JP6804270B2 - 基板処理装置、および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置、インジェクタ、および基板処理方法に関する。
原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer deposition）等のプロセスにより基板に成膜処理を行う基板処理装置では、反応容器内に反応ガスを瞬時に供給するため、予めバッファタンク等に供給ガスを貯めておき、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）等で流量を調整しながら、ガスノズル等のインジェクタにより反応容器内にガスを供給する。
特開２００９−２９５７２９号公報（特許文献１）には、複数枚の基板を収容して処理する反応管と、反応管内にガスを供給するガスノズルと、供給ガスの流量を制御するマスフローコントローラとを備え、ＡＬＤ法によって基板に成膜処理を行う基板処理装置が開示されている。
特開２００９−２９５７２９号公報
しかしながら、特許文献１に記載された従来の基板処理装置では、流量が安定するまで時間がかかり、その間に急激なガスの導入が行われる場合がある。ガス流量が安定する前に急激なガス導入が行われると、ガスノズルに付着した副生成物、ガスノズル内に成膜された膜の剥がれ、剥がれた膜のストレスによりガスノズル内で割れた石英片等が、パーティクル（ごみや塵等）として反応容器内に持ち込まれ、これらのパーティクルが基板に付着する問題がある。
なお、このようなパーティクルの反応管内への持ち込みを防ぐため、従来は基板処理装置のインジェクタを含むガス供給ラインを分解して洗浄し、再度、組み立てるといった作業が行われているが、メンテナンスに手間がかかるものとなっている。また、ガスノズルに、反応ガスを流し込み、パーティクル源を固めて（成膜して）、パーティクルの発生を防ぐことも可能であるが、ガスノズルのガス孔等が閉塞し、本来のガス供給を行うことができなくなる問題が生じる。
そこで、本発明の目的は、急激なガス導入が行われる場合でも、パーティクルが処理容器内に持ち込まれるのを抑制することができる基板処理装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理装置は、複数の基板を収容する処理容器と、処理容器内にガスを供給するガス供給部と、前記処理容器内のガスを排気する排気部とを有する基板処理装置であって、前記ガス供給部に接続され、前記ガス供給部内を掃気する掃気部と、制御部とを備え、前記制御部は、前記ガスを供給するプロセスが最初の処理ステップである場合に、前記掃気部を開いて、前記ガス供給部内の圧力を陰圧にし、陰圧の前記ガス供給部内に前記ガスを流し、前記掃気部を閉じて、前記処理容器内に前記ガスを供給するように制御する。
本発明の一態様によれば、急激なガス導入が行われる場合でも、パーティクルが処理容器内に持ち込まれるのを抑制することができる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略図である。 実施形態に係る基板処理装置のインジェクタの一例を示す図である。 実施形態に係る基板処理装置のインジェクタの他の一例を示す図である。 実施形態に係る基板処理装置のインジェクタの他の一例を示す図である。 実施形態に係る基板処理装置のインジェクタの他の一例を示す図である。 実施形態に係る基板処理装置のインジェクタの他の一例を示す図である。 実施形態に係る基板処理装置のインジェクタの他の一例を示す図である。 実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 ＡＬＤプロセスの最初の処理ステップでガスを供給した際の基板表面上のパーティクル分布を示す図であり、（Ａ）は従来の基板処理装置を用いた場合のパーティクル分布を示し、（Ｂ）は本実施形態の基板処理装置を用いた場合のパーティクル分布を示す。
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、本明細書および各図において、共通する構成については、同一符号を付して説明を省略する場合がある。
図１は、実施形態に係る基板処理装置の一例である成膜装置１の概略図である。図１に示されるように、成膜装置１は、反応容器４と、ガス供給ライン４０と、排気ライン７０とを有している。成膜装置１は、さらにウエハＷを加熱する図示しない加熱手段を有している。
反応容器４は、基板である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という）を収容する。反応容器４は、長手方向が鉛直方向である略円筒形を有し、天井を有する外筒６と、外筒６の内側に同心的に配置された円筒体の内筒８とを備える２重管構造を有する。外筒６及び内筒８は、石英等の耐熱性材料により形成されている。なお反応容器４は、本発明に係る基板処理装置の一部を構成する処理容器の一例である。
外筒６及び内筒８は、ステンレス鋼等から形成されるマニホールド１０によって、それぞれの下端部が保持されている。マニホールド１０は、ベースプレート１２に固定されている。なお、マニホールド１０は、外筒６及び内筒８と別部材で形成してもよいし、外筒６及び内筒８と一体的に形成してもよい。
例えば、図１では、外筒６及び内筒８と共に略円筒の内部空間を形成するように、マニホールドを反応容器４の一部として形成している。この場合、反応容器４は、石英等の耐熱性材料により形成される外筒６及び内筒８と、ステンレス鋼等により形成されるマニホールド１０とを備え、マニホールド１０は、外筒６及び内筒８を下方から保持するように反応容器４の側面下部に設けられている。
マニホールド１０の下端部には、反応容器４の下端の開口部側を気密に塞ぐ蓋部１４が設けられている。蓋部１４は、ステンレス鋼等により形成される円盤状に形成され、Ｏ−リング等の図示しないシール部材を介して気密封止可能に取り付けられている。
また、蓋部１４の略中心部には、図示しない磁性流体シール等により気密状態を保ちながら回転可能な回転軸２０が挿通されている。回転軸２０の下端は回転機構２２に接続されており、回転軸２０の上端には、例えばステンレス鋼により形成されるテーブル２４が固定されている。
テーブル２４上には、石英等の耐熱性材料により形成される保温筒２６が設置されている。また、保温筒２６上には、支持具として石英等の耐熱性材料により形成されるウエハボート２８が載置されている。
ウエハボート２８は、複数枚のウエハＷを所定の間隔で保持して反応容器４内に収容される基板保持具である。ウエハボート２８には、多数枚（例えば５０〜１７５枚）のウエハＷ等の基板が、所定の間隔、例えば１０ｍｍ程度のピッチで収容される。ウエハボート２８、保温筒２６、テーブル２４及び蓋部１４は、例えばボートエレベータとして機能する昇降機構３０により、反応容器４内に一体となって、反応容器４内に搬入（ロード）され、反応容器４から搬出（アンロード）される。
また、ガス供給ライン４０は、反応容器４内へ所定のガス（例えば、シリコン含有ガス等のプロセスガス）を供給する。反応容器４内へプロセスガスを供給する。ガス供給ライン４０は、プロセスガスの供給源であるガス供給源４１と、ガス配管４２と、ガスノズル４３とを有する。なお、ガス供給ライン４０は、本発明に係る基板処理装置の一部を構成するガス供給部の一例である。ガスノズル４３は、該ガス供給部の一部を構成するインジェクタの一例である。
ガス配管４２は、ガス供給源４１とガスノズル４３とを接続し、ガス供給源４１からのプロセスガスをガスノズル４３へ導く配管である。ガス配管４２には、開閉バルブ４４、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）等の流量制御器４５、貯留部（バッファタンク）４６及び開閉バルブ４７が設けられている。
例えば、開閉バルブ４７を閉じた状態で開閉バルブ４４を開き、ガス供給源４１からプロセスガスを所定の流量で流すことにより、貯留部４６にプロセスガスを貯留（チャージ）することができる。貯留部４６にプロセスガスを貯留した後、開閉バルブ４４を閉じ、開閉バルブ４７を開くことにより、ガスノズル４３を介して所定の量のプロセスガスを反応容器４内へ供給することができる。これらにより、プロセスガスの供給の開始／停止、及び流量が制御される。
ガスノズル４３は、ガス配管４２に接続され、マニホールド１０の側壁を内側へと貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びるノズルであり、例えば石英管により形成されている。ガスノズル４３の垂直部分には、その長さ方向に沿って複数のガス吐出孔４８が所定の間隔で形成されており、各ガス吐出孔４８から水平方向に反応容器４内に向けてほぼ均一にプロセスガスを吐出することができる。すなわち、ウエハＷの表面に平行な方向にプロセスガスを供給することができる。なお、ガスノズル４３は１本に限らず、２本以上設けられていてもよい。
また、ガス供給ライン４０で供給されるプロセスガスと異なるプロセスガス（例えば、窒素含有ガス）を供給する図示しない他のガス供給ラインを設けてもよい。この場合も、ガス供給ライン４０の構成と同様に、他のガス供給ラインを、図示しないガス供給源と、ガス配管と、ガスノズルとを有する構成にすることができる。
この他のガス供給ラインでも、ガスノズルは、ガス配管に接続され、マニホールド１０の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びるノズルとし、例えば石英管により形成することができる。他のガスノズルの垂直部分には、その長さ方向に沿って複数のガス吐出孔が所定の間隔で形成し、各ガス吐出孔から水平方向に反応容器４に向けてほぼ均一に他のプロセスガスを吐出させて、ウエハＷの表面に平行な方向に窒素含有ガスを供給することができるように構成することができる。なお、他のガス供給ラインでも、ガスノズルは１本に限らず、２本以上設けられていてもよい。
また、他のガス供給ラインを構成するガスノズルには、ガス供給ライン４０のガスノズルラインを兼用してもよい。この場合、ガス配管に、図示しない開閉バルブ、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）等の流量制御器、貯留部（バッファタンク）及び開閉バルブを設け、貯留部の開閉バルブの下流をガス供給ライン４０の開閉バルブ４７の下流に合流させた構成にすればよい。これらにより、他のガス供給ラインでもガスの供給の開始／停止、及び流量が制御される。
また、図示しないが、反応容器４にパージガスを供給するためのパージガス供給ラインを設けてもよい。パージガス供給ラインは、パージガス供給源と、パージガス配管と、パージガスノズルとを有する構成にすることができる。
パージガス配管は、パージガス供給源とパージガスノズルとを接続し、パージガス供給源からのパージガスをパージガスノズルへ導く配管である。パージガス配管には、パージガスの流量を制御する流量制御器及び開閉バルブを設け、パージガスの供給の開始／停止、及び流量を制御する。パージガスノズルは、パージガス配管に接続され、マニホールド１０の側壁を内側へ貫通するストレート形状（直管形状）のノズルであり、例えば石英管により形成することができる。
排気ライン７０は、反応容器４内のガスを排気する。排気ライン７０は、マニホールド１０の上部に設けられたガス出口３２に連結されている。排気ライン７０は、ガス出口３２に接続された排気通路７１と、排気通路７１の途中に順次接続された圧力調整弁７２及び真空ポンプ７３とを含む。圧力調整弁７２は、本例では、圧力計と開閉弁を一体に構成しているが、圧力計と開閉弁を別々に構成してもよい。この排気ライン７０により、反応容器４内の雰囲気の圧力を調整しながら排気することができる。なお、排気ライン７０は、本発明の基板処理装置の一部を構成する排気部の一例である。
反応容器４の外周側には、加熱手段として、反応容器４を囲むようにしてウエハＷを加熱する図示しないヒータ装置が設けられている。ヒータ装置は、天井面を有する円筒体の断熱層を有する。断熱層は、例えば熱伝導性が低く、柔らかい無定形のシリカ及びアルミナの混合物によって形成することができる。断熱層は、その内周が反応容器４の外面に対して所定の距離だけ離間するように配置することができる。
また、断熱層の外周には、ステンレス鋼等により形成される図示しない保護カバーを、断熱層の外周全体を覆うように取り付けることができる。また断熱層の内周側には、図示しないヒータエレメントが螺旋状に巻回して配置されている。ヒータエレメントは、断熱層の内周側に、側面の軸方向全体に亘って巻回して設けることができる。
ヒータエレメントは、軸方向において、複数のゾーン（例えば４つのゾーン）に分割することができる。ゾーンごとに断熱層に設けられる図示しない熱電対により検出した温度に基づいて、ゾーンごとに独立して温度を制御する構成にすることができる。
成膜装置１の各構成部の制御は、コンピュータ等の制御部９０により行われる。制御部９０は、例えば、ガス供給ライン４０における開閉バルブ４４、４７の開閉によるプロセスガスの供給／停止や流量制御器４５によるガスの流量の制御、排気ライン７０における圧力調整弁７２及び真空ポンプ７３による反応容器４内の圧力の制御、ヒータ装置における温度の制御を行う。
制御部９０には、成膜装置１で実行される各種処理を制御部９０の制御により実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置１の各構成部に処理を実行させるための各種のプログラム（又はレシピ）が格納された記憶部９１が接続されている。プログラムには、後述する成膜方法を成膜装置１に実行させるプログラムが含まれる。また、各種のプログラムは、記憶媒体に記憶され、記憶部９１に格納することができる。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよく、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを記憶部９１へ適宜伝送させるようにしてもよい。
本実施形態では、図１に示すように、ガス供給ライン４０に掃気ライン５０が接続されている。掃気ライン５０は、ガス供給ライン４０内を掃気する掃気部の一例である。掃気ライン５０は、ガス供給ライン４０のガスノズル４３に連結されている。掃気ライン５０には、ガス配管５１と開閉バルブ５２とが設けられている。また、掃気ライン５０には、真空ポンプを設けることができる。
ガス配管５１は、ガス供給ライン４０に接続し、ガス供給ライン４０内を掃気した後の掃気ガスが通過することができる。開閉バルブ５２は、ガス配管５１の途中に設けられており、真空ポンプと連動して、掃気ライン５０に接続するガス供給ライン４０のガスノズル４３内の圧力を制御することができる。
なお、掃気ライン５０の開閉バルブ５２と連動する真空ポンプには、排気ライン７０の真空ポンプ７３を兼用してもよい。この場合、掃気ライン５０は、排気ライン７０に接続する。具体的には、排気ライン７０の圧力調整弁７２と真空ポンプ７３の間に掃気ライン５０のガス配管５１を接続する。この構成により、１つの真空ポンプで排気ラインと掃気ラインを制御することができるため、掃気ラインを設ける場合でも既存の真空ポンプ用いることができ、装置の複雑化を防ぐことができる。
図２〜図７は、本実施形態におけるガス供給ライン４０の一部を構成するガスノズル４３の構成例（第１実施形態〜第６実施形態）をそれぞれ説明する図である。
まず、第１実施形態では、図１及び図２に示すように、ガスノズル４３の少なくとも一方の端部がガス供給ライン４０のガス配管４２に連通し、他方の端部が掃気ライン５０に連通している。また、ガスノズル４３のガス吐出孔４８は、反応容器４内に連通して、反応容器４内にプロセスガスを供給する供給口を構成する複数のガス孔で形成されている。
ガスノズル４３の両端部には、開口部４９（開口部４９Ａ、４９Ｂ）が設けられている。一方の端部に設けられた開口部４９Ａは、ガス供給ライン４０のガス配管４２からガスノズル４３内にプロセスガスを導入する導入口を構成する。また、他方の端部に設けられた開口部４９Ｂは、掃気ライン５０のガス配管５１に掃気ガスを排出する排出口を構成する。すなわち、ガスノズル４３は、開口部４９Ａを介してガス供給ライン４０に連通し、開口部４９Ｂを介して掃気ライン５０に連通している。
この構成では、ガスノズル４３に、反応容器４内にプロセスガスを供給する供給口（ガス吐出孔４８）とは別に、ガスノズル４３内に導入されたプロセスガスを掃気する排出口（開口部４９Ｂ）が設けられており、ガスノズル４３に該排出口を介して掃気ライン５０を接続することができる。そのため、パーティクルの原因となるパーティクル源（ガスノズルに付着した副生成物、ガスノズル内に成膜された膜の剥がれ、剥がれた膜のストレスによりガスノズル内で割れた石英片等）をガスノズル４３から掃気ライン５０に掃気することができる。
特に、反応容器内に供給するプロセスガスの流量が安定する前に、急激なプロセスガスの導入が行われる場合でも、ガスノズル４３から掃気ライン５０にパーティクル源を掃気することができるため、反応容器４内にパーティクルが持ち込まれるのを抑制することができる。
第２実施形態では、図１及び図３に示すように、第１実施形態の構成に加えて、ガスノズル４３に接続する掃気ライン５０のガス配管５１が、ガスノズル４３の開口部４９Ａ（ガス供給ライン４０のガス配管４２）の近傍まで延びる構成を有している。この構成により、掃気ラインのガス配管５１をガス供給ライン４０のガス配管４２をまとめて反応容器４（マニホールド１０）に取付けることができるため、掃気ライン５０のガス配管５１の配置が容易である。
また、第２実施形態では、図３に示すように、ガス供給ライン４０のガス配管４２が、ガスノズル４３の開口部４９Ａ付近でＬ字状に形成されている。すなわち、ガス配管４２は、端部が折れ曲がった状態でガスノズルの開口部４９Ａに接続されている。この構成により、ガス配管４２を反応容器４の側壁（マニホールド１０）に取り付けることができ、ガス供給ライン４０の配置作業が容易になる。
第３実施形態では、図４に示すように、掃気ライン５０（ガス配管５１）の一部が、ガスノズル４３の内部に配置されている。すなわち、掃気ライン５０のガス配管５１の一部とガスノズル４３とで二重管を構成している。また、第３実施形態の構成では、掃気ライン５０のガス配管５１の一部が、ガスノズル４３に接続するガス配管４２の内部にも配置されている。この構成により、掃気ライン５０のガス配管５１の配置に必要な空間の一部を省略することができるため、掃気ライン５０の配置をコンパクトにすることができる。
また、第４実施形態では、図５に示すように、第３実施形態の構成を採用した上で、さらに掃気ライン５０のガス配管５１の一部とガスノズル４３に接続するガス配管４２とで二重管を構成する部分がＬ字状に形成されている。この構成により、さらに、コンパクトに掃気ライン５０を設けることができる。
第５実施形態では、図６に示すように、ガス吐出孔４８が１つのガス孔で形成されている。この場合、ガスノズル４３は、ガスノズル４３の少なくとも一方の端部に、反応容器４内にガス孔を形成すればよい。このように、掃気ライン５０は、ガス孔の数に拘わらず設けることができる。
また、第５実施形態の構成では、ガスノズル４３の他方の端部（掃気ライン５０に連通する開口部４９Ｂ側）にガス吐出孔４８が形成されている。このような構成では、ガス孔が掃気ライン５０に連通する開口部４９Ｂ（排出口）の近傍に配置されるため、ガス孔付近のパーティクル源を含むガスを効率よく掃気することができる。
また、第６実施形態では、図７に示すように、第５実施形態の構成を採用した上で、さらに掃気ライン５０のガス配管５１の一部とガスノズル４３に接続するガス配管４２とで二重管を構成する部分がＬ字状に形成されている。この構成により、掃気ライン５０のさらなるコンパクト化が可能になる。
次に、上述した成膜装置１を用いた本実施形態の基板処理方法の一例について説明する。図８は、実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。
本実施形態の基板処理方法は、少なくともガス供給工程と、掃気工程とを有する。ガス供給工程は、複数のウエハＷを収容する反応容器４内にガスノズル４３からプロセスガスが供給される。
掃気工程は、ガス供給工程の前に行われ、掃気工程では、ガスノズル４３内が掃気される。掃気工程では、ガスノズル４３内の圧力が陰圧に制御される。
掃気工程は、図８に示す手順で行われる。まずＳＴ１で、ガスを供給するプロセスが最初の処理ステップか否かを判定する。最初の処理ステップでないと判断された場合は、ＳＴ７に進み、ガス供給工程を実行して、通常のガス供給プロセスを行う。
ＳＴ１で最初の処理ステップであると判定した場合は、ＳＴ２に進み、掃気ライン５０を開く。具体的には、ＳＴ２で、掃気ライン５０の開閉バルブ５２を開状態にして、ＳＴ３でガスノズル４３内を陰圧にする。この場合、開閉バルブ５２を排気ライン７０の真空ポンプ７３と連動させて掃気ライン５０に連通するガスノズル４３内を減圧化する。なお、掃気ライン５０の開通（ＳＴ２）とガスノズル４３内の減圧化（ＳＴ３）とは同時に行ってもよい。
次にＳＴ４に進み、流量制御器（ＭＦＣ）４５にプロセスガスの流量を指示する。指示するガスの流量は、ガスノズル４３内の掃気が行われる適切な流量に調整することができる。流量制御器（ＭＦＣ）４５は、指示された流量に基づいて、開閉バルブ４４、４７の開閉を制御し、ガス供給ライン４０に流れるプロセスガスの流量を制御して、ガス供給ライン４０にプロセスガスを流す（ＳＴ５）。
そして、掃気ライン５０を閉じる。具体的には、掃気ライン５０の開閉バルブ５２を閉状態にする（ＳＴ６）。
上述したＳＴ１〜ＳＴ６の手順が完了したら、ＳＴ７に進み、ガス供給工程を実行して、通常のガス供給プロセスを行う。なお、ＳＴ１〜ＳＴ７の手順による制御は、上述した制御部９０により行われる。
また、掃気工程では、反応容器４内の圧力をガスノズル４３内の圧力よりも高い圧力に制御する。すなわち、ガスノズル４３内の圧力が反応容器４内の圧力よりも小さくなるように、掃気ライン５０の開閉バルブ５２と、排気ライン７０の圧力調整弁７２と真空ポンプ７３とが制御される。
この制御により、ガスノズル４３内に導入されたプロセスガスは、ガス吐出孔４８から反応容器４内に吐出されず、そのまま掃気ライン５０に流れる。そのため、掃気工程では、ガス供給ライン４０を通過した掃気ガスは、反応容器４内に吐出されることなく、掃気ライン５０を介して外部に排気される。
また、この制御により、反応容器４の雰囲気はガス吐出孔４８を介してガスノズル４３内に吸引される。そのため、ガスノズル４３のガス吐出孔４８付近に成膜されたパーティクル源や、反応容器４内に浮遊するパーティクルを掃気ガスが流れるガスノズル４３に取り込むことができる。
このような制御が行われる基板処理方法を実施することにより、急激なガス導入が行われる場合でも、パーティクルが処理容器内に持ち込まれるのを抑制することができる。
次に、本実施形態の基板処理装置（第２実施形態）を用いて実施形態の基板処理方法を実施した場合の効果について説明する。図９は、ＡＬＤプロセスの最初の処理ステップで基板処理装置のガスノズルからガスを供給した際の基板表面におけるパーティクル分布である。このうち、図９（Ａ）は従来の基板処理装置を用いた場合のパーティクル分布を示しており、図９（Ｂ）は本実施形態の基板処理装置を用いた場合のパーティクル分布を示している。
まず、図９（Ａ）の従来の基板処理装置を用いた場合、ウエハＷの表面に付着したパーティクルの量が多い。また、ウエハＷの表面に付着したパーティクルは、ガスノズル４３近傍に偏ってウエハＷ上に付着している。
一方、図９（Ｂ）の本実施形態の基板処理装置を用いた場合、ウエハＷの表面に付着したパーティクルの量は、従来の基板処理装置を用いた場合と比較して少ない。また、ウエハＷの表面に付着したパーティクルは、ウエハＷ上にほぼ均一に付着している。
これらの結果から、本実施形態のように、掃気ライン５０を設けて、掃気工程を実施することにより、反応容器４内にパーティクルが持ち込まれるのを防ぐことができ、パーティクルが基板に付着するのを抑制できることが分かった。また、反応容器４内にパーティクルが持ち込まれたとしても、ウエハＷの表面に偏って付着することを防ぐことができることも分かった。
このように、ガスノズル４３に排出口（開口部４９Ｂ）を介して掃気ライン５０を接続することにより、パーティクルの原因となるパーティクル源がガスノズル４３から掃気ライン５０に掃気され、反応容器４内に持ち込まれるパーティクルの量を少なくすることができる。そのため、急激なガス導入が行われる場合でも、パーティクルが反応容器４内に持ち込まれるのを抑制することができ、ウエハＷの生産性の低下を防ぐことができる。
なお、本例では用いるガスの種類は成膜する膜の種類に応じて適宜選択することができる。また、本例では、ＡＬＤ法を用いる場合を例に挙げて説明したが、ＣＶＤ法を用いる場合にも本発明を適用することができる。すなわち、本例は、急激なガス導入が行われる環境で用いられる成膜方法に広く用いることができる。
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
１ 成膜装置
４ 反応容器
４０ ガス供給ライン
４３ ガスノズル
４４ 開閉バルブ
４５ 流量制御器
４６ 貯留部
４７ 開閉バルブ
４８ ガス吐出孔
４９Ａ 開口部
４９Ｂ 開口部
５０ 掃気ライン
７０ 排気ライン
９０ 制御部
Ｗ ウエハ

Claims (8)

  1. 複数の基板を収容する処理容器と、
    前記処理容器内にガスを供給するガス供給部と、
    前記処理容器内のガスを排気する排気部とを有する基板処理装置であって、
    前記ガス供給部に接続され、前記ガス供給部内を掃気する掃気部と、
    制御部とを備え、
    前記制御部は、
    前記ガスを供給するプロセスが最初の処理ステップである場合に、前記掃気部を開いて、前記ガス供給部内の圧力を陰圧にし、
    陰圧の前記ガス供給部内に前記ガスを流し、
    前記掃気部を閉じて、前記処理容器内に前記ガスを供給するように制御する、基板処理装置。
  2. 前記掃気部は前記排気部に接続する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記ガス供給部は、前記処理容器内にガスを供給するインジェクタを有し、
    前記インジェクタの少なくとも一方の端部が前記掃気部に接続する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 前記掃気部の一部は、前記インジェクタの内部に配置されている、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記インジェクタは、前記処理容器内に連通する複数のガス孔が形成されている、請求項３または４に記載の基板処理装置。
  6. 前記インジェクタは、前記インジェクタの少なくとも一方の端部に、前記処理容器内に連通するガス孔が形成されている、請求項３乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  7. 複数の基板を収容する処理容器内にインジェクタからガスを供給するガス供給工程を有する基板処理方法であって、
    前記ガス供給工程の前に、前記インジェクタ内を掃気する掃気工程を有し、
    前記掃気工程では、
    前記ガスを供給するプロセスが最初の処理ステップである場合に、前記インジェクタに接続する掃気ラインを開いて、前記インジェクタ内の圧力を陰圧に制御し、
    陰圧に制御された前記インジェクタ内に前記ガスを流し、
    前記掃気ラインを閉じる、基板処理方法。
  8. 前記掃気工程では、前記処理容器内の圧力を前記インジェクタ内の圧力よりも高い圧力に制御する、請求項７に記載の基板処理方法。
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