically connected.
【００１２】[0012]
【作用】請求項１の弾性表面波装置は、動作時に電位差
を生じるパターン間に絶縁体を挟むので、交差させても
ショートすることがなく、これにより複雑な配線を可能
にする。In the surface acoustic wave device according to the first aspect of the present invention, since the insulator is sandwiched between the patterns that generate a potential difference during operation, short-circuiting does not occur even when they intersect, thereby enabling complicated wiring.
【００１３】請求項２の弾性表面波装置は、従来では行
えなかった配線を狭い場所を活用して行うことができ、
パターンの数を最小限に減らせるため、装置の小型化が
実現できる。According to the surface acoustic wave device of the second aspect, it is possible to perform wiring, which has not been conventionally possible, by utilizing a narrow space.
Since the number of patterns can be reduced to the minimum, miniaturization of the device can be realized.
【００１４】請求項３の弾性表面波装置は、入出力信号
やＧＮＤの一方を外部から与えるためのパターンの数を
減らすことができる。 According to another aspect of the surface acoustic wave device of the present invention, an input / output signal is used.
And the number of patterns for giving one of GND from the outside
Can be reduced.
【００１５】[0015]
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例１を図に
ついて説明する。図１は、弾性表面波を伝播する圧電体
基板１の金属膜により形成されたパターン２ａ上に絶縁
体３を挟んで金属膜により形成されたパターン２ｂを形
成した弾性表面波装置の断面図である。金属膜により形
成されたパターン２ａとパターン２ｂ間には弾性表面波
装置動作時に電位差が生じる。EXAMPLES Example 1. Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device in which a pattern 2b formed of a metal film is formed on a pattern 2a formed of the metal film of a piezoelectric substrate 1 for propagating a surface acoustic wave with an insulator 3 interposed therebetween. is there. A potential difference occurs between the pattern 2a and the pattern 2b formed of the metal film when the surface acoustic wave device operates.
【００１６】上記の構成により、本実施例の図１の弾性
表面波装置は動作時に電位差の生じる金属膜により形成
された２つのパターン２ａ，２ｂを十分な厚みをもった
絶縁体を間に挟んで交差させるため、ショートすること
なく、交差させることが可能となる。これによりより複
雑な配線を可能とし、また逆に平面的であるため、複雑
になったパターンを簡略化できる。With the above structure, the surface acoustic wave device of this embodiment shown in FIG. 1 sandwiches two patterns 2a and 2b formed of a metal film having a potential difference during operation with an insulator having a sufficient thickness therebetween. Since it intersects at, it is possible to intersect without short-circuiting. This enables more complicated wiring and, conversely, since it is planar, the complicated pattern can be simplified.
【００１７】実施例２．なお、上記実施例では金属膜に
より形成されたパターン２ａを同じくパターン２ｂと絶
縁することを目的として形成しているが、この方法を応
用し、図２のように動作時に電位差の異なる金属膜によ
り形成されたパターン２ｂを挟んで等電位にしたい同じ
くパターン２ａを金属膜により形成されたパターン２ｃ
をもって接続してもよい。Example 2. Although the pattern 2a formed of the metal film is formed for the purpose of insulating the same from the pattern 2b in the above-mentioned embodiment, this method is applied and the pattern 2a formed by the metal film having a different potential difference during operation is used as shown in FIG. It is desired to make the formed pattern 2b sandwiched and to have an equal potential. Similarly, the pattern 2a is formed by a pattern 2c formed of a metal film.
You may connect with.
【００１８】なお、図１と図２では金属膜により形成さ
れたパターンと絶縁膜により形成されたパターンが３層
までであったが、３層までという必要性はなく図３のよ
うに何層でも重ねることは可能である。In FIGS. 1 and 2, the pattern formed by the metal film and the pattern formed by the insulating film are up to three layers, but it is not necessary to be up to three layers, and as shown in FIG. But it is possible to stack them.
【００１９】実施例３．また、図１、図２、図３は弾性
表面波装置の一部の断面図であったが、これを実際のパ
ターンで利用した例が図６と図７である。Example 3. Further, FIGS. 1, 2 and 3 are partial cross-sectional views of the surface acoustic wave device, but FIGS. 6 and 7 show examples in which this is used in an actual pattern.
【００２０】図６では、複数の入力トランスデューサと
出力トランスデューサを組み合わせた場合の配線をパタ
ーンの上面から見た図である。従来では各々のトランス
デューサ毎に、入出力信号またはＧＮＤの一方を外部か
ら与えるためのパターンが必要であり、図のような配置
の場合７箇所必要であった。それに対し、図６では入力
信号、出力信号、ＧＮＤを各々１〜２箇所取ればよく、
４箇所ですむことになる。FIG. 6 is a view of the wiring when a plurality of input transducers and output transducers are combined, as seen from the top surface of the pattern. Conventionally, a pattern for externally applying one of an input / output signal or GND is required for each transducer, and seven locations are required in the case of the arrangement shown in the figure. On the other hand, in FIG. 6, the input signal, the output signal, and the GND may be taken in one or two places,
You only need 4 places.
