JP6662610B2 - 光センサ装置 - Google Patents
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Description
本発明は、光センサ装置に関する。
この種の従来技術としては、例えば特許文献１に開示されたものがある。かかる文献には、その図１５に示されているように、受光素子を含む受光部に光学フィルタを含むフィルタ部を取り付けて、フォトカプラにおける赤外線受光装置を形成する技術が開示されている。また上述のような赤外線受光装置は、一般的には、半田等を介して配線基板の表面に接合され、出力が取り出される。
ところで、半田ペーストにはフラックスが含まれている。このフラックスが半田付けされる金属表面の酸化膜を化学的に除去し、半田付け可能な状態にする。リフロー式の半田付けでは、受光装置を基板上に実装する際に、加熱工程で半田ペーストの温度が上昇する。すると、半田ペースト内のフラックスが、接合する金属表面に広がり酸化膜を化学的に除去し、半田ペースト内の半田粉が融けて金属表面と接合する。
ここで、上述したように受光部にフィルタ部を取り付けて受光装置を形成した場合、受光装置を基板上に実装する工程では、半田ペーストに含まれるフラックスが拡散し、受光部とフィルタ部との接合部の隙間から受光装置の内部にフラックスが侵入するという可能性がある。受光装置の内部に侵入したフラックスが、受光素子の表面や光学フィルタに付着すると、受光素子への光の入射が妨げられ、光を正確に検知できなくなる可能性がある。
ここで、上述したように受光部にフィルタ部を取り付けて受光装置を形成した場合、受光装置を基板上に実装する工程では、半田ペーストに含まれるフラックスが拡散し、受光部とフィルタ部との接合部の隙間から受光装置の内部にフラックスが侵入するという可能性がある。受光装置の内部に侵入したフラックスが、受光素子の表面や光学フィルタに付着すると、受光素子への光の入射が妨げられ、光を正確に検知できなくなる可能性がある。
そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、フラックスの侵入を防止できるようにした光センサ装置の提供を目的とする。
本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討した結果、以下の光センサ装置により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明の一態様に係る光センサ装置は、受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含む光検出部と、光学フィルタを含むフィルタ部とを有し、前記受光素子が前記光学フィルタを介して外部と光学的に接続されるように前記光検出部と前記フィルタ部とが接合されたセンサ装置と、支持基板と前記支持基板上に設けられたランド電極とを有する実装基板と、を備え、前記センサ装置は、前記実装基板において前記ランド電極を有する面と向かい合う対向面を有し、前記対向面は、前記光検出部と前記フィルタ部との接合面の端部を含み、前記光検出部と前記ランド電極とが半田を介して接続されており、かつ、前記接合面の端部は前記実装基板から５０μｍ以上離れており、かつ、前記接合面の端部と前記半田との距離が２５０μｍ以上であることを特徴とする。
即ち、本発明の一態様に係る光センサ装置は、受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含む光検出部と、光学フィルタを含むフィルタ部とを有し、前記受光素子が前記光学フィルタを介して外部と光学的に接続されるように前記光検出部と前記フィルタ部とが接合されたセンサ装置と、支持基板と前記支持基板上に設けられたランド電極とを有する実装基板と、を備え、前記センサ装置は、前記実装基板において前記ランド電極を有する面と向かい合う対向面を有し、前記対向面は、前記光検出部と前記フィルタ部との接合面の端部を含み、前記光検出部と前記ランド電極とが半田を介して接続されており、かつ、前記接合面の端部は前記実装基板から５０μｍ以上離れており、かつ、前記接合面の端部と前記半田との距離が２５０μｍ以上であることを特徴とする。
また、本発明の別の態様に係る光センサ装置は、受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含む光検出部と、光学フィルタを含むフィルタ部とを有し、前記受光素子が前記光学フィルタを介して外部と光学的に接続されるように前記光検出部と前記フィルタ部とが接合されたセンサ装置と、第１の支持基板と、前記第１の支持基板上に設けられた第１のランド電極とを有する実装基板と、第２の支持基板と、前記第２の支持基板上に設けられた第２のランド電極とを有するサブ基板と、を備え、前記光検出部のうち前記受光素子を含む面の裏側と前記第２のランド電極とが第１の半田を介して接続されており、前記サブ基板の側面と前記第１のランド電極は、前記光検出部と前記フィルタ部との接合面の端部を前記実装基板から離して配置するように、第２の半田を介して接続されており、前記センサ装置は、前記実装基板において前記第１のランド電極を有する面と向かい合う対向面を有し、前記対向面は、前記接合面の端部を含み、前記接合面の端部は前記実装基板から５０μｍ以上離れており、かつ、前記接合面の端部と前記第２の半田との距離は、２５０μｍ以上であることを特徴とする。
本発明の一態様によれば、フラックスの侵入を防止できるようにした光センサ装置を実現することができる。
以下、本発明を実施するための形態（第１、第２の態様、第１〜第５実施形態）について詳細に説明する。なお、本発明を実施するための形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、各部の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
＜第１の態様＞
（１）光センサ装置
第１の態様に係る光センサ装置は、受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含む光検出部と、光学フィルタを含むフィルタ部とを有し、受光素子が光学フィルタを介して外部と光学的に接続されるように光検出部とフィルタ部とが接合されたセンサ装置と、支持基板と該支持基板上に設けられたランド電極とを有する実装基板と、を備える。光検出部とランド電極とが接続されており、かつ、光検出部とフィルタ部との接合面の端部は実装基板から５０μｍ以上離れている。すなわち、光検出部とランド電極は、光検出部とフィルタ部との接合面の端部を実装基板から離して配置するように、半田等を介して接続されている。接合面の端部と実装基板との間は５０μｍ以上離れている。これにより、フラックスの侵入を防止し、光の検知の精度を向上させた光センサ装置を実現することができる。
（１）光センサ装置
第１の態様に係る光センサ装置は、受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含む光検出部と、光学フィルタを含むフィルタ部とを有し、受光素子が光学フィルタを介して外部と光学的に接続されるように光検出部とフィルタ部とが接合されたセンサ装置と、支持基板と該支持基板上に設けられたランド電極とを有する実装基板と、を備える。光検出部とランド電極とが接続されており、かつ、光検出部とフィルタ部との接合面の端部は実装基板から５０μｍ以上離れている。すなわち、光検出部とランド電極は、光検出部とフィルタ部との接合面の端部を実装基板から離して配置するように、半田等を介して接続されている。接合面の端部と実装基板との間は５０μｍ以上離れている。これにより、フラックスの侵入を防止し、光の検知の精度を向上させた光センサ装置を実現することができる。
第１の態様において、接合面の端部と実装基板との間の距離（すなわち、離間距離）が５０μｍ以上である理由は、製造誤差や材料ばらつきを考慮した場合に、５０μｍよりも小さい場合には、離間距離が短いため毛細管現象によりフラックスが接合面に達し、センサ装置の内部へ浸入してしまうからである。
本発明者が行った実験では、上記離間距離が０μｍである４ロットの光センサ装置と、上記離間距離が２０μｍである１ロットの光センサ装置では、すべての光センサ装置で、接合面へのフラックス侵入があることが確認された。これに対し、上記離間距離が５０μｍである３ロットの光センサ装置では、すべての光センサ装置で、接合面へのフラックス侵入は無いことが確認された。
本発明者が行った実験では、上記離間距離が０μｍである４ロットの光センサ装置と、上記離間距離が２０μｍである１ロットの光センサ装置では、すべての光センサ装置で、接合面へのフラックス侵入があることが確認された。これに対し、上記離間距離が５０μｍである３ロットの光センサ装置では、すべての光センサ装置で、接合面へのフラックス侵入は無いことが確認された。
この時のランド電極の半田ペースト塗布端と、光検出部とフィルタ部との接合面の端部との距離は、２５０μｍであった。つまり、フラックスは、支持基板上を２５０μｍ以上拡散するものと考えられるが、上記離間距離が５０μｍ以上である場合は実装基板から隔離して配置されたセンサ装置下面側では拡散が抑えられるため、フラックスが接合面の端部に達することが無くなった結果、接合面端部からのセンサ装置内部へのフラックスの進入が無くなったものと考えられる。
なお、上記離間距離は、例えば半田リフローなどでの半田加熱工程でフラックスが拡散するときの接合面の端部と実装基板との間の距離を意味するものであり、加熱工程前に予め塗布された半田ペースト上にセンサ装置が実装されている状態は含まないことは言うまでも無い。また、上記離間距離は、パッケージ及び基板の製造上のばらつきによる凹凸がある場合は最短の距離である事は言うまでも無い。
なお、上記離間距離は、例えば半田リフローなどでの半田加熱工程でフラックスが拡散するときの接合面の端部と実装基板との間の距離を意味するものであり、加熱工程前に予め塗布された半田ペースト上にセンサ装置が実装されている状態は含まないことは言うまでも無い。また、上記離間距離は、パッケージ及び基板の製造上のばらつきによる凹凸がある場合は最短の距離である事は言うまでも無い。
また、第１の態様に係る光センサ装置では、接合面の端部と支持基板との間にランド電極が存在しなくてもよい。すなわち、ランド電極は、接合面の端部と支持基板との間から外れた位置にのみ配設されていてもよい。これにより、上記離間距離をより大きくすることができ、リフロー時のセンサ装置内部へのフラックスの侵入をより防止することができる。また、第１の態様に係る光センサ装置では、支持基板は、接合面の端部の直下に凹部を有してもよい。すなわち、支持基板のうちの接合面の端部と向かい合う位置に凹部が形成されていてもよい。これにより、接合面の端部と実装基板との距離をより大きくすることができ、リフロー時のセンサ装置内部へのフラックスの侵入をより防止することができる。
（２）センサ装置
光センサ装置が備えるセンサ装置は、受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含む光検出部と、光学フィルタを含むフィルタ部とを有し、受光素子が光学フィルタを介して外部と光学的に接続されるように光検出部とフィルタ部とが接合されたものである。
光検出部とフィルタ部は、直に接触した状態で接合されてもよいし、接着剤等を介して接合されてもよい。光検出部とフィルタ部を接合する際は、光検出部または光検出部の接合される部分の少なくとも一部に接着剤を塗布する方法や、フィルタ部に光検出部をはめ込む方法などを用いることができる。接合面端部の少なくとも一部にはセンサ装置内部へ通じる隙間が存在してもよい。
このセンサ装置の支持基板と向かい合う面側に、接合面の端部を底部とする凹部が形成されてもよい。ここで、凹部の形は、三角錐状でもよく、また、直方体状でもよい。凹部は、モールド工程で用いる金型に凸形状を施すことで形成することができる。また、上記接合面の角の面取りする工程や接合面を切削する工程などで形成することができる。これにより、接合面の端部と実装基板との離間距離をより大きくすることができ、リフロー時のセンサ装置内部へのフラックスの侵入をより防止することができる。
光センサ装置が備えるセンサ装置は、受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含む光検出部と、光学フィルタを含むフィルタ部とを有し、受光素子が光学フィルタを介して外部と光学的に接続されるように光検出部とフィルタ部とが接合されたものである。
光検出部とフィルタ部は、直に接触した状態で接合されてもよいし、接着剤等を介して接合されてもよい。光検出部とフィルタ部を接合する際は、光検出部または光検出部の接合される部分の少なくとも一部に接着剤を塗布する方法や、フィルタ部に光検出部をはめ込む方法などを用いることができる。接合面端部の少なくとも一部にはセンサ装置内部へ通じる隙間が存在してもよい。
このセンサ装置の支持基板と向かい合う面側に、接合面の端部を底部とする凹部が形成されてもよい。ここで、凹部の形は、三角錐状でもよく、また、直方体状でもよい。凹部は、モールド工程で用いる金型に凸形状を施すことで形成することができる。また、上記接合面の角の面取りする工程や接合面を切削する工程などで形成することができる。これにより、接合面の端部と実装基板との離間距離をより大きくすることができ、リフロー時のセンサ装置内部へのフラックスの侵入をより防止することができる。
（２．１）光検出部
センサ装置が有する光検出部は、受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含むものである。本発明に用いられる受光素子は光電変換部を含む。光電変換部は、フォトダイオードおよびフォトコンダクタ等、光電変換によって信号を出力する「量子型センサ」であってよい。また、光が赤外線の場合は、光電変換部は、サーモパイル、焦電型センサ等の赤外線吸収による温度変化を電気信号に変換する「熱型センサ」であってもよい。外部からの電力供給を最小限に抑えて消費電力を低減する観点から、光電変換部には量子型センサを用いることが好ましい。より具体的には、量子型センサは、ＩｎＳｂを用いたＰＮまたはＰＩＮ接合構造を有する量子型センサが挙げられるがこれに制限されない。また光検出部に含まれる受光素子の周りは、樹脂等によってモールドされていてもよい。
センサ装置が有する光検出部は、受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含むものである。本発明に用いられる受光素子は光電変換部を含む。光電変換部は、フォトダイオードおよびフォトコンダクタ等、光電変換によって信号を出力する「量子型センサ」であってよい。また、光が赤外線の場合は、光電変換部は、サーモパイル、焦電型センサ等の赤外線吸収による温度変化を電気信号に変換する「熱型センサ」であってもよい。外部からの電力供給を最小限に抑えて消費電力を低減する観点から、光電変換部には量子型センサを用いることが好ましい。より具体的には、量子型センサは、ＩｎＳｂを用いたＰＮまたはＰＩＮ接合構造を有する量子型センサが挙げられるがこれに制限されない。また光検出部に含まれる受光素子の周りは、樹脂等によってモールドされていてもよい。
（２．２）フィルタ部
センサ装置が有するフィルタ部は、光学フィルタを含む。例えば、フィルタ部は、基体と、基体を貫く開口部と、開口部内の少なくとも一部に配置された光学フィルタとを有する。また、基体を貫く光学的な開口部が形成されていれば良いため、光学フィルタが基体表面から突出していても良い。そして、フィルタ部は、この光学フィルタを介して光検出部の受光素子が外部と光学的に接続されるように光検出部に接合されるものである。
本発明に用いられる光学フィルタは、所望の波長範囲の光を選択的に（即ち、透過率高く）透過させる機能を有するものであってよい。例えば、光学フィルタは、特定の波長帯の光のみを透過する機能を有するものであってよい。或いは、この光学フィルタは、透過カバー、レンズなど、単に光を透過する機能を有するものであってもよい。フィルタ部の基体には、樹脂など、光センサ装置の特性に応じて種々の材料を用いることができる。
センサ装置が有するフィルタ部は、光学フィルタを含む。例えば、フィルタ部は、基体と、基体を貫く開口部と、開口部内の少なくとも一部に配置された光学フィルタとを有する。また、基体を貫く光学的な開口部が形成されていれば良いため、光学フィルタが基体表面から突出していても良い。そして、フィルタ部は、この光学フィルタを介して光検出部の受光素子が外部と光学的に接続されるように光検出部に接合されるものである。
本発明に用いられる光学フィルタは、所望の波長範囲の光を選択的に（即ち、透過率高く）透過させる機能を有するものであってよい。例えば、光学フィルタは、特定の波長帯の光のみを透過する機能を有するものであってよい。或いは、この光学フィルタは、透過カバー、レンズなど、単に光を透過する機能を有するものであってもよい。フィルタ部の基体には、樹脂など、光センサ装置の特性に応じて種々の材料を用いることができる。
（２．３）開口部
フィルタ部の開口部の形状は、光学フィルタを配置することができるとともに、開口部に配置された光学フィルタを介して受光素子が外部と光学的に接続されるような形状であれば特に限定されない。具体例としては、フィルタ部に円筒状や直方体状の穴を形成し、円筒状の穴の一部に光学フィルタを形成したものが考えられるが、特にこれに限定されない。
フィルタ部の開口部の形状は、光学フィルタを配置することができるとともに、開口部に配置された光学フィルタを介して受光素子が外部と光学的に接続されるような形状であれば特に限定されない。具体例としては、フィルタ部に円筒状や直方体状の穴を形成し、円筒状の穴の一部に光学フィルタを形成したものが考えられるが、特にこれに限定されない。
（３）実装基板
光センサ装置が備える実装基板は、支持基板と、支持基板上に設けられたランド電極とを有するものである。ここで、ランド電極は、複数のランド電極でもよい。また、実装基板は、支持基板の表面の一部を覆う絶縁膜をさらに有してもよい。
光センサ装置が備える実装基板は、支持基板と、支持基板上に設けられたランド電極とを有するものである。ここで、ランド電極は、複数のランド電極でもよい。また、実装基板は、支持基板の表面の一部を覆う絶縁膜をさらに有してもよい。
（３．１）支持基板
実装基板が有する支持基板は、支持基板上にランド電極や絶縁膜を形成し、その上にセンサ装置を設置することができるものであれば特に限定されない。支持基板の材料についても特に制限されない。例えばＦＲ４、セラミックス基板、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、サファイヤ等が挙げられるがこの限りではない。
実装基板が有する支持基板は、支持基板上にランド電極や絶縁膜を形成し、その上にセンサ装置を設置することができるものであれば特に限定されない。支持基板の材料についても特に制限されない。例えばＦＲ４、セラミックス基板、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、サファイヤ等が挙げられるがこの限りではない。
（３．２）ランド電極
実装基板が有するランド電極は、支持基板上に設けられたものである。本発明に用いられるランド電極としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの適宜の金属もしくは合金からなるものを用いることができるが、光センサ装置の出力端子と支持基板との電気的なコンタクトを取ることができるものであれば、特にこれらに限定されない。また、実際には、支持基板上でランドから他の部品への接続金属配線が伸びることになる。なおこれら接続金属配線については、各図面には図示していない。
実装基板が有するランド電極は、支持基板上に設けられたものである。本発明に用いられるランド電極としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの適宜の金属もしくは合金からなるものを用いることができるが、光センサ装置の出力端子と支持基板との電気的なコンタクトを取ることができるものであれば、特にこれらに限定されない。また、実際には、支持基板上でランドから他の部品への接続金属配線が伸びることになる。なおこれら接続金属配線については、各図面には図示していない。
（３．３）絶縁膜
実装基板が有する絶縁膜は、支持基板の表面の一部を覆うものである。絶縁膜を形成する材料としては、ソルダーレジストやポリイミドやシリコン系樹脂等を用いることができるが、特にこれらに限定されない。
実装基板が有する絶縁膜は、支持基板の表面の一部を覆うものである。絶縁膜を形成する材料としては、ソルダーレジストやポリイミドやシリコン系樹脂等を用いることができるが、特にこれらに限定されない。
（３．４）半田
センサ装置は半田を介して実装基板上のランド電極に接続される。半田は、半田ペーストと呼ばれるペーストの状態で塗布され、リフローをすることで半田ペースト内のフラックスが除去され、半田付けが行われる。この半田ペーストは、半田粉末とフラックスからなり、加熱工程で半田ペーストの温度が上昇すると半田ペースト内のフラックスが接合する金属表面に広がり酸化膜を化学的に除去し、半田ペースト内の半田粉が融けて金属表面と接合することで、半田が金属表面に固定される。また半田の材料としては、スズ、銀、銅、鉛、インジウム等の金属混合粉体を用いることができるが、特にこれらに限定されない。また半田ペーストの材料としては、半田とフラックス等の混合材を用いることができるが、特にこれらに限定されない。
また、拡散物としてフラックスを挙げているが、実装時に拡散する物質であれば特にこれに限定されない。例えば、実装時に実装基板と電子部品とを固定する仮止め剤やポッティング液などがある。
センサ装置は半田を介して実装基板上のランド電極に接続される。半田は、半田ペーストと呼ばれるペーストの状態で塗布され、リフローをすることで半田ペースト内のフラックスが除去され、半田付けが行われる。この半田ペーストは、半田粉末とフラックスからなり、加熱工程で半田ペーストの温度が上昇すると半田ペースト内のフラックスが接合する金属表面に広がり酸化膜を化学的に除去し、半田ペースト内の半田粉が融けて金属表面と接合することで、半田が金属表面に固定される。また半田の材料としては、スズ、銀、銅、鉛、インジウム等の金属混合粉体を用いることができるが、特にこれらに限定されない。また半田ペーストの材料としては、半田とフラックス等の混合材を用いることができるが、特にこれらに限定されない。
また、拡散物としてフラックスを挙げているが、実装時に拡散する物質であれば特にこれに限定されない。例えば、実装時に実装基板と電子部品とを固定する仮止め剤やポッティング液などがある。
＜第２の態様＞
（１）光センサ装置
第２の態様に係る光センサ装置は、受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含む光検出部と、光学フィルタを含むフィルタ部とを有し、受光素子が光学フィルタを介
して外部と光学的に接続されるように光検出部とフィルタ部とが接合されたセンサ装置と、第１の支持基板と、第１の支持基板上に設けられた第１のランド電極とを有する実装基板と、第２の支持基板と、第２の支持基板上に設けられた第２のランド電極とを有するサブ基板と、を備える。光検出部のうち受光素子を含む面の裏側と第２のランド電極とが半田を介して接続されている。サブ基板と第１のランド電極は、サブ基板の側面が実装基板の表面に、半田等を介して接続されている。
また、実装基板は、第１の支持基板の表面の一部を覆う絶縁膜をさらに有していてもよい。そして、この絶縁膜は、接合面の端部と第１の支持基板との間に介在していてもよい。
（１）光センサ装置
第２の態様に係る光センサ装置は、受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含む光検出部と、光学フィルタを含むフィルタ部とを有し、受光素子が光学フィルタを介
して外部と光学的に接続されるように光検出部とフィルタ部とが接合されたセンサ装置と、第１の支持基板と、第１の支持基板上に設けられた第１のランド電極とを有する実装基板と、第２の支持基板と、第２の支持基板上に設けられた第２のランド電極とを有するサブ基板と、を備える。光検出部のうち受光素子を含む面の裏側と第２のランド電極とが半田を介して接続されている。サブ基板と第１のランド電極は、サブ基板の側面が実装基板の表面に、半田等を介して接続されている。
また、実装基板は、第１の支持基板の表面の一部を覆う絶縁膜をさらに有していてもよい。そして、この絶縁膜は、接合面の端部と第１の支持基板との間に介在していてもよい。
（２）サブ基板
光センサ装置が備えるサブ基板は、第２の支持基板と、第２の支持基板上に設けられた第２のランド電極とを有する。このサブ基板は、第２の支持基板の表面の一部を覆う絶縁膜をさらに有していてもよい。サブ基板は、センサ装置と実装基板とを中継する中継基板である。
このサブ基板は、サブ基板の側面が実装基板上に配置するように、半田等を介して実装基板の第１のランド電極と接続されるものであれば、特に限定されない。第２の支持基板の材料についても特に制限されない。すなわち、第２の支持基板として、例えばＦＲ４、セラミックス基板、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、サファイヤ等が挙げられるがこの限りではない。
光センサ装置が備えるサブ基板は、第２の支持基板と、第２の支持基板上に設けられた第２のランド電極とを有する。このサブ基板は、第２の支持基板の表面の一部を覆う絶縁膜をさらに有していてもよい。サブ基板は、センサ装置と実装基板とを中継する中継基板である。
このサブ基板は、サブ基板の側面が実装基板上に配置するように、半田等を介して実装基板の第１のランド電極と接続されるものであれば、特に限定されない。第２の支持基板の材料についても特に制限されない。すなわち、第２の支持基板として、例えばＦＲ４、セラミックス基板、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、サファイヤ等が挙げられるがこの限りではない。
＜実施形態＞
以下、上記した第１、第２の態様の具体例として、図面を参酌しながら第１〜第６実施形態を説明する。なお、本発明は、以下の第１〜第６実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。
以下、上記した第１、第２の態様の具体例として、図面を参酌しながら第１〜第６実施形態を説明する。なお、本発明は、以下の第１〜第６実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。
（１）第１実施形態
まず、本発明の第１実施形態を説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る光センサ装置１００の構成例を示す断面図である。また、図２は、フィルタ部７０の構成例を示す平面図である。図３は、光センサ装置１００の構成例を示す平面図である。なお、図３に示す平面図をＡ−Ａ’線で切断した断面図が、図１に対応している。
図１〜図３に示すように、光センサ装置１００は、実装基板１０と、実装基板１０上に実装されたセンサ装置５０とを備える。実装基板１０は、支持基板１１と、支持基板１１上に設けられたランド電極１３と、支持基板１１の表面１１ａの一部を覆う絶縁膜１５と、を有する。
まず、本発明の第１実施形態を説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る光センサ装置１００の構成例を示す断面図である。また、図２は、フィルタ部７０の構成例を示す平面図である。図３は、光センサ装置１００の構成例を示す平面図である。なお、図３に示す平面図をＡ−Ａ’線で切断した断面図が、図１に対応している。
図１〜図３に示すように、光センサ装置１００は、実装基板１０と、実装基板１０上に実装されたセンサ装置５０とを備える。実装基板１０は、支持基板１１と、支持基板１１上に設けられたランド電極１３と、支持基板１１の表面１１ａの一部を覆う絶縁膜１５と、を有する。
センサ装置５０は、光検出部６０と、フィルタ部７０とを有する。光検出部６０は、受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子６１と、受光素子６１の受光面６１ａを除く面を覆うモールド部材６３とを含む。フィルタ部７０は、基体７１と、基体７１に設けられた開口部７３と、開口部７３内に配置された光学フィルタ７５と、を含む。開口部７３は、例えば、基体７１を貫く円筒状の穴である。この開口部７３内の光検出部側の位置に、光学フィルタ７５が嵌め込まれている。
この光センサ装置１００では、受光素子６１が光学フィルタ７５を介して外部と光学的に接続されるように、光検出部６０とフィルタ部７０とが接合されている。また、光検出部６０と、実装基板１０のランド電極１３は、光検出部６０とフィルタ部７０との接合面８０の端部８１を実装基板１０から離して配置するように、半田１７を介して接続されている。そして、接合面８０の端部８１と、実装基板１０との間は５０μｍ以上離れている。つまり、接合面８０の端部８１と実装基板１０との離間距離Ｌは５０μｍ以上である。これにより、センサ装置５０内部へのフラックスの侵入を防止し、光の検知の精度を向上させた光センサ装置を実現することができる。
この光センサ装置１００では、受光素子６１が光学フィルタ７５を介して外部と光学的に接続されるように、光検出部６０とフィルタ部７０とが接合されている。また、光検出部６０と、実装基板１０のランド電極１３は、光検出部６０とフィルタ部７０との接合面８０の端部８１を実装基板１０から離して配置するように、半田１７を介して接続されている。そして、接合面８０の端部８１と、実装基板１０との間は５０μｍ以上離れている。つまり、接合面８０の端部８１と実装基板１０との離間距離Ｌは５０μｍ以上である。これにより、センサ装置５０内部へのフラックスの侵入を防止し、光の検知の精度を向上させた光センサ装置を実現することができる。
なお、本発明では、光検出部６０とフィルタ部７０とが直に接触した状態で接合していてもよいし、接着剤等を介して接合していてもよい。光検出部６０とフィルタ部７０とが直に接触している場合、接合面とは、光検出部６０とフィルタ部７０との接触界面のことを意味する。また、図１等に示すように光検出部６０とフィルタ部７０とが接着剤９０を介して接合している場合、接合面とは、光検出部６０とフィルタ部７０との（接着剤９０を含む）接合部の厚さ方向の中間位置を通る面のことを意味する。本実施形態の各図では、光検出部６０とフィルタ部７０とが接着剤９０を介して接合しており、接合部が接着剤９０相当の厚みを有する場合を例示している。
絶縁膜１５は、ランド電極１３の一部を覆っていてもよいし、ランド電極１３を覆わないでその周囲を囲んでいてもよい（本実施形態の各図では、絶縁膜１５はランド電極１３を覆わないで、その周囲を囲んでいる場合を例示している。）。また、絶縁膜１５は、接合面８０の支持基板１１側の端部８１と、支持基板１１との間には配置しないことが望ましい。すなわち、絶縁膜１５は、支持基板１１の表面１１ａのうち、フラックスが広がる範囲以外の領域に配置することが望ましい。その理由は、接合面８０の端部８１と支持基板１１との間はフラックスが広がる範囲であり、この範囲内に絶縁膜１５を配置すると、絶縁膜１５は一般に支持基板上に均一に配置するため接合面８０の端部８１と実装基板１０との離間距離の確保が出来なくなるからである。ただし、絶縁膜１５を部分的に薄くでき接合面８０の端部８１と支持基板１１の離間距離を５０μｍ以上にできる場合は、配置してもよい。
また、絶縁膜１５は、実装基板１０に対して、光検出部６０とフィルタ部７０との接合面８０の端部８１の位置を保持するためのスペーサーとして用いてもよい。例えば、支持基板１１上のフラックスが広がる範囲以外の領域に絶縁膜１５を配置して、この絶縁膜１５を上記のスペーサーとして用いてもよい。
また、ランド電極１３から他の部品などへ配線を施す場合は、配線は、接合面８０の端部８１と実装基板１０との間の離間距離が５０μｍ以上となるように配置すればよい。ここで、配線は、接合面８０の端部８１と支持基板１１との間（即ち、接合面８０の端部８１の直下）は通らないように配置することが望ましい。なお、引き出し配線については、図示していない。
また、ランド電極１３から他の部品などへ配線を施す場合は、配線は、接合面８０の端部８１と実装基板１０との間の離間距離が５０μｍ以上となるように配置すればよい。ここで、配線は、接合面８０の端部８１と支持基板１１との間（即ち、接合面８０の端部８１の直下）は通らないように配置することが望ましい。なお、引き出し配線については、図示していない。
また、ランド電極１３は、センサ装置５０の出力電極の他、固定用電極など、必要数を支持基板１１の表面１１ａ上に配置してよい。また、半田１７は、接合面８０を挟んで二箇所の接合で一組となるように配置することが望ましい。例えば、接合面８０を挟んで半田１７を対で配置するとともに、一方の半田１７から接合面８０までの距離と、他方の半田１７から接合面８０までの距離とを等距離にする。これにより、リフロー時の半田接合部からの引力にバランスを持たせることができるので、実装基板１０に対してセンサ装置５０が位置ずれすることを防ぐことができる。
（２）第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態を説明する。
図４は、本発明の第２実施形態に係る光センサ装置２００の構成例を示す断面図である。また、図５は、光センサ装置２００の構成例を示す平面図である。なお、図５に示す平面図をＢ−Ｂ’線で切断した断面図が、図４に対応している。
図４及び図５に示すように、第２実施形態に係る光センサ装置２００において、第１実施形態に係る光センサ装置１００との相違点は、接合面８０の端部８１と支持基板１１との間にランド電極１３が存在しない点である。すなわち、この光センサ装置２００において、ランド電極１３は、接合面８０の端部８１と支持基板１１との間から外れた位置にのみ配設されている。これ以外の構成は、第２実施形態は第１実施形態と同じである。
これにより、光センサ装置２００では、接合面８０の端部８１と実装基板１０との距離をより大きくすることができ、リフロー時のセンサ装置５０内部へのフラックスの侵入をより防止することができる。また、リフロー時に半田がランド電極１３上を広がる場合、ランド電極とセンサ装置の電極とを接合する半田部位が減少し接合不足や未接合が発生するため、半田対策としても有効である。
次に、本発明の第２実施形態を説明する。
図４は、本発明の第２実施形態に係る光センサ装置２００の構成例を示す断面図である。また、図５は、光センサ装置２００の構成例を示す平面図である。なお、図５に示す平面図をＢ−Ｂ’線で切断した断面図が、図４に対応している。
図４及び図５に示すように、第２実施形態に係る光センサ装置２００において、第１実施形態に係る光センサ装置１００との相違点は、接合面８０の端部８１と支持基板１１との間にランド電極１３が存在しない点である。すなわち、この光センサ装置２００において、ランド電極１３は、接合面８０の端部８１と支持基板１１との間から外れた位置にのみ配設されている。これ以外の構成は、第２実施形態は第１実施形態と同じである。
これにより、光センサ装置２００では、接合面８０の端部８１と実装基板１０との距離をより大きくすることができ、リフロー時のセンサ装置５０内部へのフラックスの侵入をより防止することができる。また、リフロー時に半田がランド電極１３上を広がる場合、ランド電極とセンサ装置の電極とを接合する半田部位が減少し接合不足や未接合が発生するため、半田対策としても有効である。
（３）第３実施形態
次に、本発明の第３実施形態を説明する。
図６は、本発明の第３実施形態に係る光センサ装置３００の構成例を示す断面図である。また、図７は、光センサ装置３００の構成例を示す平面図である。なお、図７に示す平面図をＣ−Ｃ’線で切断した断面図が、図６に対応している。
図６及び図７に示すように、第３実施形態に係る光センサ装置３００において、第２実施形態に係る光センサ装置２００との相違点は、平面視で、センサ装置の周囲に周囲電極２１が配設されている点である。この周囲電極２１は、例えば、ランド電極１３と同一工程で同時に形成されたものである。周囲電極２１は、ランド電極１３と同じ材料からなり、支持基板１１の表面１１ａから同じ高さを有する。これ以外の構成は、第３実施形態は第２実施形態と同じである。
また、周囲電極２１と絶縁膜１５は、実装基板１０に対して、光検出部６０とフィルタ部７０との接合面８０の端部８１の位置を保持するための位置決め材として用いてもよい。例えば、支持基板１１上のフラックスが広がる範囲以外の領域に周囲電極２１と絶縁膜１５を配置して、この周囲電極２１と絶縁膜１５を上記の位置決め材として用いてもよい。
次に、本発明の第３実施形態を説明する。
図６は、本発明の第３実施形態に係る光センサ装置３００の構成例を示す断面図である。また、図７は、光センサ装置３００の構成例を示す平面図である。なお、図７に示す平面図をＣ−Ｃ’線で切断した断面図が、図６に対応している。
図６及び図７に示すように、第３実施形態に係る光センサ装置３００において、第２実施形態に係る光センサ装置２００との相違点は、平面視で、センサ装置の周囲に周囲電極２１が配設されている点である。この周囲電極２１は、例えば、ランド電極１３と同一工程で同時に形成されたものである。周囲電極２１は、ランド電極１３と同じ材料からなり、支持基板１１の表面１１ａから同じ高さを有する。これ以外の構成は、第３実施形態は第２実施形態と同じである。
また、周囲電極２１と絶縁膜１５は、実装基板１０に対して、光検出部６０とフィルタ部７０との接合面８０の端部８１の位置を保持するための位置決め材として用いてもよい。例えば、支持基板１１上のフラックスが広がる範囲以外の領域に周囲電極２１と絶縁膜１５を配置して、この周囲電極２１と絶縁膜１５を上記の位置決め材として用いてもよい。
（４）第４実施形態
次に、本発明の第４実施形態を説明する。
図８は、本発明の第４実施形態に係る光センサ装置４００の構成例を示す断面図である。図８に示すように、第４実施形態に係る光センサ装置４００において、第２実施形態に係る光センサ装置２００との相違点は、支持基板１１のうちの接合面８０の端部８１と向かい合う位置（すなわち、端部８１の直下）に凹部２３が形成されている点である。これ以外の構成は、第４実施形態は第２実施形態と同じである。これにより、接合面８０の端部８１と実装基板１０との離間距離Ｌをより大きくすることができ、リフロー時のセンサ装置内部へのフラックスの侵入をより防止することができる。
次に、本発明の第４実施形態を説明する。
図８は、本発明の第４実施形態に係る光センサ装置４００の構成例を示す断面図である。図８に示すように、第４実施形態に係る光センサ装置４００において、第２実施形態に係る光センサ装置２００との相違点は、支持基板１１のうちの接合面８０の端部８１と向かい合う位置（すなわち、端部８１の直下）に凹部２３が形成されている点である。これ以外の構成は、第４実施形態は第２実施形態と同じである。これにより、接合面８０の端部８１と実装基板１０との離間距離Ｌをより大きくすることができ、リフロー時のセンサ装置内部へのフラックスの侵入をより防止することができる。
（５）第５実施形態
次に、本発明の第５実施形態を説明する。
図９は、本発明の第５実施形態に係る光センサ装置５００の第１の構成例を示す断面図である。図１０は、光センサ装置５００の第２の構成例を示す断面図である。
図９及び図１０に示すように、第５実施形態に係る光センサ装置５００において、第１実施形態に係る光センサ装置１００との相違点は、センサ装置５０の支持基板１１と向かい合う面（例えば、下面）側に、接合面８０の端部８１を底部とする凹部５１が形成されている点である。これ以外の構成は、第５実施形態は第１実施形態と同じである。図９に示すように、凹部５１は直方体状（断面視では矩形）に形成されていてもよい。また、図１０に示すように、凹部５１は三角錐状（断面視では三角形）に形成されていてもよい。これにより、接合面８０の端部８１と実装基板１０との離間距離Ｌをより大きくすることができ、リフロー時のセンサ装置５０内部へのフラックスの侵入をより防止することができる。
次に、本発明の第５実施形態を説明する。
図９は、本発明の第５実施形態に係る光センサ装置５００の第１の構成例を示す断面図である。図１０は、光センサ装置５００の第２の構成例を示す断面図である。
図９及び図１０に示すように、第５実施形態に係る光センサ装置５００において、第１実施形態に係る光センサ装置１００との相違点は、センサ装置５０の支持基板１１と向かい合う面（例えば、下面）側に、接合面８０の端部８１を底部とする凹部５１が形成されている点である。これ以外の構成は、第５実施形態は第１実施形態と同じである。図９に示すように、凹部５１は直方体状（断面視では矩形）に形成されていてもよい。また、図１０に示すように、凹部５１は三角錐状（断面視では三角形）に形成されていてもよい。これにより、接合面８０の端部８１と実装基板１０との離間距離Ｌをより大きくすることができ、リフロー時のセンサ装置５０内部へのフラックスの侵入をより防止することができる。
（６）第６実施形態
次に、本発明の第６実施形態を説明する。
図１１は、本発明の第６実施形態に係る光センサ装置６００の構成例を示す断面図である。また、図１２は、光センサ装置６００の構成例を示す平面図である。なお、図１２に示す平面図をＤ−Ｄ’線で切断した断面図が、図１１に対応している。図１１及び図１２に示すように、光センサ装置６００は、実装基板１０と、サブ基板４０と、センサ装置５０と、を備える。
実装基板１０及びセンサ装置５０の各構成例は、例えば第１〜第５実施形態に記載した通である。 また、サブ基板４０は、支持基板４１と、支持基板４１上に設けられたランド電極４３とを有する。図１１に示すように、ランド電極４３は支持基板４１の表面４１ａ及び裏面４１ｂに形成されている。ここで、表面４１ａは支持基板４１の第１の主面であり、裏面４１ｂは支持基板４１の第２の主面である。
次に、本発明の第６実施形態を説明する。
図１１は、本発明の第６実施形態に係る光センサ装置６００の構成例を示す断面図である。また、図１２は、光センサ装置６００の構成例を示す平面図である。なお、図１２に示す平面図をＤ−Ｄ’線で切断した断面図が、図１１に対応している。図１１及び図１２に示すように、光センサ装置６００は、実装基板１０と、サブ基板４０と、センサ装置５０と、を備える。
実装基板１０及びセンサ装置５０の各構成例は、例えば第１〜第５実施形態に記載した通である。 また、サブ基板４０は、支持基板４１と、支持基板４１上に設けられたランド電極４３とを有する。図１１に示すように、ランド電極４３は支持基板４１の表面４１ａ及び裏面４１ｂに形成されている。ここで、表面４１ａは支持基板４１の第１の主面であり、裏面４１ｂは支持基板４１の第２の主面である。
この光センサ装置６００では、光検出部６０のうち受光素子６１を含む面の裏側と、サブ基板４０のランド電極４３とが半田４７を介して接続されている。また、サブ基板４０と、実装基板１０のランド電極１３は、サブ基板４０の側面と実装基板の表面上に配置するように、半田１７を介して接続されている。また、支持基板１１の表面１１ａの一部を覆う絶縁膜１５が、接合面８０の端部８１と支持基板１１との間に介在していてもよい。
これにより、接合面８０の端部８１をフラックスが広がる範囲から遠ざけることができる。したがって、センサ装置５０及び実装基板１０に特別な加工を施すことなく、リフロー時のセンサ装置５０内部へのフラックスの侵入を防止することができる。
これにより、接合面８０の端部８１をフラックスが広がる範囲から遠ざけることができる。したがって、センサ装置５０及び実装基板１０に特別な加工を施すことなく、リフロー時のセンサ装置５０内部へのフラックスの侵入を防止することができる。
＜実施形態の効果＞
本発明の第１〜第６実施形態によれば、フラックスの侵入を防止できるようにした光センサ装置を実現することができる。また、センサ装置５０内部へのフラックスの侵入を防止することにより、光の検知の精度を向上させた光センサ装置を実現することができる。
本発明の第１〜第６実施形態によれば、フラックスの侵入を防止できるようにした光センサ装置を実現することができる。また、センサ装置５０内部へのフラックスの侵入を防止することにより、光の検知の精度を向上させた光センサ装置を実現することができる。
＜変形例＞
（１）上記の実施形態では、ランド電極１３の外周と絶縁膜１５とが離れている場合を図示した。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではない。ランド電極１３の外周と絶縁膜１５は接していてもよい。また、ランド電極１３の外周の少なくとも一部を絶縁膜１５が覆っていてもよい。このような場合であっても、実施形態の効果を奏する。
（２）上記の実施形態では、光検出部６０のうちフィルタ部７０と向かい合う面と、フィルタ部７０のうち光検出部６０と向かい合う面とがそれぞれ平坦であり、この平坦な両面が接着剤９０を介して接合されている場合を図示した。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではない。
例えば、上記した向かい合う両面には凹凸が設けられており、一方の面の凸部が他方の面の凹部に嵌め込まれることによって、光検出部６０とフィルタ部７０とが互いに接合されていてもよい。また、この凹凸が設けられている場合においても、上記した向かい合う両面の間に接着剤が介在していてもよい。このような場合であっても、実施形態の効果を奏する。
（１）上記の実施形態では、ランド電極１３の外周と絶縁膜１５とが離れている場合を図示した。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではない。ランド電極１３の外周と絶縁膜１５は接していてもよい。また、ランド電極１３の外周の少なくとも一部を絶縁膜１５が覆っていてもよい。このような場合であっても、実施形態の効果を奏する。
（２）上記の実施形態では、光検出部６０のうちフィルタ部７０と向かい合う面と、フィルタ部７０のうち光検出部６０と向かい合う面とがそれぞれ平坦であり、この平坦な両面が接着剤９０を介して接合されている場合を図示した。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではない。
例えば、上記した向かい合う両面には凹凸が設けられており、一方の面の凸部が他方の面の凹部に嵌め込まれることによって、光検出部６０とフィルタ部７０とが互いに接合されていてもよい。また、この凹凸が設けられている場合においても、上記した向かい合う両面の間に接着剤が介在していてもよい。このような場合であっても、実施形態の効果を奏する。
＜付記＞
本発明の技術的思想は、以上に記載した、本発明を実施するための形態（第１、第２の態様、第１〜第６実施形態、変形例）に特定されるものではない。当業者の知識に基づいて、第１、第２の態様、第１〜第６実施形態、変形例に設計の変更等を加えてもよく、また、第１、第２の態様、第１〜第６実施形態、変形例を任意に組み合わせてもよく、そのような変更が加えられた形態も本発明の技術的思想に含まれる。
本発明の技術的思想は、以上に記載した、本発明を実施するための形態（第１、第２の態様、第１〜第６実施形態、変形例）に特定されるものではない。当業者の知識に基づいて、第１、第２の態様、第１〜第６実施形態、変形例に設計の変更等を加えてもよく、また、第１、第２の態様、第１〜第６実施形態、変形例を任意に組み合わせてもよく、そのような変更が加えられた形態も本発明の技術的思想に含まれる。
１０ 実装基板
１１ 支持基板（第１の支持基板）
１１ａ 表面
１３ ランド電極（第１のランド電極）
１５ 絶縁膜
１７ 半田
２１ 周囲電極
２３ 凹部
４０ サブ基板
４１ 支持基板（第２の支持基板）
４１ａ 表面
４３ ランド電極（第２のランド電極）
４７ 半田
５０ センサ装置
５１ 凹部
６０ 光検出部
６１ 受光素子
６１ａ 受光面
６３ モールド部材
７０ フィルタ部
７１ 基体
７３ 開口部
７５ 光学フィルタ
８０ 接合面
８１ 端部
９０ 接着剤
１００、２００、３００、４００、５００、６００ 光センサ装置
１１ 支持基板（第１の支持基板）
１１ａ 表面
１３ ランド電極（第１のランド電極）
１５ 絶縁膜
１７ 半田
２１ 周囲電極
２３ 凹部
４０ サブ基板
４１ 支持基板（第２の支持基板）
４１ａ 表面
４３ ランド電極（第２のランド電極）
４７ 半田
５０ センサ装置
５１ 凹部
６０ 光検出部
６１ 受光素子
６１ａ 受光面
６３ モールド部材
７０ フィルタ部
７１ 基体
７３ 開口部
７５ 光学フィルタ
８０ 接合面
８１ 端部
９０ 接着剤
１００、２００、３００、４００、５００、６００ 光センサ装置
Claims (6)
- 受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含む光検出部と、光学フィルタを含むフィルタ部とを有し、前記受光素子が前記光学フィルタを介して外部と光学的に接続されるように前記光検出部と前記フィルタ部とが接合されたセンサ装置と、
支持基板と前記支持基板上に設けられたランド電極とを有する実装基板と、
を備え、
前記センサ装置は、前記実装基板において前記ランド電極を有する面と向かい合う対向面を有し、
前記対向面は、前記光検出部と前記フィルタ部との接合面の端部を含み、
前記光検出部と前記ランド電極とが半田を介して接続されており、かつ、
前記接合面の端部は前記実装基板から５０μｍ以上離れており、かつ、
前記接合面の端部と前記半田との距離が２５０μｍ以上である、光センサ装置。 - 前記ランド電極は、前記接合面の端部と前記支持基板との間から外れた位置にのみ配設されている、請求項１に記載の光センサ装置。
- 前記支持基板のうちの前記接合面の端部と向かい合う位置であって、前記半田から離れている位置に凹部が形成されている請求項１又は請求項２に記載の光センサ装置。
- 前記センサ装置の前記支持基板と向かい合う面側に、前記接合面の端部を底部とする凹部が形成されている請求項１から請求項３の何れか一項に記載の光センサ装置。
- 受光した光に応じた電気信号を出力する受光素子を含む光検出部と、光学フィルタを含むフィルタ部とを有し、前記受光素子が前記光学フィルタを介して外部と光学的に接続されるように前記光検出部と前記フィルタ部とが接合されたセンサ装置と、
第１の支持基板と、前記第１の支持基板上に設けられた第１のランド電極とを有する実装基板と、
第２の支持基板と、前記第２の支持基板上に設けられた第２のランド電極とを有するサブ基板と、を備え、
前記光検出部のうち前記受光素子を含む面の裏側と前記第２のランド電極とが第１の半田を介して接続されており、
前記サブ基板の側面と前記第１のランド電極は、前記光検出部と前記フィルタ部との接合面の端部を前記実装基板から離して配置するように、第２の半田を介して接続されており、
前記センサ装置は、前記実装基板において前記第１のランド電極を有する面と向かい合う対向面を有し、
前記対向面は、前記接合面の端部を含み、
前記接合面の端部は前記実装基板から５０μｍ以上離れており、かつ、
前記接合面の端部と前記第２の半田との距離は、２５０μｍ以上である、光センサ装置。 - 前記実装基板は、前記第１の支持基板の表面の一部を覆う絶縁膜をさらに有し、
前記絶縁膜は、前記接合面の端部と前記第１の支持基板との間に介在している請求項５
に記載の光センサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015222454A JP6662610B2 (ja) | 2015-11-12 | 2015-11-12 | 光センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015222454A JP6662610B2 (ja) | 2015-11-12 | 2015-11-12 | 光センサ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017092320A JP2017092320A (ja) | 2017-05-25 |
| JP6662610B2 true JP6662610B2 (ja) | 2020-03-11 |
Family
ID=58771799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015222454A Active JP6662610B2 (ja) | 2015-11-12 | 2015-11-12 | 光センサ装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6662610B2 (ja) |
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| JP6110673B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2017-04-05 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 光センサ装置 |
-
2015
- 2015-11-12 JP JP2015222454A patent/JP6662610B2/ja active Active
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