JP6025595B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6025595B2 JP6025595B2 JP2013027303A JP2013027303A JP6025595B2 JP 6025595 B2 JP6025595 B2 JP 6025595B2 JP 2013027303 A JP2013027303 A JP 2013027303A JP 2013027303 A JP2013027303 A JP 2013027303A JP 6025595 B2 JP6025595 B2 JP 6025595B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor layer
- electrode
- semiconductor
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 204
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 188
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 89
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 63
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 43
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 40
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 9
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 34
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 229910007604 Zn—Sn—O Inorganic materials 0.000 description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 8
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- -1 oxygen ion Chemical class 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910018509 Al—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
まず、TFT基板の全体構成について説明する。図1は、TFT基板の全体構成を模式的に説明する平面図であり、LCD用のTFT基板を例にとって示している。
続いて、液晶表示装置の動作について説明する。TFT基板200と対向基板との間に教示されている液晶は、画素電極11と対向電極との間に生じる電界によって駆動される(配向方向が制御される)。液晶の配向方向が変化すると、それを通過する光の偏光状態が変化する。よって、偏光板を通過して直線偏光となったバックライトユニットからの光は、液晶表示パネルの液晶層を通過するときに偏光状態が変化する。具体的には、バックライトユニットからの光は、TFT基板200側の偏光板によって直線偏光になる。そして、この直線偏光が液晶層を通過することによって、その偏光状態が変化する。
次に、図2および図3を参照して、本実施の形態に係るTFT基板200のより詳細な構成について説明する。以下では、TFT基板200は透過型の液晶表示装置に用いられるものとして説明する。
本実施の形態に係るTFT基板200の製造方法について、図4〜図7を参照しつつ説明する。なお、図4〜図7においては、図3に示した要素に対応する要素には、それと同一符号を付してある。
以上説明したように、本実施の形態に係るTFT基板の製造方法においては、5回の写真製版工程で、半導体のチャネル層に酸化物半導体を用いた高移動度を有するTFT201を備えた、高性能なLCD用のTFT基板200を製造することができる。
図5の工程において、酸化物半導体の半導体膜12を形成した後に、基板1を熱処理してもよい。本実施の形態では、第1の半導体層12aとして非晶質構造のIn−Zn−Sn−O膜を用い、第2の半導体層12bとして非晶質構造のIn−Ga−Zn−O膜を用いた。前者のIn−Zn−Sn−O膜は、その組成比にもよるが、250℃から300℃の熱処理で結晶化する(結晶化温度が250℃から300℃近傍にある)。一方、後者のIn−Ga−Zn−O膜は、結晶化温度が500℃以上で前者よりも高い。
本実施の形態では、下層の第1の半導体層12aとしてIn−Zn−Sn−O系の酸化物半導体を用い、上層の第2の半導体層12bとしてIn−Ga−Zn−O系の酸化物半導体を用いたが、それぞれ当該材料に限られるものではない。
本発明に係るTFT基板は、液晶表示装置以外の表示装置に適用してもよい。例えば、有機EL(electroluminescence)ディスプレイ等の電気光学表示装置に適用することができる。さらに、本発明に係るTFTは、表示装置以外の半導体部品等に用いられる薄膜トランジスタや、アクティブマトリックス基板にも適用可能である。
Claims (3)
- (a)基板上に、第1の導電膜からなるゲート電極を形成する工程と、
(b)前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記ゲート絶縁膜上に、第1の半導体層およびその上の第2の半導体層を含む半導体膜を形成する工程と、
(d)前記半導体膜を覆うように第2の導電膜を成膜し、所定のエッチングプロセスにより、前記第2の導電膜を加工して前記半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成すると共に、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域に前記半導体膜を露出させる工程と、を備え、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは、互いに異なる材料で形成されており、
前記第1の半導体層は、少なくともSnを含む酸化物半導体であり、
前記第2の半導体層は、InおよびZnと、Al、Hf、Zr、Mg、Yのうち少なくとも1種以上の元素とを含む酸化物半導体であり、
前記工程(d)では、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域において、前記第2の導電膜が除去され、前記第1の半導体層が露出し、
前記エッチングプロセスに対する前記第2の半導体層のエッチング速さは、当該エッチングプロセスに対する前記第2の導電膜のエッチング速さよりも速い
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記第1の半導体層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極のエッチングプロセスに対して耐性を有する材料で形成されており、
前記第2の半導体層は、前記エッチングプロセスに対してエッチング性を有する材料で形成されている
請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記第2の導電膜は、Al、Mo、Cu、Agのいずれかを含む金属膜、またはこれらの2以上の金属層からなる積層膜で形成されており、
前記エッチングプロセスは、リン酸、硝酸、酢酸を含むPAN薬液を用いたウエットエッチング法である
請求項1または請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013027303A JP6025595B2 (ja) | 2013-02-15 | 2013-02-15 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013027303A JP6025595B2 (ja) | 2013-02-15 | 2013-02-15 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014157893A JP2014157893A (ja) | 2014-08-28 |
JP2014157893A5 JP2014157893A5 (ja) | 2014-11-20 |
JP6025595B2 true JP6025595B2 (ja) | 2016-11-16 |
Family
ID=51578606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013027303A Active JP6025595B2 (ja) | 2013-02-15 | 2013-02-15 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6025595B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160108944A (ko) * | 2015-03-09 | 2016-09-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
JP6747247B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2020-08-26 | 日立金属株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6429816B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2018-11-28 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置 |
WO2017168594A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示パネル及び薄膜トランジスタの製造方法 |
CN107104108B (zh) * | 2017-05-19 | 2020-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3798133B2 (ja) * | 1997-11-21 | 2006-07-19 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 薄膜トランジスタおよびこれを用いた液晶表示装置並びにtftアレイ基板の製造方法 |
KR100303446B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2002-10-04 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법 |
KR101325053B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
US20100295042A1 (en) * | 2008-01-23 | 2010-11-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Field-effect transistor, method for manufacturing field-effect transistor, display device using field-effect transistor, and semiconductor device |
JP5345349B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ |
WO2010047288A1 (en) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductordevice |
JP5690063B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2015-03-25 | 出光興産株式会社 | In−Ga−Zn系酸化物焼結体スパッタリングターゲット及び薄膜トランジスタ |
JP2012028481A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Fujifilm Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
US8936965B2 (en) * | 2010-11-26 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2012146956A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-08-02 | Canon Inc | チャネルエッチ型薄膜トランジスタとその製造方法 |
KR20130097809A (ko) * | 2010-12-28 | 2013-09-03 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 박막 트랜지스터의 반도체층용 산화물 및 스퍼터링 타깃, 및 박막 트랜지스터 |
JP2012178493A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP5766467B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置 |
-
2013
- 2013-02-15 JP JP2013027303A patent/JP6025595B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014157893A (ja) | 2014-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107636841B (zh) | 有源矩阵基板及其制造方法和使用有源矩阵基板的显示装置 | |
JP6124668B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 | |
JP5214858B2 (ja) | Tftアレイ基板及びその製造方法 | |
JP6437126B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 | |
KR20110124530A (ko) | 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 표시판 | |
US10128270B2 (en) | Active matrix substrate and manufacturing method of the same | |
JP6103854B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板 | |
US20180277661A1 (en) | Thin film transistor substrate, manufacturing method for thin film transistor substrate, and liquid crystal display | |
JP6025595B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP6501514B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 | |
US20200295053A1 (en) | Thin-film transistor substrate and method for manufacturing same | |
JP6482256B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置 | |
JP6120794B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 | |
JP6651050B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置、及び、薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
JP6689108B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 | |
JP6180200B2 (ja) | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 | |
JP2020043252A (ja) | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法並びに表示装置 | |
JP2020031107A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
JP6429816B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置 | |
JPWO2018189943A1 (ja) | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
JP6671155B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板 | |
US20200091196A1 (en) | Thin-film transistor substrate, method for manufacturing same, and liquid crystal display | |
JP2018082075A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置、及び、薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2016115907A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板並びに液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141002 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141002 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160819 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160913 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161011 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6025595 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |