JP3195569B2 - 繭型コロイダルシリカの製造方法 - Google Patents
繭型コロイダルシリカの製造方法Info
- Publication number
- JP3195569B2 JP3195569B2 JP22706697A JP22706697A JP3195569B2 JP 3195569 B2 JP3195569 B2 JP 3195569B2 JP 22706697 A JP22706697 A JP 22706697A JP 22706697 A JP22706697 A JP 22706697A JP 3195569 B2 JP3195569 B2 JP 3195569B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- colloidal silica
- solvent
- water
- methanol
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
リカの製造方法に関し、特に、半導体の製造工程で使用
されるシリコンウエハ−の最終研磨工程、及び半導体集
積回路の製造工程における金属膜の平坦化などの鏡面状
に磨き上げるのに好適である研磨剤として有用な繭型コ
ロイダルシリカの製造方法に関する。
れたウエハ−が用いられているが、このウエハ−製造の
仕上げ工程である最終研磨に使用される研磨材料として
は、コロイダルシリカにアンモニア、アルカリ金属等の
研磨促進剤と界面活性効果のある湿潤剤を含有する水系
組成物が使用されている。コロイダルシリカも主として
2種類あり、その一つは水ガラスなどのアルカリ金属ケ
イ酸塩の水溶液を脱陽イオン処理することにより得られ
る球形のコロイダルシリカ(またはその会合体)であ
り、もう一つは、触媒としてアンモニアまたはアンモニ
アとアンモニウム塩の存在下でアルコキシシランと水を
アルコ−ル溶液中で反応させて得る球状または10〜2
00nmの短径と1.4以上の長径/短径比を有する粒
子である。
は粒子分布が狭い研磨砥粒で、かつ表面が丸い粒子が最
も好ましいとされている。しかし、単一球状のコロイダ
ルシリカは研磨効率が十分でなく実用には向かない。単
一球状粒子で研磨効果を上げるには粒径サイズを大きく
することで目的を達成できるが、大粒径による研磨は、
研磨面のダメ−ジが多くなるという問題点があった。こ
の改善策として、球形粒子を会合させて長径/短径比が
大きい粒子を形成させることにより、表面が丸く研磨効
率の高い砥粒を得ることができる。
研磨剤及び研磨方法として、特開平7−221059号
公報には、7〜1000nmの長径と0.3〜0.8の
短径/長径比を有するコロイダルシリカでシリコンウエ
ハ−等を研磨することの優位性と、実施例としてケイ酸
ナトリウム水溶液を原料とした製造方法が開示されてい
る。
法で得られたシリカゾルには、ケイ素以外にCa、M
g、Baなどのアルカリ土類金属、更に原料ケイ酸ナト
リウムに由来するNaが介在し、これらのアルカリ金属
やアルカリ土類金属がウエハ研磨時にウエハ表面に不純
物として付着し、その結果ウエハ表面が汚染されて半導
体特性に悪影響を及ぼしたり、ウエハ表面に酸化膜を形
成させたときに酸化膜の電気特性を低下させるという問
題点があった。
なされたものであり、ケイ素以外の金属を含まないコロ
イダルシリカを研磨剤として使用して、シリコンウエハ
の表面に何等ダメ−ジを与えることなく研磨速度を著し
く向上せしめるだけでなく、ウエハ表面の電気特性を全
く低下させることもないウエハの研磨剤として極めて好
適なコロイダルシリカの製造方法を提供することを目的
とする。
を解決すべく鋭意検討の結果、アルコキシシランと水の
反応による長径/短径比の大きいコロイダルシリカによ
り上記の目的が達成できることを見出し、本発明を完成
するに至った。
メチル、又はケイ酸メチルとメタノ−ルとの混合物を、
水、メタノ−ル及びアンモニア、又は水、メタノ−ル、
アンモニア及びアンモニウム塩からなる混合溶媒中に、
前記溶媒中のアンモニウムイオンの含量が、前記溶媒の
全重量に基づいて0.5〜3重量%であって、反応が1
0〜30℃の温度で行われるように、撹拌下に10〜4
0分間で滴下し、ケイ酸メチルと水とを反応させて10
〜200nmの短径と1.4〜2.2の長径/短径比を
有するコロイダルシリカを生成することを特徴とする繭
型コロイダルシリカの製造方法である。請求項2に記載
の発明にあっては、前記溶媒中の水の量が、ケイ酸メチ
ルの加水分解に必要な理論値の2〜5倍であることを特
徴とする請求項1に記載の繭型コロイダルシリカの製造
方法とすることができる。請求項3に記載の発明にあっ
ては、前記溶媒中のメタノールの量が、ケイ酸メチルに
混合したメタノ−ルと合わせてケイ酸メチルの重量の5
倍以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の
繭型コロイダルシリカの製造方法とすることができる。
るコロイダルシリカの製造工程に関しては、C.J.B
rinker & G.W.Scherer, Sol
−GelScience(Academic pres
s Inc.,1990)のCHAPTER 3などに
は、アルコキシシランが加水分解してケイ酸が生成し、
それが縮合してシリカが生成することが記載されてい
る。これに拠れば、アルコ−ル溶媒、アンモニアの存在
下でアルコキシシランと水を反応させるとゲル化する前
に球状の粒子をコロイドとして得ることが出来る。
いて、アルコキシシランと水の反応による長径/短径比
が大きいコロイダルシリカを製造する方法について種々
実験を行ない、下記の事実を実験結果として知見、確認
した。
加水分解する反応工程を経て、粒径が10〜200nm
近辺の球状コロイダルシリカを製造する工程で、球状の
一次粒子2〜4個を局部的に結合させ、二次粒子を形成
させることにより、長径/短径比を大きくすることがで
きる。5個以上の結合では本発明の目標である長径/短
径比が1.4を超えるような粒子は得られ難い。また、
2〜4個の限られた数の一次粒子を選択的に結合させる
には多量の溶媒中で低温反応させることが、有効である
ことを実験で確かめた。
O)とメタケイ酸(SiO2 −H2O)があるが、メタ
ケイ酸メチルはあまり実存しない。そこで、本発明は、
実施例で示す通り原料アルコキシシランのうち、通常シ
リカを工業的に製造するに最も対コスト効果の高い正ケ
イ酸メチルを用い、溶媒として多量のメタノ−ルを使用
し、比較的低温でケイ酸への加水分解を経て、その縮合
によりコロイダルシリカが生成される工程において、水
と正ケイ酸メチルの反応操作を最適化した。その結果、
特許請求の範囲に記述した条件で所望の長径/短径比の
コロイダルシリカを得た。
より大きい粒子を生成させることは、換言すると粒子分
布の狭い一次粒子を如何に選択的に2ないし3個を粒子
結合させることに他ならない。できれば大部分の粒子結
合が2個に限定したものが望ましい。実験の結果、原料
のケイ酸メチルの滴下時間の最適化が最も重要であるこ
とを確認した。
例3では、目的とする長径/短径比が1.4より大きい
粒子を生成させることができるが、比較例1に示すよう
に、実施例1と同じ条件ながら滴下時間を6分まで短く
すると一次粒子径はさほど変化ないが、相互の粒子の結
合が促進され、長径/短径比は小さくなり、ほとんど長
径/短径比が1に近い、いわゆる球状会合体が生成す
る。これを透過型電子顕微鏡で観察すると少なくとも1
0個以上のかなり多数の一次粒子が結合して二次粒子を
形成していることが判った。
同じ条件ながら滴下時間を48分まで長くすると、一次
粒子はそのまま安定で粒子相互間の結合は稀であること
を粒子径分析と透過型電子顕微鏡の観察で確かめた。
膜などの研磨では、研磨速度、研磨面の傷の有無とヘイ
ズの善悪などの研磨特性があり、一般に粒子が大きいも
のは研磨速度が上がる反面傷とヘイズ特性が悪化し、粒
子の小さいものはその逆の特性を示す。コロイダルシリ
カの場合では、シリコンウェハ−の最終研磨では10〜
60nmの短径の粒子が、また半導体素子の平坦化目的
の研磨では20〜200nmの短径粒子が使用されてい
る。
示す如く、正ケイ酸メチルの加水分解後のアンモニアを
使用した粒子成長段階では、pHとアンモニウム塩の有
無が単独粒子成長と粒子の結合を支配する。これらの濃
度は目的とする粒子径により選定される。実施例2はよ
り大きい一次粒子を持つ、砥粒を製造する際の製造法で
あり、ここでも原料の滴下時間が粒子の会合度合を制御
する重要な因子となることを実験により確かめた。
する方法が一般的である。また、長径だけの測定なら
ば、光子相関法の原理を応用した微粒子測定器の測定値
を代用することもある。また、凝集粒子の一次粒子を測
定するには、反応生成物を水系コロイダルシリカ溶液に
して乾燥し、BET比表面積を測定し、粒子を球状と仮
定して求めた粒径を近似値とすることも可能であるが、
両者とも透過型電子顕微鏡で求めた値とはかなりの誤差
があるので、単なる目安としかならない。
るが、本発明はこの実施例により何等限定されるもので
ない。 [実施例1]3容量の正ケイ酸メチルと1容量のメタノ
−ルを混合し、原料溶液を調製した。反応槽に予めメタ
ノ−ル、水、アンモニアを混合した反応溶媒を仕込ん
だ。反応溶媒中の水の濃度は15重量%、アンモニアは
約1重量%であった。反応溶媒の温度が20℃に保持で
きるように冷却しながら、反応溶媒9容量当たり、1容
量の原料溶液を25分間、均等速度で反応槽に滴下し
た。この反応生成液中には、短径が約45nm、長径が
約70nmのコロイダルシリカが生成された。
容量のメタノ−ルを混合し、原料溶液を調製した。反応
槽に予めメタノ−ル、水、アンモニア、炭酸アンモニウ
ムを混合した反応溶媒を仕込んだ。反応溶媒中の水の濃
度は10重量%、アンモニアは1.6重量%、炭酸アン
モニウムは0.04重量%であった。反応溶媒を攪拌
し、反応溶媒の温度が20℃に保持できるように冷却し
ながら、反応溶媒9容量当り、1容量の原料溶液を18
分間、均等速度で反応槽に滴下した。この反応生成液中
には、短径が120nm、長径が200〜250nmの
コロイダルシリカが生成された。
容量のメタノ−ルを混合し、原料溶液を調製した。反応
槽に予めメタノ−ル、水、アンモニアを混合した反応溶
液を仕込んだ。反応溶液中の水の濃度は15重量%、ア
ンモニアは約1重量%であった。反応溶媒を攪拌し、反
応溶媒の温度が20℃に保持できるように冷却しなが
ら、反応溶媒9容量当り、1容量の原料溶液を6分間、
均等速度で反応槽に滴下した。この反応生成液中には、
一次粒子は約45nmであったが、粒子相互の結合が促
進され短径も長径も約170nmのいわゆる球状会合体
のコロイダルシリカが生成された。
容量のメタノ−ルを混合し、原料溶液を調製した。反応
槽に予めメタノ−ル、水、アンモニアを混合した反応溶
媒を仕込んだ反応溶媒中の水の濃度は15重量%、アン
モニアは約1重量%であった。反応溶媒の温度が20℃
に保持できるように冷却しながら、反応溶媒9容量当
り、1容量の原料溶液を15分間、均等速度で反応槽に
滴下した。この反応生成液中には、一次粒子が約45n
mで二次粒子が約90nmのコロイダルシリカが生成さ
れた。透過型電子顕微鏡では、二次粒子は主として5か
ら7個の一次粒子の凝集体として観察できた。このよう
な2個以上の一次粒子の多数の凝集体の長径/短径比の
正確な測定は光子相関法に基づく微粒子測定器によらな
いと困難であるが、透過型電子顕微鏡で求めた値とはか
なりの誤差が生じることは前述した通りである。止むを
得ず透過型電子顕微鏡で目測した限りは、一次粒子が2
個結合した繭型粒子が更に凝集した凝集体らしき様相を
呈し、長径/短径比も辛うじて1.4程度あることが観
測された。このように、原料と溶媒の混合時間が10〜
40分間内であっても、比較的短かい下限に近いような
場合には、アンモニウムイオンの含量を高めるとか、一
次粒子相互の結合を遅くするように反応温度を低めに設
定するなど、それなりの工夫を要することが推測され
る。
容量のメタノ−ルを混合し、原料溶液を調製した。反応
槽に予めメタノ−ル、水、アンモニアを混合した反応溶
媒を仕込んだ。反応溶媒中の水の濃度は15重量%、ア
ンモニアは約1重量%であった。反応溶媒を攪拌し、反
応溶媒の温度が20℃に保持できるように冷却しなが
ら、反応溶媒9容量当り、1容量の原料溶液を48分
間、均等速度で反応槽に滴下した。この反応生成液中に
は、粒径が約65nmの主として単独球コロイダルシリ
カが生成された。
コロイダルシリカの製造方法によれば、ケイ酸メチルと
水との反応時間を規制することにより、短径が10〜2
00nmで長径/短径比が1.4〜2.2の繭型コロイ
ダルシリカを得ることができる。このようなコロイダル
シリカは、研磨速度が著しく向上し、かつウエハ表面を
汚染する心配がなく、研磨ダメージの少ない、シリコン
ウエハなどの研磨砥粒として他に類を見ない高性能を発
揮することができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 ケイ酸メチル、又はケイ酸メチルとメタ
ノ−ルとの混合物を、水、メタノ−ル及びアンモニア、
又は水、メタノ−ル、アンモニア及びアンモニウム塩か
らなる混合溶媒中に、前記溶媒中のアンモニウムイオン
の含量が、前記溶媒の全重量に基づいて0.5〜3重量
%であって、反応が10〜30℃の温度で行われるよう
に、撹拌下に10〜40分間で滴下し、ケイ酸メチルと
水とを反応させて10〜200nmの短径と1.4〜
2.2の長径/短径比を有するコロイダルシリカを生成
することを特徴とする繭型コロイダルシリカの製造方
法。 - 【請求項2】 前記溶媒中の水の量が、ケイ酸メチルの
加水分解に必要な理論値の2〜5倍であることを特徴と
する請求項1に記載の繭型コロイダルシリカの製造方
法。 - 【請求項3】 前記溶媒中のメタノールの量が、ケイ酸
メチルに混合したメタノ−ルと合わせてケイ酸メチルの
重量の5倍以上であることを特徴とする請求項1又は2
に記載の繭型コロイダルシリカの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22706697A JP3195569B2 (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | 繭型コロイダルシリカの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22706697A JP3195569B2 (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | 繭型コロイダルシリカの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1160232A JPH1160232A (ja) | 1999-03-02 |
JP3195569B2 true JP3195569B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=16855007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22706697A Expired - Fee Related JP3195569B2 (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | 繭型コロイダルシリカの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3195569B2 (ja) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3563017B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2004-09-08 | ロデール・ニッタ株式会社 | 研磨組成物、研磨組成物の製造方法及びポリシング方法 |
JP2003100672A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Rodel Nitta Co | 研磨用スラリー |
WO2004074180A1 (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Tytemn Corporation | 耐アルカリ性繭型コロイダルシリカ粒子及びその製造方法 |
JP4615193B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2011-01-19 | ニッタ・ハース株式会社 | 金属膜研磨用スラリー |
JP4755805B2 (ja) * | 2003-04-04 | 2011-08-24 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用スラリー |
JP4566645B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2010-10-20 | 扶桑化学工業株式会社 | シリカゾル及びその製造方法 |
JP4955253B2 (ja) * | 2005-06-02 | 2012-06-20 | 日本化学工業株式会社 | デバイスウエハエッジ研磨用研磨組成物、その製造方法、及び研磨加工方法 |
JP2007103463A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ポリシングスラリー、GaxIn1−xAsyP1−y結晶の表面処理方法およびGaxIn1−xAsyP1−y結晶基板 |
JP2007194593A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-08-02 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
WO2008123373A1 (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-16 | Fuso Chemical Co., Ltd. | コロイダルシリカ及びその製造方法 |
JP2008270584A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用組成物及び研磨加工方法 |
JP5275595B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2013-08-28 | 日本化学工業株式会社 | 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法 |
KR101626179B1 (ko) | 2008-09-26 | 2016-05-31 | 후소카가쿠코교 가부시키가이샤 | 굴곡 구조 및/또는 분지 구조를 갖는 실리카 이차 입자를 함유하는 콜로이달 실리카 및 그의 제조 방법 |
JP2010182811A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用組成物、及びその製造方法 |
JP2011171689A (ja) | 2009-07-07 | 2011-09-01 | Kao Corp | シリコンウエハ用研磨液組成物 |
JP5495880B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-05-21 | 扶桑化学工業株式会社 | コロイダルシリカの二次粒子径調整方法 |
JP5477192B2 (ja) | 2010-06-23 | 2014-04-23 | 富士ゼロックス株式会社 | シリカ粒子の製造方法 |
JP5477193B2 (ja) | 2010-06-24 | 2014-04-23 | 富士ゼロックス株式会社 | シリカ粒子及びその製造方法 |
JP5488255B2 (ja) | 2010-06-25 | 2014-05-14 | 富士ゼロックス株式会社 | シリカ粒子及びその製造方法 |
JP5564461B2 (ja) | 2010-10-12 | 2014-07-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP5724401B2 (ja) | 2011-01-19 | 2015-05-27 | 富士ゼロックス株式会社 | 樹脂粒子及びその製造方法 |
JP5741005B2 (ja) | 2011-01-20 | 2015-07-01 | 富士ゼロックス株式会社 | 樹脂粒子及びその製造方法 |
JP5712824B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2015-05-07 | 富士ゼロックス株式会社 | シリカ粒子及びその製造方法 |
JP5831378B2 (ja) | 2011-12-01 | 2015-12-09 | 富士ゼロックス株式会社 | シリカ複合粒子及びその製造方法 |
TWI580744B (zh) | 2012-02-02 | 2017-05-01 | 日產化學工業股份有限公司 | 低折射率膜形成用組成物 |
WO2013121932A1 (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-22 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び半導体基板の製造方法 |
JP5822356B2 (ja) | 2012-04-17 | 2015-11-24 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
JP6151711B2 (ja) | 2012-10-31 | 2017-06-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP5915555B2 (ja) | 2013-01-28 | 2016-05-11 | 富士ゼロックス株式会社 | シリカ複合粒子及びその製造方法 |
JP5893706B2 (ja) | 2013-10-25 | 2016-03-23 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
US9303190B2 (en) * | 2014-03-24 | 2016-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive tungsten CMP composition |
JP2015184569A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 富士ゼロックス株式会社 | 不定形無機粒子、静電荷像現像用トナー、静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法 |
CN107848811B (zh) | 2015-07-31 | 2021-11-05 | 福吉米株式会社 | 二氧化硅溶胶的制造方法 |
JP6870219B2 (ja) * | 2016-06-14 | 2021-05-12 | 住友ゴム工業株式会社 | シリカの形態制御方法 |
KR102495158B1 (ko) | 2017-01-20 | 2023-02-01 | 닛키 쇼쿠바이카세이 가부시키가이샤 | 실리카 입자 분산액 및 그 제조 방법 |
JP6854683B2 (ja) | 2017-03-30 | 2021-04-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリカゾルの製造方法 |
KR102513062B1 (ko) | 2017-03-31 | 2023-03-22 | 닛키 쇼쿠바이카세이 가부시키가이샤 | 실리카 입자 분산액의 제조 방법 |
JP6916039B2 (ja) * | 2017-06-05 | 2021-08-11 | Atシリカ株式会社 | 研磨用組成物 |
US10221336B2 (en) * | 2017-06-16 | 2019-03-05 | rohm and Hass Electronic Materials CMP Holdings, Inc. | Aqueous silica slurry compositions for use in shallow trench isolation and methods of using them |
US11274043B2 (en) | 2018-06-12 | 2022-03-15 | Evonik Operations Gmbh | Increased particle loading by surface modification with polyethersilane |
CN113474289A (zh) | 2019-02-21 | 2021-10-01 | 三菱化学株式会社 | 二氧化硅粒子及其制造方法、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体器件的制造方法 |
JP6756422B1 (ja) | 2019-02-21 | 2020-09-16 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2020147490A (ja) * | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法、半導体デバイスの製造方法及びシリカ粒子の評価方法 |
KR102302664B1 (ko) * | 2019-11-07 | 2021-09-14 | 한국전기연구원 | 반도체 cmp 슬러리용 실리카 나노졸의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 실리카 나노졸 |
KR20220131926A (ko) | 2020-01-28 | 2022-09-29 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 실리카 입자, 실리카 졸, 연마 조성물, 연마 방법, 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
WO2023157813A1 (ja) | 2022-02-18 | 2023-08-24 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
-
1997
- 1997-08-11 JP JP22706697A patent/JP3195569B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1160232A (ja) | 1999-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3195569B2 (ja) | 繭型コロイダルシリカの製造方法 | |
JP5137521B2 (ja) | 金平糖状シリカ系ゾルおよびその製造方法 | |
JP5084670B2 (ja) | シリカゾルおよびその製造方法 | |
JP5127452B2 (ja) | 異形シリカゾルの製造方法 | |
US10160894B2 (en) | Non-spherical silica sol, process for producing the same, and composition for polishing | |
JP4712556B2 (ja) | 耐アルカリ性繭型コロイダルシリカ粒子及びその製造方法 | |
WO2010052945A1 (ja) | 非球状シリカゾル、その製造方法および研磨用組成物 | |
TW201825398A (zh) | 氧化鈰系複合微粒子分散液、其製造方法及含有氧化鈰系複合微粒子分散液之研磨用磨粒分散液 | |
JP6510812B2 (ja) | 酸化珪素膜研磨用研磨粒子 | |
JP6603142B2 (ja) | シリカ系複合微粒子分散液、その製造方法及びシリカ系複合微粒子分散液を含む研磨用スラリー | |
JPH11214338A (ja) | シリコンウェハーの研磨方法 | |
JP2004203638A (ja) | 落花生様双子型コロイダルシリカ粒子およびその製造方法 | |
JP2021116225A (ja) | シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP4949209B2 (ja) | 非球状アルミナ−シリカ複合ゾル、その製造方法および研磨用組成物 | |
JP2002338951A (ja) | 研磨剤用水熱処理コロイダルシリカ | |
KR101121576B1 (ko) | 화학적, 기계적 연마용 콜로이달 실리카졸의 제조방법 | |
JP2006213541A (ja) | 高純度水性シリカゾルの製造方法 | |
JP2007153692A (ja) | 異方形状シリカゾルの製造方法 | |
JP5421006B2 (ja) | 粒子連結型シリカゾルおよびその製造方法 | |
JP5346167B2 (ja) | 粒子連結型アルミナ−シリカ複合ゾルおよびその製造方法 | |
JP2007145633A (ja) | 異方形状シリカゾルの製造方法 | |
JP2010024119A (ja) | 金平糖状シリカゾルの製造方法 | |
JP4507499B2 (ja) | 球状多孔体の製造方法 | |
JP2009078936A (ja) | 金平糖状複合シリカゾルの製造方法 | |
JP2010241642A (ja) | コロイダルシリカ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090601 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090601 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140601 Year of fee payment: 13 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |