JP3195569B2 - 繭型コロイダルシリカの製造方法 - Google Patents

繭型コロイダルシリカの製造方法

Info

Publication number
JP3195569B2
JP3195569B2 JP22706697A JP22706697A JP3195569B2 JP 3195569 B2 JP3195569 B2 JP 3195569B2 JP 22706697 A JP22706697 A JP 22706697A JP 22706697 A JP22706697 A JP 22706697A JP 3195569 B2 JP3195569 B2 JP 3195569B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
colloidal silica
solvent
water
methanol
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP22706697A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1160232A (ja
Inventor
守 磯
Original Assignee
守 磯
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 守 磯 filed Critical 守 磯
Priority to JP22706697A priority Critical patent/JP3195569B2/ja
Publication of JPH1160232A publication Critical patent/JPH1160232A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3195569B2 publication Critical patent/JP3195569B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、繭型コロイダルシ
リカの製造方法に関し、特に、半導体の製造工程で使用
されるシリコンウエハ−の最終研磨工程、及び半導体集
積回路の製造工程における金属膜の平坦化などの鏡面状
に磨き上げるのに好適である研磨剤として有用な繭型コ
ロイダルシリカの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の製造には、鏡面状に研磨さ
れたウエハ−が用いられているが、このウエハ−製造の
仕上げ工程である最終研磨に使用される研磨材料として
は、コロイダルシリカにアンモニア、アルカリ金属等の
研磨促進剤と界面活性効果のある湿潤剤を含有する水系
組成物が使用されている。コロイダルシリカも主として
2種類あり、その一つは水ガラスなどのアルカリ金属ケ
イ酸塩の水溶液を脱陽イオン処理することにより得られ
る球形のコロイダルシリカ(またはその会合体)であ
り、もう一つは、触媒としてアンモニアまたはアンモニ
アとアンモニウム塩の存在下でアルコキシシランと水を
アルコ−ル溶液中で反応させて得る球状または10〜2
00nmの短径と1.4以上の長径/短径比を有する粒
子である。
【0003】一般に、研磨面のダメ−ジの少ない研磨に
は粒子分布が狭い研磨砥粒で、かつ表面が丸い粒子が最
も好ましいとされている。しかし、単一球状のコロイダ
ルシリカは研磨効率が十分でなく実用には向かない。単
一球状粒子で研磨効果を上げるには粒径サイズを大きく
することで目的を達成できるが、大粒径による研磨は、
研磨面のダメ−ジが多くなるという問題点があった。こ
の改善策として、球形粒子を会合させて長径/短径比が
大きい粒子を形成させることにより、表面が丸く研磨効
率の高い砥粒を得ることができる。
【0004】このような研磨速度を著しく向上せしめる
研磨剤及び研磨方法として、特開平7−221059号
公報には、7〜1000nmの長径と0.3〜0.8の
短径/長径比を有するコロイダルシリカでシリコンウエ
ハ−等を研磨することの優位性と、実施例としてケイ酸
ナトリウム水溶液を原料とした製造方法が開示されてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法で得られたシリカゾルには、ケイ素以外にCa、M
g、Baなどのアルカリ土類金属、更に原料ケイ酸ナト
リウムに由来するNaが介在し、これらのアルカリ金属
やアルカリ土類金属がウエハ研磨時にウエハ表面に不純
物として付着し、その結果ウエハ表面が汚染されて半導
体特性に悪影響を及ぼしたり、ウエハ表面に酸化膜を形
成させたときに酸化膜の電気特性を低下させるという問
題点があった。
【0006】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、ケイ素以外の金属を含まないコロ
イダルシリカを研磨剤として使用して、シリコンウエハ
の表面に何等ダメ−ジを与えることなく研磨速度を著し
く向上せしめるだけでなく、ウエハ表面の電気特性を全
く低下させることもないウエハの研磨剤として極めて好
適なコロイダルシリカの製造方法を提供することを目的
とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の課題
を解決すべく鋭意検討の結果、アルコキシシランと水の
反応による長径/短径比の大きいコロイダルシリカによ
り上記の目的が達成できることを見出し、本発明を完成
するに至った。
【0008】請求項1に記載の発明にあっては、ケイ酸
メチル、又はケイ酸メチルとメタノ−ルとの混合物を、
水、メタノ−ル及びアンモニア、又は水、メタノ−ル、
アンモニア及びアンモニウム塩からなる混合溶媒中に、
前記溶媒中のアンモニウムイオンの含量が、前記溶媒の
全重量に基づいて0.5〜3重量%であって、反応が1
0〜30℃の温度で行われるように、撹拌下に10〜4
0分間で滴下し、ケイ酸メチルと水とを反応させて10
〜200nmの短径と1.4〜2.2の長径/短径比を
有するコロイダルシリカを生成することを特徴とする繭
型コロイダルシリカの製造方法である。請求項2に記載
の発明にあっては、前記溶媒中の水の量が、ケイ酸メチ
ルの加水分解に必要な理論値の2〜5倍であることを特
徴とする請求項1に記載の繭型コロイダルシリカの製造
方法とすることができる。請求項3に記載の発明にあっ
ては、前記溶媒中のメタノールの量が、ケイ酸メチルに
混合したメタノ−ルと合わせてケイ酸メチルの重量の5
倍以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の
繭型コロイダルシリカの製造方法とすることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】アルコキシシランと水の反応によ
るコロイダルシリカの製造工程に関しては、C.J.B
rinker & G.W.Scherer, Sol
−GelScience(Academic pres
s Inc.,1990)のCHAPTER 3などに
は、アルコキシシランが加水分解してケイ酸が生成し、
それが縮合してシリカが生成することが記載されてい
る。これに拠れば、アルコ−ル溶媒、アンモニアの存在
下でアルコキシシランと水を反応させるとゲル化する前
に球状の粒子をコロイドとして得ることが出来る。
【0010】本発明者は、上記文献に記載の技術に基づ
いて、アルコキシシランと水の反応による長径/短径比
が大きいコロイダルシリカを製造する方法について種々
実験を行ない、下記の事実を実験結果として知見、確認
した。
【0011】アルコキシシランと水の反応で、ケイ酸に
加水分解する反応工程を経て、粒径が10〜200nm
近辺の球状コロイダルシリカを製造する工程で、球状の
一次粒子2〜4個を局部的に結合させ、二次粒子を形成
させることにより、長径/短径比を大きくすることがで
きる。5個以上の結合では本発明の目標である長径/短
径比が1.4を超えるような粒子は得られ難い。また、
2〜4個の限られた数の一次粒子を選択的に結合させる
には多量の溶媒中で低温反応させることが、有効である
ことを実験で確かめた。
【0012】ケイ酸には、正ケイ酸(SiO2 −2H2
O)とメタケイ酸(SiO2 −H2O)があるが、メタ
ケイ酸メチルはあまり実存しない。そこで、本発明は、
実施例で示す通り原料アルコキシシランのうち、通常シ
リカを工業的に製造するに最も対コスト効果の高い正ケ
イ酸メチルを用い、溶媒として多量のメタノ−ルを使用
し、比較的低温でケイ酸への加水分解を経て、その縮合
によりコロイダルシリカが生成される工程において、水
と正ケイ酸メチルの反応操作を最適化した。その結果、
特許請求の範囲に記述した条件で所望の長径/短径比の
コロイダルシリカを得た。
【0013】粒子サイズが均一で長径/短径比が1.4
より大きい粒子を生成させることは、換言すると粒子分
布の狭い一次粒子を如何に選択的に2ないし3個を粒子
結合させることに他ならない。できれば大部分の粒子結
合が2個に限定したものが望ましい。実験の結果、原料
のケイ酸メチルの滴下時間の最適化が最も重要であるこ
とを確認した。
【0014】例えば後述する実施例1、実施例2と実施
例3では、目的とする長径/短径比が1.4より大きい
粒子を生成させることができるが、比較例1に示すよう
に、実施例1と同じ条件ながら滴下時間を6分まで短く
すると一次粒子径はさほど変化ないが、相互の粒子の結
合が促進され、長径/短径比は小さくなり、ほとんど長
径/短径比が1に近い、いわゆる球状会合体が生成す
る。これを透過型電子顕微鏡で観察すると少なくとも1
0個以上のかなり多数の一次粒子が結合して二次粒子を
形成していることが判った。
【0015】また、比較例2に示すように、実施例1と
同じ条件ながら滴下時間を48分まで長くすると、一次
粒子はそのまま安定で粒子相互間の結合は稀であること
を粒子径分析と透過型電子顕微鏡の観察で確かめた。
【0016】シリコンウェハ−または半導体素子の金属
膜などの研磨では、研磨速度、研磨面の傷の有無とヘイ
ズの善悪などの研磨特性があり、一般に粒子が大きいも
のは研磨速度が上がる反面傷とヘイズ特性が悪化し、粒
子の小さいものはその逆の特性を示す。コロイダルシリ
カの場合では、シリコンウェハ−の最終研磨では10〜
60nmの短径の粒子が、また半導体素子の平坦化目的
の研磨では20〜200nmの短径粒子が使用されてい
る。
【0017】上記 C.J.Brinker等の著書が
示す如く、正ケイ酸メチルの加水分解後のアンモニアを
使用した粒子成長段階では、pHとアンモニウム塩の有
無が単独粒子成長と粒子の結合を支配する。これらの濃
度は目的とする粒子径により選定される。実施例2はよ
り大きい一次粒子を持つ、砥粒を製造する際の製造法で
あり、ここでも原料の滴下時間が粒子の会合度合を制御
する重要な因子となることを実験により確かめた。
【0018】粒径測定には、透過型電子顕微鏡にて観察
する方法が一般的である。また、長径だけの測定なら
ば、光子相関法の原理を応用した微粒子測定器の測定値
を代用することもある。また、凝集粒子の一次粒子を測
定するには、反応生成物を水系コロイダルシリカ溶液に
して乾燥し、BET比表面積を測定し、粒子を球状と仮
定して求めた粒径を近似値とすることも可能であるが、
両者とも透過型電子顕微鏡で求めた値とはかなりの誤差
があるので、単なる目安としかならない。
【0019】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこの実施例により何等限定されるもので
ない。 [実施例1]3容量の正ケイ酸メチルと1容量のメタノ
−ルを混合し、原料溶液を調製した。反応槽に予めメタ
ノ−ル、水、アンモニアを混合した反応溶媒を仕込ん
だ。反応溶媒中の水の濃度は15重量%、アンモニアは
約1重量%であった。反応溶媒の温度が20℃に保持で
きるように冷却しながら、反応溶媒9容量当たり、1容
量の原料溶液を25分間、均等速度で反応槽に滴下し
た。この反応生成液中には、短径が約45nm、長径が
約70nmのコロイダルシリカが生成された。
【0020】[実施例2]3容量の正ケイ酸メチルと1
容量のメタノ−ルを混合し、原料溶液を調製した。反応
槽に予めメタノ−ル、水、アンモニア、炭酸アンモニウ
ムを混合した反応溶媒を仕込んだ。反応溶媒中の水の濃
度は10重量%、アンモニアは1.6重量%、炭酸アン
モニウムは0.04重量%であった。反応溶媒を攪拌
し、反応溶媒の温度が20℃に保持できるように冷却し
ながら、反応溶媒9容量当り、1容量の原料溶液を18
分間、均等速度で反応槽に滴下した。この反応生成液中
には、短径が120nm、長径が200〜250nmの
コロイダルシリカが生成された。
【0021】[比較例1]3容量の正ケイ酸メチルと1
容量のメタノ−ルを混合し、原料溶液を調製した。反応
槽に予めメタノ−ル、水、アンモニアを混合した反応溶
液を仕込んだ。反応溶液中の水の濃度は15重量%、ア
ンモニアは約1重量%であった。反応溶媒を攪拌し、反
応溶媒の温度が20℃に保持できるように冷却しなが
ら、反応溶媒9容量当り、1容量の原料溶液を6分間、
均等速度で反応槽に滴下した。この反応生成液中には、
一次粒子は約45nmであったが、粒子相互の結合が促
進され短径も長径も約170nmのいわゆる球状会合体
のコロイダルシリカが生成された。
【0022】[実施例3]3容量の正ケイ酸メチルと1
容量のメタノ−ルを混合し、原料溶液を調製した。反応
槽に予めメタノ−ル、水、アンモニアを混合した反応溶
媒を仕込んだ反応溶媒中の水の濃度は15重量%、アン
モニアは約1重量%であった。反応溶媒の温度が20℃
に保持できるように冷却しながら、反応溶媒9容量当
り、1容量の原料溶液を15分間、均等速度で反応槽に
滴下した。この反応生成液中には、一次粒子が約45n
mで二次粒子が約90nmのコロイダルシリカが生成さ
れた。透過型電子顕微鏡では、二次粒子は主として5か
ら7個の一次粒子の凝集体として観察できた。このよう
な2個以上の一次粒子の多数の凝集体の長径/短径比の
正確な測定は光子相関法に基づく微粒子測定器によらな
いと困難であるが、透過型電子顕微鏡で求めた値とはか
なりの誤差が生じることは前述した通りである。止むを
得ず透過型電子顕微鏡で目測した限りは、一次粒子が2
個結合した繭型粒子が更に凝集した凝集体らしき様相を
呈し、長径/短径比も辛うじて1.4程度あることが観
測された。このように、原料と溶媒の混合時間が10〜
40分間内であっても、比較的短かい下限に近いような
場合には、アンモニウムイオンの含量を高めるとか、一
次粒子相互の結合を遅くするように反応温度を低めに設
定するなど、それなりの工夫を要することが推測され
る。
【0023】[比較例2]3容量の正ケイ酸メチルと1
容量のメタノ−ルを混合し、原料溶液を調製した。反応
槽に予めメタノ−ル、水、アンモニアを混合した反応溶
媒を仕込んだ。反応溶媒中の水の濃度は15重量%、ア
ンモニアは約1重量%であった。反応溶媒を攪拌し、反
応溶媒の温度が20℃に保持できるように冷却しなが
ら、反応溶媒9容量当り、1容量の原料溶液を48分
間、均等速度で反応槽に滴下した。この反応生成液中に
は、粒径が約65nmの主として単独球コロイダルシリ
カが生成された。
【0024】
【発明の効果】以上詳細に説明した通り、本発明の繭型
コロイダルシリカの製造方法によれば、ケイ酸メチルと
水との反応時間を規制することにより、短径が10〜2
00nmで長径/短径比が1.4〜2.2の繭型コロイ
ダルシリカを得ることができる。このようなコロイダル
シリカは、研磨速度が著しく向上し、かつウエハ表面を
汚染する心配がなく、研磨ダメージの少ない、シリコン
ウエハなどの研磨砥粒として他に類を見ない高性能を発
揮することができる。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ケイ酸メチル、又はケイ酸メチルとメタ
    ノ−ルとの混合物を、水、メタノ−ル及びアンモニア、
    又は水、メタノ−ル、アンモニア及びアンモニウム塩か
    らなる混合溶媒中に、前記溶媒中のアンモニウムイオン
    の含量が、前記溶媒の全重量に基づいて0.5〜3重量
    %であって、反応が10〜30℃の温度で行われるよう
    に、撹拌下に10〜40分間で滴下し、ケイ酸メチルと
    水とを反応させて10〜200nmの短径と1.4〜
    2.2の長径/短径比を有するコロイダルシリカを生成
    することを特徴とする繭型コロイダルシリカの製造方
    法。
  2. 【請求項2】 前記溶媒中の水の量が、ケイ酸メチルの
    加水分解に必要な理論値の2〜5倍であることを特徴と
    する請求項1に記載の繭型コロイダルシリカの製造方
    法。
  3. 【請求項3】 前記溶媒中のメタノールの量が、ケイ酸
    メチルに混合したメタノ−ルと合わせてケイ酸メチルの
    重量の5倍以上であることを特徴とする請求項1又は2
    に記載の繭型コロイダルシリカの製造方法。
JP22706697A 1997-08-11 1997-08-11 繭型コロイダルシリカの製造方法 Expired - Fee Related JP3195569B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22706697A JP3195569B2 (ja) 1997-08-11 1997-08-11 繭型コロイダルシリカの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22706697A JP3195569B2 (ja) 1997-08-11 1997-08-11 繭型コロイダルシリカの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1160232A JPH1160232A (ja) 1999-03-02
JP3195569B2 true JP3195569B2 (ja) 2001-08-06

Family

ID=16855007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22706697A Expired - Fee Related JP3195569B2 (ja) 1997-08-11 1997-08-11 繭型コロイダルシリカの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3195569B2 (ja)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3563017B2 (ja) * 2000-07-19 2004-09-08 ロデール・ニッタ株式会社 研磨組成物、研磨組成物の製造方法及びポリシング方法
JP2003100672A (ja) * 2001-09-21 2003-04-04 Rodel Nitta Co 研磨用スラリー
WO2004074180A1 (ja) * 2003-02-18 2004-09-02 Tytemn Corporation 耐アルカリ性繭型コロイダルシリカ粒子及びその製造方法
JP4615193B2 (ja) * 2003-03-19 2011-01-19 ニッタ・ハース株式会社 金属膜研磨用スラリー
JP4755805B2 (ja) * 2003-04-04 2011-08-24 ニッタ・ハース株式会社 研磨用スラリー
JP4566645B2 (ja) * 2003-07-25 2010-10-20 扶桑化学工業株式会社 シリカゾル及びその製造方法
JP4955253B2 (ja) * 2005-06-02 2012-06-20 日本化学工業株式会社 デバイスウエハエッジ研磨用研磨組成物、その製造方法、及び研磨加工方法
JP2007103463A (ja) 2005-09-30 2007-04-19 Sumitomo Electric Ind Ltd ポリシングスラリー、GaxIn1−xAsyP1−y結晶の表面処理方法およびGaxIn1−xAsyP1−y結晶基板
JP2007194593A (ja) * 2005-12-20 2007-08-02 Fujifilm Corp 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法
WO2008123373A1 (ja) 2007-03-27 2008-10-16 Fuso Chemical Co., Ltd. コロイダルシリカ及びその製造方法
JP2008270584A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Nippon Chem Ind Co Ltd 半導体ウエハ研磨用組成物及び研磨加工方法
JP5275595B2 (ja) * 2007-08-29 2013-08-28 日本化学工業株式会社 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法
KR101626179B1 (ko) 2008-09-26 2016-05-31 후소카가쿠코교 가부시키가이샤 굴곡 구조 및/또는 분지 구조를 갖는 실리카 이차 입자를 함유하는 콜로이달 실리카 및 그의 제조 방법
JP2010182811A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Nippon Chem Ind Co Ltd 半導体ウエハ研磨用組成物、及びその製造方法
JP2011171689A (ja) 2009-07-07 2011-09-01 Kao Corp シリコンウエハ用研磨液組成物
JP5495880B2 (ja) * 2010-03-25 2014-05-21 扶桑化学工業株式会社 コロイダルシリカの二次粒子径調整方法
JP5477192B2 (ja) 2010-06-23 2014-04-23 富士ゼロックス株式会社 シリカ粒子の製造方法
JP5477193B2 (ja) 2010-06-24 2014-04-23 富士ゼロックス株式会社 シリカ粒子及びその製造方法
JP5488255B2 (ja) 2010-06-25 2014-05-14 富士ゼロックス株式会社 シリカ粒子及びその製造方法
JP5564461B2 (ja) 2010-10-12 2014-07-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP5724401B2 (ja) 2011-01-19 2015-05-27 富士ゼロックス株式会社 樹脂粒子及びその製造方法
JP5741005B2 (ja) 2011-01-20 2015-07-01 富士ゼロックス株式会社 樹脂粒子及びその製造方法
JP5712824B2 (ja) * 2011-07-06 2015-05-07 富士ゼロックス株式会社 シリカ粒子及びその製造方法
JP5831378B2 (ja) 2011-12-01 2015-12-09 富士ゼロックス株式会社 シリカ複合粒子及びその製造方法
TWI580744B (zh) 2012-02-02 2017-05-01 日產化學工業股份有限公司 低折射率膜形成用組成物
WO2013121932A1 (ja) * 2012-02-17 2013-08-22 株式会社 フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び半導体基板の製造方法
JP5822356B2 (ja) 2012-04-17 2015-11-24 花王株式会社 シリコンウェーハ用研磨液組成物
JP6151711B2 (ja) 2012-10-31 2017-06-21 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP5915555B2 (ja) 2013-01-28 2016-05-11 富士ゼロックス株式会社 シリカ複合粒子及びその製造方法
JP5893706B2 (ja) 2013-10-25 2016-03-23 花王株式会社 シリコンウェーハ用研磨液組成物
US9303190B2 (en) * 2014-03-24 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive tungsten CMP composition
JP2015184569A (ja) * 2014-03-25 2015-10-22 富士ゼロックス株式会社 不定形無機粒子、静電荷像現像用トナー、静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法
CN107848811B (zh) 2015-07-31 2021-11-05 福吉米株式会社 二氧化硅溶胶的制造方法
JP6870219B2 (ja) * 2016-06-14 2021-05-12 住友ゴム工業株式会社 シリカの形態制御方法
KR102495158B1 (ko) 2017-01-20 2023-02-01 닛키 쇼쿠바이카세이 가부시키가이샤 실리카 입자 분산액 및 그 제조 방법
JP6854683B2 (ja) 2017-03-30 2021-04-07 株式会社フジミインコーポレーテッド シリカゾルの製造方法
KR102513062B1 (ko) 2017-03-31 2023-03-22 닛키 쇼쿠바이카세이 가부시키가이샤 실리카 입자 분산액의 제조 방법
JP6916039B2 (ja) * 2017-06-05 2021-08-11 Atシリカ株式会社 研磨用組成物
US10221336B2 (en) * 2017-06-16 2019-03-05 rohm and Hass Electronic Materials CMP Holdings, Inc. Aqueous silica slurry compositions for use in shallow trench isolation and methods of using them
US11274043B2 (en) 2018-06-12 2022-03-15 Evonik Operations Gmbh Increased particle loading by surface modification with polyethersilane
CN113474289A (zh) 2019-02-21 2021-10-01 三菱化学株式会社 二氧化硅粒子及其制造方法、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体器件的制造方法
JP6756422B1 (ja) 2019-02-21 2020-09-16 三菱ケミカル株式会社 シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP2020147490A (ja) * 2019-03-08 2020-09-17 三菱ケミカル株式会社 シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法、半導体デバイスの製造方法及びシリカ粒子の評価方法
KR102302664B1 (ko) * 2019-11-07 2021-09-14 한국전기연구원 반도체 cmp 슬러리용 실리카 나노졸의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 실리카 나노졸
KR20220131926A (ko) 2020-01-28 2022-09-29 미쯔비시 케미컬 주식회사 실리카 입자, 실리카 졸, 연마 조성물, 연마 방법, 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
WO2023157813A1 (ja) 2022-02-18 2023-08-24 三菱ケミカル株式会社 シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1160232A (ja) 1999-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3195569B2 (ja) 繭型コロイダルシリカの製造方法
JP5137521B2 (ja) 金平糖状シリカ系ゾルおよびその製造方法
JP5084670B2 (ja) シリカゾルおよびその製造方法
JP5127452B2 (ja) 異形シリカゾルの製造方法
US10160894B2 (en) Non-spherical silica sol, process for producing the same, and composition for polishing
JP4712556B2 (ja) 耐アルカリ性繭型コロイダルシリカ粒子及びその製造方法
WO2010052945A1 (ja) 非球状シリカゾル、その製造方法および研磨用組成物
TW201825398A (zh) 氧化鈰系複合微粒子分散液、其製造方法及含有氧化鈰系複合微粒子分散液之研磨用磨粒分散液
JP6510812B2 (ja) 酸化珪素膜研磨用研磨粒子
JP6603142B2 (ja) シリカ系複合微粒子分散液、その製造方法及びシリカ系複合微粒子分散液を含む研磨用スラリー
JPH11214338A (ja) シリコンウェハーの研磨方法
JP2004203638A (ja) 落花生様双子型コロイダルシリカ粒子およびその製造方法
JP2021116225A (ja) シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP4949209B2 (ja) 非球状アルミナ−シリカ複合ゾル、その製造方法および研磨用組成物
JP2002338951A (ja) 研磨剤用水熱処理コロイダルシリカ
KR101121576B1 (ko) 화학적, 기계적 연마용 콜로이달 실리카졸의 제조방법
JP2006213541A (ja) 高純度水性シリカゾルの製造方法
JP2007153692A (ja) 異方形状シリカゾルの製造方法
JP5421006B2 (ja) 粒子連結型シリカゾルおよびその製造方法
JP5346167B2 (ja) 粒子連結型アルミナ−シリカ複合ゾルおよびその製造方法
JP2007145633A (ja) 異方形状シリカゾルの製造方法
JP2010024119A (ja) 金平糖状シリカゾルの製造方法
JP4507499B2 (ja) 球状多孔体の製造方法
JP2009078936A (ja) 金平糖状複合シリカゾルの製造方法
JP2010241642A (ja) コロイダルシリカ

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090601

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090601

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140601

Year of fee payment: 13

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees