JP4992863B2 - Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device inspection apparatus used therefor - Google Patents

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device inspection apparatus used therefor Download PDF

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Description

本発明は、半導体基板に形成されている半導体素子と、半導体基板の表裏面に備えられた複数の導体とを有して構成される半導体装置に対して、半導体基板の表裏面に備えられている導体に電圧を印加することにより電気的特性を検査する工程を含む半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体装置の検査装置に関する。   The present invention provides a semiconductor device having a semiconductor element formed on a semiconductor substrate and a plurality of conductors provided on the front and back surfaces of the semiconductor substrate. The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device including a step of inspecting electrical characteristics by applying a voltage to a conductor, and a semiconductor device inspection apparatus used therefor.

従来より、半導体基板に形成されている半導体素子と、半導体基板の表裏面に備えられた複数の導体とを有して構成される半導体装置を製造するに際し、半導体装置の電気的特性を検査する検査工程が行われている。具体的には、半導体装置の表裏面に備えられている導体に検査装置を用いて電圧を印加することにより半導体装置の良不良判定を行う工程を行っている。   Conventionally, when manufacturing a semiconductor device including a semiconductor element formed on a semiconductor substrate and a plurality of conductors provided on the front and back surfaces of the semiconductor substrate, the electrical characteristics of the semiconductor device are inspected. An inspection process is being carried out. Specifically, a step of determining whether the semiconductor device is good or bad is performed by applying a voltage to conductors provided on the front and back surfaces of the semiconductor device using an inspection device.

半導体装置を検査する検査装置は、例えば、チャック台と、プローバと、テスタとを有して構成されている（例えば、特許文献１参照）。チャック台は、半導体基板を保持するものであり、半導体基板の裏面に備えられている裏面導体と電気的に接続される検査用電極を半導体基板が保持される面の全面に備えている。プローバは、半導体基板を挟んでチャック台と反対側に配置されるものであり、半導体基板の表面に備えられている表面導体と電気的に接続されるプローブ針を備えている。また、テスタは、プローバおよびチャック台と電気的に接続されており、プローブ針および検査用電極を介して表面導体および裏面導体に電圧を印加して半導体装置の電気的特性を検査するものである。   An inspection apparatus for inspecting a semiconductor device includes, for example, a chuck base, a prober, and a tester (see, for example, Patent Document 1). The chuck base holds the semiconductor substrate, and includes an inspection electrode that is electrically connected to the back conductor provided on the back surface of the semiconductor substrate on the entire surface on which the semiconductor substrate is held. The prober is disposed on the opposite side of the chuck base across the semiconductor substrate and includes a probe needle that is electrically connected to a surface conductor provided on the surface of the semiconductor substrate. The tester is electrically connected to the prober and the chuck base, and inspects the electrical characteristics of the semiconductor device by applying a voltage to the front and back conductors via the probe needle and the inspection electrode. .

そして、このような検査装置を用いて半導体装置の電気的特性の検査が次のように行われる。まず、半導体装置の裏面に備えられている裏面導体と検査用電極とが電気的に接続されるように、半導体基板をチャック台に保持する。その後、プローブ針を半導体装置の表面に備えられている表面導体に接触させ、テスタによりプローブ針とチャック台に備えられている検査用電極に電圧を印加する。これにより、半導体装置の電気的特性の検査が行われる。
特開平６−２４２１７７号公報 Then, the inspection of the electrical characteristics of the semiconductor device is performed as follows using such an inspection apparatus. First, the semiconductor substrate is held on the chuck base so that the back conductor provided on the back surface of the semiconductor device and the inspection electrode are electrically connected. Thereafter, the probe needle is brought into contact with a surface conductor provided on the surface of the semiconductor device, and a voltage is applied to the probe needle and the inspection electrode provided on the chuck base by a tester. Thereby, the electrical characteristics of the semiconductor device are inspected.
JP-A-6-242177

しかしながら、上記の半導体装置の検査装置では、半導体装置の裏面に備えられている裏面導体はチャック台に備えられている検査用電極と一様に接触することになる。このため、例えば、互いに異なる電圧が印加されて使用される二つの裏面導体を有する半導体装置では、各裏面導体が一様に検査用電極と接触してしまうためそれぞれの裏面導体に異なる電圧を印加することができず、半導体装置の検査を行うことが困難であるという問題がある。   However, in the inspection apparatus for a semiconductor device described above, the back conductor provided on the back surface of the semiconductor device comes into uniform contact with the inspection electrode provided on the chuck base. For this reason, for example, in a semiconductor device having two back conductors that are used by applying different voltages to each other, each back conductor is uniformly in contact with the inspection electrode, so a different voltage is applied to each back conductor. There is a problem that it is difficult to inspect the semiconductor device.

したがって、このような異なる電圧が印加されて使用される二つの裏面導体を備えた半導体装置では、半導体基板をチップ単位に分割した後にパッケージ等に組み付け、各裏面導体と電気的に接続される配線をそれぞれパッケージの外部に引き出し、配線を介してそれぞれの裏面導体に電圧を印加することで半導体装置の検査を行うことが考えられる。しかしながら、このような半導体装置の検査方法では、半導体装置の検査工程が増加すると共に複雑になるという問題がある。   Therefore, in a semiconductor device having two back conductors that are used by applying such different voltages, the semiconductor substrate is divided into chips and then assembled into a package or the like and electrically connected to each back conductor. It is conceivable that the semiconductor device is inspected by pulling out each of them to the outside of the package and applying a voltage to each back conductor through the wiring. However, such a method for inspecting a semiconductor device has a problem that the number of inspection steps for the semiconductor device increases and becomes complicated.

本発明は上記点に鑑みて、半導体基板の裏面に備えられた異なる電圧が印加されて使用される複数の導体を有する半導体装置において、半導体基板をチップ単位に分割することなく、半導体装置の検査を行うことができる検査工程を含む半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体装置の検査装置を提供することを目的とする。   In view of the above, the present invention provides a semiconductor device having a plurality of conductors that are used by applying different voltages provided on the back surface of a semiconductor substrate, and inspecting the semiconductor device without dividing the semiconductor substrate into chips. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device including an inspection process capable of performing the above and a semiconductor device inspection apparatus used therefor.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体基板（１）に形成された半導体素子と、半導体基板（１）の表面に備えられた複数の表面導体（２）と、半導体基板（１）の裏面に備えられた第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）と、を有して構成される半導体装置の製造方法であって、以下の工程を行うことを特徴としている。まず、半導体基板（１）に半導体素子を形成する工程と、半導体基板（１）の表面に半導体基板（１）の外部と電気的に接続される表面導体（２）を配置する工程と、半導体基板（１）の裏面に半導体基板（１）の外部と電気的に接続される第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）を配置する工程とを行う。続いて、板状部材であり、板状部材を構成する絶縁部（３１）と、絶縁部（３１）の表面および裏面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、第１導電部（３２）と第２導電部（３３）とが絶縁されている中間配線層（３０）を用意し、中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に第１導電部（３２）と第１裏面導体（３）とが電気的に接続されると共に第２導電部（３３）と第２裏面導体とが電気的に接続されるように配置する工程を行う。その後、中間配線層（３０）のうち半導体基板（１）と反対側の面において第１導電部（３２）と対応する部分に形成された第１電極（４２）と第２導電部（３３）と対応する部分に形成された第２電極（４３）とを有するチャック台（４０）を用意し、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）をチャック台（４０）に配置することにより、第１導電部（３２）を介して第１裏面導体（３）と第１電極（４２）とを電気的に接続すると共に第２導電部（３３）を介して第２裏面導体（４）と第２電極（４３）とを電気的に接続する工程を行う。続いて、複数のプローブ針（５１）を備えた可動用プローバ（５０）を用意し、半導体基板（１）を挟んでチャック台（４０）と反対側に可動用プローバ（５０）を配置して可動用プローバ（５０）に備えられたプローブ針（５１）を表面導体（２）に接触させる工程を行う。次に、チャック台（４０）および可動用プローバ（５０）と電気的に接続されているテスタ（６０）を用意し、テスタ（６０）により第１、第２導電部（３２、３３）、第１、第２電極（４２、４３）およびプローブ針（５１）を介して表面導体（２）および第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することで半導体装置における電気的特性の検査を行う工程を行う。   To achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a semiconductor element formed on a semiconductor substrate (1), a plurality of surface conductors (2) provided on the surface of the semiconductor substrate (1), and a semiconductor A method for manufacturing a semiconductor device comprising a first back conductor (3) and a second back conductor (4) provided on the back surface of a substrate (1), wherein the following steps are carried out: It is a feature. First, a step of forming a semiconductor element on the semiconductor substrate (1), a step of disposing a surface conductor (2) electrically connected to the outside of the semiconductor substrate (1) on the surface of the semiconductor substrate (1), and a semiconductor The process of arrange | positioning the 1st back surface conductor (3) and the 2nd back surface conductor (4) electrically connected with the exterior of a semiconductor substrate (1) on the back surface of a board | substrate (1) is performed. Then, it is a plate-shaped member, the insulating part (31) which comprises a plate-shaped member, the 1st electroconductive part (32) provided so that it may be exposed from the surface and back surface of an insulating part (31), and 2nd An intermediate wiring layer (30) provided with a conductive portion (33), in which the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are insulated, is prepared, and the intermediate wiring layer (30) is formed on a semiconductor substrate (30). The first conductive portion (32) and the first back conductor (3) are electrically connected to the back surface of 1), and the second conductive portion (33) and the second back conductor are electrically connected to the back surface of 1). The process of arrange | positioning is performed. Thereafter, a first electrode (42) and a second conductive portion (33) formed in a portion corresponding to the first conductive portion (32) on the surface of the intermediate wiring layer (30) opposite to the semiconductor substrate (1). A chuck base (40) having a second electrode (43) formed in a portion corresponding to the semiconductor substrate (1) and disposing the semiconductor substrate (1) on the chuck base (40) through the intermediate wiring layer (30). Thus, the first back conductor (3) and the first electrode (42) are electrically connected via the first conductive part (32) and the second back conductor (4) via the second conductive part (33). ) And the second electrode (43) are electrically connected. Subsequently, a movable prober (50) having a plurality of probe needles (51) is prepared, and the movable prober (50) is disposed on the opposite side of the chuck base (40) with the semiconductor substrate (1) interposed therebetween. A step of bringing the probe needle (51) provided in the movable prober (50) into contact with the surface conductor (2) is performed. Next, a tester (60) electrically connected to the chuck base (40) and the movable prober (50) is prepared, and the first and second conductive parts (32, 33), the first tester (60) are prepared by the tester (60). 1. Electrical characteristics of the semiconductor device by applying a voltage to the surface conductor (2) and the first and second back conductors (3, 4) via the first and second electrodes (42, 43) and the probe needle (51). The process of performing the inspection is performed.

このような半導体装置の製造方法では、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）の裏面に備えられている第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）がチャック台（４０）に備えられている第１電極（４２）および第２電極（４３）とそれぞれ電気的に接続されている。このため、第１裏面導体（３）に印加される電圧と第２裏面導体（４）に印加される電圧とを異なる電圧とすることができ、半導体基板（１）の裏面に備えられた異なる電圧が印加されて使用される第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）を有する半導体装置においても半導体基板（１）をチップ単位に分割することなく、半導体装置の検査を行うことができる。   In such a method of manufacturing a semiconductor device, the first back conductor (3) and the second back conductor (4) provided on the back surface of the semiconductor substrate (1) through the intermediate wiring layer (30) are attached to the chuck base ( 40) are electrically connected to the first electrode (42) and the second electrode (43), respectively. For this reason, the voltage applied to the first back conductor (3) and the voltage applied to the second back conductor (4) can be different voltages, and the different voltages provided on the back surface of the semiconductor substrate (1). Even in a semiconductor device having a first back conductor (3) and a second back conductor (4) used by applying a voltage, the semiconductor device is inspected without dividing the semiconductor substrate (1) into chips. Can do.

例えば、請求項２に記載の発明のように、中間配線層（３０）として、第１導電部（３２）が半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成されていると共に第２導電部（３３）が半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成され、第１導電部（３２）および第２導電部（３３）をそれぞれ第１棒状部（３２ｂ）と第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置されたものを用意する。そして、中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に配置する工程では、第１棒状部（３２ｂ）が第１裏面導体（３）と接触すると共に第２棒状部（３３ｂ）が第２裏面導体（４）と接触するように中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に配置する。その後、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）をチャック台（４０）に配置する工程では、第１電極（４２）が第１支持部（３２ａ）と接触すると共に第２電極（４３）が第２支持部（３３ａ）と接触するように中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）をチャック台（４０）に配置することもできる。   For example, as in the second aspect of the present invention, as the intermediate wiring layer (30), the first conductive portion (32) includes a semicircular arc-shaped first support portion (32a) and a first support portion (32a). A plurality of first rod-shaped portions (32b) protruding in the direction, and the second conductive portion (33) is a semicircular arc-shaped second support portion (33a) and a second support portion (33a). And a plurality of second rod-shaped portions (33b) projecting in one direction from the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33), respectively. What is alternately arranged so as to face the second rod-shaped portion (33b) is prepared. In the step of disposing the intermediate wiring layer (30) on the back surface of the semiconductor substrate (1), the first rod-shaped portion (32b) contacts the first back-surface conductor (3) and the second rod-shaped portion (33b) is the first. 2 The intermediate wiring layer (30) is arranged on the back surface of the semiconductor substrate (1) so as to be in contact with the back conductor (4). Thereafter, in the step of placing the semiconductor substrate (1) on the chuck base (40) via the intermediate wiring layer (30), the first electrode (42) comes into contact with the first support portion (32a) and the second electrode ( It is also possible to arrange the semiconductor substrate (1) on the chuck base (40) through the intermediate wiring layer (30) so that 43) contacts the second support part (33a).

さらに、請求項３に記載の発明のように、絶縁部（３１）の表面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）を備えた中間配線層（３０）を用意する。そして、中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に、第１導電部（３２）と第１裏面導体（３）とが電気的に接続され、第２導電部（３３）と第２裏面導体（４）とが電気的に接続されると共に、第１導電部（３２）および第２導電部（３３）の一部分が中間配線層（３０）のうち半導体基板（１）側の面から露出されるように配置する工程を行う。続いて、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）をチャック台（４０）に配置する工程を行った後、複数のプローブ針（７１）を備えた固定用プローバ（７０）を用意して、半導体基板（１）を挟んでチャック台（４０）と反対側に固定用プローバ（７０）を配置して固定用プローバ（７０）に備えられているプローブ針（７１）を第１導電部（３２）および第２導電部（３３）のうち半導体基板（１）側の面から露出している一部分に接触させる工程を行う。その後、可動用プローバ（５０）を用意し、可動用プローバ（５０）に備えられたプローブ針（５１）を表面導体（２）に接触させる工程を行い、固定用プローバ（７０）および可動用プローバ（５０）と電気的に接続されているテスタ（６０）を用意して、テスタ（６０）により第１、第２導電部（３２、３３）、固定用プローバ（７０）に備えられたプローブ針（７１）および可動用プローバ（５０）に備えられたプローブ針（５１）を介して表面導体（２）および第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することで半導体装置における電気的特性の検査を行う工程を行ってもよい。   Further, as in the third aspect of the invention, the intermediate wiring layer including the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) which are provided so as to be exposed from the surface of the insulating portion (31). (30) is prepared. Then, the first conductive part (32) and the first back conductor (3) are electrically connected to the back surface of the semiconductor substrate (1) with the intermediate wiring layer (30), and the second conductive part (33) 2 The back conductor (4) is electrically connected, and a part of the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) is a surface on the semiconductor substrate (1) side of the intermediate wiring layer (30). The process of arrange | positioning so that it may be exposed from is performed. Subsequently, after performing the step of placing the semiconductor substrate (1) on the chuck base (40) via the intermediate wiring layer (30), a fixing prober (70) having a plurality of probe needles (71) is prepared. Then, the probe probe (71) provided in the fixing prober (70) is disposed on the opposite side of the chuck base (40) with the semiconductor substrate (1) interposed therebetween, and the probe needle (71) provided in the fixing prober (70) is electrically conductive. A step of contacting a part exposed from the surface on the semiconductor substrate (1) side of the part (32) and the second conductive part (33) is performed. Thereafter, a step of preparing a movable prober (50) and bringing the probe needle (51) provided in the movable prober (50) into contact with the surface conductor (2) is performed, and the fixing prober (70) and the movable prober are moved. The probe needle (60) electrically connected to (50) is prepared, and the probe needles provided on the first and second conductive parts (32, 33) and the fixing prober (70) by the tester (60) are prepared. In the semiconductor device, a voltage is applied to the surface conductor (2) and the first and second back conductors (3, 4) via the probe needle (51) provided in (71) and the movable prober (50). You may perform the process of test | inspecting an electrical property.

このような半導体装置の製造方法では、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）の裏面に備えられている第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）が固定用プローバ（７０）に備えられているプローブ針（７１）とそれぞれ電気的に接続されている。このため、第１裏面導体（３）に印加される電圧と第２裏面導体（４）に印加される電圧とを異なる電圧とすることができ、半導体基板（１）の裏面に備えられた異なる電圧が印加されて使用される第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）を有する半導体装置においても半導体基板（１）をチップ単位に分割することなく、半導体装置の検査を行うことができる。   In such a method of manufacturing a semiconductor device, the first back conductor (3) and the second back conductor (4) provided on the back surface of the semiconductor substrate (1) through the intermediate wiring layer (30) are fixed probers. The probe needle (71) included in (70) is electrically connected to each other. For this reason, the voltage applied to the first back conductor (3) and the voltage applied to the second back conductor (4) can be different voltages, and the different voltages provided on the back surface of the semiconductor substrate (1). Even in a semiconductor device having a first back conductor (3) and a second back conductor (4) used by applying a voltage, the semiconductor device is inspected without dividing the semiconductor substrate (1) into chips. Can do.

また、例えば、請求項４に記載の発明のように、中間配線層（３０）として、第１導電部（３２）が半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成されていると共に第２導電部（３３）が半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成され、第１導電部（３２）および第２導電部（３３）をそれぞれ第１棒状部（３２ｂ）と第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置されたものを用意する。そして、中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に配置する工程では、第１棒状部（３２ｂ）が第１裏面導体（３）と接触し、第２棒状部（３３ｂ）が第２裏面導体（４）と接触するようにすると共に、第１支持部（３２ａ）および第２支持部（３３ａ）が中間配線層（３０）のうち半導体基板（１）側の面から露出するように中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に配置する。その後、固定用プローバ（７０）に備えられたプローブ針（７１）を第１導電部（３２）および第２導電部（３３）のうち半導体基板（１）側の面から露出している一部分に接触させる工程では、固定用プローバ（７０）に備えられたプローブ針（７１）を第１支持部（３２ａ）および第２支持部（３３ａ）にそれぞれ接触させることもできる。   For example, as in the invention according to claim 4, as the intermediate wiring layer (30), the first conductive portion (32) is a semicircular arc-shaped first support portion (32a) and the first support portion (32a). The second support portion (33a) and the second support portion are configured to have a plurality of first rod-like portions (32b) projecting in one direction from the second conductive portion (33a) having a semicircular arc shape. A plurality of second rod-shaped portions (33b) projecting in one direction from (33a), and each of the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) is a first rod-shaped portion (32b). ) And the second rod-shaped portion (33b) are prepared alternately. In the step of arranging the intermediate wiring layer (30) on the back surface of the semiconductor substrate (1), the first rod-shaped portion (32b) is in contact with the first back-surface conductor (3), and the second rod-shaped portion (33b) is the first. (2) The first support portion (32a) and the second support portion (33a) are exposed from the surface of the intermediate wiring layer (30) on the semiconductor substrate (1) side while being in contact with the back conductor (4). The intermediate wiring layer (30) is disposed on the back surface of the semiconductor substrate (1). Thereafter, the probe needle (71) provided in the fixing prober (70) is exposed to a portion of the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) exposed from the surface on the semiconductor substrate (1) side. In the contacting step, the probe needle (71) provided in the fixing prober (70) can be brought into contact with the first support portion (32a) and the second support portion (33a), respectively.

また、請求項５に記載の発明のように、半導体装置の検査装置を、中間配線層（３０）、チャック台（４０）、可動用プローバ（５０）およびテスタ（６０）を有して構成することができる。中間配線層（３０）は、板状部材であり、板状部材を構成する絶縁部（３１）と、絶縁部（３１）の表面および裏面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、第１導電部（３２）と第２導電部（３３）とが絶縁されており、第１導電部（３２）と第１裏面導体（３）とが電気的に接続されると共に第２導電部（３３）と第２裏面導体とが電気的に接続されるように半導体基板（１）の裏面に配置されるものである。チャック台（４０）は、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）を保持し、中間配線層（３０）のうち半導体基板（１）と反対側の面において第１導電部（３２）と対応する部分に形成された第１電極（４２）と第２導電部（３３）と対応する部分に形成された第２電極（４３）とを有し、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）が配置されることにより、第１導電部（３２）を介して第１裏面導体（３）と第１電極（４２）とが電気的に接続されると共に第２導電部（３３）を介して第２裏面導体（４）と第２電極（４３）とが電気的に接続されるものである。可動用プローバ（５０）は、半導体基板（１）を挟んでチャック台（４０）と反対側に配置され、表面導体（２）とそれぞれ電気的に接続されるプローブ針（５１）を備えたものである。テスタ（６０）は、可動用プローバ（５０）およびチャック台（４０）と電気的に接続され、第１、第２導電部（３２、３３）、第１、第２電極（４２、４３）およびプローブ針（５１）を介して表面導体（２）および第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することにより半導体装置における電気的特性の検査を行うものである。   According to a fifth aspect of the present invention, a semiconductor device inspection apparatus includes an intermediate wiring layer (30), a chuck base (40), a movable prober (50), and a tester (60). be able to. The intermediate wiring layer (30) is a plate-like member, and includes an insulating portion (31) constituting the plate-like member, and a first conductive portion (exposed to be exposed from the front and back surfaces of the insulating portion (31)) 32) and the second conductive portion (33), the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are insulated, and the first conductive portion (32) and the first back conductor (3) And the second conductive portion (33) and the second back conductor are arranged on the back surface of the semiconductor substrate (1). The chuck base (40) holds the semiconductor substrate (1) via the intermediate wiring layer (30), and the first conductive portion (32) on the surface of the intermediate wiring layer (30) opposite to the semiconductor substrate (1). ) And a second electrode (43) formed in a portion corresponding to the second conductive portion (33), and the intermediate wiring layer (30) is interposed therebetween. By arranging the semiconductor substrate (1), the first back conductor (3) and the first electrode (42) are electrically connected via the first conductive part (32) and the second conductive part. The second back conductor (4) and the second electrode (43) are electrically connected via (33). The movable prober (50) is disposed on the opposite side of the chuck base (40) across the semiconductor substrate (1), and includes a probe needle (51) electrically connected to the surface conductor (2). It is. The tester (60) is electrically connected to the movable prober (50) and the chuck base (40), and the first and second conductive portions (32, 33), the first and second electrodes (42, 43), and The electrical characteristics of the semiconductor device are inspected by applying a voltage to the surface conductor (2) and the first and second back conductors (3, 4) via the probe needle (51).

このような半導体装置の検査装置では、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）の裏面に備えられている第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）をチャック台（４０）に備えられている第１電極（４２）および第２電極（４３）とそれぞれ電気的に接続することができる。このため、第１裏面導体（３）に印加される電圧と第２裏面導体（４）に印加される電圧とを異なる電圧とすることができ、半導体基板（１）の裏面に備えられた異なる電圧が印加されて使用される第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）を有する半導体装置においても半導体基板（１）をチップ単位に分割することなく、半導体装置の検査を行うことができる。   In such a semiconductor device inspection apparatus, the first back conductor (3) and the second back conductor (4) provided on the back surface of the semiconductor substrate (1) through the intermediate wiring layer (30) are connected to the chuck base ( 40) can be electrically connected to the first electrode (42) and the second electrode (43), respectively. For this reason, the voltage applied to the first back conductor (3) and the voltage applied to the second back conductor (4) can be different voltages, and the different voltages provided on the back surface of the semiconductor substrate (1). Even in a semiconductor device having a first back conductor (3) and a second back conductor (4) used by applying a voltage, the semiconductor device is inspected without dividing the semiconductor substrate (1) into chips. Can do.

また、例えば、請求項６に記載の発明のように、中間配線層（３０）を、第１導電部（３２）を半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成すると共に第２導電部（３３）を半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成し、第１導電部（３２）および第２導電部（３３）をそれぞれ第１棒状部（３２ｂ）と第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置することができる。そして、中間配線層（３０）のうち、第１棒状部（３２ｂ）を第１裏面導体（３）と電気的に接続すると共に第２棒状部（３３ｂ）を第２裏面導体（４）と電気的に接続し、第１支持部（３２ａ）を第１電極（４２）と電気的に接続すると共に第２支持部（３３ａ）を第２電極（４３）と電気的に接続することができる。   Further, for example, as in the invention described in claim 6, the intermediate wiring layer (30), the first conductive portion (32) are semicircular arc-shaped first support portion (32a) and the first support portion (32a). And a plurality of first rod-shaped portions (32b) projecting in one direction from the second conductive portion (33) as a semicircular arc-shaped second support portion (33a) and a second support portion (33a). ) And a plurality of second rod-shaped portions (33b) projecting in one direction, and the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are respectively defined as the first rod-shaped portion (32b) and It can arrange | position alternately so that a 2nd rod-shaped part (33b) may oppose. In the intermediate wiring layer (30), the first rod-shaped portion (32b) is electrically connected to the first back conductor (3), and the second rod-shaped portion (33b) is electrically connected to the second back conductor (4). The first support part (32a) can be electrically connected to the first electrode (42) and the second support part (33a) can be electrically connected to the second electrode (43).

さらに、請求項７に記載の発明のように、半導体装置の検査装置を、中間配線層（３０）、チャック台（４０）、固定用プローバ（７０）、可動用プローバ（５０）、テスタ（６０）を有して構成することができる。中間配線層（３０）は、板状部材であり、板状部材を構成する絶縁部（３１）と、絶縁部（３１）の表面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、第１導電部（３２）と第２導電部（３３）とが絶縁されており、半導体基板（１）の裏面に、第１導電部（３２）と第１裏面導体（３）とが電気的に接続され、第２導電部（３３）と第２裏面導体（４）とが電気的に接続されると共に、第１導電部（３２）および第２導電部（３３）の一部分が半導体基板（１）側の面から露出されるように配置されるものである。チャック台（４０）は、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）を保持するものである。固定用プローバ（７０）は、半導体基板（１）を挟んでチャック台（４０）と反対側に配置され、中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に配置したときに第１導電部（３２）および第２導電部（３３）のうち半導体基板（１）側の面から露出している一部分とそれぞれ電気的に接続されるプローブ針（７１）を備えているものである。可動用プローバ（５０）は、半導体基板（１）を挟んでチャック台（４０）と反対側に配置され、表面導体（２）とそれぞれ電気的に接続されるプローブ針（５１）を備えているものである。テスタ（６０）は、可動用プローバ（５０）および固定用プローバ（７０）と電気的に接続され、第１、第２導電部（３２、３３）、固定用プローバ（７０）に備えられたプローブ針（７１）および可動用プローバ（５０）に備えられたプローブ針（５１）を介して表面導体（２）および第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することにより半導体装置における電気的特性の検査を行うものである。   Further, as in the invention described in claim 7, the semiconductor device inspection apparatus includes an intermediate wiring layer (30), a chuck base (40), a fixing prober (70), a movable prober (50), and a tester (60 ). The intermediate wiring layer (30) is a plate-like member. The insulating portion (31) constituting the plate-like member and the first conductive portion (32) provided to be exposed from the surface of the insulating portion (31). And the second conductive portion (33), the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are insulated, and the first conductive portion (32) is provided on the back surface of the semiconductor substrate (1). And the first back conductor (3) are electrically connected, the second conductive portion (33) and the second back conductor (4) are electrically connected, and the first conductive portion (32) and the first back conductor (3) are electrically connected. A part of the two conductive portions (33) is disposed so as to be exposed from the surface on the semiconductor substrate (1) side. The chuck base (40) holds the semiconductor substrate (1) via the intermediate wiring layer (30). The fixing prober (70) is disposed on the opposite side of the chuck base (40) with the semiconductor substrate (1) in between, and the first conductive layer is disposed when the intermediate wiring layer (30) is disposed on the back surface of the semiconductor substrate (1). The probe needle (71) electrically connected to the part exposed from the surface on the semiconductor substrate (1) side of the part (32) and the second conductive part (33) is provided. The movable prober (50) includes a probe needle (51) that is disposed on the opposite side of the chuck base (40) with the semiconductor substrate (1) in between and electrically connected to the surface conductor (2). Is. The tester (60) is electrically connected to the movable prober (50) and the fixed prober (70), and the first and second conductive parts (32, 33) and the probe provided in the fixed prober (70). Semiconductor device by applying voltage to the surface conductor (2) and the first and second back conductors (3, 4) via the probe needle (51) provided on the needle (71) and the movable prober (50) This is to inspect the electrical characteristics.

このような半導体装置の検査装置では、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）の裏面に備えられている第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）を固定用プローバ（７０）に備えられているプローブ針（７１）とそれぞれ電気的に接続することができる。このため、第１裏面導体（３）に印加される電圧と第２裏面導体（４）に印加される電圧とを異なる電圧とすることができ、半導体基板（１）の裏面に備えられた異なる電圧が印加されて使用される第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）を有する半導体装置においても半導体基板（１）をチップ単位に分割することなく、半導体装置の検査を行うことができる。   In such a semiconductor device inspection apparatus, the first back conductor (3) and the second back conductor (4) provided on the back surface of the semiconductor substrate (1) through the intermediate wiring layer (30) are fixed to the prober. Each of the probe needles (71) provided in (70) can be electrically connected. For this reason, the voltage applied to the first back conductor (3) and the voltage applied to the second back conductor (4) can be different voltages, and the different voltages provided on the back surface of the semiconductor substrate (1). Even in a semiconductor device having a first back conductor (3) and a second back conductor (4) used by applying a voltage, the semiconductor device is inspected without dividing the semiconductor substrate (1) into chips. Can do.

さらに、請求項８に記載の発明のように、中間配線層（３０）を、第１導電部（３２）を半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成すると共に第２導電部（３３）を半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成し、第１導電部（３２）および第２導電部（３３）をそれぞれ第１棒状部（３２ｂ）と第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置することができる。そして、中間配線層（３０）のうち、第１棒状部（３２ｂ）を第１裏面導体（３）と電気的に接続すると共に第２棒状部（３３ｂ）を第２裏面導体（４）と電気的に接続し、第１支持部（３２ａ）および第２支持部（３３ａ）を固定用プローバ（７０）に備えられたプローブ針（７１）とそれぞれ電気的に接続することができる。   Furthermore, as in the invention described in claim 8, the intermediate wiring layer (30) is formed by separating the first conductive portion (32) from the semicircular arc-shaped first support portion (32a) and the first support portion (32a). A plurality of first rod-shaped portions (32b) projecting in the direction and the second conductive portion (33) from the semicircular arc-shaped second support portion (33a) and the second support portion (33a). A plurality of second rod-shaped portions (33b) projecting in one direction, and the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are respectively composed of the first rod-shaped portion (32b) and the second rod-shaped portion (32b). It can arrange | position alternately so that a rod-shaped part (33b) may oppose. In the intermediate wiring layer (30), the first rod-shaped portion (32b) is electrically connected to the first back conductor (3), and the second rod-shaped portion (33b) is electrically connected to the second back conductor (4). And the first support part (32a) and the second support part (33a) can be electrically connected to the probe needle (71) provided in the fixing prober (70), respectively.

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。図１は本実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を備えた半導体基板の断面構成を示す図である。図２（ａ）は図１に示す半導体基板の上面図、図２（ｂ）は図１に示す半導体基板の裏面図である。なお、図１は図２中のＡ−Ａ断面図に相当している。 (First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a view showing a cross-sectional configuration of a semiconductor substrate provided with a semiconductor device manufactured by the semiconductor device manufacturing method of the present embodiment. 2A is a top view of the semiconductor substrate shown in FIG. 1, and FIG. 2B is a back view of the semiconductor substrate shown in FIG. 1 corresponds to a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.

図１および図２に示されるように、半導体基板１に本実施形態の半導体装置の製造方法により製造された複数の半導体装置１０が備えられている。具体的には、半導体基板１には、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ等の複数の半導体素子が備えられている。そして、半導体基板１の表面には半導体基板１の外部と電気的に接続される複数の表面パッド２が備えられ、半導体基板１の裏面には半導体基板１の外部と電気的に接続される第１裏面パッド３および第２裏面パッド４が備えられている。また、半導体基板１の表面には表面パッド２が露出するように表面保護膜５が配置されており、半導体基板１の裏面には第１、第２裏面パッド３、４がそれぞれ露出するように裏面保護膜６が配置されている。本実施形態では、半導体装置１０は、半導体素子、表面パッド２、第１裏面パッド３、第２裏面パッド４、表面保護膜５および裏面保護膜６を有して構成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, a semiconductor substrate 1 is provided with a plurality of semiconductor devices 10 manufactured by the semiconductor device manufacturing method of the present embodiment. Specifically, the semiconductor substrate 1 is provided with a plurality of semiconductor elements such as power MOSFETs, for example. The front surface of the semiconductor substrate 1 is provided with a plurality of surface pads 2 electrically connected to the outside of the semiconductor substrate 1, and the back surface of the semiconductor substrate 1 is electrically connected to the outside of the semiconductor substrate 1. A first back pad 3 and a second back pad 4 are provided. A surface protective film 5 is disposed on the front surface of the semiconductor substrate 1 so that the front surface pad 2 is exposed, and the first and second rear surface pads 3 and 4 are exposed on the back surface of the semiconductor substrate 1. A back surface protective film 6 is disposed. In the present embodiment, the semiconductor device 10 includes a semiconductor element, a front surface pad 2, a first back surface pad 3, a second back surface pad 4, a front surface protective film 5, and a back surface protective film 6.

なお、本実施形態では、表面パッド２が表面導体に相当し、第１、第２裏面パッド３、４が第１、第２裏面導体に相当している。また、本実施形態の半導体装置１０は、第１裏面パッド３と第２裏面パッド４とに異なる電圧が印加されて使用されるものである。   In the present embodiment, the front surface pad 2 corresponds to the front surface conductor, and the first and second back surface pads 3 and 4 correspond to the first and second back surface conductors. Further, the semiconductor device 10 of the present embodiment is used by applying different voltages to the first back surface pad 3 and the second back surface pad 4.

次に、このような半導体装置１０の製造工程について説明する。   Next, a manufacturing process of such a semiconductor device 10 will be described.

まず、半導体基板１に所望の半導体プロセスを実施して半導体素子を形成する工程を行う。次に、半導体基板１の表面に半導体基板１の外部と電気的に接続される表面パッド２を配置する工程を行うと共に、半導体基板１の裏面に半導体基板１の外部と電気的に接続される第１裏面導体３および第２裏面導体４を配置する工程を行う。続いて、半導体基板１の表面に表面パッド２が露出するように表面保護膜５を配置すると共に、半導体基板１の裏面に第１裏面パッド３および第２裏面パッド６がそれぞれ露出するように裏面保護膜６を配置する工程を行う。その後、各半導体装置１０に対して検査工程を行う。本実施形態では、半導体装置１０の検査工程は以下のように行われている。   First, a desired semiconductor process is performed on the semiconductor substrate 1 to form a semiconductor element. Next, a step of arranging a surface pad 2 electrically connected to the outside of the semiconductor substrate 1 on the surface of the semiconductor substrate 1 is performed, and the back surface of the semiconductor substrate 1 is electrically connected to the outside of the semiconductor substrate 1. A step of arranging the first back conductor 3 and the second back conductor 4 is performed. Subsequently, the surface protective film 5 is disposed so that the surface pad 2 is exposed on the surface of the semiconductor substrate 1, and the back surface so that the first back surface pad 3 and the second back surface pad 6 are exposed on the back surface of the semiconductor substrate 1. A step of disposing the protective film 6 is performed. Thereafter, an inspection process is performed on each semiconductor device 10. In the present embodiment, the inspection process of the semiconductor device 10 is performed as follows.

まず、かかる半導体装置１０の検査工程に用いられる半導体装置の検査装置について説明する。図３は、半導体基板１を備えた半導体装置の検査装置を示す部分断面模式図である。図３に示されるように、本実施形態における半導体装置の検査装置２０は、中間配線層３０と、チャック台４０と、可動用プローバ５０と、テスタ５０とを有して構成されている。   First, a semiconductor device inspection apparatus used in the inspection process of the semiconductor device 10 will be described. FIG. 3 is a partial cross-sectional schematic diagram showing an inspection apparatus for a semiconductor device including the semiconductor substrate 1. As shown in FIG. 3, the semiconductor device inspection apparatus 20 according to the present embodiment includes an intermediate wiring layer 30, a chuck base 40, a movable prober 50, and a tester 50.

中間配線層３０は半導体基板１の裏面に備えられるものである。図４は中間配線層３０が保持リングに備えられたときの上面図である。なお、図３中の中間配線層３０は、図４中のＢ−Ｂ断面図に相当している。図３および図４に示されるように、中間配線層３０は、本発明の板状部材に相当する円板部材とされている。そして、中間配線層３０は、絶縁部３１と、絶縁部３１の表面および裏面から露出するように形成されている第１導電部３２および第２導電部３３とを有して構成されており、第１導電部３２と第２導電部３３とが絶縁されている。   The intermediate wiring layer 30 is provided on the back surface of the semiconductor substrate 1. FIG. 4 is a top view when the intermediate wiring layer 30 is provided on the retaining ring. Note that the intermediate wiring layer 30 in FIG. 3 corresponds to the BB cross-sectional view in FIG. 4. As shown in FIGS. 3 and 4, the intermediate wiring layer 30 is a disk member corresponding to the plate member of the present invention. And the intermediate | middle wiring layer 30 is comprised including the insulating part 31, and the 1st conductive part 32 and the 2nd conductive part 33 which are formed so that it may be exposed from the surface and the back surface of the insulating part 31, The first conductive part 32 and the second conductive part 33 are insulated.

また、これら第１、第２導電部３２、３３は、半円弧形状とされている第１、第２支持部３２ａ、３３ａと、第１、第２支持部３２ａ、３３ａからそれぞれ一方向に突出している複数の第１、第２棒状部３２ｂ、３３ｂとを有して構成されており、それぞれ櫛歯形状とされている。そして、これら第１、第２導電部３２、３３はそれぞれ第１棒状部３２ｂと第２棒状部３３ｂとが対向するように交互に配置されている。   The first and second conductive portions 32 and 33 protrude in one direction from the first and second support portions 32a and 33a and the first and second support portions 32a and 33a, which are semicircular. The plurality of first and second rod-shaped portions 32b and 33b are each formed in a comb-teeth shape. And these 1st, 2nd electroconductive parts 32 and 33 are alternately arrange | positioned so that the 1st rod-shaped part 32b and the 2nd rod-shaped part 33b may respectively oppose.

また、中間配線層３０は中間配線層３０の外縁部に備えられた保持リング３４により保持されている。このような中間配線層３０は、例えば、円板部材を構成する絶縁部３１を用意し、絶縁部３１にレーザ等により上記形状の第１、第２導電部３２、３３を形成することで製造される。   The intermediate wiring layer 30 is held by a holding ring 34 provided at the outer edge of the intermediate wiring layer 30. Such an intermediate wiring layer 30 is manufactured, for example, by preparing an insulating portion 31 that constitutes a disk member, and forming the first and second conductive portions 32 and 33 having the above shapes on the insulating portion 31 with a laser or the like. Is done.

チャック台４０は、中間配線層３０を介して半導体基板１を保持すると共に、第１、第２裏面パッド３、４に電圧を印加するものである。図５はチャック台４０の上面図である。なお、図３中のチャック台４０は、図５中のＣ−Ｃ断面図に相当している。図３および図５に示されるように、チャック台４０には半導体基板１を保持する円板形状のステージ４１が備えられている。そして、ステージ４１には中間配線層３０のうち半導体基板１の反対側における第１支持部３２ａと対応する部分に第１電極４２が備えられていると共に第２支持部３３ａと対応する部分に第２電極４３が備えられている。本実施形態では、第１電極４２および第２電極４３は、第１支持部３２ａおよび第２支持部３３ａとそれぞれ対応した形状とされ、半円弧形状とされている。また、チャック台４０には図示しない吸引孔が備えられており、中間配線層３０を吸引することにより半導体基板１がチャック台４０に保持される。   The chuck base 40 holds the semiconductor substrate 1 via the intermediate wiring layer 30 and applies a voltage to the first and second backside pads 3 and 4. FIG. 5 is a top view of the chuck base 40. Note that the chuck base 40 in FIG. 3 corresponds to the CC cross-sectional view in FIG. As shown in FIGS. 3 and 5, the chuck base 40 is provided with a disk-shaped stage 41 that holds the semiconductor substrate 1. The stage 41 is provided with the first electrode 42 at a portion corresponding to the first support portion 32a on the opposite side of the semiconductor substrate 1 in the intermediate wiring layer 30, and at the portion corresponding to the second support portion 33a. Two electrodes 43 are provided. In the present embodiment, the first electrode 42 and the second electrode 43 have shapes corresponding to the first support portion 32a and the second support portion 33a, respectively, and have a semicircular arc shape. The chuck base 40 is provided with a suction hole (not shown), and the semiconductor substrate 1 is held on the chuck base 40 by sucking the intermediate wiring layer 30.

可動用プローバ５０は、複数のプローブ針５１を備えており、半導体基板１を挟んでチャック台４０と反対側に配置されるものである。また、可動用プローバ５０には図示しないスイッチングマトリクスが備えられており、スイッチングマトリクスにより後述するテスタ６０からの信号に基づいてプローブ針５１が作動される。   The movable prober 50 includes a plurality of probe needles 51 and is disposed on the opposite side of the chuck base 40 with the semiconductor substrate 1 interposed therebetween. Further, the movable prober 50 is provided with a switching matrix (not shown), and the probe needle 51 is operated based on a signal from a tester 60 described later by the switching matrix.

テスタ６０は、チャック台４０に備えられている第１、第２電極４２、４３および可動用プローバ５０に備えられているプローブ針５１に電気的に接続されており、第１、第２電極４２、４３およびプローブ針５１に電圧を印加することで半導体装置１０における電気的特性の検査を行うものである。   The tester 60 is electrically connected to the first and second electrodes 42 and 43 provided on the chuck base 40 and the probe needle 51 provided on the movable prober 50, and the first and second electrodes 42 are provided. , 43 and the probe needle 51 are used to inspect the electrical characteristics of the semiconductor device 10.

次に、上記半導体装置の検査装置２０を用いて行われる半導体装置１０の検査工程について説明する。   Next, an inspection process of the semiconductor device 10 performed using the semiconductor device inspection apparatus 20 will be described.

まず、中間配線層３０を半導体基板１の裏面に、第１裏面パッド３と第１導電部３２とが電気的に接続されると共に第２裏面パッド４と第２導電部３３とが電気的に接続されるように配置する工程を行う。本実施形態では、第１導電部３２のうち第１棒状部３２ｂが第１裏面導体３と接触すると共に第２導電部３３のうち第２棒状部３３ｂが第２裏面導体と接触するように中間配線層３０を半導体基板１の裏面に配置する工程を行っている。   First, the intermediate wiring layer 30 is electrically connected to the back surface of the semiconductor substrate 1, the first back surface pad 3 and the first conductive portion 32 are electrically connected, and the second back surface pad 4 and the second conductive portion 33 are electrically connected to each other. A step of arranging so as to be connected is performed. In the present embodiment, the first rod-shaped portion 32b of the first conductive portion 32 is in contact with the first back conductor 3 and the second rod-shaped portion 33b of the second conductive portion 33 is in contact with the second back conductor. A step of arranging the wiring layer 30 on the back surface of the semiconductor substrate 1 is performed.

その後、中間配線層３０をチャック台４０に備えられている吸引孔により吸引することで中間配線層３０を介して半導体基板１をチャック台４０に保持して、第１導電部３２を介して第１裏面パッド３と第１電極４２とを電気的に接続すると共に第２導電部３３を介して第２裏面パッド４と第２電極４３とを電気的に接続する工程を行う。本実施形態では、第１導電部３２のうち第１支持部３２ａが第１電極４２と接触すると共に第２導電部３３のうち第２支持部３３ａが第２電極４３と接触するように半導体基板１をチャック台４０に保持することにより、第１裏面パッド３と第１電極４２とを電気的に接続すると共に第２裏面パッド４と第２電極４３とを電気的に接続する工程を行っている。   After that, the semiconductor substrate 1 is held on the chuck base 40 via the intermediate wiring layer 30 by sucking the intermediate wiring layer 30 through the suction holes provided in the chuck base 40, and the first conductive portion 32 is used for the first wiring. A process of electrically connecting the first back surface pad 3 and the first electrode 42 and electrically connecting the second back surface pad 4 and the second electrode 43 via the second conductive portion 33 is performed. In the present embodiment, the first support portion 32 a of the first conductive portion 32 is in contact with the first electrode 42 and the second support portion 33 a of the second conductive portion 33 is in contact with the second electrode 43. 1 is held on the chuck base 40 to electrically connect the first back pad 3 and the first electrode 42 and to electrically connect the second back pad 4 and the second electrode 43. Yes.

続いて、半導体基板１を挟んでチャック台４０と反対側に可動用プローバを配置し、プローブ針５１をそれぞれ表面導体２に接触させてプローブ針５１と表面パッド２とを電気的に接続する工程を行う。   Subsequently, a step of disposing a movable prober on the opposite side of the chuck base 40 across the semiconductor substrate 1 and bringing the probe needles 51 into contact with the surface conductors 2 to electrically connect the probe needles 51 and the surface pads 2 respectively. I do.

そして、テスタ６０により、プローブ針５１を介して表面パッド２に電圧を印加すると共に、第１、第２電極４２、４３および第１、第２導電部３２、３３を介して第１裏面パッド３および第２裏面パッド４に電圧を印加することにより半導体装置１０における電気的特性の検査を行う。   Then, a voltage is applied to the front surface pad 2 by the tester 60 via the probe needle 51, and the first back surface pad 3 is transmitted via the first and second electrodes 42 and 43 and the first and second conductive portions 32 and 33. The electrical characteristics of the semiconductor device 10 are inspected by applying a voltage to the second back surface pad 4.

続いて、可動用プローバ５０を移動して半導体基板１に備えられている他の半導体装置１０にかかる電気的特性の検査工程を順次行う。そして、半導体装置１０の検査工程が全て終了した後、半導体基板１をチャック台４０から取り外すことにより半導体装置１０の製造工程を終了する。   Subsequently, the electrical probe inspection process for the other semiconductor devices 10 provided on the semiconductor substrate 1 is sequentially performed by moving the movable probe 50. Then, after all the inspection processes for the semiconductor device 10 are completed, the semiconductor substrate 1 is removed from the chuck base 40 to complete the manufacturing process for the semiconductor device 10.

このような半導体装置１０の製造方法では、半導体装置１０の検査工程において、半導体装置１０の裏面に備えられている第１裏面パッド３および第２裏面パッド４は中間配線層３０によりチャック台４０に備えられている第１電極４２および第２電極４３とそれぞれ電気的に接続されている。このため、第１裏面パッド３に印加される電圧と第２裏面パッド４に印加される電圧とを異なる電圧とすることができ、半導体基板１をチップ単位に分割することなく、半導体装置１０の検査工程を行うことができる。   In such a manufacturing method of the semiconductor device 10, in the inspection process of the semiconductor device 10, the first back surface pad 3 and the second back surface pad 4 provided on the back surface of the semiconductor device 10 are attached to the chuck base 40 by the intermediate wiring layer 30. Each of the first electrode 42 and the second electrode 43 provided is electrically connected. For this reason, the voltage applied to the 1st back pad 3 and the voltage applied to the 2nd back pad 4 can be made into a different voltage, and without dividing the semiconductor substrate 1 into a chip unit, the semiconductor device 10 of FIG. An inspection process can be performed.

また、半導体基板１とチャック台４０との間には中間配線層３０が配置されるため、第１裏面導体３および第２裏面導体４の形状が変更された場合でもチャック台４０に備えられる第１電極４２および第２電極４３の形状を変更しなくてもよい。つまり、本実施形態では、第１、第２棒状部３２ｂ、３３ｂはそれぞれ第１、第２裏面導体３、４に接触し、第１、第２支持部３２ａ、３３ａはそれぞれ第１、第２電極４２、４２に接触しているので、第１、第２裏面導体３、４の形状に合わせて第１、第２棒状部３２ｂ、３３ｂの形状のみを変更するのみでよく、第１、第２裏面導体３、４の形状に対応する第１、第２電極４１、４２を有するチャック台４０を新たに製造しなくてもよい。   In addition, since the intermediate wiring layer 30 is disposed between the semiconductor substrate 1 and the chuck base 40, even when the shapes of the first back surface conductor 3 and the second back surface conductor 4 are changed, the first that is provided in the chuck base 40. It is not necessary to change the shapes of the first electrode 42 and the second electrode 43. That is, in the present embodiment, the first and second rod-like parts 32b and 33b are in contact with the first and second back conductors 3 and 4, respectively, and the first and second support parts 32a and 33a are respectively first and second. Since the electrodes 42 and 42 are in contact with each other, it is only necessary to change the shapes of the first and second rod-like portions 32b and 33b in accordance with the shapes of the first and second back conductors 3 and 4; It is not necessary to newly manufacture the chuck base 40 having the first and second electrodes 41 and 42 corresponding to the shape of the two back conductors 3 and 4.

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置１０の製造方法は、第１実施形態に対して、チャック台４０に第１、第２電極４２、４３を配置する代わりに第１、第２裏面パッド３、４と電気的に接続されるプローブ針を備えた固定用プローバを追加したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。まず、本実施形態の半導体装置１０の検査工程に用いられる半導体装置の検査装置について説明する。図６は、半導体基板１を備えた半導体装置の検査装置を示す部分断面模式図である。 (Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described. The manufacturing method of the semiconductor device 10 of this embodiment is different from that of the first embodiment in that the first and second back pads 3 and 4 are electrically connected to the chuck base 40 instead of arranging the first and second electrodes 42 and 43. The prober for fixing provided with the probe needle to be connected is added, and the others are the same as those in the first embodiment, so that the description thereof is omitted here. First, a semiconductor device inspection apparatus used in the inspection process of the semiconductor device 10 of this embodiment will be described. FIG. 6 is a partial cross-sectional schematic diagram showing an inspection apparatus for a semiconductor device provided with the semiconductor substrate 1.

図６に示されるように、本実施形態の半導体装置１０の検査工程に用いられる半導体装置の検査装置２０は、中間配線層３０と、チャック台４０と、可動用プローバ５０と、テスタ６０と、固定用プローバ７０とを有して構成されている。   As shown in FIG. 6, the semiconductor device inspection apparatus 20 used in the inspection process of the semiconductor device 10 of the present embodiment includes an intermediate wiring layer 30, a chuck base 40, a movable prober 50, a tester 60, And a fixing prober 70.

本実施形態の中間配線層３０は、絶縁部３１と、絶縁部３１の表面から露出するように形成されている第１導電部３２および第２導電部３３とを有して構成されており、第１導電部３２と第２導電部３３とが絶縁されている。   The intermediate wiring layer 30 of the present embodiment includes an insulating part 31 and a first conductive part 32 and a second conductive part 33 that are formed so as to be exposed from the surface of the insulating part 31. The first conductive part 32 and the second conductive part 33 are insulated.

固定用プローバ７０は、複数のプローブ針７１を備えており、半導体基板１を挟んでチャック台４０と反対側に配置されるものである。   The fixing prober 70 includes a plurality of probe needles 71 and is disposed on the opposite side of the chuck base 40 with the semiconductor substrate 1 interposed therebetween.

テスタ６０は、可動用プローバ５０に備えられているプローブ針５１および固定用プローバ７０に備えられているプローブ針に電気的に接続されており、可動用プローバ５０に備えられているプローブ針５１および固定用プローバ７０に備えられているプローブ針７１に電圧を印加することで半導体装置１０における電気的特性の検査を行うものである。   The tester 60 is electrically connected to the probe needle 51 provided in the movable prober 50 and the probe needle provided in the fixed prober 70, and the probe needle 51 provided in the movable prober 50 and The electrical characteristics of the semiconductor device 10 are inspected by applying a voltage to the probe needle 71 provided in the fixing prober 70.

次に、本実施形態の半導体装置の検査装置２０を用いて行われる半導体装置１０の検査工程について説明する。   Next, an inspection process of the semiconductor device 10 performed using the semiconductor device inspection apparatus 20 of the present embodiment will be described.

まず、中間配線層３０を半導体基板１の裏面に、第１裏面パッド３と第１導電部３２とが電気的に接続され、第２裏面パッド４と第２導電部３３とが電気的に接続されると共に、第１導電部３２および第２導電部３３の一部分が半導体基板１側の面から露出されるように配置する工程を行う。図７は、半導体基板１の裏面に中間配線層３０を備えたときの上面図である。図６および図７に示されるように、本実施形態では、第１導電部３２のうち第１棒状部３２ｂが第１裏面導体３と接触し、第２導電部３３のうち第２棒状部３３ｂが第２裏面導体と接触するようにすると共に、第１導電部３２における第１支持部３２ａおよび第２導電部３３における第２支持部３３ａが中間配線層３０のうち半導体基板１側の面から露出するように中間配線層３０を半導体基板１の裏面に配置する工程を行っている。その後、中間配線層３０を介して半導体基板１をチャック台４０に配置する工程を行う。   First, the intermediate wiring layer 30 is electrically connected to the back surface of the semiconductor substrate 1, the first back surface pad 3 and the first conductive portion 32 are electrically connected, and the second back surface pad 4 and the second conductive portion 33 are electrically connected. In addition, a step of arranging the first conductive portion 32 and the second conductive portion 33 so as to be exposed from the surface on the semiconductor substrate 1 side is performed. FIG. 7 is a top view when the intermediate wiring layer 30 is provided on the back surface of the semiconductor substrate 1. As shown in FIGS. 6 and 7, in the present embodiment, the first rod-shaped portion 32 b of the first conductive portion 32 comes into contact with the first back conductor 3, and the second rod-shaped portion 33 b of the second conductive portion 33. Is in contact with the second back conductor, and the first support portion 32a in the first conductive portion 32 and the second support portion 33a in the second conductive portion 33 are connected to the semiconductor substrate 1 side of the intermediate wiring layer 30. The intermediate wiring layer 30 is disposed on the back surface of the semiconductor substrate 1 so as to be exposed. Thereafter, a step of placing the semiconductor substrate 1 on the chuck base 40 through the intermediate wiring layer 30 is performed.

そして、半導体基板１を挟んでチャック台４０と反対側に固定用プローバ７０を配置し、プローブ針７１を第１導電部３２および第２導電部３３のうち半導体基板１側の面から露出している一部分に接触させる工程を行う。本実施形態では、第１導電部３２および第２導電部３３のうち第１支持部３３ａおよび第２支持部３３ａが中間配線層３０における半導体基板１側の面から露出しているので、固定用プローバ７０に備えられたプローブ針７１を第１支持部３２ａおよび第２支持部３３ａにそれぞれ接触させる工程を行っている。   Then, a fixing prober 70 is disposed on the opposite side of the chuck base 40 across the semiconductor substrate 1, and the probe needle 71 is exposed from the surface of the first conductive portion 32 and the second conductive portion 33 on the semiconductor substrate 1 side. A step of contacting a part of the substrate is performed. In the present embodiment, the first support portion 33a and the second support portion 33a of the first conductive portion 32 and the second conductive portion 33 are exposed from the surface of the intermediate wiring layer 30 on the semiconductor substrate 1 side. A step of bringing the probe needle 71 provided in the prober 70 into contact with the first support portion 32a and the second support portion 33a is performed.

次に、可動用プローバ５０に備えられたプローブ針５１を表面パッド２にそれぞれ接触させる工程を行った後、テスタ６０により、固定用プローバ５０に備えられたプローブ針５１を介して表面パッド２に電圧を印加すると共に、固定用プローバ７０に備えられたプローブ針７１および第１、第２導電部３２、３３を介して第１裏面パッド３および第２裏面パッド４に電圧を印加することにより半導体装置１０における電気的特性の検査を行う。   Next, after performing a step of bringing the probe needles 51 provided in the movable prober 50 into contact with the surface pad 2, the tester 60 applies the probe needles 51 provided in the fixing prober 50 to the surface pad 2. A semiconductor is applied by applying a voltage to the first back surface pad 3 and the second back surface pad 4 via the probe needle 71 provided in the fixing prober 70 and the first and second conductive parts 32 and 33. The electrical characteristics of the apparatus 10 are inspected.

このような半導体装置１０の製造方法では、半導体装置１０の検査工程において、半導体装置１０の裏面に備えられている第１裏面パッド３および第２裏面パッド４は中間配線層３０を介して固定用プローバ７０に備えられているプローブ針７１とそれぞれ電気的に接続されている。したがって、第１裏面パッド３に印加される電圧と第２裏面パッド４に印加される電圧とを異なる電圧とすることができ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。   In such a manufacturing method of the semiconductor device 10, in the inspection process of the semiconductor device 10, the first back surface pad 3 and the second back surface pad 4 provided on the back surface of the semiconductor device 10 are fixed via the intermediate wiring layer 30. The probe needles 71 provided in the prober 70 are electrically connected to each other. Therefore, the voltage applied to the first back surface pad 3 and the voltage applied to the second back surface pad 4 can be different voltages, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.

（他の実施形態）
上記第１実施形態では、第１電極４２および第２電極４３は第１支持部３２ａおよび第２支持部３３ａと対応する形状とされている例を説明したが、もちろんこれに限定されるものではなく、第１電極４２および第２電極４３は第１導電部３２および第２導電部３３と電気的に接続されるように形成されていればよい。 (Other embodiments)
In the first embodiment, the example in which the first electrode 42 and the second electrode 43 have shapes corresponding to the first support portion 32a and the second support portion 33a has been described, but of course the invention is not limited thereto. Instead, the first electrode 42 and the second electrode 43 may be formed so as to be electrically connected to the first conductive portion 32 and the second conductive portion 33.

また、第１導電部３２および第２導電部３３はそれぞれ櫛歯形状とされていなくてもよく、第１導電部３２が第１裏面導体３と電気的に接続されていると共に第１電極４２と電気的に接続され、第２導電部３３が第２裏面導体４と電気的に接続されていると共に第２電極４３と電気的に接続されていればよい。   Further, the first conductive portion 32 and the second conductive portion 33 do not have to be comb-shaped, and the first conductive portion 32 is electrically connected to the first back conductor 3 and the first electrode 42. And the second conductive portion 33 may be electrically connected to the second back surface conductor 4 and electrically connected to the second electrode 43.

また、上記第１実施形態では、円板部材を構成する絶縁部３１に第１、第２導電部３２、３３を形成する方法を例に挙げて説明したが、例えば、円板部材を構成する導電部に導電部が第１、第２導電部３２、３３の形状となるように絶縁部３１を形成してもよい。   In the first embodiment, the method of forming the first and second conductive portions 32 and 33 in the insulating portion 31 constituting the disc member has been described as an example. For example, the disc member is constituted. The insulating part 31 may be formed in the conductive part so that the conductive part has the shape of the first and second conductive parts 32 and 33.

また、上記各実施形態では、半導体素子として、パワーＭＯＳＦＥＴを例に挙げて説明したが、半導体素子として、例えば、ＩＧＢＴ、ダイオードおよびキャパシタ等を用いて半導体装置１０を構成することもできる。   In each of the above embodiments, the power MOSFET is described as an example of the semiconductor element. However, the semiconductor device 10 may be configured using, for example, an IGBT, a diode, a capacitor, or the like as the semiconductor element.

本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を備えた半導体基板の断面構成を示す図である。It is a figure which shows the cross-sectional structure of the semiconductor substrate provided with the semiconductor device manufactured by the manufacturing method of the semiconductor device concerning 1st Embodiment of this invention. （ａ）は図１に示す半導体基板の表面図であり、（ｂ）は図１に示す半導体基板の裏面図である。(A) is a front view of the semiconductor substrate shown in FIG. 1, and (b) is a back view of the semiconductor substrate shown in FIG. 図１に示す半導体基板を備えた半導体装置の検査装置を示す部分断面模式図である。It is a partial cross section schematic diagram which shows the inspection apparatus of the semiconductor device provided with the semiconductor substrate shown in FIG. 図１に示す中間配線層が保持リングに備えられたときの上面図である。FIG. 3 is a top view when the intermediate wiring layer shown in FIG. 1 is provided in the retaining ring. 図１に示すチャック台の上面図である。It is a top view of the chuck stand shown in FIG. 本発明の第２実施形態にかかる半導体基板を備えた半導体装置の検査装置を示す部分断面模式図である。It is a partial cross-sectional schematic diagram which shows the inspection apparatus of the semiconductor device provided with the semiconductor substrate concerning 2nd Embodiment of this invention. 図６に示す半導体基板の裏面に中間配線層を備えたときの上面図である。FIG. 7 is a top view when an intermediate wiring layer is provided on the back surface of the semiconductor substrate shown in FIG. 6.

符号の説明Explanation of symbols

１ 半導体基板
２ 表面パッド
３ 第１裏面導体
４ 第２裏面導体
１０ 半導体装置
２０ 検査装置
３０ 中間配線層
３１ 絶縁部
３２ 第１導電部
３３ 第２導電部
４０ チャック台
４２ 第１電極
４３ 第２電極
５０ 可動用プローバ
６０ テスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor substrate 2 Front surface pad 3 1st back surface conductor 4 2nd back surface conductor 10 Semiconductor device 20 Inspection apparatus 30 Intermediate wiring layer 31 Insulation part 32 1st electroconductive part 33 2nd electroconductive part 40 Chuck base 42 1st electrode 43 2nd electrode 50 movable prober 60 tester

Claims (8)

半導体基板（１）に形成された半導体素子と、前記半導体基板（１）の表面に備えられた複数の表面導体（２）と、前記半導体基板（１）の裏面に備えられた第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）と、を有して構成される半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板（１）に前記半導体素子を形成する工程と、
前記半導体基板（１）の表面に前記半導体基板（１）の外部と電気的に接続される前記表面導体（２）を配置する工程と、
前記半導体基板（１）の裏面に前記半導体基板（１）の外部と電気的に接続される前記第１裏面導体（３）および前記第２裏面導体（４）を配置する工程と、
板状部材であり、前記板状部材を構成する絶縁部（３１）と、前記絶縁部（３１）の表面および裏面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、前記第１導電部（３２）と前記第２導電部（３３）とが絶縁されている中間配線層（３０）を用意し、前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に前記第１導電部（３２）と前記第１裏面導体（３）とが電気的に接続されると共に前記第２導電部（３３）と前記第２裏面導体とが電気的に接続されるように配置する工程と、
前記中間配線層（３０）のうち前記半導体基板（１）と反対側の面において前記第１導電部（３２）と対応する部分に形成された第１電極（４２）と前記第２導電部（３３）と対応する部分に形成された第２電極（４３）とを有するチャック台（４０）を用意し、前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）を前記チャック台（４０）に配置することにより、前記第１導電部（３２）を介して前記第１裏面導体（３）と前記第１電極（４２）とを電気的に接続すると共に前記第２導電部（３３）を介して前記第２裏面導体（４）と前記第２電極（４３）とを電気的に接続する工程と、
複数のプローブ針（５１）を備えた可動用プローバ（５０）を用意し、前記半導体基板（１）を挟んで前記チャック台（４０）と反対側に前記可動用プローバ（５０）を配置して前記可動用プローバ（５０）に備えられた前記プローブ針（５１）を前記表面導体（２）に接触させる工程と、
前記チャック台（４０）および前記可動用プローバ（５０）と電気的に接続されているテスタ（６０）を用意し、前記テスタ（６０）により前記第１、第２導電部（３２、３３）、前記第１、第２電極（４２、４３）および前記プローブ針（５１）を介して前記表面導体（２）および前記第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することで前記半導体装置における電気的特性の検査を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A semiconductor element formed on the semiconductor substrate (1), a plurality of surface conductors (2) provided on the surface of the semiconductor substrate (1), and a first back conductor provided on the back surface of the semiconductor substrate (1) (3) and a second back conductor (4), and a method of manufacturing a semiconductor device comprising:
Forming the semiconductor element on the semiconductor substrate (1);
Disposing the surface conductor (2) electrically connected to the outside of the semiconductor substrate (1) on the surface of the semiconductor substrate (1);
Disposing the first back conductor (3) and the second back conductor (4) electrically connected to the outside of the semiconductor substrate (1) on the back surface of the semiconductor substrate (1);
An insulating part (31) constituting the plate-like member, and a first conductive part (32) and a second conductive part provided so as to be exposed from the front and back surfaces of the insulating part (31). An intermediate wiring layer (30) is provided, wherein the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are insulated, and the intermediate wiring layer (30) is The first conductive portion (32) and the first back conductor (3) are electrically connected to the back surface of the semiconductor substrate (1), and the second conductive portion (33) and the second back conductor are connected to each other. Arranging to be electrically connected;
A first electrode (42) and a second conductive part (30) formed in a portion corresponding to the first conductive part (32) on the surface of the intermediate wiring layer (30) opposite to the semiconductor substrate (1). 33) and a chuck base (40) having a second electrode (43) formed in a corresponding part, and the semiconductor substrate (1) is attached to the chuck base (40) via the intermediate wiring layer (30). ) To electrically connect the first back conductor (3) and the first electrode (42) via the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33). Electrically connecting the second back conductor (4) and the second electrode (43) via
A movable prober (50) having a plurality of probe needles (51) is prepared, and the movable prober (50) is arranged on the opposite side of the chuck base (40) with the semiconductor substrate (1) interposed therebetween. Bringing the probe needle (51) provided in the movable prober (50) into contact with the surface conductor (2);
A tester (60) electrically connected to the chuck base (40) and the movable prober (50) is prepared, and the first and second conductive portions (32, 33) are prepared by the tester (60). The voltage is applied to the surface conductor (2) and the first and second back conductors (3, 4) through the first and second electrodes (42, 43) and the probe needle (51). And a step of inspecting electrical characteristics in the semiconductor device. 前記中間配線層（３０）として、前記第１導電部（３２）が半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と前記第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成されていると共に前記第２導電部（３３）が半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と前記第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成され、前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）をそれぞれ前記第１棒状部（３２ｂ）と前記第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置されたものを用意し、
前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に配置する工程では、前記第１棒状部（３２ｂ）が前記第１裏面導体（３）と接触すると共に前記第２棒状部（３３ｂ）が前記第２裏面導体（４）と接触するように前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に配置し、
前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）を前記チャック台（４０）に配置する工程では、前記第１電極（４２）が前記第１支持部（３２ａ）と接触すると共に前記第２電極（４３）が前記第２支持部（３３ａ）と接触するように前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）を前記チャック台（４０）に配置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 As the intermediate wiring layer (30), the first conductive portion (32) has a semicircular arc-shaped first support portion (32a) and a plurality of first rod shapes protruding in one direction from the first support portion (32a). And the second conductive part (33) protrudes in one direction from the semicircular arc-shaped second support part (33a) and the second support part (33a). A plurality of second rod-shaped portions (33b), and the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are respectively composed of the first rod-shaped portion (32b) and the second rod-shaped portion. (33b) are prepared alternately so as to face each other,
In the step of disposing the intermediate wiring layer (30) on the back surface of the semiconductor substrate (1), the first rod-shaped portion (32b) is in contact with the first back-surface conductor (3) and the second rod-shaped portion (33b). The intermediate wiring layer (30) is disposed on the back surface of the semiconductor substrate (1) such that the intermediate wiring layer (30) is in contact with the second back surface conductor (4),
In the step of placing the semiconductor substrate (1) on the chuck base (40) via the intermediate wiring layer (30), the first electrode (42) is in contact with the first support part (32a) and the The semiconductor substrate (1) is disposed on the chuck base (40) through the intermediate wiring layer (30) so that the second electrode (43) is in contact with the second support part (33a). A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1. 半導体基板（１）に形成された半導体素子と、前記半導体基板（１）の表面に備えられた複数の表面導体（２）と、前記半導体基板（１）の裏面に備えられた第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）と、を有して構成される半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板（１）に前記半導体素子を形成する工程と、
前記半導体基板（１）の表面に前記半導体基板（１）の外部と電気的に接続される前記表面導体（２）を配置する工程と、
前記半導体基板（１）の裏面に前記半導体基板（１）の外部と電気的に接続される前記第１裏面導体（３）および前記第２裏面導体（４）を配置する工程と、
板状部材であり、前記板状部材を構成する絶縁部（３１）と、前記絶縁部（３１）の表面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、前記第１導電部（３２）と前記第２導電部（３３）とが絶縁されている中間配線層（３０）を用意し、前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に、前記第１導電部（３２）と前記第１裏面導体（３）とが電気的に接続され、前記第２導電部（３３）と前記第２裏面導体（４）とが電気的に接続されると共に、前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）の一部分が前記中間配線層（３０）のうち前記半導体基板（１）側の面から露出されるように配置する工程と、
前記半導体基板（１）を保持するチャック台（４０）を用意し、前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）を前記チャック台（４０）に配置する工程と、
複数のプローブ針（７１）を備えた固定用プローバ（７０）を用意し、前記半導体基板（１）を挟んで前記チャック台（４０）と反対側に前記固定用プローバ（７０）を配置して前記固定用プローバ（７０）に備えられている前記プローブ針（７１）を前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）のうち前記半導体基板（１）側の面から露出している前記一部分に接触させる工程と、
複数のプローブ針（５１）を備えた可動用プローバ（５０）を用意し、前記半導体基板（１）を挟んで前記チャック台（４０）と反対側に前記可動用プローバ（５０）を配置して前記可動用プローバ（５０）に備えられた前記プローブ針（５１）を前記表面導体（２）に接触させる工程と、
前記固定用プローバ（７０）および前記可動用プローバ（５０）と電気的に接続されているテスタ（６０）を用意し、前記テスタ（６０）により前記第１、第２導電部（３２、３３）、前記固定用プローバ（７０）に備えられた前記プローブ針（７１）および前記可動用プローバ（５０）に備えられた前記プローブ針（５１）を介して前記表面導体（２）および前記第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することで前記半導体装置における電気的特性の検査を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A semiconductor element formed on the semiconductor substrate (1), a plurality of surface conductors (2) provided on the surface of the semiconductor substrate (1), and a first back conductor provided on the back surface of the semiconductor substrate (1) (3) and a second back conductor (4), and a method of manufacturing a semiconductor device comprising:
Forming the semiconductor element on the semiconductor substrate (1);
Disposing the surface conductor (2) electrically connected to the outside of the semiconductor substrate (1) on the surface of the semiconductor substrate (1);
Disposing the first back conductor (3) and the second back conductor (4) electrically connected to the outside of the semiconductor substrate (1) on the back surface of the semiconductor substrate (1);
An insulating part (31) constituting the plate-like member, and a first conductive part (32) and a second conductive part provided so as to be exposed from the surface of the insulating part (31). 33), and an intermediate wiring layer (30) in which the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are insulated is prepared, and the intermediate wiring layer (30) is provided on the semiconductor substrate. The first conductive portion (32) and the first back conductor (3) are electrically connected to the back surface of (1), and the second conductive portion (33) and the second back conductor (4) Are electrically connected, and portions of the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are exposed from the surface of the intermediate wiring layer (30) on the semiconductor substrate (1) side. A step of arranging so that,
Preparing a chuck base (40) for holding the semiconductor substrate (1), and placing the semiconductor substrate (1) on the chuck base (40) via the intermediate wiring layer (30);
A fixing prober (70) having a plurality of probe needles (71) is prepared, and the fixing prober (70) is arranged on the opposite side of the chuck base (40) with the semiconductor substrate (1) interposed therebetween. The probe needle (71) provided on the fixing prober (70) is exposed from the surface of the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) on the semiconductor substrate (1) side. Contacting the portion with
A movable prober (50) having a plurality of probe needles (51) is prepared, and the movable prober (50) is arranged on the opposite side of the chuck base (40) with the semiconductor substrate (1) interposed therebetween. Bringing the probe needle (51) provided in the movable prober (50) into contact with the surface conductor (2);
A tester (60) electrically connected to the fixing prober (70) and the movable prober (50) is prepared, and the first and second conductive parts (32, 33) are prepared by the tester (60). The surface conductor (2) and the first, first and second probe needles (71) provided on the fixing prober (70) and the probe needle (51) provided on the movable prober (50). And a step of inspecting electrical characteristics of the semiconductor device by applying a voltage to the second back conductor (3, 4). 前記中間配線層（３０）として、前記第１導電部（３２）が半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と前記第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成されていると共に前記第２導電部（３３）が半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と前記第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成され、前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）をそれぞれ前記第１棒状部（３２ｂ）と前記第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置されたものを用意し、
前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に配置する工程では、前記第１棒状部（３２ｂ）が前記第１裏面導体（３）と接触し、前記第２棒状部（３３ｂ）が前記第２裏面導体（４）と接触するようにすると共に、前記第１支持部（３２ａ）および前記第２支持部（３３ａ）が前記中間配線層（３０）のうち前記半導体基板（１）側の面から露出するように前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に配置し、
前記固定用プローバ（７０）に備えられた前記プローブ針（７１）を前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）のうち前記半導体基板（１）側の面から露出している前記一部分に接触させる工程では、前記固定用プローバ（７０）に備えられた前記プローブ針（７１）を前記第１支持部（３２ａ）および前記第２支持部（３３ａ）にそれぞれ接触させることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。 As the intermediate wiring layer (30), the first conductive portion (32) has a semicircular arc-shaped first support portion (32a) and a plurality of first rod shapes protruding in one direction from the first support portion (32a). And the second conductive part (33) protrudes in one direction from the semicircular arc-shaped second support part (33a) and the second support part (33a). A plurality of second rod-shaped portions (33b), and the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are respectively composed of the first rod-shaped portion (32b) and the second rod-shaped portion. (33b) are prepared alternately so as to face each other,
In the step of disposing the intermediate wiring layer (30) on the back surface of the semiconductor substrate (1), the first rod-shaped portion (32b) comes into contact with the first back-surface conductor (3), and the second rod-shaped portion (33b). ) In contact with the second back conductor (4), and the first support portion (32a) and the second support portion (33a) are included in the semiconductor substrate (1) of the intermediate wiring layer (30). The intermediate wiring layer (30) is disposed on the back surface of the semiconductor substrate (1) so as to be exposed from the surface on the side)
The probe needle (71) provided in the fixing prober (70) is exposed from the surface on the semiconductor substrate (1) side of the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33). In the step of contacting the part, the probe needle (71) provided in the fixing prober (70) is brought into contact with the first support part (32a) and the second support part (33a), respectively. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein: 半導体基板（１）に形成された半導体素子と、前記半導体基板（１）の表面に備えられた複数の表面導体（２）と、前記半導体基板（１）の裏面に備えられた第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）と、を有して構成される半導体装置に用いられる検査装置であって、
板状部材であり、前記板状部材を構成する絶縁部（３１）と、前記絶縁部（３１）の表面および裏面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、前記第１導電部（３２）と前記第２導電部（３３）とが絶縁されており、前記第１導電部（３２）と前記第１裏面導体（３）とが電気的に接続されると共に前記第２導電部（３３）と前記第２裏面導体とが電気的に接続されるように前記半導体基板（１）の裏面に配置される中間配線層（３０）と、
前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）を保持し、前記中間配線層（３０）のうち前記半導体基板（１）と反対側の面において前記第１導電部（３２）と対応する部分に形成された第１電極（４２）と前記第２導電部（３３）と対応する部分に形成された第２電極（４３）とを有し、前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）が配置されることにより、前記第１導電部（３２）を介して前記第１裏面導体（３）と前記第１電極（４２）とが電気的に接続されると共に前記第２導電部（３３）を介して前記第２裏面導体（４）と前記第２電極（４３）とが電気的に接続されるチャック台（４０）と、
前記半導体基板（１）を挟んで前記チャック台（４０）と反対側に配置され、前記表面導体（２）とそれぞれ電気的に接続されるプローブ針（５１）を備えた可動用プローバ（５０）と、
前記可動用プローバ（５０）および前記チャック台（４０）と電気的に接続され、前記第１、第２導電部（３２、３３）、前記第１、第２電極（４２、４３）および前記プローブ針（５１）を介して前記表面導体（２）および前記第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することにより前記半導体装置における電気的特性の検査を行うテスタ（６０）と、を有していることを特徴とする半導体装置の検査装置。 A semiconductor element formed on the semiconductor substrate (1), a plurality of surface conductors (2) provided on the surface of the semiconductor substrate (1), and a first back conductor provided on the back surface of the semiconductor substrate (1) (3) and a second back conductor (4), and an inspection device used for a semiconductor device configured to include:
An insulating part (31) constituting the plate-like member, and a first conductive part (32) and a second conductive part provided so as to be exposed from the front and back surfaces of the insulating part (31). Part (33), wherein the first conductive part (32) and the second conductive part (33) are insulated, and the first conductive part (32) and the first back conductor (3) Is electrically connected and the second conductive part (33) and the second back conductor are electrically connected to each other, and an intermediate wiring layer (30) disposed on the back surface of the semiconductor substrate (1) When,
The semiconductor substrate (1) is held via the intermediate wiring layer (30), and the first conductive portion (32) is disposed on the surface of the intermediate wiring layer (30) opposite to the semiconductor substrate (1). A first electrode (42) formed in a corresponding part, and a second electrode (43) formed in a part corresponding to the second conductive part (33), with the intermediate wiring layer (30) interposed therebetween. By arranging the semiconductor substrate (1), the first back conductor (3) and the first electrode (42) are electrically connected via the first conductive portion (32). A chuck base (40) to which the second back conductor (4) and the second electrode (43) are electrically connected via the second conductive portion (33);
A movable prober (50) provided with a probe needle (51) disposed on the opposite side of the chuck base (40) across the semiconductor substrate (1) and electrically connected to the surface conductor (2). When,
The first and second conductive parts (32, 33), the first and second electrodes (42, 43), and the probe are electrically connected to the movable prober (50) and the chuck base (40). A tester (60) for inspecting electrical characteristics of the semiconductor device by applying a voltage to the front conductor (2) and the first and second back conductors (3, 4) via a needle (51); And an inspection apparatus for a semiconductor device. 前記中間配線層（３０）は、前記第１導電部（３２）が半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と前記第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成されていると共に前記第２導電部（３３）が半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と前記第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成され、前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）はそれぞれ前記第１棒状部（３２ｂ）と前記第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置されており、
前記中間配線層（３０）のうち、前記第１棒状部（３２ｂ）が前記第１裏面導体（３）と電気的に接続されると共に前記第２棒状部（３３ｂ）が前記第２裏面導体（４）と電気的に接続され、前記第１支持部（３２ａ）が前記第１電極（４２）と電気的に接続されると共に前記第２支持部（３３ａ）が前記第２電極（４３）と電気的に接続されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の検査装置。 The intermediate wiring layer (30) includes a first support portion (32a) having a semicircular arc shape and a plurality of first rod-like shapes in which the first conductive portion (32) protrudes in one direction from the first support portion (32a). And the second conductive part (33) protrudes in one direction from the semicircular arc-shaped second support part (33a) and the second support part (33a). A plurality of second rod-shaped portions (33b), and the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are the first rod-shaped portion (32b) and the second rod-shaped portion, respectively. (33b) are alternately arranged to face each other,
Of the intermediate wiring layer (30), the first rod-shaped portion (32b) is electrically connected to the first back conductor (3) and the second rod-shaped portion (33b) is the second back conductor ( 4), the first support part (32a) is electrically connected to the first electrode (42), and the second support part (33a) is connected to the second electrode (43). The semiconductor device inspection apparatus according to claim 5, wherein the inspection apparatus is electrically connected. 半導体基板（１）に形成された半導体素子と、前記半導体基板（１）の表面に備えられた複数の表面導体（２）と、前記半導体基板（１）の裏面に備えられた第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）と、を有して構成される半導体装置に用いられる検査装置であって、
板状部材であり、前記板状部材を構成する絶縁部（３１）と、前記絶縁部（３１）の表面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、前記第１導電部（３２）と前記第２導電部（３３）とが絶縁されており、前記半導体基板（１）の裏面に、前記第１導電部（３２）と前記第１裏面導体（３）とが電気的に接続され、前記第２導電部（３３）と前記第２裏面導体（４）とが電気的に接続されると共に、前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）の一部分が前記半導体基板（１）側の面から露出されるように配置される中間配線層（３０）と、
前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）を保持するチャック台（４０）と、
前記半導体基板（１）を挟んで前記チャック台（４０）と反対側に配置され、前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に配置したときに前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）のうち前記半導体基板（１）側の面から露出している前記一部分とそれぞれ電気的に接続されるプローブ針（７１）を備えた固定用プローバ（７０）と、
前記半導体基板（１）を挟んで前記チャック台（４０）と反対側に配置され、前記表面導体（２）とそれぞれ電気的に接続されるプローブ針（５１）を備えた可動用プローバ（５０）と、
前記可動用プローバ（５０）および前記固定用プローバ（７０）と電気的に接続され、前記第１、第２導電部（３２、３３）、前記固定用プローバ（７０）に備えられた前記プローブ針（７１）および前記可動用プローバ（５０）に備えられた前記プローブ針（５１）を介して前記表面導体（２）および前記第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することにより前記半導体装置における電気的特性の検査を行うテスタ（６０）と、を有していることを特徴とする半導体装置の検査装置。 A semiconductor element formed on the semiconductor substrate (1), a plurality of surface conductors (2) provided on the surface of the semiconductor substrate (1), and a first back conductor provided on the back surface of the semiconductor substrate (1) (3) and a second back conductor (4), and an inspection device used for a semiconductor device configured to include:
An insulating part (31) constituting the plate-like member, and a first conductive part (32) and a second conductive part provided so as to be exposed from the surface of the insulating part (31). 33), the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are insulated, and the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are formed on the back surface of the semiconductor substrate (1). The first back conductor (3) is electrically connected, the second conductive portion (33) and the second back conductor (4) are electrically connected, and the first conductive portion (32). And an intermediate wiring layer (30) disposed so that a part of the second conductive portion (33) is exposed from the surface on the semiconductor substrate (1) side,
A chuck base (40) for holding the semiconductor substrate (1) via the intermediate wiring layer (30);
The first conductive portion (32) is disposed on the opposite side of the chuck base (40) across the semiconductor substrate (1), and the intermediate wiring layer (30) is disposed on the back surface of the semiconductor substrate (1). ) And the prober (70) provided with probe needles (71) electrically connected to the part exposed from the surface on the semiconductor substrate (1) side of the second conductive portion (33). When,
A movable prober (50) provided with a probe needle (51) disposed on the opposite side of the chuck base (40) across the semiconductor substrate (1) and electrically connected to the surface conductor (2). When,
The probe needles that are electrically connected to the movable prober (50) and the fixing prober (70), and are provided in the first and second conductive parts (32, 33) and the fixing prober (70). (71) and applying a voltage to the surface conductor (2) and the first and second back conductors (3, 4) via the probe needle (51) provided in the movable prober (50). And a tester (60) for inspecting electrical characteristics of the semiconductor device. 前記中間配線層（３０）は、前記第１導電部（３２）が半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と前記第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成されていると共に前記第２導電部（３３）が半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と前記第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成され、前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）はそれぞれ前記第１棒状部（３２ｂ）と前記第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置されており、
前記中間配線層（３０）のうち、前記第１棒状部（３２ｂ）が前記第１裏面導体（３）と電気的に接続されると共に前記第２棒状部（３３ｂ）が前記第２裏面導体（４）と電気的に接続され、前記第１支持部（３２ａ）および前記第２支持部（３３ａ）が前記固定用プローバ（７０）に備えられた前記プローブ針（７１）とそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の検査装置。
The intermediate wiring layer (30) includes a first support portion (32a) having a semicircular arc shape and a plurality of first rod-like shapes in which the first conductive portion (32) protrudes in one direction from the first support portion (32a). And the second conductive part (33) protrudes in one direction from the semicircular arc-shaped second support part (33a) and the second support part (33a). A plurality of second rod-shaped portions (33b), and the first conductive portion (32) and the second conductive portion (33) are the first rod-shaped portion (32b) and the second rod-shaped portion, respectively. (33b) are alternately arranged to face each other,
Of the intermediate wiring layer (30), the first rod-shaped portion (32b) is electrically connected to the first back conductor (3) and the second rod-shaped portion (33b) is the second back conductor ( 4), and the first support portion (32a) and the second support portion (33a) are electrically connected to the probe needle (71) provided in the fixing prober (70), respectively. 8. The semiconductor device inspection apparatus according to claim 7, wherein the inspection apparatus is a semiconductor device inspection device.
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