JP2021136418A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
基板の両面(表面及び裏面)を処理する基板処理装置が知られている(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1の基板処理装置は、洗浄装置と、粗研削装置と、搬送装置と、反転装置とを備える。
A substrate processing apparatus for processing both surfaces (front surface and back surface) of a substrate is known (see, for example, Patent Document 1). The substrate processing apparatus of
搬送装置は、基板を反転装置に搬送する。反転装置は、基板の表裏を反転させる。この結果、基板は、基板の両面のうち、粗研削装置による研削の対象となる研削面とは反対側の面が上を向いた状態となる。搬送装置は、反転後の基板を洗浄装置に搬送する。 The transport device transports the substrate to the reversing device. The reversing device reverses the front and back of the substrate. As a result, the substrate is in a state in which, of both sides of the substrate, the surface opposite to the grinding surface to be ground by the rough grinding apparatus faces upward. The transport device transports the inverted substrate to the cleaning device.
洗浄装置は、基板の両面のうち、研削面とは反対側の面である洗浄面を洗浄する。搬送装置は、洗浄後の基板を反転装置へ搬送する。反転装置は、基板の表裏を反転させる。この結果、基板は、研削面が上を向いた状態となる。換言すると、基板は、洗浄面が下を向いた状態となる。搬送装置は、反転後の基板を粗研削装置に搬送する。 The cleaning device cleans the cleaning surface of both sides of the substrate, which is the surface opposite to the grinding surface. The transport device transports the washed substrate to the reversing device. The reversing device reverses the front and back of the substrate. As a result, the substrate is in a state where the ground surface faces upward. In other words, the substrate is in a state where the cleaning surface faces downward. The transport device transports the inverted substrate to the rough grinding device.
粗研削装置は、チャックテーブルと、回転機構と、研削ヘッドとを備える。チャックテーブルは、基板の洗浄面を吸着して基板を保持する。この結果、基板は、研削面が上を向いた状態でチャックテーブルに保持される。回転機構は、基板を保持するチャックテーブルを回転させる。研削ヘッドは、回転する基板の研削面に当接して、研削面を研削する。 The rough grinding apparatus includes a chuck table, a rotating mechanism, and a grinding head. The chuck table attracts the cleaning surface of the substrate and holds the substrate. As a result, the substrate is held on the chuck table with the ground surface facing up. The rotation mechanism rotates the chuck table that holds the substrate. The grinding head abuts on the grinding surface of the rotating substrate to grind the grinding surface.
しかしながら、特許文献1の基板処理装置では、基板の両面を処理するために、基板を2回反転させる必要がある。その結果、1枚の基板を処理するための工程数が増え、スループットの低減要因となっていた。
However, in the substrate processing apparatus of
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板を反転させることなく基板の裏面を処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing the back surface of a substrate without inverting the substrate.
本発明の基板処理装置は、洗浄ブラシと、第1保持部と、搬送機構と、第2保持部と、移動機構と、回転駆動部とを備える。前記洗浄ブラシは、基板を洗浄するためのブラシ本体と、前記ブラシ本体が取り付けられるホルダーとを有する。前記第1保持部は、前記ホルダーの前記ブラシ本体とは反対側の下面を吸着して、前記洗浄ブラシを保持する。前記搬送機構は、前記第1保持部が前記洗浄ブラシの前記下面を吸着するように前記第1保持部に前記洗浄ブラシを受け渡す受け渡し位置と、平面視において前記洗浄ブラシが前記第1保持部と重ならない退避位置との間で前記洗浄ブラシを搬送する。前記第2保持部は、前記基板を保持する。前記移動機構は、前記第1保持部及び前記第2保持部の少なくとも一方を移動させて、前記基板の裏面に前記洗浄ブラシの前記ブラシ本体を接触させる。前記回転駆動部は、前記洗浄ブラシを保持する前記第1保持部を回転させて、前記洗浄ブラシを前記第1保持部と一体的に回転させる。前記洗浄ブラシは、回転することによって前記基板の裏面を洗浄する。前記第2保持部は、前記基板のうち、前記洗浄ブラシによって洗浄される範囲とは異なる部位を保持する。 The substrate processing apparatus of the present invention includes a cleaning brush, a first holding unit, a transport mechanism, a second holding unit, a moving mechanism, and a rotation driving unit. The cleaning brush has a brush body for cleaning the substrate and a holder to which the brush body is attached. The first holding portion attracts the lower surface of the holder on the side opposite to the brush body to hold the cleaning brush. In the transport mechanism, the cleaning brush is delivered to the first holding portion so that the first holding portion attracts the lower surface of the cleaning brush, and the cleaning brush is the first holding portion in a plan view. The cleaning brush is conveyed between the and the retracted position that does not overlap with the cleaning brush. The second holding portion holds the substrate. The moving mechanism moves at least one of the first holding portion and the second holding portion to bring the brush body of the cleaning brush into contact with the back surface of the substrate. The rotation drive unit rotates the first holding unit that holds the cleaning brush, and rotates the cleaning brush integrally with the first holding unit. The cleaning brush cleans the back surface of the substrate by rotating. The second holding portion holds a portion of the substrate that is different from the range cleaned by the cleaning brush.
ある実施形態において、前記第1保持部は、接触面と、吸引口と、第1係合部とを有する。前記接触面は、前記洗浄ブラシの前記下面と接触する。前記吸引口は、前記接触面に形成されている。前記第1係合部は、前記接触面のうち、前記吸引口以外の領域に設けられる。前記洗浄ブラシは、前記第1係合部と係合する第2係合部を有する。前記第2係合部は、前記ホルダーの前記下面に設けられる。 In certain embodiments, the first holding portion has a contact surface, a suction port, and a first engaging portion. The contact surface comes into contact with the lower surface of the cleaning brush. The suction port is formed on the contact surface. The first engaging portion is provided in a region of the contact surface other than the suction port. The cleaning brush has a second engaging portion that engages with the first engaging portion. The second engaging portion is provided on the lower surface of the holder.
ある実施形態において、前記第1保持部は、互いに異なる位置に配置される複数の前記第1係合部を有する。 In certain embodiments, the first holding portion has a plurality of the first engaging portions located at different positions from each other.
ある実施形態において、前記洗浄ブラシの前記ブラシ本体は、凸形状又は凹み形状を有する。 In certain embodiments, the brush body of the cleaning brush has a convex or concave shape.
ある実施形態において、前記第1保持部は、前記洗浄ブラシが前記退避位置に位置する間に、前記基板の裏面の中心部を吸着して前記基板を保持する。 In certain embodiments, the first holding portion holds the substrate by attracting a central portion of the back surface of the substrate while the cleaning brush is located at the retracted position.
ある実施形態において、前記搬送機構は、前記第1保持部によって保持されている前記基板の裏面の一部に前記洗浄ブラシの前記ブラシ本体が接触する接触位置に前記洗浄ブラシを搬送する。前記接触位置に位置する前記洗浄ブラシの前記ブラシ本体は、前記基板の裏面のうち、平面視において前記第1保持部から外れている部分に接触する。前記回転駆動部は、前記基板を保持する前記第1保持部を回転させることにより、前記基板を回転させる。前記洗浄ブラシは、回転する前記基板に接触することにより、前記基板の裏面の一部を洗浄する。 In certain embodiments, the transport mechanism transports the cleaning brush to a contact position where the brush body of the cleaning brush comes into contact with a portion of the back surface of the substrate held by the first holding portion. The brush body of the cleaning brush located at the contact position comes into contact with a portion of the back surface of the substrate that is detached from the first holding portion in a plan view. The rotation drive unit rotates the substrate by rotating the first holding unit that holds the substrate. The cleaning brush cleans a part of the back surface of the substrate by coming into contact with the rotating substrate.
ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記第1保持部によって保持されている前記基板の表面を洗浄する洗浄部を更に備える。 In certain embodiments, the substrate processing apparatus further comprises a cleaning unit that cleans the surface of the substrate held by the first holding unit.
ある実施形態において、前記第2保持部は、前記第1保持部によって保持されている前記基板を保持する。前記移動機構は、前記第1保持部及び前記第2保持部の少なくとも一方を移動させて、前記基板を前記第1保持部から離す。前記搬送機構は、前記基板が前記第1保持部から離れている間に、前記洗浄ブラシを前記受け渡し位置へ搬送する。 In certain embodiments, the second holding section holds the substrate held by the first holding section. The moving mechanism moves at least one of the first holding portion and the second holding portion to separate the substrate from the first holding portion. The transport mechanism transports the cleaning brush to the delivery position while the substrate is away from the first holding portion.
本発明の基板処理方法は、洗浄ブラシを用いて、基板の裏面を洗浄する方法である。前記洗浄ブラシは、前記基板を洗浄するためのブラシ本体と、前記ブラシ本体が取り付けられるホルダーとを有する。当該方法は、搬送機構が前記洗浄ブラシを搬送して、第1保持部に前記洗浄ブラシを受け渡す工程と、前記第1保持部が、前記ホルダーの前記ブラシ本体とは反対側の下面を吸着して、前記洗浄ブラシを保持する工程と、移動機構が、前記第1保持部と、前記基板を保持する第2保持部との少なくとも一方を移動させて、前記基板の裏面を前記洗浄ブラシの前記ブラシ本体に接触させる工程と、回転駆動部が、前記洗浄ブラシを保持する前記第1保持部を回転させて、前記第1保持部と一体的に回転する前記洗浄ブラシによって前記基板の裏面を洗浄する工程とを含む。 The substrate processing method of the present invention is a method of cleaning the back surface of a substrate using a cleaning brush. The cleaning brush has a brush body for cleaning the substrate and a holder to which the brush body is attached. In the method, the transport mechanism conveys the cleaning brush and delivers the cleaning brush to the first holding portion, and the first holding portion sucks the lower surface of the holder on the opposite side of the brush body. Then, the step of holding the cleaning brush and the moving mechanism move at least one of the first holding portion and the second holding portion that holds the substrate, and the back surface of the substrate is moved by the cleaning brush. In the step of bringing the brush into contact with the brush body, the rotation driving unit rotates the first holding portion that holds the cleaning brush, and the cleaning brush that rotates integrally with the first holding portion presses the back surface of the substrate. Includes a cleaning step.
本発明に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、基板を反転させることなく基板の裏面を処理することができる。 According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention, the back surface of the substrate can be processed without inverting the substrate.
以下、図面(図1〜図15(b))を参照して本発明の実施形態を説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されない。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings (FIGS. 1 to 15 (b)). However, the present invention is not limited to the following embodiments. It should be noted that the description may be omitted as appropriate for the parts where the explanations are duplicated. Further, in the drawings, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals and the description is not repeated.
本実施形態における「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハの処理に用いられる基板処理装置を例に採って本実施形態を説明するが、上に例示した各種の基板の処理にも同様に適用可能である。また、基板の形状についても各種のものを適用可能である。 "Substrate" in the present embodiment includes a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, a substrate for a FED (Field Emission Display), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, and a substrate. Various substrates such as substrates for opto-magnetic disks can be applied. Hereinafter, the present embodiment will be described mainly by taking as an example a substrate processing apparatus used for processing a disk-shaped semiconductor wafer, but the present embodiment can also be similarly applied to the processing of various substrates exemplified above. Further, various shapes of the substrate can be applied.
[実施形態1]
以下、図1〜図12を参照して本発明の実施形態1を説明する。まず、図1を参照して本実施形態の基板処理システム100を説明する。図1は、本実施形態の基板処理システム100の模式図である。詳しくは、図1は、基板処理システム100の模式的な平面図である。基板処理システム100は、基板Wを処理する。より具体的には、基板処理システム100は、基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。本実施形態において、基板Wは、円板状の半導体ウエハである。
[Embodiment 1]
Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 12. First, the
図1に示すように、基板処理システム100は、複数の基板処理装置1と、流体キャビネット100Aと、複数の流体ボックス100Bと、複数のロードポートLPと、インデクサーロボットIRと、センターロボットCRと、制御装置101とを備える。制御装置101は、基板処理システム100の各部の動作を制御する。例えば、制御装置101は、ロードポートLP、インデクサーロボットIR、及びセンターロボットCRを制御する。本実施形態において、制御装置101は、制御部102と、記憶部104とを含む。
As shown in FIG. 1, the
ロードポートLPの各々は、複数枚の基板Wを積層して収容する。インデクサーロボットIRは、ロードポートLPとセンターロボットCRとの間で基板Wを搬送する。センターロボットCRは、インデクサーロボットIRと基板処理装置1との間で基板Wを搬送する。なお、インデクサーロボットIRとセンターロボットCRとの間に、基板Wを一時的に載置する載置台(パス)を設けて、インデクサーロボットIRとセンターロボットCRとの間で載置台を介して間接的に基板Wを受け渡しする装置構成としてもよい。
Each of the load port LPs accommodates a plurality of substrates W in a laminated manner. The indexer robot IR conveys the substrate W between the load port LP and the center robot CR. The center robot CR conveys the substrate W between the indexer robot IR and the
基板処理装置1の各々は、処理液を基板Wの表面Wsに供給して、基板Wの表面Wsを処理する。更に、基板処理装置1の各々は、洗浄ブラシ8(図2及び図3参照)を用いて基板Wの裏面Wbを処理する。基板Wの表面Wsは、例えば、基板Wの両面のうち、デバイスが形成される面である。基板Wの裏面Wbは、表面Wsとは反対側の面である。
Each of the
複数の基板処理装置1は、平面視においてセンターロボットCRを取り囲むように配置される複数のタワーTW(図1では4つのタワーTW)を形成している。各タワーTWは、上下に積層された複数の基板処理装置1(図1では3つの基板処理装置1)を含む。
The plurality of
流体キャビネット100Aは、処理液を収容する。流体ボックス100Bはそれぞれ、複数のタワーTWのうちの1つに対応している。流体キャビネット100A内の処理液は、いずれかの流体ボックス100Bを介して、流体ボックス100Bに対応するタワーTWに含まれる全ての基板処理装置1に供給される。基板処理装置1については、図2及び図3を参照して後述する。
The
制御部102は、プロセッサーを有する。制御部102は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、又は、MPU(Micro Processing Unit)を有する。あるいは、制御部102は、汎用演算機を有してもよい。
The
記憶部104は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Wの処理内容及び処理手順を規定する。
The
記憶部104は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部104は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部104はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部102は、記憶部104に記憶されているコンピュータプログラム及びデータに基づいて、基板処理システム100の各部の動作を制御する。
The
続いて図1〜図3を参照して、本実施形態の基板処理システム100について更に説明する。図2及び図3は、基板処理装置1の模式的な断面図である。詳しくは、図2は、基板処理装置1が基板Wの表面Wsを処理している状態を示す。図3は、基板処理装置1が基板Wの裏面Wbを処理している状態を示す。
Subsequently, the
図2に示すように、基板処理装置1は、チャンバー2と、スピンチャック3と、スピンモータ部4と、第1把持ピン5aと、第2把持ピン5bと、第1移動機構6aと、第2移動機構6bと、第1ノズル7と、ノズル移動機構70と、洗浄ブラシ8と、ブラシ搬送機構80と、第2ノズル9とを備える。また、図2に示すように、基板処理システム100は、第1供給配管P1と、第1バルブV1と、第2供給配管P2と、第2バルブV2とを備える。制御装置101は、スピンモータ部4、第1移動機構6a、第2移動機構6b、ノズル移動機構70、ブラシ搬送機構80、第1バルブV1、及び第2バルブV2を制御する。
As shown in FIG. 2, the
チャンバー2は、内部空間を有する箱形状の筐体であり、チャンバー2の内部と外部とは区画される。チャンバー2には、図示しないシャッター及びその開閉機構が設けられる。通常、シャッターは閉じており、その結果、チャンバー2内外の雰囲気は遮断される。センターロボットCR(図1)により基板Wがチャンバー2内部に搬入される際、あるいは、センターロボットCR(図1)により基板Wがチャンバー2内部から搬出される際に、シャッターが開放される。
The
チャンバー2には基板Wが1枚ずつ収容される。基板処理装置1は、チャンバー2内で基板Wを水平に保持して、基板Wを1枚ずつ処理する。チャンバー2には、スピンチャック3、スピンモータ部4、第1把持ピン5a、第2把持ピン5b、第1移動機構6a、第2移動機構6b、第1ノズル7、ノズル移動機構70、洗浄ブラシ8、ブラシ搬送機構80、及び第2ノズル9が収容される。また、チャンバー2には、第1供給配管P1及び第2供給配管P2のそれぞれの一部が収容される。
One substrate W is housed in the
スピンチャック3は、真空吸引式のチャック(所謂バキュームチャック)であり、基板処理システム100が設置される工場に設けられた減圧装置に配管を介して接続している。スピンチャック3は、基板Wの裏面Wbの中心部を吸着して基板Wを保持する。詳しくは、スピンチャック3は、基板Wを着脱自在に吸着する。スピンチャック3は、第1保持部の一例である。
The
スピンチャック3は、吸着ベース3aと、スピン軸3bとを有する。吸着ベース3aは平面視円形状であり、吸着ベース3aの上面は水平面である。スピンチャック3は、吸着ベース3aの上面に載置された基板Wの裏面Wbを吸着する。この結果、基板Wはスピンチャック3によって水平に保持される。スピン軸3bは、鉛直方向に延びる。スピン軸3bの上側の端部は、吸着ベース3aの中央部に結合している。
The
スピンモータ部4は、鉛直方向に延びる第1回転軸線AX1を中心として、スピンチャック3を回転させる。したがって、スピンチャック3が基板Wを保持している際にスピンモータ部4がスピンチャック3を回転させることにより、基板Wがスピンチャック3と一体的に、第1回転軸線AX1を中心として回転する。具体的には、スピンモータ部4は、第1回転軸線AX1を中心としてスピン軸3bを回転させる。この結果、吸着ベース3aが、第1回転軸線AX1を中心として回転する。スピンモータ部4は、回転駆動部の一例である。スピンモータ部4は、基板Wの表面Wsの洗浄時及び基板Wの裏面Wbの洗浄時にスピンチャック3を回転させる。
The
第1移動機構6aは、水平方向及び鉛直方向に第1把持ピン5aを移動させる。詳しくは、第1移動機構6aは、鉛直方向に延びる第2回転軸線AX2を中心とする周方向に沿って第1把持ピン5aを移動させる。また、第1移動機構6aは、第1把持ピン5aを鉛直方向に昇降させる。
The
具体的には、第1移動機構6aは、第1アーム61aと、第1軸部62aと、第1駆動部63aとを有する。第1アーム61aは水平方向に沿って延びる。第1アーム61aの先端部に第1把持ピン5aが配置される。詳しくは、第1把持ピン5aは、第1アーム61aの先端部の下面に結合されて、第1アーム61aから下方に突出する。第1アーム61aの基端部は第1軸部62aに結合している。第1軸部62aは、鉛直方向に沿って延びる。
Specifically, the first moving
第1駆動部63aは、回転駆動機構と、昇降駆動機構とを有する。第1駆動部63aの回転駆動機構は、第2回転軸線AX2を中心として第1軸部62aを回転させて、第1軸部62aを中心に第1アーム61aを水平面に沿って旋回させる。その結果、第1把持ピン5aが水平面に沿って移動する。詳しくは、第1把持ピン5aは、第1軸部62aの周りを周方向に沿って移動する。第1駆動部63aの回転駆動機構は、例えば、正逆回転可能なモータを含む。
The
第1駆動部63aの昇降駆動機構は、第1軸部62aを鉛直方向に昇降させる。第1駆動部63aの昇降駆動機構が第1軸部62aを昇降させることにより、第1把持ピン5aが鉛直方向に昇降する。第1駆動部63aの昇降駆動機構は、モータ等の駆動源及び昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、第1軸部62aを上昇又は下降させる。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構又はボールねじを含む。
The elevating drive mechanism of the
第2移動機構6bは、水平方向及び鉛直方向に第2把持ピン5bを移動させる。詳しくは、第2移動機構6bは、鉛直方向に延びる第3回転軸線AX3を中心とする周方向に沿って第2把持ピン5bを移動させる。また、第2移動機構6bは、第2把持ピン5bを鉛直方向に昇降させる。
The
具体的には、第2移動機構6bは、第1移動機構6aと同様に、第2アーム61bと、第2軸部62bと、第2駆動部63bとを有する。第2把持ピン5bは、第1把持ピン5aと同様に、第2アーム61bの先端部に配置される。なお、第2移動機構6bの構成は、第1移動機構6aと同様であるため、その詳しい説明は割愛する。
Specifically, the
第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bは、基板Wの裏面Wbの洗浄時に協働して基板Wを保持する。具体的には、第1移動機構6a及び第2移動機構6bが第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bを移動させて、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bに基板Wを把持させる。第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bは、第2保持部の一例である。
The first
第1ノズル7は、スピンチャック3に保持されている基板Wの表面Wsに第1処理液を供給して、基板Wの表面Wsを洗浄する。詳しくは、第1ノズル7は、回転中の基板Wの表面Wsに向けて第1処理液を吐出する。第1ノズル7は、洗浄部の一例である。
The
第1供給配管P1は、第1ノズル7に第1処理液を供給する。第1供給配管P1は、第1処理液が流通する管状部材である。第1バルブV1は、第1供給配管P1に配置される。第1バルブV1は、第1ノズル7への第1処理液の供給及び供給停止を切り替える。
The first supply pipe P1 supplies the first treatment liquid to the
詳しくは、第1バルブV1が開くと、第1ノズル7から基板Wの表面Wsに向けて第1処理液が吐出される。一方、第1バルブV1が閉じると、第1処理液の吐出が停止する。また、第1バルブV1は、第1供給配管P1において第1バルブV1よりも下流へ流れる第1処理液の流量を制御する。詳しくは、第1バルブV1の開度に応じて、第1バルブV1よりも下流へ流れる第1処理液の流量が調整される。第1バルブV1は、例えば、モータバルブである。
Specifically, when the first valve V1 is opened, the first treatment liquid is discharged from the
ノズル移動機構70は、水平方向及び鉛直方向に第1ノズル7を移動させる。詳しくは、ノズル移動機構70は、鉛直方向に延びる第4回転軸線AX4を中心とする周方向に沿って第1ノズル7を移動させる。また、ノズル移動機構70は、第1ノズル7を鉛直方向に昇降させる。
The
具体的には、ノズル移動機構70は、第1移動機構6aと同様に、ノズルアーム71と、ノズル軸部72と、ノズル駆動部73とを有する。第1ノズル7は、スピンチャック3に保持されている基板Wの表面Wsに向けて第1処理液を供給できる姿勢で、ノズルアーム71の先端部に配置される。なお、ノズル移動機構70の構成は、第1移動機構6aと同様であるため、その詳しい説明は割愛する。
Specifically, the
第1ノズル7は、水平面に沿って移動しながら、基板Wの表面Wsに向けて第1処理液を吐出する。第1ノズル7は、スキャンノズルと称されることがある。第1ノズル7が移動しながら回転中の基板Wの表面Wsに向けて第1処理液を吐出することにより、基板Wの表面Wsが洗浄される。
The
本実施形態において、第1処理液は、純水である。但し、第1処理液は純水に限定されない。第1処理液は、例えば、炭酸水、イオン水、脱イオン水(Deionized Water:DIW)、オゾン水、還元水(水素水)、又は磁気水のような機能水であってもよい。あるいは、第1処理液は、例えば、アンモニア水、又は、アンモニア水と過酸化水素水とを混合した希釈濃度の混合液(希釈濃度のSC1)のような薬液であってもよい。第1処理液が薬液である場合、基板処理装置1は、基板Wの表面Wsに向けてリンス液を吐出するノズルを備えてもよい。
In the present embodiment, the first treatment liquid is pure water. However, the first treatment liquid is not limited to pure water. The first treatment liquid may be functional water such as carbonated water, ionized water, deionized water (DIW), ozone water, reduced water (hydrogen water), or magnetic water. Alternatively, the first treatment solution may be, for example, a chemical solution such as aqueous ammonia or a mixed solution having a diluted concentration of a mixture of aqueous ammonia and aqueous hydrogen peroxide (diluted concentration SC1). When the first treatment liquid is a chemical liquid, the
続いて、図2及び図3を参照して洗浄ブラシ8、及びブラシ搬送機構80を説明する。ブラシ搬送機構80は、退避位置と、受け渡し位置との間で洗浄ブラシ8を搬送する。退避位置は、平面視において洗浄ブラシ8がスピンチャック3と重ならない位置である。図2は、退避位置に位置する洗浄ブラシ8を示す。受け渡し位置は、洗浄ブラシ8をスピンチャック3に受け渡す位置である。図3は、スピンチャック3に受け渡された洗浄ブラシ8を示す。ブラシ搬送機構80は、基板Wの裏面Wbの洗浄時に、退避位置から受け渡し位置まで洗浄ブラシ8を搬送して、スピンチャック3に洗浄ブラシ8を受け渡す。ブラシ搬送機構80は、搬送機構の一例である。
Subsequently, the cleaning
具体的には、ブラシ搬送機構80は、ブラシ搬送アーム81と、搬送駆動部82とを有する。ブラシ搬送アーム81は、洗浄ブラシ8を保持する。搬送駆動部82は、ブラシ搬送アーム81を水平方向及び鉛直方向に移動させる。搬送駆動部82が、第1方向D1に沿ってブラシ搬送アーム81を移動させることにより、洗浄ブラシ8が退避位置から受け渡し位置まで搬送される。ここで、第1方向D1は、スピンチャック3に近づく水平な方向である。スピンチャック3は、ブラシ搬送アーム81から洗浄ブラシ8を受け取ると、洗浄ブラシ8を吸着して、洗浄ブラシ8を保持する。
Specifically, the
詳しくは、図3に示すように、ブラシ搬送アーム81は、スピンチャック3が洗浄ブラシ8の下面8bを吸着するように、洗浄ブラシ8を受け渡し位置まで搬送する。したがって、スピンチャック3は、ブラシ搬送アーム81から洗浄ブラシ8を受け取ると、洗浄ブラシ8の下面8bを吸着する。
Specifically, as shown in FIG. 3, the
搬送駆動部82は、ブラシ搬送アーム81からスピンチャック3へ洗浄ブラシ8が受け渡されると、ブラシ搬送アーム81を下降させて、図3に示すように、第2方向D2に沿って退避位置までブラシ搬送アーム81を移動させる。ここで、第2方向D2は、第1方向D1と反対の方向である。すなわち、第2方向D2は、スピンチャック3から遠ざかる水平な方向である。
When the cleaning
続いて、図3を参照して第1把持ピン5a、第2把持ピン5b、第1移動機構6a、第2移動機構6b、及びスピンモータ部4を更に説明する。図3に示すように、基板Wの裏面Wbの洗浄時に、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bは協働して基板Wを保持する。
Subsequently, the first
具体的には、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bは、基板Wのうち、洗浄ブラシ8によって洗浄される範囲とは異なる部位を把持する。詳しくは、第1移動機構6aが、基板Wの側面の一部に接触する位置に第1把持ピン5aを移動させる。また、第2移動機構6bが、基板Wの側面の他の一部に接触する位置に第2把持ピン5bを移動させる。この結果、第1把持ピン5aと第2把持ピン5bとによって基板Wが把持される。第1把持ピン5aと第2把持ピン5bとによって基板Wが把持されている際に、第1把持ピン5aは、基板Wの径方向において第2把持ピン5bと対向する。
Specifically, the first
第1移動機構6a及び第2移動機構6bは、ブラシ搬送アーム81がスピンチャック3に洗浄ブラシ8を受け渡す際に、基板Wがブラシ搬送アーム81及び洗浄ブラシ8と干渉しない位置まで、基板Wを把持する第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bを上昇させる。
The
第1移動機構6a及び第2移動機構6bは、スピンチャック3が洗浄ブラシ8を保持した後に、基板Wの裏面Wbに洗浄ブラシ8が接触するように、基板Wを保持する第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bを移動させる。より具体的には、第1移動機構6a及び第2移動機構6bは、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bを下降させる。第1移動機構6a及び第2移動機構6bは、移動機構の一例である。
The
スピンモータ部4は、基板Wの裏面Wbの洗浄時に、洗浄ブラシ8を保持するスピンチャック3を回転させる。この結果、基板Wの裏面Wbに接触する洗浄ブラシ8が、スピンチャック3と一体的に第1回転軸線AX1を中心として回転して、基板Wの裏面Wbが洗浄される。
The
続いて、図3を参照して第2ノズル9、第2供給配管P2、及び第2バルブV2を説明する。第2ノズル9は、基板Wの裏面Wbの洗浄時に、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bに保持されている基板Wの裏面Wbに向けて第2処理液を供給する。詳しくは、第2ノズル9は、基板Wの裏面Wbのうち、洗浄ブラシ8と接触していない部分に向けて第2処理液を吐出する。
Subsequently, the second nozzle 9, the second supply pipe P2, and the second valve V2 will be described with reference to FIG. When cleaning the back surface Wb of the substrate W, the second nozzle 9 supplies the second treatment liquid toward the back surface Wb of the substrate W held by the first
第2供給配管P2は、第2ノズル9に第2処理液を供給する。第2バルブV2は、第2供給配管P2に配置される。第2バルブV2は、第2ノズル9への第2処理液の供給及び供給停止を切り替える。なお、第2供給配管P2及び第2バルブV2の構成は、第1供給配管P1及び第1バルブV1と同様であるため、その詳しい説明は割愛する。 The second supply pipe P2 supplies the second treatment liquid to the second nozzle 9. The second valve V2 is arranged in the second supply pipe P2. The second valve V2 switches between supplying and stopping the supply of the second processing liquid to the second nozzle 9. Since the configurations of the second supply pipe P2 and the second valve V2 are the same as those of the first supply pipe P1 and the first valve V1, detailed description thereof will be omitted.
本実施形態において、第2処理液は、純水である。但し、第2処理液は純水に限定されない。第2処理液は、例えば、炭酸水、イオン水、DIW、オゾン水、還元水(水素水)、又は磁気水のような機能水であってもよい。あるいは、第1処理液は、例えば、アンモニア水、又は希釈濃度のSC1のような薬液であってもよい。第2処理液が薬液である場合、基板処理装置1は、基板Wの裏面Wbに向けてリンス液を吐出するノズルを備えてもよい。
In the present embodiment, the second treatment liquid is pure water. However, the second treatment liquid is not limited to pure water. The second treatment liquid may be functional water such as carbonated water, ionized water, DIW, ozone water, reduced water (hydrogen water), or magnetic water. Alternatively, the first treatment solution may be, for example, aqueous ammonia or a chemical solution such as SC1 having a diluted concentration. When the second treatment liquid is a chemical liquid, the
なお、基板処理装置1は、チャンバー2内に昇降可能に配設された飛散防止用カップを更に備える。飛散防止用カップは、基板Wの表面Wsの洗浄時に、スピンチャック3に保持された基板Wの周囲に配置されて、回転する基板Wから飛散する液体を受け止める。
The
続いて、図4を参照してブラシ搬送機構80を更に説明する。図4は、ブラシ搬送機構80を示す斜視図である。図4に示すように、ブラシ搬送アーム81は、薄肉部材であり、平面視においてU字形状を有する。
Subsequently, the
搬送駆動部82は、第1連結部材83と、第2連結部材84と、支持部材85とを有する。ブラシ搬送アーム81は、第1連結部材83の先端に接続する。ブラシ搬送アーム81と第1連結部材83との接続箇所は、関節部を構成する。第2連結部材84の先端は、第1連結部材83の基端に接続する。第2連結部材84と第1連結部材83との接続箇所は、関節部を構成する。支持部材85の先端は、第2連結部材84の基端に接続する。支持部材85と第2連結部材84との接続箇所は、関節部を構成する。支持部材85は、鉛直方向に延びる。
The
搬送駆動部82は、第1連結部材83及び第2連結部材84を屈伸させる。この結果、ブラシ搬送アーム81が第1方向D1及び第2方向D2に沿って移動する。搬送駆動部82は、例えば、各関節部に設けられたモータ及びギヤ機構を含む。
The
搬送駆動部82は、支持部材85を昇降させる。この結果、ブラシ搬送アーム81が昇降する。搬送駆動部82は、例えば、モータ等の駆動源及び昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、支持部材85を昇降させる。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構又はボールねじを含む。
The
続いて、図5(a)を参照して洗浄ブラシ8を説明する。図5(a)は、洗浄ブラシ8の側面図である。図5(a)に示すように、洗浄ブラシ8は、ブラシ本体810と、ホルダー820とを有する。
Subsequently, the cleaning
ブラシ本体810は、基板Wの裏面Wbに接触して、基板Wの裏面Wbを洗浄する。ブラシ本体810は、例えば、多孔質物質から構成される。ブラシ本体810は、スポンジ状であってもよい。また、ブラシ本体810は、ポリビニルアルコール(polyvinyl alcohol:PVA)のような樹脂から構成されてもよい。ブラシ本体810は、多数の毛状部材を備えてもよい。
The
ブラシ本体810は、ホルダー820に取り付けられる。ホルダー820は、下面820bを有する。ホルダー820の下面820bは、ブラシ本体810とは反対側の面であり、洗浄ブラシ8の下面8bを構成する。ホルダー820は、例えば、有底の筒状である。洗浄ブラシ8がホルダー820を有することにより、スピンチャック3に洗浄ブラシ8を吸着させることができる。
The
本実施形態において、ブラシ本体810の上面は、平坦面である。なお、ブラシ本体810の上面の形状は任意である。ここで、図5(b)及び図5(c)を参照して洗浄ブラシ8の2つの変形例(第1変形例及び第2変形例)を説明する。
In the present embodiment, the upper surface of the
図5(b)は、洗浄ブラシ8の第1変形例を示す側面図である。図5(c)は、洗浄ブラシ8の第2変形例を示す側面図である。図5(b)に示すように、ブラシ本体810の上面は、凸形状であってもよい。あるいは、図5(c)に示すように、ブラシ本体810の上面は、凹み形状であってもよい。ブラシ本体810の上面が凸形状であることにより、ブラシ本体810の中心部分による洗浄力が向上する。ブラシ本体810の上面が凹み形状であることにより、ブラシ本体810の外周部分による洗浄力が向上する。したがって、ブラシ本体810の上面形状を調整することにより、所期の目標に合わせた洗浄を実施することができる。
FIG. 5B is a side view showing a first modification of the cleaning
例えば、洗浄ブラシ8の中心を基板Wの中心に合わせて基板Wの裏面Wbを洗浄する場合、基板Wの裏面Wbのうち、基板Wの中心により近い部分が、基板Wの中心から遠い部分と比べて洗浄が難しくなる。回転中の基板Wの裏面Wbにおいて、基板Wの中心に近い位置ほど、速度が遅くなるためである。したがって、ブラシ本体810の上面を凸形状にして、ブラシ本体810の中心部による洗浄力を高めることにより、ブラシ本体810と接触する基板Wの全領域を、より均等に洗浄することができる。
For example, when cleaning the back surface Wb of the substrate W by aligning the center of the cleaning
続いて、図6(a)〜図6(c)を参照してスピンチャック3、基板W及び洗浄ブラシ8を更に説明する。図6(a)は、スピンチャック3の平面図である。図6(b)は、基板Wを保持しているスピンチャック3を示す平面図である。図6(c)は、洗浄ブラシ8を保持しているスピンチャック3を示す平面図である。
Subsequently, the
図6(a)〜図6(c)に示すように、スピンチャック3の吸着ベース3aは、接触面31と、吸引口32とを有する。スピンチャック3が基板Wを保持する際に、接触面31は、基板Wの裏面Wbと接触する。スピンチャック3が洗浄ブラシ8を保持する際に、接触面31は、洗浄ブラシ8の下面8b(ホルダー820の下面820b)と接触する。接触面31は、スピンチャック3の上面を構成する。
As shown in FIGS. 6A to 6C, the
吸引口32は、接触面31に形成されている。具体的には、吸引口32は、接触面31(吸着ベース3a)の中心部に形成されている。吸引口32は、基板処理システム100が設置される工場に設けられた減圧装置に配管を介して連通している。
The
図6(b)に示すように、スピンチャック3は、基板Wを保持する際に、吸引口32によって、基板Wの裏面Wbの中心部を吸着する。スピンチャック3が基板Wを吸着すると、基板Wの裏面Wbに吸着痕が発生する。吸着痕の範囲は、接触面31及び吸引口32に対向する範囲である。
As shown in FIG. 6B, when holding the substrate W, the
図6(c)に示すように、本実施形態では、洗浄ブラシ8は、吸着ベース3aと比べて大径の円形状である。スピンチャック3は、洗浄ブラシ8を保持する際に、吸引口32によって、洗浄ブラシ8の下面8b(ホルダー820の下面820b)の中心部を吸着する。したがって、基板Wの裏面Wbを洗浄する前の段階で、基板Wの裏面Wbに吸着痕が発生している場合、洗浄ブラシ8により吸着痕を洗浄することができる。なお、洗浄ブラシ8は、ブラシ本体810が上を向いた状態でスピンチャック3に保持される。
As shown in FIG. 6C, in the present embodiment, the cleaning
また、図6(b)及び図6(c)に示すように、洗浄ブラシ8は、基板Wと比べて小径である。したがって、基板Wの裏面Wbを洗浄する際に、洗浄ブラシ8が、図2及び図3を参照して説明した第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bと干渉することを回避することができる。
Further, as shown in FIGS. 6 (b) and 6 (c), the cleaning
続いて、図7を参照して本実施形態の基板処理方法を説明する。図7は、基板処理システム100による基板洗浄処理のフロー図である。本実施形態の基板処理方法は、基板処理システム100によって実行される。図7に示すように、本実施形態の基板処理方法は、工程S1〜工程S10を含む。
Subsequently, the substrate processing method of the present embodiment will be described with reference to FIG. 7. FIG. 7 is a flow chart of a substrate cleaning process by the
工程S1では、基板Wがチャンバー2内に搬入される。具体的には、制御装置101が、インデクサーロボットIR、センターロボットCR、及びチャンバー2に設けられたシャッターを制御して、処理対象の基板Wをチャンバー2内に搬入する。本実施形態では、センターロボットCRは、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bに基板Wを受け渡す。詳しくは、制御装置101が第1移動機構6a及び第2移動機構6bを制御して、チャンバー2内に搬入された基板Wを、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bに把持させる。
In step S1, the substrate W is carried into the
工程S2では、スピンチャック3が基板Wを吸着する。具体的には、制御装置101が第1移動機構6a及び第2移動機構6bを制御して、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bに把持されている基板Wがスピンチャック3の接触面31に接触するように、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bを移動させる。この結果、基板Wがスピンチャック3によって吸着される。
In step S2, the
工程S3では、基板Wの表面Wsが洗浄される。具体的には、制御装置101が、回転する基板Wの表面Wsに対して第1ノズル7が水平方向に移動しながら第1処理液を吐出するように、スピンモータ部4、第1バルブV1及びノズル移動機構70を制御する。基板Wの表面Wsの洗浄後、スピンドライ処理が実行される。スピンドライ処理では、制御装置101がスピンモータ部4を制御して、基板Wを高速で回転させる。スピンドライ処理の後、制御装置101はスピンモータ部4の駆動を停止させる。
In step S3, the surface Ws of the substrate W is cleaned. Specifically, the
工程S4では、基板Wが上昇してスピンチャック3から離れる。具体的には、制御装置101が第1移動機構6a及び第2移動機構6bを制御して、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bに把持されている基板Wがスピンチャック3の接触面31から離れて上方へ移動するように、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bを上昇させる。
In step S4, the substrate W rises and separates from the
工程S5では、スピンチャック3が洗浄ブラシ8を吸着する。具体的には、制御装置101がブラシ搬送機構80を制御して、退避位置から受け渡し位置まで基板Wを搬送させる。
In step S5, the
工程S6では、基板Wが下降して、基板Wの裏面Wbが洗浄ブラシ8のブラシ本体810に接触する。具体的には、制御装置101が第1移動機構6a及び第2移動機構6bを制御して、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bに把持されている基板Wが洗浄ブラシ8のブラシ本体810に接触する位置まで下方へ移動するように、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bを下降させる。
In step S6, the substrate W is lowered, and the back surface Wb of the substrate W comes into contact with the
工程S7では、基板Wの裏面Wbが洗浄される。具体的には、制御装置101がスピンモータ部4を制御してスピンチャック3を回転させることにより、洗浄ブラシ8を回転させる。洗浄ブラシ8は、回転することにより基板Wの裏面Wbを洗浄する。基板Wの裏面Wbの洗浄後、スピンドライ処理が実行される。スピンドライ処理の後、制御装置101はスピンモータ部4の駆動を停止させる。
In step S7, the back surface Wb of the substrate W is cleaned. Specifically, the
工程S8では、基板Wが上昇して洗浄ブラシ8から離れる。具体的には、制御装置101が第1移動機構6a及び第2移動機構6bを制御して、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bに把持されている基板Wが洗浄ブラシ8のブラシ本体810から離れて上方へ移動するように、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bを上昇させる。
In step S8, the substrate W rises and separates from the cleaning
工程S9では、洗浄ブラシ8が退避位置に搬送される。具体的には、ブラシ搬送アーム81がスピンチャック3から洗浄ブラシ8を受け取るように、制御装置101がブラシ搬送機構80を制御する。その後、制御装置101がブラシ搬送機構80を制御して、退避位置まで基板Wを搬送させる。
In step S9, the cleaning
工程S10では、処理後の基板Wがチャンバー2の内部から外部へ搬出される。具体的には、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bが把持する基板WをセンターロボットCRが受け取ってチャンバー2の外部へ搬送するように、制御装置101が、センターロボットCR、チャンバー2に設けられたシャッター、第1移動機構6a、及び第2移動機構6bを制御する。
In step S10, the processed substrate W is carried out from the inside of the
続いて図8(a)〜図10(b)を参照して、本実施形態の基板処理装置1による基板洗浄処理を説明する。図8(a)〜図10(b)は、基板処理装置1による基板洗浄処理のフローを示す模式図である。
Subsequently, the substrate cleaning process by the
図8(a)は、チャンバー2内に基板Wが搬入される前段階の待機状態を示す。図8(a)に示すように、待機状態において、洗浄ブラシ8は退避位置に位置する。
FIG. 8A shows a standby state before the substrate W is carried into the
図8(b)に示すように、チャンバー2内に基板Wが搬入されると、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bが基板Wを把持する。具体的には、第1移動機構6aが第1軸部62aを回転させて、基板Wの側面に接触する位置まで第1把持ピン5aを移動させる。同様に、第2移動機構6bが第2軸部62bを回転させて、基板Wの側面に接触する位置まで第2把持ピン5bを移動させる。なお、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bは、スピンチャック3の上方の位置においてセンターロボットCRから基板Wを受け取る。
As shown in FIG. 8B, when the substrate W is carried into the
図8(c)に示すように、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bが基板Wを把持した後、基板Wの裏面Wbがスピンチャック3によって吸着される位置まで第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bが下降する。この結果、基板Wの裏面Wbがスピンチャック3の上面(吸着ベース3aの接触面31)に接触して、基板Wの裏面Wbの中心部がスピンチャック3の吸引口32によって吸着される。具体的には、第1移動機構6a及び第2移動機構6bが第1軸部62a及び第2軸部62bを下降させて、基板Wを下降させる。
As shown in FIG. 8C, after the first
図8(d)に示すように、スピンチャック3が基板Wを吸着した後、第1移動機構6a及び第2移動機構6bが第1軸部62a及び第2軸部62bを上昇させて、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bを上昇させる。その後、スピンモータ部4がスピンチャック3を回転させ、第1ノズル7が水平方向に移動しながら第1処理液を基板Wの表面Wsに吐出する。この結果、基板Wの表面Wsが洗浄される。基板Wの表面Wsの洗浄後、スピンドライ処理が行われる。
As shown in FIG. 8D, after the
図9(a)に示すように、スピンドライ処理後、スピンチャック3に吸着されている基板Wを第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bが把持する。具体的には、スピンチャック3に吸着されている基板Wを第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bが把持できる位置まで、第1移動機構6a及び第2移動機構6bが第1軸部62a及び第2軸部62bを下降させる。次に、第1移動機構6aが第1軸部62aを回転させて、基板Wの側面に接触する位置まで第1把持ピン5aを移動させる。同様に、第2移動機構6bが第2軸部62bを回転させて、基板Wの側面に接触する位置まで第2把持ピン5bを移動させる。
As shown in FIG. 9A, after the spin dry treatment, the first
第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bが基板Wを把持した後、第1移動機構6a及び第2移動機構6bが第1軸部62a及び第2軸部62bを上昇させる。この結果、基板Wがスピンチャック3から上方へ移動して、スピンチャック3から離れた位置で待機する。
After the first
図9(b)に示すように、基板Wがスピンチャック3の上方で待機している間に、ブラシ搬送アーム81が第1方向D1へ移動して、スピンチャック3と基板Wとの間に洗浄ブラシ8を搬送する。
As shown in FIG. 9B, while the substrate W is waiting above the
図9(c)に示すように、ブラシ搬送アーム81は、スピンチャック3と基板Wとの間に洗浄ブラシ8を搬送した後、下降する。ブラシ搬送アーム81が下降する過程で、洗浄ブラシ8がスピンチャック3の上面(接触面31)に載置されて、スピンチャック3が洗浄ブラシ8の下面8bの中心部を吸着する。
As shown in FIG. 9C, the
図9(d)に示すように、ブラシ搬送アーム81は下降を終了すると、第2方向D2へ移動して、退避位置で待機する。
As shown in FIG. 9D, when the
図10(a)に示すように、ブラシ搬送アーム81が退避位置で待機すると、基板Wの裏面Wbが洗浄ブラシ8(ブラシ本体810)に接触する位置まで第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bが下降する。この結果、基板Wの裏面Wbが洗浄ブラシ8(ブラシ本体810)に当接する。具体的には、第1移動機構6a及び第2移動機構6bが第1軸部62a及び第2軸部62bを下降させて、基板Wを下降させる。
As shown in FIG. 10A, when the
基板Wの裏面Wbが洗浄ブラシ8(ブラシ本体810)に当接した後、スピンモータ部4がスピンチャック3を回転させる。この結果、洗浄ブラシ8が第1回転軸線AX1を中心として回転して、基板Wの裏面Wbを洗浄する。また、基板Wの裏面Wbの洗浄中に、第2ノズル9から基板Wの裏面Wbに向けて第2処理液が吐出される。具体的には、第2ノズル9は、基板Wの裏面Wbのうち、スピンチャック3よりも外側の部分に第2処理液を吐出する。基板Wの裏面Wbの洗浄が終了すると、スピンドライ処理が行われる。
After the back surface Wb of the substrate W comes into contact with the cleaning brush 8 (brush body 810), the
図10(b)に示すように、スピンドライ処理の終了後、第1移動機構6a及び第2移動機構6bが第1軸部62a及び第2軸部62bを上昇させる。この結果、基板Wが洗浄ブラシ8から上方へ移動して、洗浄ブラシ8から離れた位置で待機する。
As shown in FIG. 10B, after the spin-drying process is completed, the first moving
基板Wが洗浄ブラシ8の上方で待機している間に、ブラシ搬送アーム81がスピンチャック3から基板Wを受け取り、基板Wを退避位置まで搬送する。具体的には、ブラシ搬送アーム81が、洗浄ブラシ8の下方の位置まで移動する。その後、ブラシ搬送アーム81が上昇する。ブラシ搬送アーム81が上昇する過程で、ブラシ搬送アーム81が洗浄ブラシ8を保持して、洗浄ブラシ8をスピンチャック3の上方へ移動させる。ブラシ搬送アーム81は上昇を終了すると、第2方向D2へ移動して、洗浄ブラシ8を退避位置まで搬送する。
While the substrate W is waiting above the cleaning
続いて図11を参照して、本実施形態の基板処理装置1による基板洗浄処理の他例を説明する。基板処理装置1は、図8(a)〜図10(b)を参照した基板洗浄処理に代えて、図11を参照して説明する基板洗浄処理を実行してもよい。図11は、基板処理装置1による基板洗浄処理の他例を示す模式図である。図11に示す基板洗浄処理は、基板Wの表面Wsの洗浄時における処理が、図8(a)〜図10(b)を参照した基板洗浄処理と異なる。
Subsequently, another example of the substrate cleaning process by the
図11に示すように、基板Wの表面Wsの洗浄時に、洗浄ブラシ8によって基板Wの裏面Wbの一部を洗浄してもよい。具体的には、ブラシ搬送機構80が、基板Wの表面Wsの洗浄時に、接触位置に洗浄ブラシ8を搬送する。接触位置は、スピンチャック3によって保持されている基板Wの裏面Wbの一部に洗浄ブラシ8のブラシ本体810が接触する位置である。
As shown in FIG. 11, when cleaning the front surface Ws of the substrate W, a part of the back surface Wb of the substrate W may be cleaned by the cleaning
より詳しくは、接触位置に位置する洗浄ブラシ8のブラシ本体810は、基板Wの裏面Wbのうち、平面視においてスピンチャック3から外れている部分に接触する。この結果、洗浄ブラシ8のブラシ本体810が、回転する基板Wの裏面Wbの一部に接触して、基板Wの裏面Wbの一部を洗浄する。具体的には、基板Wの裏面Wbの外周部が洗浄される。図11に示す基板洗浄処理によれば、基板Wの裏面Wbの中心部に加えて、基板Wの裏面Wbの外周部を洗浄することができる。
More specifically, the
以上、図1〜図11を参照して実施形態1を説明した。本実施形態によれば、基板Wを反転させることなく基板Wの裏面Wbを処理することができる。より具体的には、基板Wを反転させることなく基板Wの両面を処理することができる。したがって、基板Wの両面を処理するために基板Wを反転させる構成と比べて、1枚の基板Wを処理するための工程数を減らして、スループットを向上させることができる。また、本実施形態によれば、基板Wの裏面Wbの吸着痕を洗浄することができる。 The first embodiment has been described above with reference to FIGS. 1 to 11. According to this embodiment, the back surface Wb of the substrate W can be processed without inverting the substrate W. More specifically, both sides of the substrate W can be processed without inverting the substrate W. Therefore, as compared with the configuration in which the substrate W is inverted to process both sides of the substrate W, the number of steps for processing one substrate W can be reduced and the throughput can be improved. Further, according to the present embodiment, the adsorption marks on the back surface Wb of the substrate W can be cleaned.
更に、本実施形態によれば、スピンチャック3を用いて洗浄ブラシ8を回転させることができる。したがって、洗浄ブラシ8を回転させるための回転機構を新たに設ける必要がない。
Further, according to the present embodiment, the cleaning
また、本実施形態によれば、基板Wを昇降させる機構を搭載させることにより、基板Wの裏面Wbを洗浄ブラシ8によって洗浄することができる。したがって、簡易な構成によって、基板Wの両面を洗浄することができる。
Further, according to the present embodiment, the back surface Wb of the substrate W can be cleaned by the cleaning
また、本実施形態によれば、基板Wの裏面Wbの洗浄時に、スピンチャック3の吸引口32が洗浄ブラシ8によって覆われる。したがって、基板Wの裏面Wbの洗浄時に第2処理液が吸引口32を介してスピンチャック3の内部に侵入することを回避できる。
Further, according to the present embodiment, when cleaning the back surface Wb of the substrate W, the
なお、図1〜図11を参照して説明した基板処理装置1において、スピンチャック3は洗浄ブラシ8の下面8bの中心部を吸着したが、図12に示すように、スピンチャック3は洗浄ブラシ8の下面8bの中心部以外の部位を吸着してもよい。換言すると、洗浄ブラシ8の下面8bの中心は、スピンチャック3の中心に対して偏心していてもよい。図12は、洗浄ブラシ8の吸着位置の他例を示す図である。
In the
図12に示すように、洗浄ブラシ8の下面8bの中心が、スピンチャック3の中心に対して偏心していても、基板Wの裏面Wbに対して、接触面31及び吸引口32に対向する範囲を洗浄することができる。すなわち、吸着痕を洗浄することができる。
As shown in FIG. 12, even if the center of the
また、図1〜図11を参照して説明した基板処理装置1において、洗浄ブラシ8は、吸着ベース3aと比べて大径であったが、洗浄ブラシ8は、吸着ベース3aと比べて小径であってもよいし、平面視において、吸着ベース3aの面積と同じ面積を有していてもよい。図12に示すように、洗浄ブラシ8の下面8bの中心をスピンチャック3の中心に対して偏心させる場合、洗浄ブラシ8が吸着ベース3aと比べて小径であっても、吸着痕を洗浄することができる。
Further, in the
[実施形態2]
続いて図13(a)〜図15(b)を参照して本発明の実施形態2について説明する。但し、実施形態1と異なる事項を説明し、実施形態1と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態2は、スピンチャック3及び洗浄ブラシ8の構成が実施形態1と異なる。
[Embodiment 2]
Subsequently, the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 13 (a) to 15 (b). However, matters different from those of the first embodiment will be described, and explanations of the same matters as those of the first embodiment will be omitted. In the second embodiment, the configurations of the
まず、図13(a)及び図13(b)を参照して実施形態2の基板処理装置1が備えるスピンチャック3及び洗浄ブラシ8を説明する。図13(a)は、スピンチャック3を示す平面図である。図13(b)は、スピンチャック3及び洗浄ブラシ8の断面図である。
First, the
図13(a)に示すように、スピンチャック3は、第1係合部33を有する。第1係合部33は、接触面31のうち、吸引口32以外の領域に設けられる。本実施形態において、第1係合部33は、第1嵌合凹部33aと、第2嵌合凹部33bとを含む。第1嵌合凹部33aと、第2嵌合凹部33bとは、吸引口32を介して対向している。第1嵌合凹部33a及び第2嵌合凹部33bは、平面視円形状である。
As shown in FIG. 13A, the
図13(b)に示すように、洗浄ブラシ8は、第2係合部830を有する。第2係合部830は、ホルダー820の下面820bに設けられる。第2係合部830は、スピンチャック3が洗浄ブラシ8を吸着する際に第1係合部33と係合する。
As shown in FIG. 13B, the cleaning
本実施形態において、第2係合部830は、第1凸部830aと、第2凸部830bとを含む。第1凸部830a及び第2凸部830bは、ホルダー820の下面820bから突出する。第1凸部830a及び第2凸部830bはそれぞれ、第1嵌合凹部33a及び第2嵌合凹部33bに対向する位置に配置される。第1凸部830a及び第2凸部830bは、円柱状である。
In the present embodiment, the second engaging portion 830 includes a first convex portion 830a and a second convex portion 830b. The first convex portion 830a and the second convex portion 830b project from the
スピンチャック3が洗浄ブラシ8を吸着する際に、第1凸部830a及び第2凸部830bはそれぞれ、第1嵌合凹部33a及び第2嵌合凹部33bに嵌合する。この結果、第1係合部33と第2係合部830とが係合する。
When the
以上、図13(a)及び図13(b)を参照して実施形態2を説明した。本実施形態によれば、第1係合部33と第2係合部830とが係合することにより、基板Wの裏面Wbの洗浄時に、洗浄ブラシ8が吸着ベース3aに対して回転方向に相対的に回転する不具合の発生を回避することができる。換言すると、基板Wの裏面Wbの洗浄時に洗浄ブラシ8が回転しない不具合の発生を回避することができる。
The second embodiment has been described above with reference to FIGS. 13 (a) and 13 (b). According to the present embodiment, by engaging the first engaging portion 33 and the second engaging portion 830, the cleaning
なお、第1係合部33は2つの嵌合凹部を有したが、第1係合部33は3つ以上の嵌合凹部を有してもよい。同様に、第2係合部830は2つの凸部を有したが、第2係合部830は3つ以上の凸部を有してもよい。 The first engaging portion 33 has two fitting recesses, but the first engaging portion 33 may have three or more fitting recesses. Similarly, the second engaging portion 830 has two convex portions, but the second engaging portion 830 may have three or more convex portions.
続いて、図14(a)〜図15(b)を参照してスピンチャック3の変形例(第1変形例〜第3変形例)を説明する。まず、図14(a)及び図14(b)を参照してスピンチャック3の第1変形例及び第2変形例を説明する。図14(a)は、スピンチャック3の第1変形例を示す平面図である。より詳しくは、図14(a)は、洗浄ブラシ8を吸着しているスピンチャック3を示す。
Subsequently, a modified example of the spin chuck 3 (first modified example to third modified example) will be described with reference to FIGS. 14 (a) to 15 (b). First, a first modified example and a second modified example of the
図13(a)及び図13(b)を参照して説明した第1係合部33は、平面視円形状の凹部を有したが、第1係合部33は、平面視円形状の凹部に限定されない。第1係合部33は、第2係合部830と係合できる形状であればよい。 The first engaging portion 33 described with reference to FIGS. 13 (a) and 13 (b) has a concave portion having a circular shape in a plan view, whereas the first engaging portion 33 has a concave portion having a circular shape in a plan view. Not limited to. The first engaging portion 33 may have a shape that can be engaged with the second engaging portion 830.
例えば、図14(a)に示すように、第1係合部33は、溝状でもよい。具体的には、図14(a)に示す第1係合部33は、第1溝部34a及び第2溝部34bを含む。第1溝部34aと第2溝部34bとは、吸引口32を介して対向している。第1溝部34a及び第2溝部34bはそれぞれ、周方向に沿って延びる。
For example, as shown in FIG. 14A, the first engaging portion 33 may have a groove shape. Specifically, the first engaging portion 33 shown in FIG. 14A includes a first groove portion 34a and a second groove portion 34b. The first groove portion 34a and the second groove portion 34b face each other via the
スピンチャック3の第1変形例によれば、第1係合部33と第2係合部830とをより容易に係合させることができる。具体的には、第1溝部34aは周方向に沿って延びているため、第1溝部34aに第1凸部830aを挿入する作業が容易となる。同様に、第2溝部34bは周方向に沿って延びているため、第2溝部34bに第2凸部830bを挿入する作業が容易となる。
According to the first modification of the
なお、基板Wの裏面Wbの洗浄時に、洗浄ブラシ8が吸着ベース3aに対して回転方向に相対的に回転しても、第1凸部830aが、回転方向における第1溝部34aの一方の端で係止される。あるいは、洗浄ブラシ8が吸着ベース3aに対して回転方向に相対的に回転しても、第2凸部830bが、回転方向における第2溝部34bの一方の端で係止される。したがって、洗浄ブラシ8が回転しない不具合の発生を回避することができる。
When cleaning the back surface Wb of the substrate W, even if the cleaning
図14(b)は、スピンチャック3の第2変形例を示す平面図である。より詳しくは、図14(b)は、洗浄ブラシ8を吸着しているスピンチャック3を示す。図14(b)に示すように、第1係合部33は平面視扇型であってもよい。具体的には、図14(b)に示す第1係合部33は、第1扇形凹部35aと、第2扇形凹部35bとを含む。第1扇形凹部35aと第2扇形凹部35bとは、吸引口32を介して対向している。具体的には、第1扇形凹部35aの要部と、第2扇形凹部35bの要部とが、吸引口32を介して対向している。したがって、第1扇形凹部35a及び第2扇形凹部35bはそれぞれ、吸引口32から径方向外側に向かって末広がり状に拡がる。
FIG. 14B is a plan view showing a second modification of the
スピンチャック3の第2変形例によれば、スピンチャック3の第1変形例と同様に、第1係合部33と第2係合部830とをより容易に係合させることができる。
According to the second modification of the
なお、基板Wの裏面Wbの洗浄時に、洗浄ブラシ8が吸着ベース3aに対して回転方向に相対的に回転しても、第1凸部830aが、回転方向における第1扇形凹部35aの一方の端で係止される。あるいは、洗浄ブラシ8が吸着ベース3aに対して回転方向に相対的に回転しても、第2凸部830bが、回転方向における第2扇形凹部35bの一方の端で係止される。したがって、洗浄ブラシ8が回転しない不具合の発生を回避することができる。
When cleaning the back surface Wb of the substrate W, even if the cleaning
続いて、図15(a)及び図15(b)を参照してスピンチャック3の第3変形例を説明する。図15(a)及び図15(b)は、スピンチャック3の第3変形例を示す平面図である。詳しくは、図15(b)は、洗浄ブラシ8を吸着しているスピンチャック3を示す。
Subsequently, a third modification example of the
図15(a)に示すように、スピンチャック3は、互いに異なる位置に配置された複数の第1係合部33を有してもよい。スピンチャック3の第3変形例は、3つの第1係合部33を有する。具体的には、3つの第1係合部33は、第1嵌合凹部33a1と第2嵌合凹部33b1との組からなる第1係合部33と、第1嵌合凹部33a2と第2嵌合凹部33b2との組からなる第1係合部33と、第1嵌合凹部33a3と第2嵌合凹部33b3との組からなる第1係合部33とを含む。
As shown in FIG. 15A, the
以下、第1嵌合凹部33a1と第2嵌合凹部33b1との組からなる第1係合部33を「+X側係合部33」と記載し、第1嵌合凹部33a2と第2嵌合凹部33b2との組からなる第1係合部33を「中央係合部33」と記載し、第1嵌合凹部33a3と第2嵌合凹部33b3の組からなる第1係合部33を「−X側係合部33」と記載する。 Hereinafter, the first engaging portion 33 composed of a pair of the first fitting recess 33a1 and the second fitting recess 33b1 is described as "+ X side engaging portion 33", and the first fitting recess 33a2 and the second fitting recess 33a2 are secondly fitted. The first engaging portion 33 composed of a pair with the recess 33b2 is described as "center engaging portion 33", and the first engaging portion 33 composed of a pair of the first fitting recess 33a3 and the second fitting recess 33b3 is described as "center engaging portion 33". -X side engaging portion 33 ".
+X側係合部33と、中央係合部33と、−X側係合部33とは、この順に並んでいる。具体的には、中央係合部33の第1嵌合凹部33a2及び第2嵌合凹部33b2は、吸引口32を介して対向している。+X側係合部33の第1嵌合凹部33a1は、中央係合部33の第1嵌合凹部33a2に対して一方側(+X側)に位置し、−X側係合部33の第1嵌合凹部33a3は、中央係合部33の第1嵌合凹部33a2に対して他方側(−X側)に位置する。同様に、+X側係合部33の第2嵌合凹部33b1は、中央係合部33の第2嵌合凹部33b2に対して一方側(+X側)に位置し、−X側係合部33の第2嵌合凹部33b3は、中央係合部33の第2嵌合凹部33b2に対して他方側(−X側)に位置する。
The + X side engaging portion 33, the central engaging portion 33, and the −X side engaging portion 33 are arranged in this order. Specifically, the first fitting recess 33a2 and the second fitting recess 33b2 of the central engaging portion 33 face each other via the
スピンチャック3の第3変形例によれば、図15(b)に示すように、洗浄ブラシ8の第2係合部830が係合する第1係合部33を、3つの第1係合部33の間で変更することにより、スピンチャック3に対する洗浄ブラシ8の位置を容易に変更することができる。したがって、洗浄ブラシ8によって洗浄する範囲を容易に変更することができる。
According to the third modification of the
図15(b)において、斜線を付している部分は、洗浄ブラシ8の第2係合部830(第1凸部830a及び第2凸部830b)が係合している第1係合部33を示している。具体的には、図15(b)は、洗浄ブラシ8の第2係合部830(第1凸部830a及び第2凸部830b)が、+X側係合部33(第1嵌合凹部33a1及び第2嵌合凹部33b1)に係合している状態を示している。この場合、洗浄ブラシ8の下面8bの中心は、スピンチャック3の中心に対して一方側(+X側)に偏心する。
In FIG. 15B, the shaded portion is the first engaging portion with which the second engaging portion 830 (first convex portion 830a and second convex portion 830b) of the cleaning
なお、図15(a)及び図15(b)を参照して説明したスピンチャック3は3つの第1係合部33を有したが、第1係合部33の数は3つに限定されない。スピンチャック3は2つの第1係合部33を有してもよいし、4つ以上の第1係合部33を有してもよい。
The
以上、図面(図1〜図15(b))を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings (FIGS. 1 to 15 (b)). However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented in various aspects without departing from the gist thereof. In addition, the plurality of components disclosed in the above-described embodiment can be appropriately modified. For example, one component of all components shown in one embodiment may be added to another component of another embodiment, or some component of all components shown in one embodiment. The element may be removed from the embodiment.
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。 The drawings are schematically shown mainly for each component in order to facilitate the understanding of the invention, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each of the illustrated components are convenient for drawing creation. It may be different from the actual one from the top. Further, the configuration of each component shown in the above embodiment is an example and is not particularly limited, and it goes without saying that various changes can be made without substantially deviating from the effect of the present invention. ..
例えば、図1〜図15(b)を参照して説明した実施形態において、洗浄ブラシ8のブラシ本体810は平面視円形状であったが、ブラシ本体810の形状は、基板Wの裏面Wbを洗浄できる限り、特に限定されない。例えば、ブラシ本体810は、平面視矩形状であってもよい。
For example, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15 (b), the
また、図1〜図15(b)を参照して説明した実施形態において、基板処理装置1は、基板Wの表面Wsを処理した後に基板Wの裏面Wbを処理したが、基板処理装置1は、基板Wの裏面Wbを処理した後に基板Wの表面Wsを処理してもよい。
Further, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15 (b), the
また、図1〜図15(b)を参照して説明した実施形態において、基板処理装置1は、第1処理液によって基板Wの表面Wsを処理したが、基板処理装置1は、洗浄ブラシによって基板Wの表面Wsを処理してもよい。この場合、基板処理装置1は、洗浄ブラシを移動させて基板Wの表面Wsに洗浄ブラシを接触させる移動機構を備える。
Further, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15 (b), the
また、図1〜図15(b)を参照して説明した実施形態において、センターロボットCRは、チャンバー2内に基板Wを搬入する際に、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bに基板Wを受け渡したが、センターロボットCRは、チャンバー2内に基板Wを搬入する際に、スピンチャック3に基板Wを受け渡してもよい。
Further, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15 (b), the center robot CR attaches the substrate to the first
また、図1〜図15(b)を参照して説明した実施形態において、基板処理装置1は、基板Wを昇降させたが、基板処理装置1は、スピンチャック3を昇降させてもよい。あるいは、基板W及びスピンチャック3の双方を昇降させてもよい。この場合、基板処理装置1は、スピンチャック3を昇降させる昇降機構を備える。
Further, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15 (b), the
また、図1〜図15(b)を参照して説明した実施形態では、第1把持ピン5a及び第2把持ピン5bが基板Wを保持したが、基板処理装置1は、把持ピンによって基板Wを保持する構成に代えて、真空吸引によって基板Wを保持する構成を備えてもよい。具体的には、基板処理装置1は、基板Wの表面Wsを真空吸引する構成を備えてもよい。
Further, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15 (b), the first
また、図1〜図15(b)を参照して説明した実施形態では、第1移動機構6aにおいて第1把持ピン5aが第1アーム61aから下方に突出し、第2移動機構6bにおいて第2把持ピン5bが第2アーム61bから下方に突出する構成となっているが、第1移動機構6aにおいて第1把持ピン5aが第1アーム61aから上方に突出し、第2移動機構6bにおいて第2把持ピン5bが第2アーム61bから上方に突出する構成としてもよい。
Further, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15 (b), the first
また、図13(a)〜図15(b)を参照した実施形態において、第1嵌合凹部33aは平面視円形状であったが、第1嵌合凹部33aは平面視円形状に限定されない。例えば、第1嵌合凹部33aは平面視矩形状であってもよい。同様に、図13(a)〜図15(b)を参照した実施形態において、第2嵌合凹部33bは平面視円形状であったが、第2嵌合凹部33bは平面視円形状に限定されない。例えば、第2嵌合凹部33bは平面視矩形状であってもよい。 Further, in the embodiment with reference to FIGS. 13 (a) to 15 (b), the first fitting recess 33a has a circular shape in a plan view, but the first fitting recess 33a is not limited to the circular shape in a plan view. .. For example, the first fitting recess 33a may have a rectangular shape in a plan view. Similarly, in the embodiment with reference to FIGS. 13 (a) to 15 (b), the second fitting recess 33b has a circular shape in a plan view, but the second fitting recess 33b is limited to a circular shape in a plan view. Not done. For example, the second fitting recess 33b may have a rectangular shape in a plan view.
また、図13(a)〜図15(b)を参照した実施形態において、第1凸部830aは円柱状であったが、第1凸部830aは円柱状に限定されない。第1凸部830aの形状は、第1係合部33と係合できる形状であればよく、例えば角柱状であってもよい。同様に、図13(a)〜図15(b)を参照した実施形態において、第2凸部830bは円柱状であったが、第2凸部830bは円柱状に限定されない。第2凸部830bの形状は、第1係合部33と係合できる形状であればよく、例えば角柱状であってもよい。 Further, in the embodiment with reference to FIGS. 13 (a) to 15 (b), the first convex portion 830a is columnar, but the first convex portion 830a is not limited to the columnar shape. The shape of the first convex portion 830a may be any shape as long as it can engage with the first engaging portion 33, and may be, for example, a prismatic shape. Similarly, in the embodiment with reference to FIGS. 13 (a) to 15 (b), the second convex portion 830b is columnar, but the second convex portion 830b is not limited to the columnar shape. The shape of the second convex portion 830b may be any shape as long as it can engage with the first engaging portion 33, and may be, for example, a prismatic shape.
また、図13(a)〜図15(b)を参照した実施形態において、第1係合部33は凹部を有し、第2係合部830は凸部を有したが、第1係合部33が凸部を有し、第2係合部830が凹部を有してもよい。 Further, in the embodiment with reference to FIGS. 13 (a) to 15 (b), the first engaging portion 33 has a concave portion and the second engaging portion 830 has a convex portion, but the first engaging portion has a convex portion. The portion 33 may have a convex portion and the second engaging portion 830 may have a concave portion.
本発明は、基板を処理する分野に有用である。 The present invention is useful in the field of processing substrates.
1 :基板処理装置
3 :スピンチャック
4 :スピンモータ部
5a :第1把持ピン
5b :第2把持ピン
6a :第1移動機構
6b :第2移動機構
7 :第1ノズル
8 :洗浄ブラシ
8b :下面
31 :接触面
32 :吸引口
33 :第1係合部
70 :ノズル移動機構
80 :ブラシ搬送機構
101 :制御装置
102 :制御部
104 :記憶部
810 :ブラシ本体
820 :ホルダー
820b :下面
830 :第2係合部
W :基板
Wb :裏面
Ws :表面
1: Substrate processing device 3: Spin chuck 4: Spin
Claims (9)
前記ホルダーの前記ブラシ本体とは反対側の下面を吸着して、前記洗浄ブラシを保持する第1保持部と、
前記第1保持部が前記洗浄ブラシの前記下面を吸着するように前記第1保持部に前記洗浄ブラシを受け渡す受け渡し位置と、平面視において前記洗浄ブラシが前記第1保持部と重ならない退避位置との間で前記洗浄ブラシを搬送する搬送機構と、
前記基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部及び前記第2保持部の少なくとも一方を移動させて、前記基板の裏面に前記洗浄ブラシの前記ブラシ本体を接触させる移動機構と、
前記洗浄ブラシを保持する前記第1保持部を回転させて、前記洗浄ブラシを前記第1保持部と一体的に回転させる回転駆動部と
を備え、
前記洗浄ブラシは、回転することによって前記基板の裏面を洗浄し、
前記第2保持部は、前記基板のうち、前記洗浄ブラシによって洗浄される範囲とは異なる部位を保持する、基板処理装置。 A cleaning brush having a brush body for cleaning the substrate and a holder to which the brush body is attached.
A first holding portion that attracts the lower surface of the holder on the side opposite to the brush body to hold the cleaning brush, and a first holding portion.
A delivery position where the cleaning brush is delivered to the first holding portion so that the first holding portion attracts the lower surface of the cleaning brush, and a retracted position where the cleaning brush does not overlap with the first holding portion in a plan view. A transport mechanism that transports the cleaning brush between and
A second holding portion for holding the substrate and
A moving mechanism that moves at least one of the first holding portion and the second holding portion to bring the brush body of the cleaning brush into contact with the back surface of the substrate.
A rotation drive unit for rotating the first holding portion for holding the cleaning brush and integrally rotating the cleaning brush with the first holding portion is provided.
The cleaning brush cleans the back surface of the substrate by rotating.
The second holding portion is a substrate processing device that holds a portion of the substrate that is different from the range cleaned by the cleaning brush.
前記洗浄ブラシの前記下面と接触する接触面と、
前記接触面に形成された吸引口と、
前記接触面のうち、前記吸引口以外の領域に設けられた第1係合部と
を有し、
前記洗浄ブラシは、前記第1係合部と係合する第2係合部を有し、
前記第2係合部は、前記ホルダーの前記下面に設けられる、請求項1に記載の基板処理装置。 The first holding portion is
A contact surface that contacts the lower surface of the cleaning brush,
With the suction port formed on the contact surface,
It has a first engaging portion provided in a region other than the suction port of the contact surface, and has a first engaging portion.
The cleaning brush has a second engaging portion that engages with the first engaging portion.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second engaging portion is provided on the lower surface of the holder.
前記接触位置に位置する前記洗浄ブラシの前記ブラシ本体は、前記基板の裏面のうち、平面視において前記第1保持部から外れている部分に接触し、
前記回転駆動部は、前記基板を保持する前記第1保持部を回転させることにより、前記基板を回転させ、
前記洗浄ブラシは、回転する前記基板に接触することにより、前記基板の裏面の一部を洗浄する、請求項5に記載の基板処理装置。 The transport mechanism transports the cleaning brush to a contact position where the brush body of the cleaning brush comes into contact with a part of the back surface of the substrate held by the first holding portion.
The brush body of the cleaning brush located at the contact position comes into contact with a portion of the back surface of the substrate that is detached from the first holding portion in a plan view.
The rotation drive unit rotates the substrate by rotating the first holding unit that holds the substrate.
The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the cleaning brush cleans a part of the back surface of the substrate by coming into contact with the rotating substrate.
前記移動機構は、前記第1保持部及び前記第2保持部の少なくとも一方を移動させて、前記基板を前記第1保持部から離し、
前記搬送機構は、前記基板が前記第1保持部から離れている間に、前記洗浄ブラシを前記受け渡し位置へ搬送する、請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The second holding portion holds the substrate held by the first holding portion, and holds the substrate.
The moving mechanism moves at least one of the first holding portion and the second holding portion to separate the substrate from the first holding portion.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 5 to 7, wherein the transport mechanism transports the cleaning brush to the delivery position while the substrate is separated from the first holding portion.
搬送機構が前記洗浄ブラシを搬送して、第1保持部に前記洗浄ブラシを受け渡す工程と、
前記第1保持部が、前記ホルダーの前記ブラシ本体とは反対側の下面を吸着して、前記洗浄ブラシを保持する工程と、
移動機構が、前記第1保持部と、前記基板を保持する第2保持部との少なくとも一方を移動させて、前記基板の裏面を前記洗浄ブラシの前記ブラシ本体に接触させる工程と、
回転駆動部が、前記洗浄ブラシを保持する前記第1保持部を回転させて、前記第1保持部と一体的に回転する前記洗浄ブラシによって前記基板の裏面を洗浄する工程と
を含む、基板処理方法。 A substrate processing method for cleaning the back surface of a substrate using a cleaning brush having a brush body for cleaning the substrate and a holder to which the brush body is attached.
A process in which the transport mechanism conveys the cleaning brush and delivers the cleaning brush to the first holding portion.
A step in which the first holding portion attracts the lower surface of the holder on the side opposite to the brush body to hold the cleaning brush.
A step in which the moving mechanism moves at least one of the first holding portion and the second holding portion that holds the substrate to bring the back surface of the substrate into contact with the brush body of the cleaning brush.
Substrate processing including a step in which the rotation driving unit rotates the first holding portion that holds the cleaning brush and cleans the back surface of the substrate with the cleaning brush that rotates integrally with the first holding portion. Method.
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