JP6867015B2 - 自動加工装置 - Google Patents

自動加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6867015B2
JP6867015B2 JP2017060902A JP2017060902A JP6867015B2 JP 6867015 B2 JP6867015 B2 JP 6867015B2 JP 2017060902 A JP2017060902 A JP 2017060902A JP 2017060902 A JP2017060902 A JP 2017060902A JP 6867015 B2 JP6867015 B2 JP 6867015B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
processing
end position
repeating structure
image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017060902A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018163067A (ja
Inventor
翔太 酉川
翔太 酉川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Science Corp
Original Assignee
Hitachi High Tech Science Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Tech Science Corp filed Critical Hitachi High Tech Science Corp
Priority to JP2017060902A priority Critical patent/JP6867015B2/ja
Priority to TW107107255A priority patent/TWI776861B/zh
Priority to KR1020197024366A priority patent/KR102490980B1/ko
Priority to US16/496,275 priority patent/US10971330B2/en
Priority to CN201880020177.4A priority patent/CN110494733B/zh
Priority to PCT/JP2018/012608 priority patent/WO2018181408A1/ja
Publication of JP2018163067A publication Critical patent/JP2018163067A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6867015B2 publication Critical patent/JP6867015B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
    • H01J37/3053Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
    • H01J37/3056Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/32Polishing; Etching
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/2202Preparing specimens therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/20Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304Controlling tubes
    • H01J2237/30466Detecting endpoint of process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3174Etching microareas
    • H01J2237/31745Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31749Focused ion beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Description

本発明は、自動加工装置に関する。
従来、試料に電子またはイオンから成る荷電粒子ビームを照射することによって作製した試料片を摘出して、走査電子顕微鏡および透過電子顕微鏡などによる観察、分析、並びに計測などの各種工程に適した形状に試料片を加工する装置が知られている(例えば、特許文献1、2参照)。
例えばメモリーデバイスなどの同じ構造物が並んで繰り返し構造を有している試料を荷電粒子ビームで加工する場合において、例えば任意の構造物一つを残してTEM解析用試料(TEM試料)を作製する場合がある。このように細長い構造物の長手方向に対して試料を作製する場合や列を成している構造物の列に沿って試料を作製する場合、構造物や列に対して水平に加工できるよう荷電粒子ビームの走査方向を補正する。これは、TEM試料作製に限らず断面を作製する場合は全て同様である。
特開2013−170941号公報 特開2013−200987号公報
