JP3375849B2 - ナフトキノン誘導体およびこれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なナフトキノ
ン誘導体と、それを用いた、例えば静電式複写機、ファ
クシミリ、レーザービームプリンタ等の画像形成装置に
用いられる電子写真感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】カールソンプロセスを用いた複写機、フ
ァクシミリ、レーザープリンタ等の画像形成装置におい
ては、種々の材料からなる電子写真感光体が使用されて
いる。その１つはセレンのような無機材料を感光層に用
いた無機感光体であり、他は有機材料を感光層に用いた
有機感光体（ＯＰＣ）である。このうち、有機感光体は
無機感光体に比べて安価でしかも生産性が高く、無公害
である等の多くの利点を有していることから、広範な研
究が進められている。

【０００３】有機感光体としては、電荷発生層と電荷輸
送層とを積層した積層型の感光体、いわゆる機能分離型
の感光体が多いが、電荷発生剤と電荷輸送剤とを単一の
感光層中に分散させた、いわゆる単層型の感光体も知ら
れている。これらの感光体に使用される電荷輸送剤には
キャリヤ移動度が高いことが要求されているが、キャリ
ヤ移動度が高い電荷輸送剤のほとんどが正孔輸送性であ
るため、実用に供されている有機感光体は、機械的強度
の観点から、最外層に電荷輸送層が設けられた負帯電型
の積層型有機感光体に限られている。しかし、負帯電型
の有機感光体は負極性コロナ放電を利用するため、オゾ
ンの発生量が多く、環境を汚染したり、感光体を劣化さ
せるなどの問題が生じる。

【０００４】そこで、このような欠点を排除するため
に、電荷輸送剤として電子輸送剤を使用することが検討
されており、例えば特開平１−２０６３４９号公報に
は、ジフェノキノン構造またはベンゾキノン構造を有す
る化合物を電子写真感光体用の電子輸送剤として使用す
ることが提案されている。また、特開平６−１１０２２
７号公報には、ベンゾキノン構造またはナフトキノン構
造を電子写真感光体用の電子輸送剤として使用すること
が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
ジフェノキノン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキ
ノン誘導体などの従来の電子輸送剤は、電荷発生剤との
マッチングが困難であり、電荷発生剤から電子輸送剤へ
の電子注入が不十分になる。また、かかる電子輸送剤
は、結着樹脂との相溶性が乏しく、ホッピング距離が長
くなるため、低電界での電子移動が生じ難い。従って、
従来の電子輸送剤を含有する感光体は、後述する実施例
記載の光感度試験からも明らかなように、残留電位が高
くなり、感度が低いという問題があった。

【０００６】また、前記のように現在、実用化されてい
る有機感光体の多くは積層型の感光層を備えたものであ
るが、これに比べて単層型の感光層を備えた感光体は構
造が簡単で製造が容易である上、被膜欠陥の発生を抑制
し、光学的特性を向上させる点でも多くの利点がある。
しかもこのような単層型の感光層を備えた感光体は、例
えば電荷輸送剤として電子輸送剤と正孔輸送剤とを併用
することで、１つの感光体を正帯電型および負帯電型の
両方に使用でき、感光体の応用範囲を拡げられる可能性
があるが、前記した従来の電子輸送剤は、正孔輸送剤と
の相互作用により、電子および正孔の輸送を阻害すると
いう問題があるため、かかる単層型の感光層を備えた感
光体は、広く実用化されるに至っていない。

【０００７】本発明の目的は、上記した技術的課題を解
決し、電子写真感光体における電子輸送剤として好適な
新規化合物と、それを用いた、従来よりも高感度の電子
写真感光体とを提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の、本発明のナフトキノン誘導体は、一般式(1) ：

【化５】 〔式中、Ｒ¹は水素原子、置換基を有してもよいアルキ
ル基、置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ²は
水素原子，置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン
化アルキル基、アルデヒド基、ニトロ基、基(ｉ) ：

【化６】

【０００９】を示す。〕で表されることを特徴とするも
のである。上記一般式(1) で表される本発明のナフトキ
ノン誘導体は、ナフトキノン環の有する基：＞Ｃ＝Ｏの
作用によって電子受容性に優れているとともに、上記基
Ｒ１ の作用によって、溶剤への溶解性および結着樹脂
との相溶性が良好で、感光層中に均一に分散されるた
め、電子のホッピング距離が短く、特に低電界での電子
輸送性に優れており、かつ電荷発生剤とのマッチングが
優れていることから、かかる誘導体(1) を電子写真感光
体における電子輸送剤として使用することにより、高感
度な感光体を提供することができる。

【００１０】とくに本発明のナフトキノン誘導体(1)
は、上記各置換基の作用によって本来的に電子輸送性お
よび電子受容性に優れている２つのナフトキノン環を結
合させたものであるので、さらに電子輸送性の向上がみ
られるものと推測される。上記一般式(1) で表される本
発明のナフトキノン誘導体は、結着樹脂との相溶性が良
好で、感光層中に均一に分散されるため、電子のホッピ
ング距離が短く、特に低電界での電子輸送性に優れてお
り、かつ電荷発生剤とのマッチングが優れていることか
ら、かかる誘導体(1) を電子写真感光体における電子輸
送剤として使用することにより、高感度な感光体を提供
することができる。

【００１１】また、本発明のナフトキノン誘導体(1)
は、その高い電子輸送能を利用して、太陽電池、ＥＬ素
子などの用途にも使用できる。本発明の電子写真感光体
は、導電性基体上に感光層を設けたものであって、この
感光層が、一般式(1) で表される本発明のナフトキノン
誘導体を含有することを特徴とするものである。

【００１２】上記ナフトキノン誘導体(1) を含む感光層
は、低電界での電子輸送性に優れているとともに、層中
で電子と正孔が再結合する割合が減少し、見かけの電荷
発生効率が実際の値に近づく結果、感光体の感度が向上
する。また感光体の残留電位も低くなり、繰り返し露光
を行った際の安定性、耐久性も向上する。特にナフトキ
ノン誘導体(1) は、電子および正孔の輸送を阻害する、
正孔輸送剤との相互作用を生じないため、とくに同じ層
中に正孔輸送剤が含有される単層型の感光層に使用した
際に、より高感度の感光体を構成できる。

【００１３】また、前記感光層が−０．８〜−１．４Ｖ
の酸化還元電位を有する電子輸送剤を含有すると、感光
体の感度がさらに向上する。これは、前記電子輸送剤
が、電荷発生剤から電子を引き抜いてナフトキノン誘導
体(1) に伝達する働きをするため、電荷発生剤からナフ
トキノン誘導体(1) への電子の注入がさらに円滑になる
ためと推測される。

【００１４】とくに、ナフトキノン誘導体(1) との相性
などを考慮すると、電子輸送剤としては一般式(2) ：

【００１５】

【化７】

【００１６】〔式中、Ｒ^A、Ｒ^B、Ｒ^CおよびＲ^Dは同一ま
たは異なって水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア
リール基、アラルキル基、シクロアルキル基またはアミ
ノ基を示す。〕で表されるジフェノキノン誘導体、また
は一般式(3) ：

【化８】 〔式中Ｒ^E、Ｒ^F、Ｒ^GおよびＲ^Hは、同一または異なって
水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ア
ラルキル基、シクロアルキル基、置換基を有していても
よいアミノ基を示す。〕で表されるベンゾキノン誘導体
を用いるのが好ましい。

【００１７】

【発明の実施の形態】まず、本発明の電子写真感光体に
用いられるナフトキノン誘導体(1) について詳細に説明
する。一般式(1) で表されるナフトキノン誘導体(1) に
おいて、基Ｒ１ に相当するアルキル基としては、例え
ばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−
ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシルなどの炭素数が１〜６の基があげられる。
また、上記アルキル基は、置換基を有していてもよく、
その置換基としてはアラルキル基、アルコキシ基、アル
カノイル基、ハロゲン原子、アリール基またはアルコキ
シカルボニル基などがあげられる。基Ｒ¹に相当するア
リール基としては、例えばフェニル、トリル、キシリ
ル、ビフェニリル、ｏ−テルフェニル、ナフチル、アン
トリル、フェナントリルなどがあげられる。また、上記
アリール基も、置換基を有していてもよく、その置換基
としてはアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、ア
ルカノイル基、ハロゲン原子、またはアルコキシカルボ
ニル基などがあげられる。上記アルキル基としては、前
記と同様の基があげられる。ハロゲン原子としては、フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素などがあげられる。アルコキ
シ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブ
トキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキ
シなどの炭素数が１〜６のアルコキシ基があげられる。

【００１８】アラルキル基としては、例えばベンジル、
１−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェ
ニルブチル、５−フェニルペンチル、６−フェニルヘキ
シルなどのアルキル部分の炭素数が１〜６のアルキル基
であるアラルキル基があげられる。アルコキシカルボニ
ル基としては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカ
ルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカル
ボニル、ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニ
ル、ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボ
ニル等のアルコキシ部分の炭素数が１〜６であるアルコ
キシカルボニル基があげられる。

【００１９】アルカノイル基としては、例えばアセチ
ル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、ペンタノ
イル、ｔ−ブチルカルボニル、ヘキサノイルなどの炭素
数が１〜６のアルカノイル基があげられる。また、基Ｒ
²に相当するアルキル基としては、基Ｒ¹と同様のものが
あげられ、基Ｒ² に相当するハロゲン化アルキル基の
ハロゲン及びアルキル基としては上記と同様のものがあ
げられる。

【００２０】一般式(1) で表されるナフトキノン誘導体
(1) の具体例としては、例えば下記式(1-1) 〜(1-７)
で表される化合物があげられる。

【００２１】

【化９】

【化１０】

【化１１】

【化１２】

【化１３】

【化１４】

【化１５】 一般式(1) で表されるナフトキノン誘導体は、下記の反
応式に示すように合成される。 反応式

【００２２】

【化１６】

【００２３】〔式中、Ｒ¹およびＲ²は前記と同じであ
る。〕 この反応は、一般式(4) で表されるナフトキノン誘導体
を適当な溶媒中で、一般式(5) で表されるアルデヒドと
反応させることにより、本発明のナフトキノン誘導体
(1) を得るものである。

【００２４】上記化合物(4) に対するアルデヒド（５）
の使用割合は、化合物（１−２）、（１−３）、（１−
４）、（１−５）で１：１〜１：１．５、化合物（１−
１）で１：０．９が好ましい。反応は、通常６０〜１１
０℃、好ましくは１００〜１１０℃にて行われ、３時間
程度で終了する。次に、本発明の電子写真感光体につい
て詳細に説明する。本発明の電子写真感光体は、前述の
ように、導電性基体上に設けた感光層に上記一般式(1)
で表されるナフトキノン誘導体(1) を含有する感光層を
設けたものである。本発明の電子写真感光体は、単層型
と積層型のいずれであってもよいが、電子輸送剤の使用
による効果は単層型感光体において顕著に現れる。

【００２５】単層型の電子写真感光体は、導電性基体上
に単一の感光層を設けたものであって、この感光層が、
少なくとも電荷発生剤、正孔輸送剤とともに、電子輸送
剤としてナフトキノン誘導体(1) を含有した結着樹脂か
らなる。この単層型感光体は正帯電および負帯電のいず
れにも適用可能であるが、特に正帯電型で使用するのが
好ましい。

【００２６】一方、積層型電子写真感光体は、導電性基
体上に少なくとも電荷発生層および電荷輸送層をこの順
に設けたものであって、前記電荷輸送層に電子輸送剤と
してナフトキノン誘導体(1) を含有したものである。こ
の積層型電子写真感光体は、従来の積層型電子写真感光
体に比べて残留電位が大きく低下しており、感度が向上
している。また、電荷発生層から電荷輸送層への電子の
授受をより円滑に行わせるために、電荷発生層にもナフ
トキノン誘導体(1) を含有させるのが好ましい。

【００２７】本発明の電子写真感光体に使用するナフト
キノン誘導体(1) は、前述のように、溶剤への溶解性お
よび結着樹脂との相溶性が良好であるとともに、電荷発
生剤とのマッチングに優れていることから、電子の注入
が円滑に行われ、とりわけ低電界での電子輸送性に優れ
ている。従って、例えば正帯電の単層型感光体では、露
光工程において電荷発生剤から放出された電子が前記一
般式(1) で表されるナフトキノン誘導体(1) からなる電
子輸送剤にスムーズに注入される。次いで、電子輸送剤
間での電子の授受により、電子が感光層の表面に移動
し、あらかじめ感光層表面に帯電させた正電荷（＋）を
打ち消す。一方、正孔（＋）は正孔輸送剤に注入され
て、途中でトラップされることなく導電性基体の表面に
移動し、導電性基体の表面の負電荷（−）を打ち消す。
このようにして正帯電の単層型感光体の感度が向上する
ものと考えられる。負帯電の単層型感光体は、上記と電
荷移動の方向が逆になるだけであって、同様に感度が向
上する。

【００２８】また、正帯電の積層型感光体では、露光工
程において電荷発生層の電荷発生剤から放出された電子
が、電荷輸送層中の前記一般式(1) で表されるナフトキ
ノン誘導体からなる電子輸送剤にスムーズに注入され
る。次いで、電子輸送剤間での電子の授受により、電子
が電荷輸送層中を移動し、感光層表面に達し、あらかじ
め感光層表面に帯電させた正電荷（＋）を打ち消す。一
方、正孔（＋）は電荷発生層から直接導電性基体の表面
に移動し、導電性基体の表面の負電荷（−）を打ち消
す。このようにして正帯電の積層型感光体の感度が向上
するものと考えられる。

【００２９】感光体への露光により光を吸収した電荷発
生剤は、イオン対〔正孔（＋）と電子（−）〕を生成す
る。この生成したイオン対がフリーキャリヤとなり有効
に表面電荷を打ち消すためには、イオン対が再結合して
消失してしまう割合が小さいほうがよい。本発明の電子
写真感光体は、上記ナフトキノン誘導体(1) とともに、
他の電子輸送剤を併用することができる。とくに、酸化
還元電位が−０．８〜−１．４Ｖである電子輸送剤が好
適に使用される。その理由は以下の通りである。

【００３０】酸化還元電位が−１．４Ｖより小さい電子
輸送剤を使用した場合は、ＬＵＭＯ（電子を有していな
い分子軌道の中で最もエネルギー準位が低い軌道をい
い、励起された電子は通常この軌道に移動する。）のエ
ネルギー準位が電荷発生剤よりも高くなり、イオン対の
生成の際に電子が電子輸送剤に移動せず、電荷発生効率
の向上につながらない。

【００３１】これに対して、酸化還元電位が−１．４Ｖ
より大きい電子輸送剤を使用した場合は、ＬＵＭＯのエ
ネルギー準位が電荷発生剤よりも低いため、イオン対の
生成の際に電子が電子輸送剤へ移動し、イオン対がキャ
リヤへ分離し易くなるからである。すなわち、電子輸送
剤が電荷発生に作用し、その発生効率を向上させるので
ある。

【００３２】一方、高感度であるためには、フリーキャ
リヤの移動時に不純物によるキャリヤトラップが発生し
ないことも必要である。通常、フリーキャリヤの移動過
程には少量の不純物などによるトラップが存在し、フリ
ーキャリヤは、トラップ−脱トラップを繰り返しながら
移動するが、酸化還元電位が−０．８Ｖよりも大きい電
子輸送剤を使用した場合は、分離したフリーキャリヤを
脱トラップ不可能なレベルに落とし込み、キャリヤトラ
ップを生じるため、その移動は中止される。

【００３３】これに対して、酸化還元電位が−０．８Ｖ
よりも小さい電子輸送剤を使用した場合は、キャリヤト
ラップが発生せず、フリーキャリヤの移動が容易に行わ
れるのである。前述の酸化還元電位は、図１に示すよう
に、牽引電圧（Ｖ）と電流（μＡ）との関係から同図に
示すＥ₁とＥ₂を求め、次式を用いて算出した。

【００３４】酸化還元電位（Ｖ）＝（Ｅ₁＋Ｅ₂）／２ なお、上記牽引電圧（Ｖ）および電流（μＡ）は、以下
の材料を調合した測定溶液を用い、３電極式のサイクリ
ックボルターメトリーにて測定した。 電極：作用電極（グラッシーカーボン電極）、対極（白金電極） 参照電極：銀硝酸電極 （０．１モル／リットルＡｇＮＯ₃−アセトニトリル溶液） 測定溶液 電解質：過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム ０．１モル 測定物質：電子輸送剤 ０．００１モル 溶剤：ＣＨ₂Ｃｌ₂ １リットル 以上の材料を調合して測定溶液を調整する。

【００３５】かかる電子輸送剤としては、その酸化還元
電位が−０．８〜−１．４Ｖの範囲内である化合物であ
ればとくに制限はなく、たとえばベンゾキノン系化合
物；ナフトキノン系化合物；アントラキノン系化合物；
ジフェノキノン系化合物；マロンニトリル系化合物；チ
オピラン系化合物；２，４，８−トリニトロチオキサン
トン；３，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノ
ン等のフルオレノン系化合物；ジニトロアントラセン；
ジニトロアクリジン；ニトロアントラキノン；ジニトロ
アントラキノンなどの化合物があげられる。

【００３６】ただし電荷発生剤や、本発明のナフトキノ
ン誘導体(1) との相性を考慮すると、上記例示の各化合
物の中でも、前記一般式(2) で表されるジフェノキノン
系化合物、または一般式(3) で表されるベンゾキノン系
化合物に属し、かつ酸化還元電位が前記の範囲内である
化合物が最も好適に使用される。なお、上記式中の
Ｒ^A、Ｒ^B、Ｒ^C およびＲ^Dは、これに限定されるもので
はないが、そのうちの２つ以上が同一の基であるのが好
ましい。

【００３７】上記式中のアルキル基、アラルキル基、ア
ルコキシ基およびアリール基としては、前記と同様の基
があげられる。シクロアルキル基としては、たとえばシ
クロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロ
ヘキシルなどの、炭素数３〜６のシクロアルキル基があ
げられる。

【００３８】また、置換基を有していてもよいアミノ基
としては、たとえばアミノのほか、モノメチルアミノ、
ジメチルアミノ、モノエチルアミノ、ジエチルアミノな
どがあげられる。かかるジフェノキノン系化合物の具体
例としては、これに限定されないがたとえば、式(2-1)
で表される３，５−ジメチル−３′，５′−ジ（ｔ−ブ
チル）−４，４′−ジフェノキノン（酸化還元電位−
０．８６Ｖ）や、式(2-2) で表される３，５，３′，
５′−テトラキス（ｔ−ブチル）−４，４′−ジフェノ
キノン（酸化還元電位−０．９４Ｖ）などがあげられ
る。

【００３９】

【化１７】

【００４０】またベンゾキノン系化合物の具体例として
は、これに限定されないが、例えば式(3-1) で表される
ｐ−ベンゾキノン（酸化還元電位−０．８１Ｖ）や、式
(3-2) で表される２，６−ジ（ｔ−ブチル）−ｐ−ベン
ゾキノン（酸化還元電位−１．３１Ｖ）などがあげられ
る。

【００４１】

【化１８】

【００４２】これらの電子輸送剤は、それぞれ単独で使
用できる他、二種以上を併用することもできる。本発明
においては、上記電子輸送剤のほかに、従来公知の他の
電子輸送剤を感光層に含有させてもよく、たとえば下記
の一般式(ET1) 〜(ET16)で表される化合物等があげられ
る。

【００４３】

【化１９】

【００４４】〔式中、Ｒ^e1、Ｒ^e2、Ｒ^e3、Ｒ^e4およびＲ
^e5は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても
よいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、
置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよ
いアラルキル基、置換基を有してもよいフェノキシ基ま
たはハロゲン原子を示す。〕

【００４５】

【化２０】

【００４６】〔式中、Ｒ^e6はアルキル基、Ｒ^e7は置換基
を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアル
コキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を
有してもよいアラルキル基、ハロゲン原子またはハロゲ
ン化アルキル基を示す。γは０〜５の整数を示す。但
し、γが２以上のとき、各Ｒ^e7は互いに異なっていても
よい。〕

【００４７】

【化２１】

【００４８】〔式中、Ｒ^e8およびＲ^e9は同一または異な
って、アルキル基を示す。δは１〜４の整数を示し、ε
は０〜４の整数を示す。但し、δおよびεが２以上のと
き、各Ｒ^e8およびＲ^e9は異なっていてもよい。〕

【００４９】

【化２２】

【００５０】〔式中、Ｒ^e10はアルキル基、アリール
基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル
基またはハロゲン原子を示す。ζは０〜４、ηは０〜５
の整数を示す。但し、ηが２以上のとき、各Ｒ^e10は異
なっていてもよい。〕

【００５１】

【化２３】

【００５２】〔式中、Ｒ^e11はアルキル基を示し、σは
１〜４の整数を示す。但し、σが２以上のとき、各Ｒ
^e11は異なっていてもよい。〕

【００５３】

【化２４】

【００５４】〔式中、Ｒ^e12およびＲ^e13は同一または異
なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリー
ル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシ基、
水酸基、ニトロ基またはシアノ基を示す。Ｘは酸素原
子、＝Ｎ−ＣＮ基、または＝Ｃ（ＣＮ）₂基を示す。〕

【００５５】

【化２５】

【００５６】〔式中、Ｒ^e14は水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基または置換基を有してもよいフェニル基
を示し、Ｒ^e15はハロゲン原子、置換基を有してもよい
アルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコ
キシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シア
ノ基またはニトロ基を示す。λは０〜３の整数を示す。
但し、λが２以上のとき、各Ｒ^e15は互いに異なってい
てもよい。〕

【化２６】

【００５７】〔式中、θは１〜２の整数を示す。〕

【００５８】

【化２７】

【００５９】〔式中、Ｒ^e16およびＲ^e17は同一または異
なってハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル
基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基を示
す。νおよびξは０〜３の整数を示す。但し、νまたは
ξが２以上のとき、各Ｒ^e16およびＲ^e17は互いに異なっ
ていてもよい。〕

【００６０】

【化２８】

【００６１】〔式中、Ｒ^e18およびＲ^e19は同一または異
なって、フェニル基、多環芳香族基または複素環式基を
示し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕

【００６２】

【化２９】

【００６３】〔式中、Ｒ^e20はアミノ基、ジアルキルア
ミノ基、アルコキシ基、アルキル基またはフェニル基を
示し、πは１〜２の整数を示す。但し、πが２のとき、
各Ｒ^{e2 0}は互いに異なっていてもよい。〕

【００６４】

【化３０】

【００６５】〔式中、Ｒ^e21は水素原子、アルキル基、
アリール基、アルコキシ基またはアラルキル基を示
す。〕

【００６６】

【化３１】

【００６７】〔式中、Ｒ^e22はハロゲン原子、置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニ
ル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモ
イル基、シアノ基またはニトロ基を示す。μは０〜３の
整数を示す。但し、μが２以上のとき、各Ｒ^e22は互い
に異なっていてもよい。〕

【００６８】

【化３２】

【００６９】〔式中、Ｒ^e23は置換基を有してもよいア
ルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示
し、Ｒ^e24は置換基を有してもよいアルキル基、置換基
を有してもよいアリール基または基 −Ｏ−Ｒ^e24a を示す。上記基中のＲ^e24aは、置換基を有してもよいア
ルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示
す。〕

【００７０】

【化３３】

【００７１】〔式中、Ｒ^e25、Ｒ^e26、Ｒ^e27、Ｒ^e28、Ｒ
^e29、Ｒ^e30およびＲ^e31は同一または異なってアルキル
基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。χおよびφ
は同一または異なって０〜４の整数を示す。〕

【００７２】

【化３４】

【００７３】〔式中、Ｒ^e32およびＲ^e33は同一または異
なってアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。τおよびψ
は同一または異なって０〜４の整数を示す。〕 上記例示の電子輸送剤において、アルキル基、アリール
基、アルコキシカルボニル基、アラルキル基、アルコキ
シ基、ハロゲン原子およびシクロアルキル基としては、
前述と同様な基があげられる。

【００７４】複素環式基としては、たとえばチエニル、
フリル、ピロリル、ピロリジニル、オキサゾリル、イソ
オキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾ
リル、２Ｈ−イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリ
ル、テトラゾリル、ピラニル、ピリジル、ピペリジル、
ピペリジノ、３−モルホリニル、モルホリノ、チアゾリ
ルなどがあげられる。また、芳香族環と縮合した複素環
式基であってもよい。

【００７５】ハロゲン化アルキル基としては、たとえば
クロロメチル、ブロモメチル、フルオロメチル、ヨード
メチル、２−クロロエチル、１−フルオロエチル、３−
クロロプロピル、２−ブロモプロピル、１−クロロプロ
ピル、２−クロロ−１−メチルエチル、１−ブロモ−１
−メチルエチル、４−ヨードブチル、３−フルオロブチ
ル、３＝クロロ−２−メチルプロピル、２＝ヨード−２
−メチルプロピル、１−フルオロ−２−メチルプロピ
ル、２−クロロ−１，１−ジメチルエチル、２−ブロモ
−１，１−ジメチルエチル、５−ブロモペンチル、４−
クロロヘキシルなどのアルキル基の部分が炭素数１〜６
のハロゲン化アルキル基があげられる。

【００７６】多環芳香族基としては、たとえばナフチ
ル、フェナントリル、アントリルなどがあげられる。ア
ラルキルオキシカルボニル基としては、アラルキル部分
が前述した各種のアラルキル基であるものがあげられ
る。Ｎ−アルキルカルバモイル基としては、アルキル部
分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられ
る。

【００７７】ジアルキルアミノ基としては、アルキル部
分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられ
る。なおアミノに置換する２つのアルキルは同一でも、
互いに異なっていてもよい。上記各基に置換してもよい
置換基としては、たとえばハロゲン原子、アミノ基、水
酸基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シ
アノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のア
ルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜
６のアルケニル基等があげられる。置換基の置換位置に
ついては特に限定されない。

【００７８】また本発明においては、上記例示のほかに
従来公知の電子輸送物質、すなわちベンゾキノン系化合
物、マロノニトリル、チオピラン系化合物、テトラシア
ノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、
ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロア
クリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキ
ノン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マ
レイン酸等を用いることができる。

【００７９】本発明の電子写真感光体に用いられる電荷
発生剤、正孔輸送剤および結着樹脂は、次のとおりであ
る。 《電荷発生剤》電荷発生剤としては、たとえば下記の一
般式(CG1) 〜(CG12)で表される化合物があげられる。

【００８０】(CG1) 無金属フタロシアニン

【００８１】

【化３５】

【００８２】(CG2) オキソチタニルフタロシアニン

【００８３】

【化３６】

【００８４】(CG3) ペリレン顔料

【００８５】

【化３７】

【００８６】（式中、Ｒ^g1およびＲ^g2は同一または異な
って、炭素数が１８以下の置換または未置換のアルキル
基、シクロアルキル基、アリール基、アルカノイル基ま
たはアラルキル基を示す。） (CG4) ビスアゾ顔料

【００８７】

【化３８】

【００８８】〔式中、Ｃｐ¹およびＣｐ²は同一または異
なってカップラー残基を示し、Ｑは次式：

【００８９】

【化３９】

【００９０】（式中、Ｒ^g3は水素原子、アルキル基、ア
リール基または複素環式基を示し、アルキル基、アリー
ル基または複素環式基は置換基を有していてもよい。ω
は０または１を示す。）

【００９１】

【化４０】

【００９２】

【化４１】

【００９３】（式中、Ｒ^g4およびＲ^g5は同一または異な
って、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を
示す。）

【００９４】

【化４２】

【００９５】

【化４３】

【００９６】

【化４４】

【００９７】（式中、Ｒ^g6は水素原子、エチル基、クロ
ロエチル基またはヒドロキシエチル基を示す。）

【００９８】

【化４５】

【００９９】または

【０１００】

【化４６】

【０１０１】（式中、Ｒ^g7，Ｒ^g8およびＲ^g9は同一また
は異なって、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハ
ロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキ
ル基を示す。）で表される基を示す。〕 (CG5) ジチオケトピロロピロール顔料

【０１０２】

【化４７】

【０１０３】（式中、Ｒ^g10およびＲ^g11は同一または異
なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハ
ロゲン原子を示し、Ｒ^g12およびＲ^g13は同一または異な
って、水素原子、アルキル基またはアリール基を示
す。） (CG6) 無金属ナフタロシアニン顔料

【０１０４】

【化４８】

【０１０５】（式中、Ｒ^g14、Ｒ^g15、Ｒ^g16およびＲ^g17
は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基またはハロゲン原子を示す。） (CG7) 金属ナフタロシアニン顔料

【０１０６】

【化４９】

【０１０７】（式中、Ｒ^g18、Ｒ^g19、Ｒ^g20およびＲ^g21
は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基またはハロゲン原子を示し、ＭはＴｉまたはＶを
示す。） (CG8) スクアライン顔料

【０１０８】

【化５０】

【０１０９】（式中、Ｒ^g22およびＲ^g23は同一または異
なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハ
ロゲン原子を示す。） (CG9) トリスアゾ顔料

【０１１０】

【化５１】

【０１１１】（式中、Ｃｐ³、Ｃｐ⁴およびＣｐ⁵は同一
または異なって、カップラー残基を示す。） (CG10)インジゴ顔料

【０１１２】

【化５２】

【０１１３】（式中、Ｒ^g24およびＲ^g25は同一または異
なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示
し、Ｚは酸素原子または硫黄原子を示す。） (CG11)アズレニウム顔料

【０１１４】

【化５３】

【０１１５】（式中、Ｒ^g26およびＲ^g27は同一または異
なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示
す。） (CG12)シアニン顔料

【０１１６】

【化５４】

【０１１７】（式中、Ｒ^g28およびＲ^g29は同一または異
なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハ
ロゲン原子を示し、Ｒ^g30およびＲ^g31は同一または異な
って、水素原子、アルキル基またはアリール基を示
す。） 上記例示の電荷発生剤において、アルキル基としては、
前述した炭素数１〜６のアルキル基に加えて、オクチ
ル、ノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、ペンタデ
シル、オクタデシルなどの炭素数１８以下の置換または
未置換のアルキル基などがあげられる。

【０１１８】シクロアルキル基、アルコキシ基、アルカ
ノイル基、複素環式基、アリール基およびアラルキル基
としては前述と同様な基があげられる。上記基に置換し
てもよい置換基としては、たとえばハロゲン原子、アミ
ノ基、水酸基、エステル化されてもよいカルボキシル
基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜
６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素
数２〜６のアルケニル基等があげられる。

【０１１９】Ｃｐ¹、Ｃｐ²、Ｃｐ³、Ｃｐ⁴およびＣｐ⁵
で表されるカップラー残基としては、たとえば下記一般
式(Cp-1)〜(Cp-11) に示す基があげられる。

【０１２０】

【化５５】

【０１２１】

【化５６】

【０１２２】各式中、Ｒ^g32は、カルバモイル基、スル
ファモイル基、アロファノイル基、オキサモイル基、ア
ントラニロイル基、カルバゾイル基、グリシル基、ヒダ
ントイル基、フタルアモイル基またはスクシンアモイル
基を示す。これらの基は、ハロゲン原子、置換基を有し
てもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル
基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、
カルボニル基、カルボキシル基等の置換基を有していて
もよい。

【０１２３】Ｒ^g33は、ベンゼン環と縮合して芳香族
環、多環式炭化水素または複素環を形成するのに必要な
原子団を示し、これらの環は前記と同様な置換基を有し
てもよい。Ｒ^g34は、酸素原子、硫黄原子またはイミノ
基を示す。Ｒ^g35は、２価の鎖式炭化水素基または芳香
族炭化水素基を示し、これらの基は前記と同様な置換基
を有してもよい。

【０１２４】Ｒ^g36は、アルキル基、アラルキル基、ア
リール基または複素環基を表し、これらの基は前記と同
様な置換基を有してもよい。Ｒ^g37は、２価の鎖式炭化
水素基もしくは芳香族炭化水素基とともに、または上記
基(Cp-1)〜(Cp-11) 中の２つの窒素原子とともに複素環
を形成するのに必要な原子団を表し、これらの環は前記
と同様な置換基を有してもよい。

【０１２５】Ｒ^g38は、水素原子、アルキル基、アミノ
基、カルバモイル基、スルファモイル基、アロファノイ
ル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリ
ール基またはシアノ基を示し、水素原子以外の基は前記
と同様な置換基を有していてもよい。Ｒ^g39は、アルキ
ル基またはアリール基を示し、これらの基は前記と同様
な置換基を有してもよい。

【０１２６】アルケニル基としては、たとえばビニル、
アリル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−メチルアリ
ル、２−ペンテニル、２−ヘキセニル等の炭素数が２〜
６のアルケニル基があげられる。前記Ｒ^g33において、
ベンゼン環と縮合して芳香族環を形成するのに必要な原
子団としては、たとえばメチレン、エチレン、トリメチ
レン、テトラメチレン等の炭素数１〜４のアルキレン基
があげられる。

【０１２７】上記Ｒ^g33とベンゼン環との縮合により形
成される芳香族環としては、たとえばナフタリン環、ア
ントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン
環、ナフタセン環等があげられる。またＲ^g33におい
て、ベンゼン環と縮合して多環式炭化水素を形成するの
に必要な原子団としては、たとえば上記炭素数１〜４の
アルキレン基や、あるいはカルバゾール環、ベンゾカル
バゾール環、ジベンゾフラン環等があげられる。

【０１２８】またＲ^g33において、ベンゼン環と縮合し
て複素環を形成するのに必要な原子団としては、たとえ
ばベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、インドリル、
１Ｈ−インドリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾ
リル、１Ｈ−インダドリル、ベンゾイミダゾリル、クロ
メニル、クロマニル、イソクロマニル、キノリニル、イ
ソキノリニル、シンノリニル、フタラジニル、キナゾニ
リル、キノキサリニル、ジベンゾフラニル、カルバゾリ
ル、キサンテニル、アクリジニル、フェナントリジニ
ル、フェナジニル、フェノキサジニル、チアントレニル
等があげられる。

【０１２９】上記Ｒ^g33とベンゼン環との縮合により形
成される芳香族性複素環基としては、たとえばチエニ
ル、フリル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリ
ル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラ
ゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、チア
ゾリルがあげられる。また、さらに他の芳香族環と縮合
した複素環基（たとえばベンゾフラニル、ベンゾイミダ
ゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、キノ
リルなど）であってもよい。

【０１３０】前記Ｒ^g35、Ｒ^g37において、２価の鎖式炭
化水素基としては、エチレン、トリメチレン、テトラメ
チレン等があげられ、２価の芳香族炭化水素基として
は、フェニレン、ナフチレン、フェナントリレン等があ
げられる。前記Ｒ^g36において、複素環基としては、ピ
リジル、ピラジル、チエニル、ピラニル、インドリル等
があげられる。

【０１３１】前記Ｒ^g37において、２つの窒素原子とと
もに複素環を形成するのに必要な原子団としては、たと
えばフェニレン、ナフチレン、フェナントリレン、エチ
レン、トリメチレン、テトラメチレン等があげられる。
上記Ｒ^g37と、２つの窒素原子とにより形成される芳香
族性複素環基としては、たとえばベンゾイミダゾール、
ベンゾ［ｆ］ベンゾイミダゾール、ジベンゾ［ｅ，ｇ］
ベンゾイミダゾール、ベンゾピリミジン等があげられ
る。これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。

【０１３２】前記Ｒ^g38において、アルコキシカルボニ
ル基としては、たとえばメトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニ
ル等の基があげられる。本発明においては、上記例示の
電荷発生剤のほかに、たとえばセレン、セレン−テル
ル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、アモルファスシリ
コン等の無機光導電材料の粉末や、ピリリウム塩、アン
サンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン
系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、キナク
リドン系顔料等の従来公知の電荷発生剤を用いることが
できる。

【０１３３】また、上記例示の電荷発生剤は、所望の領
域に吸収波長を有するように、単独でまたは２種以上を
混合して用いられる。上記例示の電荷発生剤のうち、特
に半導体レーザーなどの光源を使用したレーザービーム
プリンタやファクシミリ等のデジタル光学系の画像形成
装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感
光体が必要となるため、たとえば前記一般式(CG1) で表
される無金属フタロシアニンや一般式(CG2) で表される
オキソチタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系顔
料が好適に用いられる。なお、上記フタロシアニン系顔
料の結晶形については特に限定されず、種々のものを使
用できる。

【０１３４】一方、ハロゲンランプ等の白色の光源を使
用した静電式複写機等のアナログ光学系の画像形成装置
には、可視領域に感度を有する感光体が必要となるた
め、たとえば前記一般式(CG3) で表されるペリレン顔料
や一般式(CG4) で表されるビスアゾ顔料等が好適に用い
られる。 〈正孔輸送剤〉正孔輸送剤としては、高い正孔輸送能を
有する種々の化合物、たとえば下記の一般式(HT1) 〜(H
T13)で表される化合物等があげられる。

【０１３５】

【化５７】

【０１３６】〔式中、Ｒ^h1、Ｒ^h2、Ｒ^h3、Ｒ^h4、Ｒ^h5お
よびＲ^h6は同一または異なってハロゲン原子、置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコ
キシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。
ａおよびｂは同一または異なって０〜４の整数を示し、
ｃ、ｄ、ｅおよびｆは同一または異なって０〜５の整数
を示す。但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆが２以上の
とき、各Ｒ^h1、Ｒ^h2、Ｒ ^h3、Ｒ^h4、Ｒ^h5およびＲ^h6は異
なっていてもよい。〕

【０１３７】

【化５８】

【０１３８】〔式中、Ｒ^h7、Ｒ^h8、Ｒ^h9、Ｒ^h10および
Ｒ^h11は同一または異なってハロゲン原子、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキ
シ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。
ｇ、ｈ、ｉおよびｊは同一または異なって０〜５の整数
を示し、ｋは０〜４の整数を示す。但し、ｇ、ｈ、ｉ、
ｊまたはｋが２以上のとき、各Ｒ^h7、Ｒ^h8、Ｒ^h9、Ｒ
^h10およびＲ^h11は異なっていてもよい。〕

【０１３９】

【化５９】

【０１４０】〔式中、Ｒ^h12、Ｒ^h13、Ｒ^h14およびＲ^h15
は同一または異なってハロゲン原子、置換基を有しても
よいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基ま
たは置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒ^h16は
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有しても
よいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基ま
たは置換基を有してもよいアリール基を示す。ｍ、ｎ、
ｏおよびｐは同一または異なって、０〜５の整数を示
す。ｑは１〜６の整数を示す。但し、ｍ、ｎ、ｏ、ｐま
たはｑが２以上のとき、各Ｒ^h12、Ｒ^h13、Ｒ^h14、Ｒ^h15
およびＲ^h16は異なっていてもよい。〕

【０１４１】

【化６０】

【０１４２】〔式中、Ｒ^h17、Ｒ^h18、Ｒ^h19およびＲ^h20
は同一または異なってハロゲン原子、置換基を有しても
よいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基ま
たは置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒ、ｓ、
ｔおよびｕは同一または異なって、０〜５の整数を示
す。但し、Ｒ、ｓ、ｔまたはｕが２以上のとき、各Ｒ
^h17、Ｒ^h18、Ｒ^h19およびＲ^h20は異なっていてもよ
い。〕

【０１４３】

【化６１】

【０１４４】〔式中、Ｒ^h21およびＲ^h22は同一または異
なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはア
ルコキシ基を示す。Ｒ^h23、Ｒ^h24、Ｒ^h25およびＲ^h26は
同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリ
ール基を示す。〕

【０１４５】

【化６２】

【０１４６】〔式中、Ｒ^h27、Ｒ^h28およびＲ^h29は同一
または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
またはアルコキシ基を示す。〕

【０１４７】

【化６３】

【０１４８】〔式中、Ｒ^h30、Ｒ^h31、Ｒ^h32およびＲ^h33
は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アル
キル基またはアルコキシ基を示す。〕

【０１４９】

【化６４】

【０１５０】〔式中、Ｒ^h34、Ｒ^h35、Ｒ^h36、Ｒ^h37およ
びＲ^h38は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。〕

【０１５１】

【化６５】

【０１５２】〔式中、Ｒ^h39は水素原子またはアルキル
基を示し、Ｒ^h40、Ｒ^h41およびＲ^h42は同一または異な
って、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアル
コキシ基を示す。〕

【０１５３】

【化６６】

【０１５４】〔式中、Ｒ^h43、Ｒ^h44およびＲ^h45は同一
または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
またはアルコキシ基を示す。〕

【０１５５】

【化６７】

【０１５６】〔式中、Ｒ^h46およびＲ^h47は同一または異
なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよ
いアルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基
を示す。Ｒ^h48およびＲ^h49は同一または異なって、水素
原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を
有してもよいアリール基を示す。〕

【０１５７】

【化６８】

【０１５８】〔式中、Ｒ^h50、Ｒ^h51、Ｒ^h52、Ｒ^h53、Ｒ
^h54およびＲ^h55は同一または異なって、置換基を有して
もよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基
または置換基を有してもよいアリール基を示す。αは１
〜１０の整数を示し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚおよびβは同
一または異なって０〜２の整数を示す。但し、ｖ、ｗ、
ｘ、ｙ、ｚまたはβが２のとき、各Ｒ^h50、Ｒ^h51、Ｒ
^h52、Ｒ^h53、Ｒ^h54およびＲ^h55は異なっていてもよ
い。〕

【０１５９】

【化６９】

【０１６０】〔式中、Ｒ^h56、Ｒ^h57、Ｒ^h58およびＲ^h59
は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アル
キル基またはアルコキシ基を示し、Φは

【化７０】

【０１６１】で表される基（Φ−１）、（Φ−２）また
は（Φ−３）を示す。〕 上記例示の正孔輸送剤において、アルキル基、アルコキ
シ基、ハロゲン原子、アリール基およびアラルキル基と
しては、前述と同様な基があげられる。上記基に置換し
てもよい置換基としては、たとえばハロゲン原子、アミ
ノ基、水酸基、エステル化されていてもよいカルボキシ
ル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１
〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭
素数２〜６のアルケニル基等があげられる。置換基の置
換位置については特に限定されない。

【０１６２】また本発明においては、上記例示のほかに
従来公知の正孔輸送物質、すなわち２，５−ジ（４−メ
チルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
等のオキサジアゾール系化合物、９−（４−ジエチルア
ミノスチリル）アントラセン等のスチリル系化合物、ポ
リビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、有機
ポリシラン化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチル
アミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、
ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、イ
ンドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサ
ゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール
系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合
物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化合物、縮合
多環式化合物等を用いることができる。

【０１６３】本発明において正孔輸送剤は、１種単独で
用いられる他、２種以上を混合して用いてもよい。ま
た、ポリビニルカルバゾール等の成膜性を有する正孔輸
送剤を用いる場合には、結着樹脂は必ずしも必要でな
い。前記正孔輸送剤のうち、本発明では、イオン化電位
（Ｉｐ）が４．８〜５．６ｅＶのものを使用するのが好
ましく、電界強度３×１０⁵Ｖ／ｃｍで１×１０^-6ｍ²／
Ｖ・秒以上の移動度を有するものがより好ましい。

【０１６４】イオン化電位が前記範囲内にある正孔輸送
剤を用いることによって、より一層残留電位が低下し、
感度が向上する。その理由は必ずしも明らかではない
が、以下のようなものと考えられる。すなわち、電荷発
生剤から正孔輸送剤への電荷の注入のし易さは正孔輸送
剤のイオン化電位と密接に関係しており、正孔輸送剤の
イオン化電位が前記範囲よりも大きい場合には、電荷発
生剤から正孔輸送剤への電荷の注入の程度が低くなる
か、あるいは正孔輸送剤間での正孔の授受の程度が低く
なるため、感度の低下が生じるものと認められる。一
方、正孔輸送剤と電子輸送剤とが共存する系では、両者
の間の相互作用、より具体的には電荷移動錯体の形成に
注意する必要がある。両者の間にこのような錯体が形成
されると、正孔と電子との間に再結合が生じ、全体とし
て電荷の移動度が低下する。正孔輸送剤のイオン化電位
が前記範囲よりも小さい場合には、電子輸送剤との間に
錯体を形成する傾向が大きくなり、電子−正孔の再結合
が生じるために、見掛けの量子収率が低下し、感度の低
下に結びつくものと思われる。

【０１６５】なお、電子輸送剤中に嵩高い基が存在する
場合は、その立体障害により電荷移動錯体の形成を抑制
することが出来る。従って、本発明において電子輸送剤
として用いられるナフトキノン誘導体（１）には、でき
るだけ嵩高い置換基を導入するのが好ましい。本発明に
好適に使用できる正孔輸送剤の具体例としては、例えば
前記一般式（ＨＴ１）で表されるベンジジン誘導体に属
する、式（ＨＴ１−１）：

【０１６６】

【化７１】

【０１６７】で表される化合物があげられる。 〈結着樹脂〉上記した各成分を分散させるための結着樹
脂としては、従来より感光層に使用されている種々の樹
脂を使用することができ、例えばスチレン系重合体、ス
チレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニト
リル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリ
ル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチ
レン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチ
レン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、アイオノマ
ー、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、
アルキド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボ
ネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタ
レート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、
ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂
や、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、
尿素樹脂、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹
脂、さらにエポキシアクリレート、ウレタン−アクリレ
ート等の光硬化性樹脂等があげられる。これらの結着樹
脂は１種または２種以上を混合して用いることができ
る。好適な樹脂は、スチレン系重合体、アクリル系重合
体、スチレン−アクリル系共重合体、ポリエステル、ア
ルキド樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレート等であ
る。

【０１６８】次に、本発明の電子写真感光体の製造方法
について説明する。単層型の電子写真感光体を得るに
は、所定の電子輸送剤を、電荷発生剤、正孔輸送剤、結
着樹脂等と共に適当な溶剤に溶解または分散した塗布液
を、塗布等の手段によって導電性基体上に塗布し、乾燥
させればよい。単層型の感光体においては、結着樹脂１
００重量部に対して電荷発生剤は０．１〜５０重量部、
好ましくは０．５〜３０重量部の割合で配合され、電子
輸送剤は５〜１００重量部、好ましくは１０〜８０重量
部の割合で配合される。また、正孔輸送剤は５〜５００
重量部、好ましくは２５〜２００重量部の割合で配合す
る。さらに、正孔輸送剤と電子輸送剤との総量は、結着
樹脂１００重量部に対して２０〜５００重量部、好まし
くは３０〜２００重量部であるのが適当である。単層型
の感光層に電子受容性化合物を含有させる場合は、電子
受容性化合物を結着樹脂１００重量部に対して０．１〜
４０重量部、好ましくは０．５〜２０重量部で配合する
のが適当である。

【０１６９】また、単層型の感光層の厚さは５〜１００
μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。積層型の電子
写真感光体を得るには、まず導電性基体上に、蒸着また
は塗布等の手段によって電荷発生剤を含有する電荷発生
層を形成し、ついでこの電荷発生層上に、電子輸送剤と
結着樹脂とを含む塗布液を塗布等の手段によって塗布
し、乾燥させて電荷輸送層を形成すればよい。

【０１７０】積層型感光体においては、電荷発生層を構
成する電荷発生剤と結着樹脂とは、種々の割合で使用す
ることができるが、結着樹脂１００重量部に対して電荷
発生剤を５〜１０００重量部、好ましくは３０〜５００
重量部の割合で配合するのが適当である。電荷発生層に
電子受容性化合物を含有させる場合は、電子受容性化合
物を結着樹脂１００重量部に対して０．１〜４０重量
部、好ましくは０．５〜２０重量部で配合するのが適当
である。また、電荷発生層に電子輸送剤を含有させる場
合は、電子輸送剤を結着樹脂１００重量部に対して０．
５〜５０重量部、好ましくは１〜４０重量部で配合する
のが適当である。

【０１７１】電荷輸送層を構成する電子輸送剤と結着樹
脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しな
い範囲で種々の割合で使用することができるが、光照射
により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるよう
に、結着樹脂１００重量部に対して電子輸送剤を１０〜
５００重量部、好ましくは２５〜１００樹脂の割合で配
合するのが適当である。電荷輸送層に電子受容性化合物
を含有させる場合は、電子受容性化合物を結着樹脂１０
０重量部に対して０．１〜４０重量部、好ましくは０．
５〜２０重量部で配合するのが適当である。

【０１７２】また、積層型の感光層の厚さは、電荷発生
層が０．０１〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜３μｍ
程度であり、電荷輸送層が２〜１００μｍ、好ましくは
５〜５０μｍ程度である。単層型感光体にあっては、導
電性基体と感光層との間に、また積層型感光体にあって
は、導電性基体と電荷発生層との間、導電性基体と電荷
輸送層との間または電荷発生層と電荷輸送層との間に、
感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されて
いてもよい。また、感光体の表面には、保護層が形成さ
れていてもよい。

【０１７３】単層型および積層型の各感光層には、電子
写真特性に悪影響を与えない範囲で、それ自体公知の種
々の添加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重
項クエンチャー、紫外線吸収剤等の劣化防止剤、軟化
剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定
剤、ワックス、アクセプター、ドナー等を配合すること
ができる。 また、感光層の感度を向上させるために、
例えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチ
レン等の公知の増感剤を電荷発生剤と併用してもよい。

【０１７４】さらに、前記一般式（１）で表されるナフ
トキノン誘導体とともに、高い電子輸送能を有する種々
の電子輸送剤を感光層に含有させてもよい。本発明の感
光体に使用される導電性基体としては、導電性を有する
種々の材料を使用することができ、例えばアルミニウ
ム、鉄、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデ
ン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウ
ム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体や、
上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材
料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等
で被覆されたガラス等があげられる。

【０１７５】導電性基体はシート状、ドラム状等の何れ
であってもよく、基体自体が導電性を有するか、あるい
は基体の表面が導電性を有していればよい。また、導電
性基体は、使用に際して、充分な機械的強度を有するも
のが好ましい。本発明における感光層は、前記した各成
分を含む樹脂組成物を溶剤に溶解ないし分散した塗布液
を導電性基体上に塗布、乾燥して製造される。

【０１７６】すなわち、前記例示の電荷発生剤、電荷輸
送剤、結着樹脂等を、適当な溶剤とともに、公知の方
法、例えば、ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペ
イントシェーカーあるいは超音波分散器等を用いて分散
混合して塗布液を調製し、これを公知の手段により塗
布、乾燥すればよい。塗布液をつくるための溶剤として
は、種々の有機溶剤が使用可能であり、例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のア
ルコール類、ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン
等の脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタ
ン、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水
素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケ
トン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメ
チルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド等があげられる。これらの溶剤は１種又
は２種以上を混合して用いることができる。

【０１７７】さらに、電荷輸送材料や電荷発生材料の分
散性、感光層表面の平滑性をよくするために界面活性
剤、レベリング剤等を使用してもよい。

【０１７８】

〔前記式(1-1) で表されるナフトキノン誘導体の合成〕

【０１７９】２００ｍｌの２つ口フラスコに、前記式
(４) 中のＲ¹がフェニル基であるナフトキノン誘導体
（４−１），２．０ｇ（３．６ｍｍｏｌ）を入れ、アル
ゴン置換後、アルデヒド（５−１）の０．４２ｇ（３．
１ｍｍｏｌ）／トルエン７０ｍｌを加え、３時間加熱還
流した。放冷後、トルエンを留去後カラムクロマトグラ
フィーにより精製し目的物を得た。（収量１．８ｇ、収
率 ７２．５％）。 融点３００℃以上 生成物のＩＲスペクトルを図２に、ＭＳスペクトルを図
３に示す。上記反応の反応式を以下に示す。

【化７２】 合成例２ 〔前記式(1-2) で表されるナフトキノン誘導体の合成〕
前記式(５−１) の代わりに（５−２）を８．１ｍｍｏ
ｌ使用した以外は、合成例１と同様にして反応を行い、
標記化合物を得た（収量１．９，収率 ５３．８％）。 融点２４２〜２４４℃ 生成物の １Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図４に、 ＩＲス
ペクトルを図５に、ＭＳスペクトルを図６に示す。化合
物（５−２）を以下に示す。

【化７３】 合成例３ 〔前記式(1-３) で表されるナフトキノン誘導体の合
成〕前記式(５−１)の代わりに（５−３）を３．６ｍｍ
ｏｌ使用した以外は、合成例１と同様にして反応を行
い、標記化合物を得た（収量 １．５ｇ、収率 ９２．
１％）。 融点２２４〜２２７℃ 生成物の １Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図７に示す。化合
物（５−３）を以下に示す。

【化７４】 合成例４ 〔前記式(1-４) で表されるナフトキノン誘導体の合
成〕前記式(５−１) の代わりに（５−４）を３．６ｍ
ｍｏｌ使用した以外は、合成例１と同様にして反応を行
い、標記化合物を得た（収量１．４ｇ，収率 ８７．９
％）。 融点２２８〜２３１℃ 生成物の １Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図８に、 ＩＲス
ペクトルを図９に、ＭＳスペクトルを図１０に示す。化
合物（５−４）を以下に示す。

【化７５】 合成例５ 〔前記式(1-５) で表されるナフトキノン誘導体の合
成〕前記式(５−１) の代わりに（５−５）を８．６ｍ
ｍｏｌ使用した以外は、合成例１と同様にして反応を行
い、標記化合物を得た（収量３．６ｇ，収率 ９５．３
％）。 融点２７１〜２７４℃ 生成物の １Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１１に、 ＩＲ
スペクトルを図１２に、ＭＳスペクトルを図１３に示
す。化合物（５−５）を以下に示す。

【化７６】 〔電子写真感光体の製造〕本発明の電子写真感光体に用
いた各成分は以下のとおりである。 (i) 電荷発生剤 ＰｃＨ₂：前記式(CG1) で表されるＸ型無金属フタロシ
アニン〔イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）＝５．３８ｅ
Ｖ〕 ＰｃＴｉＯ：前記式(CG2) で表されるオキソチタニルフ
タロシアニン（Ｉｐ＝５．３２ｅＶ） ペリレン：前記一般式(CG3) に属する、次式(CG3-1) ：

【０１８０】

【化７７】

【０１８１】で表されるペリレン顔料（Ｉｐ＝５．５０
ｅＶ） (ii) 正孔輸送剤 ＨＴ１−１：前記式(HT1-1) で表されるベンジジン誘導
体（Ｉｐ＝５．５６ｅＶ） (iii) 電子輸送剤 １−１：前記式(1-1) で表されるナフトキノン誘導体 １−２：前記式(1-2) で表されるナフトキノン誘導体 １−３：前記式(1-3) で表されるナフトキノン誘導体 １−４：前記式(1-4) で表されるナフトキノン誘導体 １−５：前記式(1-５) で表されるナフトキノン誘導体 ET13-1 :特開平６−１１０２２７号公報に開示された、
前記式 (ET13) で表されるナフトキノン誘導体に属す
る、次式(ET13-1):

【０１８２】

【化７８】

【０１８３】で表される３−フェニル−１，４−ナフト
キノン ３−１：前記式(3-1) で表されるｐ−ベンゾキノン（酸
化還元電位＝−０．８１Ｖ） ３−２：前記式(3-2) で表される２，６−ジｔ−ブチル
−ｐ−ベンゾキノン（酸化還元電位＝−１．３０Ｖ） ２−１：前記式(2-1) で表される３，５−ジメチル−
３’，５’−ジｔ−ブチル−４，４’−ジフェノキノン
（酸化還元電位＝−０．８６Ｖ） ２−２：前記式(2-2) で表される３，３’，５，５’−
テトラｔ−ブチル−４，４’−ジフェノキノン（酸化還
元電位＝−０．９４Ｖ） 上記イオン化電位は、大気下光電子分析装置（理研計器
（株）製のＡＣ−１）を用いて測定した。 〔単層型電子写真感光体の作製〕 実施例１〜１５、および比較例１〜８ 表１および３に示す電荷発生剤、正孔輸送剤および電子
輸送剤を、結着樹脂および溶媒と共に以下に示す割合で
配合し、ボールミルで５０時間混合分散して単層型感光
層塗布液を調製した。

【０１８４】 （成分） （重量部） 電荷発生剤 ５ 正孔輸送剤 ５０ 電子輸送剤 ３０ 結着樹脂（ポリカーボネート） １００ 溶 媒（テトラヒドロフラン） ８００ 次いで、上記塗布液を、導電性基材であるアルミニウム
素管の表面にディップコート法にて塗布し、１００℃で
６０分間熱風乾燥させて膜厚１５〜２０μｍの単層型電
子写真感光体を作製した。 実施例２６〜４５、および比較例１３〜１６ 表２および３に示す電荷発生剤５重量部、正孔輸送剤５
０重量部、電子輸送剤３０重量部、結着樹脂１００重量
部および溶媒８００重量部に加え、さらに所定の還元電
位を有する前記式(2-1) 〜(2-2) 、(3-1) 〜(3-2) で表
される電子輸送剤１０重量部を配合して単層型感光層塗
布液を調製したほかは、上記実施例１〜３等と同様にし
て単層型電子写真感光体を作製した。 〔積層型電子写真感光体の作製〕 実施例１６〜２５、および比較例９〜１２ 表１および３に示す電荷発生剤１００重量部、結着樹脂
（ポリビニルブチラール）１００重量部および溶媒（テ
トラヒドロフラン）２０００重量部をボールミルで５０
時間混合分散し、電荷発生層用の塗布液を調製した。こ
の塗布液を導電性基材であるアルミニウム素管の表面に
ディップコート法にて塗布し、１００℃で６０分間熱風
乾燥させて膜厚１μｍの電荷発生層を形成した。

【０１８５】次いで、表１〜３に示す電子輸送剤１００
重量部、結着樹脂（ポリカーボネート）１００重量部お
よび溶媒（トルエン）８００重量部をボールミルで５０
時間混合分散し、電荷輸送層用の塗布液を調製した。そ
して、この塗布液を上記電荷発生層上にディップコート
法にて塗布し、１００℃で６０分間熱風乾燥させて膜厚
２０μｍの電荷輸送層を形成し、積層型電子写真感光体
を作製した。 （感光体特性の評価）上記実施例および比較例で得られ
た電子写真感光体について下記の光感度試験を行い、そ
の感度特性を評価した。 光感度試験 ジェンテック（ＧＥＮＴＥＣ）社製のドラム型の感度試
験機を用い、上記各実施例および比較例の感光体に電圧
を印加して＋７００Ｖに帯電させた。次いで、この感光
体に光を照射して露光させ、露光から３３０ミリ秒後の
感光体表面の電位を露光後電位ＶＬ （Ｖ）として測定
した。

【０１８６】尚、光照射の条件は、以下に示すように、
電荷発生剤がフタロシアニン系のものとペリレン系のも
のとによって異なる。 （１）フタロシアニン系顔料の場合 ＋７００Ｖに帯電させた感光体表面に、バンドパスフィ
ルターを用いて７８０ｎｍ（半値幅２０ｎｍ）に単色化
した光（ハロゲンランプ、光強度：１６μＷ／ｃｍ²）
８０ミリ秒間照射した。 （２）ペリレン系顔料の場合 ＋７００Ｖに帯電させた感光体表面にハロゲンランプの
白色光（光強度：１４７μＷ／ｃｍ²）５０ミリ秒間照
射した。

【０１８７】上記実施例および比較例で使用した成分お
よび露光後電位Ｖ_Lの測定結果を表１〜３に示す。

【０１８８】

【表１】

【０１８９】

【表２】

【０１９０】

【表３】

【０１９１】表１〜３から明らかなように、実施例の感
光体は、従来の電子輸送剤を用いたり、あるいは電子輸
送剤を使用しなかった比較例の感光体に比べて、露光後
電位が低下しており、高い感度を有することがわかる。
また、実施例２１〜３６の感光体は、所定の酸化還元電
位を有する電子輸送剤と本発明のナフトキノン誘導体
(1) を含有するから、他の実施例の感光体よりもさらに
露光後電位が低下しており、より高い感度を有すること
がわかる。

【０１９２】

【発明の効果】本発明の電子感光体に使用するナフトキ
ノン誘導体(1) は、高い電子輸送能を有する。従って、
かかるナフトキノン誘導体(1) を電子輸送剤として含有
する本発明の電子写真感光体は、残留電位が著しく低下
し、高い感度を有する。また、特定の酸化還元電位を有
する電子輸送剤を添加することにより、より一層残留電
位が低下し、感度が向上した感光体が得られる。

【０１９３】かかる本発明の感光体を使用すると、複写
機やプリンター等の高速化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における酸化還元電位を求めるための牽
引電圧（Ｖ）と電流（Ａ）との関係を示すグラフであ
る。

【図２】本発明のナフトキノン誘導体(1-１) の ＩＲ
スペクトルを示すグラフである。

【図３】本発明のナフトキノン誘導体(1-１) の ＭＳ
スペクトルを示すグラフである。

【図４】本発明のナフトキノン誘導体(1-２) の １Ｈ
−ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。

【図５】本発明のナフトキノン誘導体(1-２) の ＩＲ
ペクトルを示すグラフである。

【図６】本発明のナフトキノン誘導体(1-２) の ＭＳ
スペクトルを示すグラフである。

【図７】本発明のナフトキノン誘導体(1-３) の １Ｈ
−ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。

【図８】本発明のナフトキノン誘導体(1-４) の １Ｈ
−ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。

【図９】本発明のナフトキノン誘導体(1-４) の ＩＲ
スペクトルを示すグラフである。

【図１０】本発明のナフトキノン誘導体(1-４) の Ｍ
Ｓスペクトルを示すグラフである。

【図１１】本発明のナフトキノン誘導体(1-４) の １
Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。

【図１２】本発明のナフトキノン誘導体(1-４) の Ｉ
Ｒスペクトルを示すグラフである。

【図１３】本発明のナフトキノン誘導体(1-４) の Ｍ
Ｓスペクトルを示すグラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C07D 241/36 G03G 5/06 315 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式(1) ： 【化１】 〔式中、Ｒ¹は水素原子、置換基を有してもよいアルキ
   ル基、置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ²は
   水素原子，置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン
   化アルキル基、アルデヒド基、ニトロ基、基(ｉ) ： 【化２】 を示す。〕で表されるナフトキノン誘導体。
2. 【請求項２】導電性基体上に、請求項１記載のナフトキ
   ノン誘導体を含有する感光層を設けたことを特徴とする
   電子写真感光体。
3. 【請求項３】前記感光層が、−０．８〜−１．４Ｖの酸
   化還元電位を有する電子輸送剤を含有する請求項２記載
   の電子写真感光体。
4. 【請求項４】前記電子輸送剤が、一般式(2) ： 【化３】 〔式中、Ｒ^A、Ｒ^B、Ｒ^CおよびＲ^Dは同一または異なって
   水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ア
   ラルキル基、シクロアルキル基またはアミノ基を示
   す。〕で表されるジフェノキノン誘導体、または一般式
   (3) ： 【化４】 〔式中Ｒ^E、Ｒ^F、Ｒ^GおよびＲ^Hは、同一または異なって
   水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ア
   ラルキル基、シクロアルキル基、置換基を有していても
   よいアミノ基を示す。〕で表されるベンゾキノン誘導体
   である請求項３記載の電子写真感光体。