JPH0595126A - 薄膜太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池およびその製造方法Info
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- JPH0595126A JPH0595126A JP3252640A JP25264091A JPH0595126A JP H0595126 A JPH0595126 A JP H0595126A JP 3252640 A JP3252640 A JP 3252640A JP 25264091 A JP25264091 A JP 25264091A JP H0595126 A JPH0595126 A JP H0595126A
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- Japan
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- amorphous silicon
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- incident side
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】複数のａ−Siｐｉｎ接合構造を積層したタンデ
ムセルにおいて、ｉ層の次のセル側にある層を光が通過
する際の光吸収ロスを低減して変換効率を向上させる。 【構成】ｉ層の次のセル側にある層を、SiＨ4 、Ｃ
Ｏ2 、Ｈ2 およびドーピング用ガスの混合ガスの分解に
よって生ずるアモルファスシリコンオキサイドで形成す
る。この際、酸素量を多くすると光吸収ロスが低下する
が、多くなりすぎると光導電率が低下するためバルク抵
抗が大きくなり、直列抵抗成分が増加してフィルファク
タが低下するので、ａ−Si(1-x) Ｏx で表わしたときの
ｘを0.2 未満に抑える。
ムセルにおいて、ｉ層の次のセル側にある層を光が通過
する際の光吸収ロスを低減して変換効率を向上させる。 【構成】ｉ層の次のセル側にある層を、SiＨ4 、Ｃ
Ｏ2 、Ｈ2 およびドーピング用ガスの混合ガスの分解に
よって生ずるアモルファスシリコンオキサイドで形成す
る。この際、酸素量を多くすると光吸収ロスが低下する
が、多くなりすぎると光導電率が低下するためバルク抵
抗が大きくなり、直列抵抗成分が増加してフィルファク
タが低下するので、ａ−Si(1-x) Ｏx で表わしたときの
ｘを0.2 未満に抑える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アモルファスシリコン
(以下ａ−Siと略す) を主材料としたｐｉｎ接合構造を
複数積層してなる薄膜太陽電池およびその製造方法に関
する。
(以下ａ−Siと略す) を主材料としたｐｉｎ接合構造を
複数積層してなる薄膜太陽電池およびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】シラン系ガスを用いてプラズマＣＶＤ法
や光ＣＶＤ法により形成されるａ−Si太陽電池は薄膜、
大面積化が容易という特長をもち、低コスト太陽電池と
して期待されている。一方、ａ−Si太陽電池には長期間
の光照射で特性が劣化する、いわゆる "光劣化現象" が
あり、実用化の上で大きな問題となっている。この問題
を解決する一つの方法として、図１に示すようにｐｉｎ
接合構造を二層積層化することがあげられる。この太陽
電池は二層タンデムセルと呼ばれ、通常のｐｉｎ接合の
一つからなるシングルセルと比べて光劣化が半分程度に
抑えられる。二層タンデムセルは以下のように作製され
る。
や光ＣＶＤ法により形成されるａ−Si太陽電池は薄膜、
大面積化が容易という特長をもち、低コスト太陽電池と
して期待されている。一方、ａ−Si太陽電池には長期間
の光照射で特性が劣化する、いわゆる "光劣化現象" が
あり、実用化の上で大きな問題となっている。この問題
を解決する一つの方法として、図１に示すようにｐｉｎ
接合構造を二層積層化することがあげられる。この太陽
電池は二層タンデムセルと呼ばれ、通常のｐｉｎ接合の
一つからなるシングルセルと比べて光劣化が半分程度に
抑えられる。二層タンデムセルは以下のように作製され
る。
【０００３】まず、ガラス基板１の上に、SnＯ2 等の透
明電極２を形成し、その上にSiＨ4、ＣＨ4 を主ガスと
し、Ｈ2 を希釈ガス、Ｂ2 Ｈ6 をドーピングガスとして
アモルファスシリコンカーバイド (ａ−SiＣ) の第一ｐ
層３を100 〜150 Åの厚さに形成する。つづいてSiＨ4
を主ガス、Ｈ2 を希釈ガスとしてａ−Siの第一ｉ層４を
500 〜800 Åの厚さに形成し、さらにSiＨ4 を主ガス、
Ｈ2 を希釈ガス、ＰＨ 3 をドーピングガスとしてａ−Si
の第一ｎ層５を100 〜150 Åの厚さに形成する。次に、
第二ｐ、ｉ、ｎ層６、７、８を同じ要領でそれぞれ、10
0 〜150 Å、3000〜5000Å、100 〜150 Åの厚さに形成
し、裏面電極12を形成することにより作製される。ま
た、二つのセル間のｎ／ｐ接合部がオーミック接合にな
るように、第一ｎ層５と第二ｐ層６の間に、必要に応じ
てｎあるいはｐ型のマイクロクリスタルシリコン (μｃ
−Si) 層が形成される。
明電極２を形成し、その上にSiＨ4、ＣＨ4 を主ガスと
し、Ｈ2 を希釈ガス、Ｂ2 Ｈ6 をドーピングガスとして
アモルファスシリコンカーバイド (ａ−SiＣ) の第一ｐ
層３を100 〜150 Åの厚さに形成する。つづいてSiＨ4
を主ガス、Ｈ2 を希釈ガスとしてａ−Siの第一ｉ層４を
500 〜800 Åの厚さに形成し、さらにSiＨ4 を主ガス、
Ｈ2 を希釈ガス、ＰＨ 3 をドーピングガスとしてａ−Si
の第一ｎ層５を100 〜150 Åの厚さに形成する。次に、
第二ｐ、ｉ、ｎ層６、７、８を同じ要領でそれぞれ、10
0 〜150 Å、3000〜5000Å、100 〜150 Åの厚さに形成
し、裏面電極12を形成することにより作製される。ま
た、二つのセル間のｎ／ｐ接合部がオーミック接合にな
るように、第一ｎ層５と第二ｐ層６の間に、必要に応じ
てｎあるいはｐ型のマイクロクリスタルシリコン (μｃ
−Si) 層が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ａ−Si太陽電池ではｐ
層およびｎ層はデッドレイヤになっており、これらの層
における光吸収は発電ロスにつながる。このため、窓層
にあたるｐ層の光学ギャップを大きくして光吸収を小さ
くすることが考えられ、例えば特開昭56−64476号公報
で公知のように、ｐ層にａ−SiＣを適用し、光吸収ロス
の低減を図っている。二層タンデムセルの場合、このほ
かにセル間のｎ／ｐ接合部での光吸収ロスが生じる。こ
の部分はシングルセルの金属電極側のｎ層とは異なり、
通過する光の強度が入射光の半分程度あることから光吸
収が大きな問題になっていた。ｎ層中での短絡電流密度
Ｊｓｃのロスに換算して３〜５％もあることがシミュレ
ーションによりわかっている。
層およびｎ層はデッドレイヤになっており、これらの層
における光吸収は発電ロスにつながる。このため、窓層
にあたるｐ層の光学ギャップを大きくして光吸収を小さ
くすることが考えられ、例えば特開昭56−64476号公報
で公知のように、ｐ層にａ−SiＣを適用し、光吸収ロス
の低減を図っている。二層タンデムセルの場合、このほ
かにセル間のｎ／ｐ接合部での光吸収ロスが生じる。こ
の部分はシングルセルの金属電極側のｎ層とは異なり、
通過する光の強度が入射光の半分程度あることから光吸
収が大きな問題になっていた。ｎ層中での短絡電流密度
Ｊｓｃのロスに換算して３〜５％もあることがシミュレ
ーションによりわかっている。
【０００５】本発明の目的は、上述の問題を解決し、積
層されるセルの中間での光吸収ロスを低減した薄膜太陽
電池およびその製造方法を提供することにある。
層されるセルの中間での光吸収ロスを低減した薄膜太陽
電池およびその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、ａ−Siを主材料としてｐｉｎ接合構造
を複数積層してなる薄膜太陽電池において、光の入射す
る側から最も遠くにあるｐｉｎ接合構造を除く各ｐｉｎ
接合構造のｉ層の反光入射側にあるｐ層あるいはｎ層
が、一般式ａ−Si(1-x) Ｏx で表わされ、ｘが0.2 未満
であるアモルファスシリコンオキサイドからなるものと
する。そして、ｉ層の反光入射側にあるａ−SiＯ層の光
学ギャップが1.9eV ないし2.1eV の範囲にあるか、ある
いはその光導電率が１×10-6ｓ／cm以上であることが有
効である。また、本発明は、ａ−Siを主材料としたｐｉ
ｎ接合構造を複数積層する薄膜太陽電池の製造方法にお
いて、光の入射する側から最も遠いｐｉｎ接合構造を除
く各ｐｉｎ接合のｉ層の反光入射側にあるｐ層あるいは
ｎ層を、SiＨ4 、ＣＯ2 、Ｈ2 およびドーピング用の不
純物を含むガスの混合ガスを分解することにより生ずる
ａ−SiＯで形成するものとする。そして、分解をグロー
放電分解によることが有効である。
めに、本発明は、ａ−Siを主材料としてｐｉｎ接合構造
を複数積層してなる薄膜太陽電池において、光の入射す
る側から最も遠くにあるｐｉｎ接合構造を除く各ｐｉｎ
接合構造のｉ層の反光入射側にあるｐ層あるいはｎ層
が、一般式ａ−Si(1-x) Ｏx で表わされ、ｘが0.2 未満
であるアモルファスシリコンオキサイドからなるものと
する。そして、ｉ層の反光入射側にあるａ−SiＯ層の光
学ギャップが1.9eV ないし2.1eV の範囲にあるか、ある
いはその光導電率が１×10-6ｓ／cm以上であることが有
効である。また、本発明は、ａ−Siを主材料としたｐｉ
ｎ接合構造を複数積層する薄膜太陽電池の製造方法にお
いて、光の入射する側から最も遠いｐｉｎ接合構造を除
く各ｐｉｎ接合のｉ層の反光入射側にあるｐ層あるいは
ｎ層を、SiＨ4 、ＣＯ2 、Ｈ2 およびドーピング用の不
純物を含むガスの混合ガスを分解することにより生ずる
ａ−SiＯで形成するものとする。そして、分解をグロー
放電分解によることが有効である。
【０００７】
【作用】ａ−Si膜中の酸素の量を増加させることにより
光学ギャップEgが1.9eV 以上に大きくなりｉ層を出た光
の次のｐ−ｉ−ｎ接合へ入るまでの吸収ロスが減少し、
短絡電流が増大する。しかし、さらに酸素量が増加し、
ａ−Si(1-x) Ｏx のｘが0.16を超え、0.21に近くなると
ａ−SiＯ膜の光導電率σphが低下によりバルク抵抗が大
きくなり、直列抵抗成分が増加して、フィルファクタが
低下する。そこでσphを１×10-6ｓ／cm以上の範囲にす
ることが有効でその際Egは2.1eV になる。そして、SiＨ
4 、ＣＯ2 、Ｈ2 の混合ガスの分解により形成されるａ
−SiＯ膜は、SiＨ4 、Ｏ2 等によりａ−SiＯ膜を形成す
るときのようにSiＨ4 とＯ2 の激しい反応のために膜に
欠陥が生ずることがないため、良質の膜が得られる。
光学ギャップEgが1.9eV 以上に大きくなりｉ層を出た光
の次のｐ−ｉ−ｎ接合へ入るまでの吸収ロスが減少し、
短絡電流が増大する。しかし、さらに酸素量が増加し、
ａ−Si(1-x) Ｏx のｘが0.16を超え、0.21に近くなると
ａ−SiＯ膜の光導電率σphが低下によりバルク抵抗が大
きくなり、直列抵抗成分が増加して、フィルファクタが
低下する。そこでσphを１×10-6ｓ／cm以上の範囲にす
ることが有効でその際Egは2.1eV になる。そして、SiＨ
4 、ＣＯ2 、Ｈ2 の混合ガスの分解により形成されるａ
−SiＯ膜は、SiＨ4 、Ｏ2 等によりａ−SiＯ膜を形成す
るときのようにSiＨ4 とＯ2 の激しい反応のために膜に
欠陥が生ずることがないため、良質の膜が得られる。
【０００８】
【実施例】図１の構造をもつ本発明の一実施例の薄膜太
陽電池を次のようにして製造した。まずガラス基板１の
上に、SnＯ2 等の透明電極２を形成し、その上にａ−Si
Ｃからなる第一ｐ層３、ａ−Siからなる第一ｉ層４およ
びａ−SiＯからなる第一ｎ層５をそれぞれ120 Å、700
Å、100 Åの厚さに形成した。つづいてａ−SiＣからな
る第二ｐ層６、ａ−Siからなる第二ｉ層７および第二ｎ
層８をそれぞれ120Å、3000Å、150 Åの厚さに形成
し、Ag等の金属電極12を形成した。このうち、本発明に
よる第一ｎ層５は以下の方法で成膜される。
陽電池を次のようにして製造した。まずガラス基板１の
上に、SnＯ2 等の透明電極２を形成し、その上にａ−Si
Ｃからなる第一ｐ層３、ａ−Siからなる第一ｉ層４およ
びａ−SiＯからなる第一ｎ層５をそれぞれ120 Å、700
Å、100 Åの厚さに形成した。つづいてａ−SiＣからな
る第二ｐ層６、ａ−Siからなる第二ｉ層７および第二ｎ
層８をそれぞれ120Å、3000Å、150 Åの厚さに形成
し、Ag等の金属電極12を形成した。このうち、本発明に
よる第一ｎ層５は以下の方法で成膜される。
【０００９】すでに透明電極２、第一ｐ層３、第一ｉ層
４を形成したガラス基板１を収容した成膜室に原料ガス
としてシラン (SiＨ4 ),二酸化炭素 (ＣＯ2 ) 、水素
(Ｈ2 ) およびドーピングガスとしてのホスフィン (Ｐ
Ｈ3 ) を導入する。各ガスは、流量比でＨ2 ／SiＨ4 ＝
20、ＣＯ2 ／SiＨ4 ＝0.1 〜４、ＰＨ3 ／SiＨ4 ＝0.01
となるように混合し、ガス全体の圧力を0.5 Torrにす
る。基板温度を150 ℃に保ち、高周波電力を電極間に印
加してグロー放電分解によりａ−SiＯ膜を形成する。ａ
−SiＯ膜の組成はSiＨ4 およびＣＯ2 のガス比を変える
ことにより、変化させることができる。ここで、ａ−Si
(1-x) Ｏx で表わしたｎ層の膜組成ｘを変化させたとき
の光学ギャップEgと導電率σph、さらに、その膜を適用
して作製した二層タンデムセルの太陽電池特性を表１に
示す。ｎ層の膜組成はＸ線光電子分光法 (ＸＰＳ) によ
り分析した値であり、太陽電池特性は、AM1.5 、100mW
／cm2の擬似太陽光下で測定した値である。
４を形成したガラス基板１を収容した成膜室に原料ガス
としてシラン (SiＨ4 ),二酸化炭素 (ＣＯ2 ) 、水素
(Ｈ2 ) およびドーピングガスとしてのホスフィン (Ｐ
Ｈ3 ) を導入する。各ガスは、流量比でＨ2 ／SiＨ4 ＝
20、ＣＯ2 ／SiＨ4 ＝0.1 〜４、ＰＨ3 ／SiＨ4 ＝0.01
となるように混合し、ガス全体の圧力を0.5 Torrにす
る。基板温度を150 ℃に保ち、高周波電力を電極間に印
加してグロー放電分解によりａ−SiＯ膜を形成する。ａ
−SiＯ膜の組成はSiＨ4 およびＣＯ2 のガス比を変える
ことにより、変化させることができる。ここで、ａ−Si
(1-x) Ｏx で表わしたｎ層の膜組成ｘを変化させたとき
の光学ギャップEgと導電率σph、さらに、その膜を適用
して作製した二層タンデムセルの太陽電池特性を表１に
示す。ｎ層の膜組成はＸ線光電子分光法 (ＸＰＳ) によ
り分析した値であり、太陽電池特性は、AM1.5 、100mW
／cm2の擬似太陽光下で測定した値である。
【００１０】
【表１】
【００１１】表１からわかるように、膜中酸素量を増加
させることにより光学ギャップEgが増加し、これにとも
ない短絡電流密度Ｊscが向上している。Ｊscの向上は最
大で約３％となっており、シミュレーションの結果と良
い対応が得られている。一方、フィルファクタＦＦに着
目するとＸ≦0.16の範囲でほぼ一定になっているが、そ
れよりも大きくなると減少することがわかる。これは、
光導電率σphの低下により、ｎ層のバルク抵抗が増加
し、直列抵抗成分が増加したためである。従って、σph
≧１×10-6ｓ／cmの範囲のａ−SiＯ膜をｎ層に用いれ
ば、ＦＦが低下することなくＪscが向上し、変換効率η
が向上することが分かった。
させることにより光学ギャップEgが増加し、これにとも
ない短絡電流密度Ｊscが向上している。Ｊscの向上は最
大で約３％となっており、シミュレーションの結果と良
い対応が得られている。一方、フィルファクタＦＦに着
目するとＸ≦0.16の範囲でほぼ一定になっているが、そ
れよりも大きくなると減少することがわかる。これは、
光導電率σphの低下により、ｎ層のバルク抵抗が増加
し、直列抵抗成分が増加したためである。従って、σph
≧１×10-6ｓ／cmの範囲のａ−SiＯ膜をｎ層に用いれ
ば、ＦＦが低下することなくＪscが向上し、変換効率η
が向上することが分かった。
【００１２】図２は本発明の別の実施例の三層タンデム
セルを示し、図１と共通の部分には同一の符号が付され
ている。この場合は、第二のｎ／ｐ接合を作る第二ｎ層
８もσph≧１×106 ｓ／cmの条件を満たすａ−SiＯによ
って形成して二層タンデムセルと同様の効果を得た。な
お、第三ｐ層９をａ−SiＣにより、第三ｎ層11をａ−Si
により形成することは、図１における第二層セルと同様
であるが、第三ｉ層10にアモルファスシリコンゲルマニ
ウムを適用して長波長感度の向上を図っている。
セルを示し、図１と共通の部分には同一の符号が付され
ている。この場合は、第二のｎ／ｐ接合を作る第二ｎ層
８もσph≧１×106 ｓ／cmの条件を満たすａ−SiＯによ
って形成して二層タンデムセルと同様の効果を得た。な
お、第三ｐ層９をａ−SiＣにより、第三ｎ層11をａ−Si
により形成することは、図１における第二層セルと同様
であるが、第三ｉ層10にアモルファスシリコンゲルマニ
ウムを適用して長波長感度の向上を図っている。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、タンデムセルのセル間
にあるｎ／ｐあるいはｐ／ｎ接合部の光入射側の層に酸
素量を調整したａ−SiＯを適用することにより、ｉ層の
背後にあるｎ層あるいはｐ層での光吸収ロスが減少し、
短絡電流密度の向上が達せられる。これによって、従来
の方法により製造されたタンデムセルよりも高い変換効
率を示す薄膜太陽電池を得ることができた。
にあるｎ／ｐあるいはｐ／ｎ接合部の光入射側の層に酸
素量を調整したａ−SiＯを適用することにより、ｉ層の
背後にあるｎ層あるいはｐ層での光吸収ロスが減少し、
短絡電流密度の向上が達せられる。これによって、従来
の方法により製造されたタンデムセルよりも高い変換効
率を示す薄膜太陽電池を得ることができた。
【図１】本発明の実施される二層のタンデムセルの断面
図
図
【図２】本発明の実施される三層タンデムセルの断面図
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 第一ｐ層 ４ 第一ｉ層 ５ 第一ｎ層 ６ 第二ｐ層 ７ 第二ｉ層 ８ 第二ｎ層 ９ 第三ｐ層 １０ 第三ｉ層 １１ 第三ｎ層 １２ 金属電極
Claims (5)
- 【請求項１】アモルファスシリコンを主材料としてｐｉ
ｎ接合構造を複数積層してなるものにおいて、光の入射
する側から最も遠くにあるｐｉｎ接合構造を除く各ｐｉ
ｎ接合構造のｉ層の反光入射側にあるｐ層あるいはｎ層
が、一般式ａ−Si(1-x) Ｏx で表わされ、ｘが0.2 未満
であるアモルファスシリコンオキサイドからなることを
特徴とする薄膜太陽電池。 - 【請求項２】ｉ層の反光入射側にあるアモルファスシリ
コンオキサイド層の光学ギャップが1.9eV ないし2.1eV
の範囲にある請求項１記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項３】ｉ層の反光入射側にあるアモルファスシリ
コンオキサイド層の光導電率が１×10-6ｓ／cm以上であ
る請求項１あるいは２記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項４】アモルファスシリコンを主材料としたｐｉ
ｎ接合構造を複数積層する薄膜太陽電池の製造方法にお
いて、光の入射する側から最も遠いｐｉｎ接合構造を除
く各ｐｉｎ接合構造のｉ層の反光入射側にあるｐ層ある
いはｎ層を、モノシラン、二酸化炭素、水素およびドー
ピング用の不純物を含むガスの混合ガスを分解すること
により生ずるアモルファスシリコンオキサイドで形成す
ることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項５】分解をグロー放電分解による請求項４記載
の薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252640A JPH0595126A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252640A JPH0595126A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595126A true JPH0595126A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17240166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3252640A Pending JPH0595126A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595126A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5507881A (en) * | 1991-09-30 | 1996-04-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin-film solar cell and method of manufacturing same |
| WO2005011001A1 (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-03 | Kaneka Corporation | 積層型光電変換装置 |
| JP2005135987A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Kaneka Corp | 積層型光電変換装置及びその製造方法 |
| WO2007074683A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Kaneka Corporation | 積層型光電変換装置 |
| CN100420039C (zh) * | 2003-07-24 | 2008-09-17 | 株式会社钟化 | 层积型光电变换装置 |
| WO2010104041A1 (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| EP2834856A4 (en) * | 2012-04-03 | 2015-12-09 | Lg Electronics Inc | THIN-FILM SOLAR CELL |
| US9640955B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-05-02 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Wire harness and connector |
| US9698523B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-07-04 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Connector and wire harness |
| WO2017130654A1 (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | 長州産業株式会社 | 光発電素子 |
| JP2020505786A (ja) * | 2017-01-18 | 2020-02-20 | エネル グリーン パワー エス．ピー．エー．Ｅｎｅｌ Ｇｒｅｅｎ Ｐｏｗｅｒ Ｓ．Ｐ．Ａ． | シングル型、タンデム型ならびにヘテロ接合型太陽電池装置およびその形成方法 |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP3252640A patent/JPH0595126A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5507881A (en) * | 1991-09-30 | 1996-04-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin-film solar cell and method of manufacturing same |
| WO2005011001A1 (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-03 | Kaneka Corporation | 積層型光電変換装置 |
| CN100420039C (zh) * | 2003-07-24 | 2008-09-17 | 株式会社钟化 | 层积型光电变换装置 |
| US7550665B2 (en) | 2003-07-24 | 2009-06-23 | Kaneka Corporation | Stacked photoelectric converter |
| JP2005135987A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Kaneka Corp | 積層型光電変換装置及びその製造方法 |
| JP5180590B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2013-04-10 | 株式会社カネカ | 積層型光電変換装置 |
| WO2007074683A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Kaneka Corporation | 積層型光電変換装置 |
| US7851695B2 (en) | 2005-12-26 | 2010-12-14 | Kaneka Corporation | Stacked-type photoelectric conversion device |
| WO2010104041A1 (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| JP5197845B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2013-05-15 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| EP2834856A4 (en) * | 2012-04-03 | 2015-12-09 | Lg Electronics Inc | THIN-FILM SOLAR CELL |
| US9640955B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-05-02 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Wire harness and connector |
| US9698523B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-07-04 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Connector and wire harness |
| WO2017130654A1 (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | 長州産業株式会社 | 光発電素子 |
| JP2020505786A (ja) * | 2017-01-18 | 2020-02-20 | エネル グリーン パワー エス．ピー．エー．Ｅｎｅｌ Ｇｒｅｅｎ Ｐｏｗｅｒ Ｓ．Ｐ．Ａ． | シングル型、タンデム型ならびにヘテロ接合型太陽電池装置およびその形成方法 |
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