JP3399771B2 - Microwave circuit - Google Patents

Microwave circuit

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JP3399771B2
JP3399771B2 JP04113597A JP4113597A JP3399771B2 JP 3399771 B2 JP3399771 B2 JP 3399771B2 JP 04113597 A JP04113597 A JP 04113597A JP 4113597 A JP4113597 A JP 4113597A JP 3399771 B2 JP3399771 B2 JP 3399771B2
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coplanar line
dielectric
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波およ
びミリ波等の超高周波数帯で使用されるマイクロ波回路
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave circuit used in an ultrahigh frequency band such as microwave and millimeter wave.

【0002】[0002]

【従来の技術】図7は、アイイーイーイー トランザク
ションズ オン マイクロウェーブセオリー アンド
テクニックス,第32巻,第5号,1984年5月発
行,第544頁から第547頁(IEEE TRANS
ACTIONS ON MICROWAVE THEO
RY AND TECHNIQUES,VOL.MTT
−32,NO.5,MAY 1984,pp.544〜
547)に示されたマイクロストリップ線路を形成した
誘電体基板上に導体が設けられている従来のマイクロ波
回路の一例を示す断面構成図である。図7において、5
は誘電体基板、23はマイクロストリップ線路、6は誘
電体基板5の裏面に形成した接地導体、24は導体であ
る。マイクロストリップ線路23で構成したバンドパス
フィルタを誘電体基板5上に形成し、図7に示した導体
24の有無による周波数特性の変化を図8に示す。図8
に示されているように、バンドパスフィルタを構成する
マイクロストリップ線路23上に導体24がある場合
は、導体24がない場合に比べて通過帯域が約2分の1
になっていることがわかる。これは導体24の有無によ
りバンドパスフィルタを構成するマイクロストリップ線
路23の特性が変化するためである。
2. Description of the Related Art FIG. 7 shows an IE transactions on microwave theory and.
Techniques, Volume 32, No. 5, May 1984, pp. 544-547 (IEEE TRANS
ACTIONS ON MICROWAVE THEO
RY AND TECHNIQUES, VOL. MTT
-32, NO. 5, MAY 1984, pp. 544-
FIG. 5 is a cross-sectional configuration diagram showing an example of a conventional microwave circuit in which a conductor is provided on a dielectric substrate on which the microstrip line shown in FIG. 547) is formed. In FIG. 7, 5
Is a dielectric substrate, 23 is a microstrip line, 6 is a ground conductor formed on the back surface of the dielectric substrate 5, and 24 is a conductor. FIG. 8 shows a change in the frequency characteristic depending on the presence or absence of the conductor 24 shown in FIG. 7 in which the bandpass filter constituted by the microstrip line 23 is formed on the dielectric substrate 5. Figure 8
As shown in FIG. 3, when the conductor 24 is provided on the microstrip line 23 that constitutes the bandpass filter, the pass band is about one half of that when the conductor 24 is not provided.
You can see that it is. This is because the characteristics of the microstrip line 23 forming the bandpass filter change depending on the presence or absence of the conductor 24.

【0003】従来、マイクロストリップ線路23は、マ
イクロストリップ線路23の導体と誘電体基板5の裏面
に形成した接地導体6間に生じる電磁界により動作して
いる。その場合、前記電磁界はマイクロストリップ線路
23の導体24と誘電体基板5の裏面に形成した接地導
体6間の誘電体に閉じこめられるもの、およびマイクロ
ストリップ線路23上の空間を介して誘電体基板5の裏
面に形成した接地導体6との間に生じるものの両方が存
在する。
Conventionally, the microstrip line 23 operates by an electromagnetic field generated between the conductor of the microstrip line 23 and the ground conductor 6 formed on the back surface of the dielectric substrate 5. In this case, the electromagnetic field is confined in the dielectric between the conductor 24 of the microstrip line 23 and the ground conductor 6 formed on the back surface of the dielectric substrate 5, and the dielectric substrate through the space above the microstrip line 23. 5 and the ground conductor 6 formed on the back surface of the conductor 5 both exist.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波回路
は以上のように構成されているので、マイクロストリッ
プ線路23の動作において生じる電磁界のうち、空間を
介して誘電体基板5の裏面に形成した接地導体6との間
に生じる電磁界は空間に占める領域が大きい。マイクロ
ストリップ線路23はメタルパッケージへマウントされ
ているために、誘電体基板5の裏面に形成した接地導体
6と同電位のメタルパッケージの蓋をマイクロストリッ
プ線路23に近づけると、メタルパッケージの蓋とマイ
クロストリップ線路23間にも電磁界が生じマイクロ波
の伝搬モードが変化し、マイクロストリップ線路23の
動作ではなくなるという現象が生じる。このためマイク
ロストリップ線路23として動作させるためには、メタ
ルパッケージの蓋とマイクロストリップ線路23の間隔
をマイクロストリップ線路23の動作に影響のない距離
だけとらなければならないという課題があった。
Since the conventional microwave circuit is constructed as described above, the electromagnetic field generated in the operation of the microstrip line 23 is formed on the back surface of the dielectric substrate 5 through a space. The electromagnetic field generated between the ground conductor 6 and the ground conductor 6 occupies a large space. Since the microstrip line 23 is mounted on the metal package, when the lid of the metal package having the same potential as the ground conductor 6 formed on the back surface of the dielectric substrate 5 is brought close to the microstrip line 23, the lid of the metal package and the micro An electromagnetic field is also generated between the strip lines 23, the microwave propagation mode changes, and the phenomenon that the operation of the microstrip lines 23 ceases occurs. Therefore, in order to operate as the microstrip line 23, there is a problem that the distance between the lid of the metal package and the microstrip line 23 must be a distance that does not affect the operation of the microstrip line 23.

【0005】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、マイクロ波の伝送特性を変えるこ
となく、厚さを薄くしてコンパクトに構成できるマイク
ロ波回路を得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to obtain a microwave circuit which can be made thin and compact without changing the microwave transmission characteristics. To do.

【0006】[0006]

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】 請求項1 記載の発明に係
るマイクロ波回路は、裏面に形成された裏面接地導体を
有した誘電体基板と、該誘電体基板上に形成された主導
体および当該主導体と所定のギャップを有し形成された
接地導体とからなるコプレーナ線路と、該コプレーナ線
路の長手方向に沿って前記誘電体基板の端面を覆うよう
に設けられ、前記コプレーナ線路を構成する前記接地導
体と前記誘電体基板の前記裏面接地導体との間を電気的
に接続する接続導体と、前記コプレーナ線路を覆う誘電
体膜と、該誘電体膜上に形成された導体および前記裏面
接地導体を構成部分として含み前記コプレーナ線路を包
んだ状態に構成されたシールド構成部とを備え、誘電体
膜として第1誘電体および第2誘電体により層状にコプ
レーナ線路上を覆っており、前記層状にコプレーナ線路
上を覆っている誘電体の最上層の前記第2誘電体表面に
形成され、誘電体基板の裏面接地導体と電気的に接続さ
れている導体膜をシールド構成部の構成部分として含む
ようにしたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a microwave circuit including a back side ground conductor formed on a back side.
Having a dielectric substrate and a lead formed on the dielectric substrate
Formed with a certain gap between the body and the main conductor
A coplanar line consisting of a ground conductor and the coplanar line
To cover the end face of the dielectric substrate along the longitudinal direction of the path
Is provided in the ground plane and constitutes the coplanar line.
Between the body and the backside ground conductor of the dielectric substrate.
And a dielectric covering the coplanar line.
Body film, conductor formed on the dielectric film, and the back surface
Includes a ground conductor as a component and encloses the coplanar line
And a shield component configured in a
Film as has Tsu covering a coplanar line path in a layer by a first dielectric and a second dielectric, is formed on the second dielectric surface of the uppermost dielectric covering the coplanar lines path to the layered, dielectric The conductor film electrically connected to the backside ground conductor of the body substrate is included as a constituent part of the shield constituent part.

【0008】請求項2記載の発明に係るマイクロ波回路
は、誘電体基板の裏面に形成された裏面接地導体と電気
的に接続され、当該誘電体基板より面積の大きな板状導
体上に前記誘電体基板が構成されるようにしたものであ
る。
A microwave circuit according to a second aspect of the present invention is electrically connected to a backside ground conductor formed on the backside of a dielectric substrate, and the dielectric is formed on a plate-shaped conductor having a larger area than the dielectric substrate. The body substrate is configured.

【0009】請求項3記載の発明に係るマイクロ波回路
は、コプレーナ線路の長手方向に沿って誘電体基板の端
面を覆うように形成された金属薄膜を接続導体とすると
ともに、導体膜が前記金属薄膜と接続されて形成され、
シールド構成部は、前記導体膜、前記金属薄膜および前
記誘電体基板の裏面接地導体により前記コプレーナ線路
を包んだ状態に構成されるようにしたものである。
In a microwave circuit according to a third aspect of the present invention, a metal thin film formed so as to cover the end face of the dielectric substrate along the longitudinal direction of the coplanar line is used as a connection conductor, and the conductor film is the metal. Formed by connecting with a thin film,
The shield component is configured to enclose the coplanar line with the conductor film, the metal thin film, and the backside ground conductor of the dielectric substrate.

【0010】請求項4記載の発明に係るマイクロ波回路
は、コプレーナ線路の長手方向に沿って誘電体基板の端
面を覆うように形成された金属薄膜を接続導体とすると
ともに、導体膜が前記金属薄膜と接続されて形成され、
シールド構成部は、前記導体膜、前記金属薄膜、裏面接
地導体および板状導体により前記コプレーナ線路を包ん
だ状態に構成されるようにしたものである。
In a microwave circuit according to a fourth aspect of the present invention, the metal thin film formed so as to cover the end face of the dielectric substrate along the longitudinal direction of the coplanar line is used as a connection conductor, and the conductor film is the metal. Formed by connecting with a thin film,
The shield component is configured to enclose the coplanar line with the conductor film, the metal thin film, the backside ground conductor, and the plate conductor.

【0011】請求項5記載の発明に係るマイクロ波回路
は、コプレーナ線路の長手方向に沿って誘電体基板の端
面を覆うように当該端面上にまで及ぼして形成した当該
誘電体基板の裏面接地導体を接続導体として用いるとと
もに、導体膜が、前記誘電体基板の端面上にまで及ぼし
て形成した前記裏面接地導体と接続されて形成され、シ
ールド構成部は、前記導体膜と前記端面上にまで及ぼし
て形成した前記誘電体基板の裏面接地導体とにより前記
コプレーナ線路を包むように構成したものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a microwave circuit in which a backside ground conductor of the dielectric substrate is formed so as to cover the end face of the dielectric substrate along the longitudinal direction of the coplanar line. Is used as a connection conductor, and a conductor film is formed by being connected to the backside ground conductor formed by extending even over the end surface of the dielectric substrate, and the shield forming portion extends over the conductor film and the end surface. The backside ground conductor of the dielectric substrate thus formed surrounds the coplanar line.

【0012】請求項6記載の発明に係るマイクロ波回路
は、コプレーナ線路が、当該コプレーナ線路を構成する
接地導体に近接して形成された集中定数素子を備えるよ
うにしたものである。
In a microwave circuit according to a sixth aspect of the present invention, the coplanar line is provided with a lumped constant element formed close to a ground conductor forming the coplanar line.

【0013】請求項7記載の発明に係るマイクロ波回路
は、コプレーナ線路を介して供給された電気信号を光信
号へ変換する光電変換素子を備えるようにしたものであ
る。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a microwave circuit including a photoelectric conversion element for converting an electric signal supplied via a coplanar line into an optical signal.

【0014】請求項8記載の発明に係るマイクロ波回路
は、光信号を電気信号に変換しコプレーナ線路へ供給す
る光電変換素子を備えるようにしたものである。
A microwave circuit according to an eighth aspect of the present invention includes a photoelectric conversion element that converts an optical signal into an electric signal and supplies the electric signal to a coplanar line.

【0015】請求項9記載の発明に係るマイクロ波回路
は、光電変換素子へ光信号を入出力する光信号入出力部
を備えるようにしたものである。
A microwave circuit according to a ninth aspect of the present invention is provided with an optical signal input / output section for inputting / outputting an optical signal to / from a photoelectric conversion element.

【0016】請求項10記載の発明に係るマイクロ波回
路は、誘電体膜を構成する第2誘電体を、コプレーナ線
路、光電変換素子および光信号入出力部を板状導体上で
覆っている透明材質にしたものである。
A microwave circuit according to a tenth aspect of the present invention is a microwave circuit in which a second dielectric forming a dielectric film covers a coplanar line, a photoelectric conversion element and an optical signal input / output section on a plate-shaped conductor. It is made of material.

【0017】請求項11記載の発明に係るマイクロ波回
路は、板状導体上に配置されたシリコン基板表面に構成
された導体上に光電変換素子が設けられており、前記シ
リコン基板表面に形成された溝に配置され前記光電変換
素子に対し光信号を入出力する光ファイバを光信号入出
力部として備えるようにしたものである。
In a microwave circuit according to an eleventh aspect of the present invention, a photoelectric conversion element is provided on a conductor formed on the surface of a silicon substrate arranged on a plate-shaped conductor, and the photoelectric conversion element is formed on the surface of the silicon substrate. And an optical fiber for inputting and outputting an optical signal to and from the photoelectric conversion element is provided as an optical signal input / output unit.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態1. 図1は、この発明の実施の形態1によるマイクロ波回路
の構成を示す断面構成図である。図において、1はコプ
レーナ線路7を構成する主線路(主導体)、2はコプレ
ーナ線路7を構成する接地導体、3は主線路1と接地導
体2間に形成されたスロットである。5は主線路1、接
地導体2およびスロット3が表面に形成された誘電体基
板、4は誘電体基板5の表面上に形成された主線路1、
接地導体2およびスロット3を覆う第1誘電体(誘電体
膜)、6は誘電体基板5の裏面に形成されている裏面接
地導体(接続導体)、11は誘電体基板5の端面に形成
されコプレーナ線路7を構成する接地導体2と誘電体基
板5の裏面に形成された裏面接地導体6とを接続した金
属薄膜(接続導体)、9は第1誘電体4を覆った第2誘
電体(誘電体膜)、8は第2誘電体9の表面を覆う導体
膜、10はコプレーナ線路7、誘電体基板5、誘電体基
板5の裏面に形成された裏面接地導体6により構成され
た基板がマウントされた板状接地導体(板状導体)であ
る。なお、第2誘電体9を透明材質のものを用いること
が可能である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1. 1 is a sectional configuration diagram showing a configuration of a microwave circuit according to a first embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a main line (main conductor) that constitutes the coplanar line 7, 2 is a ground conductor that constitutes the coplanar line 7, and 3 is a slot formed between the main line 1 and the ground conductor 2. 5 is a dielectric substrate having a main line 1, a ground conductor 2 and a slot 3 formed on the surface, 4 is a main line 1 formed on the surface of a dielectric substrate 5,
A first dielectric (dielectric film) covering the ground conductor 2 and the slot 3, 6 is a backside ground conductor (connection conductor) formed on the backside of the dielectric substrate 5, and 11 is formed on the end face of the dielectric substrate 5. A thin metal film (connecting conductor) connecting the ground conductor 2 forming the coplanar line 7 and the backside grounding conductor 6 formed on the backside of the dielectric substrate 5, and the second dielectric (9) covering the first dielectric 4 (connection conductor). (Dielectric film), 8 is a conductor film that covers the surface of the second dielectric 9, and 10 is a substrate composed of the coplanar line 7, the dielectric substrate 5, and the backside ground conductor 6 formed on the backside of the dielectric substrate 5. It is a mounted plate-shaped ground conductor (plate-shaped conductor). The second dielectric 9 can be made of a transparent material.

【0019】この実施の形態1のマイクロ波回路はこれ
ら各構成要素を備え、主線路1、接地導体2およびスロ
ット3で構成されるコプレーナ線路7が誘電体基板5の
表面上に形成され、コプレーナ線路7を構成する接地導
体2と誘電体基板5の裏面の裏面接地導体6とが誘電体
基板5の端面で金属薄膜11により接続され、さらにコ
プレーナ線路7、誘電体基板5および裏面接地導体6で
構成される基板が板状接地導体10にマウントされてい
る。そして、コプレーナ線路7は第1誘電体4、第2誘
電体9で覆われており、第2誘電体9は導体膜8で覆わ
れているとともに金属薄膜11に接続した構成である。
The microwave circuit according to the first embodiment is provided with these respective components, and a coplanar line 7 composed of the main line 1, the ground conductor 2 and the slot 3 is formed on the surface of the dielectric substrate 5, and the coplanar line is formed. The ground conductor 2 forming the line 7 and the backside ground conductor 6 on the backside of the dielectric substrate 5 are connected by a metal thin film 11 at the end face of the dielectric substrate 5, and the coplanar line 7, the dielectric substrate 5 and the backside grounding conductor 6 are connected. A substrate constituted by is mounted on the plate-shaped ground conductor 10. The coplanar line 7 is covered with the first dielectric 4 and the second dielectric 9, and the second dielectric 9 is covered with the conductor film 8 and connected to the metal thin film 11.

【0020】図2は、主線路1の幅が30μm、接地導
体2と主線路1との間に形成されるスロット3の幅が6
0μmのコプレーナ線路7、誘電体基板5の厚さが10
0μm、誘電体基板の誘電率が12.9、コプレーナ線
路7上の誘電体を1種類としその誘電率を2.6とし、
コプレーナ線路7と導体膜8との距離を変化させた場合
の特性(コプレーナ線路7の特性インピーダンス)の計
算結果の一例を示したものである。計算を簡略化するた
め、導体膜8の側面は誘電体基板5の端面に垂直とし、
導体膜8の上面は誘電体基板5に平行に設けた構造とし
た。図2よりコプレーナ線路7と導体膜8との距離を1
00μmまで近づけても特性インピーダンスはほとんど
変化しない。
In FIG. 2, the main line 1 has a width of 30 μm, and the slot 3 formed between the ground conductor 2 and the main line 1 has a width of 6 μm.
The 0 μm coplanar line 7 and the dielectric substrate 5 have a thickness of 10
0 μm, the dielectric constant of the dielectric substrate is 12.9, the dielectric constant on the coplanar line 7 is one, and the dielectric constant is 2.6.
It shows an example of calculation results of characteristics (characteristic impedance of the coplanar line 7) when the distance between the coplanar line 7 and the conductor film 8 is changed. In order to simplify the calculation, the side surface of the conductor film 8 is perpendicular to the end surface of the dielectric substrate 5,
The upper surface of the conductor film 8 has a structure provided in parallel with the dielectric substrate 5. From FIG. 2, the distance between the coplanar line 7 and the conductor film 8 is 1
The characteristic impedance hardly changes even when it is brought close to 00 μm.

【0021】以上のように、この実施の形態1のマイク
ロ波回路では、コプレーナ線路7を伝送線路としている
ので、その動作においてコプレーナ線路7を構成する誘
電体基板5の表面に形成された主線路1と接地導体2と
の間に電磁界が生じる。この場合に生じる電磁界はコプ
レーナ線路7を形成している誘電体を介するものと、コ
プレーナ線路7上を覆った誘電体を介するものがある
が、共に誘電体を介することと、コプレーナ線路7を構
成する誘電体基板5表面上の主線路1と誘電体基板5表
面上の接地導体2との間隔を主線路1の線路幅との関係
で狭く構成できるので、従来のマイクロストリップ線路
23で構成した場合よりもこの実施の形態のコプレーナ
線路7の方が空間に放射する電磁界を少なくして前記電
磁界を閉じこめることが可能となる。このためマイクロ
波の伝送線路であるコプレーナ線路7と当該伝送線路の
上方に構成される導体の間隔を従来より小さくすること
が可能になるため、導体膜8をコプレーナ線路7へ近づ
けることが出来、薄く小型のマイクロ波回路が得られる
効果がある。
As described above, in the microwave circuit according to the first embodiment, since the coplanar line 7 is used as the transmission line, the main line formed on the surface of the dielectric substrate 5 forming the coplanar line 7 in its operation. An electromagnetic field is generated between 1 and the ground conductor 2. Electromagnetic fields generated in this case include those passing through the dielectric forming the coplanar line 7 and those passing through the dielectric covering the coplanar line 7, both of which are via the dielectric and the coplanar line 7. Since the distance between the main line 1 on the surface of the dielectric substrate 5 and the ground conductor 2 on the surface of the dielectric substrate 5 can be narrowed in relation to the line width of the main line 1, the conventional microstrip line 23 is used. The coplanar line 7 of this embodiment can occlude the electromagnetic field by reducing the electromagnetic field radiated into the space, as compared with the above case. For this reason, the distance between the coplanar line 7 which is a microwave transmission line and the conductor formed above the transmission line can be made smaller than before, so that the conductor film 8 can be brought closer to the coplanar line 7. There is an effect that a thin and small microwave circuit can be obtained.

【0022】また、コプレーナ線路7を構成する接地導
体2と誘電体基板5の裏面に形成した裏面接地導体6間
を誘電体基板5の端面で金属薄膜11により接続し、同
じ端面でコプレーナ線路7上の第1誘電体4を覆う導体
膜8も金属薄膜11に接続することにより接地導体とし
ているため、導体膜8はシールドとして作用して空間に
放射する電磁界を遮蔽して空間へのマイクロ波の放射に
よる損失の少ないマイクロ波回路が得られる効果があ
る。
The ground conductor 2 forming the coplanar line 7 and the backside ground conductor 6 formed on the backside of the dielectric substrate 5 are connected by a metal thin film 11 at the end face of the dielectric substrate 5, and the coplanar line 7 is formed at the same end face. Since the conductor film 8 covering the upper first dielectric 4 is also connected to the metal thin film 11 to serve as a ground conductor, the conductor film 8 acts as a shield and shields an electromagnetic field radiated into the space to prevent a micro-radiation to the space. There is an effect that a microwave circuit with less loss due to wave radiation can be obtained.

【0023】参考例1. この発明の実施の形態を示すものではないが、その理解
を助けるために参考例を示す。 図3は参考例1によるマ
イクロ波回路の構成を示す断面構成図である。図3にお
いて図1と同一または相当の部分については同一符号を
付し説明を省略する。図において、12はコプレーナ線
路7を構成する接地導体2と誘電体基板5の裏面の裏面
接地導体6とを誘電体基板5の端面で接続した金ワイ
ある。
[0023]Reference example 1. Although the embodiments of the present invention are not shown, understanding
Here is a reference example to help you. Figure 3Is reference example 1By
It is a cross-sectional block diagram which shows the structure of a microwave circuit. In Figure 3
For the same or corresponding parts as in FIG.
The description is omitted. In the figure, 12 is a coplanar line
The back surface of the ground conductor 2 and the back surface of the dielectric substrate 5 that form the path 7.
A gold wire which is connected to the ground conductor 6 at the end surface of the dielectric substrate 5.Ya
sois there.

【0024】この参考例1のマイクロ波回路では、コプ
レーナ線路7を構成する接地導体2と誘電体基板5の裏
面の裏面接地導体6が誘電体基板5の端面で金ワイヤ1
2で接続されており、この結果、前記実施の形態1のマ
イクロ波回路と同様な効果を奏する。
In the microwave circuit of Reference Example 1 , the ground conductor 2 forming the coplanar line 7 and the backside ground conductor 6 on the backside of the dielectric substrate 5 are gold wires 1 on the end face of the dielectric substrate 5.
They are connected by means of two, and as a result, the same effect as the microwave circuit of the first embodiment can be obtained.

【0025】参考例2. 図4は参考例2によるマイクロ波回路の構成を示す断面
構成図である。図4において図1と同一または相当の部
分については同一符号を付し説明を省略する。図におい
て、13はコプレーナ線路7を構成する接地導体2と誘
電体基板5の裏面の裏面接地導体6とを接続する、誘電
体基板5に形成されたスルーホールである。
[0025]Reference example 2. Figure 4Reference example 2Section showing the structure of the microwave circuit
It is a block diagram. 4 is the same as or equivalent to FIG.
Minutes are given the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Figure smell
13 is the ground conductor 2 that constitutes the coplanar line 7 and
Connect the backside ground conductor 6 on the backside of the electric substrate 5 to the dielectric
Through-hole formed on the body substrate 5In Leis there.

【0026】この参考例2のマイクロ波回路では、コプ
レーナ線路7を構成する接地導体2と誘電体基板5の裏
面の裏面接地導体6が誘電体基板5に形成されたスルー
ホール13により接続されており、この結果、前記実施
の形態1のマイクロ波回路と同様な効果を奏する。
In the microwave circuit of the second reference example , the ground conductor 2 forming the coplanar line 7 and the back surface ground conductor 6 on the back surface of the dielectric substrate 5 are connected by the through hole 13 formed in the dielectric substrate 5. As a result, the same effect as the microwave circuit according to the first embodiment can be obtained.

【0027】実施の形態2. 図5は、この発明の実施の形態2によるマイクロ波回路
の構成を示す断面構成図である。図5において図1と同
一または相当の部分については同一符号を付し説明を省
略する。図において、14は誘電体基板5の表面に形成
された複数の並列に配置されている導体、15は導体1
4と接地導体2とを接続するエアブリッジである。この
複数の並列に配置されている導体14およびエアブリッ
ジ15によりスパイラルインダクタ(集中定数素子)1
6が構成されている。接地導体2は、スパイラルインダ
クタ16の周囲に近接し形成されている。また、この
施の形態2の誘電体基板5の裏面接地導体6は、実施の
形態1 参考例1,2では誘電体基板5の裏面にのみ形
成されていたのに対し、誘電体基板5の裏面および端面
に形成されており、コプレーナ線路7を構成する接地導
体2と接続されている。
[0027]Embodiment 2. FIG. 5 shows the invention.Embodiment 2By microwave circuit
3 is a cross-sectional configuration diagram showing the configuration of FIG. 5 is the same as FIG.
The same symbols are attached to one or the corresponding parts and explanations are omitted.
I will omit it. In the figure, 14 is formed on the surface of the dielectric substrate 5.
A plurality of conductors arranged in parallel, 15 is a conductor 1
4 is an air bridge that connects 4 and the ground conductor 2. this
A plurality of conductors 14 arranged in parallel and an air bridge
Spiral inductor (lumped element) 1 by J
6 are configured. The ground conductor 2 is a spiral inductor.
It is formed in the vicinity of the periphery of the kector 16. Also thisFruit
Form 2The backside ground conductor 6 of the dielectric substrate 5 of
Form 1, In Reference Examples 1 and 2Is formed only on the back surface of the dielectric substrate 5.
Although it was formed, the back surface and end surface of the dielectric substrate 5
Ground conductor that forms the coplanar line 7.
It is connected to the body 2.

【0028】この実施の形態2のマイクロ波回路では、
集中定数素子と共に素子の周囲近傍に接地導体を形成す
るので、その動作において集中定数素子を形成する導体
あるいは電極と誘電体基板5の表面上の接地導体2との
間に電磁界が生じる。この場合生じる電磁界は集中定数
素子を形成している誘電体を介するものと、集中定数素
子上を覆った誘電体を介するものがあるが、共に誘電体
を介することおよび集中定数素子を形成する導体あるい
は電極と誘電体基板5の表面上の接地導体2との間を近
接させることにより、従来の集中定数素子で構成した場
合よりも空間に広がる電磁界を集中定数素子近傍に閉じ
こめることが出来、マイクロ波の伝送線路であるコプレ
ーナ線路7と当該伝送線路の上方に構成される導体の間
隔を従来より近づけることが可能になる効果がある。
In the microwave circuit according to the second embodiment ,
Since the ground conductor is formed in the vicinity of the periphery of the element together with the lumped element, an electromagnetic field is generated between the conductor or electrode forming the lumped element and the ground conductor 2 on the surface of the dielectric substrate 5 in the operation. The electromagnetic field generated in this case is either through a dielectric that forms the lumped constant element or through a dielectric that covers the lumped constant element, both of which pass through the dielectric and form the lumped constant element. By placing the conductor or electrode and the ground conductor 2 on the surface of the dielectric substrate 5 close to each other, the electromagnetic field spreading in the space can be confined in the vicinity of the lumped constant element as compared with the case of the conventional lumped element. As a result, the distance between the coplanar line 7, which is a microwave transmission line, and the conductor formed above the transmission line can be made closer than before.

【0029】実施の形態3. 図6は、この発明の実施の形態3によるマイクロ波回路
の構成を示す断面構成図である。この実施の形態3のマ
イクロ波回路は、前記実施の形態1や参考例1,2、実
施の形態2において説明した各マイクロ波回路に、コプ
レーナ線路7を介して供給されたマイクロ波信号を光信
号へ変換し光ファイバへ出力するレーザダイオードなど
の光電変換素子を追加して設けた構成である。なお、こ
の光電変換素子は外部から送られてくる光信号を電気信
号に変換しコプレーナ線路7へ供給する機能を有した素
子であってもよい。
[0029]Embodiment 3. FIG. 6 shows the invention.Embodiment 3By microwave circuit
3 is a cross-sectional configuration diagram showing the configuration of FIG. thisEmbodiment 3The Ma
The microwave circuit is the same as in the first embodiment.And Reference Examples 1 and 2, actual
Form 2For each microwave circuit described in
The microwave signal supplied via the Lena line 7 is transmitted as an optical signal.
Diode that converts the signal to optical fiber and outputs to optical fiber
The photoelectric conversion element is additionally provided. In addition, this
The photoelectric conversion element of the
With the function of converting into a signal and supplying it to the coplanar line 7.
May be a child.

【0030】図6において符号1,4,5,6は図1,
図3,図4,図5により説明したマイクロ波回路の同一
符号を付した部分と同一であり、これらについては同一
符号を付し説明を省略する。図において、10は板状接
地導体であり、この実施の形態5のマイクロ波回路で
は、レーザダイオードなどの光電変換素子を追加して設
けるスペースを確保するために前記実施の形態1、参考
例1,2、実施の形態2の板状接地導体よりも広い面積
を有している。また、第2誘電体9は、コプレーナ線路
7、レーザダイオード18などの光電変換素子および光
ファイバ(光信号入出力部)21などを板状接地導体1
0上で覆う透明材質の誘電体である。
In FIG. 6, reference numerals 1, 4, 5 and 6 denote those in FIG.
This is the same as the portion of the microwave circuit described with reference to FIGS. 3, 4, and 5 with the same reference numeral, and the same reference numeral is given to them and the description thereof is omitted. In the figure, 10 is a plate-shaped ground conductor, a microwave circuit according to the fifth embodiment, the first embodiment in order to secure a space for additionally provided a photoelectric conversion element such as a laser diode, reference
It has a larger area than the plate-shaped ground conductors of Examples 1 and 2 and Embodiment 2 . The second dielectric 9 includes the coplanar line 7, the photoelectric conversion element such as the laser diode 18, the optical fiber (optical signal input / output section) 21 and the like, and the plate-shaped ground conductor 1.
It is a dielectric made of a transparent material that is covered on the surface.

【0031】この第2誘電体9の表面には導体膜8が形
成されており、この導体膜8は、前記実施の形態1の構
成のマイクロ波回路を使用する場合、左端部付近がコプ
レーナ線路7の接地導体2または金属薄膜11と電気的
に接続され、右端付近が板状接地導体10と電気的に接
続されている。また、この図6に示すマイクロ波回路を
上方から見たときの平面図は示していないが、導体膜8
は、その左端部付近がコプレーナ線路7の接地導体2ま
たは金属薄膜11と電気的に接触し、且つ、図6の導体
膜右端部付近に示すように板状接地導体10と電気的に
接触した状態でレーザダイオード18などの光電変換素
子および光ファイバ21などを板状接地導体10上で覆
っている。この結果、導体膜8と板状接地導体10と金
属薄膜11とによりコプレーナ線路7を覆うシールド構
成部が形成されており、コプレーナ線路7をマイクロ波
が伝播する際の空間への放射による損失が抑制されるよ
うに構成されている。また、導体膜8と誘電体基板5と
の間に間隙が構成されているが、この間隙からはコプレ
ーナ線路7の主線路1が導体膜8に接触しないように外
部へ露出させるためのものである。
A conductor film 8 is formed on the surface of the second dielectric 9, and the conductor film 8 has a coplanar line near the left end when the microwave circuit having the structure of the first embodiment is used. 7 is electrically connected to the ground conductor 2 or the metal thin film 11, and the vicinity of the right end is electrically connected to the plate-shaped ground conductor 10. Although the plan view of the microwave circuit shown in FIG. 6 viewed from above is not shown, the conductor film 8 is not shown.
Is in electrical contact with the ground conductor 2 or the metal thin film 11 of the coplanar line 7 near its left end, and is in electrical contact with the plate-like ground conductor 10 as shown near the right end of the conductor film in FIG. In this state, the photoelectric conversion element such as the laser diode 18 and the optical fiber 21 are covered on the plate-shaped ground conductor 10. As a result, the conductor film 8, the plate-shaped ground conductor 10, and the metal thin film 11 form a shield component that covers the coplanar line 7, and the loss due to radiation to the space when the microwave propagates through the coplanar line 7. It is configured to be suppressed. Further, a gap is formed between the conductor film 8 and the dielectric substrate 5, and is for exposing the main line 1 of the coplanar line 7 to the outside so as not to contact the conductor film 8 from this gap. is there.

【0032】また、導体膜8は、前記参考例1および前
参考例2の構成のマイクロ波回路を使用する場合で
は、コプレーナ線路7の主線路1を導体膜8に接触しな
いように外部へ露出させるための前記間隙を残して、図
6の導体膜右端部付近に示すように板状接地導体10と
電気的に接触した状態でレーザダイオード18などの光
電変換素子および光ファイバ21などを板状接地導体1
0上で覆っている。この結果、導体膜8と板状接地導体
10とによりコプレーナ線路7を覆うシールド構成部が
形成されており、コプレーナ線路7をマイクロ波が伝播
する際の空間への放射による損失が抑制されるように構
成されている。
In the case of using the microwave circuits having the configurations of the first reference example and the second reference example , the conductor film 8 is exposed to the outside so that the main line 1 of the coplanar line 7 does not contact the conductor film 8. The photoelectric conversion elements such as the laser diode 18 and the optical fiber 21 are plate-shaped in a state of being in electrical contact with the plate-shaped ground conductor 10 as shown in the vicinity of the right end portion of the conductor film in FIG. Ground conductor 1
0 is covered. As a result, the conductor film 8 and the plate-shaped grounding conductor 10 form a shield component that covers the coplanar line 7, and the loss due to radiation to the space when the microwave propagates through the coplanar line 7 is suppressed. Is configured.

【0033】また、実施の形態3の構成のマイクロ波回
路を使用する場合、左端部付近がコプレーナ線路7の接
地導体2または誘電体基板5の端面上の裏面接地導体6
と電気的に接続され、右端付近が板状接地導体10と電
気的に接続されている。また、この場合の図6に示すマ
イクロ波回路を上方から見たときの平面図は示していな
いが、導体膜8は、その左端部付近がコプレーナ線路7
の接地導体2または前記誘電体基板5の端面上の裏面接
地導体6と電気的に接触し、且つ、図6の導体膜8右端
部付近に示すように板状接地導体10と電気的に接触し
た状態でレーザダイオード18などの光電変換素子およ
び光ファイバ21などを板状接地導体10上で覆ってい
る。この結果、導体膜8と板状接地導体10と誘電体基
板5の端面上の裏面接地導体6とによりコプレーナ線路
7を覆うシールド構成部が形成されており、コプレーナ
線路7をマイクロ波が伝播する際の空間への放射による
損失が抑制されるように構成されている。
When the microwave circuit of the third embodiment is used, the ground conductor 2 of the coplanar line 7 or the backside ground conductor 6 on the end face of the dielectric substrate 5 is located near the left end.
Is electrically connected to the plate-shaped ground conductor 10 near the right end. Although the plan view of the microwave circuit shown in FIG. 6 viewed from above is not shown in this case, the conductor film 8 has a coplanar line 7 near the left end thereof.
Of the grounding conductor 2 or the backside grounding conductor 6 on the end face of the dielectric substrate 5, and also electrically contacts the plate-like grounding conductor 10 as shown in the vicinity of the right end of the conductor film 8 in FIG. In such a state, the photoelectric conversion element such as the laser diode 18 and the optical fiber 21 are covered on the plate-shaped ground conductor 10. As a result, the conductor film 8, the plate-shaped ground conductor 10, and the back-side ground conductor 6 on the end surface of the dielectric substrate 5 form a shield component that covers the coplanar line 7, and the microwave propagates through the coplanar line 7. It is configured so that the loss due to radiation to the space at that time is suppressed.

【0034】20は板状接地導体の表面上に構成された
シリコン基板、19はシリコン基板20表面の端に形成
された導体、17aは導体19と板状接地導体10とを
接続する金ワイヤ、18は導体19上にマウントされた
レーザダイオード、17bはコプレーナ線路7の主線路
1へ供給されたマイクロ波をレーザダイオード18へ供
給するための金ワイヤ、17cはレーザダイオード18
のグランド端子と導体19とを接続した金ワイヤであ
る。21はレーザダイオード18のレーザ発振面とその
端面が対面するように、シリコン基板20表面に形成さ
れたV溝に配置された光ファイバ、22は導体膜8を貫
通して外部へ引き出された光ファイバケーブルである。
この場合、第2誘電体9は透明材質のものを用いてお
り、コプレーナ線路7上の第1誘電体4、レーザダイオ
ード18、光ファイバ21、光ファイバケーブル22上
に充填される。
Reference numeral 20 is a silicon substrate formed on the surface of the plate-like ground conductor, 19 is a conductor formed at the end of the surface of the silicon substrate 20, and 17a is a gold wire connecting the conductor 19 and the plate-like ground conductor 10. Reference numeral 18 is a laser diode mounted on the conductor 19, 17b is a gold wire for supplying the microwave supplied to the main line 1 of the coplanar line 7 to the laser diode 18, and 17c is a laser diode 18
Is a gold wire that connects the ground terminal and the conductor 19. Reference numeral 21 is an optical fiber arranged in the V groove formed on the surface of the silicon substrate 20 so that the laser oscillation surface of the laser diode 18 and the end surface of the laser diode 18 face each other. It is a fiber cable.
In this case, the second dielectric 9 is made of a transparent material and is filled in the first dielectric 4, the laser diode 18, the optical fiber 21, and the optical fiber cable 22 on the coplanar line 7.

【0035】この実施の形態3のマイクロ波回路は以上
の各構成要素を備え、前記実施の形態1、参考例1,
2、実施の形態2で説明した構成のマイクロ波回路のい
ずれかを使用するものであり、シリコン基板20上の端
に形成された導体19と板状接地導体10とを金ワイヤ
17aで接続し、導体19の上にレーザダイオード18
をマウントし、当該レーザダイオード18のレーザ発振
面と一致するシリコン基板上の位置に形成された直線状
のV溝に光ファイバケーブル22およびその光ファイバ
21を配置する。そして、前記充填された透明材質の第
2誘電体9により光ファイバケーブル22およびその光
ファイバ21の位置が固定され、光ファイバ21の端面
がレーザダイオード18のレーザ発振面に接近させて設
置される。この結果、コプレーナ線路7から供給された
マイクロ波によりレーザダイオード18が発振したレー
ザ光は光ファイバ21の端面から入射されて外部へ送り
出される。
The microwave circuit according to the third embodiment includes the above-described components, and the microwave circuit according to the first embodiment , reference example 1,
2. Any of the microwave circuits having the configuration described in the second embodiment is used, and the conductor 19 formed at the end on the silicon substrate 20 and the plate-shaped ground conductor 10 are connected by the gold wire 17a. , Laser diode 18 on conductor 19
Is mounted, and the optical fiber cable 22 and its optical fiber 21 are arranged in a linear V groove formed at a position on the silicon substrate that coincides with the laser oscillation surface of the laser diode 18. Then, the positions of the optical fiber cable 22 and the optical fiber 21 are fixed by the filled second dielectric 9 made of a transparent material, and the end face of the optical fiber 21 is installed close to the laser oscillation surface of the laser diode 18. . As a result, the laser light oscillated by the laser diode 18 by the microwave supplied from the coplanar line 7 is incident from the end face of the optical fiber 21 and is sent to the outside.

【0036】以上のように、この実施の形態3では、マ
イクロ波の伝送線路であるコプレーナ線路7と当該伝送
線路の上方に構成される導体膜8との間隔を従来より小
さくすることが出来、マイクロ波が空間へ放射されるこ
とによる損失を少なくした薄く小型のマイクロ波回路が
得られ、さらにレーザダイオード18などの光素子回路
と接続された光信号の入力ができるマイクロ波回路が得
られる効果がある。
As described above, in the third embodiment , the distance between the coplanar line 7 which is a microwave transmission line and the conductor film 8 formed above the transmission line can be made smaller than in the conventional case. An effect that a thin and small microwave circuit in which loss due to radiation of microwaves to the space is reduced and a microwave circuit capable of inputting an optical signal connected to an optical element circuit such as the laser diode 18 can be obtained There is.

【0037】[0037]

【0038】[0038]

【発明の効果】 以上のように、請求項1 記載の発明によ
れば、裏面に形成された裏面接地導体を有した誘電体基
板と、該誘電体基板上に形成された主導体および当該主
導体と所定のギャップを有し形成された接地導体とから
なるコプレーナ線路と、該コプレーナ線路の長手方向に
沿って前記誘電体基板の端面を覆うように設けられ、前
記コプレーナ線路を構成する前記接地導体と前記誘電体
基板の前記裏面接地導体との間を電気的に接続する接続
導体と、前記コプレーナ線路を覆う誘電体膜と、該誘電
体膜上に形成された導体および前記裏面接地導体を構成
部分として含み前記コプレーナ線路を包んだ状態に構成
されたシールド構成部とを備え、誘電体膜として第1誘
電体および第2誘電体により層状にコプレーナ線路上を
覆っており、前記層状にコプレーナ線路上を覆っている
誘電体の最上層の前記第2誘電体表面に形成され、誘電
体基板の裏面接地導体と電気的に接続されている導体膜
をシールド構成部の構成部分として含むようにしたもの
で、コプレーナ線路を伝播するマイクロ波の電磁界は前
記第1誘電体により満たされた所定のギャップに集中
し、前記誘電体膜上に形成された導体を前記コプレーナ
線路へ近づけることが可能となり、また空間に放射され
る電磁界は前記シールド構成部により遮蔽されるため、
伝送特性を変えることなく、回路自体の厚さを薄くしコ
ンパクト化が実現できる効果がある。
As described above, according to the first aspect of the invention, the dielectric substrate having the back side ground conductor formed on the back side is provided.
A plate, a main conductor formed on the dielectric substrate, and the main
From the conductor and the ground conductor formed with a certain gap
And the coplanar line that becomes the longitudinal direction of the coplanar line
Is provided to cover the end surface of the dielectric substrate along
The grounding conductor and the dielectric material forming the coplanar line
Connection for electrically connecting the backside ground conductor of the board
A conductor, a dielectric film covering the coplanar line, and the dielectric film.
Constituting the conductor formed on the body membrane and the backside ground conductor
Included as a part and configured to enclose the coplanar line
And a first shield as a dielectric film.
Layered on the coplanar line by the electric body and the second dielectric
And covers the coplanar line in a layered manner.
A dielectric layer formed on the second dielectric surface of the top layer of the dielectric
Conductor film electrically connected to the backside ground conductor of the body substrate
Including as a component of the shield component
Then, the electromagnetic field of the microwave propagating through the coplanar line is concentrated in a predetermined gap filled with the first dielectric, and the conductor formed on the dielectric film can be brought close to the coplanar line. Further, since the electromagnetic field radiated into the space is shielded by the shield component,
The effect is that the thickness of the circuit itself can be reduced and the size can be reduced without changing the transmission characteristics.

【0039】請求項2記載の発明によれば、誘電体基板
を、裏面接地導体と電気的に接続され当該誘電体基板よ
り面積の大きな板状導体上に構成したので、伝送特性を
変えることなく、回路自体の厚さを薄くしコンパクト化
が実現できるとともに、誘電体基板に生じる応力などに
対して機械的強度を向上できる効果がある。
According to the second aspect of the invention, the dielectric substrate is formed on the plate-shaped conductor which is electrically connected to the backside ground conductor and has a larger area than the dielectric substrate. Therefore, the transmission characteristics are not changed. As a result, the circuit itself can be thinned to be compact, and the mechanical strength against the stress generated in the dielectric substrate can be improved.

【0040】請求項3記載の発明によれば、コプレーナ
線路の長手方向に沿って誘電体基板の端面を覆うように
形成された金属薄膜を接続導体として用い、導体膜を前
記金属薄膜と接続し、前記導体膜、前記金属薄膜および
裏面接地導体からなるシールド構成部により前記コプレ
ーナ線路を包んだ状態に構成したので、コプレーナ線路
を伝播するマイクロ波の電磁界は、前記金属薄膜により
前記裏面接地導体へ電気的に接続された前記コプレーナ
線路の接地導体と主導体との間の所定のギャップに集中
し、前記誘電体膜上に形成された導体を前記コプレーナ
線路へ近づけることが可能となり、また空間に放射され
る電磁界は前記シールド構成部により遮蔽されるため、
伝送特性を変えることなく、回路自体の厚さを薄くしコ
ンパクト化が実現できる効果がある。
According to the third aspect of the invention, a metal thin film formed so as to cover the end face of the dielectric substrate along the longitudinal direction of the coplanar line is used as a connection conductor, and the conductor film is connected to the metal thin film. , The conductor film, the metal thin film, and the back surface grounding conductor are wrapped around the coplanar line by a shield component, so that the electromagnetic field of the microwave propagating through the coplanar line is generated by the metal thin film from the back surface grounding conductor. The conductor formed on the dielectric film can be brought close to the coplanar line by concentrating in a predetermined gap between the ground conductor and the main conductor of the coplanar line electrically connected to the coplanar line. Since the electromagnetic field radiated to is shielded by the shield component,
The effect is that the thickness of the circuit itself can be reduced and the size can be reduced without changing the transmission characteristics.

【0041】請求項4記載の発明によれば、コプレーナ
線路の長手方向に沿って誘電体基板の端面を覆うように
形成された金属薄膜を接続導体として用い、導体膜を前
記金属薄膜と接続し、前記導体膜、前記金属薄膜、裏面
接地導体および板状導体からなるシールド構成部により
前記コプレーナ線路を包んだ状態に構成したので、コプ
レーナ線路を伝播するマイクロ波の電磁界は、前記金属
薄膜により前記裏面接地導体および前記板状導体へ電気
的に接続された前記コプレーナ線路の接地導体と主導体
との間の所定のギャップに集中し、前記誘電体膜上に形
成された導体を前記コプレーナ線路へ近づけることが可
能となり、また空間に放射される電磁界は前記シールド
構成部により遮蔽されるため、伝送特性を変えることな
く、回路自体の厚さを薄くしコンパクト化が実現できる
効果がある。
According to the fourth aspect of the present invention, the metal thin film formed so as to cover the end face of the dielectric substrate along the longitudinal direction of the coplanar line is used as the connection conductor, and the conductor film is connected to the metal thin film. , The conductor film, the metal thin film, the back surface grounding conductor, and the shield constituent part composed of a plate-shaped conductor, so that the coplanar line is wrapped, the electromagnetic field of the microwave propagating through the coplanar line is generated by the metal thin film. The conductor formed on the dielectric film is concentrated in a predetermined gap between the ground conductor and the main conductor of the coplanar line electrically connected to the backside ground conductor and the plate-shaped conductor, and the coplanar line is formed. Since the electromagnetic field radiated into the space is shielded by the shield component, the thickness of the circuit itself can be maintained without changing the transmission characteristics. There is an effect that can be achieved is a thin and compact.

【0042】請求項5記載の発明によれば、コプレーナ
線路の長手方向に沿って誘電体基板の端面を覆うように
当該端面上にまで及ぼして形成した当該誘電体基板の裏
面接地導体を接続導体として用い、前記誘電体基板の端
面上にまで及ぼして形成した前記裏面接地導体と導体膜
とを接続し、前記導体膜と前記端面上にまで及ぼして形
成した前記誘電体基板の裏面接地導体とからなるシール
ド構成部により前記コプレーナ線路を包んだ状態に構成
したので、コプレーナ線路を伝播するマイクロ波の電磁
界は、前記誘電体基板の端面上にまで及ぼして形成した
当該誘電体基板の裏面接地導体により前記板状導体へ電
気的に接続された前記コプレーナ線路の接地導体と主導
体との間の所定のギャップに集中し、前記誘電体膜上に
形成された導体を前記コプレーナ線路へ近づけることが
可能となり、また空間に放射される電磁界は前記シール
ド構成部により遮蔽されるため、伝送特性を変えること
なく、回路自体の厚さを薄くしコンパクト化が実現でき
る効果がある。
According to the fifth aspect of the present invention, the backside ground conductor of the dielectric substrate is formed so as to cover the end face of the dielectric substrate along the longitudinal direction of the coplanar line so as to be connected to the connection conductor. And the backside ground conductor of the dielectric substrate formed by extending to the end surface of the dielectric substrate and connecting the backside ground conductor and the conductor film, The electromagnetic field of the microwave propagating through the coplanar line is extended to the end face of the dielectric substrate, and the back surface of the dielectric substrate is grounded. A conductor formed on the dielectric film is concentrated in a predetermined gap between the main conductor and the ground conductor of the coplanar line electrically connected to the plate-shaped conductor by a conductor. It is possible to bring the circuit closer to the coplanar line, and since the electromagnetic field radiated into the space is shielded by the shield component, the thickness of the circuit itself can be reduced and the size can be reduced without changing the transmission characteristics. There is.

【0043】請求項6記載の発明によれば、コプレーナ
線路を構成する接地導体に近接して集中定数素子を備え
るように構成したので、前記コプレーナ線路に構成され
た集中定数素子を伝播するマイクロ波の電磁界は前記接
地導体とのギャップに集中し、前記誘電体膜上に形成さ
れた導体を前記コプレーナ線路や集中定数素子へ近づけ
ることが可能となり、また空間に放射される電磁界は前
記シールド構成部により遮蔽されるため、伝送特性を変
えることなく、回路自体の厚さを薄くしコンパクト化が
実現できる効果がある。
According to the sixth aspect of the present invention, since the lumped element is provided in the vicinity of the ground conductor forming the coplanar line, the microwave propagating through the lumped element formed in the coplanar line. Of the electromagnetic field is concentrated in the gap with the ground conductor, and the conductor formed on the dielectric film can be brought closer to the coplanar line or lumped constant element, and the electromagnetic field radiated into the space is shielded. Since it is shielded by the components, there is an effect that the thickness of the circuit itself can be reduced and the size can be reduced without changing the transmission characteristics.

【0044】請求項7記載の発明によれば、コプレーナ
線路を介して供給された電気信号を光信号へ変換する光
電変換素子を備えるように構成したので、伝送特性を変
えることなく、回路自体の厚さを薄くしコンパクト化が
実現できるだけでなく、光信号を扱うことが可能になる
効果がある。
According to the invention described in claim 7, since the photoelectric conversion element for converting the electric signal supplied through the coplanar line into the optical signal is provided, the circuit itself of the circuit itself can be maintained without changing the transmission characteristic. Not only can the thickness be reduced to achieve compactness, but it is also possible to handle optical signals.

【0045】請求項8記載の発明によれば、光信号を電
気信号に変換しコプレーナ線路へ供給する光電変換素子
を備えるように構成したので、伝送特性を変えることな
く、回路自体の厚さを薄くしコンパクト化が実現できる
だけでなく、光信号を扱うことが可能になる効果があ
る。
According to the invention described in claim 8, since the photoelectric conversion element for converting the optical signal into the electric signal and supplying the electric signal to the coplanar line is provided, the thickness of the circuit itself can be reduced without changing the transmission characteristics. Not only can it be made thinner and more compact, but it can also handle optical signals.

【0046】請求項9記載の発明によれば、光電変換素
子へ光信号を入出力する光信号入出力部を備えるように
構成したので、伝送特性を変えることなく、回路自体の
厚さを薄くしコンパクト化が実現できるだけでなく、光
信号を扱うことが可能になる効果がある。
According to the ninth aspect of the present invention, since the optical signal input / output section for inputting / outputting the optical signal to / from the photoelectric conversion element is provided, the thickness of the circuit itself can be reduced without changing the transmission characteristics. Not only can it be made compact, but it is also possible to handle optical signals.

【0047】請求項10記載の発明によれば、透明材質
の第2誘電体によりコプレーナ線路、光電変換素子およ
び光信号入出力部を板状導体上で覆うように構成したの
で、伝送特性を変えることなく、回路自体の厚さを薄く
しコンパクト化が実現できるだけでなく、光信号の伝送
損失を軽減して光信号を扱うことが可能になる効果があ
る。
According to the tenth aspect of the present invention, since the coplanar line, the photoelectric conversion element, and the optical signal input / output section are covered with the plate-shaped conductor by the second dielectric made of a transparent material, the transmission characteristic is changed. In addition to reducing the thickness of the circuit itself and realizing compactness, the transmission loss of the optical signal can be reduced and the optical signal can be handled.

【0048】請求項11記載の発明によれば、板状導体
上に配置されたシリコン基板表面に構成された導体上に
光電変換素子を設け、前記シリコン基板表面に形成され
た溝に前記光電変換素子に対し光信号を入出力する光フ
ァイバを光信号入出力部として設けるように構成したの
で、回路自体の厚さを薄くしコンパクト化が実現できる
だけでなく、光信号の伝送損失を軽減して前記光ファイ
バにより光信号を扱うことが可能になる効果がある。
According to the eleventh aspect of the present invention, the photoelectric conversion element is provided on the conductor formed on the surface of the silicon substrate arranged on the plate-shaped conductor, and the photoelectric conversion element is provided in the groove formed on the surface of the silicon substrate. Since the optical fiber that inputs and outputs optical signals to the device is provided as the optical signal input and output section, not only can the circuit itself be made thinner and compact, but also the transmission loss of optical signals can be reduced. There is an effect that an optical signal can be handled by the optical fiber.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1によるマイクロ波回
路の構成を示す断面構成図である。
FIG. 1 is a sectional configuration diagram showing a configuration of a microwave circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明の実施の形態1によるマイクロ波回
路のコプレーナ線路と導体膜間の距離に対するコプレー
ナ線路の特性インピーダンスの変化を示す特性図であ
る。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing changes in the characteristic impedance of the coplanar line with respect to the distance between the coplanar line and the conductor film of the microwave circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 参考例1によるマイクロ波回路の構成を示す
断面構成図である。
FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram showing a configuration of a microwave circuit according to Reference Example 1 .

【図4】 参考例2によるマイクロ波回路の構成を示す
断面構成図である。
FIG. 4 is a sectional configuration diagram showing a configuration of a microwave circuit according to a reference example 2 .

【図5】 この発明の実施の形態2によるマイクロ波回
路の構成を示す断面構成図である。
FIG. 5 is a sectional configuration diagram showing a configuration of a microwave circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図6】 この発明の実施の形態3によるマイクロ波回
路の構成を示す断面構成図である。
FIG. 6 is a sectional configuration diagram showing a configuration of a microwave circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図7】 従来のマイクロ波回路の一例を示す断面構成
図である。
FIG. 7 is a cross-sectional configuration diagram showing an example of a conventional microwave circuit.

【図8】 従来のマイクロ波回路におけるマイクロスト
リップ線路上の導体の有無による周波数特性の変化を示
す特性図である。
FIG. 8 is a characteristic diagram showing changes in frequency characteristics depending on the presence or absence of a conductor on a microstrip line in a conventional microwave circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 主線路(主導体)、2 接地導体、4 第1誘電体
(誘電体膜)、5 誘電体基板、6 裏面接地導体(接
続導体)、7 コプレーナ線路、8 導体膜、9 第2
誘電体(誘電体膜)、10 板状接地導体(板状導
体)、11 金属薄膜(接続導体)、12 金ワイヤ、
13 スルーホール、14 導体、16 スパイラルイ
ンダクタ(集中定数素子)、18 レーザダイオード
(光電変換素子)、19 導体、20 シリコン基板、
21 光ファイバ(光信号入出力部)。
1 main line (main conductor), 2 ground conductor, 4 first dielectric (dielectric film), 5 dielectric substrate, 6 back side ground conductor (connection conductor), 7 coplanar line, 8 conductor film, 9 second
Dielectric (dielectric film), 10 a plate-like ground conductor (plate conductor), 11 a metal thin film (connection conductor), 12 gold wire Ya,
13 Suruho Le, 14 conductors, 16 spiral inductor (concentrated constant element), 18 a laser diode (photoelectric conversion element), 19 conductor, 20 a silicon substrate,
21 Optical fiber (optical signal input / output section).

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−46008(JP,A) 特開 平3−52302(JP,A) 特開 平2−87701(JP,A) 特開 昭63−238701(JP,A) 実開 昭61−104605(JP,U) 実開 昭63−93663(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 3/02 G02B 6/42 H01P 3/08 Continuation of the front page (56) Reference JP-A-9-46008 (JP, A) JP-A-3-52302 (JP, A) JP-A-2-87701 (JP, A) JP-A-63-238701 (JP , A) Actual development 61-104605 (JP, U) Actual development 63-93663 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01P 3/02 G02B 6/42 H01P 3/08

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 裏面に形成された裏面接地導体を有した
誘電体基板と、 該誘電体基板上に形成された主導体および当該主導体と
所定のギャップを有し形成された接地導体とからなるコ
プレーナ線路と、 該コプレーナ線路の長手方向に沿って前記誘電体基板の
端面を覆うように設けられ、前記コプレーナ線路を構成
する前記接地導体と前記誘電体基板の前記裏面接地導体
との間を電気的に接続する接続導体と、 前記コプレーナ線路を覆う誘電体膜と、 該誘電体膜上に形成された導体および前記裏面接地導体
を構成部分として含み前記コプレーナ線路を包んだ状態
に構成されたシールド構成部とを備え 前記誘電体膜として第1誘電体および第2誘電体により
層状にコプレーナ線路上を覆っており、 前記シールド構成部の構成部分として含む導体は、前記
層状にコプレーナ線路上を覆っている誘電体の最上層の
前記第2誘電体表面に形成され、前記誘電体基板の前記
裏面接地導体と電気的に接続されている導体膜である
イクロ波回路。
1. A back side ground conductor formed on the back side
A dielectric substrate, A main conductor formed on the dielectric substrate and the main conductor;
A ground conductor formed with a predetermined gap.
A planar track, Of the dielectric substrate along the longitudinal direction of the coplanar line
It is provided so as to cover the end face and constitutes the coplanar line.
The ground conductor and the backside ground conductor of the dielectric substrate
A connecting conductor for electrically connecting between A dielectric film covering the coplanar line, Conductor formed on the dielectric film and the backside ground conductor
Including the above as a component part and enclosing the coplanar line
With a shield component configured in, As the dielectric film, a first dielectric and a second dielectric are used.
It covers the coplanar line in layers, The conductor included as a component of the shield component is
The top layer of the dielectric covering the coplanar line in layers
The dielectric substrate is formed on the second dielectric surface, and
Conductor film that is electrically connected to the backside ground conductor Ma
Microwave circuit.
【請求項2】 誘電体基板は、当該誘電体基板の裏面に
形成された裏面接地導体と電気的に接続され、前記誘電
体基板より面積の大きな板状導体上に構成されているこ
とを特徴とする請求項1記載のマイクロ波回路。
2. The dielectric substrate is electrically connected to a backside ground conductor formed on the backside of the dielectric substrate and is formed on a plate-shaped conductor having a larger area than the dielectric substrate. microwave circuit according to claim 1 Symbol mounting and.
【請求項3】 接続導体は、コプレーナ線路の長手方向
に沿って誘電体基板の端面を覆うように形成された金属
薄膜であり、 導体膜は、前記金属薄膜と接続されて形成されており、 シールド構成部は、前記導体膜、前記金属薄膜および裏
面接地導体により前記コプレーナ線路を包んだ状態に構
成されていることを特徴とする請求項1記載のマイクロ
波回路。
3. The connection conductor is a metal thin film formed so as to cover the end face of the dielectric substrate along the longitudinal direction of the coplanar line, and the conductor film is formed so as to be connected to the metal thin film. 2. The microwave circuit according to claim 1 , wherein the shield component is configured to enclose the coplanar line with the conductor film, the metal thin film, and the back-side ground conductor.
【請求項4】 接続導体は、コプレーナ線路の長手方向
に沿って誘電体基板の端面を覆うように形成された金属
薄膜であり、 導体膜は前記金属薄膜と接続されて形成されており、 シールド構成部は、前記導体膜、前記金属薄膜、裏面接
地導体および板状導体により前記コプレーナ線路を包ん
だ状態に構成されていることを特徴とする請求 項2記載
のマイクロ波回路。
4. The connection conductor is a metal thin film formed so as to cover the end surface of the dielectric substrate along the longitudinal direction of the coplanar line, and the conductor film is formed by being connected to the metal thin film. 3. The microwave circuit according to claim 2 , wherein the constituent portion is configured to enclose the coplanar line with the conductor film, the metal thin film, the backside ground conductor, and the plate conductor.
【請求項5】 接続導体は、コプレーナ線路の長手方向
に沿って誘電体基板の端面を覆うように当該端面上にま
で及ぼして形成した前記誘電体基板の裏面接地導体から
構成され、 導体膜は、前記誘電体基板の端面上にまで及ぼして形成
した前記裏面接地導体と接続されて形成されており、 シールド構成部は、前記導体膜と前記端面上にまで及ぼ
して形成した前記誘電体基板の裏面接地導体とにより前
記コプレーナ線路を包んだ構成であることを特徴とする
請求項1または請求項2記載のマイクロ波回路。
5. The connection conductor is composed of a back-side ground conductor of the dielectric substrate formed by extending over the end face of the dielectric substrate along the longitudinal direction of the coplanar line so as to cover the end face. , The shield component is formed so as to be connected to the backside ground conductor formed to extend up to the end face of the dielectric substrate, and the shield component is formed to extend to the conductor film and the end face of the dielectric substrate. A structure in which the coplanar line is wrapped with a backside ground conductor.
The microwave circuit according to claim 1 or 2 .
【請求項6】 コプレーナ線路は、当該コプレーナ線路
を構成する接地導体に近接して形成された集中定数素子
を備えていることを特徴とする請求項5記載のマイクロ
波回路。
6. The microwave circuit according to claim 5 , wherein the coplanar line includes a lumped constant element formed close to a ground conductor forming the coplanar line.
【請求項7】 コプレーナ線路を介して供給された電気
信号を光信号へ変換する光電変換素子を備えていること
を特徴とする請求項1から請求項5のうちのいずれか1
項記載のマイクロ波回路。
7. The photoelectric conversion element for converting an electric signal supplied via a coplanar line into an optical signal is provided, and any one of claims 1 to 5 is provided.
The microwave circuit according to the item.
【請求項8】 光信号を電気信号に変換しコプレーナ線
路へ供給する光電変換素子を備えていることを特徴とす
る請求項1から請求項6のうちのいずれか1項記載のマ
イクロ波回路。
8. The microwave circuit according to claim 1, further comprising a photoelectric conversion element which converts an optical signal into an electric signal and supplies the electric signal to a coplanar line.
【請求項9】 光電変換素子へ光信号を入出力する光信
号入出力部を備えていることを特徴とする請求項7また
は請求項8記載のマイクロ波回路。
9. The method of claim 7, characterized in that it comprises an optical signal output unit for inputting and outputting the optical signal to the photoelectric conversion element also
Is the microwave circuit according to claim 8 .
【請求項10】 誘電体膜を構成する第2誘電体は、コ
プレーナ線路、光電変換素子および光信号入出力部を板
状導体上で覆っている透明材質であることを特徴とする
請求項9記載のマイクロ波回路。
10. The second dielectric constituting the dielectric film is made of a transparent material that covers the coplanar line, the photoelectric conversion element, and the optical signal input / output section on a plate-shaped conductor.
The microwave circuit according to claim 9 .
【請求項11】 光電変換素子は、板状導体上に配置さ
れたシリコン基板表面に構成された導体上に設けられて
おり、 光信号入出力部は、前記シリコン基板表面に形成された
溝に配置された前記光電変換素子に対し光信号を入出力
する光ファイバであることを特徴とする請求項9または
請求項10記載のマイクロ波回路。
11. The photoelectric conversion element is provided on a conductor formed on the surface of a silicon substrate arranged on a plate-shaped conductor, and the optical signal input / output unit is provided in a groove formed on the surface of the silicon substrate. claim 9 or to arranged the photoelectric conversion element, characterized in that an optical fiber for inputting and outputting optical signals
The microwave circuit according to claim 10 .
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