JP5021688B2 - Atomic layer growth equipment - Google Patents
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Description
本発明は、基板上に薄膜を形成する原子層成長（以下、省略してＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）ともいう）装置に関する。 The present invention relates to an atomic layer growth (hereinafter abbreviated as ALD (Atomic Layer Deposition)) apparatus for forming a thin film on a substrate.
ＡＬＤ法は、形成しようとする膜を構成する元素を主成分とする２種類のガスを成膜対象基板上に交互に供給し、基板上に原子層単位で薄膜を形成することを複数回繰り返して所望厚さの膜を形成する薄膜形成技術である。例えば、基板上にＳｉＯ2膜を形成する場合、Ｓｉを含む原料ガスとＯを含む酸化ガスが用いられる。また、基板上に窒化膜を形成する場合、酸化ガスの代わりに窒化ガスが用いられる。 In the ALD method, two types of gas mainly composed of elements constituting a film to be formed are alternately supplied onto a film formation target substrate, and a thin film is formed on the substrate in units of atomic layers repeatedly several times. This is a thin film forming technique for forming a film having a desired thickness. For example, when a SiO 2 film is formed on a substrate, a source gas containing Si and an oxidizing gas containing O are used. Further, when a nitride film is formed on the substrate, a nitriding gas is used instead of the oxidizing gas.
ＡＬＤ法は、原料ガスを供給している間に１層あるいは数層の原料ガス成分だけが基板表面に吸着され、余分な原料ガスは成長に寄与しない、いわゆる成長の自己停止作用（セルフリミット機能）を利用する。 In the ALD method, only one layer or several layers of source gas components are adsorbed on the substrate surface while the source gas is supplied, and the excess source gas does not contribute to the growth. ).
ＡＬＤ法は、一般的なＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法と比較して高い段差被覆性と膜厚制御性を併せ持ち、メモリ素子のキャパシタや、「high-kゲート」と呼ばれる絶縁膜の形成への実用化が期待されている。また、３００℃〜４００℃の温度で絶縁膜が形成可能であるため、液晶ディスプレイなどのように、ガラス基板を用いる表示装置の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の形成への適用なども期待されている。 The ALD method has high step coverage and film thickness controllability compared to the general CVD (Chemical Vapor Deposition) method, and is suitable for the formation of capacitors for memory elements and insulating films called “high-k gates”. Practical use is expected. In addition, since an insulating film can be formed at a temperature of 300 ° C. to 400 ° C., application to the formation of a gate insulating film of a thin film transistor of a display device using a glass substrate such as a liquid crystal display is also expected.
下記特許文献１には、基板上に薄膜を形成するＡＬＤ装置であって、少なくとも一種類の原料ガスを基板に吸着させる原料ガス吸着室と、少なくとも一種類の反応性ガスを基板に照射する反応性ガス照射室と、上記原料ガス吸着室と反応性ガス照射室との間で基板を入れ替える手段と、を有するＡＬＤ装置が記載されている。
当該装置は、ＡＬＤ法による真空成膜において、成膜室の頻繁なメンテナンスが不要で効率良く成膜しうる装置を提供することを課題として実現されたものである。
The following Patent Document 1 discloses an ALD apparatus for forming a thin film on a substrate, a source gas adsorption chamber that adsorbs at least one type of source gas to the substrate, and a reaction that irradiates the substrate with at least one type of reactive gas An ALD apparatus having a reactive gas irradiation chamber and means for replacing a substrate between the source gas adsorption chamber and the reactive gas irradiation chamber is described.
This apparatus is realized as an object to provide an apparatus capable of forming a film efficiently without requiring frequent maintenance of a film formation chamber in vacuum film formation by the ALD method.
上記特許文献１では、必要な工程毎に成膜室を分けたことにより、原料ガス吸着室、反応性ガス照射室のいずれにおいても、室内の壁面に成膜されることがなく、従来のような成膜室のメンテナンスが不要になる。さらに、成膜室を分けたことにより、反応性の高いラジカルを有効に使うことが可能になる、と記載されている。しかし、このような装置は、装置自体が大掛かりになり、コストは増大する。特に、一辺が２ｍを超える第８世代以降のガラス板等を、薄膜を形成する対象基板とした場合、設置面積および設備コストは大幅に増大する。 In the above-mentioned Patent Document 1, since the film forming chamber is divided for each necessary process, neither the source gas adsorption chamber nor the reactive gas irradiation chamber is deposited on the wall surface of the room, as in the prior art. Maintenance of the film forming chamber becomes unnecessary. Further, it is described that by separating the film formation chamber, it is possible to use a highly reactive radical effectively. However, such an apparatus becomes large and the cost increases. In particular, when an 8th generation glass plate or the like having a side exceeding 2 m is used as a target substrate on which a thin film is formed, the installation area and the equipment cost are greatly increased.
一方、薄膜の形成を、１つの成膜室で行うことも可能であるが、成膜室の内壁面全体に薄膜が形成され、この薄膜が内壁面から剥離することによりパーティクルとなって薄膜に付着する場合もある。これにより薄膜形成の歩留まりに影響を与える。さらに、成膜室の内壁面全体に薄膜が形成されるので、装置クリーニング等のメンテナンスが増大する。クリーニングのために、成膜室内で生成したプラズマを用いてドライエッチングによりクリーニングすることも可能であるが、内壁面をきれいにクリーニングすることは難しい。特に、一辺が２ｍを超える第８世代以降のガラス板等を対象基板とする大型の装置では、成膜室の内壁面のクリーニングは困難である。 On the other hand, although it is possible to form a thin film in one film forming chamber, a thin film is formed on the entire inner wall surface of the film forming chamber, and the thin film is peeled off from the inner wall surface to become particles and turn into thin film It may adhere. This affects the yield of thin film formation. Further, since a thin film is formed on the entire inner wall surface of the film forming chamber, maintenance such as apparatus cleaning is increased. For the cleaning, it is possible to clean by dry etching using plasma generated in the film formation chamber, but it is difficult to clean the inner wall surface. In particular, it is difficult to clean the inner wall surface of the film forming chamber in a large-sized apparatus that uses a glass plate or the like of the eighth generation or more whose one side exceeds 2 m as a target substrate.
そこで、本発明は、上記問題点を解消するために、容易にクリーニングすることのできるメンテナンスの容易な原子層成長装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an atomic layer growth apparatus which can be easily cleaned and can be easily maintained in order to solve the above problems.
上記目的は、基板上に薄膜を形成する以下の原子層成長装置により達成することができる。
すなわち、原子層成長装置は、
（Ａ）所定の圧力を維持する第１の内部空間を形成する成膜容器と、
（Ｂ）前記第１の内部空間内に設けられ、設定された圧力を 維持する、前記第１の内部空間から隔離された第２の内部空間を形成する筒形状のリアクタ容器と、
（Ｃ）前記第１の内部空間内に設けられ、前記リアクタ容器に隣接して設けられたヒータと、
（Ｄ）前記第２の内部空間内に設けられ、薄膜を形成する基板を載置する載置機構と、
（Ｅ）前記第２の内部空間内の基板に向けて、薄膜を形成する原料ガスを供給する、前記リアクタ容器の前記筒形状の長手方向に沿って延びる原料ガス供給ヘッドと、を有する。
その際、前記載置機構は、基板の面が前記リアクタ容器の前記筒形状の長手方向に平行になるように基板を載置する。また、前記ヒータの少なくとも一部は、前記リアクタ容器を挟んで前記原料ガス供給ヘッドに沿うように前記第２の内部空間の外側に、かつ前記筒形状の前記リアクタ容器の長手方向に沿って設けられる。
The above object can be achieved by the following atomic layer growth apparatus for forming a thin film on a substrate.
That is, the atomic layer growth apparatus
(A) a film forming container that forms a first internal space that maintains a predetermined pressure;
(B) a cylindrical reactor vessel that is provided in the first internal space and that forms a second internal space that is isolated from the first internal space and maintains a set pressure;
(C) a heater provided in the first internal space and provided adjacent to the reactor vessel;
(D) a mounting mechanism that is provided in the second internal space and mounts a substrate that forms a thin film;
(E) a raw material gas supply head extending along a longitudinal direction of the cylindrical shape of the reactor vessel, which supplies a raw material gas for forming a thin film toward the substrate in the second internal space.
At that time, the placement mechanism places the substrate such that the surface of the substrate is parallel to the longitudinal direction of the cylindrical shape of the reactor vessel. Further, at least a part of the heater is provided outside the second internal space along the source gas supply head across the reactor vessel and along the longitudinal direction of the cylindrical reactor vessel. It is done .
その際、前記原料ガス供給ヘッドは、前記筒形状の長手方向に沿って延びる面を有し、この面に複数のガス放射口を有し、原料ガスを前記ガス放射口から前記長手方向と直交する方向に向けて放射することにより、原料ガスを基板の面に向けて供給することが好ましい。
また、前記成膜容器は、前記成膜容器の底部を含む下側部分と、この下側部分以外の上側部分とに分離可能に構成され、
前記リアクタ容器は、前記成膜容器の底部から延びる支持機構を用いて前記第１の内部空間内に支持され、
前記成膜容器の底部は、前記成膜容器の前記上側部分に対して分離可能に上下方向に移動し、前記成膜容器の底部は下降して前記上側部分から分離することにより、前記リアクタ容器は前記成膜容器内から取り外されるように構成されていることが好ましい。
In that case, the source gas supply head has a surface extending along the longitudinal direction of the cylindrical shape, and has a plurality of gas emission ports on the surface, and the source gas is orthogonal to the longitudinal direction from the gas emission port. It is preferable that the source gas is supplied toward the surface of the substrate by radiating in the direction in which it is directed.
Further, the film formation container is configured to be separable into a lower part including the bottom of the film formation container and an upper part other than the lower part,
The reactor vessel is supported in the first internal space using a support mechanism extending from the bottom of the film formation vessel,
The bottom part of the film forming container moves in a vertical direction so as to be separable from the upper part of the film forming container, and the bottom part of the film forming container descends and separates from the upper part, whereby the reactor container Is preferably configured to be removed from the film formation container.
前記リアクタ容器は前記筒形状の両端に開口を有し、前記両端が水平方向に位置するように設けられ、前記リアクタ容器の前記筒状形状の一方の端の開口は、基板を搬入する搬入口であり、他方の端の開口は、余分な原料ガスを排気するとともに前記第２の内部空間の圧力を維持する排気部と接続された排気口である、ことが好ましい。 The reactor vessel has an opening at both ends of the cylindrical shape, said end is provided so as to be positioned in the horizontal direction, one opening end of the tubular shape of the reactor vessel, inlet port for carrying the substrate The opening at the other end is preferably an exhaust port connected to an exhaust unit that exhausts excess source gas and maintains the pressure in the second internal space.
前記原料ガス供給ヘッドは、前記リアクタ容器の天井面に前記筒状形状の長手方向に沿って延びるとともに、前記リアクタ容器の前記一方の端の開口外側に延びた延長部を有し、前記原料ガス供給ヘッドの前記延長部には、原料ガスを供給するガス供給管が接続されている、ことが好ましい。 The source gas supply head has an extension extending along the longitudinal direction of the cylindrical shape on the ceiling surface of the reactor vessel, and has an extension extending outside the opening of the one end of the reactor vessel, It is preferable that a gas supply pipe for supplying a raw material gas is connected to the extension portion of the supply head.
また、前記リアクタ容器の前記一方の端は、前記成膜容器の底部から前記第１の内部空間内を延びる立設部材を基準として位置決めされ、前記成膜容器の側壁には、前記第１の内部空間内を延び、前記他方の端から前記一方の端に向けて押さえることにより、前記リアクタ容器を前記成膜容器内の所定位置に固定する固定部材が設けられていることが好ましい。 The one end of the reactor container is positioned with reference to a standing member extending from the bottom of the film formation container into the first internal space. It is preferable that a fixing member is provided for fixing the reactor container at a predetermined position in the film forming container by extending in the internal space and pressing from the other end toward the one end.
その際、前記立設部材の、前記一方の端の開口側の部分には、基板を前記リアクタ容器内に搬入するときに基板を通すための孔と、この孔の開放を行うドア弁と、が設けられていることが好ましい。 At that time, in the opening side portion of the one end of the standing member, a hole for allowing the substrate to pass when the substrate is carried into the reactor vessel, and a door valve for opening the hole, Is preferably provided.
また、前記支持機構は、前記成膜容器の底部の面上を移動する移動機構を備え、前記成膜容器の底部の面は、水平面に対して一方向に傾斜した傾斜面であることが好ましい。 Further, it is preferable that the support mechanism includes a moving mechanism that moves on a bottom surface of the film formation container, and the bottom surface of the film formation container is an inclined surface inclined in one direction with respect to a horizontal plane. .
上述の原子層成長装置では、薄膜を形成するための原料ガスを加熱するヒータは、第１の内部空間に配置され、リアクタ容器により形成される第２の内部空間には、原料ガス供給ヘッドと載置機構と基板が設けられるので、成膜時に基板以外の部分が汚染される範囲はリアクタ容器内に制限される。このため、基板以外に薄膜が広範囲に形成されず、クリーニングが容易にでき、メンテナンスが容易になる。
また、成膜容器の底部を含む下側部分は、上側部分と分離可能に構成されているので、下側部分を分離することにより、リアクタ容器を成膜容器内から容易に取り出すことができ、クリーニング等のメンテナンスを容易に行うことができる。
In the above-described atomic layer growth apparatus, the heater for heating the raw material gas for forming the thin film is disposed in the first internal space, and the second internal space formed by the reactor vessel includes the raw material gas supply head and Since the mounting mechanism and the substrate are provided, the range in which portions other than the substrate are contaminated during film formation is limited to the reactor vessel. For this reason, a thin film is not formed in a wide range other than the substrate, cleaning is easy, and maintenance is facilitated.
Further, since the lower part including the bottom of the film formation container is configured to be separable from the upper part, the reactor container can be easily taken out from the film formation container by separating the lower part, Maintenance such as cleaning can be easily performed.
以下、本発明の原子層成長装置について詳細に説明する。
図１は、基板Ｓ上に薄膜を形成する原子層成長装置（以降、ＡＬＤ装置という）１０の概略の装置構成を示す断面図である。
原子層成長装置１０は、ＴＭＡ（Tri-Methyl-Aluminium）等の原料ガスと、オゾンＯ3等の原料ガスを交互に供給して、原子単位で積層して薄膜を形成する装置である。
Hereinafter, the atomic layer growth apparatus of the present invention will be described in detail.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic apparatus configuration of an atomic layer growth apparatus (hereinafter referred to as an ALD apparatus) 10 for forming a thin film on a substrate S.
The atomic layer growth apparatus 10 is an apparatus that forms a thin film by alternately supplying a source gas such as TMA (Tri-Methyl-Aluminium) and a source gas such as ozone O 3 and stacking them in units of atoms.
ＡＬＤ装置１０は、主に、成膜容器１２と、リアクタ容器１４と、ヒータ１６ａ，１６ｂと、載置機構１８と、シャワーヘッド（原料ガス供給ヘッド）２０と、を有する。成膜容器１２は、第１の内部空間２２を形成する外側容器であり、リアクタ容器１４は、第１の内部空間２２内に、第２の内部空間１５を形成する内側容器である。リアクタ容器１４は、第２の内部空間１５が一定の断面を持って一方向に延びた空間を有する筒形状を成している。
成膜容器１２はＳＵＳ等の金属材料で構成されている。成膜容器１２の上壁には、Ｎ2ガス（あるいは不活性ガス）を導入するガス導入孔が設けられ、図示されないガス供給部に接続されている。また、成膜容器１２の上壁には、排気部２４に接続される排気孔２６が設けられ、導入されたＮ2ガスの雰囲気を所定の圧力で維持するように構成されている。このように、第１の内部空間２２内で、Ｎ2ガスの雰囲気を維持するのは、後述するリアクタ容器１４の第２の内部空間１５から原料ガスが漏れても、成膜容器１２の内壁面に原料ガスの成分が吸着して汚染され難いようにするためである。
The ALD apparatus 10 mainly includes a film forming container 12, a reactor container 14, heaters 16a and 16b, a mounting mechanism 18, and a shower head (raw material gas supply head) 20. The film forming container 12 is an outer container that forms the first inner space 22, and the reactor container 14 is an inner container that forms the second inner space 15 in the first inner space 22. The reactor vessel 14 has a cylindrical shape in which the second internal space 15 has a space having a constant cross section and extending in one direction.
The film forming container 12 is made of a metal material such as SUS. A gas introduction hole for introducing N 2 gas (or inert gas) is provided on the upper wall of the film forming container 12 and is connected to a gas supply unit (not shown). Further, an exhaust hole 26 connected to the exhaust unit 24 is provided in the upper wall of the film forming container 12 so as to maintain the atmosphere of the introduced N 2 gas at a predetermined pressure. As described above, the atmosphere of N 2 gas is maintained in the first internal space 22 even if the source gas leaks from the second internal space 15 of the reactor container 14 described later. This is because the component of the source gas is adsorbed on the wall surface and is hardly contaminated.
成膜容器１２の図中左側の側壁には、貫通孔２５が設けられている。貫通孔２５には、排気部２６と接続する排気管が貫通している。この排気管は、後述するリアクタ容器１４と接続される。この排気管の内表面には、防着板２７が設けられている。一方、成膜容器１２の図中右側の側壁には、貫通孔２８が設けられている。この貫通孔２８は、側壁部材３０の開閉可能なシャッタ３０ａを備える孔３０ｂと対向する位置に設けられ、基板Ｓの搬入および搬出に用いられる。 A through hole 25 is provided in the left side wall of the film forming container 12 in the drawing. An exhaust pipe connected to the exhaust part 26 passes through the through hole 25. This exhaust pipe is connected to a reactor vessel 14 described later. An adhesion preventing plate 27 is provided on the inner surface of the exhaust pipe. On the other hand, a through hole 28 is provided in the right side wall of the film formation container 12 in the drawing. The through hole 28 is provided at a position opposite to the hole 30 b provided with the shutter 30 a that can be opened and closed on the side wall member 30, and is used for loading and unloading the substrate S.
成膜容器１２の図中左側の側壁内面には、この側壁からの第１の内部空間２２内に位置するリアクタ容器１４に向けて水平方向に延びる固定部材３２が設けられている。固定部材３２は、図中左側から順番に、角型ベローズ３２ａ、固定部本体３２ｂ、Ｏリング３２ｃ，スペーサ３２ｄ、Ｏリング３２ｅが配置されている。固定部材３２は、図示されないエアシリンダを用いて、図中左方向から右方向にリアクタ容器１４を押さえることにより、リアクタ容器１４を第１の内部空間２２内で所定位置に固定するように構成されている。 A fixing member 32 extending in the horizontal direction is provided on the inner surface of the left side wall of the film forming container 12 in the drawing toward the reactor container 14 located in the first internal space 22 from the side wall. In the fixing member 32, a rectangular bellows 32a, a fixing portion main body 32b, an O-ring 32c, a spacer 32d, and an O-ring 32e are arranged in order from the left side in the drawing. The fixing member 32 is configured to fix the reactor vessel 14 at a predetermined position in the first internal space 22 by pressing the reactor vessel 14 from the left direction to the right direction in the drawing using an air cylinder (not shown). ing.
成膜容器１２の底部１２ａの、図中右側の側壁近傍には、底部１２ａから第１の内部空間２２内に部材（立設部材）３４が立設し、スペーサ３６を挟んでリアクタ容器１４の一方の端を位置決めしている。リアクタ容器１４と部材３４との間には、Ｏリング３６ａ、スペーサ３６、Ｏリング３６ｂが順番に配置されている。部材３４の、リアクタ容器１４の一方の開口と対応する位置には、開閉可能なドア弁３４ａが設けられている。ドア弁３４ａが閉じられた状態では、第１の内部空間２２からリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５は隔離される。ドア弁３４ａは、基板Ｓの搬入、搬出の際、シャッタ３０ａと連動して開放され、基板Ｓは、孔３０ｂ、貫通孔２８を通り、リアクタ容器１４内の第２の内部空間１５に搬入されて載置される。また、貫通孔２８、孔３０ｂを通り、第２の内部空間１５から基板Ｓが搬出される。
このように、リアクタ容器１４の一方の端は、成膜容器１２の底部１２ａから第１の内部空間２２内を延びて立設する部材３４を基準として位置決めされ、成膜容器１２の側壁から第１の内部空間２２内を延びる固定部材３４が、リアクタ容器１４の他方の端（図中左側の端）から一方の端（図中右側の端）に向けて押さえることにより、リアクタ容器１４は成膜容器１２内の所定位置に位置決めされて固定される。
A member (standing member) 34 stands in the first internal space 22 from the bottom 12 a in the vicinity of the right side wall of the bottom portion 12 a of the film forming container 12, and the reactor container 14 is sandwiched between the spacers 36. One end is positioned. Between the reactor vessel 14 and the member 34, an O-ring 36a, a spacer 36, and an O-ring 36b are arranged in order. A door valve 34 a that can be opened and closed is provided at a position corresponding to one opening of the reactor vessel 14 of the member 34. When the door valve 34 a is closed, the second internal space 15 in the reactor vessel 14 is isolated from the first internal space 22. The door valve 34a is opened in conjunction with the shutter 30a when the substrate S is loaded and unloaded, and the substrate S passes through the hole 30b and the through hole 28 and is loaded into the second internal space 15 in the reactor vessel 14. Placed. Further, the substrate S is carried out from the second internal space 15 through the through hole 28 and the hole 30b.
As described above, one end of the reactor container 14 is positioned with reference to the member 34 that extends from the bottom 12 a of the film forming container 12 and extends in the first internal space 22, and is positioned from the side wall of the film forming container 12. 1, the fixing member 34 extending in the internal space 22 is pressed from the other end (the left end in the figure) toward the one end (the right end in the figure), whereby the reactor container 14 is formed. It is positioned and fixed at a predetermined position in the membrane container 12.
図中、第１の内部空間２２内のリアクタ容器１４の上方には、リアクタ容器１４に隣接してヒータ１６ａが設けられている。ヒータ１６ａは、リアクタ容器１４を通して第２の内部空間１５に供給される原料ガスを加熱する。ヒータ１６ａの配線等は、成膜容器１２の上部に設けられた貫通孔４０を通して外部に引き出され図示されない電源に接続されている。 In the figure, a heater 16 a is provided adjacent to the reactor vessel 14 above the reactor vessel 14 in the first internal space 22. The heater 16 a heats the source gas supplied to the second internal space 15 through the reactor vessel 14. The wiring and the like of the heater 16a are drawn to the outside through a through hole 40 provided in the upper part of the film forming container 12 and connected to a power source (not shown).
図中、第１の内部空間２２内のリアクタ容器１４の下方には、リアクタ容器１４に隣接してヒータ１６ｂが設けられている。ヒータ１６ｂは、リアクタ容器１４を通して第２の内部空間１５に載置される基板Ｓを加熱する。ヒータ１６ｂの配線等は、成膜容器１２の図示されない貫通孔を通して外部に引き出され図示されない電源に接続されている。 In the figure, a heater 16 b is provided adjacent to the reactor vessel 14 below the reactor vessel 14 in the first internal space 22. The heater 16 b heats the substrate S placed in the second internal space 15 through the reactor vessel 14. The wiring of the heater 16b is drawn to the outside through a through hole (not shown) of the film forming container 12 and connected to a power source (not shown).
ヒータ１６ｂの図中下方には、成膜容器１２の底部１２ａから延びる支持機構４２が設けられ、ヒータ１６ｂを介してリアクタ容器１４は第１の内部空間２２内の所定の高さに水平に配置されている。成膜容器１２の底部１２ａは、成膜容器１２の上側部分に対して、図示されない油圧シリンダ等の移動機構を介して分離可能に上下方向に移動する。図１は、底部１２ａが上昇したＡＬＤ装置１０の状態を示している。底部１２ａは、成膜容器１２の上側部分に対して、Ｏリング４４を境にして下降する。本実施形態では、底部１２ａのみが上側部分に分離可能に構成されている。しかし、底部１２ａを含む下側部分が、上側部分に分離して、成膜容器１２の内部にあるリアクタ容器１４を取り出すことができる限りにおいては、分離位置は特に制限されない。 A support mechanism 42 extending from the bottom 12a of the film forming container 12 is provided below the heater 16b in the figure, and the reactor container 14 is horizontally disposed at a predetermined height in the first internal space 22 via the heater 16b. Has been. The bottom portion 12a of the film forming container 12 moves up and down in a separable manner with respect to the upper portion of the film forming container 12 via a moving mechanism such as a hydraulic cylinder (not shown). FIG. 1 shows the state of the ALD apparatus 10 with the bottom 12a raised. The bottom portion 12a descends with respect to the upper portion of the film formation container 12 with the O-ring 44 as a boundary. In the present embodiment, only the bottom portion 12a is configured to be separable into the upper portion. However, the separation position is not particularly limited as long as the lower portion including the bottom portion 12a is separated into the upper portion and the reactor vessel 14 in the film forming vessel 12 can be taken out.
一方、底部１２ａと接触する支持機構４２の先端部分には、車輪（キャスタ）等の移動機構４２ａが設けられている。成膜容器１２の底部１２ａの内壁面は、図中左方向が水平面に対してレベルの下がった傾斜面をなしている。このため、固定部材３２がリアクタ容器１４に対する押さえを解除して底部１２ａが下降すると、支持機構４２は図中左方向に転がり易くなり、リアクタ容器１４およびヒータ１６ｂは移動が容易になる。このように、成膜容器１２の底部１２ａは下降して成膜容器１２の上側部分から分離されることにより、リアクタ容器１４は成膜容器内１２から取り外されるように構成されている。 On the other hand, a moving mechanism 42a such as a wheel (caster) is provided at the tip of the support mechanism 42 that contacts the bottom 12a. The inner wall surface of the bottom portion 12a of the film forming container 12 forms an inclined surface whose level in the left direction is lower than the horizontal plane. For this reason, when the fixing member 32 releases the press against the reactor vessel 14 and the bottom portion 12a is lowered, the support mechanism 42 is easy to roll in the left direction in the figure, and the reactor vessel 14 and the heater 16b are easily moved. As described above, the bottom portion 12 a of the film forming container 12 is lowered and separated from the upper portion of the film forming container 12, whereby the reactor container 14 is configured to be removed from the film forming container 12.
リアクタ容器１４は、第１の内部空間２２内に設けられ、設定された圧力を維持する第２の内部空間１５を形成する。第２の内部空間１５は、第１の内部空間１２と隔離されている。
リアクタ容器１４は、両端に開口を有する筒形状を成し、第１の内部空間２２内に水平に位置するように、支持機構４２により支持されている。リアクタ容器１４は、安定した材質の点から石英が好適に用いられる。また、基板Ｓをガラス基板とした場合、材料自体が略同じであるため、基板Ｓに異なる成分が付着する心配もない。
リアクタ容器１４内の第２の内部空間１５には、図中上側から順番に、原料ガス供給ヘッド２０、載置機構１８、および基板温度モニタ４６が設けられている。基板Ｓは、載置機構１８に載せられ、原料ガス供給ヘッド２０と対向するように配置される。
The reactor vessel 14 is provided in the first internal space 22 and forms a second internal space 15 that maintains a set pressure. The second internal space 15 is isolated from the first internal space 12.
The reactor vessel 14 has a cylindrical shape having openings at both ends, and is supported by a support mechanism 42 so as to be positioned horizontally in the first internal space 22. Quartz is preferably used for the reactor vessel 14 in terms of a stable material. Further, when the substrate S is a glass substrate, since the materials themselves are substantially the same, there is no concern that different components adhere to the substrate S.
In the second internal space 15 in the reactor vessel 14, a source gas supply head 20, a mounting mechanism 18, and a substrate temperature monitor 46 are provided in order from the upper side in the drawing. The substrate S is placed on the placement mechanism 18 and disposed so as to face the source gas supply head 20.
原料ガス供給ヘッド２０は、リアクタ容器１４の筒状形状の長手方向に沿って、リアクタ容器１４の内側の天井面に配置され、長手方向に沿って延びる、原料ガス供給ヘッド２０の面に、基板Ｓの面に向けて上方から下方に原料ガスを放射するための微細な多数の孔４８が設けられたシャワーヘッドを有する。原料ガスはヒータ１６ａで高温に加熱されて原料ガスの成分が基板Ｓに吸着されるように、シャワーヘッドから原料ガスが基板Ｓに向けて流れる。このように、原料ガス供給ヘッド２０は、載置された基板Ｓの面に対向するように第２の内部空間内に設けられ、薄膜を形成する原料ガスを、ヒータ１６ａから加熱を受けた状態で基板Ｓの面に向けて垂直方向に放射して供給する。 The raw material gas supply head 20 is disposed on the inner surface of the reactor vessel 14 along the longitudinal direction of the cylindrical shape of the reactor vessel 14 and extends along the longitudinal direction. The shower head is provided with a large number of fine holes 48 for radiating the source gas from the upper side to the lower side toward the surface of S. The source gas flows from the shower head toward the substrate S so that the source gas is heated to a high temperature by the heater 16a and the components of the source gas are adsorbed to the substrate S. As described above, the source gas supply head 20 is provided in the second internal space so as to face the surface of the substrate S placed thereon, and the source gas forming the thin film is heated from the heater 16a. To radiate in the vertical direction toward the surface of the substrate S.
図２（ａ），（ｂ）は、リアクタ容器１４の概略を示す側面図および正面から見た縦断面図である。
原料ガスとして、例えばＴＭＡのガス、Ｏ3のガス（オゾンガス）が用いられ、アルミニウムの酸化膜が形成される場合、まず、ＴＭＡのガスを流し、このガスの成分を基板Ｓに吸着させた後、Ｏ3のガスを流して基板Ｓに吸着された原料ガスの成分を酸化する。ＴＭＡのガス、Ｏ3のガスを交互に流すとき、原料ガスの交換の切り替え時、Ｎ2ガスをパージガスとして流して、原料ガスの交換を確実に行う。
リアクタ容器１４の部材３４が設けられている側の原料供給ヘッド２０の端には、原料ガスとＮ2ガスを供給するためのガス供給管２０ａ，２０ｂ，２０ｃが設けられており、ガス供給管２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、成膜容器１２の底部１２ａから外部に引き出され、図示されないガス供給部と接続されている。すなわち、原料ガス供給ヘッド２０は、リアクタ容器１４の天井面に筒状形状の長手方向に沿って延びるとともに、リアクタ容器１４の開口外側のスペーサ３６の位置まで延びた延長部２１を有し、この延長部２１に、原料ガスを供給するガス供給管２０ａ，２０ｂ，２０ｃが接続されている。
2A and 2B are a side view showing an outline of the reactor vessel 14 and a longitudinal sectional view seen from the front.
For example, when a TMA gas or an O 3 gas (ozone gas) is used as the source gas and an aluminum oxide film is formed, first, the TMA gas is flowed and the components of the gas are adsorbed on the substrate S. , O 3 gas is flowed to oxidize the components of the source gas adsorbed on the substrate S. When the TMA gas and the O 3 gas are alternately flowed, the N 2 gas is allowed to flow as a purge gas when the replacement of the raw material gas is switched to ensure the replacement of the raw material gas.
Gas supply pipes 20a, 20b, and 20c for supplying raw material gas and N 2 gas are provided at the end of the raw material supply head 20 on the side where the member 34 of the reactor vessel 14 is provided. 20a, 20b, and 20c are drawn out from the bottom 12a of the film forming container 12 and connected to a gas supply unit (not shown). That is, the source gas supply head 20 has an extension 21 extending along the longitudinal direction of the tubular shape on the ceiling surface of the reactor vessel 14 and extending to the position of the spacer 36 outside the opening of the reactor vessel 14. Gas supply pipes 20a, 20b, and 20c that supply a source gas are connected to the extension portion 21.
一方、リアクタ容器１４のガス供給管２０ａ，２０ｂ，２０ｃが設けられている側と反対の側の開口は、排気部２６に接続される排気口となっている。排気部２６は、第２の内部空間１５内の余分な原料ガスを排気するとともに第２の内部空間１５の圧力を維持するように機能する。 On the other hand, the opening on the side opposite to the side where the gas supply pipes 20 a, 20 b and 20 c of the reactor vessel 14 are provided is an exhaust port connected to the exhaust unit 26. The exhaust unit 26 functions to exhaust excess source gas in the second internal space 15 and maintain the pressure in the second internal space 15.
リアクタ容器１４の第２の内部空間１５の下部には、基板Ｓを載置する載置機構１８が設けられている。本実施形態では、基板Ｓを複数の箇所で支持する載置ピンで構成されているが、載置機構１８は載置ピンに制限されず、他の公知手段であってもよい。
載置機構１８では、基板Ｓは、リアクタ容器１４の筒形状の長手方向に平行に配置されるように設けられ、リアクタ容器１４の筒状形状の図１中、右側の端の開口から、基板Ｓを搬入する。
A placement mechanism 18 for placing the substrate S is provided below the second internal space 15 of the reactor vessel 14. In the present embodiment, the substrate S is configured by mounting pins that support the substrate S at a plurality of locations, but the mounting mechanism 18 is not limited to the mounting pins, and may be other known means.
