JP3453290B2 - Electrode structure for vapor deposition, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic light emitting device - Google Patents
Electrode structure for vapor deposition, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic light emitting deviceInfo
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 225
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 128
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 10
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N aluminum quinoline Chemical compound [Al+3].N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、蒸着用電極構造、
蒸着装置、蒸着方法および有機発光素子の製造方法であ
って、例えば、半導体デバイス、デッスプレーデバイ
ス、メモリーデバイス電気部品等のデバイスに用いられ
るものに関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electrode structure for vapor deposition,
The present invention relates to a vapor deposition apparatus, a vapor deposition method, and a method for manufacturing an organic light emitting element, which are used for devices such as semiconductor devices, display devices, memory devices and electrical parts.
【０００２】[0002]
【従来の技術】蒸着薄膜を作成するために抵抗加熱法に
よる蒸着は金属蒸着膜あるいは非金属蒸着膜ともにごく
一般的に用いられている。その理由は装置が簡便で加熱
電源と蒸着用ボートがあれば可能なためであり、その応
用範囲は非常に広く、工業的にも確立した技術となって
いる。2. Description of the Related Art Vapor deposition by a resistance heating method for forming a vapor-deposited thin film is generally used for both a metal vapor deposition film and a non-metal vapor deposition film. The reason is that the device is simple and can be provided by using a heating power source and a boat for vapor deposition, and the application range is very wide, and it is an industrially established technology.
【０００３】一方、近年デバイスの種類と機能が多様化
してきたことに加え、デバイスに対する信頼性への要求
が厳しくなってきたことによって、今までの技術では不
十分になってきた。具合的な数値を一例として上げる
と、厚みが０.１ミクロン以下の膜厚で、しかも大面積
で、その表面はほぼ数十オングストロームの平坦度で欠
陥が無い蒸着膜の実現が要求されている。従来の単純な
抵抗加熱による蒸着方法においては、局所的には満足な
膜を得ることができるが、蒸着材料表面の不純物が飛散
して基板表面に蒸着されることにより、大面積では満足
な膜を得ることが実現できなかった。特に、昇華性の材
料を用いる場合においては、蒸着部の温度の不均一性に
より、蒸着物が様々な大きさで飛散するために、表面性
の満足な膜が得られないので、スパッタリング、ＣＶＤ
等を用いる方法に移行してきた。On the other hand, in recent years, the types and functions of devices have been diversified, and the demand for reliability of the devices has become strict, so that the conventional techniques have become insufficient. Taking a concrete numerical value as an example, it is required to realize a vapor-deposited film having a thickness of 0.1 micron or less, a large area, and a flatness of about tens of angstroms on its surface and no defects. . In the conventional simple vapor deposition method using resistance heating, a satisfactory film can be locally obtained, but the impurities on the surface of the vapor deposition material are scattered and vapor-deposited on the substrate surface, so that a satisfactory film can be obtained in a large area. Could not be realized. In particular, when a sublimable material is used, a non-uniform temperature of the vapor deposition part causes the vapor deposition to scatter in various sizes, so that a film having a satisfactory surface property cannot be obtained.
And so on.
【０００４】現在の薄膜技術に対してのデバイス側から
の仕様は、非常に厳しいものになっている。特に、半導
体デバイスにおいては、３０ｃｍの範囲でサブミクロン
の大きの蒸着面の不均一性が許容されない。同様なこと
は、ディスプレーデバイスにおいても要求され、例え
ば、原子数十個のサイズのグレインの均一な付着面が要
求されている。The specifications from the device side for the current thin film technology are extremely strict. In particular, in semiconductor devices, nonuniformity of the deposition surface of submicron size is not allowed in the range of 30 cm. The same is required in the display device, for example, a uniform attachment surface of grains having a size of several tens of atoms is required.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来の抵抗加熱用のボ
ートは、タンタル、モリブデン、タングステン等の高融
点金属の板の一部を窪ませて窪みに蒸着材料を入れて高
融点金属に電流を流して発熱させて材料を蒸発させるも
のが一般的である。蒸発の均一性を保つために、上部に
取り付けた蓋に蒸発用の穴を設けて、その穴からのみ目
的の材料を蒸着する。それでも不十分の場合には上部の
蓋と窪みとの間に隔壁を設けて材料が隔壁を経由して上
部の穴から蒸発させるようにして、直接不純物が飛散し
て基板に付着しないことを目的としている。In the conventional boat for resistance heating, a part of a plate of refractory metal such as tantalum, molybdenum, or tungsten is dented and a vapor deposition material is put in the dent to apply an electric current to the refractory metal. It is common to let it flow and generate heat to evaporate the material. In order to maintain the uniformity of evaporation, an evaporation hole is provided in the lid attached to the upper part, and the target material is evaporated only from the hole. If this is still insufficient, a partition is provided between the lid and the recess on the top to allow the material to evaporate through the partition and evaporate from the hole in the top, so that impurities are not directly scattered and adhered to the substrate. I am trying.
【０００６】上述したような、蓋をつける場合、隔壁を
設ける場合のいずれにおいても、蒸着材料は蒸着物質の
小さな集団の流れとして捉えなければならないが、具体
的には両方とも流れの留まるところが生じて、その部分
で詰まってしまうことによって、継続的な動作が生じな
い場合が多い。特に不純物（材料の酸化物等も含む）が
多い場合には、均一に動作させることが困難である。In any of the case where the lid is attached and the case where the partition wall is provided as described above, the vapor deposition material must be regarded as a flow of a small group of vapor deposition substances, but specifically, there is a place where the flow stops. In many cases, continuous operation does not occur due to clogging at that portion. In particular, if there are many impurities (including oxides of materials), it is difficult to operate uniformly.
【０００７】材料の詰まりを解決するためには、穴を大
きくするか目詰まり部分の温度を上げて、目詰まりをと
ばして連続的な流れを得ることを目的とするが、必要以
上の加熱は他の課題要因を発生するためにできるだけ回
避したい。また、このような方法では、欠陥の無い完全
な蒸着膜を得ることは不可能である。In order to solve the clogging of the material, the purpose is to enlarge the hole or raise the temperature of the clogging part to eliminate the clogging and obtain a continuous flow, but heating more than necessary is required. I want to avoid it as much as possible because it causes other problem factors. Further, with such a method, it is impossible to obtain a perfect vapor deposition film without defects.
【０００８】また、従来の蒸着方法を用いて、Ｍｇ金属
電極を蒸着させて、製造される有機発光素子の製造方法
を例としてあげると、従来のボートを用いた蒸着方法で
は、蒸着が行われる有機薄膜基板上に飛散したＭｇの酸
化物が発光しない黒点として残り、その黒点がさらに拡
大することによって発光素子自身の寿命を縮めてしまっ
いる。 蒸着回数を繰り返すと、さらにＭｇの酸化物に
よる黒点の数が増大する。したがって、その防止が求め
られている。Further, as an example of a method of manufacturing an organic light emitting device manufactured by depositing a Mg metal electrode using a conventional vapor deposition method, the conventional boat vapor deposition method performs vapor deposition. The scattered Mg oxide on the organic thin film substrate remains as a black dot that does not emit light, and the black dot further expands, thereby shortening the life of the light emitting element itself. When the number of vapor depositions is repeated, the number of black spots due to the oxide of Mg further increases. Therefore, its prevention is required.
【０００９】本発明は、従来の蒸着方法の有する上述し
た課題を考慮し、不純物が飛散して基板に付着すること
を防止することによって、０．１ミクロン以下の膜厚
で、その表面平坦度が数十オングストロームであり、し
かも欠陥が無い、大面積の蒸着膜を製造できる蒸着電極
構造、蒸着装置、蒸着方法およびそれらを用いた有機発
光素子の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。In view of the above-mentioned problems of the conventional vapor deposition method, the present invention prevents impurities from scattering and adhering to the substrate, so that the surface flatness of the film is 0.1 μm or less. Is several tens of angstroms, and further, there is no defect, a vapor deposition electrode structure capable of producing a large-area vapor deposition film, a vapor deposition apparatus, a vapor deposition method, and a method for producing an organic light emitting device using them. is there.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１の本発明は、蒸着材料と、前記蒸着材
料の周囲に巻き付けられた金網とを備え、前記金網は、
通電されることによって、前記蒸着材料を加熱するもの
であることを特徴とする蒸着用電極構造である。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention according to claim 1 comprises a vapor deposition material and a wire mesh wound around the vapor deposition material, wherein the metal mesh is
The vapor deposition electrode structure is characterized in that the vapor deposition material is heated by being energized.
【００１１】請求項２の本発明は、前記金網は、複数枚
が重ね合わされて前記蒸着材料の周囲に巻き付けられて
いることを特徴とする請求項１に記載の蒸着用電極構造
である。The present invention according to claim 2 is the vapor deposition electrode structure according to claim 1, wherein a plurality of the metal nets are superposed and wound around the vapor deposition material.
【００１２】請求項３の本発明は、前記金網の編み目の
大きさは、１０ミクロンから２００ミクロンの間である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着用電極
構造である。The present invention according to claim 3 provides the electrode structure for vapor deposition according to claim 1 or 2, wherein the size of the mesh of the wire mesh is between 10 and 200 microns.
【００１３】請求項４の本発明は、前記金網の材料は、
タングステン、タンタル、モリブデン、白金、ニッケル
のうちのいずれか、もしくはそれらの金属の合金である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の蒸着
用電極構造である。According to a fourth aspect of the present invention, the material of the wire mesh is
The vapor deposition electrode structure according to any one of claims 1 to 3, wherein the electrode structure for vapor deposition is any one of tungsten, tantalum, molybdenum, platinum, and nickel, or an alloy of these metals.
【００１４】請求項５の本発明は、前記蒸着材料の飛散
方向を制限するため、絶縁性あるいは前記金網に比較し
て高い抵抗を有する遮蔽板を備えることを特徴とする請
求項１〜４のいずれかに記載の蒸着用電極構造である。According to the present invention of claim 5, in order to limit the scattering direction of the vapor deposition material, a shielding plate having an insulating property or a resistance higher than that of the wire net is provided. It is the electrode structure for vapor deposition in any one.
【００１５】請求項６の本発明は、前記蒸着材料は、前
記金網の材料となじまない材料であることを特徴とする
請求項１〜５のいずれかに記載の蒸着用電極構造であ
る。The invention according to claim 6 is the electrode structure for vapor deposition according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the vapor deposition material is a material that is not compatible with the material of the wire mesh.
【００１６】請求項７の本発明は、前記蒸着材料は、昇
華性金属、金属酸化物、硫化物、フッ化物、アモルファ
ス材料、有機材料のいずれかであることを特徴とする請
求項６に記載の蒸着用電極構造である。The present invention according to claim 7 is characterized in that the vapor deposition material is any one of a sublimable metal, a metal oxide, a sulfide, a fluoride, an amorphous material and an organic material. 2 is an electrode structure for vapor deposition of.
【００１７】請求項８の本発明は、前記蒸着材料は、前
記金網の材料となじむ材料であることを特徴とする請求
項１〜５のいずれかに記載の蒸着用電極構造である。The present invention according to claim 8 provides the electrode structure for vapor deposition according to any one of claims 1 to 5, wherein the vapor deposition material is a material that is compatible with the material of the wire mesh.
【００１８】請求項９の本発明は、前記蒸着材料は、マ
グネシウム、リチウム、インジウム、カルシウムのいず
れか、もしくは、それらのうち少なくとも一つを含有し
た合金であることを特徴とする請求項８に記載の蒸着用
電極構造である。The present invention according to claim 9 is characterized in that the vapor deposition material is any one of magnesium, lithium, indium, and calcium, or an alloy containing at least one of them. It is the electrode structure for vapor deposition described.
【００１９】請求項１０の本発明は、前記蒸着材料は、
ワイヤー状であり、前記金網は、前記蒸着材料と一体と
なってワイヤー状になるように成形されていることを特
徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の蒸着用電極構
造である。According to a tenth aspect of the present invention, the vapor deposition material is
It is wire-shaped, and the said wire net is shape | molded so that it may become integral with the said vapor deposition material, and may become a wire-shaped, The electrode structure for vapor deposition in any one of Claims 1-9 characterized by the above-mentioned.
【００２０】請求項１１の本発明は、請求項１〜１０の
いずれかに記載の蒸着用電極構造を備え、前記蒸着材料
を基板上に蒸着させることを特徴とする蒸着装置であ
る。An eleventh aspect of the present invention is an evaporation apparatus comprising the evaporation electrode structure according to any one of the first to tenth aspects, wherein the evaporation material is evaporated on a substrate.
【００２１】請求項１２の本発明は、請求項１０に記載
の蒸着用電極構造と、前記蒸着用電極構造を繰り出す繰
り出し手段と、蒸着後の前記蒸着用電極構造を巻き取る
巻き取り手段とを備え、前記蒸着材料を基板上に蒸着さ
せることを特徴とする蒸着装置である。According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a vapor deposition electrode structure according to the tenth aspect, a delivery means for delivering the vapor deposition electrode structure, and a winding means for winding up the vapor deposition electrode structure after vapor deposition. An evaporation apparatus, comprising: the evaporation material, which is evaporated on a substrate.
【００２２】請求項１３の本発明は、請求項１〜１０の
いずれかに記載の蒸着用電極構造、もしくは、請求項１
１または１２に記載の蒸着装置を用い、抵抗加熱法によ
って前記蒸着材料を基板上に蒸着させることを特徴とす
る蒸着方法である。A thirteenth aspect of the present invention is the vapor deposition electrode structure according to any one of the first to tenth aspects, or the first aspect.
A vapor deposition method characterized in that the vapor deposition apparatus described in 1 or 12 is used to vapor deposit the vapor deposition material on a substrate by a resistance heating method.
【００２３】請求項１４の本発明は、前記蒸着材料が前
記金網となじむ材料である場合は、前記蒸着材料を溶融
させるか昇華させて、前もって前記金網の上に析出させ
ておき、その析出させた前記蒸着材料を再度蒸発させる
ことによって、蒸着を行うことを特徴とする請求項１３
に記載の蒸着方法である。According to a fourteenth aspect of the present invention, in the case where the vapor deposition material is a material that is compatible with the metal net, the vapor deposition material is melted or sublimated and deposited on the metal net in advance, and the deposition is performed. The vapor deposition is performed by evaporating the vapor deposition material again.
The vapor deposition method described in 1.
【００２４】請求項１５の本発明は、請求項１３または
１４に記載の蒸着方法を用いることを特徴とする有機発
光素子の製造方法である。A fifteenth aspect of the present invention is a method for manufacturing an organic light emitting device, characterized by using the vapor deposition method according to the thirteenth or fourteenth aspect.
【００２５】請求項１６の本発明は、前記蒸着材料は、
アルミキノリンであることを特徴とする請求項１５に記
載の有機発光素子の製造方法である。In the sixteenth aspect of the present invention, the vapor deposition material is
It is aluminum quinoline, It is a manufacturing method of the organic light emitting element of Claim 15 characterized by the above-mentioned.
【００２６】すなわち、本発明は、従来の抵抗加熱用ボ
ートに取り変わって加熱源として高融点材料の金網を用
いて金網で多段に精製しながら蒸発をさせることを目的
とするものである。金網を用いた理由の第一は均一な加
熱源とすることが可能なことで、材料の不必要な加熱を
避けることが可能となることで、第二は発熱源の温度の
均一性を確保した上で多段精製効果を持たせることが可
能となることである。第三は、蒸着材料と加熱源との隙
間を最小限にすることが可能であり（熱抵抗をできる限
り小さくすることと、表面の酸化等の不要な反応を防止
することを目的として）、このことは不純物の混入の防
止を目指したものである。第四には、新しい材料を連続
供給可能とすることによって、作業の連続的に行うこと
を可能にすることである。That is, an object of the present invention is to replace the conventional boat for resistance heating and use a wire net made of a high melting point material as a heating source to evaporate while purifying the wire net in multiple stages. The first reason for using the wire mesh is that it is possible to use a uniform heating source, and it is possible to avoid unnecessary heating of the material, and the second is to ensure the temperature uniformity of the heat source. In addition, it is possible to have a multi-step purification effect. Third, it is possible to minimize the gap between the vapor deposition material and the heating source (for the purpose of minimizing the thermal resistance and preventing unnecessary reactions such as surface oxidation). This is aimed at preventing the inclusion of impurities. Fourthly, by making it possible to continuously supply a new material, it is possible to carry out the work continuously.
【００２７】特に昇華性の金属あるいは酸化物、フッ化
物等の材料を蒸発させる場合には材料が塊となって基板
に付着する場合が多いが、この塊は膜の欠陥となって現
れるために絶対に塊を基板に付着させてはならない。In particular, when evaporating a material such as a sublimable metal or an oxide or a fluoride, the material often adheres to the substrate as a lump, but since this lump appears as a film defect, Never allow lumps to adhere to the substrate.
【００２８】通常このような塊の大きさは１ミクロンか
ら数十ミクロンの範囲であるが、本発明の蒸着電極構造
は、塊の発生の防止を狙ったものであるが、発生を完全
には取りきれないため金網を多重にすることによって蒸
着材料からの飛散物が基板に直接当たらないようにする
ことと、金網部で再蒸発を生じさせて純度の高い蒸着源
とすることを目的とするものである。金網の目の大きさ
と重ねる枚数との関係は実験的に決定されるが、通常は
最初の１枚目の金網部分で、大部分の飛散物が止められ
ることがわかった。Usually, the size of such a lump is in the range of 1 micron to several tens of microns. The vapor deposition electrode structure of the present invention is intended to prevent the lump from being generated, but the lump is not completely generated. Since it can not be removed, it is intended to prevent scattered substances from the vapor deposition material from directly hitting the substrate by overlapping the metal mesh, and to cause re-evaporation in the metal mesh portion to form a vapor deposition source with high purity. It is a thing. Although the relationship between the size of the wire mesh and the number of overlapping layers is experimentally determined, it was found that most of the scattered matter is usually stopped at the first wire mesh portion.
【００２９】本発明は加熱ヒーター部を特に金網と表現
しているが、金網の構成はワイヤーを交互に重ねた金網
に限ることなく、金属板をエッチングしたものや、穴を
打ち抜いたものでも同等の機能を有する。In the present invention, the heating heater portion is particularly expressed as a wire mesh, but the structure of the wire mesh is not limited to the wire mesh in which the wires are alternately stacked, and a metal plate etched or a hole punched is equivalent. It has the function of.
【００３０】本発明の電極構成が有効に働くための鍵と
なることは、この発熱電極が単純な構造を取ることで材
料の加熱の均一性が高いことによるものである。従来の
蒸着用のボートではボートを加熱するだけで材料を均一
に行うことが難しかったため、不用意に加熱された蒸着
材料が蒸着膜の欠陥に結びついていることがわかった。
すなわち、材料の均一な加熱が欠陥の少ない膜の生成に
結びつくことがわかった。The key to the effective working of the electrode structure of the present invention is that the heating electrode has a simple structure and the heating of the material is highly uniform. In the conventional boat for vapor deposition, it was difficult to uniformly perform the material only by heating the boat, so that it was found that the vapor deposition material that was carelessly heated was connected to the defect of the vapor deposition film.
That is, it was found that uniform heating of the material leads to the formation of a film with few defects.
【００３１】[0031]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００３２】（第１の実施の形態）まず、本発明の第１
の実施の形態を図面を参照して説明する。(First Embodiment) First, the first embodiment of the present invention
Embodiments will be described with reference to the drawings.
【００３３】図１は、本発明の第１の実施の形態におけ
る蒸着用電極構造を示す斜視図である。図１において、
１１は蒸着材料を、１２は加熱用の金網を、１３は通電
電極をそれぞれ示す。本実施の形態における蒸着用電極
構造は、円形断面を有する棒状の蒸着材料１１の周囲に
二重に巻き付けられた金網１２に通電電極１３により通
電することによって、蒸着材料１１を加熱するものであ
る。FIG. 1 is a perspective view showing an electrode structure for vapor deposition according to the first embodiment of the present invention. In FIG.
Reference numeral 11 is a vapor deposition material, 12 is a wire mesh for heating, and 13 is a conducting electrode. The electrode structure for vapor deposition in the present embodiment heats the vapor deposition material 11 by energizing the wire net 12 that is doubly wound around the rod-shaped vapor deposition material 11 having a circular cross section with the current-carrying electrode 13. .
【００３４】金網１２の材料は、例えば、タングステ
ン、タンタル、モリブデン、白金、ニッケル、もしくは
それらの金属の合金であり、蒸着材料１１は、金網１２
の材料となじまない材料、例えば、昇華性金属、金属酸
化物、硫化物、フッ化物、アモルファス材料、有機材料
材料等である。The material of the wire net 12 is, for example, tungsten, tantalum, molybdenum, platinum, nickel, or an alloy of these metals, and the vapor deposition material 11 is the wire net 12
Materials that are not compatible with the above materials, such as sublimable metals, metal oxides, sulfides, fluorides, amorphous materials, and organic material materials.
【００３５】次に、本実施の形態における蒸着用電極構
造を用いた蒸着方法について説明する。Next, a vapor deposition method using the vapor deposition electrode structure in the present embodiment will be described.
【００３６】金網１２に通電すると、蒸着材料１１は溶
融して蒸発または昇華を始める。その際、蒸着材料１１
に含まれる不純物が飛散しようとするが、金網により止
められる。実験により、内側の金網部分で大部分の飛散
物が止められることが確認されている。なお、金網の１
枚目と２枚目の間に、溶融、蒸発または昇華した生成物
がたまり、再度蒸発または昇華して精製される場合もあ
る。When the wire net 12 is energized, the vapor deposition material 11 melts and begins to evaporate or sublime. At that time, the vapor deposition material 11
Impurities contained in are trying to scatter, but are stopped by the wire mesh. Experiments have confirmed that most of the scattered material can be stopped at the inner wire mesh part. In addition, 1 of wire mesh
In some cases, the melted, evaporated or sublimated product accumulates between the first and second sheets, and the product is evaporated or sublimated again for purification.
【００３７】以上説明したように、本実施の形態におけ
る蒸着用電極構造を用いた蒸着方法により、不純物が飛
散して基板に付着することを防止することができるの
で、０．１ミクロン以下の膜厚で、その表面平坦度が数
十オングストロームであり、しかも欠陥が無い、大面積
の蒸着膜を製造できる。As described above, the vapor deposition method using the vapor deposition electrode structure of the present embodiment can prevent impurities from scattering and adhering to the substrate. A large-area vapor-deposited film having a large thickness, a surface flatness of several tens of angstroms, and no defects can be manufactured.
【００３８】なお、本発明の蒸着材料は、本実施の形態
においては、形状が棒状であるとして説明したが、これ
に限るものではない。例えば、蒸着材料が金属の場合
は、針金の形状が最も扱いやすく、非金属の場合には粒
状をシンター等の処理を行ってある程度形を整えたもの
が扱い易い。また、粉体状のものの場合は、ある程度の
前処理を行っておき金網からこぼれない程度の粉末状に
しておいたほうがよい。また、断面形状も、円形に限ら
ず、例えば、図２に示すような、実質的に矩形の断面を
有するものであってもよい。Although the vapor deposition material of the present invention has been described as being rod-shaped in the present embodiment, the present invention is not limited to this. For example, when the vapor deposition material is a metal, the shape of the wire is the easiest to handle, and when it is a non-metal, the shape of the wire is easy to handle by subjecting the particles to a process such as sintering. Further, in the case of a powdery material, it is better to perform a certain amount of pretreatment so that the powdery material does not spill from the wire mesh. Further, the cross-sectional shape is not limited to the circular shape, and may have a substantially rectangular cross-section as shown in FIG. 2, for example.
【００３９】また、本発明の金網は、本実施の形態にお
いては、蒸着材料の周りに二重に巻き付けられたもので
あり、材料がタングステン、タンタル、モリブデン、白
金、ニッケル、もしくはそれらの金属の合金であるとし
て説明し、金網の編み目の大きさについては特に説明を
しなかったが、金網の材料及び、金網の編み目の大き
さ、及び金網の重ね合わせの枚数などは、蒸着材料と密
接に結びついているので、蒸着材料の酸化のしやすさ、
熱伝導の良し悪し、真空中での蒸気圧等を考慮して決定
することが考えられるが、実際は、金網の目の粗さと、
重ね枚数を調節することで、ほとんどの場合が良好な組
合せの対応が可能となる。また、金網の目の細かさは必
ずしも細かい方が良いとは限らない。加熱されて蒸発し
た材料は金網の目の部分で固体に戻り再び蒸発するた
め、必要以上に細かな金網はすぐに目が詰まってしまい
金網の機能を失ってしまう。最も細かな場合として１０
ミクロン程度が限界となりそれ以下の大きさの場合には
金網の機能を有する時間から無理である。したがって、
金網の編み目の大きさは、１０ミクロンから２００ミク
ロンの間で選ぶのが望ましい。In the present embodiment, the wire mesh of the present invention is double wound around the vapor deposition material, and the material is tungsten, tantalum, molybdenum, platinum, nickel, or a metal thereof. Although it was described as an alloy and the size of the mesh of the wire mesh was not particularly described, the material of the wire mesh, the size of the mesh of the wire mesh, the number of overlapping metal meshes, and the like are closely related to the vapor deposition material. Because it is tied, it is easy to oxidize the vapor deposition material,
It is considered that the heat conduction is good or bad, and it may be decided in consideration of the vapor pressure in vacuum, etc., but in reality, the roughness of the wire mesh and the
By adjusting the number of layers, it is possible to deal with a good combination in most cases. Further, it is not always preferable that the mesh of the wire mesh is fine. The material that has been heated and evaporated returns to a solid state in the mesh portion of the wire mesh and evaporates again, so that a wire mesh that is smaller than necessary immediately becomes clogged and loses its function. 10 as the finest case
The limit is about micron, and if the size is smaller than that, it is impossible from the time of having the function of the wire mesh. Therefore,
The size of the wire mesh is preferably selected between 10 and 200 microns.
【００４０】また、金網が一重または三重以上であって
も、不純物が飛散して基板に付着することを防止する効
果に定量的な差はあるものの、従来の方法と比較すると
飛躍的な効果が得られる。Even if the wire mesh is single or triple or more, there is a quantitative difference in the effect of preventing impurities from scattering and adhering to the substrate, but a dramatic effect is obtained as compared with the conventional method. can get.
【００４１】また、金網に用いられる材料としては、ボ
ートの寿命と蒸着膜への不純物混入の点を考慮すると、
高融点材料とすることが望ましい。また、蒸着材料の温
度が低い場合にはステンレス、ニッケル等の普通に用い
られている材料でも使うことが可能である。As the material used for the wire net, considering the life of the boat and the inclusion of impurities in the deposited film,
It is desirable to use a high melting point material. Further, when the temperature of the vapor deposition material is low, a commonly used material such as stainless steel or nickel can be used.
【００４２】（第２の実施の形態）まず、本発明の第２
の実施の形態を説明する。本実施の形態は、蒸着材料と
して金網となじむ材料を用いることに関する点以外は、
上述した第１の実施の形態と同様である。したがって、
本実施の形態において、特に説明のないものについて
は、第１の実施の形態と同じとし、第１の実施の形態と
同じ呼称の構成部材については、特に説明のない限り、
第１の実施の形態と同様の機能を持つものとする。(Second Embodiment) First, the second embodiment of the present invention.
An embodiment will be described. The present embodiment is different from the point related to using a material that is compatible with a wire net as the vapor deposition material,
This is similar to the first embodiment described above. Therefore,
In the present embodiment, those that are not particularly described are the same as those in the first embodiment, and components having the same names as those in the first embodiment are used unless otherwise specified.
It has the same function as that of the first embodiment.
【００４３】本実施の形態における蒸着用電極構造の蒸
着材料は、金網の材料となじむ材料、例えば、マグネシ
ウム、リチウム、インジウム、カルシウム、もしくはそ
れらの金属の合金である。The vapor deposition material of the electrode structure for vapor deposition in the present embodiment is a material that is compatible with the material of the wire mesh, for example, magnesium, lithium, indium, calcium, or an alloy of those metals.
【００４４】次に、本実施の形態における蒸着用電極構
造を用いた蒸着方法について説明する。Next, a vapor deposition method using the vapor deposition electrode structure in the present embodiment will be described.
【００４５】金網に通電すると、蒸着材料は溶融して蒸
発または昇華を始める。その際、蒸着材料に含まれる不
純物が飛散しようとするが、金網により止められる。ま
た、一度溶融して蒸発または昇華した蒸着材料は、金網
にそって析出して、再度析出部から蒸発または昇華する
ことによって析出の回数に応じて純度の向上が図れる。When the wire net is energized, the vapor deposition material melts and begins to evaporate or sublime. At that time, the impurities contained in the vapor deposition material try to scatter, but are stopped by the wire mesh. Further, the vapor deposition material that has been once melted and evaporated or sublimated is deposited along the wire mesh, and evaporated or sublimated again from the deposition portion, so that the purity can be improved according to the number of depositions.
【００４６】上記において、溶融物の粘度となじみ具合
が金網の目の大きさを決まることになる。必要以上に金
網の目を細かくとることは目詰まりを発生して金網の効
果を減少させることになるので、金網の目の最小限は１
０ミクロン程度とする必要がある。In the above, the size of the mesh of the wire mesh is determined by the viscosity of the melt and the familiarity thereof. If the mesh is made finer than necessary, clogging will occur and the effect of the mesh will be reduced, so the minimum mesh size is 1
It should be about 0 micron.
【００４７】以上説明したように、本実施の形態におけ
る蒸着用電極構造を用いた蒸着方法により、不純物が飛
散して基板に付着することを防止することができるの
で、０．１ミクロン以下の膜厚で、その表面平坦度が数
十オングストロームであり、しかも欠陥が無い、大面積
の蒸着膜を製造できる。As described above, the vapor deposition method using the vapor deposition electrode structure according to the present embodiment can prevent impurities from scattering and adhering to the substrate. A large-area vapor-deposited film having a large thickness, a surface flatness of several tens of angstroms, and no defects can be manufactured.
【００４８】低融点金属であるリチウムを蒸着する例を
以下に述べる。リチウムは非常に反応性の高い材料であ
るため、従来の方法を用いる場合、不必要な加熱を行う
と、材料表面が反応して表面にカスとなる皮膜を作り、
連続的な蒸着作業を妨げる。カスを取り除くために無理
に金網の温度を上げると、反応物のカスが蒸着されて基
板表面に本来のリチウムに混ざることによって、砂粒状
の飛散物による欠陥が発生してしまい、デバイスの機能
を失わせる。同一の条件で、本実施の形態における蒸着
用電極構造をを用いて蒸着すると、加熱に要する電力は
二分の一から三分の一となり、さらに金網表面に問題と
なる反応生成物のカスも生じることもなく、もちろん基
板上にも砂粒状の生成物は全く観測されないことが、確
認されている。An example of vapor deposition of lithium which is a low melting point metal will be described below. Since lithium is a very reactive material, when using the conventional method, unnecessary heating causes the surface of the material to react and form a film on the surface,
Prevents continuous vapor deposition work. If the temperature of the wire mesh is forced to rise to remove the dust, the dust of the reaction product is vaporized and mixed with the original lithium on the substrate surface, causing defects due to sand-like flying substances, and thus improving the device function. To lose. Under the same conditions, when the vapor deposition electrode structure according to the present embodiment is used for vapor deposition, the electric power required for heating is reduced from one half to one third, and the reaction product residue, which is a problem, is also generated on the wire mesh surface. Of course, it was confirmed that no sandy product was observed on the substrate.
【００４９】なお、本発明の金網の材料及び、金網の編
み目の大きさ、及び金網の重ね合わせの枚数などは、本
実施の形態において説明したものに限らないことは、第
１の実施の形態と同様である。The material of the wire netting of the present invention, the size of the meshes of the wire netting, the number of superposed wire nets, etc. are not limited to those described in the present embodiment. Is the same as.
【００５０】（第３の実施の形態）次に、本発明の第３
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
は、蒸着用電極構造の形状に関する点以外は、上述した
第１の実施の形態と同様である。したがって、本実施の
形態において、特に説明のないものについては、第１の
実施の形態と同じとし、第１の実施の形態と同じ呼称の
構成部材については、同じ符号を付与し、特に説明のな
い限り、第１の実施の形態と同様の機能を持つものとす
る。(Third Embodiment) Next, the third embodiment of the present invention will be described.
Embodiments will be described with reference to the drawings. This embodiment is the same as the above-described first embodiment except for the shape of the vapor deposition electrode structure. Therefore, in the present embodiment, those that are not particularly described are the same as those in the first embodiment, and components having the same names as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and will not be described in particular. Unless otherwise specified, it has the same function as that of the first embodiment.
【００５１】図３は、本発明の第３の実施の形態におけ
る蒸着用電極構造を示す長手方向の断面図である。図３
において、１１は蒸着材料を、１２は加熱用の金網を、
１２ａは金網１２の端部をそれぞれ示す。本実施の形態
における蒸着用電極構造は、棒状の蒸着材料１１の長手
方向に金網１２の端部を余らせた状態で、金網１２を蒸
着材料１１の周囲に巻き付けて、端部１２ａを形成し、
端部１２ａに通電することによって、蒸着材料１１を加
熱するものである。FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing an electrode structure for vapor deposition according to the third embodiment of the present invention. Figure 3
, 11 is a vapor deposition material, 12 is a wire mesh for heating,
Reference numerals 12a denote the ends of the wire net 12, respectively. In the electrode structure for vapor deposition according to the present embodiment, the wire net 12 is wound around the vapor deposition material 11 with the end of the metal net 12 left in the longitudinal direction of the rod-shaped vapor deposition material 11 to form the end 12a. ,
The vapor deposition material 11 is heated by energizing the end portion 12a.
【００５２】本実施の形態における蒸着用電極構造は、
第１の実施の形態における蒸着用電極構造に比べて、短
い蒸着材料を対象とするものである。The vapor deposition electrode structure in this embodiment is
As compared with the electrode structure for vapor deposition in the first embodiment, the vapor deposition material is intended to be shorter.
【００５３】本実施の形態における蒸着用電極構造を用
いた蒸着方法によっても、不純物が飛散して基板に付着
することを防止することができるので、０．１ミクロン
以下の膜厚で、その表面平坦度が数十オングストローム
であり、しかも欠陥が無い、大面積の蒸着膜を製造でき
る。Even with the vapor deposition method using the vapor deposition electrode structure of the present embodiment, it is possible to prevent impurities from scattering and adhering to the substrate. It is possible to manufacture a large-area vapor deposition film having a flatness of several tens of angstroms and no defects.
【００５４】なお、第１の実施の形態における蒸着材料
に替わりに、第２の実施の形態における蒸着材料を用い
てもよい。The vapor deposition material in the second embodiment may be used instead of the vapor deposition material in the first embodiment.
【００５５】（第４の実施の形態）次に、本発明の第４
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
は、蒸着材料の飛散方向を制限するための遮蔽板を備え
ることに関する点以外は、上述した第３の実施の形態と
同様である。したがって、本実施の形態において、特に
説明のないものについては、第３の実施の形態と同じと
し、第３の実施の形態と同じ呼称の構成部材について
は、同じ符号を付与し、特に説明のない限り、第３の実
施の形態と同様の機能を持つものとする。(Fourth Embodiment) Next, the fourth embodiment of the present invention will be described.
Embodiments will be described with reference to the drawings. The present embodiment is the same as the above-described third embodiment except that a shielding plate for limiting the scattering direction of the vapor deposition material is provided. Therefore, in the present embodiment, those which are not particularly described are the same as those in the third embodiment, and constituent members having the same names as those in the third embodiment are designated by the same reference numerals and will not be described in particular. Unless otherwise specified, it has the same function as that of the third embodiment.
【００５６】図４は、本発明の第４の実施の形態におけ
る蒸着用電極構造を示す長手方向の断面図であり、図５
は、本発明の第４の実施の形態における蒸着用電極構造
を示す斜視図である。図４、５において、１１は蒸着材
料を、１２は加熱用の金網を、１２ａは金網１２の端部
を、１４は遮蔽板をそれぞれ示す。本実施の形態におけ
る蒸着用電極構造は、棒状の蒸着材料１１の長手方向に
金網１２の端部を余らせた状態で、金網１２を蒸着材料
１１の周囲に巻き付けて、端部１２ａを形成し、端部１
２ａに通電することによって、蒸着材料１１を加熱し、
遮蔽板１４によって、蒸発または昇華した蒸着材料が不
要部への散逸することを防止するものである。なお、遮
蔽板１４は、絶縁性あるいは金網に比較して高い抵抗を
有するものである。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing an electrode structure for vapor deposition according to a fourth embodiment of the present invention.
[Fig. 8] is a perspective view showing a vapor deposition electrode structure according to a fourth embodiment of the present invention. 4 and 5, 11 is a vapor deposition material, 12 is a wire net for heating, 12a is an end of the wire net 12, and 14 is a shield plate. In the electrode structure for vapor deposition according to the present embodiment, the wire net 12 is wound around the vapor deposition material 11 with the end of the metal net 12 left in the longitudinal direction of the rod-shaped vapor deposition material 11 to form the end 12a. , End 1
By heating the vapor deposition material 11 by energizing 2a,
The shield plate 14 prevents the evaporated or sublimated vapor deposition material from being scattered to unnecessary portions. The shielding plate 14 has an insulating property or a resistance higher than that of a wire mesh.
【００５７】本実施の形態における蒸着用電極構造は、
第３の実施の形態における蒸着用電極構造に加え、蒸着
材料の飛散方向を制限するため、絶縁性あるいは金網に
比較して高い抵抗を有する遮蔽板を備えたものである。
したがって、本実施の形態における蒸着用電極構造を用
いた蒸着方法により、第３の実施の形態における蒸着用
電極構造を用いた蒸着方法に比べて、効率よく蒸着膜を
製造できる。The vapor deposition electrode structure in this embodiment is as follows:
In addition to the electrode structure for vapor deposition in the third embodiment, in order to limit the scattering direction of the vapor deposition material, a shielding plate having an insulating property or a resistance higher than that of a wire mesh is provided.
Therefore, the vapor deposition method using the vapor deposition electrode structure according to the present embodiment can produce the vapor deposition film more efficiently than the vapor deposition method using the vapor deposition electrode structure according to the third embodiment.
【００５８】なお、本実施の形態における蒸着用電極構
造は、第３の実施の形態における蒸着用電極構造に加
え、遮蔽板を備えたものであるとして説明したが、第１
の実施の形態または第２の実施の形態における蒸着用電
極構造において、蒸着対象と反対側の部分を被うように
遮蔽板を備えるものであってもよい。The vapor deposition electrode structure in the present embodiment has been described as being provided with a shielding plate in addition to the vapor deposition electrode structure in the third embodiment.
The electrode structure for vapor deposition according to the embodiment or the second embodiment may be provided with a shielding plate so as to cover a portion on the opposite side of the vapor deposition target.
【００５９】（第５の実施の形態）次に、本発明の第５
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
は、第１の実施の形態または第２の実施の形態における
蒸着用電極構造を備える蒸着装置に関するものである。
したがって、本実施の形態において、蒸着用電極構造に
関する説明に関しては、特に説明のないものについて
は、第１の実施の形態または第２の実施の形態における
蒸着用電極構造と同じとし、第１の実施の形態または第
２の実施の形態における蒸着用電極構造と同じ呼称の構
成部材については、同じ符号を付与し、特に説明のない
限り、第１の実施の形態または第２の実施の形態におけ
る蒸着用電極構造と同様の機能を持つものとする。(Fifth Embodiment) Next, the fifth embodiment of the present invention will be described.
Embodiments will be described with reference to the drawings. The present embodiment relates to a vapor deposition apparatus including the vapor deposition electrode structure according to the first embodiment or the second embodiment.
Therefore, in the present embodiment, with respect to the description of the electrode structure for vapor deposition, those which are not particularly described are the same as those of the electrode structure for vapor deposition in the first embodiment or the second embodiment. Constituent members having the same names as those of the vapor deposition electrode structure in the embodiment or the second embodiment are given the same reference numerals, and unless otherwise specified, in the first embodiment or the second embodiment. It has the same function as the electrode structure for vapor deposition.
【００６０】図６は、本発明の第５の実施の形態におけ
る蒸着装置の構成を示す構成図である。図６において、
２１は図１で示した蒸着材料１１および金網１２を有す
る蒸着用電極構造を示し、２２は使用済みの電極構造の
巻き取り部を示す。２３は未使用の電極構造のストック
部を示し、１３は図１で示した通電電極を示す。蒸着用
電極構造１２は、第１の実施の形態または第２の実施の
形態における蒸着用電極構造と同じ棒状であるが、長さ
が長い。すなわち、ワイヤー状の蒸着用電極構造であ
る。FIG. 6 is a block diagram showing the structure of a vapor deposition device according to the fifth embodiment of the present invention. In FIG.
Reference numeral 21 denotes a vapor deposition electrode structure having the vapor deposition material 11 and the metal net 12 shown in FIG. 1, and 22 denotes a winding portion of the used electrode structure. Reference numeral 23 shows a stock portion of an unused electrode structure, and 13 shows the current-carrying electrode shown in FIG. The vapor deposition electrode structure 12 has the same rod shape as the vapor deposition electrode structure in the first or second embodiment, but is long. That is, it is a wire-shaped electrode structure for vapor deposition.
【００６１】次に、本実施の形態における蒸着装置の動
作について説明する。Next, the operation of the vapor deposition device in this embodiment will be described.
【００６２】本発明の巻き取り手段に対応する巻き取り
部２２と、本発明の繰り出し手段に対応するストック部
２３とを図中の矢印の方向に同期回転さすことによっ
て、新しい蒸着用電極構造１２が、通電電極１３間に連
続供給されて通電されるので、通電により金網１２によ
って加熱された蒸着材料１１が蒸発または昇華してなく
なっても、新しい蒸着材料１１が供給されるため、長時
間の連続蒸着が可能となる。A new vapor deposition electrode structure 12 is obtained by synchronously rotating the winding portion 22 corresponding to the winding means of the present invention and the stock portion 23 corresponding to the feeding means of the present invention in the direction of the arrow in the figure. However, since it is continuously supplied between the current-carrying electrodes 13 to be energized, new evaporation material 11 is supplied even if the evaporation material 11 heated by the wire net 12 is no longer evaporated or sublimated by the energization, and therefore, a long time is required. Continuous vapor deposition becomes possible.
