JPH03141199A - 単結晶cvdダイヤモンドの製造方法 - Google Patents
単結晶cvdダイヤモンドの製造方法Info
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- JPH03141199A JPH03141199A JP2218301A JP21830190A JPH03141199A JP H03141199 A JPH03141199 A JP H03141199A JP 2218301 A JP2218301 A JP 2218301A JP 21830190 A JP21830190 A JP 21830190A JP H03141199 A JPH03141199 A JP H03141199A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明は、副次的な多結晶ダイヤモンド核生成を抑えな
がら化学蒸着法によってダイヤモンド単結晶を成長させ
る方法に係る。さらに詳細にいうと、本発明は、化学蒸
着法(CVD)によるダイヤモンドの成長を開始させる
ために高lhヨ高圧(HPHT)単結晶ダイヤモンド種
晶を使用することに関する。釘効二のメタロセンの(7
−(1:、下で炭化水素と水素の混合物を使用する。
がら化学蒸着法によってダイヤモンド単結晶を成長させ
る方法に係る。さらに詳細にいうと、本発明は、化学蒸
着法(CVD)によるダイヤモンドの成長を開始させる
ために高lhヨ高圧(HPHT)単結晶ダイヤモンド種
晶を使用することに関する。釘効二のメタロセンの(7
−(1:、下で炭化水素と水素の混合物を使用する。
本発明に先立って、1989年5 J’J 150付け
の「化学と7L学のニュース(Cbcmieal an
d Iシng!ncaring News) J第24
〜39頁の「ダイヤモンド薄膜の最新の技術(Imcr
gcnt Tcchonology orDiaion
d Th1n Films ) Jでバッハマン(P、
に、 13aehmann)らによって教示されている
(この文献は引用により本明細書に含まれるものとする
)ように、ダイヤモンドは1950年代川期に用+ 7
+u高圧(HP HT )法によってグラファイトから
川めて合成的に製造された。高圧技術によって、研磨作
業用のダイヤモンドグリッドが充分な瓜で、また電子部
品のヒートシンク用の大きな単結晶が得られることは分
かっているが、それでもやはり多くの制限がある。大き
くて高価なプレス賎が必要とされるし規模の拡大が困難
である。しかし、単結晶のHr’HT合成ダイヤモンド
(これは直径が約8ffi11の粗くて黄色い石の形態
をしている)は可変らす7、;要が大きい。
の「化学と7L学のニュース(Cbcmieal an
d Iシng!ncaring News) J第24
〜39頁の「ダイヤモンド薄膜の最新の技術(Imcr
gcnt Tcchonology orDiaion
d Th1n Films ) Jでバッハマン(P、
に、 13aehmann)らによって教示されている
(この文献は引用により本明細書に含まれるものとする
)ように、ダイヤモンドは1950年代川期に用+ 7
+u高圧(HP HT )法によってグラファイトから
川めて合成的に製造された。高圧技術によって、研磨作
業用のダイヤモンドグリッドが充分な瓜で、また電子部
品のヒートシンク用の大きな単結晶が得られることは分
かっているが、それでもやはり多くの制限がある。大き
くて高価なプレス賎が必要とされるし規模の拡大が困難
である。しかし、単結晶のHr’HT合成ダイヤモンド
(これは直径が約8ffi11の粗くて黄色い石の形態
をしている)は可変らす7、;要が大きい。
1950年代?、IJ頭、高圧によるダイヤモンド合成
技術を検討している時、炭素含aガスの熱分解により気
(11反応器から化学蒸着法(CVD)によってダイヤ
モンドを蒸着するノブ法ちItlF究した。また、さま
ざまなグループの絶間ない努力により、1980年代川
年代孔圧での合成ダイヤモンドを製造する各種の方法が
提供された。ひとつの方法では、メタン−水素混合物か
らダイヤモンド薄膜を蒸着させるための原子状水素を発
生させるために加熱フィラメントを使用した。別のアプ
ローチでは、炭化水素からダイヤモンドのコーティング
を蒸着させるためにプラズマを使用した。
技術を検討している時、炭素含aガスの熱分解により気
(11反応器から化学蒸着法(CVD)によってダイヤ
モンドを蒸着するノブ法ちItlF究した。また、さま
ざまなグループの絶間ない努力により、1980年代川
年代孔圧での合成ダイヤモンドを製造する各種の方法が
提供された。ひとつの方法では、メタン−水素混合物か
らダイヤモンド薄膜を蒸着させるための原子状水素を発
生させるために加熱フィラメントを使用した。別のアプ
ローチでは、炭化水素からダイヤモンドのコーティング
を蒸着させるためにプラズマを使用した。
ドゼヴイツキイ(Dzevitsky)の米国特許第3
゜705.937号に示されているように、1島温減圧
で鉛や水銀のメチルまたはエチル誘導体のようなa機金
属化合物を接触させることによって117ることができ
る種晶からダイヤモンドを作成することができる。ダイ
ヤモンド粉末のかなりのl増が報告されている。ドゼヴ
イツキイ(Dzcvltsky)らの方法は1時間当た
り約2.3重量96までの重量増加率で白色のダイヤモ
ンド粉末を生成するのに白−効ではあるが、+B結晶の
ダイヤモンドを成長させる方法は提供されてない。会田
(Aida)の日本国特許第61,158,898号で
は、基板温度が800〜1100℃のメタン−水素混合
物中で0. 1カラットの単結晶天然ダイヤモンドを使
用することによって、装飾用ダイヤモンドの成長か改溪
されると報告されている。装身具品質のダイヤモンドの
生成も報告されているか、多結晶物質を生成せしめるこ
とになる副次的核生成は抑えるのが困難であることが判
明している。
゜705.937号に示されているように、1島温減圧
で鉛や水銀のメチルまたはエチル誘導体のようなa機金
属化合物を接触させることによって117ることができ
る種晶からダイヤモンドを作成することができる。ダイ
ヤモンド粉末のかなりのl増が報告されている。ドゼヴ
イツキイ(Dzcvltsky)らの方法は1時間当た
り約2.3重量96までの重量増加率で白色のダイヤモ
ンド粉末を生成するのに白−効ではあるが、+B結晶の
ダイヤモンドを成長させる方法は提供されてない。会田
(Aida)の日本国特許第61,158,898号で
は、基板温度が800〜1100℃のメタン−水素混合
物中で0. 1カラットの単結晶天然ダイヤモンドを使
用することによって、装飾用ダイヤモンドの成長か改溪
されると報告されている。装身具品質のダイヤモンドの
生成も報告されているか、多結晶物質を生成せしめるこ
とになる副次的核生成は抑えるのが困難であることが判
明している。
1iIF磨材として引用なダイヤモンド微粉末を生成す
るための別の方法が日本国特許第60,223゜149
4号および第60,210,597号に示されている。
るための別の方法が日本国特許第60,223゜149
4号および第60,210,597号に示されている。
炭化水素(たとえばメタンなど)と水素の混合物を低圧
で存(l:、させてプラズマ中で金属歳拉子を生成する
のにフェロセンなどのようなメタロセンが使用されてい
る。
で存(l:、させてプラズマ中で金属歳拉子を生成する
のにフェロセンなどのようなメタロセンが使用されてい
る。
従来技術のさまざまな方法により、q磯金属物質を使用
することによって研磨材として引用な微細分割ダイヤモ
ンド粉末を、または単結晶の天然ダイヤモンド種晶を使
用することによって装身具用ダイヤモンドを製造する手
順か提供されているが、多結晶ダイヤモンドを同時に生
成することになる副次的核生成を回避または抑制しなが
ら化学蒸着法によってllj結晶ダイヤモンドを成長さ
せることができれば望ましいことであろう。
することによって研磨材として引用な微細分割ダイヤモ
ンド粉末を、または単結晶の天然ダイヤモンド種晶を使
用することによって装身具用ダイヤモンドを製造する手
順か提供されているが、多結晶ダイヤモンドを同時に生
成することになる副次的核生成を回避または抑制しなが
ら化学蒸着法によってllj結晶ダイヤモンドを成長さ
せることができれば望ましいことであろう。
発明の概要
本発明の基礎となった発見は、少量のメタロセン(たと
えばフェロセン)を含qする水素−メタン雰囲気中で(
HPHT)ダイヤモンドの単結晶種晶を使用することに
よって、大きい単結晶ダイヤモンド(これは暗灰色で光
学的透明性を欠くものであることがある)を作成するこ
とができるということである。驚くべきことに、成長し
ていくダイヤモンドの結晶の表面上で副次的核生成が完
全に排除または抑制される。
えばフェロセン)を含qする水素−メタン雰囲気中で(
HPHT)ダイヤモンドの単結晶種晶を使用することに
よって、大きい単結晶ダイヤモンド(これは暗灰色で光
学的透明性を欠くものであることがある)を作成するこ
とができるということである。驚くべきことに、成長し
ていくダイヤモンドの結晶の表面上で副次的核生成が完
全に排除または抑制される。
発明の説明
本発明によって、副次的核生成を抑えながらダイヤモン
ド単結晶を成長させる方法が提供される。
ド単結晶を成長させる方法が提供される。
この方法は、q動量のメタロセンまたはその熱分解生成
物を存(1ミさせて、5〜15トルの圧力および約80
0〜1000’Cの温度で、少なくとも0゜1カラット
のHP HTダイヤモンド種晶と炭化水素−水素混合物
とを接触状態に維持することがらなる。この炭化水素−
水素混合物中の炭化水素は、その濃度が炭化水素と水素
の総体積を基塾にして約0. 5〜1.5容量%であり
、周囲条件下で0゜1トルの蒸気圧を維持することがで
きる。また、メタロセンまたはその熱分解生成物は、鉄
、コバルトおよびニッケルより成る群の中から選択され
る金属の有機金属化合物である。
物を存(1ミさせて、5〜15トルの圧力および約80
0〜1000’Cの温度で、少なくとも0゜1カラット
のHP HTダイヤモンド種晶と炭化水素−水素混合物
とを接触状態に維持することがらなる。この炭化水素−
水素混合物中の炭化水素は、その濃度が炭化水素と水素
の総体積を基塾にして約0. 5〜1.5容量%であり
、周囲条件下で0゜1トルの蒸気圧を維持することがで
きる。また、メタロセンまたはその熱分解生成物は、鉄
、コバルトおよびニッケルより成る群の中から選択され
る金属の有機金属化合物である。
本発明の実施の際に使用することができるメタロセンは
、たとえばフェロセン、ビス(1,5シクロオクタジエ
ン)ニッケルなどのニッケル化合物、およびビス(シク
ロペンタジェニル)コバルトなどのコバルト化合物であ
る。
、たとえばフェロセン、ビス(1,5シクロオクタジエ
ン)ニッケルなどのニッケル化合物、およびビス(シク
ロペンタジェニル)コバルトなどのコバルト化合物であ
る。
本発明の実施の際に使用することができる炭化水素とし
ては、Cアルカン、たとえばメタ(1−8) ン、エタンおよびプロパンなど、アセチレン、ならびに
芳香族化合物、たとえばベンゼンかある。
ては、Cアルカン、たとえばメタ(1−8) ン、エタンおよびプロパンなど、アセチレン、ならびに
芳香族化合物、たとえばベンゼンかある。
メタロセンのq効瓜は、炭化水素−水素混合物の総体積
を括偲にして10−4〜1容「6、好ましくは8X10
’〜8X10−38瓜%である。一方、この混合物は、
600〜1000 ’Cの範囲のlH度で0.1〜50
トルの圧力に維持する。また、この炭化水素−水素混合
物は、その総体積を基糸にして約0. 1〜約2容ユ%
の炭化水素を合釘している。
を括偲にして10−4〜1容「6、好ましくは8X10
’〜8X10−38瓜%である。一方、この混合物は、
600〜1000 ’Cの範囲のlH度で0.1〜50
トルの圧力に維持する。また、この炭化水素−水素混合
物は、その総体積を基糸にして約0. 1〜約2容ユ%
の炭化水素を合釘している。
炭化水素−水素混合物中にメタロセンを導入する好まし
い手順では、周囲条件下で、ある口のメタロセン、たと
えば10グラムのフェロセンを管状反応器、たとえば2
−3/4インチ×48インチの石英管に入れ、上で定義
したようなメタンと水素の混合物を周囲温度・圧力でメ
タロセンの−にに通す。たとえば、はぼ大気圧および周
囲温度でメタン−水素混合物の体積を基準にして1×1
0−3〜5X10−3容口%のメタロセンとなるように
メタン−水素混合物を充分な流速にすると、メタン−水
素混合物中のメタロセンのq効濃度が得られることが判
明した。次に、このメタロセンをA釘する水素−メタン
混合物を、ダイヤモンド種晶の上に通すことができる。
い手順では、周囲条件下で、ある口のメタロセン、たと
えば10グラムのフェロセンを管状反応器、たとえば2
−3/4インチ×48インチの石英管に入れ、上で定義
したようなメタンと水素の混合物を周囲温度・圧力でメ
タロセンの−にに通す。たとえば、はぼ大気圧および周
囲温度でメタン−水素混合物の体積を基準にして1×1
0−3〜5X10−3容口%のメタロセンとなるように
メタン−水素混合物を充分な流速にすると、メタン−水
素混合物中のメタロセンのq効濃度が得られることが判
明した。次に、このメタロセンをA釘する水素−メタン
混合物を、ダイヤモンド種晶の上に通すことができる。
この種晶は少なくとも0. 1カラットであり、平均直
径が少なくとも1000ミクロン、好ましくは1000
〜4000ミクロンである。
径が少なくとも1000ミクロン、好ましくは1000
〜4000ミクロンである。
メタロセンを合釘するメタン−水素混合物を800〜1
000℃の温度に維持するには、加熱フィラメントを使
用して、上記のバッハマン(P、K。
000℃の温度に維持するには、加熱フィラメントを使
用して、上記のバッハマン(P、K。
[3aehmann)らの論文に記載されているように
、メタンの熱分解によって原子状水素を発生させること
ができる。原子状水素を発生させるのに使用することが
できる他の技術は後述するマイクロ波プラズマを使用す
ることである。さらに、気体混合物を高温に維持するの
に使用することができる手順として、直流プラズマジェ
ットを基板の小面積に集めることが、前述のバッハマン
(BachIIlann)らの論文の中で鈴木かずひろ
(Kazuhiro 5uzuki)により記載されて
いる。IKV以上の直流電圧と高放電電流を使用すると
プラズマを4000’Kに維持することができる。
、メタンの熱分解によって原子状水素を発生させること
ができる。原子状水素を発生させるのに使用することが
できる他の技術は後述するマイクロ波プラズマを使用す
ることである。さらに、気体混合物を高温に維持するの
に使用することができる手順として、直流プラズマジェ
ットを基板の小面積に集めることが、前述のバッハマン
(BachIIlann)らの論文の中で鈴木かずひろ
(Kazuhiro 5uzuki)により記載されて
いる。IKV以上の直流電圧と高放電電流を使用すると
プラズマを4000’Kに維持することができる。
ダイヤモンドは、周囲731度まで基板を冷却すること
によって容易に回収することができる。
によって容易に回収することができる。
1989年アメリカセラミック協会誌(Journal
of the Arflerican Cera
mic 5ociety) 第 72(2)巻筒1
71〜91頁の[将来のダイヤモンド−セラミックコー
ティング(Diamond−Ceramic Coat
ingof the Iコuturc) J (引用
により本明細書に含まれるものとする)にスペア(Ka
rl E、 5pear)によって示されているように
、結晶性ダイヤモンドを成長させるために使用する原子
状水素を発生させるのに必要な前駆体ガスの活性化を達
成する2つの許通の方法は、マイクロ波または2000
℃の加熱フィラメントである。
of the Arflerican Cera
mic 5ociety) 第 72(2)巻筒1
71〜91頁の[将来のダイヤモンド−セラミックコー
ティング(Diamond−Ceramic Coat
ingof the Iコuturc) J (引用
により本明細書に含まれるものとする)にスペア(Ka
rl E、 5pear)によって示されているように
、結晶性ダイヤモンドを成長させるために使用する原子
状水素を発生させるのに必要な前駆体ガスの活性化を達
成する2つの許通の方法は、マイクロ波または2000
℃の加熱フィラメントである。
ここで図面を参照すると、図は、プラズマを発生させる
のにマイクロ波発生機を使用し、HP HTダイヤモン
ドの単結晶種晶が載せられているケイ素台座を用いた、
ダイヤモンド成長のt「ましい蒸着手順を示している。
のにマイクロ波発生機を使用し、HP HTダイヤモン
ドの単結晶種晶が載せられているケイ素台座を用いた、
ダイヤモンド成長のt「ましい蒸着手順を示している。
さらに詳細にいうと、添付の図には、2,45GHzか
らマイクロ波シグナルを発生することができるマイクロ
波発生機が示されている。本発明の実施の際に使用する
ことができる典型的なマイクロ波発生機は、たとえばコ
ーバー′f−1: (Cober InC,)の10k
wマイクロ波発生機モデルS6−Fである。また図には
導波管も示されているが、この導波管は、内寸が約1−
1/2X2−3/4インチで長さが約8〜48インチで
あることができる矩形で中空のスチール管である。10
0〜500ワツトで2.45GHzのマイクロ波を発生
させると500〜1100℃の温度のプラズマが形成さ
れる。室温、周囲圧力でメタロセン(図には示してない
)七を通ったメタン−水素混合物から生じた、すでに記
]、(シたような熱分解メタロセンA aメタン−水素
気体混合物をこのプラズマ中に連続的に・9人する。約
10インチ(長さ)×1/8X1/8インチの石英の台
座を、HP HTダイヤモンドの種晶(0,1〜1カラ
ットとすることができる)を保持するだめの基板表面と
する。導波チューナーも備わっており、またこの系全体
を0.1〜50トルの圧力に維1!jするための真空系
も備わっている。
らマイクロ波シグナルを発生することができるマイクロ
波発生機が示されている。本発明の実施の際に使用する
ことができる典型的なマイクロ波発生機は、たとえばコ
ーバー′f−1: (Cober InC,)の10k
wマイクロ波発生機モデルS6−Fである。また図には
導波管も示されているが、この導波管は、内寸が約1−
1/2X2−3/4インチで長さが約8〜48インチで
あることができる矩形で中空のスチール管である。10
0〜500ワツトで2.45GHzのマイクロ波を発生
させると500〜1100℃の温度のプラズマが形成さ
れる。室温、周囲圧力でメタロセン(図には示してない
)七を通ったメタン−水素混合物から生じた、すでに記
]、(シたような熱分解メタロセンA aメタン−水素
気体混合物をこのプラズマ中に連続的に・9人する。約
10インチ(長さ)×1/8X1/8インチの石英の台
座を、HP HTダイヤモンドの種晶(0,1〜1カラ
ットとすることができる)を保持するだめの基板表面と
する。導波チューナーも備わっており、またこの系全体
を0.1〜50トルの圧力に維1!jするための真空系
も備わっている。
当て者が本発明をより容易に実施することかできるよう
に、限定ではなく例示の意味で次の実施例を挙げる。
に、限定ではなく例示の意味で次の実施例を挙げる。
実施例
1.5容量%のメタンを有するメタン−水素混合物を室
温、大気圧で10グラムのフェロセンの上に通した。得
られた混合物はフェロセンが2゜6X10−3容量%で
あった。このフェロセンを含qする混合物を150cc
/分の流量で、直径が2インチの図に示したような石英
管を介して、垂直に配置したケイ素台座の端にある直径
が2.4mtsのHPHTダイヤモンド種晶−1−に輸
送した。
温、大気圧で10グラムのフェロセンの上に通した。得
られた混合物はフェロセンが2゜6X10−3容量%で
あった。このフェロセンを含qする混合物を150cc
/分の流量で、直径が2インチの図に示したような石英
管を介して、垂直に配置したケイ素台座の端にある直径
が2.4mtsのHPHTダイヤモンド種晶−1−に輸
送した。
200ワツト、2450MHzにセンt−したマイクロ
波発生機のスイッチを入れた。得られたプラズマの温度
はダイヤモンド種晶付近で500〜700℃であること
が分かった。成長速度は約2ミクロン/時であることが
分かり、全体で600ミクロンのダイヤモンドが種晶上
に成長した。種晶表面付近で副次的な核生成の証拠は認
められなかった。456時間後、濃い灰色で光学的透明
度の低い直径3.6mmのCVDダイヤモンド単結晶が
得られた。
波発生機のスイッチを入れた。得られたプラズマの温度
はダイヤモンド種晶付近で500〜700℃であること
が分かった。成長速度は約2ミクロン/時であることが
分かり、全体で600ミクロンのダイヤモンドが種晶上
に成長した。種晶表面付近で副次的な核生成の証拠は認
められなかった。456時間後、濃い灰色で光学的透明
度の低い直径3.6mmのCVDダイヤモンド単結晶が
得られた。
上記実施例は本発明の方法を実施する上で使用すること
ができる非常に数多くの変形のうちのほんの二、三に関
するのみであるが、本発明はずっと広範囲の変形、たと
えばアセチレンなど別の炭化水素や別のメタロセンを使
用したり、あるいはこの実施例の前に述べたような加熱
フィラメントを使用したりする、単結晶のCVDダイヤ
モンドを成長させる別の方法にも関するものと理解され
たい。
ができる非常に数多くの変形のうちのほんの二、三に関
するのみであるが、本発明はずっと広範囲の変形、たと
えばアセチレンなど別の炭化水素や別のメタロセンを使
用したり、あるいはこの実施例の前に述べたような加熱
フィラメントを使用したりする、単結晶のCVDダイヤ
モンドを成長させる別の方法にも関するものと理解され
たい。
添付の図は、プラズマを発生させるのにマイクロ波発生
機を使用し、HPHTダイヤモンドの単結晶種晶が載せ
られているケイ素台座を用いた、ダイヤモンド成長の好
ましい蒸着手順を示す略図である。 特1−′1出願人
機を使用し、HPHTダイヤモンドの単結晶種晶が載せ
られているケイ素台座を用いた、ダイヤモンド成長の好
ましい蒸着手順を示す略図である。 特1−′1出願人
Claims (5)
- (1)有効量のメタロセンまたはその熱分解生成物を存
在させて5〜15トルの圧力および約800〜1000
℃の温度で少なくとも0.1カラットのHPHTダイヤ
モンド種晶と炭化水素−水素混合物とを接触状態に維持
することからなる、副次的核生成を抑えながらダイヤモ
ンド単結晶を成長させる方法であって、前記炭化水素−
水素混合物中の炭化水素は、その濃度が炭化水素と水素
の総体積を基準にして約0.5〜1.5容量%であり、
周囲条件下で0.1トルの蒸気圧を維持することができ
、前記メタロセンまたはその熱分解生成物は鉄、コバル
トおよびニッケルより成る群の中から選択される金属の
有機金属化合物であることを特徴とする、ダイヤモンド
単結晶を成長させる方法。 - (2)メタロセンがフェロセンである、請求項1記載の
ダイヤモンド単結晶を成長させる方法。 - (3)炭化水素がメタンである、請求項1記載の方法。
- (4)マイクロ波プラズマによって温度を維持する、請
求項1記載の方法。 - (5)加熱フィラメントを用いることによって温度を維
持する、請求項1記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US39625389A | 1989-08-21 | 1989-08-21 | |
US396,253 | 1989-08-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03141199A true JPH03141199A (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=23566485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2218301A Pending JPH03141199A (ja) | 1989-08-21 | 1990-08-21 | 単結晶cvdダイヤモンドの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0413974B1 (ja) |
JP (1) | JPH03141199A (ja) |
KR (1) | KR910004852A (ja) |
DE (1) | DE69012488T2 (ja) |
IE (1) | IE902399A1 (ja) |
ZA (1) | ZA906220B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH059735A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-19 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンドの気相合成方法 |
US8882872B2 (en) * | 2011-10-04 | 2014-11-11 | Baker Hughes Incorporated | Graphite coated metal nanoparticles for polycrystalline diamond compact synthesis |
CN114101685B (zh) * | 2021-09-29 | 2023-06-09 | 北京环境特性研究所 | 一种低频雷达波吸收剂及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1298369A (en) * | 1970-05-01 | 1972-11-29 | Inst Fizicheskoi Khim An Sssr | A method of synthesising diamond |
-
1990
- 1990-07-02 IE IE239990A patent/IE902399A1/en unknown
- 1990-07-23 EP EP90114057A patent/EP0413974B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-23 DE DE69012488T patent/DE69012488T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-07 ZA ZA906220A patent/ZA906220B/xx unknown
- 1990-08-20 KR KR1019900012793A patent/KR910004852A/ko active IP Right Grant
- 1990-08-21 JP JP2218301A patent/JPH03141199A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0413974B1 (en) | 1994-09-14 |
DE69012488D1 (de) | 1994-10-20 |
KR910004852A (ko) | 1991-03-29 |
DE69012488T2 (de) | 1995-05-04 |
ZA906220B (en) | 1991-07-31 |
IE902399A1 (en) | 1991-02-27 |
EP0413974A1 (en) | 1991-02-27 |
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