JP5581058B2 - エチレンオキシド製造用触媒およびエチレンオキシドの製造方法 - Google Patents
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Description
担体を粉砕した後、0.85〜1.2mmの粒径に分級したもの約0.2gを正確に秤量した。秤量したサンプルを200℃にて少なくとも30分間脱気し、BET(Brunauer−Emmet−Teller)法により測定した。
蛍光X線分析法により測定した。
日本工業規格(JIS R 2205(1998年度))に記載の方法に準拠して、以下の手法により測定した。
シュウ酸銀14.6g、硝酸セシウム0.1444g、過レニウム酸アンモニウム0.0246gを約14mlの水に溶解し、さらにエチレンジアミン6.8mlを添加した。この溶液をα−アルミナ担体(比表面積1.5m2/g、シリカ含有量0.7質量%、吸水率41.7%)52gに含浸した後、空気気流中300℃で0.25時間、熱処理を施した。次いでさらに窒素気流中550℃で3時間、熱処理を施し、触媒Aを得た。触媒Aにおけるセシウムおよびレニウムの含有量は、触媒の質量基準でそれぞれ0.158質量%および0.025質量%であった。
シュウ酸銀14.6g、硝酸セシウム0.1313g、過レニウム酸アンモニウム0.0246gを約14mlの水に溶解し、さらにエチレンジアミン6.8mlを添加した。この溶液をα−アルミナ担体(比表面積1.5m2/g、シリカ含有量0.7質量%、吸水率41.7%)52gに含浸した後、空気気流中300℃で0.25時間、熱処理を施した。次いでさらに窒素気流中550℃で3時間、熱処理を施し、触媒Bを得た。触媒Bにおけるセシウムおよびレニウムの含有量は、触媒の質量基準でそれぞれ0.143質量%および0.025質量%であった。
シュウ酸銀14.6g、硝酸セシウム0.0844g、過レニウム酸アンモニウム0.0246gを約14mlの水に溶解し、さらにエチレンジアミン6.8mlを添加した。この溶液をα−アルミナ担体(比表面積1.5m2/g、シリカ含有量0.7質量%、吸水率41.7%)52gに含浸した後、空気気流中300℃で0.25時間、熱処理を施し、触媒Cを得た。触媒Cにおけるセシウムおよびレニウムの含有量は、触媒の質量基準でそれぞれ0.092質量%および0.025質量%であった。
シュウ酸銀14.6g、硝酸セシウム0.0938g、過レニウム酸アンモニウム0.0246gを約14mlの水に溶解し、さらにエチレンジアミン6.8mlを添加した。この溶液をα−アルミナ担体(比表面積1.5m2/g、シリカ含有量0.7質量%、吸水率41.7%)52gに含浸した後、空気気流中300℃で0.25時間、熱処理を施した。次いでさらに窒素気流中550℃で3時間、熱処理を施し、触媒Dを得た。触媒Dにおけるセシウムおよびレニウムの含有量は、触媒の質量基準でそれぞれ0.102質量%および0.025質量%であった。
シュウ酸銀14.6g、硝酸セシウム0.1876g、過レニウム酸アンモニウム0.0315gを約14mlの水に溶解し、さらにエチレンジアミン6.8mlを添加した。この溶液をα−アルミナ担体(比表面積1.5m2/g、シリカ含有量0.7質量%、吸水率41.7%)52gに含浸した後、空気気流中300℃で0.25時間、熱処理を施した。次いでさらに窒素気流中550℃で3時間、熱処理を施し、触媒Eを得た。触媒Eにおけるセシウムおよびレニウムの含有量は、触媒の質量基準でそれぞれ0.205質量%および0.032質量%であった。
上記の実施例1〜3並びに比較例1および2で得た触媒A〜Eについて、以下に説明するTPD法を用いて、脱離ピーク温度を測定した。
各実施例および各比較例において得られた触媒について、以下の手法により加速試験を行い、触媒の耐久性を評価した。
Claims (7)
- α−アルミナを主成分とする担体と、
前記担体に担持されてなる、銀ならびにアルカリ金属およびレニウムを含む触媒成分と、
を含むエチレンオキシド製造用触媒であって、
(1)酸素昇温脱離法(O2−TPD法)により150〜250℃の温度領域に観測される第1脱離ピーク温度(T1[℃])が215℃未満であり;
(2)酸素昇温脱離法(O2−TPD法)により250〜400℃の温度領域に観測される第2脱離ピーク温度(T2[℃])の前記T1に対する比(T2/T1)が1.7未満である;
ことを特徴とする、エチレンオキシド製造用触媒。 - α−アルミナを主成分とする担体と、
前記担体に担持されてなる、銀ならびにアルカリ金属およびレニウムを含む触媒成分と、
を含むエチレンオキシド製造用触媒であって、
銀ならびにアルカリ金属およびレニウムを含む触媒成分を担体に担持し、乾燥した後、2段階以上焼成を行うことにより得られ、
(1)酸素昇温脱離法(O2−TPD法)により150〜250℃の温度領域に観測される第1脱離ピーク温度(T1[℃])が215℃未満であり;
(2)酸素昇温脱離法(O2−TPD法)により250〜400℃の温度領域に観測される第2脱離ピーク温度(T2[℃])の前記T1に対する比(T2/T1)が1.7未満である;
ことを特徴とする、エチレンオキシド製造用触媒。 - 前記焼成が、空気雰囲気中、次いで不活性ガス雰囲気中で行われる、請求項2に記載のエチレンオキシド製造用触媒。
- 前記T2が290〜360℃である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のエチレンオキシド製造用触媒。
- 前記T1が180℃以上210℃未満である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のエチレンオキシド製造用触媒。
- 前記T2の前記T1に対する比(T2/T1)が1.65未満である、請求項1〜5のいずれか1項に記載のエチレンオキシド製造用触媒。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のエチレンオキシド製造用触媒の存在下で、エチレンを分子状酸素含有ガスにより気相酸化する段階を有する、エチレンオキシドの製造方法。
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