【００６３】すなわち、従来の方法においては、蒸着膜
の作成に対して毎回バッチ毎に蒸着材料を補給したり、
加熱ボートを取り替えていたが、本実施の形態における
蒸着装置を用いると、蒸着材料と、ボートであるところ
の金網とを連続補給することが可能となるので、蒸着プ
ロセスの作業効率の大幅な向上につながる。That is, in the conventional method, the vapor deposition material is replenished in each batch for the production of the vapor deposition film,
Although the heating boat was replaced, by using the vapor deposition device in the present embodiment, it is possible to continuously replenish the vapor deposition material and the wire net, which is the boat, so that the work efficiency of the vapor deposition process is greatly improved. Leads to.
【００６４】なお、本実施の形態における蒸着装置のよ
うな巻き取り手段および繰り出し手段を備えていない蒸
着装置であっても、上述した第１の実施の形態〜第４の
実施の形態のいずれかにおける蒸着用電極構造を用いた
蒸着装置であれば、各々の実施の形態と同様の効果が得
られる。Even if the vapor deposition apparatus is not provided with the winding means and the feeding means like the vapor deposition apparatus in the present embodiment, any one of the above-described first to fourth embodiments. If it is a vapor deposition apparatus using the vapor deposition electrode structure in the above, the same effects as those of the respective embodiments can be obtained.
【００６５】また、本実施の形態においては、蒸着用電
極構造として、第１の実施の形態または第２の実施の形
態における蒸着用電極構造を使用するとして説明した
が、第４の実施の形態における蒸着用電極構造のように
遮蔽板を有し、かつワイヤー状の蒸着用電極構造を用い
ると、第４の実施の形態と同様の効果が得られる。Further, in the present embodiment, the vapor deposition electrode structure in the first or second embodiment is used as the vapor deposition electrode structure, but the fourth embodiment is described. If a wire-like vapor deposition electrode structure is used, which has a shielding plate like the vapor deposition electrode structure in, the same effects as in the fourth embodiment can be obtained.
【００６６】（第６の実施の形態）次に、本発明の第６
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
は、第２の実施の形態における蒸着方法を用いる有機発
光素子の製造方法に関するものである。したがって、本
実施の形態において、蒸着用電極構造および蒸着方法に
関する説明に関しては、特に説明のないものについて
は、第２の実施の形態と同じとする。(Sixth Embodiment) Next, the sixth embodiment of the present invention will be described.
Embodiments will be described with reference to the drawings. This embodiment relates to a method for manufacturing an organic light emitting device using the vapor deposition method according to the second embodiment. Therefore, in the present embodiment, the description of the electrode structure for vapor deposition and the vapor deposition method is the same as that of the second embodiment unless otherwise specified.
【００６７】有機発光素子とは、透明電極にプラスを、
電子注入電極にマイナスを、それぞれ印加することによ
って、有機層から発光する素子である。図７は、本発明
の第６の実施の形態における有機発光素子の製造方法を
用いて製造された有機発光素子の断面図である。図７に
おいて、３１は透明電極３１０を表面に有するガラス基
板、３２は有機層、３３は電子注入用電極を示す。有機
層３２の材料は、例えば、アルミキノリンまたはそれを
含むものである。The organic light emitting device is a transparent electrode with a plus
It is an element that emits light from the organic layer by applying a minus to the electron injection electrode. FIG. 7 is a sectional view of an organic light emitting device manufactured using the method for manufacturing an organic light emitting device according to the sixth embodiment of the present invention. In FIG. 7, 31 is a glass substrate having a transparent electrode 310 on its surface, 32 is an organic layer, and 33 is an electron injection electrode. The material of the organic layer 32 is, for example, aluminum quinoline or one containing it.
【００６８】有機層３２上に電子注入用電極３３を形成
する際に、本発明の蒸着方法が用いられるものである。When forming the electron injection electrode 33 on the organic layer 32, the vapor deposition method of the present invention is used.
【００６９】電子注入電極３３に用いられる材料はマグ
ネシウムあるいはカルシウムあるいはリチウム等の活性
な元素を用いなければならない。これらの元素は一般に
はボートを用いて抵抗加熱で蒸着するが、完全な欠陥の
無い膜は得にくい。さらに有機層３２の膜圧は１０００
オングストローム程度で薄く、電極３３は有機層３２に
影響を与えないことが重要な要件となる。電極３３の蒸
着時における異物の混入は、有機発光素子の欠陥となっ
て現れる。従来の抵抗加熱による電極製造方では発光面
の欠陥数は平方ミリあたり数十個程度が発生するが、本
実施の形態における有機発光素子の製造方法を用いる
と、０．１個から０．５個まで減少させることが可能で
あることが確認された。The material used for the electron injection electrode 33 must use an active element such as magnesium, calcium or lithium. These elements are generally vapor-deposited by resistance heating using a boat, but it is difficult to obtain a completely defect-free film. Furthermore, the film pressure of the organic layer 32 is 1000.
It is an important requirement that the electrode 33 does not affect the organic layer 32 because it is as thin as angstrom. Mixing of foreign matter during vapor deposition of the electrodes 33 appears as defects in the organic light emitting device. In the conventional electrode manufacturing method by resistance heating, the number of defects on the light emitting surface is several tens per square millimeter, but when the method for manufacturing an organic light emitting element according to the present embodiment is used, the number of defects is 0.1 to 0.5. It was confirmed that it is possible to reduce the number to the number.
【００７０】さらに、有機層３２が、アルミキノリンの
ように固相から昇華する材料である場合、有機層３２を
形成する際に、本発明の蒸着方法を用いることは、十分
に効果が得られる。Further, when the organic layer 32 is a material that sublimes from the solid phase, such as aluminum quinoline, the vapor deposition method of the present invention is sufficiently effective when forming the organic layer 32. .
【００７１】[0071]
【発明の効果】以上説明したところから明らかなよう
に、本発明は、不純物が飛散して基板に付着することを
防止することによって、０．１ミクロン以下の膜厚で、
その表面平坦度が数十オングストロームであり、しかも
欠陥が無い、大面積の蒸着膜を製造できる蒸着電極構
造、蒸着装置、蒸着方法およびそれらを用いた有機発光
素子の製造方法を提供することができる。As is apparent from the above description, according to the present invention, by preventing impurities from scattering and adhering to the substrate, a film thickness of 0.1 μm or less can be obtained.
It is possible to provide a vapor deposition electrode structure capable of producing a large-area vapor deposition film having a surface flatness of several tens of angstroms and having no defects, a vapor deposition apparatus, a vapor deposition method, and a method for producing an organic light emitting device using them. .
【００７２】防止効果としては、従来の方法に比較し
て、基板への余分な粒子の付着数が１００分の１から
１０００分の１とすることが可能であることが確認され
ている。As a preventive effect, the number of extra particles adhering to the substrate is 1/100 of that of the conventional method.
It has been confirmed that it can be reduced to 1/1000.
【図１】本発明の第１の実施の形態における蒸着用電極
構造を示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing a vapor deposition electrode structure according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施の形態における蒸着用電極
構造の形状の別の一例を示す斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing another example of the shape of the electrode structure for vapor deposition according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施の形態における蒸着用電極
構造を示す長手方向の断面図。FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a vapor deposition electrode structure according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第４の実施の形態における蒸着用電極
構造を示す長手方向の断面図。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing an electrode structure for vapor deposition according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第４の実施の形態における蒸着用電極
構造を示す斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing a vapor deposition electrode structure according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第５の実施の形態における蒸着装置の
構成を示す構成図。FIG. 6 is a configuration diagram showing a configuration of a vapor deposition device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第６の実施の形態における有機発光素
子の製造方法を用いて製造された有機発光素子の断面
図。FIG. 7 is a cross-sectional view of an organic light emitting device manufactured using the method for manufacturing an organic light emitting device according to the sixth embodiment of the present invention.
１１ 蒸着材料 １２ 金網 １３ 通電電極 １４ 遮蔽板 ２１ 蒸着用電極構造 ２２ 使用済み電極構造の巻き取り部 ２３ 未使用の電極構造のストック部 ３１ ガラス板 ３２ 有機層 ３３ 電子注入用電極 ３１０ 透明電極 11 Vapor deposition material 12 wire mesh 13 energizing electrode 14 Shield 21 Electrode structure for vapor deposition 22 Winding part of used electrode structure 23 Stock part of unused electrode structure 31 glass plate 32 organic layers 33 Electron injection electrode 310 transparent electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−232962（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−118072（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−38569（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−48259（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−69961（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭53−33315（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-3-232962 (JP, A) JP-A-2-118072 (JP, A) JP-A-63-38569 (JP, A) 48259 (JP, U) Actual Kaihei 2-69961 (JP, U) Japanese Patent Publication Sho 53-33315 (JP, B1) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C23C 14/00-14 / 58
Claims (16)
付けられた金網とを備え、前記金網は、通電されること
によって、前記蒸着材料を加熱するものであることを特
徴とする蒸着用電極構造。1. An electrode for vapor deposition, comprising: a vapor deposition material; and a wire net wrapped around the vapor deposition material, wherein the wire net heats the vapor deposition material by being energized. Construction.
記蒸着材料の周囲に巻き付けられていることを特徴とす
る請求項１に記載の蒸着用電極構造。2. The vapor deposition electrode structure according to claim 1, wherein a plurality of the metal nets are stacked and wound around the vapor deposition material.
ロンから２００ミクロンの間であることを特徴とする請
求項１または２に記載の蒸着用電極構造。3. The vapor deposition electrode structure according to claim 1, wherein the size of the mesh of the wire mesh is between 10 and 200 microns.
タル、モリブデン、白金、ニッケルのうちのいずれか、
もしくはそれらの金属の合金であることを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の蒸着用電極構造。4. The material of the wire mesh is any one of tungsten, tantalum, molybdenum, platinum and nickel,
Or it is an alloy of those metals, The electrode structure for vapor deposition in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.
め、絶縁性あるいは前記金網に比較して高い抵抗を有す
る遮蔽板を備えることを特徴とする請求項１〜４のいず
れかに記載の蒸着用電極構造。5. The vapor deposition according to claim 1, further comprising a shield plate having an insulating property or a resistance higher than that of the wire net in order to limit a scattering direction of the vapor deposition material. Electrode structure.
まない材料であることを特徴とする請求項１〜５のいず
れかに記載の蒸着用電極構造。6. The vapor deposition electrode structure according to claim 1, wherein the vapor deposition material is a material that is not compatible with the material of the wire mesh.
物、硫化物、フッ化物、アモルファス材料、有機材料の
いずれかであることを特徴とする請求項６に記載の蒸着
用電極構造。7. The electrode structure for vapor deposition according to claim 6, wherein the vapor deposition material is any one of a sublimable metal, a metal oxide, a sulfide, a fluoride, an amorphous material, and an organic material.
む材料であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか
に記載の蒸着用電極構造。8. The electrode structure for vapor deposition according to claim 1, wherein the vapor deposition material is a material that is compatible with the material of the wire mesh.
ム、インジウム、カルシウムのいずれか、もしくは、そ
れらのうち少なくとも一つを含有した合金であることを
特徴とする請求項８に記載の蒸着用電極構造。9. The electrode structure for vapor deposition according to claim 8, wherein the vapor deposition material is any one of magnesium, lithium, indium, and calcium, or an alloy containing at least one of them. .
前記金網は、前記蒸着材料と一体となってワイヤー状に
なるように成形されていることを特徴とする請求項１〜
９のいずれかに記載の蒸着用電極構造。10. The vapor deposition material is wire-shaped,
The wire mesh is formed in a wire shape integrally with the vapor deposition material.
9. The electrode structure for vapor deposition according to any of 9.
着用電極構造を備え、前記蒸着材料を基板上に蒸着させ
ることを特徴とする蒸着装置。11. A vapor deposition apparatus comprising the vapor deposition electrode structure according to claim 1, wherein the vapor deposition material is vapor deposited on a substrate.
と、前記蒸着用電極構造を繰り出す繰り出し手段と、蒸
着後の前記蒸着用電極構造を巻き取る巻き取り手段とを
備え、前記蒸着材料を基板上に蒸着させることを特徴と
する蒸着装置。12. The vapor deposition electrode structure according to claim 10, a feeding means for feeding the vapor deposition electrode structure, and a winding means for winding the vapor deposition electrode structure after vapor deposition. A vapor deposition device characterized by vapor deposition on a substrate.
着用電極構造、もしくは、請求項１１または１２に記載
の蒸着装置を用い、抵抗加熱法によって前記蒸着材料を
基板上に蒸着させることを特徴とする蒸着方法。13. A vapor deposition material is deposited on a substrate by a resistance heating method using the vapor deposition electrode structure according to claim 1 or the vapor deposition device according to claim 11 or 12. And a vapor deposition method.
である場合は、前記蒸着材料を溶融させるか昇華させ
て、前もって前記金網の上に析出させておき、その析出
させた前記蒸着材料を再度蒸発させることによって、蒸
着を行うことを特徴とする請求項１３に記載の蒸着方
法。14. When the vapor deposition material is a material that is compatible with the wire netting, the vapor deposition material is melted or sublimated to be deposited on the wire netting in advance, and the deposited vapor deposition material is again formed. The vapor deposition method according to claim 13, wherein vapor deposition is performed by evaporation.
法を用いることを特徴とする有機発光素子の製造方法。15. A method of manufacturing an organic light emitting device, which comprises using the vapor deposition method according to claim 13 or 14.
ることを特徴とする請求項１５に記載の有機発光素子の
製造方法。16. The method of claim 15, wherein the vapor deposition material is aluminum quinoline.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3453290B2 (en) |
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|---|---|---|---|---|
| TW490714B (en) * | 1999-12-27 | 2002-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and method for forming a film |
| JP3929397B2 (en) * | 2000-08-10 | 2007-06-13 | 新日鐵化学株式会社 | Method and apparatus for manufacturing organic EL element |
| JP4976070B2 (en) * | 2006-07-11 | 2012-07-18 | 住友電気工業株式会社 | Deposition equipment |
-
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|---|---|
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