JPH0294035A - 光ヘッド - Google Patents
光ヘッドInfo
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- JPH0294035A JPH0294035A JP63244478A JP24447888A JPH0294035A JP H0294035 A JPH0294035 A JP H0294035A JP 63244478 A JP63244478 A JP 63244478A JP 24447888 A JP24447888 A JP 24447888A JP H0294035 A JPH0294035 A JP H0294035A
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Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野]
本発明は光学的情報記録再生装置に用いられる光ヘッド
に関するものであり、とりわけ、半導体レーザを光源と
する光ヘッドに関するものである。
に関するものであり、とりわけ、半導体レーザを光源と
する光ヘッドに関するものである。
[従来の技術]
従来から光を用いて情報を記録・再生する媒体の形態と
して光ディスク、光カード、光デーゾ等の各種のものが
知られている。これらはそれぞれ特徴をもっており、1
」的、用途等によって使いわけられているが、そのうち
光カードは製造の容易さ、携帯性のよさ、アクセス性の
よさといった特徴を生かし、今後、用途がまずまず広ま
ってゆくと考えられる。
して光ディスク、光カード、光デーゾ等の各種のものが
知られている。これらはそれぞれ特徴をもっており、1
」的、用途等によって使いわけられているが、そのうち
光カードは製造の容易さ、携帯性のよさ、アクセス性の
よさといった特徴を生かし、今後、用途がまずまず広ま
ってゆくと考えられる。
第10図は」−記カード状の記録媒体に対して構成され
た光情報記録再生装置の一例を示す概略ブロック図であ
る。
た光情報記録再生装置の一例を示す概略ブロック図であ
る。
同図において101は情報を記録すべき光カド、103
は光ヘッド(第10図において点線で囲まれた部分)、
104は光ビーム、105は光カード101を載置する
シャトル、+08は半導体レーザ光源、+09はコリメ
ーターレンズである。+10は偏光ビームスプリッタ、
+ 30は1/4波長扱で該2つの部材の組み合わせに
よって図の上から下へ向う光は透過させるが、下から十
へ向う光は直角方向に曲げられる。111は対物レンズ
で平行光を光カード] O] −Lで集光させる働きを
する。
は光ヘッド(第10図において点線で囲まれた部分)、
104は光ビーム、105は光カード101を載置する
シャトル、+08は半導体レーザ光源、+09はコリメ
ーターレンズである。+10は偏光ビームスプリッタ、
+ 30は1/4波長扱で該2つの部材の組み合わせに
よって図の上から下へ向う光は透過させるが、下から十
へ向う光は直角方向に曲げられる。111は対物レンズ
で平行光を光カード] O] −Lで集光させる働きを
する。
112は光センサ、113はプリアンプ、114(まオ
ートフォーカシングサーボ、115(まオートトラッキ
ングサーボ、116はデコーダ、117はインターフェ
イス、118はコンビコーータ、+19はエンコーダ、
120はレーザドライバ、12]はステッピングモータ
で光学ヘッド103を紙面と垂直方向に移動させる働き
をもつ。
ートフォーカシングサーボ、115(まオートトラッキ
ングサーボ、116はデコーダ、117はインターフェ
イス、118はコンビコーータ、+19はエンコーダ、
120はレーザドライバ、12]はステッピングモータ
で光学ヘッド103を紙面と垂直方向に移動させる働き
をもつ。
122.123はそれぞれブーりでプーリ122.12
3には、ベルト124がかけられている。該ベルト12
4には光カード+01を載置すると共に固定するシャト
ル+05が取イ」けられている。プーリ122はモータ
126のシャフトに取り付りられており、モータ126
の回転によって光カード101は図の矢印六方向に往復
運動する。
3には、ベルト124がかけられている。該ベルト12
4には光カード+01を載置すると共に固定するシャト
ル+05が取イ」けられている。プーリ122はモータ
126のシャフトに取り付りられており、モータ126
の回転によって光カード101は図の矢印六方向に往復
運動する。
次に第10図に示された装置の動作を情報再生の場合を
例にとり説明する。
例にとり説明する。
第10図において、半導体レーザ108から発振された
光ビームは、コリメータレンズ109で平行光になり、
偏光ビームスプリッタ+10及び1/4波長板130を
通り、さらに対物レンズ111により、集光されて、光
カード101上に微小スポットを形成する。光カード1
01からの反射光は微小スポットにより照射された部分
に情報ビットがあるかないかによって変調を受け、この
変調光が再び対物レンズIIIによって平行光となり、
偏光ビームスプリッタ+10によって光センサ112へ
入射される。光センサ112は変調光の光量変化を検知
し、電気信号に変えてプリアンプ113へ送る。プリア
ンプ113から才一トフォーカシングサーボ114に信
号が送られ、オートフォーカシングサーボ114からの
イ言号により、図示されていないアクチュエータにより
対物レンズ111をB方向に移動させ、光ビーム】04
が光カード101」−で焦点を結ぶように対物レンズ1
11と光カード101との距離を制御する。
光ビームは、コリメータレンズ109で平行光になり、
偏光ビームスプリッタ+10及び1/4波長板130を
通り、さらに対物レンズ111により、集光されて、光
カード101上に微小スポットを形成する。光カード1
01からの反射光は微小スポットにより照射された部分
に情報ビットがあるかないかによって変調を受け、この
変調光が再び対物レンズIIIによって平行光となり、
偏光ビームスプリッタ+10によって光センサ112へ
入射される。光センサ112は変調光の光量変化を検知
し、電気信号に変えてプリアンプ113へ送る。プリア
ンプ113から才一トフォーカシングサーボ114に信
号が送られ、オートフォーカシングサーボ114からの
イ言号により、図示されていないアクチュエータにより
対物レンズ111をB方向に移動させ、光ビーム】04
が光カード101」−で焦点を結ぶように対物レンズ1
11と光カード101との距離を制御する。
またプリアンプ!13からの信号は、オートトラッキン
グサーボ115にも信号が送られ、オドトラッキングサ
ーボ115からの信号は、不図示のアクチュエータによ
り対物レンズI11を紙面と垂直方向に移動させ、光ビ
ーム104が所定の位置に焦点を結ぶように制御する。
グサーボ115にも信号が送られ、オドトラッキングサ
ーボ115からの信号は、不図示のアクチュエータによ
り対物レンズI11を紙面と垂直方向に移動させ、光ビ
ーム104が所定の位置に焦点を結ぶように制御する。
なお、装置の初期動作時には、インターフェイス117
からオートフォーカシングサーボ114、オートトラッ
キングサーボ115ヘサーボの引込み指令が送られる。
からオートフォーカシングサーボ114、オートトラッ
キングサーボ115ヘサーボの引込み指令が送られる。
オートフォーカシングサーボ114とオートトラッキン
グサーボ115については、いくつかの具体的な方法が
提案されているが、例えば光ビーム104をグレーティ
ング等で複数に分け、光カード101にあらかじめオー
トフォーカシング用の、又はオートトラッキング用のト
ラックをプリフォーマットしておき、複数の光ビームの
少なくとも1つで情報を再生し、他のビームでオートフ
ォーカス用およびオー1へトラッキング用の信号を取り
出す例が提案されている。更に、プリアンプ113から
の信号は5デコーダ+16に送られて電気的に必要な処
理をされた後、インターフェース117に送られる。イ
ンターフニス117からはコンピュータ+18に情報信
シ)が送られる。またインターフェース117からは、
エンコーダ119に信号が送られ、必要に応じて変調を
うけた後、レーザドライバ120を経て半導体レーザ1
08の発振を制御する。
グサーボ115については、いくつかの具体的な方法が
提案されているが、例えば光ビーム104をグレーティ
ング等で複数に分け、光カード101にあらかじめオー
トフォーカシング用の、又はオートトラッキング用のト
ラックをプリフォーマットしておき、複数の光ビームの
少なくとも1つで情報を再生し、他のビームでオートフ
ォーカス用およびオー1へトラッキング用の信号を取り
出す例が提案されている。更に、プリアンプ113から
の信号は5デコーダ+16に送られて電気的に必要な処
理をされた後、インターフェース117に送られる。イ
ンターフニス117からはコンピュータ+18に情報信
シ)が送られる。またインターフェース117からは、
エンコーダ119に信号が送られ、必要に応じて変調を
うけた後、レーザドライバ120を経て半導体レーザ1
08の発振を制御する。
更に、インターフェース117からはステッピングモー
タ121とモータサーボ+27に信号が送られ、それぞ
れ光ヘッド103の紙面に対して垂直方向の位置制御モ
ータ126の回転制御が行なわれる。
タ121とモータサーボ+27に信号が送られ、それぞ
れ光ヘッド103の紙面に対して垂直方向の位置制御モ
ータ126の回転制御が行なわれる。
[発明が解決しようとする課題]
第10図を用いて説明した光ヘッド103において、情
報の誤った記録、或いは誤った再生を防止する為に重要
な技術課題として半導体レーザlO8の出力の安定化技
術が挙げられる。この技術課題に対しては従来より種々
の提案が成されており、例えば特公昭54− ] 04
81号公報にその一例が記されている。同公報において
は、半導体レーザの再生用レーザ光と反対側より放射す
るレーザ光を光電変換素子により捕集し、前記光電変換
素子からの出力電圧と基準電圧とを比較して、その比較
結果に基づき半導体レーザの出力を制御する技術が開示
されている。
報の誤った記録、或いは誤った再生を防止する為に重要
な技術課題として半導体レーザlO8の出力の安定化技
術が挙げられる。この技術課題に対しては従来より種々
の提案が成されており、例えば特公昭54− ] 04
81号公報にその一例が記されている。同公報において
は、半導体レーザの再生用レーザ光と反対側より放射す
るレーザ光を光電変換素子により捕集し、前記光電変換
素子からの出力電圧と基準電圧とを比較して、その比較
結果に基づき半導体レーザの出力を制御する技術が開示
されている。
しかしながらこの技術を第1O図に示す光ヘッドに適用
する場合には次のような欠点を有する場合がある。第1
1図は光カード101の模式図を示したものである。光
カード101は透明保護層13+と支持基盤132とが
接着して構成され、その接着面に情報記録層133が設
けられる。光は透明保護層131側より入射する。光カ
ード101の持つ携帯性、フレキシビリティ等の特長を
生かすために透明保護層131.支持基盤132は高分
子樹脂を材料とする例が多く、とりわけ、ポリカーボネ
ートは製造上の好便さもあって広く使われている。しか
しながらポリカーボネートは製造時もしくは携帯、保管
時に複屈折を生じると云う欠点が知られている。このよ
うな複屈折を有する光カード101に対して第10図に
示す光ヘッド103で情報の記録・再生を行なう場合に
は、光カード101からの反対光束を偏光ビームスプリ
ッタ110で完全に光センサ112へ向けることができ
ず、その一部光束は半導体レーザ108へもどってしま
う。この時前述の如く特公昭54−1048 ]号公報
に記される技術を用いて半導体レーザ108の出力の安
定化を行なう光ヘッドであれば、前記もどり光が半導体
レーザ108内部の前記光電変換素子へ到達してしまい
、その結果、半導体レーザ108の出力を低下させるよ
うに制御回路が作動する。このため、たとえば記録時に
おいては充分な光量が光カードI OIに到達せず良好
な記録が竹なえなくなる。
する場合には次のような欠点を有する場合がある。第1
1図は光カード101の模式図を示したものである。光
カード101は透明保護層13+と支持基盤132とが
接着して構成され、その接着面に情報記録層133が設
けられる。光は透明保護層131側より入射する。光カ
ード101の持つ携帯性、フレキシビリティ等の特長を
生かすために透明保護層131.支持基盤132は高分
子樹脂を材料とする例が多く、とりわけ、ポリカーボネ
ートは製造上の好便さもあって広く使われている。しか
しながらポリカーボネートは製造時もしくは携帯、保管
時に複屈折を生じると云う欠点が知られている。このよ
うな複屈折を有する光カード101に対して第10図に
示す光ヘッド103で情報の記録・再生を行なう場合に
は、光カード101からの反対光束を偏光ビームスプリ
ッタ110で完全に光センサ112へ向けることができ
ず、その一部光束は半導体レーザ108へもどってしま
う。この時前述の如く特公昭54−1048 ]号公報
に記される技術を用いて半導体レーザ108の出力の安
定化を行なう光ヘッドであれば、前記もどり光が半導体
レーザ108内部の前記光電変換素子へ到達してしまい
、その結果、半導体レーザ108の出力を低下させるよ
うに制御回路が作動する。このため、たとえば記録時に
おいては充分な光量が光カードI OIに到達せず良好
な記録が竹なえなくなる。
半導体レーザ108の出力の安定化を達成する為の更な
る従来例としては特公昭63−18354号公報に記さ
れる技術がある。同公報中の実施例によれば、記録媒体
からの反射光束を情報FJi生用光用光検出器射する為
のプリズムを、半導体レーザから記録媒体へ到る光路中
に設け、前記プリズムにより半導体レーザから記録媒体
へ向う光束の一部を反射させ、2分割センサの一方へ導
き、そのセンサの出力と他方のセンサとの出力との差信
号をもって半導体レーザの発光量を制御するものである
。この方法によれば、半導体レーザの発光量を制御する
ための光検出器が半導体レザの外部に存在するものであ
るから、前述の光カードから半導体レーザへのもどり光
による問題点は解消される。
る従来例としては特公昭63−18354号公報に記さ
れる技術がある。同公報中の実施例によれば、記録媒体
からの反射光束を情報FJi生用光用光検出器射する為
のプリズムを、半導体レーザから記録媒体へ到る光路中
に設け、前記プリズムにより半導体レーザから記録媒体
へ向う光束の一部を反射させ、2分割センサの一方へ導
き、そのセンサの出力と他方のセンサとの出力との差信
号をもって半導体レーザの発光量を制御するものである
。この方法によれば、半導体レーザの発光量を制御する
ための光検出器が半導体レザの外部に存在するものであ
るから、前述の光カードから半導体レーザへのもどり光
による問題点は解消される。
しかしながら、」−記従来例においては下記の欠点があ
る。
る。
即ち、上記従来例においては光検出器をプリズムの外部
に設ける必要があるため、光ヘッド筐体I+ に光検出器の保持部を設ける必要があり、ヘッドの重量
が増加する。史に、コリメートされた光束の如く径の大
きな光束を受光しようとすると人血梢の受光部を有する
光検出器が必要になり、検出器の応答性やコストの面で
不利となる。受光部面積の小さい光検出器を用いる場合
には必然的に集光用のレンズが必要となり、これもヘッ
ド重N1やコストの点で不利である。
に設ける必要があるため、光ヘッド筐体I+ に光検出器の保持部を設ける必要があり、ヘッドの重量
が増加する。史に、コリメートされた光束の如く径の大
きな光束を受光しようとすると人血梢の受光部を有する
光検出器が必要になり、検出器の応答性やコストの面で
不利となる。受光部面積の小さい光検出器を用いる場合
には必然的に集光用のレンズが必要となり、これもヘッ
ド重N1やコストの点で不利である。
又、他の半導体レーザ108の出力の安定化技術として
は、特公昭61−8495号公報に開示された技術があ
る。同公報中の実施例によれば、半導体レーザからの発
散光束のうち、対物レンズにて集光されない位置での光
束を検出器にて取り込み、この検出器の出力によって半
導体レーザの出力の安定化を図るものであり、上記2実
施例の問題点は解決される。しかし、上記手段にあって
は、検出器へ達する光量が少なく、l3ii記検出器の
出力のS/N比が低−ドし、正確な半導体レーザの安定
化の点において問題がある。又、逆に充分な光量を前記
光検出器で受光するためには、半導体レーザの高出力化
が必要となり、好ましくない。
は、特公昭61−8495号公報に開示された技術があ
る。同公報中の実施例によれば、半導体レーザからの発
散光束のうち、対物レンズにて集光されない位置での光
束を検出器にて取り込み、この検出器の出力によって半
導体レーザの出力の安定化を図るものであり、上記2実
施例の問題点は解決される。しかし、上記手段にあって
は、検出器へ達する光量が少なく、l3ii記検出器の
出力のS/N比が低−ドし、正確な半導体レーザの安定
化の点において問題がある。又、逆に充分な光量を前記
光検出器で受光するためには、半導体レーザの高出力化
が必要となり、好ましくない。
[課題を解決するための手段]
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、従来の
光ヘッドに比べて重量を増やすことなく、また構成も複
雑化することなしに半導体レーザ発光量の安定化を達成
できる光ヘッドを提供することにある。
光ヘッドに比べて重量を増やすことなく、また構成も複
雑化することなしに半導体レーザ発光量の安定化を達成
できる光ヘッドを提供することにある。
以上のような目的は、光源である半導体レザ、コリメー
タレンズ、無偏光ビームスプリッタ、対物レンズ、第1
の光検出器、該第1の光検出器に光を集光する為の集光
レンズ、及び第2の光検出器を少なくとも有し、前記コ
リメーターレンズにより平行光化された半導体レーザか
らの出射光束を光学的情報記録媒体に照射し、その反射
光を前記無偏光ビームスプリッタにより振幅分割して前
記集光レンズを介して前記第1の光検出器に導いて情報
の記録及び/又は再生を行なう光ヘッドであって、 該光ヘッドは前記無偏光ビームスプリッタによって振幅
分割された光束のうぢ前記光学的情報記録媒体に向かわ
ない光束を反射するための反射面(反射ミラー、ビーム
スプリッタに設けられた反射面17を含む)を有し、該
反射面で反射された光束が前記集光レンズによって集光
される位置に前記第2の光検出器を設け、該光検出器の
出力を用いて前記半導体レーザの出力を制御することを
特徴とする本発明の光ヘッドAにより達成される。
タレンズ、無偏光ビームスプリッタ、対物レンズ、第1
の光検出器、該第1の光検出器に光を集光する為の集光
レンズ、及び第2の光検出器を少なくとも有し、前記コ
リメーターレンズにより平行光化された半導体レーザか
らの出射光束を光学的情報記録媒体に照射し、その反射
光を前記無偏光ビームスプリッタにより振幅分割して前
記集光レンズを介して前記第1の光検出器に導いて情報
の記録及び/又は再生を行なう光ヘッドであって、 該光ヘッドは前記無偏光ビームスプリッタによって振幅
分割された光束のうぢ前記光学的情報記録媒体に向かわ
ない光束を反射するための反射面(反射ミラー、ビーム
スプリッタに設けられた反射面17を含む)を有し、該
反射面で反射された光束が前記集光レンズによって集光
される位置に前記第2の光検出器を設け、該光検出器の
出力を用いて前記半導体レーザの出力を制御することを
特徴とする本発明の光ヘッドAにより達成される。
又、上記目的は、光源である半導体レーザ、コリメータ
ーレンズ、無偏光ビームスプリッタ、対物レンズ、第1
の光検出器、該第1の光検出器、第2の光検出器を少な
くとも有し、前記コリメーターレンズにより平行光化さ
れた半導体レーザからの出射光束を光学的情報記録媒体
に照射し、その反射光を前記無偏光ビームスプリッタに
より振幅分割して前記第1の光検出器に導いて情報の記
録及び/又は再生を行なう光ヘッドであって、0?1記
無偏光ビームスプリツタは前記光学的情報記録媒体に向
かわない光束を反射するための反射面(反射ミラー、ビ
ームスプリッタに設けられた反射面17を含む)を有し
、該反射面で反射された光束が前記コリメーターレンズ
によって集光される位置に前記第2の光検出器を設け、
該光検出器の出力を用いて前記半導体レーザの出力を制
御することを特徴とする本発明の光ヘッド■3によって
も達成される。
ーレンズ、無偏光ビームスプリッタ、対物レンズ、第1
の光検出器、該第1の光検出器、第2の光検出器を少な
くとも有し、前記コリメーターレンズにより平行光化さ
れた半導体レーザからの出射光束を光学的情報記録媒体
に照射し、その反射光を前記無偏光ビームスプリッタに
より振幅分割して前記第1の光検出器に導いて情報の記
録及び/又は再生を行なう光ヘッドであって、0?1記
無偏光ビームスプリツタは前記光学的情報記録媒体に向
かわない光束を反射するための反射面(反射ミラー、ビ
ームスプリッタに設けられた反射面17を含む)を有し
、該反射面で反射された光束が前記コリメーターレンズ
によって集光される位置に前記第2の光検出器を設け、
該光検出器の出力を用いて前記半導体レーザの出力を制
御することを特徴とする本発明の光ヘッド■3によって
も達成される。
[作用]
1−配本発明に係る光ヘッドA及び光ヘッド13によれ
ば、それぞれ第1の光検出器に光を集光する為の集光レ
ンズ、:〕リメーターレンズをそれら本来の機能と共に
、半導体レーザの出力を制御するための第2の光検出器
に光を集光する集光レンズとしても使用することにより
、そのための集光レンズを新たに設ける必要がな(なる
。
ば、それぞれ第1の光検出器に光を集光する為の集光レ
ンズ、:〕リメーターレンズをそれら本来の機能と共に
、半導体レーザの出力を制御するための第2の光検出器
に光を集光する集光レンズとしても使用することにより
、そのための集光レンズを新たに設ける必要がな(なる
。
又、前記無偏光ビームスプリッタによって振幅分割され
た光束のうち前記光学的情報記録媒体に向かわない光束
をその主光線に対して傾いた平面状の反射面により反射
させ、それぞれ」二記第1の光検出器に光を集光する為
の集光レンズ、コリメーターレンズによって本来の光の
位置とは違う位置に集光させることにより、それぞれ情
報信号光、レーザ方向に向かう光と簡便に分離すること
ができる。
た光束のうち前記光学的情報記録媒体に向かわない光束
をその主光線に対して傾いた平面状の反射面により反射
させ、それぞれ」二記第1の光検出器に光を集光する為
の集光レンズ、コリメーターレンズによって本来の光の
位置とは違う位置に集光させることにより、それぞれ情
報信号光、レーザ方向に向かう光と簡便に分離すること
ができる。
又、本発明は従来の光ヘッドに比べ新たに要する部材は
、基本的には反射面の設置だけであり、■1つ光学系の
位置調整が簡単であり、しかも十分な光量で検出でき、
S/N比の良好な安定した信号が得られる。
、基本的には反射面の設置だけであり、■1つ光学系の
位置調整が簡単であり、しかも十分な光量で検出でき、
S/N比の良好な安定した信号が得られる。
[実施例]
以下、本発明に係る光ヘッドについて具体的な実施例に
基づき詳細に説明する。
基づき詳細に説明する。
第1図は本発明に係る光ヘッドΔの第1実施例を説明す
る図で、同図は焦点制御に非点収差方式、トラッキング
制御にプッシュプル方式を用いた光ヘッドの概略ブロッ
ク図である。
る図で、同図は焦点制御に非点収差方式、トラッキング
制御にプッシュプル方式を用いた光ヘッドの概略ブロッ
ク図である。
同図において、7はシステム全体を制御するCPU、1
はインターフェイス、2はエンコーダ、3は比較器6か
らの信号及びエンコーダ2の信号によりレーザドライバ
4を制御するレーザ制御部、5はセンサ28からの出力
を増幅するアンブ、6はCPLI7からの基準信号と比
較する比較器である。108は半導体レーザ、109は
光束を平行化するコリメーターレンズ、11は無偏光ビ
ームスプリッタ、17は無偏光ビームスプリッタの−・
面に設けられた反射面、】2は球面レンズ、13は円筒
レンズ、28は情報再生用センサ及び半導体の発光量制
御用センサが設けられたセンサである。
はインターフェイス、2はエンコーダ、3は比較器6か
らの信号及びエンコーダ2の信号によりレーザドライバ
4を制御するレーザ制御部、5はセンサ28からの出力
を増幅するアンブ、6はCPLI7からの基準信号と比
較する比較器である。108は半導体レーザ、109は
光束を平行化するコリメーターレンズ、11は無偏光ビ
ームスプリッタ、17は無偏光ビームスプリッタの−・
面に設けられた反射面、】2は球面レンズ、13は円筒
レンズ、28は情報再生用センサ及び半導体の発光量制
御用センサが設けられたセンサである。
CP U 7の指令により、記録すべき信号はインター
フェイスl、エンコーダ2を経由してレーザ制御部3へ
送られ、その結果に基づきレーザドライバ4は半導体レ
ーザ108を変調する。半導体レーザ108から出射し
た光束はコリメーターレンズ109により平行光に変換
され、無偏光ビームスプリッタ11で振幅分割を受けた
後、透過した光束は対物レンズIIIにより光カード1
01上に光スポットとして絞り込まれ、記録を行なう。
フェイスl、エンコーダ2を経由してレーザ制御部3へ
送られ、その結果に基づきレーザドライバ4は半導体レ
ーザ108を変調する。半導体レーザ108から出射し
た光束はコリメーターレンズ109により平行光に変換
され、無偏光ビームスプリッタ11で振幅分割を受けた
後、透過した光束は対物レンズIIIにより光カード1
01上に光スポットとして絞り込まれ、記録を行なう。
光カード+01で反射された光束は光路を逆進し、無偏
光ビームスプリッタ11で反射された後、球面レンズ1
2、円筒レンズ13から成る非点収差発生光学系を通過
してセンサ28の受光部へ到達する。
光ビームスプリッタ11で反射された後、球面レンズ1
2、円筒レンズ13から成る非点収差発生光学系を通過
してセンサ28の受光部へ到達する。
他方、無偏光ビームスプリッタ11で反射された光束は
、該無偏光ビームスプリッタ11の出射面の1つに形成
された誘電体等からなる反射面17で再び反射され、再
び無偏光ビームスプリッタIIを通過して、破線で示す
光路をたどり、センサ28の受光部に到達する。反射面
17は傾斜がつけてあり、そのため反射された光束は光
カード101で反射された光束とは異なる角度で進行し
、従ってセンサ28の受光部においても光カード101
からの反射光束とは異なる位置に集光される。
、該無偏光ビームスプリッタ11の出射面の1つに形成
された誘電体等からなる反射面17で再び反射され、再
び無偏光ビームスプリッタIIを通過して、破線で示す
光路をたどり、センサ28の受光部に到達する。反射面
17は傾斜がつけてあり、そのため反射された光束は光
カード101で反射された光束とは異なる角度で進行し
、従ってセンサ28の受光部においても光カード101
からの反射光束とは異なる位置に集光される。
第2図は前記センサ28の受光部を示すものであり、図
中21は情報再生用センサ、23は発光量制御用センサ
を表わす。情報再生用センサ21は4分割された受光部
211.212.21a 。
中21は情報再生用センサ、23は発光量制御用センサ
を表わす。情報再生用センサ21は4分割された受光部
211.212.21a 。
2]4から成り、その中央部に前記光カード1゜1から
反射された光束20が集光される。そして各受光部から
の出力に対して、受光部21.と213の出力の和と受
光部21□と214の和との差を非点収差方式によるオ
ートフッ−カス制御用の信号とする。また受光部211
と21□の出力の和と受光部213と214の和との差
をプッシュプル方式によりオートトラッキング制御用の
信号とする。更に4つの受光部からの出力の総和を情報
再生信号として用いる。
反射された光束20が集光される。そして各受光部から
の出力に対して、受光部21.と213の出力の和と受
光部21□と214の和との差を非点収差方式によるオ
ートフッ−カス制御用の信号とする。また受光部211
と21□の出力の和と受光部213と214の和との差
をプッシュプル方式によりオートトラッキング制御用の
信号とする。更に4つの受光部からの出力の総和を情報
再生信号として用いる。
発光量制御用セン→ノー23は単一・の受光面から成り
、該受光面」−に前記反射面17で反射された光束22
が集光される。
、該受光面」−に前記反射面17で反射された光束22
が集光される。
再び第1図において、前記発光量制御用センサ23の出
力はアンプ5を経て比較器6へ入る。他方CPU7から
の指令によりインターフェイス1は記録・再生の状態に
それぞれ対応して好適な発光量を示す基準信号を比較器
6に送る。比較器6においては両者の信号を比較した結
果をレーザ制御部3へ送り、この信号に基づいてレーザ
制御部3は好適である発光状態となるようにレーザドラ
イバ4を制御する。
力はアンプ5を経て比較器6へ入る。他方CPU7から
の指令によりインターフェイス1は記録・再生の状態に
それぞれ対応して好適な発光量を示す基準信号を比較器
6に送る。比較器6においては両者の信号を比較した結
果をレーザ制御部3へ送り、この信号に基づいてレーザ
制御部3は好適である発光状態となるようにレーザドラ
イバ4を制御する。
本実施例の特徴は、既に述べたように反射面17が、顔
面に入射する光束の主光線に対して傾けて配置されてい
ることである。この配置により反射光は光カード+01
からの反射光とは異なる角度でセンサ28に向かい、従
って受光面上での分離が可能となる。また、反射面17
で反射された光束の一部は無偏光ビームスプリッタII
で反射されて半導体レーザ108へ向かう光束となるが
、該光束も半導体レーザからの出射光束とは角度が異な
るので半導体レーザ108の発光部上に集光することは
なく、従って再結合により発生ずるレーザのノイズ等の
有害な現象を防ぐことができる。また、必要なら適当な
位置でこのもどり光だけ遮光することも可能である。
面に入射する光束の主光線に対して傾けて配置されてい
ることである。この配置により反射光は光カード+01
からの反射光とは異なる角度でセンサ28に向かい、従
って受光面上での分離が可能となる。また、反射面17
で反射された光束の一部は無偏光ビームスプリッタII
で反射されて半導体レーザ108へ向かう光束となるが
、該光束も半導体レーザからの出射光束とは角度が異な
るので半導体レーザ108の発光部上に集光することは
なく、従って再結合により発生ずるレーザのノイズ等の
有害な現象を防ぐことができる。また、必要なら適当な
位置でこのもどり光だけ遮光することも可能である。
第3図及び第4図は本発明に係る光ヘッドAの第2実施
例を説明する図である。同図で示す実施例が第1の実施
例と異なる所はオートトラッキング制御に回折格子30
を用いた3ビーム法を適用する点にある。また第3図が
、第1図と異なるところは、上述の回折格子30が付加
された事の他に、反射面17’の傾き方向が回折格子3
oによって発生ずる3ビームの並び方向と略直交する方
向であること、後に第4図を用いて説明するようにセン
サ28゛の受光面配置が若干異なることである。その他
の部材は第1図と同じであるので、同一番号を付し、説
明は省略する。
例を説明する図である。同図で示す実施例が第1の実施
例と異なる所はオートトラッキング制御に回折格子30
を用いた3ビーム法を適用する点にある。また第3図が
、第1図と異なるところは、上述の回折格子30が付加
された事の他に、反射面17’の傾き方向が回折格子3
oによって発生ずる3ビームの並び方向と略直交する方
向であること、後に第4図を用いて説明するようにセン
サ28゛の受光面配置が若干異なることである。その他
の部材は第1図と同じであるので、同一番号を付し、説
明は省略する。
第4図はセンサ28′の受光部の構成を示す図である。
該受光部は、情報再生並びにオートフォーカス制御のた
めの4分割された受光部21とオートトラッキング制御
のための2つの受光部32.33、および発光量制御用
センサの受光部41が好ましくは同一基板」−に配置さ
れて成るものである。光カード+01で反射されて受光
部21.32.33に集光した光束43.44.45は
オーヒフ1−カス制御、オートトラッキング制御及び情
報再生に用いられる。他方、反射面17’で反射されて
受光部41−Lに集光された光束34,35.36は半
導体レーザの発光量制御に用いられる。
めの4分割された受光部21とオートトラッキング制御
のための2つの受光部32.33、および発光量制御用
センサの受光部41が好ましくは同一基板」−に配置さ
れて成るものである。光カード+01で反射されて受光
部21.32.33に集光した光束43.44.45は
オーヒフ1−カス制御、オートトラッキング制御及び情
報再生に用いられる。他方、反射面17’で反射されて
受光部41−Lに集光された光束34,35.36は半
導体レーザの発光量制御に用いられる。
前に述べたように反射面17′を傾けて光束34.35
.36を、光束43.44.45の並び方向と略直交す
る方向にずらしてその集光位置で受光するような構成と
したことにより、受光部間の距離が短かくなり同一基板
上に上記センサを配置するうえで好都合となる。また、
反射面15′ とビームスプリッタの振幅分割面は所謂
2枚鏡構成となって光束を反射するのでビームスプリッ
タ11の組立時の位置設定誤差の影響を受けにくく、セ
ンサ28゛へ向かう光束の方向は常に定となる。従って
受光部4Iと21.32.33は予め同一基板」二に所
定の間隔で配置することが可能となり、調整作業が容易
となる。
.36を、光束43.44.45の並び方向と略直交す
る方向にずらしてその集光位置で受光するような構成と
したことにより、受光部間の距離が短かくなり同一基板
上に上記センサを配置するうえで好都合となる。また、
反射面15′ とビームスプリッタの振幅分割面は所謂
2枚鏡構成となって光束を反射するのでビームスプリッ
タ11の組立時の位置設定誤差の影響を受けにくく、セ
ンサ28゛へ向かう光束の方向は常に定となる。従って
受光部4Iと21.32.33は予め同一基板」二に所
定の間隔で配置することが可能となり、調整作業が容易
となる。
なお、発光量制御に用いるセンサ41は単一・の受光部
で3つの光束34.35.36を受光する構造としたが
、これは半導体レーザ108のモードホップ等に起因す
る回折効率の変動があった場合でも、複数の光束の光量
和を受光するため上記変動の影響を受けにくくなり好都
合である。勿論前記受光部を光束34.35.36各々
に対応した個別の受光部に分割し、後でそれらの和信号
を得る方式にしても良い。
で3つの光束34.35.36を受光する構造としたが
、これは半導体レーザ108のモードホップ等に起因す
る回折効率の変動があった場合でも、複数の光束の光量
和を受光するため上記変動の影響を受けにくくなり好都
合である。勿論前記受光部を光束34.35.36各々
に対応した個別の受光部に分割し、後でそれらの和信号
を得る方式にしても良い。
受光部41で検出された信号は発光量制御用信号として
第3図のアンプ5に入力され、以干第1の実施例と同様
の過程を経て半導体レーザ108の発光量が安定に制御
される。
第3図のアンプ5に入力され、以干第1の実施例と同様
の過程を経て半導体レーザ108の発光量が安定に制御
される。
本発明の光ヘッドΔの第3実施例を第5図及び第6図を
用いて説明する。本実施例の特徴は、光源としてそれぞ
れが独立駆動可能な複数の発光点を自する21つ導体レ
ーザアレイ51を光源として用いる点にある。半導体レ
ーザアレイ51からの複数の光束は光カード+01によ
り反射され、第6図に示すようにセンサ50−11に設
けられた情報再生用の受光部6]、62.63で受光さ
れ、例えばそれぞれが情報の記録・再生オートフォーカ
シング制御、オートトラッキング制御、記録情報の再生
確認、光カード101上の異物検知等の役割を持つ。他
方コリメーターレンズ+09を通過後、無偏光ビームス
プリッタ11により反射された光束は第2実施例と同様
の反射面17′により、前記光カード101で反射され
た光束とは半導体レーザアレイ51の発光点の並びと略
直交する方向に角度を有する光束となってセンサ50上
の受光部7]、72.73にそれぞれ分離して集光され
、発光量制御用信号を発生ずる。受光部7]、72.7
3は第2実施例とは異なり個々の光束に対応して独立に
設けられる。従って隣り合った半導体レーザの発光量の
影響を受Gづることなくそれぞれの発光部の発光量を検
知する事ができる。各受光部71,72.73からの出
力はアンプ53.5□、5.を通じて比較器6へ送られ
、その後筒1又は第2実施例と同様の手順により半導体
レーザアレイ51の各発光点の出力を独立に制御するこ
とが可能となる。
用いて説明する。本実施例の特徴は、光源としてそれぞ
れが独立駆動可能な複数の発光点を自する21つ導体レ
ーザアレイ51を光源として用いる点にある。半導体レ
ーザアレイ51からの複数の光束は光カード+01によ
り反射され、第6図に示すようにセンサ50−11に設
けられた情報再生用の受光部6]、62.63で受光さ
れ、例えばそれぞれが情報の記録・再生オートフォーカ
シング制御、オートトラッキング制御、記録情報の再生
確認、光カード101上の異物検知等の役割を持つ。他
方コリメーターレンズ+09を通過後、無偏光ビームス
プリッタ11により反射された光束は第2実施例と同様
の反射面17′により、前記光カード101で反射され
た光束とは半導体レーザアレイ51の発光点の並びと略
直交する方向に角度を有する光束となってセンサ50上
の受光部7]、72.73にそれぞれ分離して集光され
、発光量制御用信号を発生ずる。受光部7]、72.7
3は第2実施例とは異なり個々の光束に対応して独立に
設けられる。従って隣り合った半導体レーザの発光量の
影響を受Gづることなくそれぞれの発光部の発光量を検
知する事ができる。各受光部71,72.73からの出
力はアンプ53.5□、5.を通じて比較器6へ送られ
、その後筒1又は第2実施例と同様の手順により半導体
レーザアレイ51の各発光点の出力を独立に制御するこ
とが可能となる。
次に、本発明に係る光ヘッド13の実施例を説明する。
第7図は本発明に係る光ヘッドBの第1実施例の構成を
示すブロック図である。同図は焦点制御に非点収差方式
、トラッキング制御にプッシュプル方式を用いた光ヘッ
ドを表わす。
示すブロック図である。同図は焦点制御に非点収差方式
、トラッキング制御にプッシュプル方式を用いた光ヘッ
ドを表わす。
同図において、+08は半導体レーザ、+09は該半導
体レーザから出射した光束を平行光化ずるだめのコリメ
ーターレンズ、10は光束の断面を略円形に整形するた
めの整形プリズム、11はビームスプリッタ、111は
対物レンズ、101は光カード、12は球面レンズ、1
3は円筒レンズ、14は情報再生用センサ、15は発光
量制御用センサ、16は反射ミラーをあられす。また、
4は半導体レーザ108を駆動するためのレーザドライ
バ回路、6は比較器、25は比較器6に入力されるレー
ザ駆動用の基準信号、5は発光量制御用センサの出力を
増幅するためのアンプ回路をあられず。
体レーザから出射した光束を平行光化ずるだめのコリメ
ーターレンズ、10は光束の断面を略円形に整形するた
めの整形プリズム、11はビームスプリッタ、111は
対物レンズ、101は光カード、12は球面レンズ、1
3は円筒レンズ、14は情報再生用センサ、15は発光
量制御用センサ、16は反射ミラーをあられす。また、
4は半導体レーザ108を駆動するためのレーザドライ
バ回路、6は比較器、25は比較器6に入力されるレー
ザ駆動用の基準信号、5は発光量制御用センサの出力を
増幅するためのアンプ回路をあられず。
以下、係る光ヘッドによる発光量制御の方法を順を追っ
て説明する。
て説明する。
半導体レーザ108より出射し、コリメーター109、
整形プリズム]0を通過した光束は、ビームスプリッタ
11で透過光と反射光に分割される。反射光は対物レン
ズIllで光カード101の媒体面に光スポットに絞り
込まれ、不図示の駆動機構を用いて光スポットと光カー
ドを相対的に移動させながら情報をピットの形で記録し
てゆく。光カード101の媒体面で反射された光束は、
光路を逆進し、ビームスプリッタ11を透過した後球面
レンズ12、円筒レンズI3を経て情報再生用センサ1
4に入射し、情報信号、焦点制御及びトラッキング制御
用の信号を得る。
整形プリズム]0を通過した光束は、ビームスプリッタ
11で透過光と反射光に分割される。反射光は対物レン
ズIllで光カード101の媒体面に光スポットに絞り
込まれ、不図示の駆動機構を用いて光スポットと光カー
ドを相対的に移動させながら情報をピットの形で記録し
てゆく。光カード101の媒体面で反射された光束は、
光路を逆進し、ビームスプリッタ11を透過した後球面
レンズ12、円筒レンズI3を経て情報再生用センサ1
4に入射し、情報信号、焦点制御及びトラッキング制御
用の信号を得る。
一方、整形プリズム10を通過した後、ビームスプリッ
タIIを透過した光束は反射ミラー16によって反射さ
れ、図中に破線で示すように該反射ミラーに至った光路
を逆進して、コリメーターレンズ109で集光され、発
光量制御用センサ15に入射する。反射ミラー16の反
射面は誘電体膜等を蒸着して形成され、レーザ光に対す
る反射率をできるだけ高くしたものが好ましい。また反
射ミラー16は、反射光を半導体レーザの傍に設けた発
光量制御用センサI5に入射させるため若干傾きを持た
せて固設しである。
タIIを透過した光束は反射ミラー16によって反射さ
れ、図中に破線で示すように該反射ミラーに至った光路
を逆進して、コリメーターレンズ109で集光され、発
光量制御用センサ15に入射する。反射ミラー16の反
射面は誘電体膜等を蒸着して形成され、レーザ光に対す
る反射率をできるだけ高くしたものが好ましい。また反
射ミラー16は、反射光を半導体レーザの傍に設けた発
光量制御用センサI5に入射させるため若干傾きを持た
せて固設しである。
発光量制御用センサ15で検出された光信号はアンプ回
路5で増幅された後、比較器6に入力される。他方、該
比較器には不図示の−L位制御装置から記録、再生状態
にそれぞれ対応して好適な発光量を示す基準信号25が
入力され、これら2つの入力信号を比較して、最終的に
半導体レーザの発光量が所望の状態になるようにレーザ
ドライバ4にフィードバック制御がかけられる。
路5で増幅された後、比較器6に入力される。他方、該
比較器には不図示の−L位制御装置から記録、再生状態
にそれぞれ対応して好適な発光量を示す基準信号25が
入力され、これら2つの入力信号を比較して、最終的に
半導体レーザの発光量が所望の状態になるようにレーザ
ドライバ4にフィードバック制御がかけられる。
ここで光カード101が前述の如く複屈折性を有するも
のである場合には、情報再生用センサ14に到達する光
量の複屈折に起因する変動を避けるために、前記ビーム
スプリッタ11を無偏光ビームスプリッタにする事が好
適である。
のである場合には、情報再生用センサ14に到達する光
量の複屈折に起因する変動を避けるために、前記ビーム
スプリッタ11を無偏光ビームスプリッタにする事が好
適である。
また、発光量制御用センサ15は半導体レーザ108の
内部に内蔵して一体化することも可能である。
内部に内蔵して一体化することも可能である。
本発明の利点は1−記説明からも分るように、コリメー
ターレンズ109が受光量制御用センサ15に対する集
光レンズも兼ねていることである。
ターレンズ109が受光量制御用センサ15に対する集
光レンズも兼ねていることである。
従って、新たな集光レンズを設ける必要なしに十分な光
量を得ることができ、信号のS/Nを良好に保つことが
できる。
量を得ることができ、信号のS/Nを良好に保つことが
できる。
第8図は本発明に係る光ヘッドBの第2実施例の構成を
示すブロック図である。同図に示す構成は第7図とほぼ
同様であるが、異なる所はビームスプリッタ11を透過
した光束側に対物レンズ111を配置したことと、反射
ミラー16を−・枚の反射鏡ではなく、図示するように
2枚の反射面を有する所謂2枚鏡にしたことにある。こ
の場合、ビームスプリッタ11で反射した光束を反射ミ
ラー16で発光量制御用センサ15に戻ずことになる。
示すブロック図である。同図に示す構成は第7図とほぼ
同様であるが、異なる所はビームスプリッタ11を透過
した光束側に対物レンズ111を配置したことと、反射
ミラー16を−・枚の反射鏡ではなく、図示するように
2枚の反射面を有する所謂2枚鏡にしたことにある。こ
の場合、ビームスプリッタ11で反射した光束を反射ミ
ラー16で発光量制御用センサ15に戻ずことになる。
光ヘッドの構成上、対物レンズIIIを」−記の位置に
置く必要がある場合は係る配置とする。また反射ミラー
16の2枚の反射面のなす角度は直角かられずかにずれ
た角度に設定しておくことにより、半導体レーザ側から
入射した光束はその方向によらず、必ず入射光束に対し
て一定の角度を成すもどり光となる。従って発光量制御
用センサ15は予め半導体レーザ108と一定の距離を
置いた状態で一体化しておけば、必ずもどり光が該セン
サ上に集光されるため位置調整は簡単である。
置く必要がある場合は係る配置とする。また反射ミラー
16の2枚の反射面のなす角度は直角かられずかにずれ
た角度に設定しておくことにより、半導体レーザ側から
入射した光束はその方向によらず、必ず入射光束に対し
て一定の角度を成すもどり光となる。従って発光量制御
用センサ15は予め半導体レーザ108と一定の距離を
置いた状態で一体化しておけば、必ずもどり光が該セン
サ上に集光されるため位置調整は簡単である。
第9図(a)及び(b)は本発明に係る光ヘッドBの第
3実施例の構成を示すブロック図である。図中、第7図
と同一の番号を付した部材については説明を省略する。
3実施例の構成を示すブロック図である。図中、第7図
と同一の番号を付した部材については説明を省略する。
本実施例が第7図で示した実施例と異なる所は、反射ミ
ラー16を設けるかわりにビームスプリッタ+1を構成
するプリズムの面17が反射面と成っていることである
。また、発光量制御用センサ15は第9図(b)に示す
ように、半導体レーザ内部に収納されている。
ラー16を設けるかわりにビームスプリッタ+1を構成
するプリズムの面17が反射面と成っていることである
。また、発光量制御用センサ15は第9図(b)に示す
ように、半導体レーザ内部に収納されている。
第9図(b)は半導体レーザ108を光軸方向から見た
図をあられし、108−1はマウント、+08−2はザ
ブマウント、+08−3はレーザ発光部をあられす。発
光制御用センサ15はマウント+08−1上に、レーザ
発光部+08−3と所定の距離をおいて設けられている
。該発光量制御用センサ15は、通常の半導体レーザに
おいて半導体レーザの後方に光量モニター用のホトダイ
オードを設けるのと同様の手法を用いて形成することが
出来る。またその先軸方向の位置はレーザ発光部+08
−3と正確に同一面内にある必要はなく、後述するよう
にもどり光を検出できる範囲内で任意に設定できる。
図をあられし、108−1はマウント、+08−2はザ
ブマウント、+08−3はレーザ発光部をあられす。発
光制御用センサ15はマウント+08−1上に、レーザ
発光部+08−3と所定の距離をおいて設けられている
。該発光量制御用センサ15は、通常の半導体レーザに
おいて半導体レーザの後方に光量モニター用のホトダイ
オードを設けるのと同様の手法を用いて形成することが
出来る。またその先軸方向の位置はレーザ発光部+08
−3と正確に同一面内にある必要はなく、後述するよう
にもどり光を検出できる範囲内で任意に設定できる。
本実施例においては、ビームスプリッタ11の一面17
に金属又は誘電体の反射膜を形成することにより、第1
の実施例の如く新たな反射ミラ16を設ける必要もなく
、従って部品数を増やさずに同様の効果を得ることがで
きる。このようにビームスプリッタ11の1面を反射面
とすることにより、機械的にも安定なものになるという
効果を有する。
に金属又は誘電体の反射膜を形成することにより、第1
の実施例の如く新たな反射ミラ16を設ける必要もなく
、従って部品数を増やさずに同様の効果を得ることがで
きる。このようにビームスプリッタ11の1面を反射面
とすることにより、機械的にも安定なものになるという
効果を有する。
数値例を挙げると、例えば
・コリメーターレンズの焦点距離・・・f e =4.
5mm ・整形プリズムの整形比・・・γ=2 ・ビームスプリッタ11のハーフミラ−面と反射面17
の成ず角度θ=46゜ ・ビームスプリッタプリズムの屈折率 n=1.5 としたとき、破線で示すもどり光がコリメータレンズに
よって結像される位置βは、レーザ発光部から測って、
概略、 A=2ny ・ fe tan(θ −45° )
470(μm) となり、半導体レーザのパッケージ内に発光量制御用セ
ンサも容易に封入できる寸法であることが分る。なお、
この発光量制御用センサは単に光量を検出することが目
的であるから、コリメーターレンズの設計仕様で示され
る画角特性を越える範囲の入射角でもどる光を受光した
としても、それによる結像性能の劣化は無視し得る。
5mm ・整形プリズムの整形比・・・γ=2 ・ビームスプリッタ11のハーフミラ−面と反射面17
の成ず角度θ=46゜ ・ビームスプリッタプリズムの屈折率 n=1.5 としたとき、破線で示すもどり光がコリメータレンズに
よって結像される位置βは、レーザ発光部から測って、
概略、 A=2ny ・ fe tan(θ −45° )
470(μm) となり、半導体レーザのパッケージ内に発光量制御用セ
ンサも容易に封入できる寸法であることが分る。なお、
この発光量制御用センサは単に光量を検出することが目
的であるから、コリメーターレンズの設計仕様で示され
る画角特性を越える範囲の入射角でもどる光を受光した
としても、それによる結像性能の劣化は無視し得る。
また、実施例中に用いた反射ミラー16、反射面17に
よって情報再生用センサ14の方向に戻る光も存在する
が、既に説明したように反射面(反射ミラー16、ビー
ムスプリッタに設けられた反射面17を含む)は傾けら
れており、該センサ14に直接光が入射することはない
。あるいは必要ならば先駈の途中で遮光することも可能
である。
よって情報再生用センサ14の方向に戻る光も存在する
が、既に説明したように反射面(反射ミラー16、ビー
ムスプリッタに設けられた反射面17を含む)は傾けら
れており、該センサ14に直接光が入射することはない
。あるいは必要ならば先駈の途中で遮光することも可能
である。
[発明の効果]
以上実施例を用いて説明したように、本発明に係る光ヘ
ッドA及び光ヘッドBによれば、■集光用のレンズを新
たに設ける必要がなく、単に平面状の反射面を一面追加
するだけで十分な光量が検出でき、S/N比の良好な安
定した信号が得られる。
ッドA及び光ヘッドBによれば、■集光用のレンズを新
たに設ける必要がなく、単に平面状の反射面を一面追加
するだけで十分な光量が検出でき、S/N比の良好な安
定した信号が得られる。
■反射面とビームスプリッタの組合せにより、2枚鏡を
構成したもので発光量制御用センサーの位置調整が容易
になる。
構成したもので発光量制御用センサーの位置調整が容易
になる。
笠の特長を有し、従って従来の光ヘッドに比べて重量を
増やすことなく、また構成も複雑化することなしにレー
ザ発光量の安定化を達成できるという効果を有するもの
である。
増やすことなく、また構成も複雑化することなしにレー
ザ発光量の安定化を達成できるという効果を有するもの
である。
第1図は本発明に係る光ヘッドAの第1実施例の構成を
示すブロック図、第2図はその光ヘッドに使用するセン
サを示す図である。 第3図は本発明に係る光ヘッドAの第2実施例の構成を
示すブロック図、第4図はその光ヘッドに使用するセン
サを示す図である。 第5図は本発明に係る光ヘッドAの第3実施例の構成を
示すブロック図、第6図はその光ヘッドに使用するセン
サを示す図である。 第7図、第8図、第9図(a)はそれぞれ水弁明に係る
光ヘッドBの第1.第2.第3.実施例の構成を示すブ
ロック図であり、第9図(b)はその第3実施例の半導
体レーザ及びセンサを示す図である。 第10図は光カード記録再生装置を説明する為の図であ
る。 第11図は光カードを説明する為の図である。 1・・・インターフェイス、 2・・・エンコーダ、 3・・・レーザ制御部、 4・・・レーザドライバ、 5・・・アンプ、 6・・・比較器、 7・・・CPU。 108・・・半導体レーザ、 109・・・コリメーターレンズ、 11・・・ビームスプリッタ、 12・・・球面レンズ、 13・・・円筒レンズ、 14・・・情報再生用センサ、 5・・・発光量制御用センサ、 6・・・反射ミラー 7・・・反射面、 01・・・光カード、 11・・・対物レンズ。
