JPH04291722A - シリコンウェハー表面のヘイズ防止方法 - Google Patents
シリコンウェハー表面のヘイズ防止方法Info
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- JPH04291722A JPH04291722A JP3056743A JP5674391A JPH04291722A JP H04291722 A JPH04291722 A JP H04291722A JP 3056743 A JP3056743 A JP 3056743A JP 5674391 A JP5674391 A JP 5674391A JP H04291722 A JPH04291722 A JP H04291722A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造工程での
シリコンウェハーの鏡面研摩に使用される研摩剤に関す
る。
シリコンウェハーの鏡面研摩に使用される研摩剤に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】半導体
用シリコンウェハーの鏡面化研摩工程には、シリコンイ
ンゴットから切断によってウェハー状に切り出した際に
生じる切断歪層及び表面うねりを除去するラッピング工
程（粗研摩）と、ラッピング工程を経たラップドシリコ
ンウェハーを目的とする表面精度に仕上げるポリッシン
グ工程（精密研摩工程）がある。又ポリッシング工程に
は、大体の精度に仕上げる１次ポリッシング工程（１次
研摩工程）と、目的とする表面精度に仕上げるファイナ
ルポリッシング工程（最終研摩工程）に分別され、場合
によっては、１次ポリッシング工程を２つに分け、１次
、２次ポリッシング工程と称する場合もある。本発明は
、前述のファイナルポリッシング工程用の研摩剤に関す
る。
用シリコンウェハーの鏡面化研摩工程には、シリコンイ
ンゴットから切断によってウェハー状に切り出した際に
生じる切断歪層及び表面うねりを除去するラッピング工
程（粗研摩）と、ラッピング工程を経たラップドシリコ
ンウェハーを目的とする表面精度に仕上げるポリッシン
グ工程（精密研摩工程）がある。又ポリッシング工程に
は、大体の精度に仕上げる１次ポリッシング工程（１次
研摩工程）と、目的とする表面精度に仕上げるファイナ
ルポリッシング工程（最終研摩工程）に分別され、場合
によっては、１次ポリッシング工程を２つに分け、１次
、２次ポリッシング工程と称する場合もある。本発明は
、前述のファイナルポリッシング工程用の研摩剤に関す
る。
【０００３】ファイナルポリッシング工程は、１次、又
は１次、２次ポリッシング工程によって一般的に表面粗
さで４〜２０ｎｍ程度まで仕上げられたシリコンウェハ
ーを目的とする表面粗さまで仕上げる工程を指し、ファ
イナルポリッシング工程をもって半導体の基板としての
シリコンウェハーが仕上がる。実際のファイナルポリッ
シング工程としては、研摩ブロックに複数枚の１次ポリ
ッシング工程を経たシリコンウェハーを貼り付け、この
研摩ブロックを回転テーブル上に接着した軟質人造皮革
（軟質ポリッシャー）に適切なる圧力を加えて密着させ
、ｐＨ８〜１２程度のアルカリ性コロイダルシリカ又は
水に分散させたシリカパウダー研摩液を流し、研摩液と
シリコンウェハーがメカノケミカル作用を起こすことに
よって研摩される。
は１次、２次ポリッシング工程によって一般的に表面粗
さで４〜２０ｎｍ程度まで仕上げられたシリコンウェハ
ーを目的とする表面粗さまで仕上げる工程を指し、ファ
イナルポリッシング工程をもって半導体の基板としての
シリコンウェハーが仕上がる。実際のファイナルポリッ
シング工程としては、研摩ブロックに複数枚の１次ポリ
ッシング工程を経たシリコンウェハーを貼り付け、この
研摩ブロックを回転テーブル上に接着した軟質人造皮革
（軟質ポリッシャー）に適切なる圧力を加えて密着させ
、ｐＨ８〜１２程度のアルカリ性コロイダルシリカ又は
水に分散させたシリカパウダー研摩液を流し、研摩液と
シリコンウェハーがメカノケミカル作用を起こすことに
よって研摩される。
【０００４】しかし、従来のアルカリ性コロイダルシリ
カ研摩液をファイナルポリッシング工程に用いると、研
摩工程終了時にシリコンウェハー表面にヘイズ（曇り）
を生じ、そのままでは使用できない状態であった。
カ研摩液をファイナルポリッシング工程に用いると、研
摩工程終了時にシリコンウェハー表面にヘイズ（曇り）
を生じ、そのままでは使用できない状態であった。
【０００５】又、パウダーシリカを任意の水溶液で分散
した研摩液を研摩に使用すると、ヘイズは生じないが、
シリコンウェハー表面に細かい傷（スクラッチ）を生じ
させ易く、かつ、静置しておくと沈澱するため常に攪拌
しておく必要があり、更に、分散作業自体も大変である
と言う欠点を有していた。
した研摩液を研摩に使用すると、ヘイズは生じないが、
シリコンウェハー表面に細かい傷（スクラッチ）を生じ
させ易く、かつ、静置しておくと沈澱するため常に攪拌
しておく必要があり、更に、分散作業自体も大変である
と言う欠点を有していた。
【０００６】特開平２−１２５４１３号公報には、半導
体ウェハーの曇り防止装置の記載があるが、特殊な装置
を必要とするものであり、新たな設備導入はメーカー側
の負担増となり、非実用的である。特開昭６１−２０９
９０９号、同６１−２０９９１０号各公報にはシリコン
ウェハー研摩用コロイダルシリカの合成法が開示されて
いるが、コストが高く、更に本発明の要旨であるヘイズ
の防止は何ら改善されているものではない。又、特開昭
６２−２８５９７６号、特開平１−２９７４８７号、特
開昭６３−２７２４５８号、同６３−２７２４５９号、
特開平１−１７７９６９号各公報等も同様な理由で本目
的のヘイズ防止能はない。又、ＵＳＰ４１６９３３７号
、ＵＳＰ３１７０２７３号明細書にもシリコンウェハー
用研摩剤の組成が開示されているが、ヘイズの発生を抑
制する機能は何らない状態であり、本目的には不適であ
る。
体ウェハーの曇り防止装置の記載があるが、特殊な装置
を必要とするものであり、新たな設備導入はメーカー側
の負担増となり、非実用的である。特開昭６１−２０９
９０９号、同６１−２０９９１０号各公報にはシリコン
ウェハー研摩用コロイダルシリカの合成法が開示されて
いるが、コストが高く、更に本発明の要旨であるヘイズ
の防止は何ら改善されているものではない。又、特開昭
６２−２８５９７６号、特開平１−２９７４８７号、特
開昭６３−２７２４５８号、同６３−２７２４５９号、
特開平１−１７７９６９号各公報等も同様な理由で本目
的のヘイズ防止能はない。又、ＵＳＰ４１６９３３７号
、ＵＳＰ３１７０２７３号明細書にもシリコンウェハー
用研摩剤の組成が開示されているが、ヘイズの発生を抑
制する機能は何らない状態であり、本目的には不適であ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決すべく鋭意検討の結果、平均粒子径７〜１００ｍμ
のアルカリ性コロイダルシリカにＨＬＢ値１３．０以上
２０未満のノニオン界面活性剤を、コロイダルシリカ中
に含まれるシリカ固形分に対して１ｐｐｍ 〜１．０
重量％添加することによって、何ら特別な処理をするこ
となくヘイズの発生を抑制することができる研摩剤を開
発することに成功し、本発明を完成した。
解決すべく鋭意検討の結果、平均粒子径７〜１００ｍμ
のアルカリ性コロイダルシリカにＨＬＢ値１３．０以上
２０未満のノニオン界面活性剤を、コロイダルシリカ中
に含まれるシリカ固形分に対して１ｐｐｍ 〜１．０
重量％添加することによって、何ら特別な処理をするこ
となくヘイズの発生を抑制することができる研摩剤を開
発することに成功し、本発明を完成した。
【０００８】即ち本発明は、平均粒子径７〜１００ｍμ
のアルカリ性コロイダルシリカにＨＬＢ値１３．０以上
２０未満のノニオン界面活性剤を、コロイダルシリカ中
に含まれるシリカ固形分に対して１ｐｐｍ 〜 １．０
重量％添加してなる、最終精密研摩工程終了時にヘイズ
が生じない、シリコンウェハー用研摩剤を提供するもの
である。
のアルカリ性コロイダルシリカにＨＬＢ値１３．０以上
２０未満のノニオン界面活性剤を、コロイダルシリカ中
に含まれるシリカ固形分に対して１ｐｐｍ 〜 １．０
重量％添加してなる、最終精密研摩工程終了時にヘイズ
が生じない、シリコンウェハー用研摩剤を提供するもの
である。
【０００９】本発明で用いるアルカリ性コロイダルシリ
カは、例えば窒素吸着法（ＢＥＴ法）で測定した平均粒
子径が７〜１００ｍμのもので、一般に市販されている
製品を使用することが出来る。例えば、アデライトＡＴ
−３０Ｓ（旭電化工業（株）、平均粒子径７〜１０ ｍ
μ、シリカ固形分３０重量％）、アデライトＡＴ−３０
（旭電化工業（株）、平均粒子径１０〜１５ ｍμ、シ
リカ固形分３０重量％）、アデライトＡＴ−４０（旭電
化工業（株）、平均粒子径１５〜２０ ｍμ、シリカ固
形分４０重量％）、アデライトＡＴ−５０（旭電化工業
（株）、平均粒子径２０〜３０ ｍμ、シリカ固形分５
０重量％）、アデライトＢＴ−５５（旭電化工業（株）
、平均粒子径３０〜５０ ｍμ、シリカ固形分５０重量
％）、アデライトＢＴ−５７（旭電化工業（株）、平均
粒子径５０〜７０ ｍμ、シリカ固形分５０重量％）、
アデライトＢＴ−５９（旭電化工業（株）、平均粒子径
７０〜１００ｍμ、シリカ固形分５０重量％）等が最適
である。
カは、例えば窒素吸着法（ＢＥＴ法）で測定した平均粒
子径が７〜１００ｍμのもので、一般に市販されている
製品を使用することが出来る。例えば、アデライトＡＴ
−３０Ｓ（旭電化工業（株）、平均粒子径７〜１０ ｍ
μ、シリカ固形分３０重量％）、アデライトＡＴ−３０
（旭電化工業（株）、平均粒子径１０〜１５ ｍμ、シ
リカ固形分３０重量％）、アデライトＡＴ−４０（旭電
化工業（株）、平均粒子径１５〜２０ ｍμ、シリカ固
形分４０重量％）、アデライトＡＴ−５０（旭電化工業
（株）、平均粒子径２０〜３０ ｍμ、シリカ固形分５
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、平均粒子径３０〜５０ ｍμ、シリカ固形分５０重量
％）、アデライトＢＴ−５７（旭電化工業（株）、平均
粒子径５０〜７０ ｍμ、シリカ固形分５０重量％）、
アデライトＢＴ−５９（旭電化工業（株）、平均粒子径
７０〜１００ｍμ、シリカ固形分５０重量％）等が最適
である。
【００１０】本発明で用いるＨＬＢ値１３．０以上２０
未満のノニオン界面活性剤としては、ノニルフェノール
のエチレンオキサイド付加物、パラクメニルフェノール
のエチレンオキサイド付加物、炭素数１２〜１３程度の
第１級アルコールのエチレンオキサイド付加物、炭素数
１２〜１３程度の第２級アルコールのエチレンオキサイ
ド付加物、牛脂グリセライドのエチレンオキサイド付加
物、プロピレンオキサイドとエチレンオキサイドのブロ
ックポリマー、プロピレンオキサイドとエチレンオキサ
イドのランダムポリマー等があるが、上記記載に限定さ
れるものではない。但し、ＨＬＢ値が上記範囲にあるこ
とが必要である。なお、ＨＬＢ値は、下記式によって簡
単に算出できる。
未満のノニオン界面活性剤としては、ノニルフェノール
のエチレンオキサイド付加物、パラクメニルフェノール
のエチレンオキサイド付加物、炭素数１２〜１３程度の
第１級アルコールのエチレンオキサイド付加物、炭素数
１２〜１３程度の第２級アルコールのエチレンオキサイ
ド付加物、牛脂グリセライドのエチレンオキサイド付加
物、プロピレンオキサイドとエチレンオキサイドのブロ
ックポリマー、プロピレンオキサイドとエチレンオキサ
イドのランダムポリマー等があるが、上記記載に限定さ
れるものではない。但し、ＨＬＢ値が上記範囲にあるこ
とが必要である。なお、ＨＬＢ値は、下記式によって簡
単に算出できる。
【００１１】
【数１】
【００１２】ノニオン界面活性剤の添加量としては、上
記ノニオン界面活性剤の単独使用及び混合使用において
有効成分総量で、コロイダルシリカ中に含まれるシリカ
固形分に対して１ｐｐｍ 〜１．０ 重量％である。添
加量が１ｐｐｍ 未満であると目的とする性能が出ず、
１．０ 重量％を越えて添加しても性能の向上は期待で
きず、滑り現象が現れ、シリコンウェハーを研摩・加工
すること自体が困難になる。
記ノニオン界面活性剤の単独使用及び混合使用において
有効成分総量で、コロイダルシリカ中に含まれるシリカ
固形分に対して１ｐｐｍ 〜１．０ 重量％である。添
加量が１ｐｐｍ 未満であると目的とする性能が出ず、
１．０ 重量％を越えて添加しても性能の向上は期待で
きず、滑り現象が現れ、シリコンウェハーを研摩・加工
すること自体が困難になる。
【００１３】本発明のシリコンウェハー用研摩剤は、ア
ルカリ性コロイダルシリカとノニオン界面活性剤を組み
合わせたもので、シリカ濃度０．１ 〜２０重量％に、
更に望ましくは１〜１０重量％の濃度で水に希釈して使
用するのが良いが、限定されるものではない。
ルカリ性コロイダルシリカとノニオン界面活性剤を組み
合わせたもので、シリカ濃度０．１ 〜２０重量％に、
更に望ましくは１〜１０重量％の濃度で水に希釈して使
用するのが良いが、限定されるものではない。
【００１４】
【実施例】以下に各種の実施例を記載するが、本発明は
以下の実施例に限定されるものではない。
以下の実施例に限定されるものではない。
【００１５】実施例１
アデライトＡＴ−３０Ｓ（旭電化工業（株）、平均粒子
径７〜１０ ｍμ、シリカ固形分３０％）をシリカ固形
分 ３．０重量％に希釈した。この希釈したアデライト
ＡＴ−３０Ｓにノニルフェノールのエチレンオキサイド
５０ ｍｏｌ付加物（ＨＬＢ値１８．２）をシリカ固形
分に対して２ｐｐｍ 添加し、良く攪拌して均一化した
。この希釈研摩液を１０リットル／ｈｒの割合で流し、
１次ポリッシング工程を経た１次ポリッシングシリコン
ウェハーを研摩した。研摩条件は以下の通りであった。
径７〜１０ ｍμ、シリカ固形分３０％）をシリカ固形
分 ３．０重量％に希釈した。この希釈したアデライト
ＡＴ−３０Ｓにノニルフェノールのエチレンオキサイド
５０ ｍｏｌ付加物（ＨＬＢ値１８．２）をシリカ固形
分に対して２ｐｐｍ 添加し、良く攪拌して均一化した
。この希釈研摩液を１０リットル／ｈｒの割合で流し、
１次ポリッシング工程を経た１次ポリッシングシリコン
ウェハーを研摩した。研摩条件は以下の通りであった。
【００１６】ポリッシングマシーン：ＬＰＨ−１５改良
機 ラップマスター（株）製 シリコンウェハー：φ４ｉｎｃｈ （１００） ＣＺ
法ポリッシング盤直径：１５ｉｎｃｈ 加工圧力：１００ｇ／ｃｍ２ 加工温度：３０℃ 加工液供給量：１０リットル／ｈｒ 加工時間：１時間 加工枚数：１枚 ポリッシャー：ＳＵＰＲＥＭＥ ＲＮ−Ｈ ロデー
ル・ニッタ（株）製 上記条件下でファイナルポリッシングを１時間行い、終
了後、ウェハー表面を乾燥させないように注意して、過
酸化水素−アンモニア溶液８０℃でＲＣＡ洗浄した。洗
浄後、ＱＤＲ（クイックダンプ洗浄）を行い、スピンド
ライヤーで乾燥させた。乾燥終了後、クリーンベンチ内
でハロゲン平行光（超高輝度検査用照明装置Ｕ１Ｈ−１
Ｈ、インテック（株））の反射を目視で測定し、ヘイズ
の発生を観察した。測定の結果、得られたシリコンウェ
ハーは、ヘイズの発生がなく（ヘイズフリー）、良好な
ものであった。
機 ラップマスター（株）製 シリコンウェハー：φ４ｉｎｃｈ （１００） ＣＺ
法ポリッシング盤直径：１５ｉｎｃｈ 加工圧力：１００ｇ／ｃｍ２ 加工温度：３０℃ 加工液供給量：１０リットル／ｈｒ 加工時間：１時間 加工枚数：１枚 ポリッシャー：ＳＵＰＲＥＭＥ ＲＮ−Ｈ ロデー
ル・ニッタ（株）製 上記条件下でファイナルポリッシングを１時間行い、終
了後、ウェハー表面を乾燥させないように注意して、過
酸化水素−アンモニア溶液８０℃でＲＣＡ洗浄した。洗
浄後、ＱＤＲ（クイックダンプ洗浄）を行い、スピンド
ライヤーで乾燥させた。乾燥終了後、クリーンベンチ内
でハロゲン平行光（超高輝度検査用照明装置Ｕ１Ｈ−１
Ｈ、インテック（株））の反射を目視で測定し、ヘイズ
の発生を観察した。測定の結果、得られたシリコンウェ
ハーは、ヘイズの発生がなく（ヘイズフリー）、良好な
ものであった。
【００１７】実施例２
添加するノニルフェノールのエチレンオキサイド５０
ｍｏｌ付加物の添加量をシリカ固形分に対して０．８
重量％に変更した他は、実施例１に従った。得られたシ
リコンウェハーはヘイズフリーで良好なものであった。
ｍｏｌ付加物の添加量をシリカ固形分に対して０．８
重量％に変更した他は、実施例１に従った。得られたシ
リコンウェハーはヘイズフリーで良好なものであった。
【００１８】実施例３
添加するノニオン界面活性剤をパラクメニルフェノール
のエチレンオキサイド１３ｍｏｌ 付加物（ＨＬＢ値１
４．６）に変更し、シリカ固形分に対する添加量を５ｐ
ｐｍに変更した他は、実施例１に従った。得られたシリ
コンウェハーはヘイズフリーで良好なものであった。
のエチレンオキサイド１３ｍｏｌ 付加物（ＨＬＢ値１
４．６）に変更し、シリカ固形分に対する添加量を５ｐ
ｐｍに変更した他は、実施例１に従った。得られたシリ
コンウェハーはヘイズフリーで良好なものであった。
【００１９】実施例４
添加するパラクメニルフェノールのエチレンオキサイド
１３ ｍｏｌ付加物の添加量をシリカ固形分に対して０
．５ 重量％に変更した他は、実施例３に従った。得ら
れたシリコンウェハーはヘイズフリーで良好なものであ
った。
１３ ｍｏｌ付加物の添加量をシリカ固形分に対して０
．５ 重量％に変更した他は、実施例３に従った。得ら
れたシリコンウェハーはヘイズフリーで良好なものであ
った。
【００２０】実施例５
用いるアルカリ性コロイダルシリカをアデライトＡＴ−
４０（旭電化工業（株）、平均粒子径１５〜２０ ｍμ
、シリカ固形分４０％）に変更し、シリカ固形分８．０
重量％に希釈して用い、添加するノニオン界面活性剤
をノニルフェノールのエチレンオキサイド６０ ｍｏｌ
付加物（ＨＬＢ値１８．６）にし、添加量をシリカ固形
分に対し１ｐｐｍ にした他は、実施例１に従った。得
られたシリコーンウェハーはヘイズフリーで良好なもの
であった。
４０（旭電化工業（株）、平均粒子径１５〜２０ ｍμ
、シリカ固形分４０％）に変更し、シリカ固形分８．０
重量％に希釈して用い、添加するノニオン界面活性剤
をノニルフェノールのエチレンオキサイド６０ ｍｏｌ
付加物（ＨＬＢ値１８．６）にし、添加量をシリカ固形
分に対し１ｐｐｍ にした他は、実施例１に従った。得
られたシリコーンウェハーはヘイズフリーで良好なもの
であった。
【００２１】実施例６
添加するノニルフェノールのエチレンオキサイド６０
ｍｏｌ付加物の添加量をシリカ固形分に対して０．６
重量％に変更した他は、実施例５に従った。得られたシ
リコンウェハーはヘイズフリーで良好なものであった。
ｍｏｌ付加物の添加量をシリカ固形分に対して０．６
重量％に変更した他は、実施例５に従った。得られたシ
リコンウェハーはヘイズフリーで良好なものであった。
【００２２】実施例７
用いるアルカリ性コロイダルシリカをアデライトＢＴ−
５５（旭電化工業（株）、平均粒子径３０〜５０ ｍμ
、シリカ固形分５０％）に変更し、シリカ固形分７．０
重量％に希釈して用い、添加するノニオン界面活性剤
をプロピレンオキサイドとエチレンオキサイドのブロッ
クポリマー（ＨＬＢ値１６．６）にし、シリカ固形分に
対する添加量を１０ｐｐｍ にした他は、実施例１に従
った。得られたシリコーンウェハーはヘイズフリーで良
好なものであった。
５５（旭電化工業（株）、平均粒子径３０〜５０ ｍμ
、シリカ固形分５０％）に変更し、シリカ固形分７．０
重量％に希釈して用い、添加するノニオン界面活性剤
をプロピレンオキサイドとエチレンオキサイドのブロッ
クポリマー（ＨＬＢ値１６．６）にし、シリカ固形分に
対する添加量を１０ｐｐｍ にした他は、実施例１に従
った。得られたシリコーンウェハーはヘイズフリーで良
好なものであった。
【００２３】実施例８
添加するプロピレンオキサイドとエチレンオキサイドの
ブロックポリマーの添加量をシリカ固形分に対して０．
３ 重量％に変更した他は、実施例７に従った。得られ
たシリコンウェハーはヘイズフリーで良好なものであっ
た。
ブロックポリマーの添加量をシリカ固形分に対して０．
３ 重量％に変更した他は、実施例７に従った。得られ
たシリコンウェハーはヘイズフリーで良好なものであっ
た。
【００２４】実施例９
用いるアルカリ性コロイダルシリカをアデライトＡＴ−
５０（旭電化工業（株）、平均粒子径２０〜３０ ｍμ
、シリカ固形分５０％）に変更し、シリカ固形分５．０
重量％に希釈して用い、添加するノニオン界面活性剤
をパラクメニルフェノールのエチレンオキサイド１３
ｍｏｌ付加物（ＨＬＢ値１４．６）にし、シリカ固形分
に対する添加量を５ｐｐｍ に変更した他は、実施例１
に従った。得られたシリコーンウェハーはヘイズフリー
で良好なものであった。
５０（旭電化工業（株）、平均粒子径２０〜３０ ｍμ
、シリカ固形分５０％）に変更し、シリカ固形分５．０
重量％に希釈して用い、添加するノニオン界面活性剤
をパラクメニルフェノールのエチレンオキサイド１３
ｍｏｌ付加物（ＨＬＢ値１４．６）にし、シリカ固形分
に対する添加量を５ｐｐｍ に変更した他は、実施例１
に従った。得られたシリコーンウェハーはヘイズフリー
で良好なものであった。
【００２５】実施例１０
添加するパラクメニルフェノールのエチレンオキサイド
１３ ｍｏｌ付加物の添加量をシリカ固形分に対して０
．６ 重量％に変更した他は、実施例９に従った。得ら
れたシリコンウェハーはヘイズフリーで良好なものであ
った。
１３ ｍｏｌ付加物の添加量をシリカ固形分に対して０
．６ 重量％に変更した他は、実施例９に従った。得ら
れたシリコンウェハーはヘイズフリーで良好なものであ
った。
【００２６】実施例１１
用いるアルカリ性コロイダルシリカをアデライトＢＴ−
５９（旭電化工業（株）、平均粒子径７０〜１００ｍμ
、シリカ固形分５０％）に変更し、シリカ固形分３．０
重量％に希釈して用い、添加するノニオン界面活性剤
を炭素数１２〜１３の第１級アルコールのエチレンオキ
サイド２０ ｍｏｌ付加物（ＨＬＢ値１６．１）にし、
シリカ固形分に対する添加量を３ｐｐｍ に変更した他
は、実施例１に従った。得られたシリコンウェハーはヘ
イズフリーで良好なものであった。
５９（旭電化工業（株）、平均粒子径７０〜１００ｍμ
、シリカ固形分５０％）に変更し、シリカ固形分３．０
重量％に希釈して用い、添加するノニオン界面活性剤
を炭素数１２〜１３の第１級アルコールのエチレンオキ
サイド２０ ｍｏｌ付加物（ＨＬＢ値１６．１）にし、
シリカ固形分に対する添加量を３ｐｐｍ に変更した他
は、実施例１に従った。得られたシリコンウェハーはヘ
イズフリーで良好なものであった。
【００２７】実施例１２
添加する炭素数１２〜１３の第１級アルコールのエチレ
ンオキサイド２０ ｍｏｌ付加物のシリカ固形分に対す
る添加量を１．０ 重量％に変更した他は、実施例１１
に従った。得られたシリコンウェハーはヘイズフリーで
良好なものであった。
ンオキサイド２０ ｍｏｌ付加物のシリカ固形分に対す
る添加量を１．０ 重量％に変更した他は、実施例１１
に従った。得られたシリコンウェハーはヘイズフリーで
良好なものであった。
【００２８】比較例１
アデライトＡＴ−３０Ｓ（旭電化工業（株）、平均粒子
径７〜１０ ｍμ、シリカ固形分３０％）をシリカ固形
分３．０ 重量％に希釈し、良く攪拌して研摩液とした
。この研摩液をそのままファイナルポリッシングに用い
た他は、実施例１の条件に従った。得られたシリコンウ
ェハーはヘイズが発生しており、不良なものであった。
径７〜１０ ｍμ、シリカ固形分３０％）をシリカ固形
分３．０ 重量％に希釈し、良く攪拌して研摩液とした
。この研摩液をそのままファイナルポリッシングに用い
た他は、実施例１の条件に従った。得られたシリコンウ
ェハーはヘイズが発生しており、不良なものであった。
【００２９】比較例２
アデライトＡＴ−５０（旭電化工業（株）、平均粒子径
２０〜３０ ｍμ、シリカ固形分５０％）をシリカ固形
分５．０ 重量％に希釈し、良く攪拌して研摩液とした
。この研摩液をそのままファイナルポリッシングに用い
た他は、実施例１の条件に従った。得られたシリコンウ
ェハーはヘイズが発生しており、不良なものであった。
２０〜３０ ｍμ、シリカ固形分５０％）をシリカ固形
分５．０ 重量％に希釈し、良く攪拌して研摩液とした
。この研摩液をそのままファイナルポリッシングに用い
た他は、実施例１の条件に従った。得られたシリコンウ
ェハーはヘイズが発生しており、不良なものであった。
【００３０】比較例３
アデライトＢＴ−５５（旭電化工業（株）、平均粒子径
３０〜５０ ｍμ、シリカ固形分５０％）をシリカ固形
分 ７．０重量％に希釈し、良く攪拌して研摩液とした
。この研摩液をそのままファイナルポリッシングに用い
た他は、実施例１の条件に従った。得られたシリコンウ
ェハーはヘイズが発生しており、不良なものであった。
３０〜５０ ｍμ、シリカ固形分５０％）をシリカ固形
分 ７．０重量％に希釈し、良く攪拌して研摩液とした
。この研摩液をそのままファイナルポリッシングに用い
た他は、実施例１の条件に従った。得られたシリコンウ
ェハーはヘイズが発生しており、不良なものであった。
【００３１】比較例４
アデライトＢＴ−５９（旭電化工業（株）、平均粒子径
７０〜１００ｍμ、シリカ固形分５０％）をシリカ固形
分 ３．０重量％に希釈し、良く攪拌して均一化し研摩
液とした。この研摩液をそのままファイナルポリッシン
グに用いた他は、実施例１の条件に従った。得られたシ
リコンウェハーはヘイズが発生しており、不良なもので
あった。
７０〜１００ｍμ、シリカ固形分５０％）をシリカ固形
分 ３．０重量％に希釈し、良く攪拌して均一化し研摩
液とした。この研摩液をそのままファイナルポリッシン
グに用いた他は、実施例１の条件に従った。得られたシ
リコンウェハーはヘイズが発生しており、不良なもので
あった。
【００３２】比較例５
添加するノニオン界面活性剤をノニルフェノールのエチ
レンオキサイド５０ｍｏｌ付加物（ＨＬＢ値１８．２）
にし、添加量をシリカ固形分に対して０．５ｐｐｍに変
更した他は、実施例１に従った。得られたシリコンウェ
ハーは僅かにヘイズが発生しており、不良なものであっ
た。
レンオキサイド５０ｍｏｌ付加物（ＨＬＢ値１８．２）
にし、添加量をシリカ固形分に対して０．５ｐｐｍに変
更した他は、実施例１に従った。得られたシリコンウェ
ハーは僅かにヘイズが発生しており、不良なものであっ
た。
【００３３】比較例６
添加するノニルフェノールのエチレンオキサイド５０
ｍｏｌ付加物の添加量をシリカ固形分に対して１．３
重量％に変更した他は、比較例５に従った。研摩終了し
たシリコンウェハーにはヘイズは発生していなかったが
、１次研摩した時と同様の研摩弧が残留しており、加工
が進行していないことが判り、不良シリコンウェハーで
あった。
ｍｏｌ付加物の添加量をシリカ固形分に対して１．３
重量％に変更した他は、比較例５に従った。研摩終了し
たシリコンウェハーにはヘイズは発生していなかったが
、１次研摩した時と同様の研摩弧が残留しており、加工
が進行していないことが判り、不良シリコンウェハーで
あった。
【００３４】比較例７
用いるアルカリ性コロイダルシリカをアデライトＡＴ−
４０（旭電化工業（株）、平均粒子径１５〜２０ ｍμ
、シリカ固形分４０％）に変更し、固形分 ８．０重量
％に希釈した。この希釈液にノニルフェノールのエチレ
ンオキサイド１６ ｍｏｌ付加物（ＨＬＢ値１２．８）
をシリカ固形分に対して５．０ｐｐｍ添加し、良く攪拌
して均一化した。この研摩液を実施例１の方法で研摩し
た。得られたシリコンウェハーはヘイズが発生しており
、不良なものであった。
４０（旭電化工業（株）、平均粒子径１５〜２０ ｍμ
、シリカ固形分４０％）に変更し、固形分 ８．０重量
％に希釈した。この希釈液にノニルフェノールのエチレ
ンオキサイド１６ ｍｏｌ付加物（ＨＬＢ値１２．８）
をシリカ固形分に対して５．０ｐｐｍ添加し、良く攪拌
して均一化した。この研摩液を実施例１の方法で研摩し
た。得られたシリコンウェハーはヘイズが発生しており
、不良なものであった。
【００３５】比較例８
用いるコロイダルシリカをアデライトＡＴ−５０（旭電
化工業（株）、平均粒子径２０〜３０ ｍμ、シリカ固
形分５０％）に変更し、固形分 ５．０重量％に希釈し
た。この希釈液にパラクメニルフェノールのエチレンオ
キサイド８ｍｏｌ 付加物（ＨＬＢ値１２．５）をシリ
カ固形分に対して ０．１重量％添加し、良く攪拌して
均一化した。この研摩液を実施例１の方法で研摩した。 得られたシリコンウェハーはヘイズが発生しており、不
良なものであった。
化工業（株）、平均粒子径２０〜３０ ｍμ、シリカ固
形分５０％）に変更し、固形分 ５．０重量％に希釈し
た。この希釈液にパラクメニルフェノールのエチレンオ
キサイド８ｍｏｌ 付加物（ＨＬＢ値１２．５）をシリ
カ固形分に対して ０．１重量％添加し、良く攪拌して
均一化した。この研摩液を実施例１の方法で研摩した。 得られたシリコンウェハーはヘイズが発生しており、不
良なものであった。
【００３６】比較例９
用いるコロイダルシリカをアデライトＢＴ−５９（旭電
化工業（株）、平均粒子径７０〜１００ｍμ、シリカ固
形分５０％）に変更し、固形分 ３．０重量％に希釈し
た。この希釈液に炭素数１２〜１３の第１級アルコール
のエチレンオキサイド７ｍｏｌ 付加物（ＨＬＢ値１２
．０） をシリカ固形分に対して０．０１重量％添加し
、良く攪拌して均一化した。この研摩液を実施例１の方
法で研摩した。得られたシリコンウェハーはヘイズが発
生しており、不良なものであった。
化工業（株）、平均粒子径７０〜１００ｍμ、シリカ固
形分５０％）に変更し、固形分 ３．０重量％に希釈し
た。この希釈液に炭素数１２〜１３の第１級アルコール
のエチレンオキサイド７ｍｏｌ 付加物（ＨＬＢ値１２
．０） をシリカ固形分に対して０．０１重量％添加し
、良く攪拌して均一化した。この研摩液を実施例１の方
法で研摩した。得られたシリコンウェハーはヘイズが発
生しており、不良なものであった。
【００３７】
【発明の効果】平均粒子径７〜１００ｍμのアルカリ性
コロイダルシリカにＨＬＢ値１３．０以上２０未満のノ
ニオン界面活性剤を、コロイダルシリカ中に含まれるシ
リカ固形分に対して１ｐｐｍ〜 １．０重量％添加して
なる本発明のシリコンウェハーポリッシング用研摩剤を
用いると、何ら特別の操作も装置の改良もいらず、従来
のポリッシング工程と同様の方法で、容易にヘイズフリ
ーのシリコンウェハー表面を得ることができた。
コロイダルシリカにＨＬＢ値１３．０以上２０未満のノ
ニオン界面活性剤を、コロイダルシリカ中に含まれるシ
リカ固形分に対して１ｐｐｍ〜 １．０重量％添加して
なる本発明のシリコンウェハーポリッシング用研摩剤を
用いると、何ら特別の操作も装置の改良もいらず、従来
のポリッシング工程と同様の方法で、容易にヘイズフリ
ーのシリコンウェハー表面を得ることができた。
Claims (1)
- 【請求項１】 平均粒子径７〜１００ｍμのアルカリ
性コロイダルシリカにＨＬＢ値１３．０以上２０未満の
ノニオン界面活性剤を、コロイダルシリカ中に含まれる
シリカ固形分に対して１ｐｐｍ 〜１．０ 重量％添加
してなるシリコンウェハー用研摩剤。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056743A JPH04291722A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | シリコンウェハー表面のヘイズ防止方法 |
| JP2000120558A JP3488854B2 (ja) | 1991-03-20 | 2000-04-21 | シリコンウェハー用研摩剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056743A JPH04291722A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | シリコンウェハー表面のヘイズ防止方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000120558A Division JP3488854B2 (ja) | 1991-03-20 | 2000-04-21 | シリコンウェハー用研摩剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04291722A true JPH04291722A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=13036015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3056743A Pending JPH04291722A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | シリコンウェハー表面のヘイズ防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04291722A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5885334A (en) * | 1996-05-15 | 1999-03-23 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Polishing fluid composition and polishing method |
| US5891353A (en) * | 1995-06-23 | 1999-04-06 | Shin-Etsu Handotai Co, Ltd. | Polishing agent used for polishing semiconductor wafers and polishing method using the same |
| US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| US6383240B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-05-07 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| US6653267B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for polishing of copper |
| US7087530B2 (en) | 2000-03-27 | 2006-08-08 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| JPWO2005029563A1 (ja) * | 2003-09-24 | 2007-11-15 | 日本化学工業株式会社 | シリコンウエハ研磨用組成物および研磨方法 |
| US7998229B2 (en) | 2006-02-07 | 2011-08-16 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and polishing method |
| WO2012039390A1 (ja) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびリンス用組成物 |
| JP2013258430A (ja) * | 2002-10-11 | 2013-12-26 | Cabot Microelectronics Corp | 両親媒性非イオン性界面活性剤を利用したｃｍｐ法 |
| CN105080921A (zh) * | 2014-05-22 | 2015-11-25 | 宇瀚光电科技(苏州)有限公司 | 一种盖板玻璃清洗工艺 |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3056743A patent/JPH04291722A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5891353A (en) * | 1995-06-23 | 1999-04-06 | Shin-Etsu Handotai Co, Ltd. | Polishing agent used for polishing semiconductor wafers and polishing method using the same |
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| US6319330B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
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| JP2013258430A (ja) * | 2002-10-11 | 2013-12-26 | Cabot Microelectronics Corp | 両親媒性非イオン性界面活性剤を利用したｃｍｐ法 |
| JPWO2005029563A1 (ja) * | 2003-09-24 | 2007-11-15 | 日本化学工業株式会社 | シリコンウエハ研磨用組成物および研磨方法 |
| US7998229B2 (en) | 2006-02-07 | 2011-08-16 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and polishing method |
| WO2012039390A1 (ja) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびリンス用組成物 |
| US8974691B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-03-10 | Fujimi Incorporated | Composition for polishing and composition for rinsing |
| JP6040029B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2016-12-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| JP2017034264A (ja) * | 2010-09-24 | 2017-02-09 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| CN105080921A (zh) * | 2014-05-22 | 2015-11-25 | 宇瀚光电科技(苏州)有限公司 | 一种盖板玻璃清洗工艺 |
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