例えば任意の構造物一つを残してTEM解析用試料(TEM試料)を作製する場合には、荷電粒子ビーム装置の操作者が荷電粒子ビームで加工した断面を適宜観察し、所望の構造物が一つだけ残るようにして手作業で加工をしていた。しかしながら、近年の最新デバイスは微細化や複雑化が進んでいるため、荷電粒子ビームによる解析用試料作製の難易度は年々高くなっている。したがって、対応可能な技術者が限られることとなり、未熟な技術者が扱うと非常に時間を要する上、加工の終了位置を誤ってしまい解析対象を消失させてしまうリスクも高くなる。そのため、荷電粒子ビームによる試料作製において簡易化や省力化が課題となっている。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、荷電粒子ビームによる加工位置が終了位置に到達したか否かを判定することが可能な自動加工装置を提供することを目的としている。
上記課題を解決して係る目的を達成するために、本発明は以下の態様を採用した。
(1)本発明の一態様に係る自動加工装置は、荷電粒子ビームを、繰り返し構造を有する試料に照射することにより当該試料から試料片を作製する自動加工装置であって、加工前の試料の構造を示す情報であって、加工前の前記試料の前記繰り返し構造が撮像された画像である構造情報を取得する構造情報取得部と、前記試料の前記繰り返し構造の繰り返し数を示す情報であって、加工の終了位置を指定する終了位置指定情報を取得する加工終了位置取得部と、荷電粒子ビームが前記試料に照射された位置に現れる加工面が撮像された加工面画像を取得する画像取得部と、前記構造情報取得部が取得する加工前の前記試料が撮像された画像が示す前記繰り返し構造の繰り返し数と、前記画像取得部が取得する前記加工面画像が示す前記繰り返し構造の繰り返し数との比較に基づいて、荷電粒子ビームによる加工位置が前記終了位置に到達したか否かを判定する判定部と、を備える。
)上記()に記載の自動加工装置において、前記判定部は、加工前の前記試料が撮
像された画像が示す前記繰り返し構造の繰り返し数と、前記加工面画像が示す前記繰り返
し構造の残数との比較に基づいて、荷電粒子ビームによる加工位置が前記終了位置に到達
したか否かを判定する。
)上記()に記載の自動加工装置において、前記判定部は、加工前の前記試料が撮
像された画像が示す前記繰り返し構造の繰り返し数と、加工過程において前記加工面画像
に順次現れる前記繰り返し構造の変化数との比較に基づいて、荷電粒子ビームによる加工
位置が前記終了位置に到達したか否かを判定する。
本発明の自動加工装置によれば、荷電粒子ビームによる加工位置が終了位置に到達したか否かを判定することができる。
本発明の実施形態に係る自動加工装置の構成図である。 本実施形態の試料の構造の一例を示す図である。 本実施形態の制御部の機能構成の一例を示す図である。 本実施形態の加工開始前の試料の外観の一例を示す図である。 本実施形態の加工終了後の試料の外観の一例を示す図である。 本実施形態の制御部の動作の一例を示す図である。 本実施形態の判定部による加工の終了位置の判定の一例を示す図である。 本実施形態の構造情報の一例を示す図である。 本実施形態のスライス加工の断面の一例を示す図である。
以下、本発明の実施形態に係る自動加工装置1について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る自動加工装置1の構成図である。
本実施形態の自動加工装置1は、図1に示すように、FIB鏡筒2と、試料室3と、二次電子検出器4と、試料台6とを備えている。
FIB鏡筒2は、試料室3内に収容された試料7に集束イオンビーム(FIB)を照射する。以下の説明において集束イオンビームを単にイオンビーム9とも記載する。
二次電子検出器4は、荷電粒子検出器であって、イオンビーム9の照射により試料7から発生した二次電子を検出する。
試料台6には、試料7が載置される。試料台6は、傾斜させることにより試料7へのイオンビーム9の入射角度を変更する。
自動加工装置1は、入力部10と、制御部11と、FIB制御部13と、像形成部14と、試料台制御部16と、表示部17を備える。
試料台制御部16は、試料台6に傾斜角制御信号を出力することにより、試料台6の傾斜を制御する。
FIB制御部13は、FIB鏡筒2に照射制御信号を出力することにより、FIB鏡筒2からイオンビーム9を照射させる。
像形成部14は、FIB制御部13のイオンビーム9を走査させる信号と、二次電子検出器4で検出した二次電子の信号とからSIM像のデータを生成する。
表示部17は、像形成部14が生成したSIM像のデータに基づいてSIM像を表示する。
入力部10は、オペレータの操作を検出し、検出した操作を示す情報を制御部11に供給する。オペレータが入力部10に対して加工の開始の操作を行うと、入力部10は加工開始の指示を制御部11に送信する。
制御部11は、自動断面加工観察のアルゴリズムを実行する。
[試料7の構造]
次に図2を参照して、本実施形態の試料7の構造の一例について説明する。
図2は、本実施形態の試料7の構造の一例を示す図である。なお、以下において必要な場合にはxyz直交座標系を用いて説明する。このxyz直交座標系のx軸及びy軸は、試料7が試料台6に載置されている平面を示す。z軸は、試料7が試料台6に載置されている平面の法線を示す。この一例の場合、試料7は、x軸方向に同一の構造が繰り返し現れる繰り返し構造RSを有する。この具体例では、試料7は、繰り返し構造RS1から繰り返し構造RS7までの7個の繰り返し構造RSを有する。
本実施形態では、試料7を加工することにより、繰り返し構造RSのうち繰り返し構造RS4を解析対象の試料片として試料7から切り出す場合を一例にして説明する。
[制御部11の機能構成]
図3は、本実施形態の制御部11の機能構成の一例を示す図である。制御部11は、例えばCPUを備えており、画像取得部110と、構造情報取得部111と、終了位置取得部112と、判定部113と、加工制御部114とをその機能部として備える。
画像取得部110は、像形成部14が形成した画像を取得する。この一例の場合、像形成部14は、イオンビーム9が試料7に照射された位置に現れる加工面の画像である加工面画像SFを生成する。この場合、画像取得部110は、加工面画像SFを取得する。
構造情報取得部111は、加工前の試料7の構造を示す構造情報STを取得する。この一例において、構造情報STとは、加工前の試料7が撮像された画像である。
終了位置取得部112は、終了位置指定情報PSを取得する。この終了位置指定情報PSとは、試料7の構造に対応する加工の終了位置PSTOPを指定する情報である。この加工の終了位置PSTOPの指定は、加工開始前にオペレータによって行われる。具体的には、オペレータは、試料7の繰り返し構造RSのうちから解析対象の試料片にする部分を決定する。この一例では、オペレータは、試料7の繰り返し構造RS4を解析対象の試料片として決定する。オペレータは、入力部10に対して繰り返し構造RS4を解析対象の試料片として決定する操作を行う。入力部10は、オペレータによるこの操作を検出すると、試料7を加工した際に繰り返し構造RS4が残される位置を加工の終了位置とする終了位置指定情報PSを、終了位置取得部112に対して出力する。終了位置取得部112は、この終了位置指定情報PSを取得する。
判定部113は、イオンビーム9による加工位置が終了位置PSTOPに到達したか否かを判定する。この一例では、判定部113は、構造情報取得部111が取得する構造情報STと、画像取得部110が取得する加工面画像SFとの比較に基づいて、イオンビーム9による加工位置が終了位置PSTOPに到達したか否かを判定する。
加工制御部114は、FIB制御部13にFIB制御指示ICFを出力し、試料台制御部16に試料台制御指示ICSを出力することにより試料7の加工を制御する。判定部113が加工位置が終了位置PSTOPに到達したことを示す終了指示ISを出力した場合、加工制御部114は、試料7に対する加工を終了する。
[制御部11の動作]
次に、図4から図7を参照して制御部11の動作の一例について説明する。なお、本実施形態では、自動加工装置1が、図2に示した試料7に対してイオンビーム9を照射することにより試料7から試料片である繰り返し構造RS4を作成する場合を一例にして説明する。
図4は、本実施形態の加工開始前の試料7の外観の一例を示す図である。上述したように、試料7は、x軸方向に繰り返し構造RSを有している。本実施形態の一例では、自動加工装置1は、繰り返し構造RS4を解析対象として切り出す。具体的には、自動加工装置1は、繰り返し構造RS1〜RS3及び繰り返し構造RS5〜RS7をイオンビーム9によってスライス加工することにより、繰り返し構造RS4を露出させる。
ここで、自動加工装置1は、y軸方向の位置yから位置yの範囲を照射範囲にして、この照射範囲をx軸方向に移動させることにより、イオンビーム9を走査照射する。自動加工装置1は、x軸方向の位置xから位置xの順に、つまり加工の進行方向Dにイオンビーム9を移動させることにより、繰り返し構造RS1〜RS3を順次スライス加工する。なお、自動加工装置1は、繰り返し構造RS7〜RS5についても順次スライス加工するが、その手順は、繰り返し構造RS1〜RS3をスライス加工する場合と同様であるためその説明を省略する。
図5は、本実施形態の加工終了後の試料7の外観の一例を示す図である。自動加工装置1は、繰り返し構造RS1〜RS3に対してスライス加工する第1加工と、繰り返し構造RS7〜RS5に対してスライス加工する第2加工とによって、繰り返し構造RS4を切り出す。具体的には、自動加工装置1は、イオンビーム9の照射位置を位置xから第1加工の進行方向D1(+x方向)に移動させてスライス加工し、照射位置が繰り返し構造RS4の位置である位置xs1に到達した場合に加工を終了する。また、自動加工装置1は、イオンビーム9の照射位置を位置xから第2加工の進行方向D2(−x方向)に移動させてスライス加工し、照射位置が繰り返し構造RS4の位置である位置xs2に到達した場合に加工を終了する。この第1加工及び第2加工の結果、図6に示す試料片が作成される。
次に、図6を参照して、自動加工装置1が、図4に示した加工前の試料7を図5に示した加工後の試料7に加工する手順について、図6を参照して説明する。
図6は、本実施形態の制御部11の動作の一例を示す図である。
(ステップS10)構造情報取得部111は、構造情報STを取得する。構造情報取得部111が取得する構造情報STとは、加工前の試料7の構造を示す情報である。この具体例では、構造情報STが、図4に示す加工前の試料7の画像であるとして説明する。この場合、構造情報STには、試料7のxz断面に現れている繰り返し構造RSの画像が含まれている。つまり構造情報STは、試料7に含まれる繰り返し構造RSの数を示している。
(ステップS20)終了位置取得部112は、終了位置指定情報PSを取得する。
ここで、自動加工装置1のオペレータは、試料片として切り出す対象を、試料7の座標ではなく繰り返し構造RSの数によって指定したい場合がある。例えば、オペレータは「試料7の位置xからカウントして4個目の繰り返し構造RS(つまり繰り返し構造RS4)を試料片として切り出す」と指定したい場合がある。この場合、オペレータは「4個目を試料片として切り出す」と指定する操作を行う。終了位置取得部112は、このオペレータによる操作を終了位置指定情報PSとして取得する。
つまり、終了位置取得部112は、繰り返し構造の繰り返し数を示す情報を終了位置指定情報PSとして取得する。
ここで、判定部113は、構造情報取得部111が取得する構造情報STと、終了位置取得部112が取得する終了位置指定情報PSとに基づいて、加工の終了位置を判定する。図7を参照して判定部113による加工の終了位置の判定の一例について説明する。
図7は、本実施形態の判定部113による加工の終了位置の判定の一例を示す図である。構造情報取得部111が取得する構造情報STは、図7(A)に示すように試料7のxz断面の状態を示す。判定部113は、構造情報STが示す試料7のxz断面の状態を解析して、図7(B)の波形W1に示すように試料7のうち構造がある部分とない部分とを判別する。ここで波形W1は、試料7の繰り返し構造RSの周期及び繰り返し数を示している。
上述した具体例の場合、試料7の位置xからカウントして4個目の繰り返し構造RS(つまり、繰り返し構造RS4)を試料片として切り出す。この場合、判定部113は、波形W1の山の数を位置xから第1加工の進行方向D1方向(+x方向)にカウントする。判定部113は、図7(C)に示すように、波形W1の山の数のカウント結果が“4”になる位置xs1を第1加工の終了位置PSTOPと判定する。
図6に戻り、自動加工装置1による試料7の加工手順について説明を続ける。
(ステップS30)加工制御部114は、試料7に対する加工を開始する。
(ステップS40)加工制御部114は、FIB制御部13にFIB制御指示ICFを、試料台制御部16に試料台制御指示ICSをそれぞれ出力することにより、試料7に対するスライス加工を実施する。
(ステップS50)画像取得部110は、像形成部14から試料7の加工面の画像(加工面画像SF)を取得する。
本実施形態における具体例の場合、加工面画像SFとは、試料7がx方向視によって撮像された画像である。加工面画像SFには、試料7のyz断面、つまり加工面の状態が示されている。加工制御部114によってスライス加工がx方向に順次進められると、加工面に繰り返し構造RSが現れる場合と、加工面に繰り返し構造RSが現れない場合とが生じる。したがって、加工面画像SFを加工の時間軸にそって順次取得して、加工面に繰り返し構造RSが現れる回数をカウントすれば、加工の進捗度を判定することができる。
(ステップS60)判定部113は、ステップS50において取得された加工面画像SFと、上述した終了位置PSTOPとを比較することにより、イオンビーム9による加工面の位置、すなわち加工位置が終了位置PSTOPに到達したか否かを判定する。
具体的には、判定部113は、ステップS50において取得された加工面画像SFに繰り返し構造RSが現れていない状態から、繰り返し構造RSが現れた状態への変化の回数をカウントする(図7(C)を参照。)。判定部113は、このカウント結果と、加工開始位置である位置xから終了位置PSTOPまでの繰り返し構造RSの数(この一例では“4”)とを比較する。
つまり、判定部113は、加工前の試料7が撮像された画像が示す繰り返し構造の繰り返し数と、加工過程において加工面画像SFに順次現れる繰り返し構造の変化数との比較に基づいて、イオンビーム9による加工位置が終了位置PSTOPに到達したか否かを判定する。
さらに換言すると、判定部113は、加工前の試料7が撮像された画像が示す繰り返し構造の繰り返し数と、加工面画像SFが示す繰り返し構造RSの繰り返し数との比較に基づいて、イオンビーム9による加工位置が終了位置PSTOPに到達したか否かを判定する。
なお、この一例では判定部113は、加工面画像SFに基づいてスライス加工済みの繰り返し構造RSの数をカウントしているがこれに限られない。判定部113は、加工面画像SFに基づいて試料7に含まれる繰り返し構造RSの残数をカウントしてもよい。すなわち、判定部113は、加工前の試料7が撮像された画像が示す繰り返し構造の繰り返し数と、加工面画像SFが示す繰り返し構造の残数との比較に基づいて、イオンビーム9による加工位置が終了位置PSTOPに到達したか否かを判定してもよい。
判定部113は、比較の結果、このカウント結果と位置xから終了位置PSTOPまでの繰り返し構造RSの数とが一致していない場合には、加工位置が終了位置PSTOPに到達していないと判定し(ステップS70;NO)、処理をステップS40に戻して加工を継続する。
判定部113は、比較の結果、このカウント結果と位置xから終了位置PSTOPまでの繰り返し構造RSの数とが一致した場合には、加工位置が終了位置PSTOPに到達したと判定し(ステップS70;YES)、加工を終了して(ステップS80)一連の処理を終了する。
[実施形態のまとめ]
以上説明したように、本実施形態の自動加工装置1は、構造情報STと終了位置指定情報PSとに基づいて、試料7から試料片を作成する際の加工を人手によらず自動的に終了させる。つまり、本実施形態の自動加工装置1は、荷電粒子ビームによる加工位置が終了位置に到達したか否かを自動的に判定する。したがって、自動加工装置1によれば、オペレータのスキルレベルに左右されない試料作製が可能となる。また、自動加工装置1によれば、無人動作が可能となり業務効率の改善や装置稼働率の底上げも可能となる。
[変形例]
これまで、構造情報STが、加工前の試料7が撮像された画像である場合を一例にして説明した。ここで、加工前の試料7の表面に繰り返し構造RSが現れていない場合には、この試料7が有する繰り返し構造RSの数をカウントすることができない場合がある。このような場合には、加工前の試料7の一部を予めスライス加工することにより繰り返し構造RSを露出させた状態で撮像された画像を、構造情報STとしてもよい。この場合、例えば図2に示すxz平面を加工面にしてスライス加工することにより、繰り返し構造RSを露出させる。
また、この繰り返し構造RSを露出させるためのスライス加工においては、像形成部14による撮像対象の面(撮像断面)の一部又はその撮像断面と撮像断面の奥行き方向に含まれる繰り返し構造RSの延長上の任意の箇所を、撮像方向視において繰り返し構造RSが露出するように斜めに加工してもよい。
また、同一構造の試料7が複数ある場合には、1つの試料7について繰り返し構造RSを露出させるスライス加工を行って撮像することにより構造情報STを生成し、他の試料7を試料片に加工する際にこの構造情報STを用いてもよい。このように構造情報STを生成すれば、試料片に加工する試料7について余計な加工をしなくて済む。
また、構造情報STは、画像ではなく試料7の内部構造を示す設計情報(例えば、三次元CADデータ)であってもよい。この場合、判定部113は、試料7の設計情報と、加工面画像SFとの比較に基づいて、イオンビーム9による加工位置が終了位置PSTOPに到達したか否かを判定する。この変形例のように、構造情報STが設計情報である場合には、試料7が繰り返し構造RSを有していない場合であっても、判定部113は、設計情報と加工面画像SFとを比較することにより、試料7のどの位置を加工しているのかを判定することができる。したがって、構造情報STが設計情報である場合には、試料7が繰り返し構造RSを有していない場合であっても、自動加工装置1は、イオンビーム9による加工位置が終了位置PSTOPに到達したか否かを判定することができる。
ここで判定部113が、試料7の設計情報と加工面画像SFとの比較に基づいて加工位置が終了位置PSTOPに到達したか否かを判定する場合の具体例について説明する。
図8は、本実施形態の構造情報STの一例を示す図である。この一例において構造情報STとは、試料7の内部構造を示す設計情報である。構造情報STには、行方向配線RWの座標情報と、列方向配線CLの座標情報と、接続配線CNの座標情報とが含まれている。この一例では、構造情報STは、5行5列のマトリクス配線の構造を示す。このマトリクス配線は、行方向配線RW1〜RW5、列方向配線CL1〜CL5、及びこれら行方向配線RWと列方向配線CLとを接続する接続配線CN11、CN21、CN51、CN32、CN42、CN52、…、CN26、CN56を有する。この一例において、これら行方向配線RW、列方向配線CL及び接続配線CNが、上述した繰り返し構造RSである。
自動加工装置1は、xz平面を加工面にして試料7をスライス加工することにより、繰り返し構造RSを露出させる。自動加工装置1は、断面CS1〜CS3の順に試料7の構造を露出させつつスライス加工する。同図の一例において、断面CSTGが加工の終了位置PSTOPである。断面CS1〜CS3、及び断面CSTGの一例を図9に示す。
図9は、本実施形態のスライス加工の断面CSの一例を示す図である。試料7の断面CS1を図9(A)に示す。断面CS1には、行方向配線RW1、接続配線CN11、CN21、CN51、及び列方向配線CL1、CL2、CL5が露出する。試料7の断面CS2を図9(B)に示す。断面CS2には、列方向配線CL1、CL2、CL5が露出する。試料7の断面CS3を図9(C)に示す。断面CS3には、行方向配線RW2、接続配線CN32、CN42、CN52、及び列方向配線CL1、CL2、CL3、CL4、CL5が露出する。試料7の断面CSTGを図9(D)に示す。断面CSTGには、行方向配線RW6、接続配線CN26、CN56、及び列方向配線CL1、CL2、CL4、CL5が露出する。
自動加工装置1は、構造情報STに基づいて断面CSTGに露出する構造の配置を推定する。自動加工装置1は、試料7をスライス加工しつつ、推定した構造の配置と、加工面である断面CSに現れる構造の配置とを比較する。自動加工装置1は、推定した構造がスライス加工の加工面に現れた場合、加工の終了位置PSTOPに到達したと判定する。
なお、上記の実施形態及びその変形例において、試料7の加工を行うビームが集束イオンビーム(FIB)である場合を一例にして説明したがこれに限られない。試料7の加工を行うビームは、イオン以外の荷電粒子による荷電粒子ビームであってもよく、中性粒子ビームであってもよい。
また、試料7の加工面の画像化を行う検出器が、二次電子検出器4(荷電粒子検出器)である場合を一例にして説明したが、試料7の断面から試料7の構造が把握できる検出器であればよく、これに限られない。
なお、上記の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…自動加工装置、4…二次電子検出器、6…試料台、7…試料、9…イオンビーム、10…入力部、11…制御部、13…FIB制御部、14…像形成部、16…試料台制御部、17…表示部、111…構造情報取得部、112…終了位置取得部、113…判定部、114…加工制御部、RS…繰り返し構造

Claims (3)

  1. 荷電粒子ビームを、繰り返し構造を有する試料に照射することにより当該試料から試料片を作製する自動加工装置であって、
    加工前の試料の構造を示す情報であって、加工前の前記試料の前記繰り返し構造が撮像された画像である構造情報を取得する構造情報取得部と、
    前記試料の前記繰り返し構造の繰り返し数を示す情報であって、加工の終了位置を指定する終了位置指定情報を取得する加工終了位置取得部と、
    荷電粒子ビームが前記試料に照射された位置に現れる加工面が撮像された加工面画像を取得する画像取得部と、
    前記構造情報取得部が取得する加工前の前記試料が撮像された画像が示す前記繰り返し構造の繰り返し数と、前記画像取得部が取得する前記加工面画像が示す前記繰り返し構造の繰り返し数との比較に基づいて、荷電粒子ビームによる加工位置が前記終了位置に到達したか否かを判定する判定部と、
    を備える自動加工装置。
  2. 前記判定部は、加工前の前記試料が撮像された画像が示す前記繰り返し構造の繰り返し数と、前記加工面画像が示す前記繰り返し構造の残数との比較に基づいて、荷電粒子ビームによる加工位置が前記終了位置に到達したか否かを判定する
    請求項に記載の自動加工装置。
  3. 前記判定部は、加工前の前記試料が撮像された画像が示す前記繰り返し構造の繰り返し数と、加工過程において前記加工面画像に順次現れる前記繰り返し構造の変化数との比較に基づいて、荷電粒子ビームによる加工位置が前記終了位置に到達したか否かを判定する
    請求項に記載の自動加工装置。
JP2017060902A 2017-03-27 2017-03-27 自動加工装置 Active JP6867015B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017060902A JP6867015B2 (ja) 2017-03-27 2017-03-27 自動加工装置
TW107107255A TWI776861B (zh) 2017-03-27 2018-03-05 自動加工裝置
KR1020197024366A KR102490980B1 (ko) 2017-03-27 2018-03-27 자동 가공 장치
US16/496,275 US10971330B2 (en) 2017-03-27 2018-03-27 Automatic processing device
CN201880020177.4A CN110494733B (zh) 2017-03-27 2018-03-27 自动加工装置
PCT/JP2018/012608 WO2018181408A1 (ja) 2017-03-27 2018-03-27 自動加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017060902A JP6867015B2 (ja) 2017-03-27 2017-03-27 自動加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018163067A JP2018163067A (ja) 2018-10-18
JP6867015B2 true JP6867015B2 (ja) 2021-04-28

Family

ID=63678198

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017060902A Active JP6867015B2 (ja) 2017-03-27 2017-03-27 自動加工装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10971330B2 (ja)
JP (1) JP6867015B2 (ja)
KR (1) KR102490980B1 (ja)
CN (1) CN110494733B (ja)
TW (1) TWI776861B (ja)
WO (1) WO2018181408A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7173937B2 (ja) 2019-08-08 2022-11-16 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
JP7159128B2 (ja) 2019-08-08 2022-10-24 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
JP7189103B2 (ja) * 2019-08-30 2022-12-13 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU655677B2 (en) * 1991-10-08 1995-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device, and electron beam-generating apparatus and image-forming apparatus employing the device
US6172363B1 (en) * 1996-03-05 2001-01-09 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern
US20060060781A1 (en) * 1997-08-11 2006-03-23 Masahiro Watanabe Charged-particle beam apparatus and method for automatically correcting astigmatism and for height detection
EP0973069A3 (en) * 1998-07-14 2006-10-04 Nova Measuring Instruments Limited Monitoring apparatus and method particularly useful in photolithographically processing substrates
US6649919B2 (en) * 2000-09-20 2003-11-18 Fei Company Real time monitoring simultaneous imaging and exposure in charged particle beam systems
US20040262515A1 (en) * 2001-10-05 2004-12-30 Taiko Motoi Information acquisition apparatus, cross section evaluating apparatus, and cross section evaluating method
JP4183492B2 (ja) * 2002-11-27 2008-11-19 株式会社日立製作所 欠陥検査装置および欠陥検査方法
US7361865B2 (en) * 2003-08-27 2008-04-22 Kyocera Corporation Heater for heating a wafer and method for fabricating the same
JP4220358B2 (ja) * 2003-11-27 2009-02-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体パターン計測方法
JP4474337B2 (ja) * 2005-07-08 2010-06-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料作製・観察方法及び荷電粒子ビーム装置
JP5127148B2 (ja) * 2006-03-16 2013-01-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ イオンビーム加工装置
WO2008140585A1 (en) * 2006-11-22 2008-11-20 Nexgen Semi Holding, Inc. Apparatus and method for conformal mask manufacturing
DE102008064781B3 (de) * 2007-04-23 2016-01-07 Hitachi High-Technologies Corporation lonenstrahlbearbeitungs-/Betrachtungsvorrichtung
JP5028159B2 (ja) * 2007-06-29 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP4965481B2 (ja) * 2008-02-15 2012-07-04 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 複合荷電粒子ビーム装置、それを用いた試料加工方法及び透過電子顕微鏡用試料作製方法
JP5296413B2 (ja) * 2008-05-15 2013-09-25 株式会社日立ハイテクサイエンス 複合荷電粒子ビーム装置を用いた断面画像取得方法および複合荷電粒子ビーム装置
EP2233907A1 (en) 2009-03-27 2010-09-29 FEI Company Forming an image while milling a work piece
WO2011016254A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2011054497A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Sii Nanotechnology Inc 断面加工観察方法および装置
DE102010003056B9 (de) * 2010-03-19 2014-07-31 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zur Erzeugung von Bildern einer Probe
JP5292348B2 (ja) * 2010-03-26 2013-09-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 複合荷電粒子線装置
US8350237B2 (en) * 2010-03-31 2013-01-08 Fei Company Automated slice milling for viewing a feature
JP5596141B2 (ja) * 2010-05-27 2014-09-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 画像処理装置、荷電粒子線装置、荷電粒子線装置調整用試料、およびその製造方法
EP2756282A4 (en) * 2011-09-12 2015-01-21 Fei Co SHINE ANGLE TILLER
JP5872922B2 (ja) 2012-02-21 2016-03-01 株式会社日立ハイテクサイエンス 試料作製方法及び装置
JP5852474B2 (ja) * 2012-03-01 2016-02-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5990016B2 (ja) 2012-03-23 2016-09-07 株式会社日立ハイテクサイエンス 断面加工観察装置
JP6002489B2 (ja) * 2012-07-23 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び試料作製方法
JP6250331B2 (ja) * 2012-08-30 2017-12-20 株式会社日立ハイテクサイエンス 複合荷電粒子ビーム装置及び薄片試料加工方法
CA2907483C (en) * 2013-03-22 2020-07-21 Eth Zurich Laser ablation cell
JP6112929B2 (ja) * 2013-03-25 2017-04-12 株式会社日立ハイテクサイエンス 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の加工方法、及び集束イオンビームを用いた試料の加工コンピュータプログラム
JP6226781B2 (ja) * 2013-03-27 2017-11-08 株式会社日立ハイテクサイエンス 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の加工方法、及び集束イオンビーム加工用コンピュータプログラム
JP6327617B2 (ja) * 2013-10-30 2018-05-23 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置
US9620333B2 (en) * 2014-08-29 2017-04-11 Hitachi High-Tech Science Corporation Charged particle beam apparatus
JP6423222B2 (ja) * 2014-09-26 2018-11-14 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置
US10469777B2 (en) * 2015-03-23 2019-11-05 Techinsights Inc. Methods, systems and devices relating to distortion correction in imaging devices
JP6885576B2 (ja) * 2017-01-19 2021-06-16 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置
JP6900027B2 (ja) * 2017-03-28 2021-07-07 株式会社日立ハイテクサイエンス 試料トレンチ埋込方法
US10546719B2 (en) * 2017-06-02 2020-01-28 Fei Company Face-on, gas-assisted etching for plan-view lamellae preparation
JP6541161B2 (ja) * 2017-11-17 2019-07-10 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置
JP7031859B2 (ja) * 2018-02-20 2022-03-08 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置、試料加工観察方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018181408A1 (ja) 2018-10-04
US20200035453A1 (en) 2020-01-30
KR20190132991A (ko) 2019-11-29
US10971330B2 (en) 2021-04-06
TW201837958A (zh) 2018-10-16
TWI776861B (zh) 2022-09-11
KR102490980B1 (ko) 2023-01-19
CN110494733B (zh) 2022-07-08
JP2018163067A (ja) 2018-10-18
CN110494733A (zh) 2019-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102207472B (zh) 用于观察特征的自动化片状铣削
JP6867015B2 (ja) 自動加工装置
JP6002489B2 (ja) 荷電粒子線装置及び試料作製方法
JP6355318B2 (ja) 断面加工観察方法及び装置
US9934938B2 (en) Focused ion beam apparatus, method for observing cross-section of sample by using the same, and storage medium
EP3223298A3 (en) Method for 3d-imaging from cross-section processing and observation, and fib-sem apparatus therefor
JP5990016B2 (ja) 断面加工観察装置
JP2008256541A (ja) 荷電粒子システム
TW201350788A (zh) X射線檢查方法及x射線檢查裝置
CN109841534A (zh) 截面加工观察方法、带电粒子束装置
DE112015006181B4 (de) Ladungsträgerstrahlvorrichtung, Ausrichtungsverfahren für die Ladungsträgerstrahlvorrichtung, Ausrichtungsprogramm und Speichermedium
CN208420756U (zh) 一种成像系统
US10373881B2 (en) Defect analysis
CN114509326A (zh) 用于用体积样本来制备微样本的方法和显微镜系统
JP2011080944A (ja) X線ct装置
EP3227670B1 (en) A method of x-ray nano-radiography and nanotomography and a device for executing this method
CN110243318A (zh) 截面加工观察装置及其方法、程序以及形状测定方法
JP2014013227A (ja) 鋳造粗形材検査装置および鋳造粗形材検査方法
JP2015052472A (ja) 欠陥検査装置および欠陥検査方法
JP2022116546A (ja) 形状計測装置及び観察システム
JP5934521B2 (ja) 試料解析装置
JP2010257675A (ja) 線分析機能を備える電子線装置
JP2014185940A (ja) Epmaによる金属表面の金属濃度の評価方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20181102

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201117

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20201225

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210309

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210401

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6867015

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250