JPH0519497A

JPH0519497A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH0519497A
Application number: JP19576391A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Tamaki; 喜代志玉城; Shigeki Takeuchi; 茂樹竹内
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1991-07-10
Filing date: 1991-07-10
Publication date: 1993-01-29

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】キャリア輸送能に優れ、高感度でありかつ繰
り返しの電位安定性に優れた電子写真感光体を提供す
る。【構成】導電性支持体上に少なくともポリシラン及び
紫外線吸収剤を含有する電荷輸送層を有する電子写真感
光体において、該ポリシランが下記一般式（Ｉ）及び／
又は一般式（II）で表わされる繰り返し単位を有する単
独重合体もしくは共重合体であり、かつ紫外線吸収剤が
下記一般式（III），（IV）又は（Ｖ）で表わされる化
合物である電子写真感光体に関する。（Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃及びＲ₄は水素原子、ハロゲン原子、エ
ーテル基、（置換）アルキル基等。）（Ｒ₅，Ｒ₆，Ｒ₇，Ｒ₈及びＲ₉はそれぞれ水素原子、ア
ルキル基、アリール基等、Ａ_１は酸素原子又はイオウ原
子、Ｒ₁₀及びＲ₁₁はそれぞれアルキル基、アリール基
等、Ｒ₁₂は（置換）アリール基、Ａ_２は―ＣＨ_２―又は
―ＣＨ＝ＣＲ₁₃―、Ｒ₁₃は水素原子又はハロゲン原子を
表わす。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子写真感光体に関し、
さらに詳しくはキャリア輸送能に優れ、高感度で高耐久
性の電子写真感光体に関する。

【０００２】

【従来技術】従来、電子写真感光体としては、セレン、
酸化亜鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を主成
分とする感光層を設けた無機感光体が広く使用されてき
た。しかしながら、このような無機感光体は複写機等の
電子写真感光体として要求される光感度、熱安定性、耐
湿性、耐久性等の特性において必ずしも満足できるもの
ではなかった。

【０００３】このような無機光導電性物質の欠点を改善
するために、種々の有機の光導電性物質を電子写真感光
体の感光層に使用することが試みられ、近年活発に研究
が行われている。例えば特公昭50-10496号公報には、ポ
リビニルカルバゾールとトリニトロフルオレノンを含有
した感光層を有する有機感光体が記載されている。しか
し、この感光体は感度及び耐久性において十分なもので
はなかった。そのため、電荷発生機能と電荷輸送機能を
異なる物質に個別に分担させた機能分離型の電子写真感
光体が開発された。このような機能分離型の電子写真感
光体は電荷発生機能と電荷輸送機能を有する物質を広範
囲から選択することができるので、任意の特性を得やす
く、感度が高く、耐久性の優れた有機感光体を得ること
ができる。

【０００４】前記電荷発生機能を分担する電荷発生物質
としては、各種のアゾ化合物、縮合多環化合物及びフタ
ロシアニン系化合物が、また電荷輸送機能を分担する電
荷輸送物質としては、例えば特開昭51-94829号、同52-7
2231号、同53-27033号、同55-52063号、同58-65440号、
同58-198425号等の各公報に提案されているものが用い
られた。

【０００５】しかし、上記の電荷輸送物質を用いて構成
された機能分離型の感光体は、電荷輸送能が十分ではな
く、特に環境温度が低い状態で高速度の複写プロセスに
供すると感度低下を生じ、或は残留電位の上昇を招くと
いう欠点を有していた。又、感光体ドラムの小径化によ
って複写プロセスの軽便化を図っても従来の電荷輸送物
質では電荷輸送能が十分ではないため、ドラム小径化は
必然的にプロセス速度の低下を招くことになる。

【０００６】斯かる事情から、最近、電荷（正孔）輸送
物質として特定の構造のポリシランを用いた感光体につ
いての技術が提案されるようになった（特開昭61-10747
号、同62-269964号、同63-285552号参照）。このポリシ
ランによれば、既述の電荷輸送物質と異なり自己成膜性
を有しているため、他のバインダと組合せることなく容
易に膜状の感光層を形成することができ、又正孔の移動
度が約10^-4cm²／Ｖ・secのオーダもしくはそれ以上と従
来の電荷輸送物質に比して約１桁以上大きくなった。

【０００７】

【発明が解決すべき課題】しかしポリシランを用いた感
光体は光、オゾン等に対しての化学的安定性に欠け、劣
化を受けやすい。これはポリシランの主鎖の開裂が起こ
り、末端に−ＳｉＯ−結合が生じ光導電性が失なわれ残
留電位の上昇が起こるものと考えられる。その劣化を抑
えるために紫外線吸収剤が添加されていたが、従来の紫
外線吸収剤では耐光（紫外線）性が充分ではなく、又感
度低下を生じるものもあり望ましいものではなかった。
ポリシランを用いた感光体に対しても感度低下を生じず
かつ紫外線吸収能力に優れた紫外線吸収剤が望まれてい
た。

【０００８】本発明は上記問題点を解決すべくなされた
ものであり、本発明の目的はキャリア輸送能に優れ、高
感度でありしかも繰り返しの電位安定性に優れた電子写
真感光体を提供することにある。

【０００９】本発明者等は鋭意検討した結果、本発明に
係る紫外線吸収剤をポリシラン含有の感光体に用いるこ
とにより、従来に比べて著しく優れた耐光（紫外線）性
を示しかつ他の電子写真特性に対し悪影響を及ぼさない
実用に適した優れた感光体が得られることを見出した。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、導電性
支持体上に少なくともポリシラン及び紫外線吸収剤を含
有する電荷輸送層を有する電子写真感光体において、該
ポリシランが下記一般式（Ｉ）及び／又は一般式（II）
で表わされる繰り返し単位を有する単独重合体もしくは
共重合体であり、かつ紫外線吸収剤が下記一般式（II
I），（IV）又は（Ｖ）で表わされる化合物であること
を特徴とする電子写真感光体によって達成される。

【００１１】

【化７】（式中Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃及びＲ₄はそれぞれ水素原子、ハロ
ゲン原子、エーテル基、置換もしくは未置換のアルキル
基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未
置換のアルコキシ基、アルキルシリル基又はアリールシ
リル基を表わす。）

【００１２】

【化８】（式中Ｒ₅，Ｒ₆，Ｒ₇，Ｒ₈及びＲ₉はそれぞれ水素原
子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、シクロア
ルキル基又はヘテロ環基を表わす。）

【００１３】

【化９】（式中Ａ₁は酸素原子又はイオウ原子を表わし、Ｒ₁₀及
びＲ₁₁はそれぞれアルキル基、アリール基、アルケニル
基、アラルキル基又は他の

【００１４】

【化１０】基を含む有機基を表わす。）

【００１５】一般式（Ｖ）Ｒ₁₂−Ａ₂−ＣＯＣＯＯＨ（式中Ｒ₁₂はアリール基又は置換アリール基を表わし、
Ａ₂は−ＣＨ₂−又は−ＣＨ＝ＣＲ₁₃−を表わし、Ｒ₁₃は
水素原子又はハロゲン原子を表わす。）

【００１６】以下本発明を更に詳しく説明する。

【００１７】本発明の電子写真感光体は電荷輸送層中に
ポリシランを含有し、該ポリシランは下記一般式（Ｉ）
及び／又は一般式（II）で表わされる繰り返し単位を有
する単独重合体もしくは共重合体である。

【００１８】

【化１１】（式中Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃及びＲ₄はそれぞれ水素原子、ハロ
ゲン原子、エーテル基、置換もしくは未置換のアルキル
基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未
置換のアルコキシ基、アルキルシリル基又はアリールシ
リル基を表わす。）

【００１９】前記一般式（Ｉ）中Ｒ₁又はＲ₂で表される
アルキル基としては、炭素原子数が１〜24、好ましくは
１〜８の直鎖又は枝分かれしたアルキル基、例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘ
キシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ペンタデ
シル基、ステアリル基、シクロヘキシル基などのシクロ
アルキル基等を挙げることができる。

【００２０】アリール基としては、炭素原子数が６〜24
のものが好ましく、フェニル基、ナフチル基、アンスリ
ル基等を挙げることができる。

【００２１】アルコキシ基としては、炭素原子数が１〜
10のものが好ましく、例えばメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。

【００２２】アルケニル基としては、炭素原子数が２〜
10のものが好ましく、ビニル基、アリル基、ブテニル基
等が挙げられる。

【００２３】アルキルシリル基としては、−ＳｉＨ（Ｃ
Ｈ₃）₂，−Ｓｉ（ＣＨ₃）₃，−Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）₃，−Ｓ
ｉ（Ｃ₃Ｈ₇）₃，−Ｓｉ（Ｃ₄Ｈ₉）₃，−Ｓｉ（ＣＨ₃）₂
（Ｃ₂Ｈ₅），−Ｓｉ（ＣＨ₃）（Ｃ₂Ｈ₅）₂などを挙げる
ことができる。

【００２４】アリールシリル基としては−ＳｉＨ（Ｃ₆
Ｈ₅）₂，−Ｓｉ（ＣＨ₃）₂（Ｃ₆Ｈ₅），−ＣＨ₂Ｓｉ
（ＣＨ₃）₂（Ｃ₆Ｈ₅）などを挙げることができる。

【００２５】前記Ｒ₁又はＲ₂で表されるアルキル基、ア
リール基又はアルコキシ基は置換基を有していてもよ
く、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリ
ール基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子
又はその他の置換基が挙げられる。

【００２６】前記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位
の好ましい例を下記に示す。尚する。

【００２７】

【化１２】

【００２８】

【化１３】

【００２９】

【化１４】

【００３０】

【化１５】

【００３１】本発明においては、重合度がスチレン換算
で重量平均分子量Ｍw＝5000〜2000000のものが好ましく
用いられる。

【００３２】前記一般式（II）中Ｒ₃又はＲ₄で表される
アルキル基は炭素原子数20以下のものが好ましく、例え
ばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、ｔ−ブチル基、
ｎ−ペンチル基、neo−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、
ｎ−オクチル基、ヘキサデシル基等が挙げられる。また
Ｒ₃又はＲ₄で表されるハロゲン原子としては、塩素、臭
素、ヨウ素等が挙げられ、アリール基としてはフェニル
基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基又はナフチル
基等が挙げられ、アルコキシ基としては例えばメトキシ
基、エトキシ基、イソプロポキシ基、フェノキシ基等が
挙げられる。これらの基は置換基を有していてもよく、
置換基としては、カルボキシル基、アミノ基、ハロゲン
原子、水酸基、アルデヒド基等が挙げられる。

【００３３】本発明に好ましく用いられるポリシランと
しては例えばシクロテトラシラン類が挙げられるが、そ
の具体例としては、デカメチルビシクロ［２．２．０］
ヘキサシラン（Decamethyl bicyclo [2.2.0] hexasilan
e）、デカイソプロピルビシクロ［２．２．０］ヘキサ
シラン（Decaisopropyl bicyclo [2.2.0] hexasilan
e）、ドデカメチルトリシクロ［４．２．０．０^2,5］オ
クタシラン（Dodecamethyl tricyclo [4.2.0.0^2,5] oct
asilane）、ドデカイソプロピルトリシクロ［４．２．
０．０^2,5］オクタシラン（Dodecaisopropyl tricyclo
[4.2.0.0^2,5] octasilane）、テトラデカイソプロピル
テトラシクロ［６．２．０．０．^2,7．０^3,6］デカシラ
ン（Tetradecaisopropyl tetracyclo [6.2.0.0.^2,7.0
^3,6] decasilane）、ヘキサデカイソプロピルペンタシ
クロ［８．２．０．０^2,9．０^3,8．０^4,7］ドデカシラ
ン（Hexadecaisopropyl pentacyclo [8.2.0.0^2,9.0^3,8.
0^4,7] dodecasilane）、

【００３４】

【化１６】（但し、ｉＰｒはイソプロピル基、Ｅｔはエチル基を示
す。）などが挙げられる。

【００３５】本発明においては重合度がスチレン換算で
重量平均分子量Ｍw＝1000〜2000000のポリシランが好ま
しく用いられる。

【００３６】本発明において重合度ｎはｎ＝10〜20000
の範囲であることが好ましい。

【００３７】また本発明においては下記一般式で示され
るように、適当な繰返し単位を有するランダム共重合体
及びブロック共重合体等による多次元共重合体が可能で
ある。

【００３８】

【化１７】式中、ｌ，ｍ及びｎはそれぞれ０又は正の整数を表わ
し、Ｒ₁′〜Ｒ₁₄′はそれぞれ水素原子、ハロゲン原
子、エーテル基、アルキル基、水酸基、アルケニル基ま
たはアリール基である。また末端基であるＲ₁′，
Ｒ₂′，Ｒ₃′，Ｒ₄′，Ｒ₁₁′，Ｒ₁₂′，Ｒ₁₃′，
Ｒ₁₄′等はハロゲン原子、水酸基、−Ｏ−Ｓi(Ｒ′)
₃（但しＲ′は置換基）、アルコキシ基、アルキルチオ
エーテル基、アリールチオエーテル基等が好ましく、更
にはこれらの基と他の分子を縮合させて新たな分子を作
っていてもよい。

【００３９】上記ポリシランについては、例えば特開平
2-19853号公報に記載されており、特願昭62-138287号及
び特開平2-19853号公報記載の方法又は特開昭61-170747
号公報、ジャーナルオブオルガノメタリックケミ
ストリー（R.West，J.Organomet.Chem.，300，327 (198
6)）、R.D.Miller and J.Michl，Chemical Reviewsvol.
89 1359頁（1989）に準じて簡単に合成することができ
る。

【００４０】本発明の電子写真感光体は電荷輸送層中に
前記一般式（III）、一般式（IV）又は一般式（Ｖ）で
表わされる紫外線吸収剤を含有する。

【００４１】一般式（III）において、Ｒ₅，Ｒ₆，Ｒ₇，
Ｒ₈又はＲ₉で表わされるアルキル基は直鎖状でも分岐状
でもよいが、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ｔ−ブチル、オクチル、ｔ−オクチル、ドデシル、
sec−ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコ
シル等が挙げられる。アリール基としては例えばフェニ
ル基、ナフチル基等が挙げられ、アラルキル基としては
例えばベンジル基、フェニルエチル基、メチルベンジル
基、ナフチルメチル基等が挙げられ、シクロアルキル基
としては例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、
シクロヘプチル基等が挙げられ、ヘテロ環基としては窒
素原子、酸素原子、イオウ原子等を含有するヘテロ環が
好ましく、例えばフリル、ピラニル、テトラヒドロピラ
ニル、イミダゾリル、ピロニル、ピリミジル、ピラジニ
ル、トリアジニル、チエニル、キノリル、オキサゾリ
ル、チアゾリル、ピリジル等が挙げられる。

【００４２】以下本発明に好ましく用いられる一般式
（III）で表わされる化合物の具体的例示化合物を示す
が、本発明はこれらにより限定されるものではない。

【００４３】

【化１８】

【００４４】一般式（IV）において、Ｒ₁₀又はＲ₁₁で表
わされるアルキル基、アリール基又はアラルキル基とし
ては一般式（III）におけるＲ₅〜Ｒ₉で表わされるもの
と同様のものが挙げられ、アルケニル基としてはアリル
基、ブテニル基、オクテニル基もしくはオレイル基等が
挙げられる。

【００４５】以下に本発明に好ましく用いられる一般式
（IV）で表わされる化合物の具体的例示化合物を示す
が、本発明はこれらにより限定されるものではない。

【００４６】

【化１９】

【００４７】一般式（Ｖ）において、Ｒ₁₂は置換もしく
は無置換のアリール基を表わし、具体的には

【００４８】

【化２０】等が挙げられる。以下本発明に好ましく用いられる一般
式（Ｖ）で表わされる化合物の具体的例示化合物を示す
が、本発明はこれらにより限定されるものではない。

【００４９】

【化２１】

【００５０】

【化２２】

【００５１】紫外線吸収剤（ＵＶ吸収剤と称す）の有機
物質に対する安定化機構は、紫外線の保有する分解エネ
ルギーがＵＶ吸収剤内で振動エネルギーに変化すること
によるものと思われる。この振動エネルギーは熱エネル
ギーとして該ＵＶ吸収剤から放出されるが、熱エネルギ
ーでは有機物質を劣化させるには既に不十分であり、感
光体は紫外線の繰り返し照射による害から保護されるこ
とになる。

【００５２】上記一般式（III），（IV）又は（Ｖ）で
表わされる紫外線吸収剤は例えば特開昭63-153553号、
同63-159855号、同63-163359号等に準じて容易に合成す
ることができる。

【００５３】本発明において前記一般式（III）〜
（Ｖ）で表わされる紫外線吸収剤の添加量は、感光体の
層構成、電荷発生物質の種類などによって一定でない
が、ポリシランに対して0.1〜100重量％、好ましくは0.
5〜50重量％、特に好ましくは１〜25重量％の範囲であ
る。

【００５４】本発明に用いられる電荷発生物質としては
例えばアゾ系顔料、多環キノン系顔料、スクエアリウム
系顔料又はペリレン系顔料、フタロシアニン系顔料等が
挙げられる。これらの中ではアゾ系顔料、多環キノン系
顔料又はフタロシアニン系顔料を用いることが特に好ま
しい。

【００５５】本発明に用いられるアゾ系顔料については
特開平1-179155号公報に記載されており、例えば下記一
般式（イ）〜一般式（ハ）で示されるものが挙げられ
る。

【００５６】

【化２３】（式中Ｃｐ₁及びＣｐ₂はそれぞれカプラー残基を表わ
し、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキ
シル基を表わし、ｍ¹及びｍ²はそれぞれ０〜３の整数を
表わす。但し、ｍ¹個のＲ¹及びｍ²個のＲ²はそれぞれ同
じでも異なっていてもよい。）

【００５７】

【化２４】（式中Ｃｐ₁及びＣｐ₂はそれぞれカプラー残基を表わ
す。）

【００５８】

【化２５】（式中Ｃｐ₁及びＣｐ₂はそれぞれカプラー残基を表わ
す。）

【００５９】前記一般式（イ）〜（ハ）において、Ｃｐ
₁又はＣｐ₂で表わされるカプラー残基としては、例えば
下記一般式（１）〜（11）で示すものが挙げられ、各式
においてＣｐ₁及びＣｐ₂はそれぞれ同じでも異なってい
てもよい。

【００６０】

【化２６】

【００６１】

【化２７】式中、Ｚはベンゼン環と縮合して多環式芳香族環あるい
は複素環を形成するに必要な原子群を表わす。

【００６２】Ｒ₁′，Ｒ₂′は水素原子、アルキル基、ア
ラルキル基、アリール基、複素環基あるいはそれらの置
換体を表わす。また窒素原子あるいは炭素原子と共に環
を形成してもよい。

【００６３】Ｒ₃′はＯ，Ｓ，−ＮＨを表わす。

【００６４】Ｒ₄′，Ｒ₅′は水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、アセ
チル基を表わす。

【００６５】Ｙは５員環、６員環を形成するに必要な原
子群を表わす。

【００６６】Ａは炭素環式芳香族環又は複素環式芳香族
環の２価の基を表わす。

【００６７】Ｒ₆′はアルキル基、アラルキル基、アリ
ール基、複素環基あるいはそれらの置換体を表わす。

【００６８】Ｒ₇′は水素原子、アルキル基、ジアルキ
ルアミノ基、ジアリールアミノ基、ジアラルキルアミノ
基、カルバモイル基、カルボキシル基またはそのエステ
ル基を表わす。

【００６９】Ｒ₈′は芳香族環基あるいはその置換体を
表わす。

【００７０】前記Ｚの芳香族環としては、ベンゼン、ナ
フタレンなどがあり、複素環としてはインドール、カル
バゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフランなどがある。
Ｚは置換基を有してもよく、置換基としては、ハロゲン
原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子など）、
アルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基など）、アルコキシ基（例えばメトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など）、ニトロ基
などがあげられる。

【００７１】なお前記一般式（１）〜（11）で示される
カプラー残基の具体例としては例えば特願平2-277176号
第72〜75頁記載の化合物Ｎo.１〜15が挙げられる。また
本発明に好ましく用いられるアゾ系顔料の具体例として
は例えば特願平2-277176号第76頁記載の化合物が挙げら
れ、次頁に代表的な例を示すが本発明はこれらに限定さ
れるものではない。

【００７２】

【化２８】

【００７３】本発明に用いられる多環キノン系顔料につ
いては特開昭59-184349号公報に記載されており、例え
ば下記一般式（ニ）〜（ヘ）で示されるものが挙げられ
るが本発明においては一般式（ニ）で示されるものが特
に好ましい。

【００７４】

【化２９】（一般式（ニ）〜（ヘ）において式中Ｘ₁はハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、アシル基又はカルボキシル基
を表わし、ｎ¹は０〜４の整数を表わし、ｎ²は０〜６の
整数を表わす。）

【００７５】本発明に好ましく用いられる多環キノン系
顔料の具体例としては例えば特願平2-277176号第79〜80
頁記載の化合物（Ｘ−１）〜（ＸII−１）、化合物１〜
２が挙げられる。

【００７６】本発明に用いられるスクエアリウム系顔料
としては例えば下記一般式（ト）で示されるものが挙げ
られる。

【００７７】

【化３０】（式中、Ｒ^0′，Ｒ^1′及びＲ^2′は、それぞれ水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、水酸基
またはＮＨＹ′を表わす。Ｙ′は、てもよいアルキル基、フェニル基もしくは水素原子を表
わす。）を表わす。Ｒ^3′は置換もしくは未置換のアル
キル基を表わす。Ｘ₂は少なくとも６員の飽和若しくは
不飽和の単環若しくは多環炭化水素を形成するのに必要
な炭素原子群を表わす。）

【００７８】Ｒ^3′の置換基としては、たとえばヒドロ
キシル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、エ
ステル基、アシル基、ジアルキルアミノ基、ジアラルキ
ルアミノ基、ジアリールアミノ基、アリール基などを挙
げることができる。

【００７９】本発明に好ましく用いられるスクエアリウ
ム系顔料の具体例としては例えば特願平2-277176号第83
〜84頁記載の化合物ＸIII−１〜ＸIII−13が挙げられ
る。

【００８０】本発明に好ましく用いられるペリレン系顔
料としては例えば特願平2-277176号第86〜87頁記載の化
合物Ｎo.Ｐ−１〜Ｐ−９が挙げられる。

【００８１】フタロシアニン系顔料としては金属あるい
は無金属フタロシアニン系顔料が使用可能であり、具体
的にはχ型τ型無金属フタロシアニンと、α−型、β−
型の銅フタロシアニンあるいはチタニルフタロシアニン
等が好ましく用いられる。本発明に好ましく用いられる
チタニルフタロシアニン系顔料としては下記一般式
（チ）で表わされる化合物が挙げられ、詳しくは特開平
3-35246号に示されている。

【００８２】

【化３１】式中、Ｘ¹，Ｘ²，Ｘ³及びＸ⁴はそれぞれ水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基あるいはアルコキシ基を表し、
ｎ，ｍ，ｌ及びｋはそれぞれ０〜４の整数を表す。

【００８３】チタニルフタロシアニン系顔料は、Ｃｕ−
Ｋα線（波長1.541Å）に対するＸ線回折スペクトルに
おいて少なくともブラッグ角２θの9.6°±0.2°と27.2
°±0.2°にピークを持ち、かつ9.6°±0.2°のピーク
強度が27.2°±0.2°のピーク強度の40％以上である結
晶状態のものである。

【００８４】さらに、好ましくは9.6°±0.2°のピーク
強度が27.2°±0.2°のそれの60％以上を示す結晶状態
又は9.6°±0.2°のピーク強度が27.2°±0.2°のそれ
の50％以上で、かつ6.7°±0.2°のピーク強度が、27.2
°±0.2°のそれの30％以下である結晶状態のチタニル
フタロシアニンである。

【００８５】Ｘ線回折スペクトルは次の条件で測定さ
れ、ここでのピークとは、明瞭にノイズと異なった鋭角
の錐状突起である。

【００８６】Ｘ線管球Ｃｕ電圧 40.0 ＫＶ電流 100 ｍＡスタート角度 6.0 deg. ストップ角度 35.0 deg. ステップ角度 0.02 deg. 測定時間 0.50 sec.

【００８７】上記チタニルフタロシアニンの製造は一般
によく知られた方法で作る事ができる。これに限定され
るものではないが、例えば四酸化チタンとフタロジニト
リルとをα−クロルナフタレン等の不活性高沸点溶媒中
で反応温度は160〜300℃で、一般には160〜260℃で反応
させることにより得られるジクロルチタニウムフタロシ
アニンを塩基もしくは水で加水分解することによってチ
タニルフタロシアニンを得ることができる。

【００８８】合成法には更に、優れた方法として、アル
コキシチタネート、所謂チタンカップリング剤を使う方
法がある。

【００８９】チタンカップリング剤としては例えば一般
式（Ｔ）で表わされる化合物が用いられる。

【００９０】一般式（Ｔ）式中、Ｘ₁，Ｘ₂，Ｘ₃及びＸ₄はそれぞれ−ＯＲ₁，−
ＳＲ₂，−ＯＳ₂Ｒ₃，基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アリロイル
基又は複素環基を表し、これらは任意の置換基を有して
いてもよい。）又、Ｘ₁〜Ｘ₄は任意に結合し環を形成し
てもよい。Ｙは配位子を表し、ｎは０，１又は２を表
す。

【００９１】本発明においてはＸ₁〜Ｘ₄が−ＯＲ₁であ
るものが反応性や取り扱い易さ、価格などの点で望まし
い。

【００９２】以下本発明に好ましく用いられるチタンカ
ップリング剤の具体的例示化合物を示す。

【００９３】

【化３２】

【００９４】チタニルフタロシアニンを合成する際の反
応式は下記の通りである。このチタンカップリング剤を
使う方法は副反応のない、従って、高純度品を容易に得
られる優れた方法である。

【００９５】

【化３３】式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₆はそれぞれ水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基又はハロゲン原子を表す。

【００９６】結晶型を得るには、例えば加水分解したチ
タニルフタロシアニンから直接、又は硫酸に溶かして水
に注いで得たアモルファスのものから水の存在下、水に
非混和性の有機溶媒で処理することによって得ることが
できる。処理に用いられる装置としては一般的な攪拌装
置の他に、ホモミキサー、ディスパーサ、アジター、或
はボールミル、サンドミル、アトライタ等を用いること
ができる。

【００９７】本発明では必要に応じて電荷輸送物質（以
下ＣＴＭということもある）を添加してもよく、例えば
下記一般式（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）又は（ｅ）
で表わされる化合物が好ましく用いられる。これらにつ
いての詳細は特願平2-277176号に記載されている。

【００９８】

【化３４】（式中、Ｒ₃は水素原子、アルキル基又はアリール基を
表わし、Ｒ₄は置換基を表わし、Ａ₁はフェニレン基又は
ナフチレン基を表わし、Ａｒ₁及びＡｒ₂はそれぞれアル
キル基、フェニル基又はナフチル基を表わし、Ａｒ₃は
水素原子、フェニル基又はナフチル基を表わし、ｎ₁は
０又は１を表わし、ｎ₂は０〜５の整数を表わす。）

【００９９】

【化３５】（式中、Ｒ₅，Ｒ₆及びＲ₇はそれぞれ水素原子、アルキ
ル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を表わし、Ｒ
₈は水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアリール
基を表わし、ｍ及びｌは１又は２を表わし、ｑは０又は
１を表わす。ｍ及びｌが２の時、Ｒ₅及びＲ₆はそれぞれ
同一であっても異なっていてもよい。）

【０１００】

【化３６】（式中、Ａｒ₄及びＡｒ₅はそれぞれアリール基を表し、
Ａｒ₆はアリーレン基を表し、Ａｒ₇はｐ−フェニレン基
又はナフチレン基を表し、Ｒ₉及びＲ₁₀はそれぞれアル
キル基を表わす。）

【０１０１】

【化３７】（式中、Ｒ₁₁及びＲ₁₃はそれぞれジアルキルアミノ基を
表し、Ｒ₁₂及びＲ₁₄はそれぞれハロゲン原子又はシアノ
基を表し、Ａｒ₈及びＡｒ₉はそれぞれフェニル基又はナ
フチル基を表し、ｍ₁，ｍ₂，ｍ₃及びｍ₄はそれぞれ０又
は１を表す。但しｍ₁とｍ₃が同時に０になることはな
い。）

【０１０２】

【化３８】（式中、Ｒ₁₅は水素原子又は置換基を表し、Ｒ₁₆は水素
原子、アルキル基又はアリール基を表し、Ａｒ₁₀は水素
原子、ベンジル基、フェニル基又はナフチル基を表し、
Ａｒ₁₁はフェニレン基又はナフチレン基を表わし、Ａｒ
₁₂はアルキル基、フェニル基又はナフチル基を表わし、
ｋ₁は０〜５の整数を表わし、ｋ₂は０又は１を表す。）

【０１０３】本発明の電子写真感光体の構成は通常は、
図１（イ）〜（ニ）に示される形態である。（イ）及び
（ロ）では、導電性支持体１上に電荷発生物質を含有す
る電荷発生層２と、ポリシラン及び必要に応じて電荷輸
送物質を含有する電荷輸送層３との積層体より成る感光
層４Ａ，４Ｂを設けており、（イ）と（ロ）では、電荷
発生層２と電荷輸送層３の積層順が異なる。（ハ）及び
（ニ）に示すようにこれらの感光層４Ａ，４Ｂは、導電
性支持体１上に、接着層、バリア層などの中間層５を介
して設けてもよい。また、最表面層として保護層を設け
てもよい。本発明においては電荷発生層中に電荷発生物
質の他に電荷輸送物質を添加してもよい。

【０１０４】感光層、保護層、中間層に使用可能なバイ
ンダー樹脂としては、任意のものを用いることができる
が、例えばポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、
酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エポキシ
樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステ
ル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリ
コン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型
樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂の繰り返し単
位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂等が挙げられ
る。またこれらの絶縁性樹脂の他、ポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾール等の高分子有機半導体が挙げられる。

【０１０５】次に前記感光層を支持する導電性支持体と
しては、アルミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ド
ラム又は金属箔をラミネートした、或はアルミニウム、
酸化錫、酸化インジュウムなどを蒸着したプラスチック
フィルムあるいは導電性物質を塗布した紙、プラスチッ
クなどのフィルム又はドラムを使用することができる。

【０１０６】本発明において、電荷発生層は代表的には
前述の電荷発生物質及び必要に応じて電荷輸送物質を適
当な分散媒に単独もしくは適当なバインダ樹脂と共に分
散せしめた分散液を例えばディップ塗布、スプレイ塗
布、ブレード塗布、ロール塗布等によって支持体若しく
は下引層上又は電荷輸送層上に塗布して乾燥させる方法
により設けることができる。また本発明において電荷発
生物質の分散にはボールミル、ホモミキサ、サンドミ
ル、超音波分散機、アトライタ等が用いられる。

【０１０７】本発明に用いられる分散媒としては、例え
ばヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水
素類；メチレンクロライド、１，２−ジクロルエタン、
sym−テトラクロルエタン、１，１，２−トリクロルエ
タン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素；アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；メタノー
ル、エタノール、プロパノール、ブタノール、シクロヘ
キサノール、ヘプタノール、エチレングリコール、メチ
ルセルソルブ、エチルセルソルブ、酢酸セルソルブ等の
アルコール類及びこの誘導体；テトラヒドロフラン、
１，４−ジオキサン、フラン、フルフラール等のエーテ
ル、アセタール類；ピリジンやブチルアミン、ジエチル
アミン、エチレンジアミン、イソプロパノールアミン等
のアミン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド
類等の窒素化合物を用いることができる。

【０１０８】本発明の感光体が積層型構成の場合、電荷
発生層中のバインダ：電荷発生物質：電荷輸送物質の重
量比は０〜100：１〜500：０〜500が好ましい。電荷発
生物質の含有割合がこれより少ないと感度が低く、残留
電位の増加を招き、またこれより多いと暗減衰及び受容
電位が低下する。

【０１０９】以上のようにして形成される電荷発生層の
膜厚は、好ましくは0.01〜10μm、特に好ましくは0.1〜
５μmである。

【０１１０】本発明において電荷輸送層は、ポリシラン
及び必要に応じて電荷輸送物質を適当な分散媒に単独で
あるいは上述のバインダ樹脂と共に溶解分散せしめたも
のを塗布、乾燥して形成することができる。用いられる
分散媒としては前記電荷発生物質の分散において用いた
分散媒を用いることができる。

【０１１１】本発明においてポリシラン及び必要に応じ
て添加される電荷輸送物質は電荷輸送層全重量中40％以
上含有することが好ましく、特に好ましくは60％以上で
ある。

【０１１２】形成される電荷輸送層の膜厚は、好ましく
は５〜50μm、特に好ましくは５〜30μmである。

【０１１３】本発明において中間層は、前記バインダー
及び必要に応じて添加剤をメタノール、エタノール、ブ
タノール等に溶かしたアルコール溶液又はトルエン等の
溶剤に溶かした溶液を浸漬コーティング法、ロールコー
ティング法、スプレーコーティング法、ワイヤーバーコ
ーティング法、ビードコーティング法又はカーテンコー
ティング法等のコーティング法を用いて基体上に塗工す
ることによって得られる。ただし、前記バインダーには
電荷発生層に用いられるバインダーと同じものが併用さ
れていてもよい。その膜厚は0.1〜５μmが一般的で、好
ましくは0.5〜３μmである。使用されるバインダー量は
溶剤に対して１〜５重量％であることが好ましい。

【０１１４】又、本発明の感光体において、耐刷性向上
等のため感光体表面に保護層（保護膜）を形成してもよ
く、例えば合成樹脂被膜をコーティングしてもよい。

【０１１５】本発明において電荷発生層には感度の向
上、残留電位乃至反復使用時の疲労低減等を目的とし
て、一種又は二種以上の電子受容性物質を含有せしめる
ことができる。電子受容性物質の添加割合は重量比で、
電荷発生物質：電子受容性物質＝100：0.01〜200が好ま
しく、更に好ましくは100：0.1〜100である。

【０１１６】電子受容性物質は電荷輸送層に添加しても
よく、この場合の電子受容性物質の添加割合は重量比
で、全電荷輸送物質：電子受容性物質＝100：0.01〜100
が好ましく、更に好ましくは100：0.1〜50である。

【０１１７】本発明の感光体に使用可能な電子受容性物
質としては、例えば無水コハク酸、無水マレイン酸、ジ
ブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無
水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無
水フタル酸、４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリッ
ト酸、無水メリット酸、テトラシアノエチレン、テトラ
シアノキノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニ
トロベンゼン、１，３，５−トリニトロベンゼン、パラ
ニトロベンゾニトリル、ピクリルクロライド、キノンク
ロルイミド、クロラニル、ブルマニル、２−メチルナフ
トキノン、ジクロロジシアノパラベンゾキノン、アント
ラキノン、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオ
レノン、９−フルオレニリデン［ジシアノメチレンマロ
ノジニトリル］、ポリニトロ−９−フルオレニリデン−
［ジシアノメチレンマロノジニトリル］、ピクリン酸、
ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、３，５−ジ
ニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロ
サリチル酸、３，５−ジニトロサリチル酸、フタル酸等
が挙げられる。

【０１１８】また更に表面改質剤としてシリコーンオイ
ルを存在させてもよい。また耐久性向上剤としてアンモ
ニウム化合物が含有されていてもよい。本発明の感光体
には、その他、必要により感色性補正の染料を含有して
もよい。

【０１１９】本発明の感光体に用いられる光源としては
ハロゲンランプ、蛍光灯、タングステンランプ、アルゴ
ンレーザー、ヘリウム−ネオンレーザー等の気体レーザ
ー、半導体レーザー、ＬＥＤ等が用いられる。

【０１２０】

【実施例】以下本発明を実施例を用いて具体的に説明す
るが、本発明はこれらによって限定されるものではな
い。

【０１２１】実施例１−（１）感光体試料Ｎo.１〜Ｎo.11 アルミニウム蒸着ポリエステルベースからなる導電性支
持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共
重合体「エスレックＭＦ−10」（積水化学工業社製）よ
りなる厚さ0.1μmの中間層を設けた。

【０１２２】下記の構造式（ＣＧＭ−１）で示される
４，10−ジブロムアンスアンスロン「モノライトレッド
２Ｙ」（ＩＣＩ社製）１重量部と、ポリカーボネート樹
脂「パンライトＬ−1250」（帝人化成社製）0.5重量部
と電荷輸送物質ＣＴＭ−Ｉ 1.0重量部を１，２−ジクロ
ルエタン100重量部に混合し、ボールミルで24時間分散
して塗布液を調製し、この塗布液を用いて浸漬法によ
り、前記中間層上に、乾燥後の膜厚が0.5μmとなるよう
に電荷発生層を形成した。

【０１２３】次いで、ポリシラン及び紫外線吸収剤をト
ルエンに混合し（（ポリシラン＋ＵＶ吸収剤）／トルエ
ン＝15W/V％）塗布液を作製し、前記電荷発生層上に乾
燥後の膜厚が20μmの電荷輸送層を形成し電子写真感光
体試料Ｎo.１〜Ｎo.11を作製した。但しポリシラン及び
紫外線吸収剤は表１に示すように用いた。

【０１２４】得られた試料Ｎo.１〜Ｎo.11についてそれ
ぞれＫonica 1550ＭＲ（コニカ製）の改造機を用いて評
価した。黒紙電位Ｖ_B0、白紙電位Ｖ_W0、残留電位Ｖ_R0を
求め、感度を評価し、また10万コピーの繰り返し評価を
行なった後、黒紙電位Ｖ_B、白紙電位Ｖ_W、残留電位Ｖ_R
を求めた。その結果を表１に示した。

【０１２５】

【化３９】

【０１２６】

【化４０】

【０１２７】

【化４１】

【０１２８】

【表１】表１から明らかなように、本発明の試料は初期及び10万
コピー後の黒紙電位、白紙電位、残留電位すべてにおい
て満足な値が得られ、問題がないものであった。

【０１２９】実施例１−（２）実施例１−（１）においてＵＶ吸収剤の種類をかえた以
外は同様にして感光体試料を作成し同様の評価を行なっ
た。その結果を表２に示す。但しポリシラン、ＵＶ吸収
剤は表２に示すように用いた。

【０１３０】

【化４２】ＵＶ吸収剤（比較用）実施例１−（１）で示したものと同様の化合物ポリシラン：実施例１−（１）で示したものと同様

【０１３１】

【表２】表２から明らかなように、本発明の試料は初期及び10万
コピー後の黒紙電位、白紙電位、残留電位すべてにおい
て満足な値が得られ、問題がないものであった。

【０１３２】実施例１−（３）実施例１−（１）において紫外線吸収剤の種類をかえた
以外は同様にして感光体試料を作成し同様の評価を行な
った。その結果を表３に示す。但しポリシラン、ＵＶ吸
収剤は表３に示すように用いた。

【０１３３】

【化４３】ＵＶ吸収剤（比較用）実施例１−（１）で示したものと同様ポリシラン：実施例１−（１）で示したものと同様

【０１３４】

【表３】表３から明らかなように、本発明の試料は初期及び10万
コピー後の黒紙電位、白紙電位、残留電位すべてにおい
て満足な値が得られ、問題がないものであった。

【０１３５】実施例２−（１）感光体試料Ｎo.34〜44の作製アルミ蒸着ポリエステルベースからなる導電性支持体上
にナイロン共重合体Ｘ1874Ｍ（ダイセルヒュルス株式会
社製）よりなる厚さ0.1μmの中間層を設けた。下記構造
式で示されるビスアゾ顔料１重量部と、ポリカーボネー
ト樹脂「パンライトＬ−1300」（帝人化成社製）0.5重
量部、電荷輸送物質ＣＴＭ−II 1.0重量部をテトラヒ
ドロフラン100重量部に混合し、ボールミルで24時間分
散して塗布液を調製し、この塗布液を用いて浸漬法によ
り、前記中間層上に、乾燥後の膜厚が0.4μmとなるよう
に電荷発生層を形成した。

【０１３６】次いで、前述のポリシラン及び紫外線吸収
剤を表４に示すように用いて塗布液を作製し、前記電荷
発生層上に乾燥後の膜厚が20μmの電荷輸送層を形成
し、電子写真感光体試料Ｎo.34〜44を作製した。但しポ
リシランとＵＶ吸収剤はバインダーなしでＴＨＦに溶解
（ポリシラン＋ＵＶ吸収剤＝15W/V％）して用いた。

【０１３７】得られた試料Ｎo.34〜44についてそれぞれ
Ｋonica 5570ＭＲ（コニカ製）の改造機を用いて評価し
た。黒紙電位Ｖ_B0、白紙電位Ｖ_W0、残留電位Ｖ_R0を求
め、感度を評価し、また10万コピー後の黒紙電位Ｖ_B、
白紙電位Ｖ_W、残留電位Ｖ_Rを評価した。その結果を表４
に示す。

【０１３８】

【化４４】

【０１３９】

【化４５】ポリシラン：実施例１−（１）で示したものと同様

【０１４０】

【表４】表４から明らかなように、本発明の試料は初期及び10万
コピー後の黒紙電位、白紙電位、残留電位すべてにおい
て満足な値が得られ、問題のないものであった。

【０１４１】実施例２−（２）実施例２−（１）において紫外線吸収剤の種類をかえた
以外は同様にして感光体試料を作成し同様の評価を行な
った。その結果を表５に示す。但しポリシラン、ＵＶ吸
収剤は表５に示すように用いた。

【０１４２】ＵＶ吸収剤（本発明）実施例１−（２）で示したものと同じ化合物ＵＶ吸収剤（比較用）実施例１−（２）で示したものと同じ化合物ポリシラン：実施例１−（１）で示したものと同様

【０１４３】

【表５】表５から明らかなように、本発明の試料は初期及び10万
コピー後の黒紙電位、白紙電位、残留電位すべてにおい
て満足な値が得られ、問題がないものであった。

【０１４４】実施例２−（３）実施例２−（１）において紫外線吸収剤の種類をかえた
以外は同様にして感光体試料を作成し、同様の評価を行
なった。その結果を表６に示す。但しポリシラン、ＵＶ
吸収剤は表６に示すように用いた。

【０１４５】ＵＶ吸収剤（本発明）実施例１−（３）で示したものと同じ化合物ＵＶ吸収剤（比較用）実施例１−（３）で示したものと同じ化合物ポリシラン：実施例１−（１）で示したものと同様

【０１４６】

【表６】表６から明らかなように、本発明の試料は初期及び10万
コピー後の黒紙電位、白紙電位、残留電位すべてにおい
て満足な値が得られ、問題がないものであった。

【０１４７】実施例３−（１）チタニルフタロシアニンの合成フタロジニトリル65gとα−クロルナフタレン500mlの混
合物中に窒素気流下で14.7mlの四塩化チタンを滴下した
後、徐々に200℃まで昇温し、反応温度を200℃〜220℃
の間に保って３時間攪拌して反応を完結させた。その後
放冷し130℃になったところで熱時濾過し、α−クロル
ナフタレンで洗浄した後、メタノールで数回洗浄し更に
80℃の熱水で数回洗浄した。

【０１４８】乾燥後その５gを96％硫酸100g中に添加し
３〜５℃で攪拌し、濾過して得られた硫酸溶液を水1.5
リットル中にあけ、析出した結晶を濾取した。次いで洗
浄液が中性となるまで水洗を繰返した。

【０１４９】このようにして得られたヌッチェケーキに
１，２−ジクロルエタンを加え、室温で１時間攪拌した
のち、濾過しメタノール洗浄してチタニルフタロシアニ
ンの結晶を得た。この結晶は図２に示すようにブラッグ
角２θの27.3°に最大強度のピークを有し、又9.6°、1
1.7°、24.1°に特徴的なピークを示した。

【０１５０】感光体試料Ｎo.67〜77の作製アルミニウムを蒸着したポリエステルベース上に共重合
ポリアミド（ＣＭ−8000，東レ社製）よりなる厚さ0.15
μmの下引層を作成した。次いで得られた図２のＸ線回
折パターンを有するチタニルフタロシアニン１部（wt、
以下同様）、バインダ樹脂としてポリビニルブチラール
「ＸＹＨＬ」（ユニオン・カーバイド社製）１部、分散
媒としてメチルエチルケトン100部をサンドミルを用い
て分散し、これを、上記下引層上にワイヤバーを用いて
塗布して、膜厚0.2μmの電荷発生層を形成した。

【０１５１】次いで、合計量で7.5部となるようにポリ
シランとＵＶ吸収剤をトルエン25部に溶解した液をブレ
ード塗布機を用いて塗布し乾燥の後、膜厚15μmの電荷
輸送層を形成し電子写真感光体試料Ｎo.67〜77を作製し
た。但しポリシランとＵＶ吸収剤は表７に示すように用
いた。

【０１５２】得られた試料Ｎo.67〜77についてそれぞれ
Ｋonica ＤＣ8010（コニカ製）の改造機を用いて評価し
た。未露光部電位Ｖ_H0、露光電位Ｖ_L0、残留電位Ｖ_R0を
求め、感度を評価し、また10万コピー後の未露光部電位
Ｖ_H、露光部電位Ｖ_L、残留電位Ｖ_Rを評価した。その結
果を表７に示す。

【０１５３】

【化４６】ポリシラン：実施例１−（１）で示したものと同様

【０１５４】

【表７】表７から明らかなように、本発明の試料は初期及び10万
コピー後の未露光部電位、露光部電位、残留電位すべて
において満足な値が得られ、問題がないものであった。

【０１５５】実施例３−（２）実施例３−（１）において紫外線吸収剤の種類をかえた
以外は同様にして感光体試料を作成し同様の評価を行な
った。その結果を表８に示す。但しポリシラン、ＵＶ吸
収剤は表８に示すように用いた。

【０１５６】ＵＶ吸収剤（本発明）実施例１−（２）で示したものと同じ化合物ＵＶ吸収剤（比較用）実施例１−（２）で示したものと同じ化合物ポリシラン：実施例１−（１）で示したものと同様

【０１５７】

【表８】表８から明らかなように、本発明の試料は初期及び10万
コピー後の未露光部電位、露光部電位、残留電位すべて
において満足な値が得られ、問題がないものであった。

【０１５８】実施例３−（３）実施例３−（１）において紫外線吸収剤の種類をかえた
以外は同様にして感光体試料を作成し同様の評価を行な
った。その結果を表９に示す。但しポリシラン、ＵＶ吸
収剤は表９に示すように用いた。

【０１５９】ＵＶ吸収剤（本発明）実施例１−（３）で示したものと同じ化合物ＵＶ吸収剤（比較用）実施例１−（３）で示したものと同じ化合物ポリシラン：実施例１−（１）で示したものと同様

【０１６０】

【表９】表９から明らかなように、本発明の試料は初期及び10万
コピー後の未露光部電位、露光部電位、残留電位すべて
において満足な値が得られ、問題がないものであった。

【０１６１】

【発明の効果】以上詳しく説明したように本発明により
キャリア輸送能に優れ、高感度かつ繰り返しの電位安定
性に優れた電子写真感光体を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】（イ），（ロ），（ハ），（ニ）はそれぞれ本
発明の感光体の構成例について示す断面図である。

【図２】実施例で用いられたチタニルフタロシアニンの
Ｘ線回折図である。

【符号の説明】

１導電性支持体２電荷発生層３電荷輸送層４Ａ，４Ｂ感光層５中間層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性支持体上に少なくともポリシラン
及び紫外線吸収剤を含有する電荷輸送層を有する電子写
真感光体において、該ポリシランが下記一般式（Ｉ）及
び／又は一般式（II）で表わされる繰り返し単位を有す
る単独重合体もしくは共重合体であり、かつ紫外線吸収
剤が下記一般式（III）で表わされる化合物であること
を特徴とする電子写真感光体。【化１】（式中Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃及びＲ₄はそれぞれ水素原子、ハロ
ゲン原子、エーテル基、置換もしくは未置換のアルキル
基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未
置換のアルコキシ基、アルキルシリル基又はアリールシ
リル基を表わす。）【化２】（式中Ｒ₅，Ｒ₆，Ｒ₇，Ｒ₈及びＲ₉はそれぞれ水素原
子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、シクロア
ルキル基又はヘテロ環基を表わす。）
【請求項２】導電性支持体上に少なくともポリシラン
及び紫外線吸収剤を含有する電荷輸送層を有する電子写
真感光体において、該ポリシランが下記一般式（Ｉ）及
び／又は一般式（II）で表わされる繰り返し単位を有す
る単独重合体もしくは共重合体であり、かつ紫外線吸収
剤が下記一般式（IV）で表わされる化合物であることを
特徴とする電子写真感光体。【化３】（式中Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃及びＲ₄はそれぞれ水素原子、ハロ
ゲン原子、エーテル基、置換もしくは未置換のアルキル
基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未
置換のアルコキシ基、アルキルシリル基又はアリールシ
リル基を表わす。）【化４】（式中Ａ₁は酸素原子又はイオウ原子を表わし、Ｒ₁₀及
びＲ₁₁はそれぞれアルキル基、アリール基、アルケニル
基、アラルキル基又は他の基を含む有機基を表わす。）【化５】基を含む有機基を表わす。）
【請求項３】導電性支持体上に少なくともポリシラン
及び紫外線吸収剤を含有する電荷輸送層を有する電子写
真感光体において、該ポリシランが下記一般式（Ｉ）及
び／又は一般式（II）で表わされる繰り返し単位を有す
る単独重合体もしくは共重合体であり、かつ紫外線吸収
剤が下記一般式（Ｖ）で表わされる化合物であることを
特徴とする電子写真感光体。【化６】（式中Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃及びＲ₄はそれぞれ水素原子、ハロ
ゲン原子、エーテル基、置換もしくは未置換のアルキル
基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未
置換のアルコキシ基、アルキルシリル基又はアリールシ
リル基を表わす。）一般式（Ｖ）Ｒ₁₂−Ａ₂−ＣＯＣＯＯＨ（式中Ｒ₁₂はアリール基又は置換アリール基を表わし、
Ａ₂は−ＣＨ₂−又は−ＣＨ＝ＣＲ₁₃−を表わし、Ｒ₁₃は
水素原子又はハロゲン原子を表わす。）