【００２１】また、図７はトランスデューサとグレーテ
ィング反射器を組み合わせた場合の配線をパターンの上
面から見た図である。従来では、入出力信号やＧＮＤの
一方を外部から与えるためのパターンが８箇所に必要で
あったが、図７の場合３箇所まで減らすことができる。FIG. 7 is a view of the wiring in the case where the transducer and the grating reflector are combined, viewed from the upper surface of the pattern. Conventionally, a pattern for externally applying one of an input / output signal and GND was required at eight locations, but in the case of FIG. 7, it can be reduced to three locations.
【００２２】[0022]
【発明の効果】請求項１の弾性表面波装置は、弾性表面
波を伝播する圧電体基板の表面上に金属膜よりなるパタ
ーンを形成し、該パターン上に絶縁体を形成した弾性表
面波装置において、前記絶縁体は、動作時に電位差を生
じる前記パターン間に設けられた構成としたので、動作
時に電位差を生じるパターン間に絶縁体を挟むので、交
差させてもショートすることがなく、これにより複雑な
配線を可能にする。According to the surface acoustic wave device of the first aspect of the present invention, a surface acoustic wave device has a pattern of a metal film formed on the surface of a piezoelectric substrate that propagates surface acoustic waves, and an insulator is formed on the pattern. The insulator creates a potential difference during operation.
Since the structure is provided between the patterns , since the insulator is sandwiched between the patterns that generate a potential difference during operation, short-circuiting does not occur even if they intersect, thereby enabling complicated wiring.
【００２３】請求項２の弾性表面波装置は、請求項１記
載の弾性表面波装置において、動作時に等電位となるパ
ターンを、金属膜よりなる他のパターンで導通させる構
成にしたので、従来では行えなかった配線を狭い場所を
活用して行うことができ、パターンの数を最小限に減ら
せるため、装置の小型化が実現できる。A surface acoustic wave device according to a second aspect of the present invention is the surface acoustic wave device according to the first aspect, in which a pattern having an equipotential during operation is made conductive by another pattern made of a metal film. Wiring that could not be performed can be performed in a narrow space, and the number of patterns can be reduced to the minimum, so that the device can be downsized.
【００２４】請求項３の弾性表面波装置は、パターンに
よりトランスデューサとグレーディング反射器を組み合
わせた配線に導通をとる弾性表面波装置において、動作
時に電位差を生じる前記パターン間に設けられた絶縁体
を備え、動作時に等電位となるパターンを、金属膜より
なる他のパターンで導通させた構成にしたので、入出力
信号やＧＮＤの一方を外部から与えるためのパターンの
数を減らすことができる。 The surface acoustic wave device according to claim 3 has a pattern.
More combined transducer and grading reflector
Operation in a surface acoustic wave device that conducts electricity to the connected wiring
Insulator provided between the patterns that sometimes causes a potential difference
A pattern that is equipotential during operation from the metal film.
Since it is configured to be conductive with another pattern,
Of a pattern for externally applying one of signal and GND
The number can be reduced.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】この発明の実施例１のよる弾性表面波装置の構
成における部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view of the structure of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の実施例２のよる弾性表面波装置の構
成における部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the configuration of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
【図３】この発明の実施例２のよる弾性表面波装置の構
成における部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the configuration of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
【図４】従来の弾性表面波装置の部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a conventional surface acoustic wave device.
【図５】従来の弾性表面波装置の部分平面図である。FIG. 5 is a partial plan view of a conventional surface acoustic wave device.
【図６】この発明の実施例３のよる弾性表面波装置の平
面図である。FIG. 6 is a plan view of a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
【図７】この発明の実施例３のよる弾性表面波装置の構
成の平面図である。FIG. 7 is a plan view of the configuration of the surface acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention.
【符号の説明】 １ 弾性表面波を伝播する基板 ２ａ 金属膜により形成されたパターン ２ｂ 金属膜により形成されたパターン ２ｃ 金属膜により形成されたパターン ２ｄ 金属膜により形成されたパターン ２ｅ 金属膜により形成されたパターン ３ 絶縁体 ３ａ 絶縁体 ３ｂ 絶縁体 ４ 入力端子 ５ 出力端子 ６ 入力トランスデューサ ７ 出力トランスデューサ ８ グレーティング反射器[Description of Reference Signs] 1 substrate for propagating surface acoustic waves 2a pattern formed by metal film 2b pattern formed by metal film 2c pattern formed by metal film 2d pattern formed by metal film 2e formed by metal film Pattern 3 Insulator 3a Insulator 3b Insulator 4 Input terminal 5 Output terminal 6 Input transducer 7 Output transducer 8 Grating reflector
Claims (2)
上に金属膜よりなるパターンを形成し、該パターン上に
絶縁体を形成した弾性表面波装置において、動作時に電
位差を生じる前記パターン間に、前記絶縁体を挟む構成
としたことを特徴とする弾性表面波装置。1. A surface acoustic wave device in which a pattern made of a metal film is formed on a surface of a piezoelectric substrate for propagating a surface acoustic wave, and an insulator is formed on the pattern. A surface acoustic wave device having a structure in which the insulator is sandwiched.
膜よりなる他のパターンで導通させたことを特徴とする
請求項１記載の弾性表面波装置。2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein a pattern having an equipotential during operation is made conductive by another pattern made of a metal film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173175A JPH0730362A (en) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173175A JPH0730362A (en) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | Surface acoustic wave device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730362A true JPH0730362A (en) | 1995-01-31 |
Family
ID=15955488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5173175A Pending JPH0730362A (en) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730362A (en) |
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