In the mounting mechanism 18, the substrate S is provided so as to be arranged in parallel with the longitudinal direction of the cylindrical shape of the reactor vessel 14. From the opening at the right end in the cylindrical shape of the reactor vessel 14 in FIG. S is carried in.
載置機構１８の下方には基板温度モニタ４６が設けられている。基板温度モニタ４６は、基板Ｓの温度を監視する熱電対で構成されている。モニタの信号は図示されない信号線を介して、成膜容器１４の外側に設けられたモニタ制御部に供給され、ヒータ１６ｂの制御を行う。 A substrate temperature monitor 46 is provided below the mounting mechanism 18. The substrate temperature monitor 46 is composed of a thermocouple that monitors the temperature of the substrate S. A monitor signal is supplied to a monitor control unit provided outside the film forming container 14 via a signal line (not shown) to control the heater 16b.
以上のように、リアクタ容器１４の第２の内部空間１５には、原料ガス供給ヘッド２０、基板Ｓ、載置機構１８、および基板温度モニタ４６が設けられているだけなので、基板Ｓ以外に薄膜が付着したクリーニングすべき領域は、リアクタ容器１４内に限られる。このため、メンテナンスが容易である。
また、リアクタ容器１４は、成膜容器１２から取り出し可能な構造になっているので、クリーニング等のメンテナンスを容易に行うことができる。
As described above, since the source gas supply head 20, the substrate S, the mounting mechanism 18, and the substrate temperature monitor 46 are only provided in the second internal space 15 of the reactor vessel 14, a thin film other than the substrate S is provided. The area to be cleaned with the adhering to is limited to the reactor vessel 14. For this reason, maintenance is easy.
In addition, since the reactor container 14 has a structure that can be taken out from the film forming container 12, maintenance such as cleaning can be easily performed.
このようなＡＬＤ装置１０は、リアクタ容器１４のクリーニングを行う場合、底部１２ａが図示されない油圧シリンダ等の移動機構を介して下側に移動して、成膜容器１２の上側部分から分離される。このとき、固定部材３２によるリアクタ容器１４に対する押さえは除去される。これによりリアクタ容器１４の固定は解除され、底部１２ａに載っているリアクタ容器１４は、ヒータ１６ｂとともに下方に移動する。 In such an ALD apparatus 10, when the reactor container 14 is cleaned, the bottom 12 a moves downward via a moving mechanism such as a hydraulic cylinder (not shown) and is separated from the upper part of the film forming container 12. At this time, the press against the reactor vessel 14 by the fixing member 32 is removed. Thereby, the fixation of the reactor vessel 14 is released, and the reactor vessel 14 placed on the bottom 12a moves downward together with the heater 16b.
図３は、リアクタ容器１４の底部１２ａが下降した状態を示している。この状態において、支持機構４２は、底部１２ａの傾斜面上にあるので、移動機構４２ａにより図３中左側（矢印方向）に容易に移動することができる。
こうして、底部１２ａとともに図中左に移動したリアクタ容器１４は、ヒータ１６ｂから取り外される。このように、成膜容器１２内に設けたリアクタ容器１４を容易にとりだすことができるので、リアクタ容器１４のクリーニングを容易に行うことができる。クリーニングは、例えばウェットエッチング等を行う。
FIG. 3 shows a state where the bottom 12a of the reactor vessel 14 is lowered. In this state, since the support mechanism 42 is on the inclined surface of the bottom portion 12a, the support mechanism 42 can be easily moved to the left (arrow direction) in FIG. 3 by the moving mechanism 42a.
Thus, the reactor vessel 14 moved to the left in the drawing together with the bottom 12a is removed from the heater 16b. Thus, the reactor container 14 provided in the film forming container 12 can be easily taken out, so that the reactor container 14 can be easily cleaned. Cleaning is performed by wet etching, for example.
なお、第１の内部空間２２を真空状態に減圧するのは、ヒータ１６ａの素子の酸化を防止するためであり、しかも低圧のＮ2ガス雰囲気とすることによりいっそう酸化を防止することができる。 The reason why the first internal space 22 is reduced to a vacuum state is to prevent the elements of the heater 16a from being oxidized, and the oxidation can be further prevented by using a low-pressure N 2 gas atmosphere.
以上、本発明の原子層成長装置について詳細に説明したが、本発明の原子層成長装置は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。 As described above, the atomic layer growth apparatus of the present invention has been described in detail. However, the atomic layer growth apparatus of the present invention is not limited to the above embodiment, and various improvements and modifications can be made without departing from the gist of the present invention. Of course it is also good.
１０ 原子層成長装置
１２ 成膜容器
１４ リアクタ容器
１５ 第２の内部空間
１６ａ，１６ｂ ヒータ
１８ 載置機構
２０ 原料ガス供給ヘッド
２１ 延長部
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ ガス供給管
２２ 第１の内部空間
２４ 排気部
２５，２６，２８，４０ 貫通孔
２７ 防着版
３０ 側壁部材
３０ａ シャッタ
３０ｂ，４８ 孔
３２ 固定部材
３２ａ 角型ベローズ
３２ｂ 固定部本体
３２ｄ スペーサ
３２ｃ，３２ｅ，３６ａ，３６ｂ，４４ Ｏリング
３４ 部材
３４ａ ドア弁
４２ 支持機構
４２ａ 移動機構
４６ 基板温度モニタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Atomic layer growth apparatus 12 Film-forming container 14 Reactor container 15 2nd internal space 16a, 16b Heater 18 Mounting mechanism 20 Raw material gas supply head 21 Extension part 20a, 20b, 20c Gas supply pipe 22 1st internal space 24 Exhaust Portions 25, 26, 28, 40 Through-hole 27 Adhering plate 30 Side wall member 30a Shutter 30b, 48 Hole 32 Fixing member 32a Square bellows 32b Fixing part main body 32d Spacers 32c, 32e, 36a, 36b, 44 O-ring 34 Member 34a Door valve 42 Support mechanism 42a Moving mechanism 46 Substrate temperature monitor
Claims (8)
所定の圧力を維持する第１の内部空間を形成する成膜容器と、
前記第１の内部空間内に設けられ、設定された圧力を 維持する、前記第１の内部空間から隔離された第２の内部空間を形成する筒形状のリアクタ容器と、
前記第１の内部空間内に設けられ、前記リアクタ容器に隣接して設けられたヒータと、 前記第２の内部空間内に設けられ、薄膜を形成する基板を載置する載置機構と、
前記第２の内部空間内の基板に向けて、薄膜を形成する原料ガスを供給する、前記リアクタ容器の前記筒形状の長手方向に沿って延びる原料ガス供給ヘッドと、を有し、
前記載置機構は、基板の面が前記リアクタ容器の前記筒形状の長手方向に平行になるように基板を載置し、
前記ヒータの少なくとも一部は、前記リアクタ容器を挟んで前記原料ガス供給ヘッドに沿うように前記第２の内部空間の外側に、かつ前記筒形状の前記リアクタ容器の長手方向に沿って設けられる、ことを特徴とする原子層成長装置。 An atomic layer growth apparatus for forming a thin film on a substrate,
A film forming container that forms a first internal space that maintains a predetermined pressure;
A cylindrical reactor vessel that is provided in the first internal space and that forms a second internal space that is isolated from the first internal space and maintains a set pressure;
A heater provided in the first internal space and adjacent to the reactor vessel; a mounting mechanism provided in the second internal space for mounting a substrate for forming a thin film;
Toward the substrate of the second internal space, supplying a source gas for forming a thin film, have a, a raw material gas supply head extending along a longitudinal direction of the cylindrical shape of the reactor vessel,
The placing mechanism places the substrate so that the surface of the substrate is parallel to the longitudinal direction of the cylindrical shape of the reactor vessel,
At least a part of the heater is provided outside the second internal space along the source gas supply head across the reactor vessel and along the longitudinal direction of the cylindrical reactor vessel. An atomic layer growth apparatus characterized by that.
所定の圧力を維持する第１の内部空間を形成する成膜容器と、
前記第１の内部空間内に設けられ、設定された圧力を維持する、前記第１の内部空間から隔離された第２の内部空間を形成する筒形状のリアクタ容器と、
前記第１の内部空間内に設けられ、前記リアクタ容器に隣接して設けられたヒータと、 前記第２の内部空間内に設けられ、薄膜を形成する基板を載置する載置機構と、
前記第２の内部空間に向けて、薄膜を形成する原料ガスを供給する原料ガス供給ヘッドと、を有し、
前記載置機構は、前記基板が前記筒形状の長手方向に平行に配置されるように設けられ、
前記成膜容器は、前記成膜容器の底部を含む下側部分と、この下側部分以外の上側部分とに分離可能に構成され、
前記リアクタ容器は、前記成膜容器の底部から延びる支持機構を用いて前記第１の内部空間内に支持され、
前記成膜容器の底部は、前記成膜容器の前記上側部分に対して分離可能に上下方向に移動し、前記成膜容器の底部は下降して前記上側部分から分離することにより、前記リアクタ容器は前記成膜容器内から取り外されるように構成されている、ことを特徴とする原子層成長装置。 An atomic layer growth apparatus for forming a thin film on a substrate,
A film forming container that forms a first internal space that maintains a predetermined pressure;
A cylindrical reactor vessel that is provided in the first internal space and that maintains a set pressure and forms a second internal space isolated from the first internal space;
A heater provided in the first internal space and adjacent to the reactor vessel; a mounting mechanism provided in the second internal space for mounting a substrate for forming a thin film;
Toward the second internal space, it possesses a raw material gas supply head for supplying a raw material gas for forming a thin film, and
The placement mechanism is provided so that the substrate is arranged in parallel to the longitudinal direction of the cylindrical shape,
The film formation container is configured to be separable into a lower part including the bottom of the film formation container and an upper part other than the lower part,
The reactor vessel is supported in the first internal space using a support mechanism extending from the bottom of the film formation vessel,
The bottom part of the film forming container moves in a vertical direction so as to be separable from the upper part of the film forming container, and the bottom part of the film forming container descends and separates from the upper part, whereby the reactor container wherein is configured to be removed from the deposition container, atomic layer deposition apparatus, characterized in that the.
前記成膜容器の側壁には、前記第１の内部空間内を延び、前記他方の端から前記一方の端に向けて押さえることにより、前記リアクタ容器を前記成膜容器内の所定位置に固定する固定部材が設けられている、請求項４または５に記載の原子層成長装置。 The one end of the reactor vessel is positioned with reference to a standing member extending from the bottom of the film formation vessel into the first internal space,
The reactor vessel is fixed at a predetermined position in the film formation container by extending in the first internal space on the side wall of the film formation container and pressing the other end toward the one end. The atomic layer growth apparatus according to claim 4, wherein a fixing member is provided.
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