JP5334617B2 - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板の製造方法に関する。
フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板は、ベース絶縁層およびその上に形成される導体パターンを有している。かかる配線回路基板の製造では、ベース絶縁層の上に導体パターンを形成し、その後、導体パターンの形状の良否を光学的に検査することが知られている。
例えば、図５が参照されるように、ベース絶縁層４２およびその上に形成された導体パターン４１を備える配線回路基板４０を、金属製の支持台４４の上面に載置し、その後、上側から配線回路基板４０に光を照射して、配線回路基板４０で反射する反射光によって、導体パターン４１を検査することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
例えば、図５が参照されるように、ベース絶縁層４２およびその上に形成された導体パターン４１を備える配線回路基板４０を、金属製の支持台４４の上面に載置し、その後、上側から配線回路基板４０に光を照射して、配線回路基板４０で反射する反射光によって、導体パターン４１を検査することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
具体的には、反射光として、光が導体パターン４１で反射したパターン反射光５１や、光が導体パターン４１から露出するベース絶縁層４２を介して支持台４４で反射した台反射光５２を、ＣＣＤカメラにより検知している。
そして、特許文献１における導体パターン４１の検査では、パターン反射光５１と台反射光５２との光量の差、つまり、それらの間のコントラスト（明暗差）を利用して、導体パターン４１の形状を認識し、導体パターン４１の形状の良否を判定している。
そして、特許文献１における導体パターン４１の検査では、パターン反射光５１と台反射光５２との光量の差、つまり、それらの間のコントラスト（明暗差）を利用して、導体パターン４１の形状を認識し、導体パターン４１の形状の良否を判定している。
また、特許文献１では、パターン反射光５１と台反射光５２との間のコントラストが低い場合には、導体パターン４１の形状の認識が困難となる不具合があり、かかる不具合を解消すべく、台反射光５２の反射率を１０％以下に低減することにより、パターン反射光５１と台反射光５２との間の高いコントラストを確保することが提案されている。
一方、従来より、配線回路基板の製造において、導体パターンの上に存在する異物を検査することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
一方、従来より、配線回路基板の製造において、導体パターンの上に存在する異物を検査することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
具体的には、図５の実線が参照されるように、異物４６がゴムなどの樹脂材料からなる場合には、光が異物４６で反射した異物反射光５３の反射率は低く、そのため、異物反射光５３とパターン反射光５１との間の高いコントラストを確保して、導体パターン４１の上に存在する異物４６を検査している。
しかし、図５の仮想線が参照されるように、異物４６が、導体パターン４１から露出するベース絶縁層４２の上に存在するときには、異物反射光５３および台反射光５２の反射率がともに低いため、それらの間のコントラストが低くなる。そのため、導体パターン４１から露出するベース絶縁層４２の上に存在する異物４６を検査することが困難となる。
本発明の目的は、導体パターンの検査と、導体パターンから露出する絶縁層の上に存在する異物の検査とを、容易かつ同時に、実施することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
本発明の目的は、導体パターンの検査と、導体パターンから露出する絶縁層の上に存在する異物の検査とを、容易かつ同時に、実施することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成される導体パターンとを備える配線回路基板を用意する工程、前記配線回路基板を、支持台の上に配置する工程、および、光を、前記配線回路基板の上側から前記配線回路基板に向けて照射することにより、前記光が前記導体パターンで反射したパターン反射光と、前記光が前記導体パターンから露出する前記絶縁層を介して前記支持台で反射した台反射光と、前記光が前記導体パターンから露出する前記絶縁層の上に存在する異物で反射した異物反射光とを検知して、それらの間のコントラストによって、前記導体パターンおよび前記異物を検査する工程を備え、前記導体パターンおよび前記異物を検査する工程において、前記台反射光の反射率が３０〜７０％であり、前記異物反射光の反射率が１０％以下であることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記パターン反射光の反射率は、前記台反射光の反射率に対して、２０％以上高いことが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記光の波長が、５００ｎｍ以上であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記光の波長が、５００ｎｍ以上であることが好適である。
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、導体パターンおよび異物を検査する工程において、台反射光の反射率は３０〜７０％であり、異物反射光の反射率は１０％以下である。
そのため、パターン反射光と台反射光との間のコントラスト、および、台反射光と異物反射光との間のコントラストを、バランスよく、ともに高く設定することができる。
そのため、パターン反射光と台反射光との間のコントラスト、および、台反射光と異物反射光との間のコントラストを、バランスよく、ともに高く設定することができる。
そのため、導体パターンの検査と、導体パターンから露出する絶縁層の上に存在する異物の検査とを、容易かつ同時に、実施することができる。
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態の幅方向（長手方向に直交する方向）に沿う断面図、図２は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態の工程図、図３は、図２の実施形態を実施するための搬送装置の概略構成図、図４は、後述する検査工程を実施するための検査装置の概略構成図である。
図１において、この配線回路基板１は、長手方向に延びる平帯シート形状に形成されるフレキシブル配線回路基板であって、絶縁層としてのベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の上に形成される導体パターン３とを備えている。また、配線回路基板１は、必要により、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を被覆するように形成されるカバー絶縁層５を備えている。
図１において、この配線回路基板１は、長手方向に延びる平帯シート形状に形成されるフレキシブル配線回路基板であって、絶縁層としてのベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の上に形成される導体パターン３とを備えている。また、配線回路基板１は、必要により、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を被覆するように形成されるカバー絶縁層５を備えている。
ベース絶縁層２を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。好ましくは、耐熱性や光に対する透過特性などの観点から、ポリイミドが用いられる。
また、上記した絶縁材料には、必要により、顔料などが配合されている。顔料は、後述する検査工程における台反射光８の反射率Ｒ２を調整するために適宜の割合で配合される。
また、上記した絶縁材料には、必要により、顔料などが配合されている。顔料は、後述する検査工程における台反射光８の反射率Ｒ２を調整するために適宜の割合で配合される。
ベース絶縁層２は、長手方向に延びる配線回路基板１の外形形状に対応して、平帯シート形状に形成されている。
ベース絶縁層２は、波長が５００ｎｍ以上の光（好ましくは、５００〜１５００ｎｍの光、さらに好ましくは、５００〜１０００ｎｍの光）に対する光透過率Ｔが、例えば、６０％以上、好ましくは、７０％以上、さらに好ましくは、８０％以上であり、通常、１００％以下である。
ベース絶縁層２は、波長が５００ｎｍ以上の光（好ましくは、５００〜１５００ｎｍの光、さらに好ましくは、５００〜１０００ｎｍの光）に対する光透過率Ｔが、例えば、６０％以上、好ましくは、７０％以上、さらに好ましくは、８０％以上であり、通常、１００％以下である。
また、ベース絶縁層２の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍである。
導体パターン３を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料が用いられる。好ましくは、電気抵抗や、光に対する反射特性の観点から、銅が用いられる。
導体パターン３を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料が用いられる。好ましくは、電気抵抗や、光に対する反射特性の観点から、銅が用いられる。
導体パターン３は、長手方向に沿って延び、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置される配線６と、各配線６の長手方向両端部に配置される図示しない端子部とを一体的に備えている。また、各配線６は、カバー絶縁層５に被覆される一方で、図示しない各端子部は、カバー絶縁層５から露出している。また、導体パターン３は、断面（幅方向断面）視略矩形状に形成されている。
導体パターン３の厚みは、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、各配線６および各端子部の幅（幅方向長さ）は、同一または相異なっていてもよく、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１５〜２００μｍであり、各配線６間の間隔（幅方向における間隔）および各端子部間の間隔は、同一または相異なっていてもよく、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、５〜１００μｍである。
カバー絶縁層５は、配線６を被覆してこれを電気的に封止する。カバー絶縁層５を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層２を形成する絶縁材料と同様の絶縁材料が用いられる。
カバー絶縁層５は、ベース絶縁層２の表面に、配線６を被覆し、かつ、端子部を露出するパターンで形成されている。カバー絶縁層５の厚みは、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１４〜２０μｍである。
カバー絶縁層５は、ベース絶縁層２の表面に、配線６を被覆し、かつ、端子部を露出するパターンで形成されている。カバー絶縁層５の厚みは、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１４〜２０μｍである。
次に、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態について、図２〜図４を参照して、説明する。
この方法では、図３に示すように、配線回路基板１の製造における各工程（図２（ａ）〜（ｄ）。）を、例えば、搬送装置１３を用いるロール・トゥ・ロール法により実施する。搬送装置１３は、例えば、互いに間隔を隔てて配置される巻出ロール１６および巻取ロール１７を備えている。
この方法では、図３に示すように、配線回路基板１の製造における各工程（図２（ａ）〜（ｄ）。）を、例えば、搬送装置１３を用いるロール・トゥ・ロール法により実施する。搬送装置１３は、例えば、互いに間隔を隔てて配置される巻出ロール１６および巻取ロール１７を備えている。
ロール・トゥ・ロール法では、例えば、各工程ごとに、巻出ロール１６にロール状に巻回された長尺状のベース絶縁層２を、巻取ロール１７に向けて巻き出し、巻取ロール１７で巻き取るようにロール搬送しており、このロール搬送の途中において、図２に示す各工程を順次実施している。
まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、ベース絶縁層２を、巻出ロール１６に巻回されたシートして用意する。
まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、ベース絶縁層２を、巻出ロール１６に巻回されたシートして用意する。
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、導体パターン３を、ベース絶縁層２の上に、配線６および端子部を有する配線回路パターンで形成する。導体パターン３は、例えば、サブトラクティブ法やアディティブ法などの公知のパターンニング法によって形成する。
これにより、ベース絶縁層２と、その上に形成された導体パターン３とを備える、配線回路基板１（検査工程前の配線回路基板１）を用意する。
これにより、ベース絶縁層２と、その上に形成された導体パターン３とを備える、配線回路基板１（検査工程前の配線回路基板１）を用意する。
その後、図２（ｃ）および（ｃ’）に示すように、配線回路基板１を、支持台４（後述）の上に配置し、次いで、導体パターン３と異物１１とを検査する（検査工程）。検査工程では、図４に示す検査装置１２が用いられる。
検査装置１２は、巻出ロール１６および巻取ロール１７の間に配置されている。検査装置１２は、巻出ロール１６および巻取ロール１７間に搬送される配線回路基板１の厚み方向上側に配置される発光部１４および受光部１５と、それらと厚み方向下側に対向配置される支持台４とを備えている。
検査装置１２は、巻出ロール１６および巻取ロール１７の間に配置されている。検査装置１２は、巻出ロール１６および巻取ロール１７間に搬送される配線回路基板１の厚み方向上側に配置される発光部１４および受光部１５と、それらと厚み方向下側に対向配置される支持台４とを備えている。
発光部１４は、搬送方向に間隔を隔てて対向配置されている。各発光部１４は、配線回路基板１に対向する下面が、光１０が発光される発光面となり、各発光面から発光される光１０が各発光部１４の中間において配線回路基板１に集光されるように、その集光部分（配線回路基板１の幅方向に沿う集光ライン）を中心として傾斜する線対称で配置されている。
具体的には、各発光部１４は、例えば、波長が５００ｎｍ以上の光（好ましくは、５００〜１５００ｎｍの光、さらに好ましくは、５００〜１０００ｎｍの光）１０を発光できるランプであって、好ましくは、光源として、上記波長を含む、光の波長を照射可能な近赤外ＬＥＤ（発光ダイオード）が用いられる。
光１０の波長が上記した範囲内にあると、検査工程において、ベース絶縁層２の高い光透過率を確保することができ、台反射光８の反射率Ｒ２（後述）を所望の範囲内に設定することができる。そのため、パターン反射光７と台反射光８との間のコントラスト（後述）、および、台反射光８と異物反射光９との間のコントラスト（後述）を、より一層バランスよく設定することができる。
光１０の波長が上記した範囲内にあると、検査工程において、ベース絶縁層２の高い光透過率を確保することができ、台反射光８の反射率Ｒ２（後述）を所望の範囲内に設定することができる。そのため、パターン反射光７と台反射光８との間のコントラスト（後述）、および、台反射光８と異物反射光９との間のコントラスト（後述）を、より一層バランスよく設定することができる。
受光部１５は、厚み方向において配線回路基板１の上側に間隔を隔てて配置され、搬送方向において各発光部１４間に配置されている。また、受光部１５は、その下面が、光１０が配線回路基板１および支持台４で反射される反射光（後述）７、８および９が受光される受光面となり、その受光面が、発光部１４より上方において、集光部分の上側に対向配置されている。
具体的には、受光部１５は、例えば、近赤外線カメラ、ＣＣＤカメラなどからなり、好ましくは、汎用性の観点から、ＣＣＤカメラ、より具体的には、配線回路基板１における搬送方向に直交するライン（集光ライン）を読み取り可能なＣＣＤラインスキャンカメラからなる。
支持台４は、略平板形状をなし、その上面（表面）は、平滑面に形成されている。また、支持台４を形成する材料としては、後述する台反射光８の反射率Ｒ２を所望の範囲内に設定するべく、例えば、ステンレス（具体的には、ＳＵＳ３０４など）、アルミニウムなどの金属材料、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素系樹脂材料などが用いられる。また、支持台４の上面には、必要により、金属膜が形成されている。
支持台４は、略平板形状をなし、その上面（表面）は、平滑面に形成されている。また、支持台４を形成する材料としては、後述する台反射光８の反射率Ｒ２を所望の範囲内に設定するべく、例えば、ステンレス（具体的には、ＳＵＳ３０４など）、アルミニウムなどの金属材料、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素系樹脂材料などが用いられる。また、支持台４の上面には、必要により、金属膜が形成されている。
金属膜を形成する材料としては、例えば、上記した支持台４を形成する金属材料と同様の金属材料が用いられる。金属膜を形成する材料と、支持台４を形成する金属材料とは、通常、異なる種類の材料で組み合わされる。金属膜の厚みは、例えば、０．１〜１００μｍである。
支持台４は、搬送される配線回路基板１の下側に配置される。支持台４は、その上面が配線回路基板１の下面と摺動自在に接触しており、これにより、配線回路基板１を支持している。また、支持台４には、図示しないが、厚み方向を貫通する貫通孔が形成されており、この貫通孔の下端には、コンプレッサが接続されている。
支持台４は、搬送される配線回路基板１の下側に配置される。支持台４は、その上面が配線回路基板１の下面と摺動自在に接触しており、これにより、配線回路基板１を支持している。また、支持台４には、図示しないが、厚み方向を貫通する貫通孔が形成されており、この貫通孔の下端には、コンプレッサが接続されている。
なお、この検査装置１２では、発光部１４から照射される照射光１０と、受光部１５に受光される反射光とのなす角度θが、例えば、０〜９０度、好ましくは、０〜４５度に設定されている。また、発光部１４の発光面および配線回路基板１の集光部分間の長さが、例えば、５〜３００ｍｍ、好ましくは、１０〜１００ｍｍに設定されている。また、配線回路基板１の集光部分および受光部１５の受光面間の長さが、例えば、２０〜３００ｍｍに設定されている。
そして、巻出ロール１６に巻回されている配線回路基板１を、ベース絶縁層２の下面が支持台４の上面と接触するように、巻取ロール１７に向けて巻き出すことにより、配線回路基板１を支持台４の上に配置する。
その後、巻出ロール１６の巻き出しおよび巻取ロール１７の巻き取りを中断して、次いで、コンプレッサを作動して、空気を貫通孔を介して吸引することにより、配線回路基板１を支持台４の上に固定する（吸着させる）。
その後、巻出ロール１６の巻き出しおよび巻取ロール１７の巻き取りを中断して、次いで、コンプレッサを作動して、空気を貫通孔を介して吸引することにより、配線回路基板１を支持台４の上に固定する（吸着させる）。
その後、検査装置１２により配線回路基板１における導体パターン３と異物１１とを同時に検査する。
この検査工程では、上記した波長の光（照射光）１０を、配線回路基板１の上側から配線回路基板１に照射する。具体的には、上記した波長の光１０を、発光部１４から配線回路基板１に向けて照射する。
この検査工程では、上記した波長の光（照射光）１０を、配線回路基板１の上側から配線回路基板１に照射する。具体的には、上記した波長の光１０を、発光部１４から配線回路基板１に向けて照射する。
上記した光１０の照射により、図２（ｃ）および図２（ｃ’）が参照されるように、上記した照射光１０が導体パターン３の表面で反射したパターン反射光７と、上記した照射光１０が導体パターン３から露出するベース絶縁層２（導体パターン３間のベース絶縁層２）を介して支持台４で反射した台反射光８と、上記した照射光１０が異物１１で反射した異物反射光９（後述）とを、受光部１５によって検知する。
パターン反射光７の反射率Ｒ１は、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、さらに好ましくは、９０％以上であり、通常、１００％以下である。
パターン反射光７の反射率Ｒ１は、発光部１４から照射される照射光１０の光量を１００％としたときの、受光部１５で検知されるパターン反射光７の光量の比率（＝（パターン反射光７の光量）／（照射光１０の光量）×１００）として求められる。
パターン反射光７の反射率Ｒ１は、発光部１４から照射される照射光１０の光量を１００％としたときの、受光部１５で検知されるパターン反射光７の光量の比率（＝（パターン反射光７の光量）／（照射光１０の光量）×１００）として求められる。
また、台反射光８は、照射光１０が、ベース絶縁層２の上面から入射してベース絶縁層２内を下方に向かって通過して、次いで、支持台４の上面において反射され、その後、ベース絶縁層２内を上方に向かって再度通過して、次いで、ベース絶縁層２の上面から出射した光を主成分として含んでいる。また、台反射光８は、照射光１０が、ベース絶縁層２の上面において反射した光（図示せず）を副成分として含んでいる。
このような台反射光８の反射率Ｒ２は、３０〜７０％、好ましくは、３０〜６０％、さらに好ましくは、３０〜５０％である。
台反射光８の反射率Ｒ２は、発光部１４から照射される照射光１０の光量を１００％としたときの、受光部１５で検知される台反射光８の光量の比率（＝（台反射光８の光量）／（照射光１０の光量）×１００）として求められる。
台反射光８の反射率Ｒ２は、発光部１４から照射される照射光１０の光量を１００％としたときの、受光部１５で検知される台反射光８の光量の比率（＝（台反射光８の光量）／（照射光１０の光量）×１００）として求められる。
異物反射光９の反射率Ｒ３は、後述する異物１１を形成する材料によって決定され、例えば、１０％以下、好ましくは、５％以下、さらに好ましくは、１％以下であり、通常、０．２％以上である。
異物反射光９の反射率Ｒ３は、発光部１４から照射される照射光１０の光量を１００％としたときの、受光部１５で検知される異物反射光９の光量の比率（＝（異物反射光９の光量）／（照射光１０の光量）×１００）として求められる。
異物反射光９の反射率Ｒ３は、発光部１４から照射される照射光１０の光量を１００％としたときの、受光部１５で検知される異物反射光９の光量の比率（＝（異物反射光９の光量）／（照射光１０の光量）×１００）として求められる。
異物１１は、図２（ｃ’）に示すように、不良品として判定される配線回路基板１において、導体パターン３から露出するベース絶縁層２の上に存在している。具体的には、異物１１は、導体パターン３（幅方向に隣接する各配線６）の間や、導体パターン３（幅方向最外側の配線６）の幅方向外側に存在している。
異物１１の形状は、特に限定されず、また、異物１１を形成する材料としては、上記した反射率Ｒ３を満足させる材料であれば、特に限定されず、例えば、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、カーボンファイバー、黒鉛（グラファイト）などの炭素系無機材料（金属材料を除く導電性無機材料）、例えば、ゴム、接着剤などの有機材料（樹脂材料）などが挙げられる。
異物１１の形状は、特に限定されず、また、異物１１を形成する材料としては、上記した反射率Ｒ３を満足させる材料であれば、特に限定されず、例えば、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、カーボンファイバー、黒鉛（グラファイト）などの炭素系無機材料（金属材料を除く導電性無機材料）、例えば、ゴム、接着剤などの有機材料（樹脂材料）などが挙げられる。
とりわけ、導体パターン３の性能（電気信号伝達性能）を損なわせる材料から形成される異物１１が含まれている場合には、配線回路基板１は確実に不良品であると判定して、その配線回路基板１を除去するかまたはマーク（不良品であることを示す印を付与）する必要がある。そのため、検知すべき異物１１を形成する材料としては、とりわけ、導電性無機材料（金属材料を除く）が挙げられる。
そして、検知した反射光（パターン反射光７、台反射光８および異物反射光９）の光量の間のコントラスト（光量の差）によって、導体パターン３および異物１１を同時に検査する。
すなわち、受光部１５によって検知した反射光（パターン反射光７、台反射光８および異物反射光９）の光量を、受光部１５に接続されるＣＰＵ（図示せず）などによってデータ処理して、画像処理図（配線回路基板１の平面視における画像処理図。図６〜図８参照。）を形成し、形成した画像処理図において、導体パターン３、ベース絶縁層２および異物１１を現すことにより、導体パターン３および異物１１を検査する。
すなわち、受光部１５によって検知した反射光（パターン反射光７、台反射光８および異物反射光９）の光量を、受光部１５に接続されるＣＰＵ（図示せず）などによってデータ処理して、画像処理図（配線回路基板１の平面視における画像処理図。図６〜図８参照。）を形成し、形成した画像処理図において、導体パターン３、ベース絶縁層２および異物１１を現すことにより、導体パターン３および異物１１を検査する。
詳しくは、導体パターン３は、図２（ｃ）、図２（ｃ’）、図６〜図８が参照されるように、パターン反射光７および台反射光８の間のコントラストにより検査する。
導体パターン３の検査では、パターン反射光７および台反射光８の間のコントラストによって、導体パターン３のパターンデータを取得して、ＣＰＵにより、画像処理図を形成し、かかる画像処理図から導体パターン３のパターン形状を正しく認識し、配線６や端子部の欠陥や、配線６間や端子部間の短絡などを正確に判定する。
導体パターン３の検査では、パターン反射光７および台反射光８の間のコントラストによって、導体パターン３のパターンデータを取得して、ＣＰＵにより、画像処理図を形成し、かかる画像処理図から導体パターン３のパターン形状を正しく認識し、配線６や端子部の欠陥や、配線６間や端子部間の短絡などを正確に判定する。
パターン反射光７および台反射光８の間のコントラストは、それらの反射率の差Ｄ１、より具体的には、パターン反射光７の反射率Ｒ１から台反射光８の反射率Ｒ２を減じた値Ｄ１（＝Ｒ１−Ｒ２）で、例えば、２０％以上、好ましくは、３０％以上であり、通常、７０％以下である。換言すれば、パターン反射光７の反射率Ｒ１は、台反射光８の反射率Ｒ２に対して、例えば、２０％以上、好ましくは、３０％以上高い。
パターン反射光７および台反射光８の間のコントラストが上記した範囲内にあると、導体パターン３の形状の良否をより一層正確に判定することができる。
そして、上記した導体パターン３の検査では、図２（ｃ’）に示すように、パターン反射光７および台反射光８の間のコントラストから得られたパターンデータを、導体パターン３のパターンデータに存在しないパターンデータとして取得した場合には、導体パターン３の形状が不良である（配線６が短絡している）と判定する。一方、図２（ｃ）に示すように、パターン反射光７および台反射光８の間のコントラストから得られたパターンデータと、本来の導体パターン３のパターンデータとに相違がない場合には、導体パターン３の形状が正常であると判定する。
そして、上記した導体パターン３の検査では、図２（ｃ’）に示すように、パターン反射光７および台反射光８の間のコントラストから得られたパターンデータを、導体パターン３のパターンデータに存在しないパターンデータとして取得した場合には、導体パターン３の形状が不良である（配線６が短絡している）と判定する。一方、図２（ｃ）に示すように、パターン反射光７および台反射光８の間のコントラストから得られたパターンデータと、本来の導体パターン３のパターンデータとに相違がない場合には、導体パターン３の形状が正常であると判定する。
異物１１は、図２（ｃ’）、図６〜図８が参照されるように、台反射光８と異物反射光９との間のコントラストにより検査する。
異物１１の検査では、台反射光８と異物反射光９との間のコントラストによって、導体パターン３から露出するベース絶縁層２のパターンデータを取得して、ＣＰＵにより、画像処理図を形成し、かかる画像処理図から、導体パターン３から露出するベース絶縁層２のパターン形状を正しく認識し、異物１１の存在の有無を正確に判定する。
異物１１の検査では、台反射光８と異物反射光９との間のコントラストによって、導体パターン３から露出するベース絶縁層２のパターンデータを取得して、ＣＰＵにより、画像処理図を形成し、かかる画像処理図から、導体パターン３から露出するベース絶縁層２のパターン形状を正しく認識し、異物１１の存在の有無を正確に判定する。
台反射光８と異物反射光９との間のコントラストは、それらの反射率の差Ｄ２、より具体的には、台反射光８の反射率Ｒ２から異物反射光９の反射率Ｒ３を減じたときの値Ｄ２（＝Ｒ２−Ｒ３）で、例えば、２０％以上、好ましくは、３０％以上であり、通常、７０％以下である。換言すれば、台反射光８の反射率Ｒ２は、異物反射光９の反射率Ｒ３に対して、例えば、２０％以上、好ましくは、３０％以上高い。
そして、上記した異物１１の検査では、図２（ｃ’）に示すように、台反射光８と異物反射光９との間のコントラストから得られたパターンデータを、導体パターン３から露出するベース絶縁層２のパターンデータには存在しないパターンデータとして取得した場合には、異物１１が導体パターン３から露出するベース絶縁層２の上に存在すると判定する。一方、図２（ｃ）に示すように、台反射光８と異物反射光９との間のコントラストから得られたパターンデータと、本来の、導体パターン３から露出するベース絶縁層２のパターンデータとに相違がない場合には、異物１１が導体パターン３から露出するベース絶縁層２に存在しないと判定する。
なお、上記波長の光１０を用いる検査は、通常、常温（２５℃）で実施されており、検査後における配線回路基板１の表面（ベース絶縁層２および導体パターン３の表面）の温度は、例えば、常温あるいは３０℃以下であり、好ましくは、２５℃以下である。つまり、導体パターン３および異物１１の検査の前後における温度上昇の範囲は、例えば、５℃以下である。
その後、この方法では、コンプレッサによる吸引を解除して、配線回路基板１の支持台４への固定を解除し、その後、搬送装置１３による配線回路基板１の搬送を再開させる。これにより、検査工程後の配線回路基板１を巻取ロール１７で巻き取るとともに、検査工程前の配線回路基板１を、順次、巻出ロール１６から新たに巻き出して、支持台４の上に配置および固定する。その後、上記と同様の検査工程を実施する。検査装置１２では、このような検査工程が繰り返される。
その後、この方法では、図２（ｄ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を被覆するように、上記したパターンで形成する。
カバー絶縁層５を形成するには、例えば、樹脂溶液の塗布、あるいは、樹脂シートの貼着などの公知の方法により形成される。
樹脂溶液の塗布では、例えば、まず、上記した合成樹脂の溶液と、感光剤とを含有する、感光性の樹脂溶液（ワニス）を調製する。感光性のワニスを、導体パターン３を含むベース絶縁層２の上面全面に塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、フォトマスクを介して、露光後、現像して、パターンに加工して、必要により、加熱して硬化させる。
カバー絶縁層５を形成するには、例えば、樹脂溶液の塗布、あるいは、樹脂シートの貼着などの公知の方法により形成される。
樹脂溶液の塗布では、例えば、まず、上記した合成樹脂の溶液と、感光剤とを含有する、感光性の樹脂溶液（ワニス）を調製する。感光性のワニスを、導体パターン３を含むベース絶縁層２の上面全面に塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、フォトマスクを介して、露光後、現像して、パターンに加工して、必要により、加熱して硬化させる。
樹脂シートの貼着では、上記したパターンに予め形成した絶縁材料（必要により顔料を含む）のシートを、公知の接着剤を介して、ベース絶縁層２および導体パターン３の上に積層する。
その後、巻取ロール１７により巻き取られ、不良品として判定された配線回路基板１を、長尺状のベース絶縁層２から切り離して除去しまたはマークする一方、良品として判定された配線回路基板１を製造する。
その後、巻取ロール１７により巻き取られ、不良品として判定された配線回路基板１を、長尺状のベース絶縁層２から切り離して除去しまたはマークする一方、良品として判定された配線回路基板１を製造する。
そして、この方法によれば、導体パターン３および異物１１の検査工程において、台反射光８の反射率Ｒ２は３０〜７０％であり、異物反射光９の反射率Ｒ３は１０％以下である。
そのため、パターン反射光７と台反射光８との間のコントラスト、および、台反射光８と異物反射光９との間のコントラストを、バランスよく、ともに高く設定することができる。
そのため、パターン反射光７と台反射光８との間のコントラスト、および、台反射光８と異物反射光９との間のコントラストを、バランスよく、ともに高く設定することができる。
その結果、導体パターン３の検査と、導体パターン３から露出するベース絶縁層２の上に存在する異物１１の検査とを、容易かつ同時に、実施することができる。
なお、上記した説明では、本発明の配線回路基板の製造方法として、ロール・トゥ・ロール法を例示したが、これに限定されず、例えば、図示しないが、枚葉法などを用いることができる。
なお、上記した説明では、本発明の配線回路基板の製造方法として、ロール・トゥ・ロール法を例示したが、これに限定されず、例えば、図示しないが、枚葉法などを用いることができる。
また、上記した説明では、本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板として、ベース絶縁層２が金属支持層などに支持されていないフレキシブル配線回路基板を例示したが、例えば、図示しないが、ベース絶縁層２の周端部の下面が金属支持層により支持され、金属支持層が補強層として設けられたフレキシブル配線回路基板や、ＣＯＦ基板（ＴＡＢテープキャリアなどを含む）、回路付サスペンション基板などの各種配線回路基板の製造にも広く適用することができる。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
上記した図３に示す搬送装置を用いるロール・トゥ・ロール法によって、以下の工程を順次実施し、フレキシブル配線回路基板を製造した。
実施例１
上記した図３に示す搬送装置を用いるロール・トゥ・ロール法によって、以下の工程を順次実施し、フレキシブル配線回路基板を製造した。
すなわち、幅３００ｍｍ、厚み２５μｍのポリイミドからなる長尺シート状のベース絶縁層を用意した。（図２（ａ）参照）。
次いで、このベース絶縁層の上に、厚み８μｍの銅からなる導体パターンを、アディティブ法により、配線および端子部を有する配線回路パターンで形成した（図２（ｂ）参照）。各配線の幅は３０μｍ、各端子部の幅は３０μｍであり、各配線間の間隔は６０μｍ、各端子部間の幅は６０μｍであった。
次いで、このベース絶縁層の上に、厚み８μｍの銅からなる導体パターンを、アディティブ法により、配線および端子部を有する配線回路パターンで形成した（図２（ｂ）参照）。各配線の幅は３０μｍ、各端子部の幅は３０μｍであり、各配線間の間隔は６０μｍ、各端子部間の幅は６０μｍであった。
次いで、平均粒子径２０μｍのカーボンブラック（異物）を、配線から露出するベース絶縁層の上に混入させた。
次いで、上記した図４に示すように、発光部（光源：近赤外ＬＥＤ拡散照明）と受光部（ＣＣＤラインスキャンカメラ、型番Ｐ３−８０−１２Ｋ４０、ＤＡＬＳＡ社製）と支持台（ステンレス（ＳＵＳ３０４）製）とを備える検査装置を用いて、カーボンブラックおよび導体パターンを同時に検査した（図２（ｃ）および（ｃ’）参照）。
次いで、上記した図４に示すように、発光部（光源：近赤外ＬＥＤ拡散照明）と受光部（ＣＣＤラインスキャンカメラ、型番Ｐ３−８０−１２Ｋ４０、ＤＡＬＳＡ社製）と支持台（ステンレス（ＳＵＳ３０４）製）とを備える検査装置を用いて、カーボンブラックおよび導体パターンを同時に検査した（図２（ｃ）および（ｃ’）参照）。
検査装置では、発光部から照射される光と、受光部に受光される光とのなす角度が１０度であり、発光部の発光面およびフレキシブル配線回路基板の集光部分間の長さは５０ｍｍであり、受光部の受光面およびフレキシブル配線回路基板の集光部分間の長さは１２０ｍｍであった。
この検査では、波長８５０ｎｍの光を用い、温度２５℃で実施した。
この検査では、波長８５０ｎｍの光を用い、温度２５℃で実施した。
データ処理により得られた画像処理図を図６に示し、検査における評価を表１に示す。
その後、導体パターンおよび異物を含むベース絶縁層の上に、感光性ポリアミック酸のワニスを塗布し、乾燥後、露光し、次いで、現像して上記したパターンに加工し、加熱して硬化することにより、ポリイミドからなる厚み１８μｍのカバー絶縁層を形成した（図２（ｄ）参照）。
その後、導体パターンおよび異物を含むベース絶縁層の上に、感光性ポリアミック酸のワニスを塗布し、乾燥後、露光し、次いで、現像して上記したパターンに加工し、加熱して硬化することにより、ポリイミドからなる厚み１８μｍのカバー絶縁層を形成した（図２（ｄ）参照）。
実施例２
検査工程において、その表面に厚み０．５μｍの錫膜が形成された支持台（ステンレス製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、検査工程を実施した。
データ処理により得られた画像処理図を図７に示し、検査における評価を表１に示す。
実施例３
検査工程において、その表面に厚み２μｍのニッケル膜が形成された支持台（ステンレス製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、検査工程を実施した。
検査工程において、その表面に厚み０．５μｍの錫膜が形成された支持台（ステンレス製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、検査工程を実施した。
データ処理により得られた画像処理図を図７に示し、検査における評価を表１に示す。
実施例３
検査工程において、その表面に厚み２μｍのニッケル膜が形成された支持台（ステンレス製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、検査工程を実施した。
データ処理により得られた画像処理図を図８に示し、検査における評価を表１に示す。
比較例１
検査工程において、その表面に厚み８μｍの銅膜が形成された支持台（ステンレス製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、検査工程を実施した。
データ処理により得られた画像処理図を図９に示し、検査における評価を表１に示す。
比較例１
検査工程において、その表面に厚み８μｍの銅膜が形成された支持台（ステンレス製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、検査工程を実施した。
データ処理により得られた画像処理図を図９に示し、検査における評価を表１に示す。
比較例２
検査工程において、その表面に厚み５００μｍの黒色の塩化ビニル樹脂からなるテープが貼着された支持台（ステンレス製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、検査工程を実施した。データ処理により得られた画像処理図を図１０に示す。
データ処理により得られた画像処理図を図１０に示し、検査における評価を表１に示す。
検査工程において、その表面に厚み５００μｍの黒色の塩化ビニル樹脂からなるテープが貼着された支持台（ステンレス製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、検査工程を実施した。データ処理により得られた画像処理図を図１０に示す。
データ処理により得られた画像処理図を図１０に示し、検査における評価を表１に示す。
比較例３
導体パターンを形成する工程において、導体パターンの表面に、厚み０．５μｍの錫めっき層をさらに形成し、検査工程において、その表面に厚み８μｍの銅膜が形成された支持台（ステンレス製）を用いた以外は、実施例１と同様にして配線回路基板を製造し、続いて、検査工程を実施した。
導体パターンを形成する工程において、導体パターンの表面に、厚み０．５μｍの錫めっき層をさらに形成し、検査工程において、その表面に厚み８μｍの銅膜が形成された支持台（ステンレス製）を用いた以外は、実施例１と同様にして配線回路基板を製造し、続いて、検査工程を実施した。
データ処理により得られた画像処理図を図１１に示し、検査における評価を表１に示す。
比較例４
導体パターンを形成する工程において、導体パターンの表面に、厚み０．５μｍの錫めっき層をさらに形成し、また、検査工程において、その表面に厚み５００μｍの黒色の塩化ビニル樹脂からなるテープが貼着された支持台（ステンレス製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、検査工程を実施した。
比較例４
導体パターンを形成する工程において、導体パターンの表面に、厚み０．５μｍの錫めっき層をさらに形成し、また、検査工程において、その表面に厚み５００μｍの黒色の塩化ビニル樹脂からなるテープが貼着された支持台（ステンレス製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、検査工程を実施した。
データ処理により得られた画像処理図を図１２に示し、検査における評価を表１に示す。
表１の異物の検査の欄において、「○」は、異物が有ることを明確に判定できたこと、「×」は、異物の存在の有無を判定できなかったことを示し、導体パターンの検査の欄において、「○」は、導体パターンの形状が正常であることを明確に判定できたこと、「×」は、導体パターンの形状の良否を判定できなかったことを示す。
１ 配線回路基板
２ ベース絶縁層
３ 導体パターン
４ 支持台
７ パターン反射光
８ 台反射光
９ 異物反射光
１０ 照射光
１１ 異物
２ ベース絶縁層
３ 導体パターン
４ 支持台
７ パターン反射光
８ 台反射光
９ 異物反射光
１０ 照射光
１１ 異物
Claims (3)
- 絶縁層と、前記絶縁層の上に形成される導体パターンとを備える配線回路基板を用意する工程、
前記配線回路基板を、支持台の上に配置する工程、および、
光を、前記配線回路基板の上側から前記配線回路基板に向けて照射することにより、前記光が前記導体パターンで反射したパターン反射光と、前記光が前記導体パターンから露出する前記絶縁層を介して前記支持台で反射した台反射光と、前記光が前記導体パターンから露出する前記絶縁層の上に存在する異物で反射した異物反射光とを検知して、それらの間のコントラストによって、前記導体パターンおよび前記異物を検査する工程を備え、
前記導体パターンおよび前記異物を検査する工程において、
前記台反射光の反射率が３０〜７０％であり、
前記異物反射光の反射率が１０％以下であり、
波長が５００ｎｍ以上の光に対する、前記絶縁層の光透過率Ｔが、６０％以上であることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。 - 前記パターン反射光の反射率は、前記台反射光の反射率に対して、２０％以上高いことを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
- 前記光の波長が、５００ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
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