JPH0265157A - Master slice type semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Master slice type semiconductor integrated circuit deviceInfo
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はマスタスライス型LSIに係り、特に大チップ
化され、かつ長大化した内部バスネットワークを有する
マスタスライス型LSIにおけるバスドライバの改良に
関し、
マスタスライス型LSIにおいて、新たにドライブトラ
ンジスタを増設することなく、バス駆動能力を向上しう
るバスドライバを備えたヤスタスライス型LSIを提供
することを目的とし、基本セルの領域、配線チャネルお
よび入出力セルの領域が末結線状態で予め形成されたマ
スタチップと、前記マスタチップ上の各fi域に任意の
可変配線パターンを形成することにより論理ブロック、
内部バスおよびドライブトランジスタを有するバスドラ
イバが形成されてなるマスタスライス型半導体集積回路
装置において、前記ドライブトランジスタは前記入出力
セルの領域内の未使用の入出力セルに含まれるトランジ
スタに配線パターニングを形成して構成される。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] The present invention relates to a master slice type LSI, and particularly relates to an improvement of a bus driver in a master slice type LSI that is made into a large chip and has an enlarged internal bus network. The aim of this research is to provide a Yasuta slice-type LSI equipped with a bus driver that can improve bus drive capability without adding new drive transistors, and the basic cell area, wiring channel, and input/output cell area are A logic block is created by forming an arbitrary variable wiring pattern in each fi area on a master chip formed in advance in an end-connected state, and on the master chip.
In a master slice semiconductor integrated circuit device in which a bus driver having an internal bus and a drive transistor is formed, the drive transistor forms wiring patterning on transistors included in unused input/output cells in the area of the input/output cells. It is composed of
本発明はマスタスライス型LSIに係り、特に大チップ
化され、かつ長大化した内部バスネットワークを有する
マスタスライス型LSIにおけるバスドライバの改良に
関する。The present invention relates to a master slice type LSI, and in particular to an improvement of a bus driver in a master slice type LSI that is made into a large chip and has an enlarged internal bus network.
マスタスライス型LSrは、各種ゲートアレイの製造に
適している。マスタスライス型LSIはしSlの拡散層
を共通パターン化してマスタチップを作成しておき、配
線層だけをユーザから要求される仕様に応じて個別的に
設計することにより製造される多品種少址生産向けのL
SIである。The master slice type LSr is suitable for manufacturing various gate arrays. Master slice type LSI A master chip is created by creating a common pattern for the diffusion layer of the Sl, and only the wiring layer is individually designed according to the specifications requested by the user. L for production
It is SI.
このマスタスライス型LSIによれば、拡散層の共通パ
ターン化によりLSIの納期の短縮化を図ることができ
る。According to this master slice type LSI, the delivery time of the LSI can be shortened by forming the diffusion layer into a common pattern.
このマスタスライス型LSIにより、MPU(Micr
o Processor Unit)を作成する場合、
ALtJ(八rithn+ctic Logic
unit ) 、 RAM(IlandomAcc
ess Henory)等の複数の論理ブロックととと
もに、各論理ブロック相互間を結ぶ内部バス回路をマス
タチップ上に形成する。With this master slice type LSI, MPU (Micr
o When creating a Processor Unit),
ALtJ(8rithn+ctic Logic
unit ), RAM (Ilando Acc
In addition to a plurality of logic blocks such as ESS Henory), an internal bus circuit connecting each logic block is formed on the master chip.
内部バス回路は、各論理ブロック相互間のデータの送受
を行うバストランシーバと、このパストランシーバにデ
ータを転送するためのバスネットワークとを備えて構成
される。パストランシーバはデータをバスネットワーク
から受信するバスレシーバとデータをバスネットワーク
に送出するバスドライバとからなる。さらに、バスドラ
イバは論理ブロックの出力データの送信制御を行う制御
部とバスネットワークを駆動するドライブトランジスタ
とからなる0本発明はこのドライブトランジスタに関す
るものである。The internal bus circuit includes a bus transceiver that transmits and receives data between each logical block, and a bus network that transfers data to the path transceiver. A path transceiver consists of a bus receiver that receives data from a bus network and a bus driver that sends data to the bus network. Further, the bus driver includes a control section that controls the transmission of output data of the logic block and a drive transistor that drives the bus network.The present invention relates to this drive transistor.
半導体技術の進歩ならびにLSIの機能向上の要請から
LSI一般に大規模化が進み、1チツプ当りに実装され
る論理ブロック数が増大する傾向にある。かかる大チッ
プ化は各論理ブロック間を結ぶ内部バス回路の長大化(
例えば、数量にも及ぶ)を招来し、それに伴なってドラ
イブトランジスタの大駆動能力化が必要とされる。Due to advances in semiconductor technology and demands for improved functionality of LSIs, LSIs are generally becoming larger in scale, and the number of logic blocks mounted on each chip tends to increase. Such larger chips require longer internal bus circuits that connect each logic block (
(for example, in terms of quantity), and accordingly, it is necessary to increase the driving capability of the drive transistor.
まず、最初にマスタスライス型LSIの概要を簡単に説
明しておく。第3図にCMOSゲートアレイのマスタス
ライス型LSIの概要を示す。First, a brief overview of the master slice type LSI will be provided. FIG. 3 shows an outline of a CMOS gate array master slice type LSI.
マスタスライス型LSIは、1つの半導体基板上に複数
の基本セル2からなる基本セル領域、各基本セル2相互
間を結ぶための配線チャネル3、および複数の入出力セ
ル(以下、I10セル4という、)からなるI10セル
領域を予め形成してマスタチップ1を作っておき、上記
基本セル2、配線チャネル3、I10セル4上にユーザ
側からの注文に応じて配線パターンを形成して完成する
、いわゆるカスタムICである。A master slice type LSI includes a basic cell area consisting of a plurality of basic cells 2 on one semiconductor substrate, a wiring channel 3 for connecting each basic cell 2, and a plurality of input/output cells (hereinafter referred to as I10 cells 4). , ) is formed in advance to form a master chip 1, and a wiring pattern is formed on the basic cell 2, wiring channel 3, and I10 cell 4 according to an order from the user side to complete the process. This is a so-called custom IC.
基本セル2の領域は、0MO3)−ランジスタを用いて
2個一対の基本セル2をY方向に複数犯べて1列の基本
セルを形成し、かつ、その基本セル列をX方向に間に配
線チャネル3を介在させた繰返しパターンで末結線状態
にて敷並べて構成される。The area of basic cell 2 consists of two or more pairs of basic cells 2 in the Y direction using 0MO3)-transistors to form one row of basic cells, and the basic cell rows are spaced between them in the X direction. The wires are laid out in a repeating pattern with wiring channels 3 interposed in the end-connected state.
I10セル4は、マスタチップ1の周端に治って複数敷
並べられており、入出力用バッド21、入出力トランジ
スタ(0MO3)22.23が−予め末結線状態で形成
されている。A plurality of I10 cells 4 are arranged around the peripheral edge of the master chip 1, and input/output pads 21 and input/output transistors (0MO3) 22, 23 are formed in a terminal-connected state in advance.
次に、以上のマスタスライス型LSIを用いてMPtJ
を作る場合、第4図に示すように、基本セル2のfn5
!JUを用いて論理ブロック5,7.9およびパストラ
ンシーバ6.8.10を形成する。形成方法はカスタム
マスクを用いて第2層配線により行う。一方、配線チャ
ネル3を用いてバスネットワーク11を形成する。形成
方法は上記と同様である。Next, using the above master slice type LSI, MPtJ
When creating fn5 of basic cell 2, as shown in Figure 4,
! JU is used to form logic blocks 5, 7.9 and path transceivers 6.8.10. The formation method is performed by second layer wiring using a custom mask. On the other hand, a bus network 11 is formed using the wiring channels 3. The formation method is the same as above.
論理ブロック5,7.9はMPUの機能を実現するため
のALU、RAM等である。バストランシーバ6.8.
10は各論理ブロック5,7.9をバスネットワーク1
1を介してデータやインスI−ラクションを転送するた
めのものである。各論理ブロック5,7.9ごとにそれ
ぞれ形成される。Logical blocks 5, 7, and 9 are ALU, RAM, etc. for realizing the functions of the MPU. Bus transceiver 6.8.
10 connects each logic block 5, 7.9 to bus network 1
1 for transferring data and instance I-actions. They are formed for each logical block 5, 7, and 9, respectively.
ここで、パストランシーバ6の構成を第5図に示す。こ
の第5図は1ビット当りの構成を詳細に示したものであ
り、6−1〜6.たけビット数に応じて複数設けられる
。1ビット当りのパストランシーバ6のバスネットワー
ク11からのデータを論理ブロック5側に受信するため
のバスレシーバ12と、論理ブロック5からのデータを
バスネットワーク11側に送出するためのバスドライバ
13とからなる。パスレシーバ12とバスドライバ13
の動作モード切替えは制御信号Cの“H”“L”の論理
切替えにより行われる。Here, the configuration of the path transceiver 6 is shown in FIG. This FIG. 5 shows the configuration per bit in detail, and 6-1 to 6. A plurality of bits are provided depending on the number of bits. A bus receiver 12 for receiving data per bit from the bus network 11 of the transceiver 6 to the logic block 5 side, and a bus driver 13 for sending data from the logic block 5 to the bus network 11 side. Become. Pass receiver 12 and bus driver 13
The operation mode switching is performed by logic switching between "H" and "L" of the control signal C.
次に、バスドライバ13の構成を第6図に示す。Next, the configuration of the bus driver 13 is shown in FIG.
この第6図は1ビア1〜分について示したものであり、
8ビツトであれば8ビツト分だけ並列に設けられる。バ
スドライバ13は制御信号Cにより入力データAの出力
を制御する制御部25と、この制御部25の出力を受け
てバスネットワーク11を駆動する駆動部26とからな
る。制御部25はN O’I’ゲート15、NOTゲー
1へ16、NANDゲート14およびNOR,ゲート1
7からなる。駆動部26は電源電圧V。0と接地GND
間に形成されたCMOSトランジスタ(以下、ドライブ
トランジスタ18.19という、)よりなる。このバス
ドライバ13は、第7図の真理値表に示すように、制御
信号C−“L′”のとき、A 4i子に人力されたデー
タをドライブトランジスタ18.19およびX端子を介
してバスネットワーク11に出力する。一方、制御信号
C=“H”のとき、X端子はハイインピーダンスZとな
り、バスネットワーク11から切離されることになり、
データの送出は行なわれない、つまり、この制御信号C
=“H”ときは、パスレシーバ12による受信モードの
ときである。This Fig. 6 shows 1 via for 1 minute.
If it is 8 bits, 8 bits are provided in parallel. The bus driver 13 includes a control section 25 that controls the output of input data A using a control signal C, and a drive section 26 that receives the output of the control section 25 and drives the bus network 11. The control unit 25 has a N O'I' gate 15, a NOT gate 16, a NAND gate 14, and a NOR gate 1.
Consists of 7. The drive unit 26 has a power supply voltage V. 0 and ground GND
It consists of CMOS transistors (hereinafter referred to as drive transistors 18 and 19) formed between them. As shown in the truth table of FIG. 7, when the control signal C is "L'", this bus driver 13 transfers the data inputted to the A4i terminal to the bus via the drive transistors 18 and 19 and the X terminal. Output to network 11. On the other hand, when the control signal C="H", the X terminal becomes high impedance Z and is disconnected from the bus network 11.
No data is sent, that is, this control signal C
="H" means that the path receiver 12 is in reception mode.
以上のマスタスライス型LSIに形成されるバスドライ
バ13の間顕点は、マスタスライス型LSIが大チップ
化されるに伴なってバスネットワーク11に接続される
論理ブロック5,7.9・・・の数が増大し、それに伴
なってバスネットワーク11の長さが長大化(数ny+
にも及ぶことがある。)シた場合に、バスネットワーク
11を駆動するドライブトランジスタ18.19に相当
大きな駆動能力が必要とされることである。ドライブト
ランジスタ18.19の駆動能力を向上させるためには
必然的に大きな面積のトランジスタを使用しなければな
らず、LSIの集積密度の向上に逆行することとなる。The highlight of the bus driver 13 formed in the above master slice type LSI is the logic blocks 5, 7, 9, . . . , which are connected to the bus network 11 as the master slice type LSI becomes larger in size. The number of bus networks 11 increases (several ny+
It can even extend to ), the drive transistors 18, 19 for driving the bus network 11 require a considerably large drive capacity. In order to improve the driving ability of the drive transistors 18 and 19, it is necessary to use transistors with a large area, which goes against the improvement in the integration density of LSIs.
このことは、LSIの大チップ化に伴なってさらに著し
いものとなる。This problem becomes even more remarkable as LSI chips become larger.
そこで、本発明はマスタスライス型LSIにおいて、新
たにドライブトランジスタを増設することなく、バス駆
動能力を向上しうるバスドライバを備えたマスタスライ
ス型LSIを提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a master slice type LSI equipped with a bus driver that can improve the bus driving ability without adding a new drive transistor.
マスタスライス型LSIにおいて、集積度が向上した場
合、必要な論理システムを複数チップ用いることなく、
1つのチップ内で構成することができ、したがって外部
とのインタフェースを多く必要としないことになる。そ
の結果、外部とのインタフェースをとるためのI10セ
ルの領域に不使用のI10セルが生じる。一方、このI
10セルはもともとI10パッドを通じて外部に信号を
伝達させるものであり、大駆動能の入出力トランジスタ
を備えている。そこで、本発明は上記の点に着目して以
下のように構成した。In master slice type LSIs, when the degree of integration improves, the necessary logic system can be realized without using multiple chips.
It can be configured within one chip, and therefore does not require many interfaces with the outside. As a result, an unused I10 cell is created in the I10 cell area for interfacing with the outside. On the other hand, this I
The 10 cell originally transmits a signal to the outside through the I10 pad, and is equipped with an input/output transistor with a large drive capacity. Therefore, the present invention has been constructed as follows, focusing on the above points.
すなわち、本発明は、基本セル(2)の領域、配線チャ
ネル(3)および入出力セル(4)の領域が末結線状態
で予め形成されたマスタチップ(1)と、前記マスタチ
ップ(1)上の各領域に任意の可変配線パターンを形成
することにより論理ブロック(5,7、9)、内部バス
(11)およびドライブトランジスタを有するバスドラ
イバ(13)が形成されてなるマスタスライス型半導#
集積回路装置において、前記ドライブトランジスタは前
記入出力セル(4)の領域内の未使用の入出力セル(2
4)に含まれるトランジスタ(22,23)に配線パタ
ーニングを形成して構成する。That is, the present invention provides a master chip (1) in which a basic cell (2) region, a wiring channel (3), and an input/output cell (4) region are formed in advance in a wired state, and the master chip (1). A master slice type semiconductor in which a logic block (5, 7, 9), an internal bus (11), and a bus driver (13) having a drive transistor are formed by forming arbitrary variable wiring patterns in each region above. #
In the integrated circuit device, the drive transistor is arranged in an unused input/output cell (2) in the area of the input/output cell (4).
4) The transistors (22, 23) included in the configuration are formed by forming wiring patterning.
以上の構成からなる本発明によれば、I10セル(4)
の領域内の未使用の入出力セル(24)に含まれるトラ
ンジスタ(22,23)をバスドライバ(13)のドラ
イブトランジスタ(1819)として利用し、当該トラ
ンジスタ(22゜23)がバスネットワーク(11)を
駆動する。According to the present invention having the above configuration, the I10 cell (4)
The transistors (22, 23) included in the unused input/output cells (24) in the area are used as the drive transistors (1819) of the bus driver (13), and the transistors (22, 23) are connected to the bus network (11). ) to drive.
トランジスタ(22,23>はもともと高駆動能力を有
して形成されており、充分にバスネットワーク(11)
を駆動できる。したがって、本発明によれば、新たにド
ライブトランジスタ(18゜19)を増設しなくても大
チップ化されたマスタスライス型LSIにおいて不必要
に大チップ化を助長することがない。The transistors (22, 23> are originally formed with high driving ability, and are sufficiently connected to the bus network (11).
can be driven. Therefore, according to the present invention, even if a new drive transistor (18.degree. 19) is not added, the large chip size of the master slice type LSI is not unnecessarily promoted.
次に、本発明に係る実施例を図面に基づいて説明する。 Next, embodiments according to the present invention will be described based on the drawings.
第1図に本発明の実施例を示す。第1図において、従来
例(第3図〜第8図)に示す部分と重複する部分には同
一の符号を付して説明は省略する。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. In FIG. 1, portions that overlap with those shown in the conventional example (FIGS. 3 to 8) are given the same reference numerals, and explanations thereof will be omitted.
本実施例において、従来例と異なる部分は、バスドライ
バ13の駆動部26を基本セル2の領域を用いて形成す
るのではなく、I10セル4の領域内に生じる未使用の
I10セル4(以下、これを空I10セル24という。In this embodiment, the difference from the conventional example is that the driving section 26 of the bus driver 13 is not formed using the area of the basic cell 2, but the unused I10 cell 4 (hereinafter referred to as , this is called an empty I10 cell 24.
)の出力トランジスタ(PMO3>22および出力トラ
ンジスタ(NMO3)23を利用し、制御部25は基本
セル2の領域を用いて形成するようにした点である。), the output transistor (PMO3>22) and the output transistor (NMO3) 23 are utilized, and the control section 25 is formed using the area of the basic cell 2.
すなわち、第8図に示すように、基本セル2のうち出力
セル20は、通常、CMO3)−ランジスタの出力トラ
ンジスタ22と出力トランジスタ23、出力パッド21
および出力トランジスタ22と出力トランジスタ23の
ドレイン・ソース間の接続点から出力バッド21に接続
する配線27からなる。しかし、この出力セル20が不
使用であった場合、余剰トランジスタとしてそのままマ
スタスライス型LSI上に形成したままであり、取除く
ようなことはしない。That is, as shown in FIG. 8, the output cell 20 of the basic cell 2 usually includes an output transistor 22 and an output transistor 23 of a CMO3)-transistor, and an output pad 21.
and a wiring 27 connected to the output pad 21 from the connection point between the drain and source of the output transistor 22 and the output transistor 23. However, if this output cell 20 is not used, it remains formed on the master slice type LSI as a surplus transistor and is not removed.
そこで、第2図に示すように、パストランシーバ6内に
はバスドライバ13の部制御部25まで基本セル2を用
いて形成しておき、駆動部26については、空I10セ
ル24の出力トランジスタ22、出力トランジスタ23
を利用する。この場合、空I10セル24内の配線27
は配線せず、X#i子側に導出するように配線する。配
線は第2層配線で行う、なお、第2図はパストランシー
バ6における1ビット分について示したものであり、複
数(N)ビット分については第2図の回路をN個並列的
に設ける。また、以上はパストランシーバ6について説
明したが、パストランシーバ8゜10についても同様で
あり、その説明は省略する。Therefore, as shown in FIG. 2, the path transceiver 6 is formed using the basic cells 2 up to the control section 25 of the bus driver 13, and the drive section 26 is formed using the output transistor 22 of the empty I10 cell 24. , output transistor 23
Take advantage of. In this case, the wiring 27 in the empty I10 cell 24
is not wired, but wired so as to lead to the X#i child side. Wiring is performed by second-layer wiring. Note that FIG. 2 shows one bit in the path transceiver 6, and for a plurality of (N) bits, N circuits of FIG. 2 are provided in parallel. Moreover, although the path transceiver 6 has been described above, the same applies to the path transceivers 8 and 10, and the description thereof will be omitted.
なおまた、制御部25、駆動部26の動作は第6図と同
様なので説明を省略する。Furthermore, since the operations of the control section 25 and the drive section 26 are similar to those shown in FIG. 6, their explanations will be omitted.
以上説明したように、本発明によれば、大チップ化され
たマスタスライス型LSIに生じる余剰110セル、す
なわち、空I10セルを有効に活用するとともに大駆動
能力のバスドライバを構成することができる。As explained above, according to the present invention, it is possible to effectively utilize the surplus 110 cells generated in a large-chip master slice type LSI, that is, the empty I10 cells, and to configure a bus driver with a large driving capacity. .
