JPH0215648A - 微細素子の断面観察装置 - Google Patents
微細素子の断面観察装置Info
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- JPH0215648A JPH0215648A JP16500288A JP16500288A JPH0215648A JP H0215648 A JPH0215648 A JP H0215648A JP 16500288 A JP16500288 A JP 16500288A JP 16500288 A JP16500288 A JP 16500288A JP H0215648 A JPH0215648 A JP H0215648A
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＬＳＩなどの微細構造の素子などを観察する
装置に係り、特に形成された微細素子の断面形状を観察
するのに好適な装置に関する。
装置に係り、特に形成された微細素子の断面形状を観察
するのに好適な装置に関する。
従来、微細構造の断面観察は、実際に観察試料を切断し
ラッピング等で断面をきれいにした後、ＳＥＭ等を用い
て観察する手法がとられていた。
ラッピング等で断面をきれいにした後、ＳＥＭ等を用い
て観察する手法がとられていた。
しかし、この方法は、切断面を正確な位置に作ることが
難しい上に、多大の時間を要するという欠点があった。
難しい上に、多大の時間を要するという欠点があった。
一方、この方法は、試料が作成ができれば、直接観察面
を観察できるという大きな利点も持っている。その他間
接的に断面形状をみる手法としてはシブｙ力法などがあ
る。また最近はステレオ手法などが提案されている。こ
の樵の装置として日経マイクロデバイス（Ｎｉ ＫＫＥ
ｉ ＭｉＣＲＯＤＨＶｉＣＥＳ ） （１９８７竿１１
月号）第１１３頁から第１１９頁において論じられてい
る。これは、試料を二つの角度からＳＥＭによって２枚
の２次電子画像を得、これに画像処理を加えた後、ステ
レオコピーの方法で断面の形状を求めるものである。こ
の方法は、任意の位置でのテーバ角や高さなどを導出で
きる可能性はあるが、像として直接観察することはでき
ない。
を観察できるという大きな利点も持っている。その他間
接的に断面形状をみる手法としてはシブｙ力法などがあ
る。また最近はステレオ手法などが提案されている。こ
の樵の装置として日経マイクロデバイス（Ｎｉ ＫＫＥ
ｉ ＭｉＣＲＯＤＨＶｉＣＥＳ ） （１９８７竿１１
月号）第１１３頁から第１１９頁において論じられてい
る。これは、試料を二つの角度からＳＥＭによって２枚
の２次電子画像を得、これに画像処理を加えた後、ステ
レオコピーの方法で断面の形状を求めるものである。こ
の方法は、任意の位置でのテーバ角や高さなどを導出で
きる可能性はあるが、像として直接観察することはでき
ない。
断面を観察する装置ではないが、特開昭６１−２４１３
６に半導体素子や露光マスクの配線の一部を切断加工す
るためのイオンビーム加工装置が開示されている。この
発明は、従来のＳ Ｉ Ｍ像のみでは、みえない平坦な
パターンの切断加工位置を決定できるイオンビーム照射
装置を提案している。即ち、従来のイオンビーム照射装
置は、ＳＩＭ像によりパターンの切断加工位置を見つけ
ていたが、ＳＩＭ像は、表面凹凸のあるパターンしか検
出できないため、平坦なパターンではＳＩＭｆｌ！を得
ることができない。このため、このような平坦なパター
ンに対し、光学顕微鏡像、あるいはパターンを作るため
に使用する設計データの位置情報全利用して加工位置を
決定できるようにしたものである。従って本発明とは目
的が全（違うため、位置決めステージに断面を観察する
のに必須な試料を傾ける機構の装備なとは全く考慮され
ていない。
６に半導体素子や露光マスクの配線の一部を切断加工す
るためのイオンビーム加工装置が開示されている。この
発明は、従来のＳ Ｉ Ｍ像のみでは、みえない平坦な
パターンの切断加工位置を決定できるイオンビーム照射
装置を提案している。即ち、従来のイオンビーム照射装
置は、ＳＩＭ像によりパターンの切断加工位置を見つけ
ていたが、ＳＩＭ像は、表面凹凸のあるパターンしか検
出できないため、平坦なパターンではＳＩＭｆｌ！を得
ることができない。このため、このような平坦なパター
ンに対し、光学顕微鏡像、あるいはパターンを作るため
に使用する設計データの位置情報全利用して加工位置を
決定できるようにしたものである。従って本発明とは目
的が全（違うため、位置決めステージに断面を観察する
のに必須な試料を傾ける機構の装備なとは全く考慮され
ていない。
上記従来技術は、いずれの手法も簡単に任意の断面を直
接観察するという点についての配慮がされておらず、直
接断面を観察しようとすると多大な時間を要したり、あ
るいは、間接的忙しか断面の形状を推定できないといっ
た問題があった。
接観察するという点についての配慮がされておらず、直
接断面を観察しようとすると多大な時間を要したり、あ
るいは、間接的忙しか断面の形状を推定できないといっ
た問題があった。
本発明の目的は、ＬＳＩなどの微細構造デバイスの任意
断面を簡便にして直接観察できるようＫした微細素子の
断面観察装置を提供することＫある。
断面を簡便にして直接観察できるようＫした微細素子の
断面観察装置を提供することＫある。
上記目的は、観察試料を任意の角ＲＥ傾けられると共に
ＸＹ６’ Ｚ方向に位置決めする手段、微小加工手段、
加工断面観察手段からなる装置を１つの真空室内もしく
は、位置決め系により結合された個別の真空室もしくは
、真空室と大気中に構成することによって達成される。
ＸＹ６’ Ｚ方向に位置決めする手段、微小加工手段、
加工断面観察手段からなる装置を１つの真空室内もしく
は、位置決め系により結合された個別の真空室もしくは
、真空室と大気中に構成することによって達成される。
観察試料の位置決め手段は、試料を載置し、試料を搬送
し、微小加工手段、加工断面観察手段の各作用位置にＸ
、Ｙ、θ、２および傾けて位置決めする。
し、微小加工手段、加工断面観察手段の各作用位置にＸ
、Ｙ、θ、２および傾けて位置決めする。
微小加工手段は、位置決めされた試料に対し、深さ方向
および平面方向に必要量だけ加工して試料を除去する。
および平面方向に必要量だけ加工して試料を除去する。
加工断面観察手段は、前記微小加工手段によって加工さ
れた深さ方向断面を位置決め手段によって、加工断面が
観察できるように傾けて位置決めし観察する。これによ
って、試料の任意位置を微小加工手段忙よって加工し、
加工断面を露出し、露出した断面を走査型電子顕微説な
ど加工断面観察手段で観察できるようＫなるので、直接
任意位置での観察ができるようになる。
れた深さ方向断面を位置決め手段によって、加工断面が
観察できるように傾けて位置決めし観察する。これによ
って、試料の任意位置を微小加工手段忙よって加工し、
加工断面を露出し、露出した断面を走査型電子顕微説な
ど加工断面観察手段で観察できるようＫなるので、直接
任意位置での観察ができるようになる。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第５図により説明す
る。第１図に、本発明の一実施例の全体、構成を示す。
る。第１図に、本発明の一実施例の全体、構成を示す。
１は真空室にて真空ポンプによす１０””〜１０ｐ４程
度の真空度が保てる構造となっている。
度の真空度が保てる構造となっている。
その一部には開口部を設はゲートバルブ２により、位置
決めステージ３が出入り可能な構造となっている。位置
決めステージ３は、観察試料４を載置し、垂直面内で傾
き角を自由に設定できるチルトステージ３４．チルトス
テージ３ａを載置し、水平面内で自由に回転角を設定可
能なθステージ３ｂ、θステージ５ｂを載置し、垂直上
下方向に自由に位置を設定可能なＺステージ３Ｃ，Ｚス
テージ３Ｃを載置し、水平面内で一軸方向に任意に位置
決め可能なＸステージ３ｄおよび、Ｘステージ３ｄと水
平面内で直交する方向に任意に位置決め可能なＹステー
ジ３ｅの５軸から構成されている。なお、最上層のステ
ージが、試料４が載１ｆ可能な構造ならば、このｊ順序
に各ステージを構成する必要はない。ま九位＋ｉ決めス
テージ５は、搬送ステージ５に載置され、レール６上を
スライド９能な構造となっている。
決めステージ３が出入り可能な構造となっている。位置
決めステージ３は、観察試料４を載置し、垂直面内で傾
き角を自由に設定できるチルトステージ３４．チルトス
テージ３ａを載置し、水平面内で自由に回転角を設定可
能なθステージ３ｂ、θステージ５ｂを載置し、垂直上
下方向に自由に位置を設定可能なＺステージ３Ｃ，Ｚス
テージ３Ｃを載置し、水平面内で一軸方向に任意に位置
決め可能なＸステージ３ｄおよび、Ｘステージ３ｄと水
平面内で直交する方向に任意に位置決め可能なＹステー
ジ３ｅの５軸から構成されている。なお、最上層のステ
ージが、試料４が載１ｆ可能な構造ならば、このｊ順序
に各ステージを構成する必要はない。ま九位＋ｉ決めス
テージ５は、搬送ステージ５に載置され、レール６上を
スライド９能な構造となっている。
なお、レール６は、ゲートバルブ２０部分で切断され、
その一部が真空室１外に設置されている。
その一部が真空室１外に設置されている。
従って位置決めステージ３は、搬送ステージ５に載ＩＨ
されたまま、ゲートバルブ２を開けることにより真空室
１外のレール部６にも乗り移り真空室１外に位置決めス
テージ６上の試料４を出すことあるいは真空室１外から
真空室１へ入れることが自由にできる構造である。
されたまま、ゲートバルブ２を開けることにより真空室
１外のレール部６にも乗り移り真空室１外に位置決めス
テージ６上の試料４を出すことあるいは真空室１外から
真空室１へ入れることが自由にできる構造である。
真空室１の一部には、微小加工手段とし【集束イオンビ
ーム加エユニット７、加工断面観察手段として走査型４
子顕微鏡ユニツト８が取付けられている。搬送ステージ
５は、これら集束イオンビーム加エユニクト７、および
走査型顕微鏡ユニット８の作用位置間をレール乙によっ
てスライドできる。次に第２図によって集束イオンビー
ム加工ユニット７の原理の一例を示し、簡単にこの内容
を述べる。９はタングステンなどから成るイオン源チッ
プで先端表面にはＱ、等の物質が付着しである。９ａは
、イオン源コントローラである。１ｏはサプレッサ゛１
極、１１は引出し第一電極、１２はイオンビーム径を変
えるアパーチャである。１３は第２′成極、１４は第３
電極であり業東イオンビームを寿るためのものである。
ーム加エユニット７、加工断面観察手段として走査型４
子顕微鏡ユニツト８が取付けられている。搬送ステージ
５は、これら集束イオンビーム加エユニクト７、および
走査型顕微鏡ユニット８の作用位置間をレール乙によっ
てスライドできる。次に第２図によって集束イオンビー
ム加工ユニット７の原理の一例を示し、簡単にこの内容
を述べる。９はタングステンなどから成るイオン源チッ
プで先端表面にはＱ、等の物質が付着しである。９ａは
、イオン源コントローラである。１ｏはサプレッサ゛１
極、１１は引出し第一電極、１２はイオンビーム径を変
えるアパーチャである。１３は第２′成極、１４は第３
電極であり業東イオンビームを寿るためのものである。
１５は、ブランキング１極、１６はブランキングアパー
チャであり、イオンビームのブランキングに用いる。１
７は、イオンビームを直交する２軸で偏向させる′ｄｔ
極である。２７は、これらの電極を制（至）するレンズ
コントローラである。
チャであり、イオンビームのブランキングに用いる。１
７は、イオンビームを直交する２軸で偏向させる′ｄｔ
極である。２７は、これらの電極を制（至）するレンズ
コントローラである。
イオン源チップから放射されたイオンは、第１１・甑１
１．第２電極１３．第ｓ’４極１４により集束ビームに
されるとともにレンズコントローラ２７で偏向電極１７
によってＸＹＺ軸に走査しながら試料４をイオンエネル
ギーにより加工するものである。このイオンビーム径は
［ｌＬ５μｍ程度まで絞ることが出来、非常に微細な形
状の加工ができるのが特徴である。
１．第２電極１３．第ｓ’４極１４により集束ビームに
されるとともにレンズコントローラ２７で偏向電極１７
によってＸＹＺ軸に走査しながら試料４をイオンエネル
ギーにより加工するものである。このイオンビーム径は
［ｌＬ５μｍ程度まで絞ることが出来、非常に微細な形
状の加工ができるのが特徴である。
次に走査型成子、顕微鏡８の原理について第３図につい
て簡単に述べる。よく知られているように１８は電子銃
にして４子を放出する部分である。１９は集束レンズ、
２０は′戊子ビームを直交する２方向に偏向させる偏向
電極、２１は対物レンズ、２２は、対物絞りである。崗
示してないが、この他非点収差補正コイルなどが実際の
顕微鏡では装備されている。２３は、シンチレータ、２
４はホトマルにして試料から放出された２次電子の量を
電気信号にして取り出している。
て簡単に述べる。よく知られているように１８は電子銃
にして４子を放出する部分である。１９は集束レンズ、
２０は′戊子ビームを直交する２方向に偏向させる偏向
電極、２１は対物レンズ、２２は、対物絞りである。崗
示してないが、この他非点収差補正コイルなどが実際の
顕微鏡では装備されている。２３は、シンチレータ、２
４はホトマルにして試料から放出された２次電子の量を
電気信号にして取り出している。
以上の構成において、動作を説明する。
まず、試料４ｆｅＸ空室１外にある位置決めステージ３
に載置する。次にゲートバルブ２を開放し搬送ステージ
５をレール６に后って移動させ、真空室１内へ入れ、ゲ
ートバルブ２を閉じる。この状態で真空ポンプにより真
空排気を行う。搬送ステージ４は、更に移動し、集束イ
オンビーム加工ユニクト７の加工ポイントに位置決めさ
れる。第４図は、試料４９−例を示したものでＬＳＩの
クエハである。第４図に示す例えば４４点の部分の断面
形状を観察するとする。あらかじめ、この点が正確にわ
かっている場合は、位置決めステージ３により、座標な
どＫよりその点をイオンビーム加工点に位置決めする。
に載置する。次にゲートバルブ２を開放し搬送ステージ
５をレール６に后って移動させ、真空室１内へ入れ、ゲ
ートバルブ２を閉じる。この状態で真空ポンプにより真
空排気を行う。搬送ステージ４は、更に移動し、集束イ
オンビーム加工ユニクト７の加工ポイントに位置決めさ
れる。第４図は、試料４９−例を示したものでＬＳＩの
クエハである。第４図に示す例えば４４点の部分の断面
形状を観察するとする。あらかじめ、この点が正確にわ
かっている場合は、位置決めステージ３により、座標な
どＫよりその点をイオンビーム加工点に位置決めする。
次に集束イオンビーム加工ユニット７を動作させて、あ
らかじめ決めた範囲の加工を行う。第５図に幅Ｗ、長さ
り、深さＤの加工を行った状態の模式図を示す。第５図
に示したように、集束イオンビームによって加工される
ことにより、加工断面４ｃＬ を得ることができる。
らかじめ決めた範囲の加工を行う。第５図に幅Ｗ、長さ
り、深さＤの加工を行った状態の模式図を示す。第５図
に示したように、集束イオンビームによって加工される
ことにより、加工断面４ｃＬ を得ることができる。
この加工断面４４′が所望する観察断面である。集束イ
オンビーム加工によって得た加工断面４４の観察を行う
ため搬送ステージ５は更忙スライドして走査型成子顕微
鏡ユニット８の観察点に粗位置決めされ、位置決めステ
ージ５により加工断面４４′が観察できる位置に精密位
置決めされる。次に、チルトステージ３ａにより試料４
を傾は走査型゛−子顕微鏡ユニット８により加工断面４
ａ′の観察を行う。以上により、所望したい断面を集束
イオンビーム加工ユニット７により加工露出し、次に、
その加工断面を走査型電子顕微鏡ユニツ）８１Ｃよって
観察することによって断面構造、形状などを知ることが
できる。本実施例の説明では、所望個所をイオンビーム
加工して、その加工断面を走査１Ｊ１１１ｃ子顕微鏡で
観察する場合を述べたが、まず、走査型電子顕微」ユニ
ット８で試料表面を観察し、この結果、必要個所を集束
イオンビーム加工ユニット７により加工し、再度、走査
型電子顕微鏡ユニット８で、その加工断面を観察すると
いったことも可能である。もちろん集束イオンビーム加
工ユニツ）７による加工は、＊５図に示すような試料表
面に対して＆直方向断面のみならず、位置決めステージ
３のチルトステージ３ａを傾斜させることによって任意
の角度の断面を加工露出できる。従って４子顕微鏡ユニ
ツト８の観察もこれに応じて任意の角度の断面の観察が
可能である。
オンビーム加工によって得た加工断面４４の観察を行う
ため搬送ステージ５は更忙スライドして走査型成子顕微
鏡ユニット８の観察点に粗位置決めされ、位置決めステ
ージ５により加工断面４４′が観察できる位置に精密位
置決めされる。次に、チルトステージ３ａにより試料４
を傾は走査型゛−子顕微鏡ユニット８により加工断面４
ａ′の観察を行う。以上により、所望したい断面を集束
イオンビーム加工ユニット７により加工露出し、次に、
その加工断面を走査型電子顕微鏡ユニツ）８１Ｃよって
観察することによって断面構造、形状などを知ることが
できる。本実施例の説明では、所望個所をイオンビーム
加工して、その加工断面を走査１Ｊ１１１ｃ子顕微鏡で
観察する場合を述べたが、まず、走査型電子顕微」ユニ
ット８で試料表面を観察し、この結果、必要個所を集束
イオンビーム加工ユニット７により加工し、再度、走査
型電子顕微鏡ユニット８で、その加工断面を観察すると
いったことも可能である。もちろん集束イオンビーム加
工ユニツ）７による加工は、＊５図に示すような試料表
面に対して＆直方向断面のみならず、位置決めステージ
３のチルトステージ３ａを傾斜させることによって任意
の角度の断面を加工露出できる。従って４子顕微鏡ユニ
ツト８の観察もこれに応じて任意の角度の断面の観察が
可能である。
本実施例では、像を観察する場合について述べたが、他
の実施例として走査型電子顕微−ユニり）８に第３図２
３シンチレータ、２４ホトマルからなる検出器のかわり
に、電子が試料４の加工断面４ａに入射したときに発す
る特性Ｘ線を検出する検出器（例えば、シリコン単結晶
にリチウムをドリフトしたＳｉ （Ｌｉ ）検出器）を
設置し、断面構成元素などの同定を行うようにすること
もできる。もちろん、シンチレータ２３ホトマル２４か
らなる１敗検出器と上記Ｓｉ （１，ｉ ）検出器を併
設して、両方全行うことも→能である。
の実施例として走査型電子顕微−ユニり）８に第３図２
３シンチレータ、２４ホトマルからなる検出器のかわり
に、電子が試料４の加工断面４ａに入射したときに発す
る特性Ｘ線を検出する検出器（例えば、シリコン単結晶
にリチウムをドリフトしたＳｉ （Ｌｉ ）検出器）を
設置し、断面構成元素などの同定を行うようにすること
もできる。もちろん、シンチレータ２３ホトマル２４か
らなる１敗検出器と上記Ｓｉ （１，ｉ ）検出器を併
設して、両方全行うことも→能である。
第３の実施例として、第６図に示すようにｄ常の光学頭
歇境ユニット２５を！数置し、まず、集束イオンビーム
ユニット７で、第５図に示す如（所望個所を加工した後
、位置決めステージ３を光学顕微攪ユニット２６の観察
位置に位置決めして観察可能な構成もとれる。
歇境ユニット２５を！数置し、まず、集束イオンビーム
ユニット７で、第５図に示す如（所望個所を加工した後
、位置決めステージ３を光学顕微攪ユニット２６の観察
位置に位置決めして観察可能な構成もとれる。
以上の実施汐すでは、偽束イオンビーム加工ユニット７
、走査型顕微、滉ユニット８、光学顕微夜ユニット２６
を同−真空事内に、＊成したが、ホ７図に示すように、
集束イオンビーム加工ユニット７、走査型順畝硯ユニッ
ト８を各々１点別の真空室に構成すると共に、光学顕微
鏡ユニット２６を真空室外に構成することも、もちろん
可能である。
、走査型顕微、滉ユニット８、光学顕微夜ユニット２６
を同−真空事内に、＊成したが、ホ７図に示すように、
集束イオンビーム加工ユニット７、走査型順畝硯ユニッ
ト８を各々１点別の真空室に構成すると共に、光学顕微
鏡ユニット２６を真空室外に構成することも、もちろん
可能である。
また、微小加工手段として、集束イオンビームにより加
工を行い断面４ａ′を得る場合について述べ九が、細く
絞られたレーザビームを用いて加工することも、また電
子ビームを用いて加工して断面４６′を得ることももち
ろん可能である。
工を行い断面４ａ′を得る場合について述べ九が、細く
絞られたレーザビームを用いて加工することも、また電
子ビームを用いて加工して断面４６′を得ることももち
ろん可能である。
以上本実施例によれば、集束イオンビーム加工圧より試
料の任意の所望場所忙微細なｒｆｒ面を形成できるので
、この微細断面に対して走査１子顕微誂像、断面構成元
素の同定、あるいは光学顕微鏡像を手軽に得ることがで
きる。
料の任意の所望場所忙微細なｒｆｒ面を形成できるので
、この微細断面に対して走査１子顕微誂像、断面構成元
素の同定、あるいは光学顕微鏡像を手軽に得ることがで
きる。
本発明忙よれば、微細加工により、試料の任意の場所に
断面を形成することができるので、従来、困難であった
任意場所の直接観察が簡便にできるようになった。また
、試料を切断し、ラクビング等により観察断面を形成す
る従来の方法に対し、試料の極く一部のみの破壊で済む
、断面形成時間が１週間から１時間程度に短縮できる、
観察が同一の装置内で行えるため試料の汚染がないとい
っ九効来がある。
断面を形成することができるので、従来、困難であった
任意場所の直接観察が簡便にできるようになった。また
、試料を切断し、ラクビング等により観察断面を形成す
る従来の方法に対し、試料の極く一部のみの破壊で済む
、断面形成時間が１週間から１時間程度に短縮できる、
観察が同一の装置内で行えるため試料の汚染がないとい
っ九効来がある。
第１図は本発明の一実施例の全体燵成を示す図、第２図
は集束イオンビーム加工ユニットの原理図、第３図は走
査型電子顕微鏡ユニットの原理図、第４図は試料の一例
としてＬＳＩウェハを示す図、施例を示す図である。 １・・・真空室、３・・・位置決めステージ、４・・・
観察試料、５・・・搬送ステージ、７・・・集束イオン
ビーム加工ユニット、８・・・走査型顕微虚ユニット、
４α・・・観察所望点、４４・・・加工断面、２６・・
・光学顕微跳ユニッ ト 。 挑 Ｔ 図 １−・Ｊｉ！ ４・・−１克γ１八〇 ７３２．隼未イオ〉じ−ム卯１に・ｌト２・−γ−トバ
ル１ ｊｏｏ、梼えＣ（ステージ δ・・・よｊＬ２類徴り丸に・ノド ｊ・・−イｔＬｌｉ［；犬めステージ。 ６・・−シー」し 第 図 第４図 ／３−、ＺＺｔＪａ ）４・−一タ１し３１４１ 第Ｓ図 策 図 ■具２寛 １１雪〉言デ（第１ ７−・ 稟東イわじ−ムηＤＩ−１ニリト２０．ケート
ハ゛ルア゛ 杉１２戸（ステージ トえ査７−員鎮工（丸１′二・ソト ５− イ友、１；天ｔステージ ・レール ２６・、九学ｉ−１欠含転１ニヅト 第７図 ε Ａ
は集束イオンビーム加工ユニットの原理図、第３図は走
査型電子顕微鏡ユニットの原理図、第４図は試料の一例
としてＬＳＩウェハを示す図、施例を示す図である。 １・・・真空室、３・・・位置決めステージ、４・・・
観察試料、５・・・搬送ステージ、７・・・集束イオン
ビーム加工ユニット、８・・・走査型顕微虚ユニット、
４α・・・観察所望点、４４・・・加工断面、２６・・
・光学顕微跳ユニッ ト 。 挑 Ｔ 図 １−・Ｊｉ！ ４・・−１克γ１八〇 ７３２．隼未イオ〉じ−ム卯１に・ｌト２・−γ−トバ
ル１ ｊｏｏ、梼えＣ（ステージ δ・・・よｊＬ２類徴り丸に・ノド ｊ・・−イｔＬｌｉ［；犬めステージ。 ６・・−シー」し 第 図 第４図 ／３−、ＺＺｔＪａ ）４・−一タ１し３１４１ 第Ｓ図 策 図 ■具２寛 １１雪〉言デ（第１ ７−・ 稟東イわじ−ムηＤＩ−１ニリト２０．ケート
ハ゛ルア゛ 杉１２戸（ステージ トえ査７−員鎮工（丸１′二・ソト ５− イ友、１；天ｔステージ ・レール ２６・、九学ｉ−１欠含転１ニヅト 第７図 ε Ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＬＳＩなどの微細素子の断面を観察する装置におい
て、微細素子の微小部分を深さ方向および平面方向に加
工する加工装置と、該微細素子の加工断面を観察する観
察装置と、上記加工装置と観察装置との間を微細素子を
搬送して位置決めする搬送位置決め手段とを遮閉するこ
となく同一雰囲気内に備えたことを特徴とする微細素子
の断面観察装置。 ２、上記微小加工装置をレーザビーム加工装置によって
構成したことを特徴とする請求項１記載の微細素子の断
面観察装置。 ３、上記微小加工手段を、ビーム加工装置で構成したこ
とを特徴とする請求項、記載の微細素子断面観察装置。 ４、微細加工装置をイオンビーム加工装置で構成したこ
とを特徴とする請求項１記載の微細素子の断面観察装置
。 ５、観察装置を走査型電子顕微鏡で構成したことを特徴
とする請求項、記載の微細素子の断面観察装置。 ６、該加工断面を観察する手段として走査型電子顕微鏡
から発せられた電子が加工断面に入射したときに出る特
性Ｘ線を検出する検出器を設け、断面構成元素の同定を
行うことを特徴とする請求項１記載の微細素子の断面観
察装置。 ７、観察装置を光学顕微鏡で構成したことを特徴とする
請求項１記載の微細素子の断面観察装置。 ８、搬送・位置決め手段は、加工装置で加工する際、お
よび観察装置で観察する際、微細素子を傾けるべく設置
したことを特徴とした請求項１記載の微細素子の断面観
察装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16500288A JPH0215648A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 微細素子の断面観察装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16500288A JPH0215648A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 微細素子の断面観察装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215648A true JPH0215648A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15803979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16500288A Pending JPH0215648A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 微細素子の断面観察装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0215648A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116843A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Hitachi Ltd | 試料断面観察方法 |
| JPH04322442A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Sharp Corp | 半導体装置の検査装置 |
| JPH0552721A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-02 | Hitachi Ltd | 試料の分離方法及びこの分離方法で得た分離試料の分析方法 |
| US5516091A (en) * | 1993-11-12 | 1996-05-14 | Riso Kagaku Corporation | Sheet receiving and stacking apparatus |
| US6196542B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-03-06 | Nexpress Solutions Llc | Device for delivering, depositing, and aligning sheets in a stack container |
| US6264193B1 (en) * | 1998-09-26 | 2001-07-24 | BDT-BüRD-UND DATENTECHNIK GMBH & CO. KG. | Document conveyance system for conveying single documents |
| JP2007123289A (ja) * | 2007-01-31 | 2007-05-17 | Hitachi Ltd | 微小試料加工観察方法及び装置 |
| JP2007128922A (ja) * | 2007-02-23 | 2007-05-24 | Hitachi Ltd | 微小試料加工観察方法及び装置 |
| JP2007184298A (ja) * | 2007-04-03 | 2007-07-19 | Hitachi Ltd | 微小試料加工観察方法及び装置 |
| JP2007184295A (ja) * | 2007-03-29 | 2007-07-19 | Hitachi Ltd | 微小試料加工観察方法及び装置 |
| JP2008153239A (ja) * | 2008-03-07 | 2008-07-03 | Hitachi Ltd | 試料作製装置 |
| JP2008294004A (ja) * | 2008-08-13 | 2008-12-04 | Hitachi Ltd | 試料作製装置 |
| JP2012073265A (ja) * | 2011-11-14 | 2012-04-12 | Hitachi Ltd | 微小試料加工観察方法及び装置 |
| US8222618B2 (en) | 2000-11-02 | 2012-07-17 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing a microsample |
-
1988
- 1988-07-04 JP JP16500288A patent/JPH0215648A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116843A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Hitachi Ltd | 試料断面観察方法 |
| JPH04322442A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Sharp Corp | 半導体装置の検査装置 |
| JPH0552721A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-02 | Hitachi Ltd | 試料の分離方法及びこの分離方法で得た分離試料の分析方法 |
| US5516091A (en) * | 1993-11-12 | 1996-05-14 | Riso Kagaku Corporation | Sheet receiving and stacking apparatus |
| US6196542B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-03-06 | Nexpress Solutions Llc | Device for delivering, depositing, and aligning sheets in a stack container |
| US6264193B1 (en) * | 1998-09-26 | 2001-07-24 | BDT-BüRD-UND DATENTECHNIK GMBH & CO. KG. | Document conveyance system for conveying single documents |
| US8222618B2 (en) | 2000-11-02 | 2012-07-17 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing a microsample |
| US8618520B2 (en) | 2000-11-02 | 2013-12-31 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing a micro sample |
| JP2007123289A (ja) * | 2007-01-31 | 2007-05-17 | Hitachi Ltd | 微小試料加工観察方法及び装置 |
| JP2007128922A (ja) * | 2007-02-23 | 2007-05-24 | Hitachi Ltd | 微小試料加工観察方法及び装置 |
| JP2007184295A (ja) * | 2007-03-29 | 2007-07-19 | Hitachi Ltd | 微小試料加工観察方法及び装置 |
| JP2007184298A (ja) * | 2007-04-03 | 2007-07-19 | Hitachi Ltd | 微小試料加工観察方法及び装置 |
| JP2008153239A (ja) * | 2008-03-07 | 2008-07-03 | Hitachi Ltd | 試料作製装置 |
| JP2008294004A (ja) * | 2008-08-13 | 2008-12-04 | Hitachi Ltd | 試料作製装置 |
| JP2012073265A (ja) * | 2011-11-14 | 2012-04-12 | Hitachi Ltd | 微小試料加工観察方法及び装置 |
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