JP5131432B2 - モータ用制御装置 - Google Patents
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Description
本発明は、スイッチング素子の開閉により生じる電力損失が、モータの目標出力と実出力の偏差の原因の一つであることに着目したことに基づく。すなわち図6は、スイッチング素子のON、OFFの動作タイミングとスイッチング素子の電力損失と時間との関係を例示している。従来、そのようなスイッチング素子の開閉により生じる過渡的な電力損失は、モータへの印加電圧に対応する電圧指令値を求める際に何ら考慮されていなかった。そのため、その電力損失によりモータへの印加電圧が降下し、モータの目標出力と実出力の偏差が生じていた。
これに対し本発明によれば、スイッチング素子の開閉により生じる電力損失に対応する等価抵抗に対応する値を予め求めて記憶し、その等価抵抗に対応する値とスイッチング素子に流れる電流の値から定まる電圧降下値を目標印加電圧値に加えることで電圧指令値を求め、その電圧指令値に応じた制御信号によりモータの出力を制御している。これにより、スイッチング素子の開閉により生じる電力損失に基づく電圧降下を補償し、モータの目標出力と実出力の偏差を低減できる。
Vd =(R+PLd )・Id * −ω・Lq ・Iq * …(1)
Vq =(R+PLq )・Iq * −ω・Ld ・Id * +ω・Φ…(2)
前記電圧降下値として、以下の式(3)、(4)から、d軸電圧降下値δVd とq軸電圧降下値δVq が求められ、
δVd =Rd ・Id …(3)
δVq =Rq ・Iq …(4)
前記電圧指令値として、以下の式(5)、(6)から、d軸電圧指令値Vd * とq軸電圧指令値Vq * が求められる。
Vd * =Vd +δVd …(5)
Vq * =Vq +δVq …(6)
式(1)〜(6)において、Rd は前記記憶部から読み出されたd軸等価抵抗値、Rq は前記記憶部から読み出されたq軸等価抵抗値、Id はd軸電流値、Iq はq軸電流値、Rは予め求められた前記3相コイルの抵抗、Pは微分演算子、Ld は予め求められた前記3相コイルのd軸自己インダクタンス、Lq は予め求められた前記3相コイルのq軸自己インダクタンス、Id * はd軸電流指令値、Iq * はq軸電流指令値、ωは前記ロータの角速度、Φは予め求められた前記3相コイルの鎖交磁束数の最大値の(3/2)1/2 である。
これにより、インバータ回路を介してオープンループ制御される3相ブラシレスモータの目標出力と実出力の偏差を低減できる。
なお、電流決定部11の構成は、FET13u1、13u2、13v1、13v2、13w1、13w2に流れる電流の値を求めることができれば特に限定されない。例えば、電流検出器を上アームFET13u1、13v1、13w1それぞれの上流位置や、上アームFET13u1、13v1、13w1と下アームFET13u2、FET13v2、FET13w2との間に配置してもよい。また、3つの電流検出器11u、11v、11wを設けるのに代えて、図2におけるα位置またはβ位置に配置される単一の電流検出用抵抗を有する電流検出器を用い、その電流検出器による検出電流とFET13u1、13u2、13v1、13v2、13w1、13w2の開閉タイミングとから各相電流値Iu 、Iv 、Iw を演算により求めるようにしてもよい。あるいは、3相の中の1相あるいは二相の相電流値を電流検出器により求め、残りの相電流値を演算により求めてもよい。
また、上記式(1)、(2)における3相コイルの抵抗R、d軸自己インダクタンスLd 、q軸自己インダクタンスLq 、鎖交磁束数の最大値の(3/2)1/2 の値Φが予め求められ、記憶部55に記憶される。
すなわち、電圧座標変換部54において、d軸電圧指令値Vd * 、q軸電圧指令値Vq * およびレゾルバ2により検出されたロータ1bの回転位置に基づいて、U相電圧指令値Vu * 、V相電圧指令値Vv * およびW相電圧指令値Vw * が演算される。電圧座標変換部54における演算は公知の演算式を用いて行うことができる。
PWM制御部18u、18v、18wはそれぞれ、各相電圧指令値Vu * 、Vv * 、Vw * に対応するデューティ比を有するパルス信号であるPWM制御信号を生成する。バッテリEによりモータ1の各相のコイルに印加される電圧が電圧指令値Vu * 、Vv * 、Vw * になるように、駆動部13の各FET13u1、13u2、13v1、13v2、13w1、13w2がPWM制御信号により開閉される。すなわち、インバータ回路におけるU相の上アームFET13u1のゲートに入力されるPWM制御信号と下アームFET13u2のゲートに入力されるPWM制御信号は、一方がハイパルスである時は他方がローパルスとされ、一方の立ち下がり時と他方の立ち上がり時との間にデッドタイムが設定される。V相、W相においても同様である。これにより、モータの3相コイルに目標出力に応じた電圧が印加され、モータが駆動される。
Claims (1)
- モータへの電力供給ラインに配置されるスイッチング素子を制御信号により開閉することで、前記モータの出力を制御するモータ用制御装置であって、
前記モータの目標出力に対応する電流指令値を求める電流指令値決定部と、
前記電流指令値に対応する前記モータへの目標印加電圧値の演算部と、
前記スイッチング素子の開閉により生じる電力損失に対応する予め求めた等価抵抗に対応する値と、前記スイッチング素子に流れる電流の値と、前記スイッチング素子に印加される電圧の値との間の関係を記憶する記憶部と、
前記スイッチング素子に流れる電流の値として、前記モータの電機子を構成する3相コイルそれぞれに流れる電流の値であるU相電流値、V相電流値およびW相電流値を求める電流決定部と、
前記スイッチング素子に印加される電圧の値を求める電圧決定部と、
前記モータのロータの回転位置を求める回転位置決定部と、
前記回転位置に基づいて前記ロータの角速度を演算する演算部と、
前記ロータの有する界磁の磁束方向に沿う軸をd軸、前記d軸と前記ロータの回転軸とに直交する軸をq軸として、前記U相電流値、V相電流値、W相電流値および前記回転位置に基づいて、d軸電流値とq軸電流値を演算する相電流座標変換部と、
前記目標印加電圧値に、前記等価抵抗に対応する値と前記スイッチング素子に流れる電流の値から定まる電圧降下値を加えることで電圧指令値を求める演算部と、
前記電圧指令値に応じて前記制御信号を生成する信号生成部とを備え、
前記モータの出力として3相ブラシレスモータの出力が、前記スイッチング素子により構成されるインバータ回路を介してオープンループ制御され、
前記電流指令値決定部は、前記モータの目標出力に基づいて前記電流指令値としてd軸電流指令値とq軸電流指令値を求めるdq軸電流指令値演算部を有し、
前記電圧決定部は、前記スイッチング素子に印加される実際の電圧値を検出する電圧検出器を有し、
前記記憶部に、d軸電流値と前記スイッチング素子に印加される電圧値とd軸等価抵抗値との間の関係、及び、q軸電流値と前記スイッチング素子に印加される電圧値とq軸等価抵抗値との間の関係が記憶され、
前記電圧検出器により検出される実際の電圧値と前記相電流座標変換部により求められる前記d軸電流値と前記q軸電流値に基づき、前記記憶部から前記d軸等価抵抗値と前記q軸等価抵抗値が読み出され、
前記目標印加電圧値として、以下の式(1)、(2)から、d軸目標印加電圧値V d とq軸目標印加電圧値V q が求められ、
V d =(R+PL d )・I d * −ω・L q ・I q * …(1)
V q =(R+PL q )・I q * −ω・L d ・I d * +ω・Φ…(2)
前記電圧降下値として、以下の式(3)、(4)から、d軸電圧降下値δV d とq軸電圧降下値δV q が求められ、
δV d =R d ・I d …(3)
δV q =R q ・I q …(4)
前記電圧指令値として、以下の式(5)、(6)から、d軸電圧指令値V d * とq軸電圧指令値V q * が求められ、
V d * =V d +δV d …(5)
V q * =V q +δV q …(6)
式(1)〜(6)において、R d は前記記憶部から読み出されたd軸等価抵抗値、R q は前記記憶部から読み出されたq軸等価抵抗値、I d はd軸電流値、I q はq軸電流値、Rは予め求められた前記3相コイルの抵抗、Pは微分演算子、L d は予め求められた前記3相コイルのd軸自己インダクタンス、L q は予め求められた前記3相コイルのq軸自己インダクタンス、I d * はd軸電流指令値、I q * はq軸電流指令値、ωは前記ロータの角速度、Φは予め求められた前記3相コイルの鎖交磁束数の最大値の(3/2) 1/2 であるモータ用制御装置。
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