第1図は本発明の実施例の概要図、
第2図は本発明に係るバスドライバの回路図、第3図は
マスタスライス型LSIの基本構成図、第4図は基本セ
ル領域および配線チャネルの構成図、
第5図はパストランシーバのブロック図、第6図はバス
ドライバの回路図、
第7図は第6図の動作説明図、
第8図は出力セルの回路図である。
1・・・マスタチップ
2・・・基本セル
3・・・配線チャネル
4・・・I10セル
5・・・論理ブロック
6・・・バストランシーバ
7・・・論理ブロック
8・・・パストランシーバ
9・・・論理ブロック
10・・・パストランシーバ
11・・・バスネットワーク
12・・・バスレシーバ
13・・・バスドライバ
21・・・出力パッド
22・・・出力トランジスタ
23・・・出力トランジスタ
24・・・空I10セル
25・・・制御部
26・・・駆動部
本売B月にイ禾るバスドライバのロ路ロ第20
マスタズライス型LSIの基本#A口
第 3 回
基本℃ル碩成および配膝予ヤネルの填へ凹革42
ハ゛ズドライノマ
バスドライバの回路図
第6 配
6ペストランシーバ
バストランシーバのブローツク困
20エカセル
出力亡ルの回路図
第B凪Fig. 1 is a schematic diagram of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram of a bus driver according to the invention, Fig. 3 is a basic configuration diagram of a master slice type LSI, and Fig. 4 is a basic cell area and wiring channel. 5 is a block diagram of a path transceiver, FIG. 6 is a circuit diagram of a bus driver, FIG. 7 is an explanatory diagram of the operation of FIG. 6, and FIG. 8 is a circuit diagram of an output cell. 1... Master chip 2... Basic cell 3... Wiring channel 4... I10 cell 5... Logic block 6... Bus transceiver 7... Logic block 8... Pass transceiver 9... ... Logic block 10 ... Path transceiver 11 ... Bus network 12 ... Bus receiver 13 ... Bus driver 21 ... Output pad 22 ... Output transistor 23 ... Output transistor 24 ... Empty I10 Cell 25... Control unit 26... Drive unit Bus driver's route to be completed in the month of sale B 20th master's slice type LSI basics #A mouth 3rd basic ℃ le completion and arrangement Concave leather 42 in the case of the front panel 42 Circuit diagram of the hard-wired inoma bus driver No. 6 Circuit diagram of the bus transceiver failure 20 Ekacell output failure No. B Nagi
Claims (1)
め形成されたマスタチップ(1)と、前記マスタチップ
(1)上の各領域に任意の可変配線パターンを形成する
ことにより論理ブロック(5、7、9)、内部バス(1
1)およびドライブトランジスタを有するバスドライバ
(13)が形成されてなるマスタスライス型半導体集積
回路装置において、 前記ドライブトランジスタは前記入出力セル(4)の領
域内の未使用の入出力セル(24)に含まれるトランジ
スタ(22、23)に配線パターニングを施して形成さ
れていることを特徴とするマスタスライス型半導体集積
回路装置。 2、請求項1記載の装置において、バスドライバ(13
)は論理ブロック(5、7、9)からの出力データ(A
)の送信を制御する制御部(25)と、制御部(25)
の出力により出力データ(A)を内部バス(11)に送
出する前記ドライブトランジスタ(22、23)とから
なり、前記制御部(25)は基本セル(2)の領域への
配線パターニングにより形成し、ドライブトランジスタ
(22、23)は前記入出力セル(2)の領域内の未使
用の入出力セル(2)に含まれるトランジスタに配線パ
ターニングを施して形成されていることを特徴とするマ
スタスライス型半導体集積回路装置。[Claims] 1. A master chip (1) in which a basic cell (2) region, a wiring channel (3), and an input/output cell (4) region are formed in an end-connected state, and the master chip ( 1) Logic blocks (5, 7, 9) and internal buses (1) are formed by forming arbitrary variable wiring patterns in each area above.
1) and a master slice type semiconductor integrated circuit device comprising a bus driver (13) having a drive transistor, wherein the drive transistor is installed in an unused input/output cell (24) in the area of the input/output cell (4). A master slice type semiconductor integrated circuit device, characterized in that it is formed by subjecting transistors (22, 23) included in the circuit to wiring patterning. 2. The device according to claim 1, wherein the bus driver (13
) is the output data (A
); and a control unit (25) that controls the transmission of
The control section (25) is formed by wiring patterning in the area of the basic cell (2). , a master slice characterized in that the drive transistors (22, 23) are formed by wiring patterning transistors included in unused input/output cells (2) in the area of the input/output cells (2). type semiconductor integrated circuit device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21670688A JPH0265157A (en) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | Master slice type semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21670688A JPH0265157A (en) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | Master slice type semiconductor integrated circuit device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0265157A true JPH0265157A (en) | 1990-03-05 |
Family
ID=16692645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21670688A Pending JPH0265157A (en) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | Master slice type semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0265157A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020071725A (en) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | Semiconductor device and pattern lay-out method thereof |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP21670688A patent/JPH0265157A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020071725A (en) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | Semiconductor device and pattern lay-out method thereof |
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