JPH0730362A - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device

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JPH0730362A
JPH0730362A JP5173175A JP17317593A JPH0730362A JP H0730362 A JPH0730362 A JP H0730362A JP 5173175 A JP5173175 A JP 5173175A JP 17317593 A JP17317593 A JP 17317593A JP H0730362 A JPH0730362 A JP H0730362A
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JP
Japan
Prior art keywords
pattern
surface acoustic
acoustic wave
wave device
metal film
Prior art date
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Application number
JP5173175A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiko Tera
佳子 寺
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH0730362A publication Critical patent/JPH0730362A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain the surface acoustic wave device which is easily made thin by forming a metallic film pattern on the top surface of a piezoelectric body substrate and providing an insulator, formed on this pattern, between patterns which generate a potential difference at the time of operation. CONSTITUTION:The pattern 2b is formed of a metallic film on a pattern 2a, formed of a metallic film on the top surface of the piezoelectric material substrate 1, across the insulator 3. When the surface acoustic wave device operates, the potential difference is generated between those patterns 2a and 2b formed of the metallic films. Then the two patterns 2a and 2b formed of the metallic films are crossed across the insulator 3 which is sufficiently thick, so they can be crossed without any short-circuit. Complex wiring is therefore possible and they are planar, so the patterns which become complex can be simplified and reduced in size.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、弾性表面波装置に関
するもので、特に小型化可能な弾性表面波装置を提供す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly to a surface acoustic wave device which can be miniaturized.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、弾性表面波装置の表面を保護する
ことを目的として、あるいは温度特性を抑えることを目
的として絶縁体膜を基板表面に形成する方法が用いられ
ている。この種の弾性表面波装置の従来例の構成を図4
を参照しながら説明する。図4は弾性表面波を伝播する
基板の圧電体上にトランスデューサを設け、表面に絶縁
膜を設けたものである。これは例えば1977年9月2
2日発行の電子通信学会技術研究報告[超音波]vol
77.NO125中のus77−43中で示されてい
る。また、更に1992年9月22日発行の電子通信学
会技術研究報告[超音波]vol92,NO232中の
us92−56中で詳しく説明されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a method of forming an insulating film on the surface of a substrate has been used for the purpose of protecting the surface of a surface acoustic wave device or suppressing temperature characteristics. FIG. 4 shows the configuration of a conventional example of this type of surface acoustic wave device.
Will be described with reference to. In FIG. 4, a transducer is provided on a piezoelectric body of a substrate that propagates surface acoustic waves, and an insulating film is provided on the surface. This is, for example, September 2, 1977
Technical Report of the Institute of Electronics and Communication Engineers issued on 2nd [Ultrasound] vol
77. Shown in us77-43 in NO125. Further, it is described in detail in the technical report of the Institute of Electronics and Communication Engineers [Ultrasonic] vol92, US92-56 in NO232, published on September 22, 1992.

【0003】図4において、従来の弾性表面波装置では
弾性表面波を伝播する基板1に金属膜により形成された
パターン2を形成し、更にパターン2a上に絶縁体膜3
を形成している。
In FIG. 4, in the conventional surface acoustic wave device, a pattern 2 formed of a metal film is formed on a substrate 1 which propagates surface acoustic waves, and an insulating film 3 is formed on the pattern 2a.
Is formed.

【0004】次に上述した従来例の動作を説明する。金
属膜により形成されたパターン2を、例えば図5のよう
に形成する。入力端子4に供給された入力信号の電力
は、入力トランスデューサ6により弾性表面波に変換さ
れる。変換された弾性表面波は、弾性表面波を伝播する
圧電体基板1上を伝播し、出力トランスデューサ7によ
り、出力信号の電力に変換されて出力端子5より出力さ
れる。
Next, the operation of the above-mentioned conventional example will be described. The pattern 2 formed of the metal film is formed as shown in FIG. 5, for example. The power of the input signal supplied to the input terminal 4 is converted into a surface acoustic wave by the input transducer 6. The converted surface acoustic wave propagates on the piezoelectric substrate 1 that propagates the surface acoustic wave, is converted into electric power of an output signal by the output transducer 7, and is output from the output terminal 5.

【0005】一般に、圧電体基板1は、温度により弾性
表面波を伝播する性質を変える温度特性を有する為、温
度に安定したデバイス製作に利用するのが難しい。
In general, the piezoelectric substrate 1 has a temperature characteristic that changes the property of propagating surface acoustic waves depending on the temperature, so that it is difficult to use it for manufacturing a device stable in temperature.

【0006】従来は、図4のように上気圧電体基板1上
に金属膜により形成されたパターン2aを形成し、更に
絶縁体膜3のSiO2 膜を形成している。このSiO2
膜は、圧電体膜と逆の温度特性を持つために温度変化を
抑えることを目的として使用されている。
Conventionally, as shown in FIG. 4, a pattern 2a made of a metal film is formed on an upper piezoelectric substrate 1, and a SiO 2 film of an insulator film 3 is further formed. This SiO 2
Since the film has a temperature characteristic opposite to that of the piezoelectric film, it is used for the purpose of suppressing temperature change.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
弾性表面波装置では、温度特性を抑えるために絶縁体膜
を用いるのみで構造的な改良を加えるためのものではな
かった。また、弾性表面波装置の小型化に伴いパターン
の小型化が必要とされてきたが、実装上の問題により平
面的なパターンでは入出力端子やGNDなどから入出力
トランスデューサへ導通をとるための金属パターンの形
状サイズなどに限界があった。
However, in the conventional surface acoustic wave device, only the insulating film is used to suppress the temperature characteristics, and the structure is not improved. Further, as the surface acoustic wave device has been downsized, it has been necessary to downsize the pattern. However, due to mounting problems, a planar pattern is used to connect the input / output terminals and GND to the input / output transducer with a metal. There was a limit to the size of the pattern shape.

【0008】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、平面的にしかできなかった入
出力端子やGNDから入出力トランスデューサに導通を
とるに致るまでの金属パターン形状などを立体化するこ
とにより、小型で実装方法が簡単な弾性表面波装置を提
供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and is a metal pattern until an input / output transducer can be electrically connected from an input / output terminal or GND which can be formed only in a plane. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device that is small in size and easy to mount by making the shape and the like three-dimensional.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1の弾性表面波装
置は、弾性表面波を伝播する圧電体基板の表面上に金属
膜よりなるパターンを形成し、該パターン上に絶縁体を
形成した弾性表面波装置において、動作時に電位差を生
じる前記パターン間に、前記絶縁体を挟む構成としたこ
とを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a surface acoustic wave device, wherein a pattern made of a metal film is formed on a surface of a piezoelectric substrate which propagates a surface acoustic wave, and an insulator is formed on the pattern. In the surface acoustic wave device, the insulator is sandwiched between the patterns that generate a potential difference during operation.

【0010】請求項2の弾性表面波装置は、請求項1記
載の弾性表面波装置において、動作時に等電位となるパ
ターンを、金属膜よりなる他のパターンで導通させたこ
とを特徴とする。
A surface acoustic wave device according to a second aspect of the present invention is the surface acoustic wave device according to the first aspect, wherein a pattern having an equipotential during operation is made conductive by another pattern made of a metal film.

【0011】[0011]

【作用】請求項1の弾性表面波装置は、動作時に電位差
を生じるパターン間に絶縁体を挟むので、交差させても
ショートすることがなく、これにより複雑な配線を可能
にする。
In the surface acoustic wave device according to the first aspect of the present invention, since the insulator is sandwiched between the patterns that generate a potential difference during operation, short-circuiting does not occur even when they intersect, thereby enabling complicated wiring.

【0012】請求項2の弾性表面波装置は、従来では行
えなかった配線を狭い場所を活用して行うことができ、
パターンの数を最小限に減らせるため、装置の小型化が
実現できる。
According to the surface acoustic wave device of the second aspect, it is possible to perform wiring, which could not be performed conventionally, by utilizing a narrow space.
Since the number of patterns can be reduced to the minimum, miniaturization of the device can be realized.

【0013】[0013]

【実施例】実施例1.以下、この発明の実施例1を図に
ついて説明する。図1は、弾性表面波を伝播する圧電体
基板1の金属膜により形成されたパターン2a上に絶縁
体3を挟んで金属膜により形成されたパターン2bを形
成した弾性表面波装置の断面図である。金属膜により形
成されたパターン2aとパターン2b間には弾性表面波
装置動作時に電位差が生じる。
EXAMPLES Example 1. Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device in which a pattern 2b formed of a metal film is formed on a pattern 2a formed of the metal film of a piezoelectric substrate 1 for propagating a surface acoustic wave with an insulator 3 interposed therebetween. is there. A potential difference occurs between the pattern 2a and the pattern 2b formed of the metal film when the surface acoustic wave device operates.

【0014】上記の構成により、本実施例の図1の弾性
表面波装置は動作時に電位差の生じる金属膜により形成
された2つのパターン2a,2bを十分な厚みをもった
絶縁体を間に挟んで交差させるため、ショートすること
なく、交差させることが可能となる。これによりより複
雑な配線を可能とし、また逆に平面的であるため、複雑
になったパターンを簡略化できる。
With the above structure, the surface acoustic wave device of this embodiment shown in FIG. 1 sandwiches two patterns 2a and 2b formed of a metal film having a potential difference during operation between insulators having a sufficient thickness. Since it intersects at, it is possible to intersect without short-circuiting. This enables more complicated wiring and, conversely, since it is planar, the complicated pattern can be simplified.

【0015】実施例2.なお、上記実施例では金属膜に
より形成されたパターン2aを同じくパターン2bと絶
縁することを目的として形成しているが、この方法を応
用し、図2のように動作時に電位差の異なる金属膜によ
り形成されたパターン2bを挟んで等電位にしたい同じ
くパターン2aを金属膜により形成されたパターン2c
をもって接続してもよい。
Example 2. Although the pattern 2a formed of the metal film is formed for the purpose of insulating the same from the pattern 2b in the above-mentioned embodiment, this method is applied and the pattern 2a formed by the metal film having a different potential difference during operation is used as shown in FIG. It is desired to make the formed pattern 2b sandwiched and to have an equal potential. Similarly, the pattern 2a is formed by a pattern 2c formed of a metal film.
You may connect with.

【0016】なお、図1と図2では金属膜により形成さ
れたパターンと絶縁膜により形成されたパターンが3層
までであったが、3層までという必要性はなく図3のよ
うに何層でも重ねることは可能である。
In FIGS. 1 and 2, the pattern formed by the metal film and the pattern formed by the insulating film are up to three layers, but it is not necessary to be up to three layers, and as shown in FIG. But it is possible to stack them.

【0017】実施例3.また、図1、図2、図3は弾性
表面波装置の一部の断面図であったが、これを実際のパ
ターンで利用した例が図6と図7である。
Embodiment 3. Further, FIGS. 1, 2 and 3 are partial cross-sectional views of the surface acoustic wave device, but FIGS. 6 and 7 show examples in which this is used in an actual pattern.

【0018】図6では、複数の入力トランスデューサと
出力トランスデューサを組み合わせた場合の配線をパタ
ーンの上面から見た図である。従来では各々のトランス
デューサ毎に、入出力信号またはGNDの一方を外部か
ら与えるためのパターンが必要であり、図のような配置
の場合7箇所必要であった。それに対し、図6では入力
信号、出力信号、GNDを各々1〜2箇所取ればよく、
4箇所ですむことになる。
FIG. 6 is a view of the wiring when a plurality of input transducers and output transducers are combined, as seen from the top surface of the pattern. Conventionally, a pattern for externally applying one of an input / output signal or GND is required for each transducer, and seven locations are required in the case of the arrangement shown in the figure. On the other hand, in FIG. 6, the input signal, the output signal, and the GND may be taken in one or two places,
You only need 4 places.

【0019】また、図7はトランスデューサとグレーテ
ィング反射器を組み合わせた場合の配線をパターンの上
面から見た図である。従来では、入出力信号やGNDの
一方を外部から与えるためのパターンが8箇所に必要で
あったが、図7の場合3箇所まで減らすことができる。
FIG. 7 is a view of the wiring in the case where the transducer and the grating reflector are combined, viewed from the upper surface of the pattern. Conventionally, a pattern for externally applying one of an input / output signal and GND was required at eight locations, but in the case of FIG. 7, it can be reduced to three locations.

【0020】[0020]

【発明の効果】請求項1の弾性表面波装置は、弾性表面
波を伝播する圧電体基板の表面上に金属膜よりなるパタ
ーンを形成し、該パターン上に絶縁体を形成した弾性表
面波装置において、動作時に電位差を生じる前記パター
ン間に、前記絶縁体を挟む構成としたので、動作時に電
位差を生じるパターン間に絶縁体を挟むので、交差させ
てもショートすることがなく、これにより複雑な配線を
可能にする。
According to the surface acoustic wave device of the first aspect of the present invention, a surface acoustic wave device has a pattern of a metal film formed on the surface of a piezoelectric substrate that propagates surface acoustic waves, and an insulator is formed on the pattern. In the above, since the insulator is sandwiched between the patterns that generate a potential difference during operation, the insulator is sandwiched between the patterns that generate a potential difference during operation, so that there is no short circuit even if they intersect, which results in a complicated structure. Enable wiring.

【0021】請求項2の弾性表面波装置は、請求項1記
載の弾性表面波装置において、動作時に等電位となるパ
ターンを、金属膜よりなる他のパターンで導通させる構
成にしたので、従来では行えなかった配線を狭い場所を
活用して行うことができ、パターンの数を最小限に減ら
せるため、装置の小型化が実現できる。
A surface acoustic wave device according to a second aspect of the present invention is the surface acoustic wave device according to the first aspect, in which a pattern having an equipotential during operation is made conductive by another pattern made of a metal film. Wiring that could not be performed can be performed in a narrow space, and the number of patterns can be reduced to the minimum, so that the device can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例1のよる弾性表面波装置の構
成における部分断面図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of the structure of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の実施例2のよる弾性表面波装置の構
成における部分断面図である。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the configuration of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.

【図3】この発明の実施例2のよる弾性表面波装置の構
成における部分断面図である。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the configuration of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.

【図4】従来の弾性表面波装置の部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a conventional surface acoustic wave device.

【図5】従来の弾性表面波装置の部分平面図である。FIG. 5 is a partial plan view of a conventional surface acoustic wave device.

【図6】この発明の実施例3のよる弾性表面波装置の平
面図である。
FIG. 6 is a plan view of a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.

【図7】この発明の実施例3のよる弾性表面波装置の構
成の平面図である。
FIG. 7 is a plan view of the configuration of the surface acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 弾性表面波を伝播する基板 2a 金属膜により形成されたパターン 2b 金属膜により形成されたパターン 2c 金属膜により形成されたパターン 2d 金属膜により形成されたパターン 2e 金属膜により形成されたパターン 3 絶縁体 3a 絶縁体 3b 絶縁体 4 入力端子 5 出力端子 6 入力トランスデューサ 7 出力トランスデューサ 8 グレーティング反射器 1 Substrate Propagating Surface Acoustic Wave 2a Pattern formed by a metal film 2b Pattern formed by a metal film 2c Pattern formed by a metal film 2d Pattern formed by a metal film 2e Pattern formed by a metal film 3 Insulation Body 3a Insulator 3b Insulator 4 Input terminal 5 Output terminal 6 Input transducer 7 Output transducer 8 Grating reflector

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成6年10月12日[Submission date] October 12, 1994

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【書類名】 明細書[Document name] Statement

【発明の名称】 弾性表面波装置Title: Surface acoustic wave device

【特許請求の範囲】[Claims]

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、弾性表面波装置に関
するもので、特に小型化可能な弾性表面波装置を提供す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly to a surface acoustic wave device which can be miniaturized.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、弾性表面波装置の表面を保護する
ことを目的として、あるいは温度特性を抑えることを目
的として絶縁体膜を基板表面に形成する方法が用いられ
ている。この種の弾性表面波装置の従来例の構成を図4
を参照しながら説明する。図4は弾性表面波を伝播する
基板の圧電体上にトランスデューサを設け、表面に絶縁
膜を設けたものである。これは例えば1977年9月2
2日発行の電子通信学会技術研究報告[超音波]vol
77.NO125中のus77−43中で示されてい
る。また、更に1992年9月22日発行の電子通信学
会技術研究報告[超音波]vol92,NO232中の
us92−56中で詳しく説明されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a method of forming an insulating film on the surface of a substrate has been used for the purpose of protecting the surface of a surface acoustic wave device or suppressing temperature characteristics. FIG. 4 shows the configuration of a conventional example of this type of surface acoustic wave device.
Will be described with reference to. In FIG. 4, a transducer is provided on a piezoelectric body of a substrate that propagates surface acoustic waves, and an insulating film is provided on the surface. This is, for example, September 2, 1977
Technical Report of the Institute of Electronics and Communication Engineers issued on 2nd [Ultrasound] vol
77. Shown in us77-43 in NO125. Further, it is described in detail in the technical report of the Institute of Electronics and Communication Engineers [Ultrasonic] vol92, US92-56 in NO232, published on September 22, 1992.

【0003】図4において、従来の弾性表面波装置では
弾性表面波を伝播する基板1に金属膜により形成された
パターン2を形成し、更にパターン2a上に絶縁体膜
3を形成している。
In FIG. 4, in a conventional surface acoustic wave device, a pattern 2a formed of a metal film is formed on a substrate 1 which propagates surface acoustic waves, and an insulating film 3 is further formed on the pattern 2a. .

【0004】次に上述した従来例の動作を説明する。金
属膜により形成されたパターン2を、例えば図5のよう
に形成する。入力端子4に供給された入力信号の電力
は、入力トランスデューサ6により弾性表面波に変換さ
れる。変換された弾性表面波は、弾性表面波を伝播する
圧電体基板1上を伝播し、出力トランスデューサ7によ
り、出力信号の電力に変換されて出力端子5より出力さ
れる。
Next, the operation of the above-mentioned conventional example will be described. The pattern 2 formed of the metal film is formed as shown in FIG. 5, for example. The power of the input signal supplied to the input terminal 4 is converted into a surface acoustic wave by the input transducer 6. The converted surface acoustic wave propagates on the piezoelectric substrate 1 that propagates the surface acoustic wave, is converted into electric power of an output signal by the output transducer 7, and is output from the output terminal 5.

