JPH0294406A - 圧粉コア - Google Patents
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- JPH0294406A JPH0294406A JP24880688A JP24880688A JPH0294406A JP H0294406 A JPH0294406 A JP H0294406A JP 24880688 A JP24880688 A JP 24880688A JP 24880688 A JP24880688 A JP 24880688A JP H0294406 A JPH0294406 A JP H0294406A
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- 239000000428 dust Substances 0.000 title abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 181
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 39
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010791 quenching Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 abstract description 6
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 15
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N iron silicon Chemical compound [Si].[Fe] XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 3
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N tungsten(iv) oxide Chemical compound O=[W]=O DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- 238000009692 water atomization Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
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- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15358—Making agglomerates therefrom, e.g. by pressing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、チョークコイル等に用いられる圧粉コアに関
する。
する。
〈従来の技術〉
高周波で用いられるチョークコイルとして、カットコア
、フェライトコア、圧粉コア等が使用されている。
、フェライトコア、圧粉コア等が使用されている。
これらのうち、カットコアはギャップ部分で生じる磁歪
振動によりノイズを発生させるという欠点があり、フェ
ライトコアは飽和磁束密度が小さいという欠点がある。
振動によりノイズを発生させるという欠点があり、フェ
ライトコアは飽和磁束密度が小さいという欠点がある。
これらに対し、センダスト、パーマロイ、アモルファス
合金、ケイ素鉄合金等の圧粉コアは、ギャップのために
生じるノイズをな(すことができるうえ、フェライトに
比べて飽和磁束密度を大きくできるという利点がある。
合金、ケイ素鉄合金等の圧粉コアは、ギャップのために
生じるノイズをな(すことができるうえ、フェライトに
比べて飽和磁束密度を大きくできるという利点がある。
一方、圧粉コアの飽和磁束密度を大きくするためには圧
粉体の密度を大きくする必要があり、圧粉時に場合によ
っては20トン/ c m 2程度の高圧の印加を必要
とする。
粉体の密度を大きくする必要があり、圧粉時に場合によ
っては20トン/ c m 2程度の高圧の印加を必要
とする。
コアを形成する磁性粉末表面には、渦電流損を減少させ
るために、通常、電気絶縁層が設けられるが、圧粉時の
圧力が大きくなると粉末間の電気絶縁層が破壊され易(
なる。 絶縁破壊が生じると高周波での渦電流損失が太
き(なるため、透磁率を低下させ、コアの磁気特性を著
しく劣化させることになる。
るために、通常、電気絶縁層が設けられるが、圧粉時の
圧力が大きくなると粉末間の電気絶縁層が破壊され易(
なる。 絶縁破壊が生じると高周波での渦電流損失が太
き(なるため、透磁率を低下させ、コアの磁気特性を著
しく劣化させることになる。
特開昭59−179729号公報には、結晶性酸化物を
含有する酸化被膜を表面に有する非晶質合金粉末の圧粉
成型体を得る方法が開示されている。 この公報の実施
例に示されているように、粒径が10μm程度の微粉末
の場合は、圧粉成型時に適当な流動性を有しているため
表面の酸化層だけでも成型後の絶縁層の破壊を避けるこ
とができるが、流動性のよ(ない扁平粉の場合は粉末の
エツジ部分で絶縁破壊を起こし、高周波における磁気特
性を著しく劣化させるという問題がある。
含有する酸化被膜を表面に有する非晶質合金粉末の圧粉
成型体を得る方法が開示されている。 この公報の実施
例に示されているように、粒径が10μm程度の微粉末
の場合は、圧粉成型時に適当な流動性を有しているため
表面の酸化層だけでも成型後の絶縁層の破壊を避けるこ
とができるが、流動性のよ(ない扁平粉の場合は粉末の
エツジ部分で絶縁破壊を起こし、高周波における磁気特
性を著しく劣化させるという問題がある。
さらに、本発明者等が研究を重ねた結果によれば、粒径
が10μm程度の微粉末やアトマイズ粉の場合には反磁
場の影響が大きく、周波数100kHzで初透磁率が1
00を超えるような圧粉コアは得られないことを確認し
た。 また、実際、同公報の第1図に示されるように、
100kHzを超える周波数域では、透磁率が低下して
しまっている。
が10μm程度の微粉末やアトマイズ粉の場合には反磁
場の影響が大きく、周波数100kHzで初透磁率が1
00を超えるような圧粉コアは得られないことを確認し
た。 また、実際、同公報の第1図に示されるように、
100kHzを超える周波数域では、透磁率が低下して
しまっている。
すなわち、この方法では、高い周波数における透磁率が
小さ(、実用的でないという欠点もある。
小さ(、実用的でないという欠点もある。
特公昭58−46044号公報には、強磁性粉末に層状
結晶構造を有する絶縁性粉末と電気絶縁性を有する結合
剤とを添加した混合物を圧粉成型する方法が開示されて
いる。 層状結晶構造を有する絶縁性粉末の絶縁効果は
太き(、成型性も良好なものである。
結晶構造を有する絶縁性粉末と電気絶縁性を有する結合
剤とを添加した混合物を圧粉成型する方法が開示されて
いる。 層状結晶構造を有する絶縁性粉末の絶縁効果は
太き(、成型性も良好なものである。
しかし、このように結合剤を添加して混合する方法では
、結合剤が均一に分散しに((分離してしまう傾向があ
る。 このため、絶縁効果が小さく、磁気特性の低下を
招(という欠点がある。 また、圧粉密度の低下も生じ
ることになる。 さらに、このものは、同公報の第4図
に示されるように、100kHzを超える周波数ではイ
ンダクタンスが低下してしまう。
、結合剤が均一に分散しに((分離してしまう傾向があ
る。 このため、絶縁効果が小さく、磁気特性の低下を
招(という欠点がある。 また、圧粉密度の低下も生じ
ることになる。 さらに、このものは、同公報の第4図
に示されるように、100kHzを超える周波数ではイ
ンダクタンスが低下してしまう。
また、特に樹脂系結合剤を用いた場合、500℃程度以
上の熱に耐えられないため、成型後に磁気特性改善のた
めの熱処理ができないという問題がある。
上の熱に耐えられないため、成型後に磁気特性改善のた
めの熱処理ができないという問題がある。
結合剤を使用しないで、粉の変形により成型体を得るこ
とが従来より行なわれており、圧粉体の強度が重要な場
合以外は、結合剤の添加の必要はないと考えられる。
とが従来より行なわれており、圧粉体の強度が重要な場
合以外は、結合剤の添加の必要はないと考えられる。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、磁束
密度が大きく、高周波において大きな透磁率を有し、小
型軽量化をはかることができる圧粉コアを提供すること
を目的とする。
密度が大きく、高周波において大きな透磁率を有し、小
型軽量化をはかることができる圧粉コアを提供すること
を目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち、本発明は下記(1)〜(5)である。
(1)扁平状の強磁性粉末を圧粉して形成された圧粉コ
アであって、 層状結晶構造を有する絶縁性粉末が添加され、前記扁平
状の強磁性粉末が、酸化またはコーティングにより形成
された電気絶縁性酸化物被膜を表面に有することを特徴
とする圧粉コア。
アであって、 層状結晶構造を有する絶縁性粉末が添加され、前記扁平
状の強磁性粉末が、酸化またはコーティングにより形成
された電気絶縁性酸化物被膜を表面に有することを特徴
とする圧粉コア。
(2)前記絶縁性粉末が扁平形状である上記(1)に記
載の圧粉コア。
載の圧粉コア。
(3)前記絶縁性粉末が、前記扁平状の強磁性粉末に対
し011〜10wt%含有される上記(1)または(2
)に記載の圧粉コア。
し011〜10wt%含有される上記(1)または(2
)に記載の圧粉コア。
(4)前記強磁性粉末が、アモルファス合金粉末である
上記(1)ないしく3)のいずれかに記載の圧粉コア。
上記(1)ないしく3)のいずれかに記載の圧粉コア。
(5)圧粉後、キュリー温度以上で結晶化温度以下の温
度にて熱処理された上記(4)に記載の圧粉コア。
度にて熱処理された上記(4)に記載の圧粉コア。
以下、本発明の具体的構成を、詳細に説明する。
本発明の圧粉コアは、扁平状の強磁性粉末を圧粉して形
成される。
成される。
本発明は、扁平状の強磁性粉末を用いた場合に高い効果
を発揮するものであり、扁平の度合いに特に制限はない
が、高い磁気特性を得るためには、本発明に用いる強磁
性粉末は下記のような性状を有することが好ましい。
を発揮するものであり、扁平の度合いに特に制限はない
が、高い磁気特性を得るためには、本発明に用いる強磁
性粉末は下記のような性状を有することが好ましい。
光回折法を利用した粒度分布測定によって定義される平
均粒径は40〜2000um、好ましくは60〜600
4zm程度である。 また、その平均厚さは5〜45μ
m、好ましくは15〜25μm程度である。
均粒径は40〜2000um、好ましくは60〜600
4zm程度である。 また、その平均厚さは5〜45μ
m、好ましくは15〜25μm程度である。
また、主面の平均長径を平均短径で除した値は、好まし
くは3以下、さらに好ましくは1〜1.6である。 こ
の値が上記範囲外となると充填ムラを生じ、磁束方向に
対する粉末の主面の傾きが大きくなるため、磁気特性が
著しく劣化する。
くは3以下、さらに好ましくは1〜1.6である。 こ
の値が上記範囲外となると充填ムラを生じ、磁束方向に
対する粉末の主面の傾きが大きくなるため、磁気特性が
著しく劣化する。
また、主面の平均短径を粉末の平均厚さで除した値、す
なわち、アスペクト比は、3〜500、好ましくは5〜
100、さらに好ましくは10〜50であることが好ま
しい。 この値が上記範囲未満であると反磁場が大きく
なるため、透磁率が著しく低下する。
なわち、アスペクト比は、3〜500、好ましくは5〜
100、さらに好ましくは10〜50であることが好ま
しい。 この値が上記範囲未満であると反磁場が大きく
なるため、透磁率が著しく低下する。
また、上記範囲を超えると粉末の寸法が大きくなりすぎ
、充填が困難となる。
、充填が困難となる。
なお、主面の決定、長径、短径および厚さの測定は、走
査型電子顕微鏡により行なうことが好ましい。
査型電子顕微鏡により行なうことが好ましい。
強磁性粉末の組成に特に制限はないが、磁気特性が良好
なことから、アモルファス合金、センダスト、ケイ素鉄
合金の粉末であることが好ましく、さらにこれらのうち
アモルファス合金またはセンダストを用いることが好ま
しく、特に、アモルファス合金を用いることが好ましい
。
なことから、アモルファス合金、センダスト、ケイ素鉄
合金の粉末であることが好ましく、さらにこれらのうち
アモルファス合金またはセンダストを用いることが好ま
しく、特に、アモルファス合金を用いることが好ましい
。
用いるアモルファス合金に特に制限はないが、飽和磁束
密度が太き(、原料価格の安価な鉄基アモルファス合金
が好ましい。 鉄基アモルファス合金は、下記式にて表
わされるものを用いることが好ましい。
密度が太き(、原料価格の安価な鉄基アモルファス合金
が好ましい。 鉄基アモルファス合金は、下記式にて表
わされるものを用いることが好ましい。
[式] FeaMbXc
ただし、上記式において、Mは、Co、Ni、Mn、V
、Nb、Ta%Cr、Mo。
、Nb、Ta%Cr、Mo。
W、Cu、Ti、Zr、HfおよびRuのうちの1種ま
たは2種以上であり、Xは、B、Si、P、C,Ge、
AJ2およびSnのうちの1種または2種以上である。
たは2種以上であり、Xは、B、Si、P、C,Ge、
AJ2およびSnのうちの1種または2種以上である。
また、a、bおよびCは、原子比で、
a=100−b−c (原子%)
0 ≦ b ≦ 50
10 ≦ C≦ 30
であることが好ましい。
アモルファス合金からなる粉末は、例えば以下のように
して製造される。
して製造される。
所定の組成の母合金を製造し、これを溶融して公知の液
体急冷法等の高速急冷法により薄帯化する。
体急冷法等の高速急冷法により薄帯化する。
母合金の組成としては、上記式で表わされるものが好ま
しい。
しい。
薄帯の厚さはlO〜50μm程度とする。
得られた薄帯を、好ましくは脆化のための熱処理を行な
った後、粉砕する。
った後、粉砕する。
脆化のための熱処理は、温度300〜500℃程度にて
0.5〜5時間時間和熱することにより行なうことが好
ましい。
0.5〜5時間時間和熱することにより行なうことが好
ましい。
粉砕には、スタンプミル、ボールミル、振動ボールミル
、カッターミル等を用いることが好ましい。
、カッターミル等を用いることが好ましい。
この粉砕により、上記の寸法程度の扁平状のアモルファ
ス合金粉末とする。
ス合金粉末とする。
なお、このように薄帯化する方法に限らず、水アトマイ
ズ法等を用いてもよい。
ズ法等を用いてもよい。
なお、センダストの扁平粉末を製造するには、上記した
アモルファス合金に準じて高速急冷を行なえばよい。
また、ケイ素鉄合金の扁平粉末は、Si添加量が2wt
%以下、好ましくは1wt%以下の鋼板を、例えば振動
ミルにて粉砕して得ればよい。
アモルファス合金に準じて高速急冷を行なえばよい。
また、ケイ素鉄合金の扁平粉末は、Si添加量が2wt
%以下、好ましくは1wt%以下の鋼板を、例えば振動
ミルにて粉砕して得ればよい。
本発明では、上記のような扁平状の強磁性粉末が、その
表面に酸化またはコーティングにより形成された電気絶
縁性酸化物被膜を有する。
表面に酸化またはコーティングにより形成された電気絶
縁性酸化物被膜を有する。
酸化により電気絶縁性酸化物被膜を形成する場合、水を
満たしたバットの中に強磁性粉末を投入し、撹拌して粉
末を湿らせた後、100℃以上の温度に保持して乾燥す
る方法を用いることが好ましい。
満たしたバットの中に強磁性粉末を投入し、撹拌して粉
末を湿らせた後、100℃以上の温度に保持して乾燥す
る方法を用いることが好ましい。
コーティングにより電気絶縁性酸化物被膜を形成する場
合、コーティング剤に特に制限はないが、絶縁性が良好
なこと、安価であること、取り扱いが容易であることな
どから、シリカゾル、アルミナゾル、ケイ酸ソーダ、ケ
イ酸カリ等、その他、特開昭61〜225805号公報
に記載されている金属酸化物のアルカリ塩等であること
が好ましく、これらのうち特に、ケイ酸ソーダを用いる
ことが好ましい。
合、コーティング剤に特に制限はないが、絶縁性が良好
なこと、安価であること、取り扱いが容易であることな
どから、シリカゾル、アルミナゾル、ケイ酸ソーダ、ケ
イ酸カリ等、その他、特開昭61〜225805号公報
に記載されている金属酸化物のアルカリ塩等であること
が好ましく、これらのうち特に、ケイ酸ソーダを用いる
ことが好ましい。
これらの水溶液をコーテイング液とし、強磁性粉末表面
をコーチ“インクする。
をコーチ“インクする。
コーテイング液の濃度に特に制限はなく、均一にコーテ
ィング可能な濃度であればよい。
ィング可能な濃度であればよい。
また、コーティング方法にも特に制限はな(、均一なコ
ーティングが行なえる方法、例えば、ケイ酸ソーダ水溶
液と強磁性粉末を混合しながら乾燥する方法等を用いれ
ばよい。
ーティングが行なえる方法、例えば、ケイ酸ソーダ水溶
液と強磁性粉末を混合しながら乾燥する方法等を用いれ
ばよい。
この乾燥は、上記コーティング剤を脱水・縮合させ、電
気絶縁性酸化物被膜とするものである。 乾燥温度は1
00〜150℃程度であることが好ましく、乾燥温度が
高過ぎる場合には発泡して絶縁効果が著しく低下する。
気絶縁性酸化物被膜とするものである。 乾燥温度は1
00〜150℃程度であることが好ましく、乾燥温度が
高過ぎる場合には発泡して絶縁効果が著しく低下する。
また、乾燥時間は容器から完全に水分が蒸発したあと
少な(とも30分以上、好ましくは2時間程度であるこ
゛とが好ましい。 また、乾燥は、ウォーターバス、ホ
ットプレート、温風乾燥機等により行なえばよい。
少な(とも30分以上、好ましくは2時間程度であるこ
゛とが好ましい。 また、乾燥は、ウォーターバス、ホ
ットプレート、温風乾燥機等により行なえばよい。
上記のようにして形成される電気絶縁性酸化物被膜の膜
厚は、好ましくは0.05〜5μm、より好ましくは0
.2〜1μmである。
厚は、好ましくは0.05〜5μm、より好ましくは0
.2〜1μmである。
膜厚が上記範囲未満であると絶縁効果が不十分であり、
上記範囲を超えると、圧粉密度が低下して磁気特性が劣
化する。
上記範囲を超えると、圧粉密度が低下して磁気特性が劣
化する。
本発明の圧粉コアは、電気絶縁性酸化物被膜を有する強
磁性粉末に加え、層状結晶構造を有する絶縁性粉末を含
有する。
磁性粉末に加え、層状結晶構造を有する絶縁性粉末を含
有する。
層状結晶構造を有する粉末は、圧粉時に変形し易いため
、扁平状の強磁性粉末表面を被覆し易(、強磁性粉末に
良好な絶縁性を付与することができる。
、扁平状の強磁性粉末表面を被覆し易(、強磁性粉末に
良好な絶縁性を付与することができる。
層状結晶構造を有する絶縁性粉末に特に制限はないが、
耐熱性が良好であることがら、雲母、二硫化モリブデン
、窒化ホウ素、二硫化タングステンの一種以上が好まし
く、これらのうち、雲母、二硫化モリブデン、二硫化タ
ングステンの一種以上がさらに好ましく、特に二硫化モ
リブデンが好ましい。
耐熱性が良好であることがら、雲母、二硫化モリブデン
、窒化ホウ素、二硫化タングステンの一種以上が好まし
く、これらのうち、雲母、二硫化モリブデン、二硫化タ
ングステンの一種以上がさらに好ましく、特に二硫化モ
リブデンが好ましい。
また、強磁性粉末の主面と側面との境界、すなわちエツ
ジ部では、絶縁性粉末の圧縮・変形が十分に行なえない
ため、絶縁性が低下し易い。 このため、層状結晶構造
を有する絶縁性粉末としては、層面な主面とする扁平形
状である粉末を用いることが好ましい。 扁平状の絶縁
性粉末は、強磁性粉末の表面な万遍なく覆うため絶縁性
が良好であり、しかも、扁平状の強磁性粉末と混合し易
(、さらに、圧縮・変形も容易である。
ジ部では、絶縁性粉末の圧縮・変形が十分に行なえない
ため、絶縁性が低下し易い。 このため、層状結晶構造
を有する絶縁性粉末としては、層面な主面とする扁平形
状である粉末を用いることが好ましい。 扁平状の絶縁
性粉末は、強磁性粉末の表面な万遍なく覆うため絶縁性
が良好であり、しかも、扁平状の強磁性粉末と混合し易
(、さらに、圧縮・変形も容易である。
良好な絶縁性を得るために、絶縁性粉末は下記の性状を
有することが好ましい。
有することが好ましい。
光回折法を利用した粒度分布測定によって定義される平
均粒径は0.1〜3μm、好ましくは0.3〜1μm程
度である。 また、その平均厚さは0.03〜0.3μ
m、好ましくは0.05〜0.18μm程度である。
この値が上記範囲未満であると、アスペクト比の十分に
大きな粉が得られないので、絶縁性が著しく劣化する。
均粒径は0.1〜3μm、好ましくは0.3〜1μm程
度である。 また、その平均厚さは0.03〜0.3μ
m、好ましくは0.05〜0.18μm程度である。
この値が上記範囲未満であると、アスペクト比の十分に
大きな粉が得られないので、絶縁性が著しく劣化する。
また上記範囲を超えると、偏平粉が凝集した不定形状
となり、絶縁性が劣化する。
となり、絶縁性が劣化する。
また、主面の平均短径を粉末の平均厚さで除した値、す
なわち、アスペクト比は、好ましくは3〜50、より好
ましくは5〜20である。 この値が上記範囲未満であ
ると絶縁効果が小さ(、上記範囲を超えると、粉末が凝
集する傾向を示し、絶縁性を劣化させる。
なわち、アスペクト比は、好ましくは3〜50、より好
ましくは5〜20である。 この値が上記範囲未満であ
ると絶縁効果が小さ(、上記範囲を超えると、粉末が凝
集する傾向を示し、絶縁性を劣化させる。
なお、主面決定およびその平均径の測定、平均厚さの測
定は、走査型電子顕微鏡により行なうことが好ましい。
定は、走査型電子顕微鏡により行なうことが好ましい。
また、強磁性粉末と絶縁性粉末とは、形状において、下
記のような関係を有することが好ましい。
記のような関係を有することが好ましい。
すなわち、平均粒径の比が、強磁性粉末:絶縁性粉末=
20:l〜5000:1、好ましくは100:1〜10
00:1である。
20:l〜5000:1、好ましくは100:1〜10
00:1である。
また、平均厚さの比は、強磁性粉末:絶縁性粉末=50
: 1〜5000 : 1、好ましくは100:1〜
1000:1である。
: 1〜5000 : 1、好ましくは100:1〜
1000:1である。
さらに、主面の平均短径を粉末の平均厚さで除した値の
比、すなわち、アスペクト比の比は、強磁性粉末:絶縁
性粉末=lOO:1〜1:50、好ましくは10:1〜
1:30、より好ましくは、5:1〜1:10である。
比、すなわち、アスペクト比の比は、強磁性粉末:絶縁
性粉末=lOO:1〜1:50、好ましくは10:1〜
1:30、より好ましくは、5:1〜1:10である。
このような扁平状の絶縁性粉末は、圧粉後のコア中にお
いて下記のような形状を示す。
いて下記のような形状を示す。
平均厚さは0.03〜0.2μm程度、アスペクト比は
4〜100程度である。 コア中におけるこのような粉
末の性状は、圧粉後のコアを切断し、切断面中央部付近
からマイクロスパチラ等により強磁性粉末を採取して、
その表面に存在する絶縁性粉末を走査型電子顕微鏡等に
より観察することにより測定することができる。
4〜100程度である。 コア中におけるこのような粉
末の性状は、圧粉後のコアを切断し、切断面中央部付近
からマイクロスパチラ等により強磁性粉末を採取して、
その表面に存在する絶縁性粉末を走査型電子顕微鏡等に
より観察することにより測定することができる。
コア中における絶縁性粉末の含有量は、強磁性粉末に対
し、好ましくはO,1〜10wt%、より好ましくは1
〜5wt%である。 含有量が上記範囲未満となると絶
縁効果が不十分となり渦電流損が大きくなる。 また、
上記範囲を超えると、圧粉コアの密度が低下し、飽和磁
束密度や透磁率が低下してしまう。
し、好ましくはO,1〜10wt%、より好ましくは1
〜5wt%である。 含有量が上記範囲未満となると絶
縁効果が不十分となり渦電流損が大きくなる。 また、
上記範囲を超えると、圧粉コアの密度が低下し、飽和磁
束密度や透磁率が低下してしまう。
本発明の圧粉コアは、上記のような強磁性粉末と絶縁性
粉末とを混合し、圧粉して得られる。
粉末とを混合し、圧粉して得られる。
混合方法に特に制限はな(、水平回転円筒型混合機、正
立方体型混合機、縦形二重円錐型混合機、V型混合機、
鋤板混合機、らせん混合機、リボン混合機、衝撃回転混
合機等のいずれを用いてもよい。
立方体型混合機、縦形二重円錐型混合機、V型混合機、
鋤板混合機、らせん混合機、リボン混合機、衝撃回転混
合機等のいずれを用いてもよい。
圧粉には冷間ブレス、温間ブレスのいずれも用いること
ができるが、アモルファス合金粉末を用いる場合は常温
での塑性変形が困難であるので、温間ブレスにより圧粉
することが好ましい。 温間ブレスの温度は、用いるア
モルファス合金組成のガラス化温度より高く結晶化温度
より低いものとする。 また、温間プレスの圧力保持時
間は、1秒間〜1時間程度、圧力は1〜20 t /
c m 2程度であることが好ましい。
ができるが、アモルファス合金粉末を用いる場合は常温
での塑性変形が困難であるので、温間ブレスにより圧粉
することが好ましい。 温間ブレスの温度は、用いるア
モルファス合金組成のガラス化温度より高く結晶化温度
より低いものとする。 また、温間プレスの圧力保持時
間は、1秒間〜1時間程度、圧力は1〜20 t /
c m 2程度であることが好ましい。
圧粉により、トロイダル等の所望のコア形状に成形する
ことができる。 なお、本発明は、トロイダル状のコア
に限らず、C型、U型、L型、E型コア等にも好適に適
用できる。 トロイダル状以外の形状でギャップ部を
有する圧粉コアを作製する場合は、付は合わせギャップ
近傍で配向の乱れている部分を取り除くことが好ましい
。
ことができる。 なお、本発明は、トロイダル状のコア
に限らず、C型、U型、L型、E型コア等にも好適に適
用できる。 トロイダル状以外の形状でギャップ部を
有する圧粉コアを作製する場合は、付は合わせギャップ
近傍で配向の乱れている部分を取り除くことが好ましい
。
圧粉後、歪取りのために熱処理を施すことが好ましい。
アモルファス合金を用いる場合、熱処理温度は、用い
る合金組成のキュリー点より高く結晶化温度より低い温
度であることが好ましい。 熱処理時間は、10分〜2
時間とすることが好ましい。 また、熱処理時の雰囲気
は、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気であることが好まし
い。 また、センダストを用いた場合、750〜950
℃、にて10分〜10時間程度の熱処理を施すことが好
ましい。
る合金組成のキュリー点より高く結晶化温度より低い温
度であることが好ましい。 熱処理時間は、10分〜2
時間とすることが好ましい。 また、熱処理時の雰囲気
は、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気であることが好まし
い。 また、センダストを用いた場合、750〜950
℃、にて10分〜10時間程度の熱処理を施すことが好
ましい。
この後、通常、エポキシ樹脂等により塗装し、チョーク
コイル等用のコアとして用いる。
コイル等用のコアとして用いる。
〈作用〉
本発明の圧粉コアは、チョークコイル、トランス等用の
コアとして好適に用いられるが、特に、ノーマルモード
チョークとして用いられる場合の通常使用域である直流
バイアス磁界強度1600〜4000 A / mにお
いて、振幅0.2〜2kG、周波数100 kHz〜5
00kHz程度のマイナーループで、特に高い透磁率を
示す。
コアとして好適に用いられるが、特に、ノーマルモード
チョークとして用いられる場合の通常使用域である直流
バイアス磁界強度1600〜4000 A / mにお
いて、振幅0.2〜2kG、周波数100 kHz〜5
00kHz程度のマイナーループで、特に高い透磁率を
示す。
〈実施例〉
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
[実施例1]
FeyyW+ Si9 B13(数字は原子比を表わす
)の組成の合金を溶湯とし、液体急冷法により幅13m
m、厚さ22μmのアモルファス合金薄帯を作製した。
)の組成の合金を溶湯とし、液体急冷法により幅13m
m、厚さ22μmのアモルファス合金薄帯を作製した。
この薄帯に350℃、1時間の脆化処理を施し、次いで
振動ミル(ビーズ径5/8インチ)により10分間粉砕
した。
振動ミル(ビーズ径5/8インチ)により10分間粉砕
した。
得られたアモルファス合金粉末は扁平状であり、光回折
を用いた粒度分布測定器による測定の結果、平均粒径8
4μmであった。
を用いた粒度分布測定器による測定の結果、平均粒径8
4μmであった。
また、走査型電子顕微鏡により粉末50個について測定
した結果、平均厚さ21μm、平均径を平均厚さで除し
た値(アスペクト比)は18であった。
した結果、平均厚さ21μm、平均径を平均厚さで除し
た値(アスペクト比)は18であった。
このアモルファス合金粉末に、下記のようにして電気絶
縁性酸化物被膜を成膜し、粉末No、1〜3を得た。
縁性酸化物被膜を成膜し、粉末No、1〜3を得た。
(粉末No、1)
アルミナゾルをアモルファス合金粉末と混合した後、1
21)℃においてスパチラを用いて撹拌しながら2時間
乾燥し、アモルファス合金粉末表面に厚さ0.28μm
の酸化物被膜を形成した。
21)℃においてスパチラを用いて撹拌しながら2時間
乾燥し、アモルファス合金粉末表面に厚さ0.28μm
の酸化物被膜を形成した。
(粉末No、2)
シリカゾルをアモルファス合金粉末と混合した後、ウォ
ーターバスな用いて105℃にて2時間乾燥し、アモル
ファス合金粉末に対し1wt%の酸化物被膜を成膜した
。 酸化物被膜の膜厚は0.31μmであった。
ーターバスな用いて105℃にて2時間乾燥し、アモル
ファス合金粉末に対し1wt%の酸化物被膜を成膜した
。 酸化物被膜の膜厚は0.31μmであった。
(粉末No、3)
水ガラス(ケイ酸ソーダ)を粉末表面にコーテイング後
、乾燥し、粉末に対しi wt%の酸化物被膜を成膜し
た。 酸化物被膜の膜厚は0.30μmであった。
、乾燥し、粉末に対しi wt%の酸化物被膜を成膜し
た。 酸化物被膜の膜厚は0.30μmであった。
これらの粉末と層状結晶構造を有する絶縁性粉末(二硫
化モリブデン)とを混合し、次いで温間ブレスにより圧
粉し、トロイダル状の圧粉コアを作製した。
化モリブデン)とを混合し、次いで温間ブレスにより圧
粉し、トロイダル状の圧粉コアを作製した。
二硫化モリブデンは扁平状の粉末を用いた。
この粉末は、光回折を用いた粒度分布測定器による測定
の結果、平均粒径0.4μmであった。 また、走査型
電子顕微鏡により粉末50個について測定した結果、平
均厚さ0.17μm、平均径を平均厚さで除した値(ア
スペクト比)は5.9であった。 第3図に、この二硫
化モリブデン粉末の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写
真を示す。
の結果、平均粒径0.4μmであった。 また、走査型
電子顕微鏡により粉末50個について測定した結果、平
均厚さ0.17μm、平均径を平均厚さで除した値(ア
スペクト比)は5.9であった。 第3図に、この二硫
化モリブデン粉末の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写
真を示す。
また、圧粉後にコアを切断して断面中央部付近のアモル
ファス合金粉末をマイクロスバチラでサンプリングし、
アモルファス合金粉末表面に存在する二硫化モリブデン
粉末の平均厚さおよびアスペクト比を走査型電子顕微鏡
により測定した。 測定粉末数は50とした。 この結
果、コア中の二硫化モリブデン粉末の平均厚さは0.1
6μm、アスペクト比は5.9であった。
ファス合金粉末をマイクロスバチラでサンプリングし、
アモルファス合金粉末表面に存在する二硫化モリブデン
粉末の平均厚さおよびアスペクト比を走査型電子顕微鏡
により測定した。 測定粉末数は50とした。 この結
果、コア中の二硫化モリブデン粉末の平均厚さは0.1
6μm、アスペクト比は5.9であった。
なお、温間ブレスの温度は470℃、保持圧力は9t/
cm2、圧力保持時間は30秒間とした。 また、比較
のために、二硫化モリブデンを含有しない圧粉コアおよ
び酸化物被膜を有さない粉末を用いた圧粉コアも作製し
た。 各圧粉コアが有する粉末No、および二硫化モリ
ブデン量(強磁性粉末を100としたときの重量%)を
表1に示す。 なお、酸化物被膜を成膜しない粉末を、
粉末NO30として示す。
cm2、圧力保持時間は30秒間とした。 また、比較
のために、二硫化モリブデンを含有しない圧粉コアおよ
び酸化物被膜を有さない粉末を用いた圧粉コアも作製し
た。 各圧粉コアが有する粉末No、および二硫化モリ
ブデン量(強磁性粉末を100としたときの重量%)を
表1に示す。 なお、酸化物被膜を成膜しない粉末を、
粉末NO30として示す。
表 1
圧粉コア 粉末 二硫化モリブデンNo、
No、 含有量(wt%)4(比較) 0 5(比較) 1 6(比較) 2 これらのサンプルについて、下記の磁気特性を測定した
。
No、 含有量(wt%)4(比較) 0 5(比較) 1 6(比較) 2 これらのサンプルについて、下記の磁気特性を測定した
。
(磁気特性)
■初透磁率(μi)
横河ヒューレットバッカード社製LFインピーダンスア
ナライザー4192Aを使用し、測定磁界Hm= 10
m0eにて測定周波数を変化させて測定した。
ナライザー4192Aを使用し、測定磁界Hm= 10
m0eにて測定周波数を変化させて測定した。
結果を第1図に示す。
(直流重畳特性)
バイアス磁界を印加し、ΔB=lkGのマイナーループ
における初透磁率(μi°)を測定した。 なお、周波
数は、100kHzとした。
における初透磁率(μi°)を測定した。 なお、周波
数は、100kHzとした。
結果を第2図に示す。
[実施例2]
実施例1と組成の異なるアモルファス合金粉末(粉末N
o、11〜13)を用い、その他は実施例1と同様にし
て圧粉コアを作製した(圧粉コアNo、11”13)。
o、11〜13)を用い、その他は実施例1と同様にし
て圧粉コアを作製した(圧粉コアNo、11”13)。
アモルファス合金粉末の性状は、実施例1のものとほ
ぼ同様であった。
ぼ同様であった。
また、強磁性粉末としてセンダスト扁平粉末(粉末No
、14)を用いて、圧粉コアを作製した(圧粉コアNo
、14)。 センダスト扁平粉末は液体急冷法により合
金溶湯を薄帯化し、振動ミル(ビーズ径1/8インチ)
にて7分間粉砕して作製した。 得られたセンダスト粉
末は扁平状であり、光回折を用いた粒度分布測定器によ
る測定の結果、平均粒径78μmであった。
、14)を用いて、圧粉コアを作製した(圧粉コアNo
、14)。 センダスト扁平粉末は液体急冷法により合
金溶湯を薄帯化し、振動ミル(ビーズ径1/8インチ)
にて7分間粉砕して作製した。 得られたセンダスト粉
末は扁平状であり、光回折を用いた粒度分布測定器によ
る測定の結果、平均粒径78μmであった。
また、走査型電子顕微鏡により粉末50個について測定
した結果、平均厚さ22μm、平均径を平均厚さで除し
た値(アスペクト比)は17であった。
した結果、平均厚さ22μm、平均径を平均厚さで除し
た値(アスペクト比)は17であった。
なお、これらの圧粉コアにおいて、酸化物被膜および二
硫化モリブデンに関しては、実施例1の圧粉コアNo、
3と同一とした。 また、センダスト粉末の圧粉は、室
温にて保持圧力17 t / c m ” 圧力保持
時間1分間で行ない、Arガス雰囲気中にて850℃、
100分間の熱処理を行った。
硫化モリブデンに関しては、実施例1の圧粉コアNo、
3と同一とした。 また、センダスト粉末の圧粉は、室
温にて保持圧力17 t / c m ” 圧力保持
時間1分間で行ない、Arガス雰囲気中にて850℃、
100分間の熱処理を行った。
粉末No、11〜14の組成を表2に示す。
表 2
粉末 粉末組成(at%)
No。
1 1 FetyV+ S is B+
i1 2 FetyCr + S Le
B+s1 3 FettNb+ S
Le B131 4 F e tx、ts
f +a、aA Q 9.?圧粉コアNo、11
〜14に対し、下記の測定を行った。
i1 2 FetyCr + S Le
B+s1 3 FettNb+ S
Le B131 4 F e tx、ts
f +a、aA Q 9.?圧粉コアNo、11
〜14に対し、下記の測定を行った。
(磁気特性)
■初透磁率(μi)
横河ヒューレットパッカード社製LFインピーダンスア
ナライザー4192Aを使用し、測定磁界Hm= 10
m0e、測定周波数300kHzにて測定した。
ナライザー4192Aを使用し、測定磁界Hm= 10
m0e、測定周波数300kHzにて測定した。
結果を表3に示す。
(直流重畳特性)
3000 A / mのバイアス磁界を印加し、ΔB=
1kGのマイナーループにおける実効透磁率(μa)を
測定した。 なお、測定周波数は、l 0OkHzとし
た。
1kGのマイナーループにおける実効透磁率(μa)を
測定した。 なお、測定周波数は、l 0OkHzとし
た。
結果を表3に示す。
表 3
圧粉コア μi lLaNo。
[実施例3]
扁平状の強磁性合金粉末としてケイ素鉄合金を用い、そ
の他は実施例2のセンダスト粉末と同様にして圧粉コア
を作製し、実施例1と同様な測定を行った。
の他は実施例2のセンダスト粉末と同様にして圧粉コア
を作製し、実施例1と同様な測定を行った。
この結果、電気絶縁性酸化物被膜の成膜および二硫化モ
リブデンの混合により、実施例1と同様な効果が実現し
た。
リブデンの混合により、実施例1と同様な効果が実現し
た。
[実施例4]
層状結晶構造を有する絶縁性粉末として雲母、二酸化タ
ングステン、窒化ホウ素のいずれかを用いた他は実施例
1と同様にして圧粉コアを作製し、実施例1と同様な測
定を行った。
ングステン、窒化ホウ素のいずれかを用いた他は実施例
1と同様にして圧粉コアを作製し、実施例1と同様な測
定を行った。
この結果、二硫化モリブデンを用いた場合とほぼ同等の
効果が実現した。
効果が実現した。
[実施例5]
実施例1の圧粉コアNo、3の二硫化モリブデンを平均
粒径5μmの球状のものに替えて圧粉コアを作製した。
粒径5μmの球状のものに替えて圧粉コアを作製した。
用いた二硫化モリブデンの粒子構造を示す走査型電子
顕微鏡写真を、第4図に示す。 なお、上記と同様にし
て圧粉後のコア中の二硫化モリブデンの性状を測定した
ところ、平均厚さ0.65μm、アスペクト比2.8で
あった。
顕微鏡写真を、第4図に示す。 なお、上記と同様にし
て圧粉後のコア中の二硫化モリブデンの性状を測定した
ところ、平均厚さ0.65μm、アスペクト比2.8で
あった。
この圧粉コアに対し、実施例1と同様な測定を行ったと
ころ、扁平状の二硫化モリブデン粉末を用いたサンプル
No、3に比べ、絶縁効果が小さく、高周波での透磁率
が著しく低いものであった。
ころ、扁平状の二硫化モリブデン粉末を用いたサンプル
No、3に比べ、絶縁効果が小さく、高周波での透磁率
が著しく低いものであった。
〈発明の効果〉
本発明の圧粉コアは、電気絶縁性酸化物被膜を表面に有
する扁平状の強磁性粉末と、層状結晶構造を有する絶縁
性粉末とを含有する。 このため、絶縁性が良好であり
、渦電流損が少なく、高い磁気特性を有する。
する扁平状の強磁性粉末と、層状結晶構造を有する絶縁
性粉末とを含有する。 このため、絶縁性が良好であり
、渦電流損が少なく、高い磁気特性を有する。
第1図は、初透磁率の周波数特性を示すグラフである。
第2図は、初透磁率の直流重畳特性を示すグラフである
。 第3図および第4図は、図面代用写真であって、二硫化
モリブデンの粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。
。 第3図および第4図は、図面代用写真であって、二硫化
モリブデンの粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。
Claims (5)
- (1)扁平状の強磁性粉末を圧粉して形成された圧粉コ
アであって、 層状結晶構造を有する絶縁性粉末が添加さ れ、前記扁平状の強磁性粉末が、酸化またはコーティン
グにより形成された電気絶縁性酸化物被膜を表面に有す
ることを特徴とする圧粉コア。 - (2)前記絶縁性粉末が扁平形状である請求項1に記載
の圧粉コア。 - (3)前記絶縁性粉末が、前記扁平状の強磁性粉末に対
し0.1〜10wt%含有される請求項1または2に記
載の圧粉コア。 - (4)前記強磁性粉末が、アモルファス合金粉末である
請求項1ないし3のいずれかに記載の圧粉コア。 - (5)圧粉後、キュリー温度以上で結晶化温度以下の温
度にて熱処理された請求項4に記載の圧粉コア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24880688A JPH0294406A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 圧粉コア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24880688A JPH0294406A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 圧粉コア |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0294406A true JPH0294406A (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17183684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24880688A Pending JPH0294406A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 圧粉コア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0294406A (ja) |
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