JP5134928B2 - 加工対象物研削方法 - Google Patents

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Description

本発明は、加工対象物を所定の厚さに研削するための加工対象物研削方法に関する。
従来の加工対象物研削方法としては、板状の加工対象物の内部にレーザ光を照射することで、加工対象物の外縁部を除去し、外縁部を除去した後に加工対象物の主面を研削するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような加工対象物研削方法では、加工対象物の外縁にナイフエッジが生ずるのを防止することが図られている。
特開２００６−１０８５３２号公報
しかしながら、上述したような加工対象物研削方法では、加工対象物を研削した際、加工対象物の外縁部で割れが生じると、この割れが内側に伸展し、ひいては加工対象物が割れるという問題がある。研削された加工対象物の厚さが薄い場合には、加工対象物の外縁部にチッピング（欠け）が生じ易いことから、かかる問題は顕著となる。さらには、加工対象物の厚さに依存して、外縁部の除去に、多大なレーザでの加工処理時間を要する問題も存在している。
そこで、本発明は、加工対象物を確実に研削することができる加工対象物研削方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明に係る加工対象物研削方法は、板状の加工対象物を所定の厚さに研削するための加工対象物研削方法であって、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の外縁から所定の距離内側に外縁に沿って設定された改質領域形成ラインに沿って、加工対象物に改質領域を形成する工程と、加工対象物の主面を研削する工程と、を含むことを特徴とする。
この加工対象物研削方法では、加工対象物の外縁から所定の距離内側に外縁に沿って設定された改質領域形成ラインに沿って、加工対象物に改質領域を形成している。この改質領域又は改質領域から延びる割れによって、加工対象物の研削に起因して外縁部で生じた割れが内側に伸展するのを抑制することができる。その結果、加工対象物を確実に研削することができる。なお、「割れ」には、亀裂、切れ目及び裂け目等を含んでいる（以下、同じ）。
また、加工対象物の主面を研削する工程は、改質領域を形成する工程を実施した後に実施されることが好ましい。この場合、加工対象物の研削中にその外縁部で割れが発生したとしても、改質領域又は改質領域から延びる割れによって、割れが内側に伸展するのを抑制することができる。
このとき、改質領域を形成する工程においては、改質領域から延びる割れのみが研削後の加工対象物に残存するように、加工対象物に改質領域を形成することが好ましい。この場合、切削後の加工対象物には改質領域が残存しないことから、発塵を低減することができる。
本発明によれば、加工対象物を確実に研削することが可能となる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
本実施形態に係る加工対象物研削方法においては、板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の外縁から所定の距離内側に外縁に沿って設定された改質領域形成ラインに沿って、加工対象物に改質領域を形成する。そこで、まず、この改質領域の形成について、図１〜図９を参照して説明する。
図１に示すように、レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌをパルス発振等するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの光軸の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、レーザ光Ｌを集光するための集光用レンズ１０５と、を備えている。また、レーザ加工装置１００は、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１を支持するための支持台１０７と、支持台１０７をＸ、Ｙ、Ｚ軸方向及びＺ軸回りθ方向（以下、単に「θ方向」という）に移動させるためのステージ１１１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、ステージ１１１の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備えている。
このレーザ加工装置１００においては、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌは、ダイクロイックミラー１０３によってその光軸の向きを９０°変えられ、支持台１０７上に載置された加工対象物１の内部に集光用レンズ１０５によって集光される。これと共に、ステージ１１１が移動させられ、加工対象物１がレーザ光Ｌに対して改質領域形成ライン５に沿って相対移動させられる。これにより、改質領域形成ライン５に沿って、切断の起点となる改質領域が加工対象物１に形成されることとなる。以下、この改質領域について詳細に説明する。
図２に示すように、板状の加工対象物１には、加工対象物１に改質領域を形成するための予定ラインである改質領域形成ライン５が設定されている。改質領域形成ライン５は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物１の内部に改質領域を形成する場合、図３に示すように、加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせた状態で、レーザ光Ｌを改質領域形成ライン５に沿って（すなわち、図２の矢印Ａ方向に）相対的に移動させる。これにより、図４〜図６に示すように、改質領域７が改質領域形成ライン５に沿って加工対象物１の内部に形成される。
なお、集光点Ｐとは、レーザ光Ｌが集光する箇所のことである。また、改質領域形成ライン５は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、仮想線に限らず加工対象物１の表面３に実際に引かれた線であってもよい。また、改質領域７は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。また、改質領域７は少なくとも加工対象物１の内部に形成されていればよい。また、改質領域７を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域７は、加工対象物１の外表面（表面、裏面、若しくは外周面）に露出していてもよい。
ちなみに、ここでは、レーザ光Ｌが、加工対象物１を透過すると共に加工対象物１の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物１に改質領域７が形成される（すなわち、内部吸収型レーザ加工）。よって、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌが殆ど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。一般的に、表面３から溶融され除去されて穴や溝等の除去部が形成される（表面吸収型レーザ加工）場合、加工領域は表面３側から徐々に裏面側に進行する。
ところで、本実施形態にて形成される改質領域は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。例えば、（１）溶融処理領域、（２）クラック領域、絶縁破壊領域、（３）屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。
本実施形態での改質領域は、レーザ光の局所的な吸収や多光子吸収という現象により形成される。多光子吸収とは、材料の吸収のバンドギャップＥＧよりも光子のエネルギーｈνが小さいと光学的に透明となるため、材料に吸収が生じる条件はｈν＞ＥＧであるが、光学的に透明でも、レーザ光Ｌの強度を非常に大きくするとｎｈν＞ＥＧの条件（ｎ＝２，３，４，・・・）で材料に吸収が生じる現象をいう。多光子吸収による溶融処理領域の形成は、例えば、溶接学会全国大会講演概要第６６集（２０００年４月）の第７２頁〜第７３頁の「ピコ秒パルスレーザによるシリコンの加工特性評価」に記載されている。
また、D.Du,X.Liu,G.Korn,J.Squier,and G.Mourou,”Laser Induced Breakdown by Impact Ionization in SiO2 with Pulse Widths from 7ns to 150fs”,Appl Phys Lett64(23),Jun.6,1994に記載されているようにパルス幅が数ピコ秒からフェムト秒の超短パルスレーザ光を利用することにより形成される改質領域を利用してもよい。
（１）改質領域が溶融処理領域を含む場合
加工対象物（例えばシリコンのような半導体材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光Ｌを照射する。これにより、集光点近傍にてレーザ光Ｌが吸収されて加工対象物の内部が局所的に加熱され、この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。
溶融処理領域とは、一旦溶融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。
図７は、レーザ光が照射されたシリコンウェハ（半導体基板）の一部における断面の写真を表した図である。図７に示すように、半導体基板１１の内部に溶融処理領域１３が形成されている。
入射するレーザ光の波長に対して透過性の材料の内部に溶融処理領域１３が形成されたことを説明する。図８は、レーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を示す線図である。ただし、シリコン基板の表面側と裏面側それぞれの反射成分を除去し、内部のみの透過率を示している。シリコン基板の厚さｔが５０μｍ、１００μｍ、２００μｍ、５００μｍ、１０００μｍの各々について上記関係を示した。
例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの波長である１０６４ｎｍにおいて、シリコン基板の厚さが５００μｍ以下の場合、シリコン基板の内部ではレーザ光Ｌが８０％以上透過することが分かる。図７に示す半導体基板１１の厚さは３５０μｍであるので、溶融処理領域１３は半導体基板１１の中心付近、つまり表面から１７５μｍの部分に形成される。この場合の透過率は、厚さ２００μｍのシリコンウェハを参考にすると、９０％以上なので、レーザ光Ｌが半導体基板１１の内部で吸収されるのは僅かであり、殆どが透過する。しかし、１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光Ｌをシリコンウェハ内部に集光することで集光点とその近傍で局所的にレーザ光が吸収され溶融処理領域１３が半導体基板１１の内部に形成される。
なお、シリコンウェハには、溶融処理領域を起点として亀裂が発生する場合がある。また、溶融処理領域に亀裂が内包されて形成される場合があり、この場合には、その亀裂が、溶融処理領域においての全面に渡って形成されていたり、一部分のみや複数部分に形成されていたりすることがある。更に、この亀裂は、自然に成長する場合もあるし、シリコンウェハに力が印加されることにより成長する場合もある。溶融処理領域から亀裂が自然に成長する場合には、溶融処理領域が溶融している状態から成長する場合と、溶融処理領域が溶融している状態から再固化する際に成長する場合とのいずれもある。ただし、どちらの場合も溶融処理領域はシリコンウェハの内部に形成され、切断面においては、図７に示すように、内部に溶融処理領域が形成されている。
（２）改質領域がクラック領域を含む場合
加工対象物（例えばガラスやＬｉＴａＯ３からなる圧電材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光Ｌを照射する。このパルス幅の大きさは、加工対象物の内部にレーザ光Ｌが吸収されてクラック領域が形成される条件である。これにより、加工対象物の内部には光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部に、１つ又は複数のクラックを含むクラック領域が形成される。クラック領域は絶縁破壊領域とも言える。
図９は電界強度とクラックの大きさとの関係の実験結果を示す線図である。横軸はピークパワー密度であり、レーザ光Ｌがパルスレーザ光なので電界強度はピークパワー密度で表される。縦軸は１パルスのレーザ光Ｌにより加工対象物の内部に形成されたクラック部分（クラックスポット）の大きさを示している。クラックスポットが集まりクラック領域となる。クラックスポットの大きさは、クラックスポットの形状のうち、最大の長さとなる部分の大きさである。グラフ中の黒丸で示すデータは集光用レンズ（Ｃ）の倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８０の場合である。一方、グラフ中の白丸で示すデータは集光用レンズ（Ｃ）の倍率が５０倍、開口数（ＮＡ）が０．５５の場合である。ピークパワー密度が１０１１（Ｗ／ｃｍ２）程度から加工対象物の内部にクラックスポットが発生し、ピークパワー密度が大きくなるに従いクラックスポットも大きくなることが分かる。
（３）改質領域が屈折率変化領域を含む場合
加工対象物（例えばガラス）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光Ｌを照射する。このように、パルス幅が極めて短い状態で加工対象物の内部にレーザ光Ｌが吸収されると、そのエネルギーが熱エネルギーに転化せず、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起され、屈折率変化領域が形成される。
なお、改質領域とは、溶融処理領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等やそれらが混在した領域を含めて、その材料において改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域であったり、格子欠陥が形成された領域であったりする。これらをまとめて高密転移領域と言うこともできる。
また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、更にそれら領域の内部や改質領域と非改質領域との界面に亀裂（割れ、マイクロクラック）を内包している場合がある。内包される亀裂は改質領域の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。
ちなみに、加工対象物の結晶構造やその劈開性等を考慮して、改質領域を次のように形成することが好ましい。
すなわち、シリコン等のダイヤモンド構造の単結晶半導体からなる基板の場合は、（１１１）面（第１劈開面）や（１１０）面（第２劈開面）に沿った方向に改質領域を形成するのが好ましい。また、ＧａＡｓ等の閃亜鉛鉱型構造のIII−V族化合物半導体からなる基板の場合は、（１１０）面に沿った方向に改質領域を形成するのが好ましい。更に、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）等の六方晶系の結晶構造を有する基板の場合は、（０００１）面（Ｃ面）を主面として（１１２０）面（Ａ面）或いは（１１００）面（Ｍ面）に沿った方向に改質領域を形成するのが好ましい。
また、上述した改質領域を形成すべき方向（例えば、単結晶シリコン基板における（１１１）面に沿った方向）、或いは改質領域を形成すべき方向に直交する方向に沿って基板にオリエンテーションフラットを形成すれば、そのオリエンテーションフラットを基準とすることで、改質領域を容易且つ正確に基板に形成することが可能になる。
次に、本発明の第１実施形態に係る加工対象物研削方法について説明する。
本実施形態の加工対象物研削方法は、例えば厚さが１５μｍ〜２５μｍ（所定の厚さ：以下、「最終研削厚さ」という）の極薄の半導体基板を形成するために加工対象物を研削するものである。図１０に示すように、研削加工の対象となる加工対象物１は、例えばシリコンからなる円板状を呈している。ここでは、加工対象物１は、円筒状のシリコンインゴットを輪切り状に切断して形成されている。この加工対象物１は、その外縁Ｅから所定の距離内側に、改質領域形成ライン５が設定されている。なお、加工対象物１では、説明の便宜上オリエンテーションフラットを省略する。また、ここでの「研削」とは、砥石、刃物、エッチング液等で機械的、化学的、電気化学的に表面を削って滑らかにすることを意味し、また、研磨と同義である。
この改質領域形成ライン５は、加工対象物１の外縁Ｅに沿った円環状を呈している。改質領域形成ライン５は、図１２（ａ）に示すように、加工対象物１において外縁部２５と該外縁部２５の内側の有効領域２６との境界に設定されている。外縁部２５は、加工対象物１における曲面状に突出する側面を含んで構成された部分である。この外縁部２５は、側方視において断面が弓形状を呈しており、その厚さが外側に行くに従って薄くなっている。なお、外縁部２５は、側方視において断面が半弓形状や矩形状でもよく、また、その厚さが外側に行くに従って薄くなるストレートなテーパ状の場合もある。
有効領域２６は、結晶成長により形成された半導体動作層、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、又は回路として形成された回路素子等の機能素子２２を形成するための領域である。
以上に説明した加工対象物１に研削加工を施す場合、まず、図１１（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面（主面）２１にテープ３１を貼り付けて保持し、この加工対象物１を、表面３が上方に位置するようにステージ（不図示）上に載置する。ここでのテープ３１としては、ＢＧ（BackGrind）テープが用いられている。ちなみに、保持治具や保持基板で加工対象物１を保持してステージ上に載置する場合もある。
この状態で、加工対象物１の内部に集光点を合わせて加工対象物１の表面３側からレーザ光Ｌを照射しながら、レーザ光Ｌに対しステージをθ方向（図中の矢印Ｒ方向）に相対回転させる。これにより、図１１（ｂ）に示すように、外周縁の改質領域形成ライン５（図１０参照）に沿って、加工対象物１の内部に改質領域７を形成し、改質領域７の上端部及び下端部から、厚さ方向に沿って延びる亀裂（割れ）Ｃ１を生じさせる。なお、この改質領域７には、その内部に亀裂が含まれてもよい。
続いて、図１２（ａ）に示すように、加工対象物１の表面３における有効領域２６に、複数の機能素子２２をマトリックス状に配設されるように形成した後、図１２（ｂ）に示すように、加工対象物１を上下反転して裏面２１を上方に位置させる。そして、図１２（ｃ）に示すように、研削砥石３２（グラインダー）で加工対象物１の裏面２１を研削し、加工対象物１を最終研削厚さに薄化する。ここで、研削後の加工対象物１ａでは、亀裂Ｃ１のみが残存しており、この亀裂Ｃ１が裏面２１に露出している。つまり、裏面２１にハーフカット亀裂Ｃ１が露出した状態となっている。
加工対象物１を薄化した後には、隣り合う機能素子２２間を通るような格子状に設定された切断予定ラインに沿って、加工対象物１を切断するための切断起点領域が形成される。ここでは、切断起点領域として、加工対象物に集光点を合わせてレーザ光を照射し、改質領域７と同様な切断用改質領域を形成している。切断起点領域は、レーザアブレーション、スクライブ若しくはブレードダイシング等で形成された溝等でもよい。そして、加工対象物１がエキスパンドテープに張り替えられ、このエキスパンドテープが拡張されることで、切断起点領域を起点として加工対象物１が切断予定ラインに沿って分断（切断）される。ちなみに、加工対象物１の研削中、研削後又はエキスパンドテープ拡張時において、改質領域７を起点として改質領域形成ライン５（図１０参照）に沿って加工対象物１が切断されてもよい。
ところで、従来、加工対象物１を研削して加工対象物１を薄化した場合、厚さが特に薄い外縁部２５でチッピングや亀裂が生じ、亀裂が内側に伸展することがある。また、加工対象物１の研削中に、研削のために加工対象物１に加えられる力によって外縁部２５でチッピングや亀裂が生じ、亀裂が内側に伸展することがある。つまり、加工対象物１の研削に起因して外縁部２５で生じた割れが、有効領域２６に向かって内側に伸展するおそれがある。
この点、本実施形態の加工対象物研削方法では、加工対象物１の外縁Ｅから所定の距離内側に設定された改質領域形成ライン５に沿って、加工対象物１に改質領域７を形成している。これにより、改質領域７又は改質領域７から延びる割れＣ１によって、外縁部２５で生じた割れが有効領域２６に向かって内側に伸展するのを抑制ひいては遮断することができ、加工対象物を確実に研削することができる。研削後の加工対象物１ａの厚さが極薄の本実施形態では、外縁部２５にチッピング（欠け）が特に生じ易いことから、かかる効果は顕著となる。
図１３（ａ）は、本実施形態の加工対象物研削方法による研削後の加工対象物における裏面側を示す平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面拡大図である。図１３に示すように、加工対象物１ａの外縁部２５では、外縁部２５にチッピング２７が生じている。また、チッピング２７及び外縁部２５からは亀裂２８が延びている。ここで、亀裂２８は、上方視において亀裂Ｃ１が延在する円周方向に延び易くなっていることがわかる。また、亀裂２８の加工対象物１の内側への進展が、亀裂Ｃ１で留まっているのがわかる。つまり、改質領域７及び改質領域７から延びた亀裂Ｃ１にあっては、亀裂２８を内側に伸展させないストッパとして機能し、亀裂２８が外縁部２５から有効領域２６へ延びるのを防ぐ予防線となっている。
また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１の研削が、改質領域７を形成した後に実施されている。これにより、加工対象物１の研削中にその外縁部２５で亀裂２８が発生したとしても、改質領域７又は改質領域７から延びる亀裂Ｃ１によって、亀裂２８が内側に伸展するのを抑制することができる。
また、本実施形態では、上述したように、研削後の加工対象物１ａに亀裂Ｃ１のみが残存している。すなわち、改質領域７から延びる亀裂Ｃ１のみが研削後の加工対象物１ａに残存するように、加工対象物１に改質領域７が形成されている。この場合、切削後の加工対象物１ａには改質領域７が残存しないことから、発塵を低減することができる。
また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１において外縁部２５と有効領域２６との境界に形成されている。ここで、加工対象物１においては、外縁部２５の厚さが有効領域２６の厚さよりも薄くなっていることから、外縁部２５から亀裂が生じ易いため、外縁部２５と有効領域２６との境界に改質領域７を形成することで、亀裂が内側に伸展するのを確実に抑制することができる。また、外縁部２５と有効領域２６との境界の内側に改質領域７を形成してもよく、この場合には、上記と同様に亀裂が内側に伸展するのを確実に抑制することができる。さらに、外縁部２５と有効領域２６との境界の外側に改質領域７を形成してもよく、この場合には、有効領域を十分に活用することができる。
ちなみに、加工対象物１に改質領域７を形成した後に、その表面３に機能素子２２を形成したが、表面３に機能素子２２を形成した後に改質領域７を形成してもよく、改質領域７の形成と機能素子２２の形成とは順不同である。これについては、以下の実施形態においても同様である。
次に、本発明の第２実施形態に係る加工対象物研削方法について説明する。なお、本実施形態の説明においては、上記第１実施形態と異なる点を主に説明する。
本実施形態の加工対象物研削方法では、図１４（ａ）に示すように、改質領域７の上端部及び下端部から厚さ方向に沿って延びる亀裂Ｃ２を生じさせた加工対象物１を、裏面２１が上方に位置するように配置する。そして、図１４（ｂ）に示すように、研削砥石３２で加工対象物１の裏面２１を研削し、加工対象物１を最終研削厚さに薄化する。ここで、研削後の加工対象物１ｂでは、改質領域７が残存しており、改質領域７及びこの改質領域７から延びる亀裂Ｃ２が、表面３及び裏面２１に露出しない状態となっている。
本実施形態においても、上記実施形態と同様な効果、すなわち、加工対象物１を確実に研削するという効果等を奏する。また、本実施形態では、研削後の加工対象物１ｂにおいて改質領域７が表面３及び裏面２１に露出しないため、発塵を低減することができる。
次に、本発明の第３実施形態に係る加工対象物研削方法について説明する。なお、本実施形態の説明においては、上記第１実施形態と異なる点を主に説明する。
本実施形態の加工対象物研削方法では、図１５（ａ）に示すように、加工対象物１の表面３に複数の機能素子２２を形成してテープ３１を貼り付け、この加工対象物１を裏面２１が上方に位置するようにステージ上に載置する。そして、図１５（ｂ）に示すように、研削砥石３２で加工対象物１の裏面２１を研削し、最終研削厚さよりも厚い状態まで加工対象物１を薄化する。ここでは、加工対象物１が略半分の厚さになるように薄化している。なお、この際の研削後の裏面２１の表面粗さは、後に照射するレーザ光Ｌを透過させ得る粗さ程度にまで仕上がっていることが好ましい。
この状態で、図１５（ｃ）に示すように、加工対象物１の内部に集光点を合わせて加工対象物１の裏面２１側からレーザ光Ｌを照射しながら、ステージをθ方向（図中の矢印Ｒ方向）に相対回転させる。これにより、図１６（ａ）に示すように、改質領域形成ライン５に沿って加工対象物１の内部に改質領域７を形成し、この改質領域７の上端部及び下端部から、厚さ方向に沿って延びる亀裂Ｃ３生じさせる。
そして、図１６（ｂ）に示すように、研削砥石３２で加工対象物１の裏面２１を再び研削し、加工対象物１を最終研削厚さに薄化する。ここで、研削後の加工対象物１ｃでは、亀裂Ｃ３のみが残存しており、この亀裂Ｃ３が表面３及び裏面２１に露出している。つまり、表面３及び裏面２１にハーフカット亀裂Ｃ３が露出した状態となっている。
本実施形態においても、上記実施形態と同様な効果、すなわち、加工対象物１を確実に研削するという効果等を奏する。また、本実施形態では、上述したように、表面３及び裏面２１の双方に亀裂Ｃ３が露出しているため、加工対象物１の外縁部２５で生じた亀裂が内側に伸展するのを一層抑制することができる。
次に、本発明の第４実施形態に係る加工対象物研削方法について説明する。なお、本実施形態の説明においては、上記第３実施形態と異なる点を主に説明する。
本実施形態の加工対象物研削方法では、研削砥石３２で加工対象物１の裏面２１を研削し、最終研削厚さよりも厚い状態まで加工対象物１を薄化した後、図１７（ａ）に示すように、改質領域形成ライン５に沿って、加工対象物１の内部に改質領域７を形成し、この改質領域７の上端部及び下端部から、厚さ方向に沿って延びる亀裂Ｃ４を生じさせる。
そして、図１７（ｂ）に示すように、研削砥石３２で加工対象物１の裏面２１を研削し、加工対象物１を最終研削厚さに薄化する。ここで、研削後の加工対象物１ｄでは、改質領域７が残存しており、改質領域７及び改質領域７から延びる亀裂Ｃ２が、表面３及び裏面２１に露出しない状態となっている。
本実施形態においても、上記実施形態と同様な効果、すなわち、加工対象物１を確実に研削するという効果等を奏する。また、本実施形態では、研削後の加工対象物１ｄにおいて改質領域７が表面３及び裏面２１に露出しないため、発塵を低減することができる。
次に、本発明の第５実施形態に係る加工対象物研削方法について説明する。なお、本実施形態の説明においては、上記第３実施形態と異なる点を主に説明する。
本実施形態の加工対象物研削方法では、研削砥石３２で加工対象物１の裏面２１を研削し、最終研削厚さよりも厚い状態まで加工対象物１を薄化した後、図１８（ａ）に示すように、改質領域形成ライン５に沿って、加工対象物１の内部に改質領域７を形成し、この改質領域７の上端部及び下端部から、厚さ方向に沿って延びる亀裂Ｃ５を生じさせる。
そして、図１８（ｂ）に示すように、研削砥石３２で加工対象物１の裏面２１を研削し、加工対象物１を最終研削厚さに薄化する。ここで、研削後の加工対象物１ｅでは、亀裂Ｃ５のみが残存しており、この亀裂Ｃ５が裏面２１に露出している。つまり、裏面２１にハーフカット亀裂Ｃ５が露出した状態となっている。
本実施形態においても、上記実施形態と同様な効果、すなわち、加工対象物１を確実に研削するという効果等を奏する。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、加工対象物１にテープ３１を貼り付けたが、加工対象物１を保持し得るテープ以外の保持具でもよいし、図１９に示すように、環状のダイシングフレーム３３で保持されたダイシングテープ３４を貼り付けてもよい。この場合、加工対象物１を分断する際に拡張するエキスパンドテープとして、ダイシングテープ３４を利用することができる。
また、上記実施形態では、加工対象物１に改質領域７を形成した後に加工対象物１を最終研削厚さに研削したが、これとは逆に、加工対象物１を最終研削厚さに研削した後に加工対象物１に改質領域７を形成してもよい。ただし、研削前に改質領域７を形成する方が、研削後のハンドリング等の際に外縁部２５から発生する亀裂２８をストップさせることができるため、より望ましい。
また、上記実施形態では、改質領域７は亀裂Ｃ１〜Ｃ５を含んでいるが、改質領域（溶融処理領域）のみでもよい。切断予定ラインに沿って加工対象物１の内部に切断の起点となる改質領域を形成し加工対象物１をチップ状に切断するという方法（＝ステルスダイシング方式）や、レーザスクライブのように溝を形成し加工対象物１に応力を印加してチップ状に切断するという方法においては、亀裂が存在している方が、ダイシングテープを拡張する際に加工対象物１に応力を加え易くなり加工対象物１の切断が容易になると共に、外縁部２５の切断も容易となる。
また、上記実施形態は、半導体材料からなる加工対象物１に溶融処理領域を含む改質領域７を形成したが、ガラスや圧電材料等、他の材料からなる加工対象物の内部に、クラック領域や屈折率変化領域等、他の改質領域を形成してもよい。また、上記実施形態での亀裂は、切れ目及び裂け目等の割れであってもよい。
なお、本発明において、外縁（外周円）Ｅに沿って改質領域７が形成された研削済みの加工対象物１には、上述したステルスダイシング方式やスクライビングによる切断方式、レーザによる完全切断やブレードダイシング等の切断方法が利用できる。
改質領域の形成に用いられるレーザ加工装置の概略構成図である。 改質領域の形成の対象となる加工対象物の平面図である。 図２の加工対象物のIII−III線に沿っての断面図である。 レーザ加工後の加工対象物の平面図である。 図４の加工対象物のV−V線に沿っての断面図である。 図４の加工対象物のVI−VI線に沿っての断面図である。 レーザ加工後のシリコンウェハの切断面の写真を表した図である。 レーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を示すグラフである。 レーザ光のピークパワー密度とクラックスポットの大きさとの関係を示すグラフである。 第１実施形態に係る加工対象物研削方法の対象となる加工対象物の平面図である。 第１実施形態に係る加工対象物研削方法を説明するための図１０のXI−XI線に沿う概略断面図である。 図１１の後続の図である。 研削後の加工対象物における裏面側を示す平面図である。 第２実施形態に係る加工対象物研削方法を説明するための図１１に対応する概略断面図である。 第３実施形態に係る加工対象物研削方法を説明するための図１１に対応する概略断面図である。 図１５の後続の図である。 第４実施形態に係る加工対象物研削方法を説明するための図１１に対応する概略断面図である。 第５実施形態に係る加工対象物研削方法を説明するための図１１に対応する概略断面図である。 実施形態に係る加工対象物研削方法の他の例を説明するための図１１に対応する概略断面図である。
符号の説明
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ…加工対象物、５…改質領域形成ライン、７…改質領域、２１…裏面（主面）、Ｃ１〜Ｃ５…改質領域から延びる亀裂、Ｅ…外縁、Ｌ…レーザ光、Ｐ…集光点。






Claims (2)

  1. 板状の加工対象物を所定の厚さに研削するための加工対象物研削方法であって、
    前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の外縁から所定の距離内側に前記外縁に沿って設定された改質領域形成ラインに沿って、前記加工対象物に改質領域を形成する工程と、
    前記改質領域を形成した後に、前記加工対象物の一方の主面を保持手段で保持した状態で、前記加工対象物の他方の主面を研削し、前記改質領域を残存させずに、前記改質領域から延びる割れを残存させて、前記割れを少なくとも前記加工対象物の前記他方の主面に露出させる工程と、を含むことを特徴とする加工対象物研削方法。
  2. 板状の加工対象物を所定の厚さに研削するための加工対象物研削方法であって、
    前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の外縁から所定の距離内側に前記外縁に沿って設定された改質領域形成ラインに沿って、前記加工対象物に改質領域を形成する工程と、
    前記改質領域を形成した後に、前記加工対象物の一方の主面を保持手段で保持した状態で、前記加工対象物の他方の主面を研削し、前記改質領域、及び前記改質領域から延びる割れを残存させて、前記割れを前記加工対象物の前記一方の主面及び前記他方の主面に露出させない工程と、を含むことを特徴とする加工対象物研削方法。
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KR1020107010361A KR101607341B1 (ko) 2007-11-30 2008-11-18 가공대상물 연삭방법
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EP08853744.4A EP2236243A4 (en) 2007-11-30 2008-11-18 METHOD OF GRINDING AN OBJECT TO WORK
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Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
AU2003211763A1 (en) 2002-03-12 2003-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
EP2272618B1 (en) 2002-03-12 2015-10-07 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
DE60315515T2 (de) 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
EP2269765B1 (en) * 2003-07-18 2014-10-15 Hamamatsu Photonics K.K. Cut semiconductor chip
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
EP1742253B1 (en) 2004-03-30 2012-05-09 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
CN101434010B (zh) * 2004-08-06 2011-04-13 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体装置
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101428823B1 (ko) * 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP2070636B1 (en) * 2006-10-04 2015-08-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
JP5517284B2 (ja) 2008-09-03 2014-06-11 西川ゴム工業株式会社 耐熱性２本鎖特異的核酸分解酵素
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5632751B2 (ja) 2009-02-09 2014-11-26 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
EP2418041B1 (en) 2009-04-07 2024-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Laser machining device and laser machining method
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5452247B2 (ja) * 2010-01-21 2014-03-26 東芝機械株式会社 レーザダイシング装置
JP5817116B2 (ja) 2010-02-03 2015-11-18 東洋製罐株式会社 ダイヤモンド表面の研磨方法
DE102010009015A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
JP2011200926A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd レーザ加工方法及び脆性材料基板
JP5981094B2 (ja) 2010-06-24 2016-08-31 東芝機械株式会社 ダイシング方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
JP5645593B2 (ja) * 2010-10-21 2014-12-24 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP5841738B2 (ja) 2011-04-05 2016-01-13 株式会社ディスコ ウェーハの研削方法
JP5140198B1 (ja) 2011-07-27 2013-02-06 東芝機械株式会社 レーザダイシング方法
JP2013055160A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Canon Inc 光透過性部材、光学装置およびそれらの製造方法
JP5916336B2 (ja) * 2011-10-17 2016-05-11 株式会社ディスコ ウエーハの研削方法
JP2014053510A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp 端面加工方法及び端面加工装置
CN103811602A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 上海蓝光科技有限公司 GaN基LED芯片制备方法
US9425109B2 (en) 2014-05-30 2016-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Planarization method, method for polishing wafer, and CMP system
JP6360411B2 (ja) * 2014-10-09 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP5900811B2 (ja) * 2015-08-28 2016-04-06 株式会社東京精密 半導体基板の割断方法
JP6410152B2 (ja) * 2015-09-11 2018-10-24 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
JP6081005B2 (ja) * 2016-04-21 2017-02-15 株式会社東京精密 研削・研磨装置及び研削・研磨方法
JP6081006B2 (ja) * 2016-04-26 2017-02-15 株式会社東京精密 ウェハ割断方法及びウェハ割断装置
JP6081008B2 (ja) * 2016-06-13 2017-02-15 株式会社東京精密 ウェハ加工装置及びウェハ加工方法
JP2018006575A (ja) * 2016-07-01 2018-01-11 株式会社ディスコ 積層ウエーハの加工方法
JP6908464B2 (ja) 2016-09-15 2021-07-28 株式会社荏原製作所 基板加工方法および基板加工装置
JP6327490B2 (ja) * 2016-11-14 2018-05-23 株式会社東京精密 ウェハ加工装置及びウェハ加工方法
JP6935224B2 (ja) * 2017-04-25 2021-09-15 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
DE102017212858B4 (de) * 2017-07-26 2024-08-29 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
JP2019150925A (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
JP7058320B2 (ja) 2018-03-14 2022-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
JP2018142717A (ja) * 2018-04-20 2018-09-13 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
CN117912996A (zh) * 2018-04-27 2024-04-19 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板处理方法
KR102656400B1 (ko) * 2018-04-27 2024-04-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP7085426B2 (ja) * 2018-07-05 2022-06-16 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
KR20210033485A (ko) * 2018-07-19 2021-03-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP7193956B2 (ja) * 2018-09-03 2022-12-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020057709A (ja) * 2018-10-03 2020-04-09 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6703073B2 (ja) * 2018-10-03 2020-06-03 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP6703072B2 (ja) * 2018-10-03 2020-06-03 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
US10589445B1 (en) * 2018-10-29 2020-03-17 Semivation, LLC Method of cleaving a single crystal substrate parallel to its active planar surface and method of using the cleaved daughter substrate
JP7460322B2 (ja) * 2018-11-27 2024-04-02 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US12020936B2 (en) 2018-12-21 2024-06-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20210100168A (ko) * 2018-12-21 2021-08-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
TWI816968B (zh) * 2019-01-23 2023-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TWI809251B (zh) * 2019-03-08 2023-07-21 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
US12103111B2 (en) 2019-03-28 2024-10-01 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing method
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7286464B2 (ja) * 2019-08-02 2023-06-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
GB2592905A (en) * 2020-01-31 2021-09-15 Smart Photonics Holding B V Processing a wafer of a semiconductor material
JP7401372B2 (ja) * 2020-03-26 2023-12-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7515292B2 (ja) 2020-04-28 2024-07-12 株式会社ディスコ チップの製造方法及びエッジトリミング装置

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
JPH0775818B2 (ja) * 1986-08-08 1995-08-16 株式会社東芝 ダイヤモンド部材の加工方法
KR0171947B1 (ko) 1995-12-08 1999-03-20 김주용 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US6794605B2 (en) * 2001-08-02 2004-09-21 Skc Co., Ltd Method for fabricating chemical mechanical polshing pad using laser
EP2272618B1 (en) 2002-03-12 2015-10-07 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
AU2003211575A1 (en) 2002-03-12 2003-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate, semiconductor chip, and semiconductor device manufacturing method
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
AU2003211763A1 (en) 2002-03-12 2003-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
JP2004111606A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハの加工方法
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
AU2003289188A1 (en) 2002-12-05 2004-06-23 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing device
JP2004188422A (ja) 2002-12-06 2004-07-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4334864B2 (ja) * 2002-12-27 2009-09-30 日本電波工業株式会社 薄板水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
DE60315515T2 (de) 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
JP4494728B2 (ja) 2003-05-26 2010-06-30 株式会社ディスコ 非金属基板の分割方法
EP2269765B1 (en) 2003-07-18 2014-10-15 Hamamatsu Photonics K.K. Cut semiconductor chip
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005086175A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
JP4398686B2 (ja) * 2003-09-11 2010-01-13 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP4160597B2 (ja) 2004-01-07 2008-10-01 浜松ホトニクス株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4943636B2 (ja) * 2004-03-25 2012-05-30 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
KR20070005712A (ko) 2004-03-30 2007-01-10 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 반도체 칩
EP1742253B1 (en) 2004-03-30 2012-05-09 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN101434010B (zh) 2004-08-06 2011-04-13 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体装置
JP2006108532A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4776994B2 (ja) 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN100399540C (zh) * 2005-08-30 2008-07-02 中美矽晶制品股份有限公司 复合晶片结构的制造方法
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2007096115A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP2007235068A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工方法
US20070255022A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Fina Technology, Inc. Fluorinated transition metal catalysts and formation thereof
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101428823B1 (ko) 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4913517B2 (ja) * 2006-09-26 2012-04-11 株式会社ディスコ ウエーハの研削加工方法
JP5101073B2 (ja) 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP2070636B1 (en) 2006-10-04 2015-08-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置

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