JP6562483B2 - プリント回路基板 - Google Patents

Description

本発明は、プリント回路基板（ＰＲＩＮＴＥＤ ＣＩＲＣＵＩＴ ＢＯＡＲＤ）に関する。

電子製品の小型化及び薄型化により、パッケージにおいても小型化及び薄型化が要求されている。パッケージは、通常プリント回路基板及びプリント回路基板に実装する電子素子で構成されており、パッケージの薄型化への要求により、電子素子をプリント回路基板の内部に内蔵する技術が発展している。

電子素子がプリント回路基板の内部に内蔵されたパッケージの場合、通常電子素子をプリント回路基板のキャビティに内蔵した後に、絶縁層及び導体パターン層を形成することになる。

しかし、この製造方法は、プリント回路基板の製造時に発生可能な不良の要因が最終的なパッケージの収率にも影響を及ぼすことになる。

韓国公開特許第１０−２０１１−００６６０４４号公報

本発明の実施例によれば、パッケージ製造の収率を高めることができるプリント回路基板が提供される。

本発明の一実施例に係るプリント回路基板を示す図である。 本発明の一実施例に係るプリント回路基板に用いられる第１基板の製造方法の一工程を示す図である。 図２の次の工程を示す図である。 図３の次の工程を示す図である。 図４の次の工程を示す図である。 図５の次の工程を示す図である。 図６の次の工程を示す図である。 図７の次の工程を示す図である。 図８の次の工程を示す図である。 本発明の一実施例に係るプリント回路基板に用いられる第２基板の製造方法の一工程を示す図である。 図１０の次の工程を示す図である。 図１１の次の工程を示す図である。 図１２の次の工程を示す図である。 図１３の次の工程を示す図である。 図１４の次の工程を示す図である。 図１５の次の工程を示す図である。 本発明の一実施例に係るプリント回路基板に用いられる第１基板と第２基板とを接合する工程を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るプリント回路基板に用いられる第１基板と第２基板とを接合する工程を説明するための図である。

本願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明らかに表現しない限り、複数の表現を含む。

本願において「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組合せたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合せたものの存在または付加可能性を予め排除するものではないと理解しなくてはならない。

また、明細書の全般にわたって、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ず重力方向を基準にして上側に位置することを意味することではない。

また、「結合」とは、各構成要素間の関係において、各構成要素の間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。

図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであり、本発明が必ずしもそれらに限定されることはない。

以下、本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明し、添付図面に基づいて説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに関する重複説明を省略する。

＜プリント回路基板＞
（一実施例）
図１は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板を示す図である。

図１を参照すると、本発明の一実施例に係るプリント回路基板１０００は、第１基板１００と、第２基板２００と、部品収容ホール３００と、接続ポスト４００と、ガイドポスト５００と、を含み、接合金属層６００及び接合絶縁層７００をさらに含むことができる。

第１基板１００には、第１接続パッド１１０及び部品接続パッド１２０が形成される。第２基板２００は、第１基板１００上に配置され、第１基板１００と対向する一面に第２接続パッドが形成される。

第１基板１００及び第２基板２００のそれぞれは、複数の導体パターン層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６と、それぞれ隣接する導体パターン層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６間に形成される複数の絶縁層Ｉ１、Ｉ２と、隣接する導体パターン層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６を互いに電気的に接続するために複数の絶縁層Ｉ１、Ｉ２の それぞれを貫通して形成される複数のビアと、を含む。

導体パターン層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６は、電気的特性に優れた銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等で形成することができる。ここで、複数の導体パターン層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６は、すべて同じ材料で形成してもよく、いずれか１つの導体パターン層を形成する物質が他の１つの導体パターン層を形成する物質と異なってもよい。

絶縁層Ｉ１、Ｉ２は、電気絶縁性樹脂を含む。絶縁層Ｉ１、Ｉ２は、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含むプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ、ＰＰＧ）で形成することができる。または絶縁層Ｉ１、Ｉ２は、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含むＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｆｉｌｍ）等のビルドアップフィルムで形成することもできる。または絶縁層Ｉ１、Ｉ２は、感光性絶縁樹脂を含む感光性絶縁層であってもよい。

絶縁層Ｉ１、Ｉ２は、電気絶縁性樹脂に含有された補強材を含むことができる。補強材としては、ガラスクローズ、グラスファイバー、無機フィラー及び有機フィラーのうちの少なくともいずれか１種を用いることができる。補強材は、絶縁層Ｉ１、Ｉ２の剛性を補強し、熱膨脹係数を低くすることができる。

無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）、タルク、クレー、雲母パウダー、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ_３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）_２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ_３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）及びジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）で構成された群から選択される少なくとも１種以上を用いることができる。

第１基板１００の複数の導体パターン層のうちの最外層に形成された第１導体パターン層Ｐ１は、第１接続パッド１１０及び部品接続パッド１２０を含む。本実施例において、第１接続パッド１１０及び部品接続パッド１２０は、図１に基づいて第１基板１００の最上層に形成された第１導体パターン層Ｐ１に含まれる。

第２基板２００の複数の導体パターン層のうちの最外層に形成された第２導体パターン層Ｐ２は、第２接続パッド２１０を含む。本実施例において第２接続パッド２１０は、図１に基づいて、第２基板２００の最下層に形成された第２導体パターン層Ｐ２に含まれる。

第１接続パッド１１０は、後述する接続ポスト４００を介して第２接続パッド２１０と電気的に接続する。部品接続パッド１２０は、後述する部品収容ホール３００内に収容される半導体チップ等の電子部品と本実施例に係るプリント回路基板１０００とを接続する。

部品収容ホール３００は、部品接続パッド１２０が露出するように第２基板２００を貫通する。部品収容ホール３００は、部品収容ホール３００に収容され、部品接続パッド１２０と接続する電子部品の形状に対応する形状に形成することができる。

接続ポスト４００は、第１基板１００と第２基板２００とを互いに接続するために第１接続パッド１１０と第２接続パッド２１０との間に形成される。ガイドポスト５００は、第１接続パッド１１０または第２接続パッド２１０に形成され、複数形成されるが、相互離隔して、接続ポスト４００を収容する収容空間５１０を形成する。

接続ポスト４００とガイドポスト５００とは、互いに相補的な位置に形成され、第１接続パッド１１０と第２接続パッド２１０とを電気的に接続する。すなわち、図１に示すように、第１接続パッド１１０に接続ポスト４００が形成され、第２接続パッド２１０にガイドポスト５００が形成されてもよい。または、第１接続パッド１１０にガイドポスト５００が形成され、第２接続パッド２１０に接続ポスト４００が形成されてもよい。

ガイドポスト５００は、図８等に示すように、いずれか１つの第１接続パッド１１０上に４つ形成されるが、互いに離隔することができる。ただし、この説明は、例示に過ぎず、この説明が、いずれか１つの第１接続パッド１１０上に、２つ、３つまたは５つ以上の数に形成されたガイドポスト５００を本発明の範囲から除外することではない。

いずれか１つの第１接続パッド１１０上に複数形成されたガイドポスト５００は、多角形の形状に離隔して配置されてもよい。例として、いずれか１つの第１接続パッド１１０上に３つのガイドポスト５００が形成された場合は、ガイドポスト５００のそれぞれが三角形の頂点に配置され、互いに離隔することができる。他の例として、いずれか１つの第１接続パッド１１０上に５つのガイドポスト５００が形成された場合は、ガイドポスト５００のそれぞれが五角形の頂点に配置され、互いに離隔することができる。

接続ポスト４００及びガイドポスト５００のそれぞれは、電気的特性に優れた銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等で形成することができる。接続ポスト４００及びガイドポスト５００は、互いに同じ材料で形成されてもよく、接続ポスト４００を形成する物質がガイドポスト５００を形成する物質と異なってもよい。

接続ポスト４００及びガイドポスト５００のそれぞれの縦断面は、円柱の形状であってもよいが、これに限定されない。例として、接続ポスト４００及びガイドポスト５００のそれぞれの縦断面は、テーパー状に形成されてもよい。

接続ポスト４００及びガイドポスト５００のそれぞれの横断面は、円形であってもよいが、これに限定されない。例として、接続ポスト４００及びガイドポスト５００のそれぞれの横断面は、多角形状に形成されてもよい。

接続ポスト４００の高さは、ガイドポスト５００の高さよりも高いことができる。すなわち、接続ポスト４００の第２接続パッド２１０と接触する一端から接続ポスト４００の他端までの長さは、ガイドポスト５００の第１接続パッド１１０と接触する一端からガイドポスト５００の他端までの長さよりも長い。ガイドポスト５００の高さは、接続ポスト４００の高さの０．４〜０．６倍であってもよいが、これに限定されない。接続ポスト４００の高さがガイドポスト５００の高さよりも高いので、第１接続パッド１１０と第２接続パッド２１０とがより容易に接続することができる。

接合金属層６００は、ガイドポスト５００と接続ポスト４００とを接続するために、収容空間５１０内に配置される。接合金属層６００の溶融点は、接続ポスト４００及びガイドポスト５００の溶融点よりも低い。

後述するが、第１基板１００と第２基板２００とを接合する工程は、接合金属層６００の溶融点よりも高く、ガイドポスト５００及び接続ポスト４００の溶融点よりも低い温度で行われる。これにより、接合金属層６００は、第１基板１００と第２基板２００とが接合するときに溶融される。これにより、接合金属層６００は、ガイドポスト５００と接続ポスト４００との間の収容空間５１０の少なくとも一部を充填することができる。また、接合金属層６００は、接続ポスト４００とガイドポスト５００との間に整列誤差が発生した場合であっても、接続ポスト４００とガイドポスト５００とを互いに電気的に接続することができる。

接合金属層６００は、錫（Ｓｎ）を含むことができる。接合金属層６００は、錫を含むソルダーであってもよい。接合金属層６００は、ニッケル及び／または銀をさらに含むことができる。

接合絶縁層７００は、接続ポスト４００及びガイドポスト５００をカバーし、第１基板１００と第２基板２００との間に介在されて両者を接合する。

接合絶縁層７００としては、熱硬化性絶縁樹脂、熱可塑性絶縁樹脂、感光性絶縁樹脂及び液晶ポリマーのうちの少なくとも１種を含むことができる。熱可塑性絶縁樹脂としては、ＰＶＣ（Ｐｏｌｙ Ｖｉｎｙｌ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、ＰＥ（Ｐｏｌｙ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰ（Ｐｏｌｙ Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ＰＳ（Ｐｏｌｙ Ｓｔｙｒｅｎｅ）、ＡＢＳ（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ Ｓｔｙｒｅｎｅ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、Ｐｏｌｙ ａｍｉｄｅ、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙ Ｅｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）を用いることができるが、これに限定されない。

第１基板１００及び第２基板２００のそれぞれは、第１接続パッド１１０及び第２接続パッド２１０のそれぞれの少なくとも一部を露出するソルダーレジスト層ＳＲを含む。すなわち、ソルダーレジスト層ＳＲは、第１基板１００及び第２基板２００のそれぞれの最外層の導体パターン層をカバーするように、第１基板１００及び第２基板２００にそれぞれ形成される。このとき、ソルダーレジスト層ＳＲには開口が形成されて、第１接続パッド１１０及び第２接続パッド２１０のそれぞれの少なくとも一部が露出される。少なくとも一部の露出された第１接続パッド１１０及び第２接続パッド２１０のそれぞれに、上述したガイドポスト５００及び接続ポスト４００を形成することができる。

ソルダーレジスト層ＳＲは、感光性樹脂を含むことができるが、これに限定されない。すなわち、ソルダーレジスト層ＳＲは、熱硬化性樹脂を含んでもよい。ソルダーレジスト層ＳＲが感光性樹脂を含む場合には、開口は、露光及び現像により形成することができる。ソルダーレジスト層ＳＲが熱硬化性樹脂を含む場合には、開口は、レーザードリリングにより形成することができる。

第１基板１００に含まれた絶縁層Ｉ１のモジュラスは、第２基板２００に含まれた絶縁層Ｉ２のモジュラスよりも低いことができる。

相対的に低いモジュラスの絶縁層Ｉ１で第１基板１００を形成する場合は、電子部品の膨脹及び収縮により、第１基板１００が膨脹及び収縮することがある。すなわち、第１基板１００に含まれた絶縁層Ｉ１により電子部品の膨脹及び収縮を緩衝できる。相対的に高いモジュラスの絶縁層Ｉ２により第２基板２００を形成する場合は、第２基板２００により電子部品の膨脹及び収縮を抑制できる。すなわち、第１基板１００は、電子部品の膨脹及び収縮を緩衝し、第２基板２００は、電子部品の膨脹及び収縮を抑制する。これにより、本実施例に係るプリント回路基板１０００は、反りの発生が低減する。

第１基板１００に含まれた絶縁層Ｉ１のモジュラスは、３０ＧＰａ以下であることが好ましい。第１基板１００に含まれた絶縁層Ｉ１のモジュラスは、最も好ましくは、１０ＧＰａ〜２０ＧＰａである。第２基板２００に含まれた絶縁層Ｉ２のモジュラスは、３０ＧＰａ以上であることが好ましい。第２基板２００に含まれた絶縁層Ｉ２のモジュラスは、最も好ましくは、４０ＧＰａ〜５５ＧＰａである。

表１を参照すると、実験４の場合に反りが最も小さく発生することが分かる。すなわち、第１基板１００に含まれた絶縁層Ｉ１のモジュラスが第２基板２００に含まれた絶縁層Ｉ２のモジュラスよりも低い場合に反りの発生が低減する。

＜プリント回路基板の製造方法＞
図２から図１８は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を順次示す図である。

具体的に、図２から図９は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板に用いられる第１基板の製造方法を順次示す図である。図１０から図１６は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板に用いられる第２基板の製造方法を順次示す図である。図１７及び図１８は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板に用いられる第１基板と第２基板とを接合する工程を示す図である。

（第１基板の製造方法）
図２から図９は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板に用いられる第１基板の製造方法を順次示す図である。

先ず、図２を参照すると、キャリアＣ上に第５導体パターン層Ｐ５を形成する。

キャリアＣは、コアレス工法を行うときに用いられる通常の副資材であることができる。キャリアＣは、支持板、支持板の両面に形成されたキャリア金属層、及びキャリア金属層に形成された極薄金属層を含む構造であってもよい。またはキャリアＣは、支持板、金属層、及び支持板と金属層との間に形成された離型層を含む構造であってもよい。

第５導体パターン層Ｐ５は、キャリアＣの極薄金属層上にめっきレジストを形成した後に、電解めっきにより形成することができる。その後、めっきレジストを剥離する。

次に、図３を参照すると、絶縁層Ｉ１と導体パターン層Ｐ１、Ｐ３を繰り返し形成する。

絶縁層Ｉ１は、半硬化状態の絶縁フィルムをラミネーションして形成することができる。本段階において用いられる絶縁層Ｉ１は、上述したように、第２基板２００の絶縁層Ｉ２よりも低いモジュラスを有することができる。

導体パターン層Ｐ１、Ｐ３は、上述した第５導体パターン層Ｐ５の形成方法により形成することができる。

一方、本段階では、隣接している導体パターン層Ｐ１、Ｐ３、Ｐ５を電気的に接続するために、絶縁層Ｉ１を貫通するビアが形成される。

ビアホールを絶縁層Ｉ１に形成する方法は、絶縁層Ｉ１に応じて異なり得る。すなわち、絶縁層Ｉ１が熱硬化性樹脂を含む場合は、ビアホールをレーザードリリングまたは機械的ドリリングにより形成することができる。または、絶縁層Ｉ１が感光性絶縁樹脂を含む場合は、ビアホールをフォトリソグラフィ工程を用いて形成することができる。

ビアは、電解めっきにより形成することができる。または、ビアは、導電性ペーストをビアホールに充填して形成することができる。

ビア及び導体パターン層Ｐ１、Ｐ３は、同じ工程または別途の工程により形成することができる。

図４を参照すると、キャリアＣを除去した後に、ソルダーレジスト層ＳＲを形成する。

キャリアＣがキャリア金属箔及び極薄金属箔を含む構造である場合は、キャリアＣは、キャリア金属箔と極薄金属箔との間の界面を分離することで除去できる。この場合は、図３に基づいて、最下部に形成された絶縁層Ｉ１の下面にキャリアＣの極薄金属箔が付着している状態となる。この極薄金属箔を除去するために、フラッシュエッチングまたはハーフエッチングを行うことができる。

ソルダーレジスト層ＳＲは、液状のソルダーレジスト形成用物質を塗布した後に硬化して形成するか、ソルダーレジスト形成用フィルムをラミネーションして形成することができる。

ソルダーレジスト層ＳＲには、第１接続パッド１１０の少なくとも一部を露出する第１開口０１、及び部品接続パッド１２０を露出する第２開口０２が形成される。第１開口０１及び第２開口０２は、フォトリソグラフィ工程により形成することができる。または、第１開口０１及び第２開口０２は、レーザードリリングにより形成することができる。

上述の工程を経て本発明の一実施例に係るプリント回路基板に用いられる第１基板１００を製造することができる。

一方、後述する工程は、第１基板１００に追加する工程である。このため、厳密に区別すると、後述する工程は第１基板１００の製造工程ではない。しかし、説明の便宜上後述する工程を第１基板１００の製造工程に含めて説明する。

図５及び図６を参照すると、部品接続パッド１２０が形成されている第１基板１００の一面にガイドポスト形成用めっきレジストＤＦを形成する。

ガイドポスト形成用めっきレジストＤＦは、ドライフィルムをラミネーションした後に、ガイドポスト５００が形成される領域を除去して形成することができる。すなわち、めっきレジストＤＦには、ガイドポスト５００が形成される領域に第３開口０３が形成される。

ラミネーションされたドライフィルムにおいてガイドポストが形成される領域は、フォトリソグラフィ工程により除去できる。

図６は、図５のＡ部分を拡大した平面図である。図６を参照すると、第３開口０３は、第１接続パッド１１０上に４つ形成されており、それぞれ第１接続パッド１１０を露出する。しかし、上述したように、ガイドポスト５００を２つ、３つまたは５つ以上形成することができ、この場合は、第３開口０３がそれぞれ２つ、３つまたは５つ以上ガイドポスト形成用めっきレジストＤＦに形成される。

図７及び図８を参照すると、第３開口０３にガイドポスト５００を形成する。

ガイドポスト５００は、導電性ペーストを用いたり、電解めっきを行ったりして、第３開口０３に形成することができる。

図８は、図７のＢ部分を拡大した平面図である。図６及び図８を参照すると、第３開口０３に対応する数のガイドポスト５００が形成される。

図９を参照すると、ガイドポスト形成用めっきレジストＤＦが除去される。

ガイドポスト形成用めっきレジストＤＦは、ドライフィルムの剥離溶液を用いて除去することができる。

上記の工程を順次形成することにより、第１基板１００にガイドポスト５００を形成することができる。

一方、図示されていないが、選択的に、ガイドポスト５００に上述の接合金属層６００を形成することができる。接合金属層６００は、電解めっきによりガイドポスト５００の外面に形成することができる。

（第２基板の製造方法）
図１０から図１６は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板に用いられる第２基板の製造方法を順次示す図である。

先ず、図１０を参照すると、キャリアＣ上に第２導体パターン層Ｐ２が形成される。

キャリアＣは、コアレス工法を行うときに用いられる通常の副資材であることができる。

キャリアＣは、支持板、支持板の両面に形成されたキャリア金属層、及びキャリア金属層に形成された極薄金属層を含む構造であってもよい。または、キャリアＣは、支持板、金属層、及び支持板と金属層との間に形成された離型層を含む構造であってもよい。

第２導体パターン層は、キャリアＣの極薄金属層上にめっきレジストを形成した後に、電解めっきにより形成することができる。その後にめっきレジストを剥離する。

次に、図１１を参照すると、絶縁層Ｉ２と導体パターン層Ｐ４、Ｐ６とを繰り返し形成する。

絶縁層Ｉ２は、半硬化状態の絶縁フィルムをラミネーションして形成することができる。本段階において用いられる絶縁層Ｉ２は、上述したように、第１基板１００の絶縁層Ｉ１よりも高いモジュラスを有することができる。

一方、本段階では、隣接している導体パターン層Ｐ２、Ｐ４、Ｐ６を電気的に接続するために、絶縁層Ｉ２を貫通するビアが形成される。

ビア及び導体パターン層Ｐ２、Ｐ４、Ｐ６は、上述した第１基板１００のビア及び導体パターン層Ｐ１、Ｐ３、Ｐ５の形成方法を用いて形成することができる。

図１２を参照すると、キャリアＣを除去した後に、ソルダーレジスト層ＳＲを形成する。

キャリアＣがキャリア金属箔及び極薄金属箔を含む構造である場合は、キャリア金属箔と極薄金属箔との間の界面を分離することによりキャリアＣを除去できる。この場合、図１１に基づいて、最下部に形成された絶縁層Ｉ２の下面にはキャリアＣの極薄金属箔が付着している状態となる。極薄金属箔を除去するために、フラッシュエッチングまたはハーフエッチングを行うことができる。

ソルダーレジスト層ＳＲは、液状のソルダーレジスト形成用物質を塗布した後に硬化して形成するか、ソルダーレジスト形成用フィルムをラミネーションして形成することができる。

ソルダーレジスト層ＳＲには、第２接続パッド２１０の少なくとも一部を露出する開口が形成される。開口は、フォトリソグラフィ工程により形成するか、レーザードリリングにより形成することができる。

上記の工程を経て、本発明の一実施例に係るプリント回路基板に用いられる第２基板２００を製造することができる。

一方、後述する工程は、第２基板２００に追加する工程である。このため、厳密に区別すると、後述する工程は、第２基板２００の製造工程ではない。しかし、説明の便宜上後述する工程を第２基板２００の製造工程に含めて説明する。

図１３を参照すると、第２接続パッド２１０が形成されている第２基板２００の一面に接続ポスト形成用めっきレジストＤＦを形成する。

接続ポスト形成用めっきレジストＤＦは、ドライフィルムをラミネーションした後に、接続ポスト４００の形成される領域を除去することで形成できる。

ラミネーションされたドライフィルムにおいて接続ポスト４００が形成される領域は、フォトリソグラフィ工程により除去することができる。

図１４を参照すると、接続ポスト４００を形成する。接続ポスト４００は、導電性ペーストを塗布するか、電解めっきを行うことで形成することができる。

図１５を参照すると、接続ポスト形成用めっきレジストＤＦを除去し、接合金属層６００を形成する。接続ポスト形成用めっきレジストＤＦは、ドライフィルムの剥離溶液を用いて除去することができる。接合金属層６００は、電解めっきを行い、露出した接続ポスト４００の外面に形成することができる。

図１６を参照すると、部品収容ホール３００を加工する。部品収容ホール３００は、ルーティング、機械的ドリリングまたはレーザードリリングにより第２基板２００に形成することができる。

（接合工程）
図１７及び図１８は、第１基板１００と第２基板２００とを接合することを示す図である。

図１７を参照すると、第１基板１００と第２基板２００とを位置合わせする。

第１基板１００と第２基板２００とは、第１導体パターン層Ｐ１と第２導体パターン層Ｐ２とが互いに対向するように配置される。これにより、第１接続パッド１１０と第２接続パッド２１０とが互いに向かい合うように配置される。

第１基板１００と第２基板２００とは、位置合わせマーク等を用いることにより位置合わせすることができる。一方、複数のガイドポスト５００は、接続ポスト４００を収容する収容空間５１０を形成する。このため、本段階において第１基板１００と第２基板２００との位置合わせに多少誤差が発生しても、接合工程においてガイドポスト５００が接続ポスト４００を収容空間５１０にガイドすることができる。

第１基板１００と第２基板２００とを接合する接合絶縁層７００が、第１基板１００に形成されることができる。

図１７及び図１８を参照すると、第１基板１００及び第２基板２００に熱と圧力を加えて両者を互いに接合する。このとき、熱可塑性の絶縁樹脂を含む接合絶縁層７００が一部溶融されて、第１基板１００と第２基板２００とを接合する。また、接合金属層６００が溶融されて流動するので、接続ポスト４００、ガイドポスト５００及び第１接続パッドが電気的に接続されることができる。

以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有するた者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更または削除等により本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。

１００ 第１基板
１１０ 第１接続パッド
１２０ 部品接続パッド
２００ 第２基板
３００ 部品収容ホール
４００ 接続ポスト
５００ ガイドポスト
５１０ 収容空間
６００ 接合金属層
７００ 接合絶縁層
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６ 導体パターン層
Ｉ１、Ｉ２ 絶縁層
Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３ 開口
ＳＲ ソルダーレジスト層
１０００ プリント回路基板

Claims (9)

1. 第１接続パッド及び部品接続パッドが形成された第１基板と、
   前記第１基板上に配置され、前記第１基板と対向する一面に第２接続パッドが形成された第２基板と、
   前記部品接続パッドが露出するように、前記第２基板を貫通する部品収容ホールと、
   前記第１基板と前記第２基板とを互いに接続するために、前記第１接続パッドと前記第２接続パッドとの間に形成される接続ポストと、
   第１接続パッドまたは第２接続パッドに形成され、複数形成され、相互離隔して前記接続ポストが収容される収容空間を形成するガイドポストと、
   前記ガイドポストと前記接続ポストとを接続するために、前記収容空間内に配置される接合金属層と、を含み、
   前記ガイドポストの外周面のうちの一部は前記接合金属層と接触し、残りは前記接合金属層と接触しないプリント回路基板。
2. 前記接合金属層の溶融点が、前記接続ポスト及び前記ガイドポストの溶融点よりも低い請求項１に記載のプリント回路基板。
3. 前記接合金属層は、錫（Ｓｎ）を含む請求項２に記載のプリント回路基板。
4. 前記ガイドポストをカバーし、前記第１基板と前記第２基板との間に介在される接合絶縁層をさらに含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
5. 前記接合絶縁層は、熱可塑性樹脂を含む請求項４に記載のプリント回路基板。
6. 前記接続ポストの高さが、前記ガイドポストの高さよりも高い請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
7. 前記第１基板及び前記第２基板のそれぞれは、
   第１接続パッド及び第２接続パッドのそれぞれの少なくとも一部を露出するソルダーレジスト層を含む請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
8. 前記第１基板及び前記第２基板のそれぞれは、絶縁層を含み、
   前記第１基板の絶縁層の弾性モジュラスが、前記第２基板の絶縁層の弾性モジュラスよりも低い請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
9. 第１接続パッド及び部品接続パッドを含む第１導体パターン層と、
   前記第１接続パッドの少なくとも一部を露出する第１開口及び前記部品接続パッドを露出する第２開口を含み、前記第１導体パターン層上に形成されるソルダーレジスト層と、
   前記ソルダーレジスト層上に形成される接合絶縁層と、
   前記接合絶縁層上に形成され、第２接続パッドを含む第２導体パターン層と、
   前記第１開口内に複数形成され、相互離隔して配置されて収容空間を形成するガイドポストと、
   前記第１接続パッドと前記第２接続パッドとを接続するために、前記収容空間内に収容され、前記接合絶縁層を貫通する接続ポストと、
   前記接続ポストと前記第１接続パッドとの間及び前記接続ポストと前記ガイドポストとの間の少なくとも一方に介在された接合金属層と、を含み、
   前記ガイドポストの外周面のうちの一部は前記接合金属層と接触し、残りは前記接合金属層と接触しないプリント回路基板。

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