【0005】一般に、圧電体基板1は、温度により弾性
表面波を伝播する性質を変える温度特性を有する為、温
度に安定したデバイス製作に利用するのが難しい。
In general, the piezoelectric substrate 1 has a temperature characteristic that changes the property of propagating surface acoustic waves depending on the temperature, so that it is difficult to use it for manufacturing a device stable in temperature.

【0006】従来は、図4のように上記圧電体基板1上
に金属膜により形成されたパターン2aを形成し、更に
絶縁体膜3のSiO2 膜を形成している。このSiO2
膜は、圧電体膜と逆の温度特性を持つために温度変化を
抑えることを目的として使用されている。
Conventionally, a pattern 2a made of a metal film is formed on the piezoelectric substrate 1 as shown in FIG. 4, and a SiO 2 film of an insulator film 3 is further formed. This SiO 2
Since the film has a temperature characteristic opposite to that of the piezoelectric film, it is used for the purpose of suppressing temperature change.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
弾性表面波装置では、温度特性を抑えるために絶縁体膜
を用いるのみで構造的な改良を加えるためのものではな
かった。また、弾性表面波装置の小型化に伴いパターン
の小型化が必要とされてきたが、実装上の問題により平
面的なパターンでは入出力端子やGNDなどから入出力
トランスデューサへ導通をとるための金属パターンの形
状サイズなどに限界があった。
However, in the conventional surface acoustic wave device, only the insulating film is used to suppress the temperature characteristics, and the structure is not improved. Further, as the surface acoustic wave device has been downsized, it has been necessary to downsize the pattern. However, due to mounting problems, a planar pattern is used to connect the input / output terminals and GND to the input / output transducer with a metal. There was a limit to the size of the pattern shape.

【0008】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、平面的にしかできなかった入
出力端子やGNDから入出力トランスデューサに導通を
とるに致るまでの金属パターン形状などを立体化するこ
とにより、小型で実装方法が簡単な弾性表面波装置を提
供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and is a metal pattern until an input / output transducer can be electrically connected from an input / output terminal or GND which can be formed only in a plane. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device that is small in size and easy to mount by making the shape and the like three-dimensional.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1の弾性表面波装
置は、弾性表面波を伝播する圧電体基板の表面上に金属
膜よりなるパターンを形成し、該パターン上に絶縁体を
形成した弾性表面波装置において、前記絶縁体は、動作
時に電位差を生じる前記パターン間に設けられたもので
ある。
According to another aspect of the present invention, there is provided a surface acoustic wave device, wherein a pattern made of a metal film is formed on a surface of a piezoelectric substrate which propagates a surface acoustic wave, and an insulator is formed on the pattern. In the surface acoustic wave device, the insulator operates
It is provided between the patterns that sometimes cause a potential difference.
is there.

【0010】請求項2の弾性表面波装置は、請求項1記
載の弾性表面波装置において、動作時に等電位となるパ
ターンを、金属膜よりなる他のパターンで導通させたこ
とを特徴とする。
A surface acoustic wave device according to a second aspect of the present invention is the surface acoustic wave device according to the first aspect, wherein a pattern having an equipotential during operation is made conductive by another pattern made of a metal film.

【0011】請求項3の弾性表面波装置は、パターンに
よりトランスデューサとグレーディング反射器を組み合
わせた配線に導通をとる弾性表面波装置において、動作
時に電位差を生じる前記パターン間に設けられた絶縁体
を備え、動作時に等電位となるパターンを、金属膜より
なる他のパターンで導通させたものである。
The surface acoustic wave device according to claim 3 has a pattern.
More combined transducer and grading reflector
Operation in a surface acoustic wave device that conducts electricity to the connected wiring
Insulator provided between the patterns that sometimes causes a potential difference
A pattern that is equipotential during operation from the metal film.
The other patterns are electrically connected.

【0012】[0012]

【作用】請求項1の弾性表面波装置は、動作時に電位差
を生じるパターン間に絶縁体を挟むので、交差させても
ショートすることがなく、これにより複雑な配線を可能
にする。
In the surface acoustic wave device according to the first aspect of the present invention, since the insulator is sandwiched between the patterns that generate a potential difference during operation, short-circuiting does not occur even when they intersect, thereby enabling complicated wiring.

【0013】請求項2の弾性表面波装置は、従来では行
えなかった配線を狭い場所を活用して行うことができ、
パターンの数を最小限に減らせるため、装置の小型化が
実現できる。
According to the surface acoustic wave device of the second aspect, it is possible to perform wiring, which has not been conventionally possible, by utilizing a narrow space.
Since the number of patterns can be reduced to the minimum, miniaturization of the device can be realized.

【0014】請求項3の弾性表面波装置は、入出力信号
やGNDの一方を外部から与えるためのパターンの数を
減らすことができる。
According to another aspect of the surface acoustic wave device of the present invention, an input / output signal is used.
And the number of patterns for giving one of GND from the outside
Can be reduced.

【0015】[0015]

【実施例】実施例1.以下、この発明の実施例1を図に
ついて説明する。図1は、弾性表面波を伝播する圧電体
基板1の金属膜により形成されたパターン2a上に絶縁
体3を挟んで金属膜により形成されたパターン2bを形
成した弾性表面波装置の断面図である。金属膜により形
成されたパターン2aとパターン2b間には弾性表面波
装置動作時に電位差が生じる。
EXAMPLES Example 1. Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device in which a pattern 2b formed of a metal film is formed on a pattern 2a formed of the metal film of a piezoelectric substrate 1 for propagating a surface acoustic wave with an insulator 3 interposed therebetween. is there. A potential difference occurs between the pattern 2a and the pattern 2b formed of the metal film when the surface acoustic wave device operates.

【0016】上記の構成により、本実施例の図1の弾性
表面波装置は動作時に電位差の生じる金属膜により形成
された2つのパターン2a,2bを十分な厚みをもった
絶縁体を間に挟んで交差させるため、ショートすること
なく、交差させることが可能となる。これによりより複
雑な配線を可能とし、また逆に平面的であるため、複雑
になったパターンを簡略化できる。
With the above structure, the surface acoustic wave device of this embodiment shown in FIG. 1 sandwiches two patterns 2a and 2b formed of a metal film having a potential difference during operation with an insulator having a sufficient thickness therebetween. Since it intersects at, it is possible to intersect without short-circuiting. This enables more complicated wiring and, conversely, since it is planar, the complicated pattern can be simplified.

【0017】実施例2.なお、上記実施例では金属膜に
より形成されたパターン2aを同じくパターン2bと絶
縁することを目的として形成しているが、この方法を応
用し、図2のように動作時に電位差の異なる金属膜によ
り形成されたパターン2bを挟んで等電位にしたい同じ
くパターン2aを金属膜により形成されたパターン2c
をもって接続してもよい。
Example 2. Although the pattern 2a formed of the metal film is formed for the purpose of insulating the same from the pattern 2b in the above-mentioned embodiment, this method is applied and the pattern 2a formed by the metal film having a different potential difference during operation is used as shown in FIG. It is desired to make the formed pattern 2b sandwiched and to have an equal potential. Similarly, the pattern 2a is formed by a pattern 2c formed of a metal film.
You may connect with.

【0018】なお、図1と図2では金属膜により形成さ
れたパターンと絶縁膜により形成されたパターンが3層
までであったが、3層までという必要性はなく図3のよ
うに何層でも重ねることは可能である。
In FIGS. 1 and 2, the pattern formed by the metal film and the pattern formed by the insulating film are up to three layers, but it is not necessary to be up to three layers, and as shown in FIG. But it is possible to stack them.

【0019】実施例3.また、図1、図2、図3は弾性
表面波装置の一部の断面図であったが、これを実際のパ
ターンで利用した例が図6と図7である。
Example 3. Further, FIGS. 1, 2 and 3 are partial cross-sectional views of the surface acoustic wave device, but FIGS. 6 and 7 show examples in which this is used in an actual pattern.

【0020】図6では、複数の入力トランスデューサと
出力トランスデューサを組み合わせた場合の配線をパタ
ーンの上面から見た図である。従来では各々のトランス
デューサ毎に、入出力信号またはGNDの一方を外部か
ら与えるためのパターンが必要であり、図のような配置
の場合7箇所必要であった。それに対し、図6では入力
信号、出力信号、GNDを各々1〜2箇所取ればよく、
4箇所ですむことになる。
FIG. 6 is a view of the wiring when a plurality of input transducers and output transducers are combined, as seen from the top surface of the pattern. Conventionally, a pattern for externally applying one of an input / output signal or GND is required for each transducer, and seven locations are required in the case of the arrangement shown in the figure. On the other hand, in FIG. 6, the input signal, the output signal, and the GND may be taken in one or two places,
You only need 4 places.

【0021】また、図7はトランスデューサとグレーテ
ィング反射器を組み合わせた場合の配線をパターンの上
面から見た図である。従来では、入出力信号やGNDの
一方を外部から与えるためのパターンが8箇所に必要で
あったが、図7の場合3箇所まで減らすことができる。
FIG. 7 is a view of the wiring in the case where the transducer and the grating reflector are combined, viewed from the upper surface of the pattern. Conventionally, a pattern for externally applying one of an input / output signal and GND was required at eight locations, but in the case of FIG. 7, it can be reduced to three locations.

【0022】[0022]

【発明の効果】請求項1の弾性表面波装置は、弾性表面
波を伝播する圧電体基板の表面上に金属膜よりなるパタ
ーンを形成し、該パターン上に絶縁体を形成した弾性表
面波装置において、前記絶縁体は、動作時に電位差を生
じる前記パターン間に設けられた構成としたので、動作
時に電位差を生じるパターン間に絶縁体を挟むので、交
差させてもショートすることがなく、これにより複雑な
配線を可能にする。
According to the surface acoustic wave device of the first aspect of the present invention, a surface acoustic wave device has a pattern of a metal film formed on the surface of a piezoelectric substrate that propagates surface acoustic waves, and an insulator is formed on the pattern. The insulator creates a potential difference during operation.
Since the structure is provided between the patterns , since the insulator is sandwiched between the patterns that generate a potential difference during operation, short-circuiting does not occur even if they intersect, thereby enabling complicated wiring.

【0023】請求項2の弾性表面波装置は、請求項1記
載の弾性表面波装置において、動作時に等電位となるパ
ターンを、金属膜よりなる他のパターンで導通させる構
成にしたので、従来では行えなかった配線を狭い場所を
活用して行うことができ、パターンの数を最小限に減ら
せるため、装置の小型化が実現できる。
A surface acoustic wave device according to a second aspect of the present invention is the surface acoustic wave device according to the first aspect, in which a pattern having an equipotential during operation is made conductive by another pattern made of a metal film. Wiring that could not be performed can be performed in a narrow space, and the number of patterns can be reduced to the minimum, so that the device can be downsized.

【0024】請求項3の弾性表面波装置は、パターンに
よりトランスデューサとグレーディング反射器を組み合
わせた配線に導通をとる弾性表面波装置において、動作
時に電位差を生じる前記パターン間に設けられた絶縁体
を備え、動作時に等電位となるパターンを、金属膜より
なる他のパターンで導通させた構成にしたので、入出力
信号やGNDの一方を外部から与えるためのパターンの
数を減らすことができる。
The surface acoustic wave device according to claim 3 has a pattern.
More combined transducer and grading reflector
Operation in a surface acoustic wave device that conducts electricity to the connected wiring
Insulator provided between the patterns that sometimes causes a potential difference
A pattern that is equipotential during operation from the metal film.
Since it is configured to be conductive with another pattern,
Of a pattern for externally applying one of signal and GND
The number can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例1のよる弾性表面波装置の構
成における部分断面図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of the structure of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の実施例2のよる弾性表面波装置の構
成における部分断面図である。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the configuration of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.

【図3】この発明の実施例2のよる弾性表面波装置の構
成における部分断面図である。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the configuration of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.

【図4】従来の弾性表面波装置の部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a conventional surface acoustic wave device.

【図5】従来の弾性表面波装置の部分平面図である。FIG. 5 is a partial plan view of a conventional surface acoustic wave device.

【図6】この発明の実施例3のよる弾性表面波装置の平
面図である。
FIG. 6 is a plan view of a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.

【図7】この発明の実施例3のよる弾性表面波装置の構
成の平面図である。
FIG. 7 is a plan view of the configuration of the surface acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention.

【符号の説明】 1 弾性表面波を伝播する基板 2a 金属膜により形成されたパターン 2b 金属膜により形成されたパターン 2c 金属膜により形成されたパターン 2d 金属膜により形成されたパターン 2e 金属膜により形成されたパターン 3 絶縁体 3a 絶縁体 3b 絶縁体 4 入力端子 5 出力端子 6 入力トランスデューサ 7 出力トランスデューサ 8 グレーティング反射器[Description of Reference Signs] 1 substrate for propagating surface acoustic waves 2a pattern formed by metal film 2b pattern formed by metal film 2c pattern formed by metal film 2d pattern formed by metal film 2e formed by metal film Pattern 3 Insulator 3a Insulator 3b Insulator 4 Input terminal 5 Output terminal 6 Input transducer 7 Output transducer 8 Grating reflector

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 弾性表面波を伝播する圧電体基板の表面
上に金属膜よりなるパターンを形成し、該パターン上に
絶縁体を形成した弾性表面波装置において、動作時に電
位差を生じる前記パターン間に、前記絶縁体を挟む構成
としたことを特徴とする弾性表面波装置。
1. A surface acoustic wave device in which a pattern made of a metal film is formed on a surface of a piezoelectric substrate for propagating a surface acoustic wave, and an insulator is formed on the pattern. A surface acoustic wave device having a structure in which the insulator is sandwiched.
【請求項2】 動作時に等電位となるパターンを、金属
膜よりなる他のパターンで導通させたことを特徴とする
請求項1記載の弾性表面波装置。
2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein a pattern having an equipotential during operation is made conductive by another pattern made of a metal film.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7295089B2 (en) 2003-02-24 2007-11-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter and communication apparatus
JP2008028825A (en) * 2006-07-24 2008-02-07 Kyocera Corp Surface acoustic wave device and communication device
US7479852B2 (en) 2005-11-14 2009-01-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device
US7486159B2 (en) 2004-07-23 2009-02-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device
WO2009116222A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-24 株式会社村田製作所 Surface acoustic wave device
JP2018182544A (en) * 2017-04-13 2018-11-15 太陽誘電株式会社 Acoustic wave element, filter, and multiplexer
WO2018225621A1 (en) * 2017-06-05 2018-12-13 株式会社村田製作所 Surface acoustic wave filter device
WO2023149398A1 (en) * 2022-02-02 2023-08-10 東レ株式会社 Laminate, method for manufacturing laminate, hollow structure, and electronic component

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01231417A (en) * 1988-03-11 1989-09-14 Kokusai Electric Co Ltd Surface acoustic wave filter
JPH02104013A (en) * 1988-10-13 1990-04-17 Toshiba Corp Surface acoustic wave device
JPH0316309A (en) * 1989-03-28 1991-01-24 Kazuhiko Yamanouchi 3-dimensional wiring method using anodic oxidation
JPH0334715A (en) * 1989-06-30 1991-02-14 Nippon Mining Co Ltd Surface acoustic wave resonator and filter
JPH04281613A (en) * 1991-03-11 1992-10-07 Fujitsu Ltd Surface acoustic wave filter
JPH05167387A (en) * 1991-12-12 1993-07-02 Fujitsu Ltd Surface acoustic wave device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01231417A (en) * 1988-03-11 1989-09-14 Kokusai Electric Co Ltd Surface acoustic wave filter
JPH02104013A (en) * 1988-10-13 1990-04-17 Toshiba Corp Surface acoustic wave device
JPH0316309A (en) * 1989-03-28 1991-01-24 Kazuhiko Yamanouchi 3-dimensional wiring method using anodic oxidation
JPH0334715A (en) * 1989-06-30 1991-02-14 Nippon Mining Co Ltd Surface acoustic wave resonator and filter
JPH04281613A (en) * 1991-03-11 1992-10-07 Fujitsu Ltd Surface acoustic wave filter
JPH05167387A (en) * 1991-12-12 1993-07-02 Fujitsu Ltd Surface acoustic wave device

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7295089B2 (en) 2003-02-24 2007-11-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter and communication apparatus
EP1453198B1 (en) * 2003-02-24 2013-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter and communication apparatus
EP2197107A2 (en) * 2003-02-24 2010-06-16 Murata Manufacturing Co., Ltd Surface acoustic wave filter and communication apparatus
EP2197107A3 (en) * 2003-02-24 2010-06-23 Murata Manufacturing Co., Ltd Surface acoustic wave filter and communication apparatus
US7486159B2 (en) 2004-07-23 2009-02-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device
US7479852B2 (en) 2005-11-14 2009-01-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device
JP2008028825A (en) * 2006-07-24 2008-02-07 Kyocera Corp Surface acoustic wave device and communication device
JP5120446B2 (en) * 2008-03-19 2013-01-16 株式会社村田製作所 Surface acoustic wave device
US8072118B2 (en) 2008-03-19 2011-12-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device
WO2009116222A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-24 株式会社村田製作所 Surface acoustic wave device
JP2018182544A (en) * 2017-04-13 2018-11-15 太陽誘電株式会社 Acoustic wave element, filter, and multiplexer
WO2018225621A1 (en) * 2017-06-05 2018-12-13 株式会社村田製作所 Surface acoustic wave filter device
JPWO2018225621A1 (en) * 2017-06-05 2020-02-27 株式会社村田製作所 Acoustic wave filter device
US11444597B2 (en) 2017-06-05 2022-09-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave filter device
WO2023149398A1 (en) * 2022-02-02 2023-08-10 東レ株式会社 Laminate, method for manufacturing laminate, hollow structure, and electronic component
KR20240140902A (en) 2022-02-02 2024-09-24 도레이 카부시키가이샤 Laminates, methods for producing laminates, hollow structures and electronic components

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