示すブロック図、第2図はその光ヘッドに使用するセン
サを示す図である。 第3図は本発明に係る光ヘッドAの第2実施例の構成を
示すブロック図、第4図はその光ヘッドに使用するセン
サを示す図である。 第5図は本発明に係る光ヘッドAの第3実施例の構成を
示すブロック図、第6図はその光ヘッドに使用するセン
サを示す図である。 第7図、第8図、第9図(a)はそれぞれ水弁明に係る
光ヘッドBの第1.第2.第3.実施例の構成を示すブ
ロック図であり、第9図(b)はその第3実施例の半導
体レーザ及びセンサを示す図である。 第10図は光カード記録再生装置を説明する為の図であ
る。 第11図は光カードを説明する為の図である。 1・・・インターフェイス、 2・・・エンコーダ、 3・・・レーザ制御部、 4・・・レーザドライバ、 5・・・アンプ、 6・・・比較器、 7・・・CPU。 108・・・半導体レーザ、 109・・・コリメーターレンズ、 11・・・ビームスプリッタ、 12・・・球面レンズ、 13・・・円筒レンズ、 14・・・情報再生用センサ、 5・・・発光量制御用センサ、 6・・・反射ミラー 7・・・反射面、 01・・・光カード、 11・・・対物レンズ。
Claims (7)
- (1)光源である半導体レーザ、コリメータレンズ、無
偏光ビームスプリッタ、対物レンズ、第1の光検出器、
該第1の光検出器に光を集光する為の集光レンズ、及び
第2の光検出器を少なくとも有し、前記コリメーターレ
ンズにより平行光束化された半導体レーザからの出射光
束を光学的情報記録媒体に照射し、その反射光を前記無
偏光ビームスプリッタにより振幅分割して前記集光レン
ズを介して前記第1の光検出器に導いて情報の記録及び
/又は再生を行なう光ヘッドであって、該光ヘッドは前
記無偏光ビームスプリッタによって振幅分割された光束
のうち前記光学的情報記録媒体に向かわない光束を反射
するための反射面を有し、該反射面で反射された光束が
前記集光レンズによって集光される位置に前記第2の光
検出器を設け、該光検出器の出力を用いて前記半導体レ
ーザの出力を制御することを特徴とする光ヘッド。 - (2)前記無偏光ビームスプリッタが振幅分割面を間に
接合されて成る直方体状のプリズムであり、かつ前記反
射面は前記振幅分割面で分割された光束のうち光学的情
報記録媒体に向かわない光束が入射する面であることを
特徴とする請求項第1項記載の光ヘッド。 - (3)前記第2の光検出器が前記第1の光検出器と同一
基板上に一体形成されて成ることを特徴とする請求項第
1項記載の光ヘッド。 - (4)光源である半導体レーザ、コリメーターレンズ、
無偏光ビームスプリッタ、対物レンズ、第1の光検出器
、該第1の光検出器、第2の光検出器を少なくとも有し
、前記コリメーターレンズにより平行光化された半導体
レーザからの出射光束を光学的情報記録媒体に照射し、
その反射光を前記無偏光ビームスプリッタにより振幅分
割して前記第1の光検出器に導いて情報の記録及び/又
は再生を行なう光ヘッドであって、 前記無偏光ビームスプリッタは前記光学的情報記録媒体
に向かわない光束を反射するための反射面を有し、該反
射面で反射された光束が前記コリメーターレンズによっ
て集光される位置に前記第2の光検出器を設け、該光検
出器の出力を用いて前記半導体レーザの出力を制御する
ことを特徴とする光ヘッド。 - (5)前記反射面は前記光学的情報記録媒体に向かわな
い光束の主光線に対して傾けて設けられていることを特
徴とする請求項第1項または第4項記載の光ヘッド。 - (6)前記反射面が2枚鏡で構成され、かつ該2枚鏡に
より前記半導体レーザからの出射光束がその進行方向と
略同一方向を逆向きに反射させることを特徴とする請求
項第4項記載の光ヘッド。 - (7)前記第2の光検出器が、前記半導体レーザの発光
部近傍に一体形成されていることを特徴とする請求項第
4項記載の光ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63244478A JP2728211B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 光ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63244478A JP2728211B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 光ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0294035A true JPH0294035A (ja) | 1990-04-04 |
JP2728211B2 JP2728211B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=17119263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63244478A Expired - Fee Related JP2728211B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 光ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2728211B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59152549A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-31 | Canon Inc | 光学ピツクアツプ |
JPS6129430A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Toshiba Corp | 光学的情報処理装置 |
JPS63832A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光記録再生装置 |
JPS6352342A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-05 | Sony Corp | 光ピツクアツプ |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63244478A patent/JP2728211B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59152549A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-31 | Canon Inc | 光学ピツクアツプ |
JPS6129430A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Toshiba Corp | 光学的情報処理装置 |
JPS63832A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光記録再生装置 |
JPS6352342A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-05 | Sony Corp | 光ピツクアツプ |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2728211B2 (ja) | 1998-03-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |