JP2508478B2 - 光学ヘツド - Google Patents
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- G11B7/0908—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for focusing only
- G11B7/0912—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for focusing only by push-pull method
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、光学ディスク等に対して信号の読み取りを
行うための光学ヘッドに関する。
行うための光学ヘッドに関する。
B.発明の概要 本発明は、光検出部が形成された基板上に、レーザ光
源からの出射光を反射するとともに媒体からの戻り光を
透過する半透過反射膜を有する光学部品を接着剤により
接着固定し、この光学部品の屈折率を上記接着剤の屈折
率よりも大きくすることにより、両者の屈折率差による
臨界角を用いてレーザ光源から直接入射される不要光と
媒体からの戻り光とを確実に分離させるものである。
源からの出射光を反射するとともに媒体からの戻り光を
透過する半透過反射膜を有する光学部品を接着剤により
接着固定し、この光学部品の屈折率を上記接着剤の屈折
率よりも大きくすることにより、両者の屈折率差による
臨界角を用いてレーザ光源から直接入射される不要光と
媒体からの戻り光とを確実に分離させるものである。
C.従来の技術 所謂CD（コンパクトディスク）等の光学ディスクに記
録された情報を光学的に読み取るための光学ヘッドには
種々のものが知られているが、近年における装置の小型
化及びコストダウンの要請から、光源に半導体レーザ素
子を用いるとともに、受光素子が形成された半導体基板
上にビームスプリッタプリズム及び上記半導体レーザを
配設したものを、本件出願人は先に特願昭61−38576号
明細書等において提案している。
録された情報を光学的に読み取るための光学ヘッドには
種々のものが知られているが、近年における装置の小型
化及びコストダウンの要請から、光源に半導体レーザ素
子を用いるとともに、受光素子が形成された半導体基板
上にビームスプリッタプリズム及び上記半導体レーザを
配設したものを、本件出願人は先に特願昭61−38576号
明細書等において提案している。
この先願発明における光学ヘッドは、第３図に示すよ
うな構成を有し、半導体基板31の表面に臨んで形成され
た受光素子32上に、断面が略々台形状のビームスプリッ
タプリズム33を載置固定し、このビームスプリッタプリ
ズム33の端部傾斜面の半透過反射膜34の前方位置の半導
体基板31上に半導体レーザ36を配設している。この光学
ヘッドにおいて、半導体レーザ36から出射されたレーザ
光は、プリズム33の半透過反射膜34で反射光と透過光と
に略々２分され、反射光は最終的に対物レンズ39で集光
されてCD等のディスク40の記録面に投射され、また、上
記透過光はプリズム33の境界面で屈折された後、そのま
ま上記受光素子32等に入射される。これらの反射光を透
過光のうち、反射光はディスク40の記録情報読み取りに
使用される有用なものであるのに対し、半導体レーザ36
から直接的にプリズム33内に導入される上記透過光は、
光学的な信号検出にとっては全く不要な光（所謂迷光）
である。
うな構成を有し、半導体基板31の表面に臨んで形成され
た受光素子32上に、断面が略々台形状のビームスプリッ
タプリズム33を載置固定し、このビームスプリッタプリ
ズム33の端部傾斜面の半透過反射膜34の前方位置の半導
体基板31上に半導体レーザ36を配設している。この光学
ヘッドにおいて、半導体レーザ36から出射されたレーザ
光は、プリズム33の半透過反射膜34で反射光と透過光と
に略々２分され、反射光は最終的に対物レンズ39で集光
されてCD等のディスク40の記録面に投射され、また、上
記透過光はプリズム33の境界面で屈折された後、そのま
ま上記受光素子32等に入射される。これらの反射光を透
過光のうち、反射光はディスク40の記録情報読み取りに
使用される有用なものであるのに対し、半導体レーザ36
から直接的にプリズム33内に導入される上記透過光は、
光学的な信号検出にとっては全く不要な光（所謂迷光）
である。
ここで、受光素子32は、上記ディスク40に投射され記
録面で反射されたレーザ光が対物レンズ39を介しプリズ
ム33の膜34を透過して入射される所謂戻り光を検出する
ためのものであるが、この戻り光に対して、上記直接入
射される不要光は数倍以上の強度（あるいは光量）であ
るため、受光素子32からの検出信号にDC（直流）オフセ
ットを発生させることになる。これはディスク上に集光
したスポットの誤差検出信号に悪影響を及ぼす。この不
要光による出力は、検出回路中に例えば第４図に示すよ
うな所謂DCオフセット除去回路を付加することで対処可
能である。この第４図の回路において、上記受光素子32
に相当するフォトダイオード42からの光検出出力を演算
増幅器43の反転入力端子に供給するとともに、上記DCオ
フセット分に応じた直流電圧VDCを発生する直流電圧発
生回路44からの出力をこの演算増幅器43の非反転入力端
子に供給することによって、出力端子45から上記DCオフ
セット分の相殺された検出出力を得るようにしている。
しかしながら、このようなDCオフセット除去回路は、上
記検出部の検出素子毎に必要であり、回路部品の増加及
び調整工数の増加のためコストが嵩むことになる。
録面で反射されたレーザ光が対物レンズ39を介しプリズ
ム33の膜34を透過して入射される所謂戻り光を検出する
ためのものであるが、この戻り光に対して、上記直接入
射される不要光は数倍以上の強度（あるいは光量）であ
るため、受光素子32からの検出信号にDC（直流）オフセ
ットを発生させることになる。これはディスク上に集光
したスポットの誤差検出信号に悪影響を及ぼす。この不
要光による出力は、検出回路中に例えば第４図に示すよ
うな所謂DCオフセット除去回路を付加することで対処可
能である。この第４図の回路において、上記受光素子32
に相当するフォトダイオード42からの光検出出力を演算
増幅器43の反転入力端子に供給するとともに、上記DCオ
フセット分に応じた直流電圧VDCを発生する直流電圧発
生回路44からの出力をこの演算増幅器43の非反転入力端
子に供給することによって、出力端子45から上記DCオフ
セット分の相殺された検出出力を得るようにしている。
しかしながら、このようなDCオフセット除去回路は、上
記検出部の検出素子毎に必要であり、回路部品の増加及
び調整工数の増加のためコストが嵩むことになる。
さらに、上述のようにDCオフセットが光検出出力に生
じている場合には、半導体レーザの光出力や検出器の感
度が温度等により変動を受けると、そのまま誤差検出信
号に誤差成分として感知され、誤った制御が行われるこ
とになる。
じている場合には、半導体レーザの光出力や検出器の感
度が温度等により変動を受けると、そのまま誤差検出信
号に誤差成分として感知され、誤った制御が行われるこ
とになる。
D.発明が解決しようとする問題点 ところで、上述のような欠点あるいは問題点を考慮し
て、本件出願人は先に、特願昭61−92410号明細書にお
いて、上記半導体基板と上記ビームスプリッタプリズム
との境界面に、上記半導体レーザから直接入射された所
定入射角以上の透過光（所謂迷光）がほぼ全反射するよ
うな屈折率とされた２層以上のコーティング層を形成し
て成る半導体レーザ装置に提案している。
て、本件出願人は先に、特願昭61−92410号明細書にお
いて、上記半導体基板と上記ビームスプリッタプリズム
との境界面に、上記半導体レーザから直接入射された所
定入射角以上の透過光（所謂迷光）がほぼ全反射するよ
うな屈折率とされた２層以上のコーティング層を形成し
て成る半導体レーザ装置に提案している。
この技術によれば、上記光検出部には媒体からの上記
戻り光のみが有効に照射されるようになり、光学ヘッド
のトラッキング制御又はフォーカス制御等が向上する。
しかしながら、上記コーティング層の膜厚の制御が困難
であり、この膜厚の製造誤差が上記迷光と検出光との分
離角度誤差となり、また分離角度周辺での光量変化も緩
慢なため、正確な分離角度設定は困難である。また、コ
ーティング膜付加のためにコストアップとなる。
戻り光のみが有効に照射されるようになり、光学ヘッド
のトラッキング制御又はフォーカス制御等が向上する。
しかしながら、上記コーティング層の膜厚の制御が困難
であり、この膜厚の製造誤差が上記迷光と検出光との分
離角度誤差となり、また分離角度周辺での光量変化も緩
慢なため、正確な分離角度設定は困難である。また、コ
ーティング膜付加のためにコストアップとなる。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであ
り、コーティング膜を用いずに上記直接入射光（所謂迷
光）が上記検出部に入射されることを有効に防止でき、
構成が簡単で調整等も不要であり、安価な供給が可能な
光学ヘッドの提供を目的とする。
り、コーティング膜を用いずに上記直接入射光（所謂迷
光）が上記検出部に入射されることを有効に防止でき、
構成が簡単で調整等も不要であり、安価な供給が可能な
光学ヘッドの提供を目的とする。
E.問題点を解決するための手段 本発明に係る光学ヘッドは、光検出部が形成された
基板と、レーザ光源と、上記基板の上記光検出部上に接
着剤により接着固定され、上記レーザ光源からの出射光
を反射するとともに媒体からの戻り光を透過する半透過
反射膜を有する光学部品とを備え、上記光学部品の屈折
率n1を上記接着剤の屈折率n2よりも大きく（n1＞n2）す
ることにより、上述の問題点を解決する。
基板と、レーザ光源と、上記基板の上記光検出部上に接
着剤により接着固定され、上記レーザ光源からの出射光
を反射するとともに媒体からの戻り光を透過する半透過
反射膜を有する光学部品とを備え、上記光学部品の屈折
率n1を上記接着剤の屈折率n2よりも大きく（n1＞n2）す
ることにより、上述の問題点を解決する。
F.作用 光学部品の屈折率n1と接着剤の屈折率n2とに応じて光
学部品から接着剤層に向かう光が全反射するための臨界
角αが決定され、上記レーザ光源から上記半透過反射膜
を介して光学部品に直接導入され接着剤層を介して上記
光検出部に向かう不要光あるいは迷光の入射角を上記臨
界角αよりも大きくすることによって、この不要光を光
学部品と接着剤との界面で全反射させることができる。
なお、上記臨界角αは、 α＝sin-1（n2／n1） と表せる。
学部品から接着剤層に向かう光が全反射するための臨界
角αが決定され、上記レーザ光源から上記半透過反射膜
を介して光学部品に直接導入され接着剤層を介して上記
光検出部に向かう不要光あるいは迷光の入射角を上記臨
界角αよりも大きくすることによって、この不要光を光
学部品と接着剤との界面で全反射させることができる。
なお、上記臨界角αは、 α＝sin-1（n2／n1） と表せる。
G.実施例 第１図は本発明の一実施例を説明するための概略断面
図である。この第１図に示す光学ヘッドにおいて、Si等
の半導体基板１の表面に臨んで、所謂CD（コンパクトデ
ィスク）等の光学記録媒体からの反射光（戻り光）を検
出して記録情報を読み取るための受光素子２が例えば２
組形成されている。これらの受光素子２は光検出部を構
成しており、この光検出部によりトラッキングエラー、
フォーカスエラー、RF信号の検出がなされる。このよう
な半導体基板１の受光素子２の形成領域上には、接着剤
層６を介して、半透過反射膜３を有する断面略々台形状
の光学部品としてのビームスプリッタプリズム４が接着
固定されている。このビームスプリッタプリズム４の半
透過反射膜３は、上記台形状断面の斜辺部に相当する面
上に被着形成されている。このプリズム４の屈折率n
1は、接着剤層６の屈折率n2よりも大きく（n1＞n2）し
ている。プリズム４の上面所定位置には反射膜５が被着
形成されている。
図である。この第１図に示す光学ヘッドにおいて、Si等
の半導体基板１の表面に臨んで、所謂CD（コンパクトデ
ィスク）等の光学記録媒体からの反射光（戻り光）を検
出して記録情報を読み取るための受光素子２が例えば２
組形成されている。これらの受光素子２は光検出部を構
成しており、この光検出部によりトラッキングエラー、
フォーカスエラー、RF信号の検出がなされる。このよう
な半導体基板１の受光素子２の形成領域上には、接着剤
層６を介して、半透過反射膜３を有する断面略々台形状
の光学部品としてのビームスプリッタプリズム４が接着
固定されている。このビームスプリッタプリズム４の半
透過反射膜３は、上記台形状断面の斜辺部に相当する面
上に被着形成されている。このプリズム４の屈折率n
1は、接着剤層６の屈折率n2よりも大きく（n1＞n2）し
ている。プリズム４の上面所定位置には反射膜５が被着
形成されている。
また、支持基板１上には所謂レーザダイオード等の半
導体レーザ10が設けられており、この半導体レーザ10の
発光点Ｐから出射されたレーザ光は、基板１に対して所
定角度をなす半透過反射膜３で反射され、対物レンズ11
を介してディスク12の記録面に集束される。ディスク12
の記録面上で反射されたレーザ光は、対物レンズ11を介
し、光学ヘッドの半透過反射膜３を介してプリズム４に
導入され、受光素子２の一方に入射されるとともに反射
され、反射膜５で反射されてもう一方の受光素子２に入
射される。また、半導体レーザ10の発光点Ｐから出射さ
れたレーザ光は、基板１の半透過反射膜３を介して第１
図破線に示すように直接プリズム４内に導入される。こ
の直接入射光は、前述したように光学的検出にとっては
全く不要の所謂迷光である。
導体レーザ10が設けられており、この半導体レーザ10の
発光点Ｐから出射されたレーザ光は、基板１に対して所
定角度をなす半透過反射膜３で反射され、対物レンズ11
を介してディスク12の記録面に集束される。ディスク12
の記録面上で反射されたレーザ光は、対物レンズ11を介
し、光学ヘッドの半透過反射膜３を介してプリズム４に
導入され、受光素子２の一方に入射されるとともに反射
され、反射膜５で反射されてもう一方の受光素子２に入
射される。また、半導体レーザ10の発光点Ｐから出射さ
れたレーザ光は、基板１の半透過反射膜３を介して第１
図破線に示すように直接プリズム４内に導入される。こ
の直接入射光は、前述したように光学的検出にとっては
全く不要の所謂迷光である。
本発明においては、上述したように、光学部品である
プリズム４の屈折率n1を接着剤層６の屈折率n2よりも予
め大きく（n1＞n2）設定しており、これらの屈折率n1、
n2に基づき算出される臨界角α、すなわちプリズム４か
ら接着剤層６へ向かう光が全反射するための最小入射角
α（＝sin-1（n2／n1）に対して、これ以上の入射角を
もつ光は全反射されることになる。そこで、半導体レー
ザ10の発光点Ｐから出射された光のうちで、第１図破線
に示すように直接プリズム４内に導入され、直接受光素
子２に向かう光の接着剤層６への入射角を、上記臨界角
αよりも大きくなるように構成して、不要光が受光素子
２に到達することを防止している。
プリズム４の屈折率n1を接着剤層６の屈折率n2よりも予
め大きく（n1＞n2）設定しており、これらの屈折率n1、
n2に基づき算出される臨界角α、すなわちプリズム４か
ら接着剤層６へ向かう光が全反射するための最小入射角
α（＝sin-1（n2／n1）に対して、これ以上の入射角を
もつ光は全反射されることになる。そこで、半導体レー
ザ10の発光点Ｐから出射された光のうちで、第１図破線
に示すように直接プリズム４内に導入され、直接受光素
子２に向かう光の接着剤層６への入射角を、上記臨界角
αよりも大きくなるように構成して、不要光が受光素子
２に到達することを防止している。
ここで、本発明の実施例においては、一般に使用され
る例えばエポキシ系の接着剤で1.5程度であることを考
慮し、上記接着剤層６の屈折率n2を1.50とし、上記光学
部品であるプリズム４には、屈折率n1が例えば1.77の光
学ガラス材料を用いるものとする。このとき、プリズム
４から接着剤層６へ向かう光の臨界角αは約57.9°ある
は略々58°となる。また、ビームスプリッタプリズム４
の半透過反射膜３が基板１に対してなす角度を例えば45
°とする。このような条件の下で、上記半導体レーザ10
の発光点Ｐからの光が直接プリズム４内に導入されて接
着剤層６に向かって投射されるときの入射角及びディス
ク12記録面からの反射光が直接プリズム４内に入射され
接着剤層６に達するときの入射角の具体例について、第
２図を参照しながら説明する。
る例えばエポキシ系の接着剤で1.5程度であることを考
慮し、上記接着剤層６の屈折率n2を1.50とし、上記光学
部品であるプリズム４には、屈折率n1が例えば1.77の光
学ガラス材料を用いるものとする。このとき、プリズム
４から接着剤層６へ向かう光の臨界角αは約57.9°ある
は略々58°となる。また、ビームスプリッタプリズム４
の半透過反射膜３が基板１に対してなす角度を例えば45
°とする。このような条件の下で、上記半導体レーザ10
の発光点Ｐからの光が直接プリズム４内に導入されて接
着剤層６に向かって投射されるときの入射角及びディス
ク12記録面からの反射光が直接プリズム４内に入射され
接着剤層６に達するときの入射角の具体例について、第
２図を参照しながら説明する。
この第２図において、レーザ発光点Ｐから出射しプリ
ズム４内に入射されて直接受光素子２に向かうレーザ光
が、光軸（基板に平行）から上下それぞれ約20°の角度
範囲にあるとき、プリズム４内での接着剤層６への入射
角が最も小さくなるのは、第２図の光軸から下方に20°
の角度で出射される光R1であり、この光R1は半透過反射
膜３に対して25°の入射角で入射され、プリズム４界面
で屈折されて約13.8°の出射角となるから、プリズム４
から接着剤層６への入射角は約58.8°となる。このよう
に、光R1がプリズム４内に導入されたときの接着剤層６
への入射角は上記臨界角α（約57.9°）よりも大きいか
ら全反射され、結果的に発光点Ｐから光軸を中心として
±20°の範囲の光は全てプリズム４と接着剤層６との界
面で全反射されることになる。
ズム４内に入射されて直接受光素子２に向かうレーザ光
が、光軸（基板に平行）から上下それぞれ約20°の角度
範囲にあるとき、プリズム４内での接着剤層６への入射
角が最も小さくなるのは、第２図の光軸から下方に20°
の角度で出射される光R1であり、この光R1は半透過反射
膜３に対して25°の入射角で入射され、プリズム４界面
で屈折されて約13.8°の出射角となるから、プリズム４
から接着剤層６への入射角は約58.8°となる。このよう
に、光R1がプリズム４内に導入されたときの接着剤層６
への入射角は上記臨界角α（約57.9°）よりも大きいか
ら全反射され、結果的に発光点Ｐから光軸を中心として
±20°の範囲の光は全てプリズム４と接着剤層６との界
面で全反射されることになる。
これに対して、第１図のディスク12等の媒体で反射さ
れて戻ってきた所謂戻り光の場合には、光検出部に向か
う光が光軸から±８°の角度範囲にあるとすると、半透
過反射膜３に対する入射角は、第２図中の光R2の37°と
光R3の53°との間に存在することになる。ここで、入射
角が37°の光R2はプリズム４の界面で屈折されて該界面
からの出射角が約19.9°となるから、プリズム４から接
着剤層６への入射角は約25.1°となる。また、入射角が
53°の光R3はプリズム４の界面で屈折されて出射角が約
26.8°となり、接着剤層６への入射角は約18.2°とな
る。従って、光軸から±８°の角度範囲の上記戻り光
は、プリズム４内に導入され接着剤層６に入射されると
きの角度が約18.2°から約25.1°までの範囲内にあり、
上記臨界角α（約57.9°）よりも小さいから、接着剤層
６内に導入され、上記受光素子２に到達する。
れて戻ってきた所謂戻り光の場合には、光検出部に向か
う光が光軸から±８°の角度範囲にあるとすると、半透
過反射膜３に対する入射角は、第２図中の光R2の37°と
光R3の53°との間に存在することになる。ここで、入射
角が37°の光R2はプリズム４の界面で屈折されて該界面
からの出射角が約19.9°となるから、プリズム４から接
着剤層６への入射角は約25.1°となる。また、入射角が
53°の光R3はプリズム４の界面で屈折されて出射角が約
26.8°となり、接着剤層６への入射角は約18.2°とな
る。従って、光軸から±８°の角度範囲の上記戻り光
は、プリズム４内に導入され接着剤層６に入射されると
きの角度が約18.2°から約25.1°までの範囲内にあり、
上記臨界角α（約57.9°）よりも小さいから、接着剤層
６内に導入され、上記受光素子２に到達する。
以上の説明から明らかなように、半導体レーザ10から
出射され直接受光素子２に向かう不要光あるいは迷光
は、接着剤層６への入射角が臨界角αよりも大きいこと
より、プリズム４の接着剤層６との界面で全反射されて
受光素子２には到達せず、ディスク等の媒体から戻った
戻り光のみを受光素子２に入射させることができる。こ
の不要光と戻り光との分離作用は、例えば接着剤層６に
接するプリズム４又は受光素子２等の表面に他の屈折率
を持つ複数の光学薄膜が存在しても影響を受けることが
なく、膜厚等にも影響を受けず、光学部品であるプリズ
ム４の屈折率n1と接着剤層６の屈折率n2とにのみ依存し
ており、正確かつ安定した分離を容易に実現できる。
出射され直接受光素子２に向かう不要光あるいは迷光
は、接着剤層６への入射角が臨界角αよりも大きいこと
より、プリズム４の接着剤層６との界面で全反射されて
受光素子２には到達せず、ディスク等の媒体から戻った
戻り光のみを受光素子２に入射させることができる。こ
の不要光と戻り光との分離作用は、例えば接着剤層６に
接するプリズム４又は受光素子２等の表面に他の屈折率
を持つ複数の光学薄膜が存在しても影響を受けることが
なく、膜厚等にも影響を受けず、光学部品であるプリズ
ム４の屈折率n1と接着剤層６の屈折率n2とにのみ依存し
ており、正確かつ安定した分離を容易に実現できる。
なお、本発明は、上記実施例のみに限定されるもので
はなく、例えば半導体レーザ以外のレーザ光源を用いて
もよく、またレーザ光源は、半導体基板１とは分離して
配設してもよい。この他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲において種々の変更が可能である。
はなく、例えば半導体レーザ以外のレーザ光源を用いて
もよく、またレーザ光源は、半導体基板１とは分離して
配設してもよい。この他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲において種々の変更が可能である。
H.発明の効果 本発明の光学ヘッドによれば、ビームスプリッタプリ
ズム等の光学部品と光検出部が形成された半導体基板と
の接着固定用の接着剤層を用い、屈折率の違いによる臨
界角のみを利用して、レーザ光源から直接入射される不
要光と媒体からの戻り光とを分離しており、膜厚等によ
る影響を受けることなく、分離用の光学薄膜を必要とせ
ず、電気的なCDオフセット除去回路等も不要であり、簡
単な構成で安価な供給が可能である。また、分離用の光
学薄膜を用いたりDCオフセット除去回路等を用いる場合
に比べて、製造時の誤差、温度変化等による検出信号の
ばらつき及び変動が微小であり、正確かつ安定した効果
を期待できる。
ズム等の光学部品と光検出部が形成された半導体基板と
の接着固定用の接着剤層を用い、屈折率の違いによる臨
界角のみを利用して、レーザ光源から直接入射される不
要光と媒体からの戻り光とを分離しており、膜厚等によ
る影響を受けることなく、分離用の光学薄膜を必要とせ
ず、電気的なCDオフセット除去回路等も不要であり、簡
単な構成で安価な供給が可能である。また、分離用の光
学薄膜を用いたりDCオフセット除去回路等を用いる場合
に比べて、製造時の誤差、温度変化等による検出信号の
ばらつき及び変動が微小であり、正確かつ安定した効果
を期待できる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例となる光学ヘッドの概略断面
図、第２図は該実施例における各種光の入射角をそれぞ
れ説明するための説明図、第３図は光学ヘッドの従来例
の概略断面図、第４図はDCオフセット除去回路の一例を
示すブロック回路図である。 １……半導体基板 ２……受光素子 ３……半透過反射膜 ４……ビームスプリッタプリズム ６……接着剤層 10……半導体レーザ 12……ディスク
図、第２図は該実施例における各種光の入射角をそれぞ
れ説明するための説明図、第３図は光学ヘッドの従来例
の概略断面図、第４図はDCオフセット除去回路の一例を
示すブロック回路図である。 １……半導体基板 ２……受光素子 ３……半透過反射膜 ４……ビームスプリッタプリズム ６……接着剤層 10……半導体レーザ 12……ディスク
Claims (1)
- 【請求項１】光検出部が形成された基板と、 レーザ光源と、 上記基板の上記光検出部上に接着剤により接着固定さ
れ、上記レーザ光源からの出射光を反射するとともに媒
体からの戻り光を透過する半透過反射膜を有する光学部
品とを備え、 上記光学部品の屈折率n1を上記接着剤の屈折率n2よりも
大きく（n1＞n2）したことを特徴とする光学ヘッド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62025936A JP2508478B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 光学ヘツド |
| US07/152,007 US4873429A (en) | 1987-02-06 | 1988-02-03 | Optical pick-up head without pick-up of stray light |
| EP88101627A EP0278406B1 (en) | 1987-02-06 | 1988-02-04 | Optical pickup head |
| DE88101627T DE3880702T2 (de) | 1987-02-06 | 1988-02-04 | Optischer lesekopf. |
| KR1019880001062A KR960007232B1 (ko) | 1987-02-06 | 1988-02-05 | 광학 픽업 헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62025936A JP2508478B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 光学ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63193337A JPS63193337A (ja) | 1988-08-10 |
| JP2508478B2 true JP2508478B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=12179658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62025936A Expired - Lifetime JP2508478B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 光学ヘツド |
Country Status (5)
| Country | Link |
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| EP (1) | EP0278406B1 (ja) |
| JP (1) | JP2508478B2 (ja) |
| KR (1) | KR960007232B1 (ja) |
| DE (1) | DE3880702T2 (ja) |
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| US5016992A (en) * | 1989-03-16 | 1991-05-21 | Forschungszentrum Julich Gmbh | Method of and apparatus for the reading of magnetically stored information |
| US5966230A (en) * | 1990-05-29 | 1999-10-12 | Symbol Technologies, Inc. | Integrated scanner on a common substrate |
| JP2565447Y2 (ja) * | 1991-02-16 | 1998-03-18 | 日本特殊陶業株式会社 | エンジン用圧力センサー |
| US5357122A (en) * | 1991-09-05 | 1994-10-18 | Sony Corporation | Three-dimensional optical-electronic integrated circuit device with raised sections |
| US5191204A (en) * | 1991-10-28 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | Multi-beam optical system and method with power detection of overlapping beams |
| US5350917A (en) * | 1991-12-27 | 1994-09-27 | Sony Corporation | Opto-magnetic recording polarization optical apparatus including a laser diode and a light absorbing film |
| US5319182A (en) * | 1992-03-04 | 1994-06-07 | Welch Allyn, Inc. | Integrated solid state light emitting and detecting array and apparatus employing said array |
| US5410468A (en) * | 1992-06-26 | 1995-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pick-up apparatus |
| DE69318770T2 (de) * | 1992-07-30 | 1998-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optisches Wiedergabegerät |
| US5852287A (en) * | 1993-08-17 | 1998-12-22 | Sony Corporation | Semiconductor optical device for code reader |
| US5883913A (en) * | 1993-12-27 | 1999-03-16 | Sony Corporation | Optical device |
| US5874722A (en) | 1994-07-19 | 1999-02-23 | Spectra-Physics Scanning Systems, Inc. | Compact scanner module mountable to pointing instrument |
| JP3438365B2 (ja) * | 1994-11-29 | 2003-08-18 | ソニー株式会社 | 複合光学装置およびその製造方法 |
| US5796701A (en) * | 1995-06-23 | 1998-08-18 | Sony Corporation | Optical pickup and opto-magnetic signal reproducing apparatus |
| KR0174473B1 (ko) * | 1996-04-26 | 1999-04-15 | 배순훈 | 광 픽-업 장치 |
| JPH09320098A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Sony Corp | 光ピックアップ装置および複合光学装置 |
| TW365057B (en) * | 1997-12-31 | 1999-07-21 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing method for micro-mirror on the silicon substrate |
| DE102017101655B4 (de) | 2017-01-27 | 2024-01-25 | Bcs Automotive Interface Solutions Gmbh | Elektrooptikbaugruppe sowie Verfahren zur Detektion von Umgebungslicht |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1258906A (en) * | 1985-04-22 | 1989-08-29 | Hiroshi Oinoue | Semiconductor laser apparatus for optical head |
| DE3677658D1 (de) * | 1985-07-29 | 1991-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | Optische kopfvorrichtung. |
| JPH0719394B2 (ja) * | 1986-04-23 | 1995-03-06 | ソニー株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
-
1987
- 1987-02-06 JP JP62025936A patent/JP2508478B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-02-03 US US07/152,007 patent/US4873429A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-04 DE DE88101627T patent/DE3880702T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-02-04 EP EP88101627A patent/EP0278406B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-05 KR KR1019880001062A patent/KR960007232B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0278406B1 (en) | 1993-05-05 |
| JPS63193337A (ja) | 1988-08-10 |
| DE3880702D1 (de) | 1993-06-09 |
| US4873429A (en) | 1989-10-10 |
| EP0278406A3 (en) | 1990-09-12 |
| DE3880702T2 (de) | 1993-11-04 |
| KR960007232B1 (ko) | 1996-05-29 |
| KR880010388A (ko) | 1988-10-08 |
| EP0278406A2 (en) | 1988-08-17 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |