JP2009123801A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Koji Nishiyama
耕二 西山
Hiroyuki Yoshii
弘至 吉井
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a holding unit cleaning system capable of maintaining a holding unit of a substrate transport means in a clean condition. <P>SOLUTION: A spin chuck 51 is rotatably driven by a chuck rotating mechanism 511 while a substrate Wa for cleaning is held in the spin chuck 51. In this way, the substrate Wa for cleaning is rotated. A hand CRH1 of a first center robot CR 1 moves so as to surround the rotating substrate Wa for cleaning. In that state, the hand CRH1 subtly reciprocates in vertical and horizontal directions. In this way, the hand CRH1 slightly abuts on the outer edge of the rotating substrate Wa for cleaning. Thus, contaminants adhering on the hand CRH1 can be abraded by the substrate Wa for cleaning. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.

従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus has been used to perform various processes on a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, and a glass substrate for an optical disk.

例えば基板処理装置には、基板に成膜処理を行う成膜処理ユニットおよび基板を搬送する搬送ロボットが設ける。搬送ロボットには、基板の外周端部を保持するためのハンドが設けられる。搬送ロボットは、ハンドによって基板を保持し、成膜処理ユニットに対する基板の搬入および搬出を行う。   For example, the substrate processing apparatus is provided with a film formation processing unit that performs film formation processing on the substrate and a transfer robot that transfers the substrate. The transfer robot is provided with a hand for holding the outer peripheral edge of the substrate. The transfer robot holds the substrate with a hand and carries the substrate into and out of the film forming unit.

ところで、成膜処理時には、基板上に種々の膜が形成される。その膜が、基板の外周端部にも形成されることがある。その場合、成膜処理後の基板が搬送ロボットのハンドによって保持されるときに、基板の外周端部に形成された膜が剥離して搬送ロボットのハンドに汚染物として付着することがある。搬送ロボットのハンドに汚染物が付着すると、その汚染物が他の基板に転移して基板の処理不良が発生する可能性がある。また、その汚染物が基板処理装置内に落下し、基板処理装置の動作不良が発生する可能性もある。   By the way, during the film forming process, various films are formed on the substrate. The film may also be formed on the outer peripheral edge of the substrate. In that case, when the substrate after film formation is held by the hand of the transfer robot, the film formed on the outer peripheral edge of the substrate may be peeled off and adhere to the transfer robot hand as a contaminant. If contaminants adhere to the hand of the transfer robot, the contaminants may transfer to another substrate and cause a substrate processing failure. In addition, the contaminants may fall into the substrate processing apparatus, causing a malfunction of the substrate processing apparatus.

そこで、成膜処理後の基板にエッジリンス処理を行うことが提案されている(例えば特許文献1参照)。エッジリンス処理では、成膜処理後の基板の周縁部に薬液が供給されることにより、基板の周縁部に形成された膜が除去される。それにより、搬送ロボットのハンドの汚染を抑制することができる。
特開平2−51219号公報
Therefore, it has been proposed to perform an edge rinse process on the substrate after the film formation process (see, for example, Patent Document 1). In the edge rinse process, a chemical solution is supplied to the peripheral part of the substrate after the film formation process, whereby the film formed on the peripheral part of the substrate is removed. Thereby, contamination of the hand of the transfer robot can be suppressed.
Japanese Patent Laid-Open No. 2-51219

しかしながら、上記のエッジリンス処理を行った場合でも、基板の周縁部に付着する膜を十分に取り除くことができないことがある。そのため、搬送ロボットのハンドの汚染を十分に防止することができない。また、基板上に形成される膜以外の他の汚染物(塵埃等)が搬送ロボットのハンドに付着し、その汚染物が基板に転移して基板の処理不良が発生することもある。   However, even when the edge rinsing process is performed, the film adhering to the peripheral edge of the substrate may not be sufficiently removed. Therefore, contamination of the hand of the transfer robot cannot be sufficiently prevented. Further, other contaminants (dust etc.) other than the film formed on the substrate may adhere to the hand of the transfer robot, and the contaminants may be transferred to the substrate, resulting in substrate processing failure.

本発明の目的は、基板搬送手段の保持部を清浄に維持することが可能な保持部洗浄システムを提供することである。   The objective of this invention is providing the holding | maintenance part washing | cleaning system which can maintain the holding | maintenance part of a board | substrate conveyance means cleanly.

(1)第1の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う処理ユニットと、基板を保持する保持部および保持部を移動させる移動機構を含み、所定位置と処理ユニットとの間で基板を搬送する基板搬送手段と、処理ユニットおよび基板搬送手段を制御する制御手段と、基板搬送手段による基板の搬送経路および処理ユニットの少なくとも一方に設けられ、基板搬送手段の保持部を洗浄する保持部洗浄手段とを備え、保持部洗浄手段は、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる基板保持回転手段を含み、制御部は、保持部の洗浄時に、基板保持回転手段により回転する基板に保持部が接触するように基板保持回転手段および移動機構を制御するものである。   (1) A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention includes a processing unit that processes a substrate, a holding unit that holds the substrate, and a moving mechanism that moves the holding unit, and the substrate between the predetermined position and the processing unit. A substrate transport unit for transporting the substrate, a control unit for controlling the processing unit and the substrate transport unit, and a holding unit for cleaning the holding unit of the substrate transport unit provided in at least one of the substrate transport path and the processing unit by the substrate transport unit The holding unit cleaning unit includes a substrate holding and rotating unit that rotates the substrate while holding the substrate in a horizontal posture, and the control unit holds the holding unit on the substrate that is rotated by the substrate holding and rotating unit when cleaning the holding unit. The substrate holding and rotating means and the moving mechanism are controlled so that they come into contact with each other.

その基板処理装置においては、基板搬送手段により所定位置と処理ユニットとの間で基板が搬送され、処理ユニットにより基板に処理が行われる。また、基板搬送手段による基板の搬送経路および処理ユニットの少なくとも一方において、保持部洗浄手段により基板搬送手段の保持部が洗浄される。   In the substrate processing apparatus, the substrate is transferred between a predetermined position and the processing unit by the substrate transfer means, and the substrate is processed by the processing unit. The holding unit of the substrate transfer unit is cleaned by the holding unit cleaning unit in at least one of the substrate transfer path by the substrate transfer unit and the processing unit.

保持部の洗浄時には、基板保持回転手段により、基板が水平姿勢で保持されて回転する。その状態で、その基板に接触するように保持部が移動機構によって移動する。この場合、基板と保持部との摩擦によって保持部に付着する汚染物が取り除かれる。   When cleaning the holding unit, the substrate is held and rotated in a horizontal posture by the substrate holding and rotating means. In this state, the holding unit moves by the moving mechanism so as to come into contact with the substrate. In this case, contaminants adhering to the holding part are removed by friction between the substrate and the holding part.

これにより、基板搬送手段の保持部を清浄に維持することができる。したがって、処理ユニットによる処理前または処理後の基板に保持部を介して汚染物が転移すること、および保持部から基板処理装置内に汚染物が落下することが防止される。その結果、基板の処理不良および基板処理装置の動作不良の発生が防止される。   Thereby, the holding | maintenance part of a board | substrate conveyance means can be maintained cleanly. Accordingly, it is possible to prevent the contaminants from being transferred to the substrate before or after the processing by the processing unit via the holding unit, and the contaminants from falling into the substrate processing apparatus from the holding unit. As a result, the processing failure of the substrate and the operation failure of the substrate processing apparatus are prevented.

また、人手を必要とせずに保持部を清浄に維持することができるので、使用者の作業負担の増大を抑制することができる。   Moreover, since a holding | maintenance part can be maintained cleanly without requiring a manual labor, the increase in a user's work burden can be suppressed.

(2)処理ユニットは、保持部洗浄手段の基板保持回転手段と共通に設けられる第1の基板保持回転装置と、第1の基板保持回転装置により回転する基板に処理を行う処理手段とを含み、制御部は、保持部の洗浄時に、第1の基板保持回転装置により回転する基板に保持部が接触するように第1の基板保持回転装置および移動機構を制御してもよい。   (2) The processing unit includes a first substrate holding / rotating device provided in common with the substrate holding / rotating unit of the holding unit cleaning unit, and a processing unit that performs processing on the substrate rotated by the first substrate holding / rotating device. The control unit may control the first substrate holding and rotating device and the moving mechanism so that the holding unit comes into contact with the substrate rotated by the first substrate holding and rotating device when the holding unit is cleaned.

この場合、基板の処理時には、第1の基板保持回転装置によって基板が保持されて回転し、処理手段によりその基板に処理が行われる。保持部の洗浄時には、第1の基板保持回転装置によって基板が保持されて回転し、その基板に接触するように保持部が移動する。   In this case, when the substrate is processed, the substrate is held and rotated by the first substrate holding and rotating device, and the substrate is processed by the processing means. At the time of cleaning the holding unit, the substrate is held and rotated by the first substrate holding and rotating device, and the holding unit moves so as to come into contact with the substrate.

このように、処理ユニットの第1の基板保持回転装置が、基板の処理時と保持部の洗浄時とで兼用されることにより、基板処理装置の大型化およびコストの増大が抑制される。   As described above, the first substrate holding / rotating device of the processing unit is used both for processing the substrate and for cleaning the holding unit, thereby suppressing an increase in size and cost of the substrate processing device.

(3)基板処理装置は、搬送経路に設けられ、基板が一時的に載置される基板載置部をさらに備え、基板載置部は、保持部洗浄手段の基板保持回転手段と共通に設けられる第2の基板保持回転装置を含み、制御部は、保持部の洗浄時に、第2の基板保持回転装置により回転する基板に保持部が接触するように第2の基板保持回転装置および移動機構を制御してもよい。   (3) The substrate processing apparatus further includes a substrate platform that is provided in the transport path and on which the substrate is temporarily placed, and the substrate platform is provided in common with the substrate holding and rotating unit of the holding unit cleaning unit. The second substrate holding and rotating device and the moving mechanism are arranged so that the holding unit comes into contact with the substrate rotated by the second substrate holding and rotating device when the holding unit is cleaned. May be controlled.

この場合、基板の処理時には、基板搬送手段によって搬送される基板が基板載置部に一時的に載置される。保持部の洗浄時には、基板載置部において、第2の基板保持回転装置により基板が保持されて回転し、その基板に接触するように保持部が移動する。   In this case, at the time of processing the substrate, the substrate transported by the substrate transport means is temporarily placed on the substrate platform. At the time of cleaning the holding unit, the substrate mounting unit rotates and holds the substrate by the second substrate holding and rotating device, and the holding unit moves so as to come into contact with the substrate.

このように、基板搬送手段による基板の搬送経路において保持部の洗浄が行われることにより、保持部の洗浄のためのスペースを基板の処理のためのスペースと別個に確保する必要がない。したがって、基板処理装置の大型化およびコストの増大が抑制される。   As described above, since the holding unit is cleaned in the substrate transfer path by the substrate transfer unit, it is not necessary to secure a space for cleaning the holding unit separately from a space for processing the substrate. Therefore, an increase in the size and cost of the substrate processing apparatus is suppressed.

(4)基板保持回転手段は、保持部の洗浄時に、洗浄用の基板を保持し、洗浄用の基板の外周部は、柔軟性を有する洗浄部材を有してもよい。   (4) The substrate holding and rotating means may hold the cleaning substrate when cleaning the holding portion, and the outer peripheral portion of the cleaning substrate may have a flexible cleaning member.

この場合、基板保持回転手段によって保持されて回転する洗浄用の基板に保持部を接触させることにより、柔軟性を有する洗浄部材によって保持部に付着する汚染物を確実に取り除くことができる。それにより、基板搬送手段の保持部をより清浄に維持することができる。   In this case, by bringing the holding portion into contact with the cleaning substrate held and rotated by the substrate holding and rotating means, the contaminants attached to the holding portion can be reliably removed by the flexible cleaning member. Thereby, the holding | maintenance part of a board | substrate conveyance means can be maintained more cleanly.

(5)基板処理装置は、保持部の洗浄後に、基板保持回転手段により回転する基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段をさらに備えてもよい。   (5) The substrate processing apparatus may further include a cleaning liquid supply unit that supplies a cleaning liquid to the substrate rotated by the substrate holding and rotating unit after cleaning the holding unit.

この場合、保持部の洗浄後に基板に洗浄液を供給することにより、保持部から基板に転移した汚染物を洗い流すことができる。それにより、同一の基板を保持部の洗浄に繰り返し使用することが可能となる。   In this case, the contaminants transferred from the holding unit to the substrate can be washed away by supplying a cleaning liquid to the substrate after cleaning the holding unit. Thereby, it is possible to repeatedly use the same substrate for cleaning the holding unit.

(6)保持部は、基板の外周端部を支持する支持部材を含み、制御手段は、基板保持回転手段により回転する基板の外周端部に保持部の支持部材が接触するように基板保持回転手段および移動機構を制御してもよい。   (6) The holding unit includes a support member that supports the outer peripheral end of the substrate, and the control unit rotates and holds the substrate so that the support member of the holding unit contacts the outer peripheral end of the substrate rotated by the substrate holding and rotating unit. The means and the moving mechanism may be controlled.

この場合、支持部材によって基板の外周端部が支持されることにより、保持部と基板との接触面積が小さくなる。そのため、保持部と基板との間の汚染物の転移が抑制される。また、基板保持回転手段により回転する基板の外周端部に保持部の支持部材が接触することにより、支持部材に付着する汚染物が取り除かれる。それにより、処理ユニットによる処理前または処理後の基板に支持部材を介して汚染物が転移すること、および支持部材から基板処理装置内に汚染物が落下することが十分に防止される。   In this case, the contact area between the holding portion and the substrate is reduced by supporting the outer peripheral end portion of the substrate by the support member. Therefore, transfer of contaminants between the holding unit and the substrate is suppressed. Further, when the support member of the holding unit comes into contact with the outer peripheral end of the substrate rotated by the substrate holding and rotating means, contaminants attached to the support member are removed. This sufficiently prevents the contaminants from being transferred to the substrate before or after the processing by the processing unit via the support member, and the contaminants from dropping from the support member into the substrate processing apparatus.

(7)第2の発明に係る保持部洗浄システムは、基板搬送手段において基板を保持する保持部を洗浄する保持部洗浄システムであって、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる基板保持回転手段と、基板保持回転手段により回転する基板に保持部が接触するように基板保持回転手段および基板搬送手段を制御する制御手段とを備えるものである。   (7) A holding unit cleaning system according to a second aspect of the invention is a holding unit cleaning system for cleaning a holding unit that holds a substrate in the substrate transfer unit, and the substrate holding and rotating unit that rotates while holding the substrate in a horizontal posture. And a control means for controlling the substrate holding and rotating means and the substrate transport means so that the holding portion contacts the substrate rotated by the substrate holding and rotating means.

その保持部洗浄システムにおいては、基板保持回転手段により、基板が水平姿勢で保持されて回転する。その状態で、基板搬送手段の保持部が、回転する基板に接触する。この場合、基板と保持部との摩擦によって保持部に付着する汚染物が取り除かれる。   In the holding unit cleaning system, the substrate is held and rotated in a horizontal posture by the substrate holding and rotating means. In this state, the holding unit of the substrate transport unit comes into contact with the rotating substrate. In this case, contaminants adhering to the holding part are removed by friction between the substrate and the holding part.

これにより、基板搬送手段の保持部を清浄に維持することができる。したがって、種々の処理が施されるべき基板に保持部を介して汚染物が転移することが防止される。その結果、基板の処理不良の発生が防止される。   Thereby, the holding | maintenance part of a board | substrate conveyance means can be maintained cleanly. Therefore, it is possible to prevent contaminants from being transferred to the substrate to be subjected to various treatments via the holding unit. As a result, the occurrence of processing defects on the substrate is prevented.

また、人手を必要とせずに基板搬送手段の保持部を清浄に維持することができるので、使用者の作業負担の増大を抑制することができる。   Moreover, since the holding | maintenance part of a board | substrate conveyance means can be maintained cleanly without requiring a manual labor, the increase in a user's work burden can be suppressed.

本発明によれば、基板搬送手段の保持部を清浄に維持することができる。したがって、処理ユニットによる処理前または処理後の基板に保持部を介して汚染物が転移すること、および保持部から基板処理装置内に汚染物が落下することが防止される。その結果、基板の処理不良および基板処理装置の動作不良の発生が防止される。また、人手を必要とせずに保持部を清浄に維持することができるので、使用者の作業負担の増大を抑制することができる。   According to the present invention, it is possible to keep the holding portion of the substrate transfer means clean. Accordingly, it is possible to prevent the contaminants from being transferred to the substrate before or after the processing by the processing unit via the holding unit, and the contaminants from falling into the substrate processing apparatus from the holding unit. As a result, the processing failure of the substrate and the operation failure of the substrate processing apparatus are prevented. Moreover, since a holding | maintenance part can be maintained cleanly without requiring a manual labor, the increase in a user's work burden can be suppressed.

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。   Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the substrate refers to a semiconductor substrate, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, a photomask glass substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, and the like. Say.

(1)基板処理装置の構成
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図1ならびに後述する図2〜図4には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。また、Z方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. In addition, in FIG. 1 and FIGS. 2 to 4 to be described later, in order to clarify the positional relationship, arrows indicating the X direction, the Y direction, and the Z direction orthogonal to each other are attached. The X direction and the Y direction are orthogonal to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction. In each direction, the direction in which the arrow points is the + direction, and the opposite direction is the-direction. Further, the rotation direction around the Z direction is defined as the θ direction.

図1に示すように、基板処理装置500は、インデクサブロック9、反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11、現像処理ブロック12、レジストカバー膜用処理ブロック13、レジストカバー膜除去ブロック14およびインターフェースブロック15を含む。また、インターフェースブロック15に隣接するように露光装置16が配置される。露光装置16においては、液浸法により基板Wに露光処理が行われる。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 500 includes an indexer block 9, an antireflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, a resist cover film processing block 13, and a resist cover film removal block. 14 and an interface block 15. An exposure device 16 is arranged adjacent to the interface block 15. In the exposure apparatus 16, the substrate W is subjected to an exposure process by a liquid immersion method.

以下、インデクサブロック9、反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11、現像処理ブロック12、レジストカバー膜用処理ブロック13、レジストカバー膜除去ブロック14およびインターフェースブロック15の各々を処理ブロックと呼ぶ。   Hereinafter, each of the indexer block 9, the antireflection film processing block 10, the resist film processing block 11, the development processing block 12, the resist cover film processing block 13, the resist cover film removal block 14 and the interface block 15 is referred to as a processing block. Call.

インデクサブロック9は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ(制御部)30、複数のキャリア載置台40およびインデクサロボットIRを含む。インデクサロボットIRには、基板Wを受け渡すためのハンドIRHが設けられる。   The indexer block 9 includes a main controller (control unit) 30 that controls the operation of each processing block, a plurality of carrier platforms 40, and an indexer robot IR. The indexer robot IR is provided with a hand IRH for delivering the substrate W.

反射防止膜用処理ブロック10は、反射防止膜用熱処理部100,101、反射防止膜用塗布処理部50および第1のセンターロボットCR1を含む。反射防止膜用塗布処理部50は、第1のセンターロボットCR1を挟んで反射防止膜用熱処理部100,101に対向して設けられる。第1のセンターロボットCR1には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH1,CRH2が上下に設けられる。   The antireflection film processing block 10 includes antireflection film heat treatment units 100 and 101, an antireflection film application processing unit 50, and a first central robot CR1. The antireflection film coating processing unit 50 is provided opposite to the antireflection film heat treatment units 100 and 101 with the first central robot CR1 interposed therebetween. The first center robot CR1 is provided with hands CRH1 and CRH2 for transferring the substrate W up and down.

インデクサブロック9と反射防止膜用処理ブロック10との間には、雰囲気遮断用の隔壁17が設けられる。この隔壁17には、基板載置部PASS1,PASS2および洗浄用基板収容部ST1が上下に積層配置される。基板載置部PASS1は、基板Wをインデクサブロック9から反射防止膜用処理ブロック10へ搬送する際に用いられ、基板載置部PASS2は、基板Wを反射防止膜用処理ブロック10からインデクサブロック9へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ST1には、第1のセンターロボットCR1のハンドCRH1,CRH2を洗浄するための洗浄用基板が収納される。洗浄用基板としては、例えば未処理の基板Wが用いられる。   A partition wall 17 is provided between the indexer block 9 and the antireflection film processing block 10 for shielding the atmosphere. On the partition wall 17, the substrate platforms PASS 1, PASS 2 and the cleaning substrate storage unit ST 1 are stacked one above the other. The substrate platform PASS1 is used when the substrate W is transported from the indexer block 9 to the antireflection film processing block 10, and the substrate platform PASS2 is used to transfer the substrate W from the antireflection film processing block 10 to the indexer block 9. Used when transporting to. The cleaning substrate storage unit ST1 stores a cleaning substrate for cleaning the hands CRH1 and CRH2 of the first central robot CR1. For example, an unprocessed substrate W is used as the cleaning substrate.

また、基板載置部PASS1,PASS2には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ(図示せず)が設けられている。それにより、基板載置部PASS1,PASS2において基板Wが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部PASS1,PASS2には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部PASS3〜PASS13にも同様に設けられる。   The substrate platforms PASS1, PASS2 are provided with optical sensors (not shown) that detect the presence or absence of the substrate W. Thereby, it is possible to determine whether or not the substrate W is placed on the substrate platforms PASS1 and PASS2. The substrate platforms PASS1, PASS2 are provided with a plurality of support pins fixedly installed. The optical sensor and the support pin are also provided in the same manner on the substrate platforms PASS3 to PASS13 described later.

洗浄用基板収容部ST1は基板載置部PASS1,PASS2と同様の構成を有し、固定設置された複数本の支持ピン上に洗浄用基板が載置されている。後述の洗浄用基板収容部ST2〜ST7は、洗浄用基板収容部ST1と同様の構成を有する。   The cleaning substrate storage unit ST1 has the same configuration as the substrate platforms PASS1 and PASS2, and the cleaning substrate is mounted on a plurality of fixed support pins. Cleaning substrate storage units ST2 to ST7 described later have the same configuration as the cleaning substrate storage unit ST1.

レジスト膜用処理ブロック11は、レジスト膜用熱処理部110,111、レジスト膜用塗布処理部60および第2のセンターロボットCR2を含む。レジスト膜用塗布処理部60は、第2のセンターロボットCR2を挟んでレジスト膜用熱処理部110,111に対向して設けられる。第2のセンターロボットCR2には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH3,CRH4が上下に設けられる。   The resist film processing block 11 includes resist film heat treatment units 110 and 111, a resist film coating processing unit 60, and a second central robot CR2. The resist film application processing unit 60 is provided to face the resist film heat treatment units 110 and 111 with the second central robot CR2 interposed therebetween. The second center robot CR2 is provided with hands CRH3 and CRH4 for transferring the substrate W up and down.

反射防止膜用処理ブロック10とレジスト膜用処理ブロック11との間には、雰囲気遮断用の隔壁18が設けられる。この隔壁18には、基板載置部PASS3,PASS4および洗浄用基板収容部ST2が上下に積層配置される。基板載置部PASS3は、基板Wを反射防止膜用処理ブロック10からレジスト膜用処理ブロック11へ搬送する際に用いられ、基板載置部PASS4は、基板Wをレジスト膜用処理ブロック11から反射防止膜用処理ブロック10へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ST2には、第2のセンターロボットCR2のハンドCRH3,CRH4を洗浄するための洗浄用基板が収納される。   A partition wall 18 is provided between the antireflection film processing block 10 and the resist film processing block 11 for shielding the atmosphere. On the partition wall 18, the substrate platforms PASS 3 and PASS 4 and the cleaning substrate storage unit ST 2 are stacked one above the other. The substrate platform PASS3 is used when transporting the substrate W from the antireflection film processing block 10 to the resist film processing block 11, and the substrate platform PASS4 reflects the substrate W from the resist film processing block 11. It is used when transporting to the processing block 10 for the prevention film. The cleaning substrate storage unit ST2 stores a cleaning substrate for cleaning the hands CRH3 and CRH4 of the second central robot CR2.

現像処理ブロック12は、現像用熱処理部120,121、現像処理部70および第3のセンターロボットCR3を含む。現像処理部70は、第3のセンターロボットCR3を挟んで現像用熱処理部120,121に対向して設けられる。第3のセンターロボットCR3には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH5,CRH6が上下に設けられる。   The development processing block 12 includes development heat treatment units 120 and 121, a development processing unit 70, and a third central robot CR3. The development processing unit 70 is provided to face the development heat treatment units 120 and 121 with the third central robot CR3 interposed therebetween. The third center robot CR3 is provided with hands CRH5 and CRH6 for transferring the substrate W up and down.

レジスト膜用処理ブロック11と現像処理ブロック12との間には、雰囲気遮断用の隔壁19が設けられる。この隔壁19には、基板載置部PASS5,PASS6および洗浄用基板収容部ST3が上下に積層配置される。基板載置部PASS5は、基板Wをレジスト膜用処理ブロック11から現像処理ブロック12へ搬送する際に用いられ、基板載置部PASS6は、基板Wを現像処理ブロック12からレジスト膜用処理ブロック11へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ST3には、第3のセンターロボットCR3のハンドCRH5,CRH6を洗浄するための洗浄用基板が収納される。   A partition wall 19 is provided between the resist film processing block 11 and the development processing block 12 for shielding the atmosphere. In the partition wall 19, the substrate platforms PASS 5 and PASS 6 and the cleaning substrate storage unit ST 3 are stacked one above the other. The substrate platform PASS5 is used to transport the substrate W from the resist film processing block 11 to the development processing block 12, and the substrate platform PASS6 is used to transfer the substrate W from the development processing block 12 to the resist film processing block 11. Used when transporting to. The cleaning substrate storage unit ST3 stores a cleaning substrate for cleaning the hands CRH5 and CRH6 of the third central robot CR3.

レジストカバー膜用処理ブロック13は、レジストカバー膜用熱処理部130,131、レジストカバー膜用塗布処理部80および第4のセンターロボットCR4を含む。レジストカバー膜用塗布処理部80は、第4のセンターロボットCR4を挟んでレジストカバー膜用熱処理部130,131に対向して設けられる。第4のセンターロボットCR4には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH7,CRH8が上下に設けられる。   The resist cover film processing block 13 includes resist cover film heat treatment units 130 and 131, a resist cover film coating processing unit 80, and a fourth central robot CR4. The resist cover film coating processing unit 80 is provided to face the resist cover film heat treatment units 130 and 131 with the fourth central robot CR4 interposed therebetween. The fourth center robot CR4 is provided with hands CRH7 and CRH8 for delivering the substrate W up and down.

現像処理ブロック12とレジストカバー膜用処理ブロック13との間には、雰囲気遮断用の隔壁20が設けられる。この隔壁20には、基板載置部PASS7,PASS8および洗浄用基板収容部ST4が上下に積層配置される。基板載置部PASS7は、基板Wを現像処理ブロック12からレジストカバー膜用処理ブロック13へ搬送する際に用いられ、基板載置部PASS8は、基板Wをレジストカバー膜用処理ブロック13から現像処理ブロック12へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ST4には、第4のセンターロボットCR4のハンドCRH7,CRH8を洗浄するための洗浄用基板が収納される。   A partition wall 20 is provided between the development processing block 12 and the resist cover film processing block 13 for shielding the atmosphere. In the partition wall 20, the substrate platforms PASS 7 and PASS 8 and the cleaning substrate storage unit ST 4 are stacked one above the other. The substrate platform PASS7 is used when the substrate W is transferred from the development processing block 12 to the resist cover film processing block 13, and the substrate platform PASS8 is developed from the resist cover film processing block 13. Used when transporting to block 12. The cleaning substrate storage unit ST4 stores a cleaning substrate for cleaning the hands CRH7 and CRH8 of the fourth central robot CR4.

レジストカバー膜除去ブロック14は、露光後ベーク用熱処理部140,141、レジストカバー膜除去用処理部90および第5のセンターロボットCR5を含む。露光後ベーク用熱処理部141はインターフェースブロック15に隣接し、後述するように、基板載置部PASS11,PASS12を備える。レジストカバー膜除去用処理部90は、第5のセンターロボットCR5を挟んで露光後ベーク用熱処理部140,141に対向して設けられる。第5のセンターロボットCR5には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH9,CRH10が上下に設けられる。   The resist cover film removal block 14 includes post-exposure baking heat treatment units 140 and 141, a resist cover film removal processing unit 90, and a fifth central robot CR5. The post-exposure bake heat treatment unit 141 is adjacent to the interface block 15 and includes substrate platforms PASS11 and PASS12 as described later. The resist cover film removal processing unit 90 is provided to face the post-exposure bake heat treatment units 140 and 141 with the fifth central robot CR5 interposed therebetween. The fifth center robot CR5 is provided with hands CRH9 and CRH10 for transferring the substrate W up and down.

レジストカバー膜用処理ブロック13とレジストカバー膜除去ブロック14との間には、雰囲気遮断用の隔壁21が設けられる。この隔壁21には、基板載置部PASS9,PASS10および洗浄用基板収容部ST5が上下に積層配置される。基板載置部PASS9は、基板Wをレジストカバー膜用処理ブロック13からレジストカバー膜除去ブロック14へ搬送する際に用いられ、基板載置部PASS10は、基板Wをレジストカバー膜除去ブロック14からレジストカバー膜用処理ブロック13へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ST5には、第5のセンターロボットCR5のハンドCRH9,CRH10を洗浄するための洗浄用基板が収納される。   A partition wall 21 is provided between the resist cover film processing block 13 and the resist cover film removal block 14 for shielding the atmosphere. In the partition wall 21, the substrate platforms PASS9 and PASS10 and the cleaning substrate storage unit ST5 are stacked one above the other. The substrate platform PASS9 is used when the substrate W is transferred from the resist cover film processing block 13 to the resist cover film removal block 14, and the substrate platform PASS10 is used to transfer the substrate W from the resist cover film removal block 14 to the resist cover film removal block 14. Used when transported to the cover film processing block 13. The cleaning substrate storage unit ST5 stores a cleaning substrate for cleaning the hands CRH9 and CRH10 of the fifth central robot CR5.

インターフェースブロック15は、送りバッファ部SBF、洗浄/乾燥処理ユニットSD1、第6のセンターロボットCR6、エッジ露光部EEW、戻りバッファ部RBF、載置兼冷却ユニットPASS−CP(以下、P−CPと略記する)、基板載置部PASS13、洗浄用基板収容部ST6,ST7、インターフェース用搬送機構IFRおよび洗浄/乾燥処理ユニットSD2を含む。なお、洗浄/乾燥処理ユニットSD1は、露光処理前の基板Wの洗浄および乾燥処理を行い、洗浄/乾燥処理ユニットSD2は、露光処理後の基板Wの洗浄および乾燥処理を行う。   The interface block 15 includes a sending buffer unit SBF, a cleaning / drying processing unit SD1, a sixth central robot CR6, an edge exposure unit EEW, a return buffer unit RBF, a placement and cooling unit PASS-CP (hereinafter abbreviated as P-CP). ), A substrate platform PASS13, cleaning substrate storage units ST6 and ST7, an interface transport mechanism IFR, and a cleaning / drying processing unit SD2. The cleaning / drying processing unit SD1 performs cleaning and drying processing of the substrate W before the exposure processing, and the cleaning / drying processing unit SD2 performs cleaning and drying processing of the substrate W after the exposure processing.

また、第6のセンターロボットCR6には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH11,CRH12(図4参照)が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構IFRには、基板Wを受け渡すためのハンドH1,H2(図4参照)が上下に設けられる。インターフェースブロック15の詳細については後述する。   The sixth central robot CR6 is provided with hands CRH11 and CRH12 (see FIG. 4) for delivering the substrate W up and down, and a hand H1 for delivering the substrate W to the interface transport mechanism IFR. , H2 (see FIG. 4) are provided above and below. Details of the interface block 15 will be described later.

本実施の形態に係る基板処理装置500においては、Y方向に沿ってインデクサブロック9、反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11、現像処理ブロック12、レジストカバー膜用処理ブロック13、レジストカバー膜除去ブロック14およびインターフェースブロック15が順に並設されている。   In the substrate processing apparatus 500 according to the present embodiment, an indexer block 9, an antireflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, a resist cover film processing block 13, along the Y direction, The resist cover film removal block 14 and the interface block 15 are arranged in order.

図2は、図1の基板処理装置500を+X方向から見た概略側面図であり、図3は、図1の基板処理装置500を−X方向から見が概略側面図である。なお、図2においては、基板処理装置500の+X側に設けられるものを主に示し、図3においては、基板処理装置500の−X側に設けられるものを主に示している。   2 is a schematic side view of the substrate processing apparatus 500 of FIG. 1 viewed from the + X direction, and FIG. 3 is a schematic side view of the substrate processing apparatus 500 of FIG. 1 viewed from the −X direction. 2 mainly shows what is provided on the + X side of the substrate processing apparatus 500, and FIG. 3 mainly shows what is provided on the −X side of the substrate processing apparatus 500.

まず、図2を用いて、基板処理装置500の+X側の構成について説明する。図2に示すように、反射防止膜用処理ブロック10の反射防止膜用塗布処理部50(図1参照)には、3個の塗布ユニットBARCが上下に積層配置されている。各塗布ユニットBARCは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック51およびスピンチャック51上に保持された基板Wに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル52を備える。また、各塗布ユニットBARCは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル55(後述の図6参照)を備える。   First, the configuration on the + X side of the substrate processing apparatus 500 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, in the antireflection film coating processing unit 50 (see FIG. 1) of the antireflection film processing block 10, three coating units BARC are vertically stacked. Each coating unit BARC includes a spin chuck 51 that rotates while adsorbing and holding the substrate W in a horizontal posture, and a supply nozzle 52 that supplies a coating liquid for an antireflection film to the substrate W held on the spin chuck 51. Each coating unit BARC includes a cleaning nozzle 55 (see FIG. 6 described later) for supplying a cleaning liquid to the cleaning substrate.

レジスト膜用処理ブロック11のレジスト膜用塗布処理部60(図1参照)には、3個の塗布ユニットRESが上下に積層配置されている。各塗布ユニットRESは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック61およびスピンチャック61上に保持された基板Wにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル62を備える。また、各塗布ユニットRESは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル(図示せず)を備える。   In the resist film coating processing section 60 (see FIG. 1) of the resist film processing block 11, three coating units RES are stacked in a vertical direction. Each coating unit RES includes a spin chuck 61 that rotates while adsorbing and holding the substrate W in a horizontal posture, and a supply nozzle 62 that supplies a coating liquid for a resist film to the substrate W held on the spin chuck 61. Each coating unit RES includes a cleaning nozzle (not shown) that supplies a cleaning liquid to the cleaning substrate.

現像処理ブロック12の現像処理部70には、5個の現像処理ユニットDEVが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットDEVは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック71およびスピンチャック71上に保持された基板Wに現像液を供給する供給ノズル72を備える。また、各現像処理ユニットDEVは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル(図示せず)を備える。   In the development processing unit 70 of the development processing block 12, five development processing units DEV are stacked one above the other. Each development processing unit DEV includes a spin chuck 71 that rotates by sucking and holding the substrate W in a horizontal posture, and a supply nozzle 72 that supplies the developer to the substrate W held on the spin chuck 71. Each development processing unit DEV includes a cleaning nozzle (not shown) for supplying a cleaning liquid to the cleaning substrate.

レジストカバー膜用処理ブロック13のレジストカバー膜用塗布処理部80には、3個の塗布ユニットCOVが上下に積層配置されている。各塗布ユニットCOVは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック81およびスピンチャック81上に保持された基板Wにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル82を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料(レジストおよび水との反応性が低い材料)を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットCOVは、基板Wを回転させながら基板W上に塗布液を塗布することにより、基板W上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。また、各塗布ユニットCOVは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル(図示せず)を備える。   In the resist cover film coating processing unit 80 of the resist cover film processing block 13, three coating units COV are stacked one above the other. Each coating unit COV includes a spin chuck 81 that rotates while adsorbing and holding the substrate W in a horizontal posture, and a supply nozzle 82 that supplies a coating liquid for the resist cover film to the substrate W held on the spin chuck 81. As a coating solution for the resist cover film, a material having a low affinity with the resist and water (a material having low reactivity with the resist and water) can be used. For example, a fluororesin. The coating unit COV forms a resist cover film on the resist film formed on the substrate W by applying a coating liquid onto the substrate W while rotating the substrate W. Each coating unit COV includes a cleaning nozzle (not shown) for supplying a cleaning liquid to the cleaning substrate.

レジストカバー膜除去ブロック14のレジストカバー膜除去用処理部90には、3個の除去ユニットREMが上下に積層配置されている。各除去ユニットREMは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック91およびスピンチャック91上に保持された基板Wに剥離液(例えばフッ素樹脂)を供給する供給ノズル92を備える。除去ユニットREMは、基板Wを回転させながら基板W上に剥離液を塗布することにより、基板W上に形成されたレジストカバー膜を除去する。また、各除去ユニットREMは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル(図示せず)を備える。   In the resist cover film removal processing unit 90 of the resist cover film removal block 14, three removal units REM are vertically stacked. Each removal unit REM includes a spin chuck 91 that rotates while adsorbing and holding the substrate W in a horizontal posture, and a supply nozzle 92 that supplies a peeling liquid (for example, a fluororesin) to the substrate W held on the spin chuck 91. The removal unit REM removes the resist cover film formed on the substrate W by applying a stripping solution onto the substrate W while rotating the substrate W. Each removal unit REM includes a cleaning nozzle (not shown) for supplying a cleaning liquid to the cleaning substrate.

なお、除去ユニットREMにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Wの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板W上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。   The method for removing the resist cover film in the removal unit REM is not limited to the above example. For example, the resist cover film may be removed by supplying a stripping solution onto the substrate W while moving the slit nozzle above the substrate W.

インターフェースブロック15内の+X側には、エッジ露光部EEWおよび3個の洗浄/乾燥処理ユニットSD2が上下に積層配置される。各エッジ露光部EEWは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック98およびスピンチャック98上に保持された基板Wの周縁を露光する光照射器99を備える。各洗浄/乾燥処理ユニットSD2は、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック105およびスピンチャック105上に保持された基板Wに洗浄液または不活性ガスを供給する供給ノズル(図示せず)を備える。また、各洗浄/乾燥処理ユニットSD2は、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル(図示せず)を備える。   On the + X side in the interface block 15, an edge exposure unit EEW and three cleaning / drying processing units SD2 are stacked in a vertical direction. Each edge exposure unit EEW includes a spin chuck 98 that rotates by attracting and holding the substrate W in a horizontal posture, and a light irradiator 99 that exposes the periphery of the substrate W held on the spin chuck 98. Each cleaning / drying processing unit SD2 has a supply nozzle (not shown) for supplying a cleaning liquid or an inert gas to the spin chuck 105 that rotates by sucking and holding the substrate W in a horizontal posture and the substrate W held on the spin chuck 105. ). Each cleaning / drying processing unit SD2 includes a cleaning nozzle (not shown) for supplying a cleaning liquid to the cleaning substrate.

次に、図3を用いて、基板処理装置500の−X側の構成について説明する。図3に示すように、反射防止膜用処理ブロック10の反射防止膜用熱処理部100,101には、2個の加熱ユニット(ホットプレート)HPおよび2個の冷却ユニット(クーリングプレート)CPがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部100,101には、最上部に加熱ユニットHPおよび冷却ユニットCPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。   Next, the configuration on the −X side of the substrate processing apparatus 500 will be described with reference to FIG. 3. As shown in FIG. 3, two heating units (hot plates) HP and two cooling units (cooling plates) CP are provided in the antireflection film heat treatment units 100 and 101 of the antireflection film processing block 10, respectively. Laminated. Further, in the antireflection film heat treatment units 100 and 101, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are respectively arranged at the top.

レジスト膜用処理ブロック11のレジスト膜用熱処理部110,111には、2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部110,111には、最上部に加熱ユニットHPおよび冷却ユニットCPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。   Two heating units HP and two cooling units CP are stacked in the resist film heat treatment sections 110 and 111 of the resist film processing block 11, respectively. In addition, in the resist film heat treatment units 110 and 111, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are respectively arranged at the top.

現像処理ブロック12の現像用熱処理部120,121には、2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部120,121には、最上部に加熱ユニットHPおよび冷却ユニットCPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。   In the development heat treatment sections 120 and 121 of the development processing block 12, two heating units HP and two cooling units CP are respectively stacked. Further, in the development heat treatment sections 120 and 121, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are respectively arranged at the top.

レジストカバー膜用処理ブロック13のレジストカバー膜用熱処理部130,131には、2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部130,131には、最上部に加熱ユニットHPおよび冷却ユニットCPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。   In the resist cover film heat treatment sections 130 and 131 of the resist cover film processing block 13, two heating units HP and two cooling units CP are respectively stacked. In addition, in the resist cover film heat treatment sections 130 and 131, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are respectively arranged at the top.

レジストカバー膜除去ブロック14の露光後ベーク用熱処理部140には、2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部141には2個の加熱ユニットHP、2個の冷却ユニットCPおよび基板載置部PASS11,PASS12が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部140,141には、最上部に加熱ユニットHPおよび冷却ユニットCPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。   In the post-exposure baking heat treatment section 140 of the resist cover film removal block 14, two heating units HP and two cooling units CP are stacked one above the other, and the two post-exposure baking heat treatment section 141 has two heating units. The unit HP, the two cooling units CP, and the substrate platforms PASS11 and PASS12 are stacked one above the other. In addition, in the post-exposure bake heat treatment sections 140 and 141, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are arranged at the top.

インターフェースブロック15内の−X側には、送りバッファ部SBFおよび3個の洗浄/乾燥処理ユニットSD1が上下に積層配置される。各洗浄/乾燥処理ユニットSD1は、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック106およびスピンチャック106上に保持された基板Wに洗浄液または不活性ガスを供給する供給ノズル(図示せず)を備える。また、各洗浄/乾燥処理ユニットSD1は、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル(図示せず)を備える。   On the −X side in the interface block 15, the feed buffer unit SBF and the three cleaning / drying processing units SD <b> 1 are stacked one above the other. Each cleaning / drying processing unit SD1 includes a spin chuck 106 that rotates by sucking and holding the substrate W in a horizontal posture and a supply nozzle (not shown) that supplies a cleaning liquid or an inert gas to the substrate W held on the spin chuck 106. ). Each cleaning / drying processing unit SD1 includes a cleaning nozzle (not shown) for supplying a cleaning liquid to the cleaning substrate.

次に、図4を用いてインターフェースブロック15について詳細に説明する。   Next, the interface block 15 will be described in detail with reference to FIG.

図4は、インターフェースブロック15を+Y側から見た概略側面図である。図4に示すように、インターフェースブロック15内において、−X側には、送りバッファ部SBFおよび3個の洗浄/乾燥処理ユニットSD1が積層配置される。また、インターフェースブロック15内において、+X側の上部には、エッジ露光部EEWが配置される。   FIG. 4 is a schematic side view of the interface block 15 as viewed from the + Y side. As shown in FIG. 4, in the interface block 15, on the −X side, a feed buffer unit SBF and three cleaning / drying processing units SD1 are stacked. In the interface block 15, an edge exposure unit EEW is disposed at the upper part on the + X side.

エッジ露光部EEWの下方において、インターフェースブロック15内の略中央部には、戻りバッファ部RBF、載置兼冷却ユニットP−CP、基板載置部PASS13および洗浄用基板収容部ST6,ST7が上下に積層配置される。洗浄用基板収容部ST6には、第6のセンターロボットCR6のハンドCRH11,CRH12を洗浄するための洗浄用基板が収納され、洗浄用基板収容部ST7には、インターフェース用搬送機構IFRのハンドH1,H2を洗浄するための洗浄用基板が収納される。エッジ露光部EEWの下方において、インターフェースブロック15内の+X側には、3個の洗浄/乾燥処理ユニットSD2が上下に積層配置される。   Below the edge exposure unit EEW, the return buffer unit RBF, the placement / cooling unit P-CP, the substrate platform PASS13, and the cleaning substrate storage units ST6 and ST7 are vertically arranged at a substantially central portion in the interface block 15. Laminated. The cleaning substrate storage unit ST6 stores cleaning substrates for cleaning the hands CRH11 and CRH12 of the sixth central robot CR6. The cleaning substrate storage unit ST7 stores the hands H1 and H1 of the interface transport mechanism IFR. A cleaning substrate for cleaning H2 is stored. Below the edge exposure unit EEW, on the + X side in the interface block 15, three cleaning / drying processing units SD2 are stacked one above the other.

また、インターフェースブロック15内の下部には、第6のセンターロボットCR6およびインターフェース用搬送機構IFRが設けられている。第6のセンターロボットCR6は、送りバッファ部SBFおよび洗浄/乾燥処理ユニットSD1と、エッジ露光部EEW、戻りバッファ部RBF、載置兼冷却ユニットP−CP、基板載置部PASS13および洗浄用基板収容部ST6との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構IFRは、戻りバッファ部RBF、載置兼冷却ユニットP−CP、基板載置部PASS13および洗浄用基板収容部ST7と、洗浄/乾燥処理ユニットSD2との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。   A sixth center robot CR6 and an interface transport mechanism IFR are provided in the lower part of the interface block 15. The sixth central robot CR6 includes a feed buffer unit SBF and a cleaning / drying processing unit SD1, an edge exposure unit EEW, a return buffer unit RBF, a mounting / cooling unit P-CP, a substrate mounting unit PASS13, and a cleaning substrate storage. It is provided so as to be movable up and down and rotatable with respect to the part ST6. The interface transport mechanism IFR is movable up and down between the return buffer unit RBF, the placement / cooling unit P-CP, the substrate platform PASS13, the cleaning substrate storage unit ST7, and the cleaning / drying processing unit SD2. It is provided to be movable.

(2)基板処理装置の動作
次に、基板Wの処理時における基板処理装置500の動作について図1〜図4を参照しながら説明する。
(2) Operation of Substrate Processing Apparatus Next, the operation of the substrate processing apparatus 500 during the processing of the substrate W will be described with reference to FIGS.

(2−1)インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック9〜レジストカバー膜除去ブロック14の動作について簡単に説明する。
(2-1) Operation of Indexer Block to Resist Cover Film Removal Block First, the operation of the indexer block 9 to the resist cover film removal block 14 will be briefly described.

インデクサブロック9のキャリア載置台40の上には、複数枚の基板Wを多段に収納するキャリアCが搬入される。インデクサロボットIRは、ハンドIRHを用いてキャリアC内に収納された未処理の基板Wを取り出す。その後、インデクサロボットIRは±X方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Wを基板載置部PASS1に載置する。   On the carrier mounting table 40 of the indexer block 9, a carrier C that stores a plurality of substrates W in multiple stages is loaded. The indexer robot IR takes out the unprocessed substrate W stored in the carrier C using the hand IRH. Thereafter, the indexer robot IR rotates in the ± θ direction while moving in the ± X direction, and places the unprocessed substrate W on the substrate platform PASS1.

本実施の形態においては、キャリアCとしてFOUP(front opening unified pod)を採用しているが、これに限定されず、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Wを外気に曝すOC(open cassette)等を用いてもよい。   In the present embodiment, a front opening unified pod (FOUP) is adopted as the carrier C. However, the present invention is not limited to this, and an OC (open cassette) that exposes the standard mechanical interface (SMIF) pod and the storage substrate W to the outside air. ) Etc. may be used.

さらに、インデクサロボットIR、第1〜第6のセンターロボットCR1〜CR6およびインターフェース用搬送機構IFRには、それぞれ基板Wに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。   Further, the indexer robot IR, the first to sixth center robots CR1 to CR6, and the interface transport mechanism IFR are each provided with a direct-acting transport robot that slides linearly with respect to the substrate W and moves the hand back and forth. Although it is used, the present invention is not limited to this, and an articulated transfer robot that linearly moves the hand forward and backward by moving the joint may be used.

基板載置部PASS1に載置された未処理の基板Wは、反射防止膜用処理ブロック10の第1のセンターロボットCR1により受け取られる。第1のセンターロボットCR1は、その基板Wを反射防止膜用熱処理部100,101に搬入する。   The unprocessed substrate W placed on the substrate platform PASS1 is received by the first central robot CR1 of the antireflection film processing block 10. The first center robot CR1 carries the substrate W into the antireflection film heat treatment units 100 and 101.

その後、第1のセンターロボットCR1は、反射防止膜用熱処理部100,101から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを反射防止膜用塗布処理部50に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部50では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットBARCにより基板W上に反射防止膜が塗布形成される。   Thereafter, the first central robot CR1 takes out the heat-treated substrate W from the antireflection film heat treatment units 100 and 101, and carries the substrate W into the antireflection film application processing unit 50. In the antireflection film coating processing unit 50, an antireflection film is applied and formed on the substrate W by the coating unit BARC in order to reduce low standing waves and halation that occur during exposure.

次に、第1のセンターロボットCR1は、反射防止膜用塗布処理部50から塗布処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを反射防止膜用熱処理部100,101に搬入する。その後、第1のセンターロボットCR1は、反射防止膜用熱処理部100,101から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS3に載置する。   Next, the first central robot CR1 takes out the coated substrate W from the antireflection film coating processing unit 50 and carries the substrate W into the antireflection film heat treatment units 100 and 101. Thereafter, the first central robot CR1 takes out the heat-treated substrate W from the antireflection film heat treatment units 100 and 101, and places the substrate W on the substrate platform PASS3.

基板載置部PASS3に載置された基板Wは、レジスト膜用処理ブロック11の第2のセンターロボットCR2により受け取られる。第2のセンターロボットCR2は、その基板Wをレジスト膜用熱処理部110,111に搬入する。   The substrate W placed on the substrate platform PASS3 is received by the second central robot CR2 of the resist film processing block 11. The second central robot CR2 carries the substrate W into the resist film heat treatment units 110 and 111.

その後、第2のセンターロボットCR2は、レジスト膜用熱処理部110,111から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wをレジスト膜用塗布処理部60に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部60では、塗布ユニットRESにより反射防止膜が塗布形成された基板W上にレジスト膜が塗布形成される。   Thereafter, the second central robot CR2 takes out the heat-treated substrate W from the resist film heat treatment units 110 and 111, and carries the substrate W into the resist film coating treatment unit 60. In the resist film application processing unit 60, a resist film is applied and formed on the substrate W on which the antireflection film is applied and formed by the application unit RES.

次に、第2のセンターロボットCR2は、レジスト膜用塗布処理部60から塗布処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wをレジスト膜用熱処理部110,111に搬入する。その後、第2のセンターロボットCR2は、レジスト膜用熱処理部110,111から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS5に載置する。   Next, the second central robot CR2 takes out the coated substrate W from the resist film coating processing unit 60, and carries the substrate W into the resist film heat treatment units 110 and 111. Thereafter, the second central robot CR2 takes out the heat-treated substrate W from the resist film heat treatment units 110 and 111, and places the substrate W on the substrate platform PASS5.

基板載置部PASS5に載置された基板Wは、現像処理ブロック12の第3のセンターロボットCR3により受け取られる。第3のセンターロボットCR3は、その基板Wを基板載置部PASS7に載置する。   The substrate W placed on the substrate platform PASS5 is received by the third central robot CR3 of the development processing block 12. The third central robot CR3 places the substrate W on the substrate platform PASS7.

基板載置部PASS7に載置された基板Wは、レジストカバー膜用処理ブロック13の第4のセンターロボットCR4により受け取られる。第4のセンターロボットCR4は、その基板Wをレジストカバー膜用塗布処理部80に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部80では、塗布ユニットCOVによりレジスト膜が塗布形成された基板W上にレジストカバー膜が塗布形成される。ジストカバー膜が形成されることにより、露光装置16において基板Wが液体と接触しても、レレジスト膜が液体と接触することが防止され、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。   The substrate W placed on the substrate platform PASS7 is received by the fourth central robot CR4 of the resist cover film processing block 13. The fourth central robot CR4 carries the substrate W into the resist cover film coating processing unit 80. In this resist cover film coating processing section 80, a resist cover film is applied and formed on the substrate W on which the resist film has been applied and formed by the coating unit COV. Since the resist cover film is formed, even if the substrate W comes into contact with the liquid in the exposure device 16, the resist film is prevented from coming into contact with the liquid, and the resist components are prevented from eluting into the liquid. .

次に、第4のセンターロボットCR4は、レジストカバー膜用塗布処理部80から塗布処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wをレジストカバー膜用熱処理部130,131に搬入する。その後、第4のセンターロボットCR4は、レジストカバー膜用熱処理部130,131から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS9に載置する。   Next, the fourth central robot CR4 takes out the coated substrate W from the resist cover film coating processing unit 80 and carries the substrate W into the resist cover film heat treatment units 130 and 131. Thereafter, the fourth central robot CR4 takes out the heat-treated substrate W from the resist cover film heat treatment units 130 and 131, and places the substrate W on the substrate platform PASS9.

基板載置部PASS9に載置された基板Wは、レジストカバー膜除去ブロック14の第5のセンターロボットCR5により受け取られる。第5のセンターロボットCR5は、その基板Wを基板載置部PASS11に載置する。   The substrate W placed on the substrate platform PASS9 is received by the fifth central robot CR5 of the resist cover film removal block 14. The fifth central robot CR5 places the substrate W on the substrate platform PASS11.

基板載置部PASS11に載置された基板Wは、インターフェースブロック15の第6のセンターロボットCR6により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック15および露光装置16において所定の処理が施される。インターフェースブロック15および露光装置16において基板Wに所定の処理が施された後、その基板Wは、第6のセンターロボットCR6によりレジストカバー膜除去ブロック14の露光後ベーク用熱処理部141に搬入される。   The substrate W placed on the substrate platform PASS11 is received by the sixth central robot CR6 of the interface block 15, and predetermined processing is performed in the interface block 15 and the exposure device 16, as will be described later. After predetermined processing is performed on the substrate W in the interface block 15 and the exposure apparatus 16, the substrate W is carried into the post-exposure bake heat treatment unit 141 of the resist cover film removal block 14 by the sixth central robot CR6. .

露光後ベーク用熱処理部141においては、基板Wに対して露光後ベーク(PEB)が行われる。その後、第6のセンターロボットCR6は、露光後ベーク用熱処理部141から基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS12に載置する。   In the post-exposure baking heat treatment unit 141, post-exposure baking (PEB) is performed on the substrate W. Thereafter, the sixth central robot CR6 takes out the substrate W from the post-exposure bake heat treatment unit 141 and places the substrate W on the substrate platform PASS12.

なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部141により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部140により露光後ベークを行ってもよい。   In this embodiment, post-exposure bake heat treatment unit 141 performs post-exposure bake, but post-exposure bake heat treatment unit 140 may perform post-exposure bake.

基板載置部PASS12に載置された基板Wは、レジストカバー膜除去ブロック14の第5のセンターロボットCR5により受け取られる。第5のセンターロボットCR5は、その基板Wをレジストカバー膜除去用処理部90に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部90においては、レジストカバー膜が除去される。   The substrate W placed on the substrate platform PASS12 is received by the fifth central robot CR5 of the resist cover film removal block 14. The fifth central robot CR5 carries the substrate W into the resist cover film removal processing unit 90. In the resist cover film removal processing unit 90, the resist cover film is removed.

次に、第5のセンターロボットCR5は、レジストカバー膜除去用処理部90から処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS10に載置する。   Next, the fifth central robot CR5 takes out the processed substrate W from the resist cover film removal processing unit 90 and places the substrate W on the substrate platform PASS10.

基板載置部PASS10に載置された基板Wは、レジストカバー膜用処理ブロック13の第4のセンターロボットCR4により基板載置部PASS8に載置される。   The substrate W placed on the substrate platform PASS10 is placed on the substrate platform PASS8 by the fourth central robot CR4 of the resist cover film processing block 13.

基板載置部PASS8に載置された基板Wは、現像処理ブロック12の第3のセンターロボットCR3により受け取られる。第3のセンターロボットCR3は、その基板Wを現像処理部70に搬入する。現像処理部70においては、露光された基板Wに対して現像処理が施される。   The substrate W placed on the substrate platform PASS8 is received by the third central robot CR3 of the development processing block 12. The third central robot CR3 carries the substrate W into the development processing unit 70. In the development processing unit 70, development processing is performed on the exposed substrate W.

次に、第3のセンターロボットCR3は、現像処理部70から現像処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを現像用熱処理部120,121に搬入する。その後、第3のセンターロボットCR3は、現像用熱処理部120,121から熱処理後の基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS6に載置する。   Next, the third central robot CR3 takes out the development-processed substrate W from the development processing unit 70, and carries the substrate W into the development heat treatment units 120 and 121. Thereafter, the third central robot CR3 takes out the substrate W after the heat treatment from the development heat treatment units 120 and 121, and places the substrate W on the substrate platform PASS6.

基板載置部PASS6に載置された基板Wは、レジスト膜用処理ブロック11の第2のセンターロボットCR2により基板載置部PASS4に載置される。基板載置部PASS4に載置された基板Wは反射防止膜用処理ブロック10の第1のセンターロボットCR1により基板載置部PASS2に載置される。   The substrate W placed on the substrate platform PASS6 is placed on the substrate platform PASS4 by the second central robot CR2 of the resist film processing block 11. The substrate W placed on the substrate platform PASS4 is placed on the substrate platform PASS2 by the first central robot CR1 of the anti-reflection film processing block 10.

基板載置部PASS2に載置された基板Wは、インデクサブロック9のインデクサロボットIRによりキャリアC内に収納される。これにより、基板処理装置500における基板Wの各処理が終了する。   The substrate W placed on the substrate platform PASS 2 is stored in the carrier C by the indexer robot IR of the indexer block 9. Thereby, each process of the board | substrate W in the substrate processing apparatus 500 is complete | finished.

(2−2)インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック15の動作について詳細に説明する。
(2-2) Operation of Interface Block Next, the operation of the interface block 15 will be described in detail.

上述したように、インデクサブロック9に搬入された基板Wは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック14(図1)の基板載置部PASS11に載置される。   As described above, the substrate W carried into the indexer block 9 is subjected to a predetermined process and then placed on the substrate platform PASS11 of the resist cover film removal block 14 (FIG. 1).

基板載置部PASS11に載置された基板Wは、インターフェースブロック15の第6のセンターロボットCR6により受け取られる。第6のセンターロボットCR6は、その基板Wをエッジ露光部EEW(図4)に搬入する。このエッジ露光部EEWにおいては、基板Wの周縁部に露光処理が施される。   The substrate W placed on the substrate platform PASS11 is received by the sixth central robot CR6 of the interface block 15. The sixth central robot CR6 carries the substrate W into the edge exposure unit EEW (FIG. 4). In the edge exposure unit EEW, the peripheral portion of the substrate W is subjected to exposure processing.

次に、第6のセンターロボットCR6は、エッジ露光部EEWからエッジ露光済みの基板Wを取り出し、その基板Wを洗浄/乾燥処理ユニットSD1のいずれかに搬入する。洗浄/乾燥処理ユニットSD1においては、上述したように露光処理前の基板Wの洗浄および乾燥処理が行われる。   Next, the sixth central robot CR6 takes out the edge-exposed substrate W from the edge exposure unit EEW and carries the substrate W into one of the cleaning / drying processing units SD1. In the cleaning / drying processing unit SD1, cleaning and drying processing of the substrate W before the exposure processing is performed as described above.

ここで、露光装置16による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置16が後の基板Wの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Wは送りバッファ部SBF(図4)に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第6のセンターロボットCR6は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1から洗浄および乾燥処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを送りバッファ部SBFに搬送する。   Here, the time of the exposure process by the exposure apparatus 16 is usually longer than the other process steps and the transport step. As a result, the exposure apparatus 16 often cannot accept a subsequent substrate W. In this case, the substrate W is temporarily stored in the sending buffer unit SBF (FIG. 4). In the present embodiment, the sixth central robot CR6 takes out the substrate W that has been cleaned and dried from the cleaning / drying processing unit SD1, and transports the substrate W to the sending buffer unit SBF.

次に、第6のセンターロボットCR6は、送りバッファ部SBFに収納保管されている基板Wを取り出し、その基板Wを載置兼冷却ユニットP−CPに搬入する。載置兼冷却ユニットP−CPに搬入された基板Wは、露光装置16内と同じ温度(例えば、23℃)に維持される。   Next, the sixth central robot CR6 takes out the substrate W stored and stored in the sending buffer unit SBF and carries the substrate W into the placement / cooling unit P-CP. The substrate W carried into the placement / cooling unit P-CP is maintained at the same temperature (for example, 23 ° C.) as that in the exposure apparatus 16.

なお、露光装置16が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部SBFに基板Wを収納保管せずに、洗浄/乾燥処理ユニットSD1から載置兼冷却ユニットP−CPに基板Wを搬送してもよい。   If the exposure apparatus 16 has a sufficient processing speed, the substrate W is transported from the cleaning / drying processing unit SD1 to the placement / cooling unit P-CP without storing and storing the substrate W in the sending buffer unit SBF. May be.

続いて、載置兼冷却ユニットP−CPで上記所定温度に維持された基板Wが、インターフェース用搬送機構IFRの上側のハンドH1(図4)により受け取られ、露光装置16内の基板搬入部16a(図1)に搬入される。   Subsequently, the substrate W maintained at the predetermined temperature by the placement / cooling unit P-CP is received by the upper hand H1 (FIG. 4) of the interface transport mechanism IFR, and the substrate carry-in section 16a in the exposure apparatus 16 is received. (Fig. 1).

露光装置16において露光処理が施された基板Wは、インターフェース用搬送機構IFRの下側のハンドH2(図4)により基板搬出部16b(図1)から搬出される。インターフェース用搬送機構IFRは、ハンドH2により、その基板Wを洗浄/乾燥処理ユニットSD2のいずれかに搬入する。洗浄/乾燥処理ユニットSD2においては、上述したように露光処理後の基板Wの洗浄および乾燥処理が行われる。   The substrate W that has been subjected to the exposure processing in the exposure device 16 is unloaded from the substrate unloading portion 16b (FIG. 1) by the lower hand H2 (FIG. 4) of the interface transport mechanism IFR. The interface transport mechanism IFR carries the substrate W into one of the cleaning / drying processing units SD2 by the hand H2. In the cleaning / drying processing unit SD2, the substrate W after the exposure processing is cleaned and dried as described above.

洗浄/乾燥処理ユニットSD2において洗浄および乾燥処理が施された基板Wは、インターフェース用搬送機構IFRのハンドH1(図4)により取り出される。インターフェース用搬送機構IFRは、ハンドH1により、その基板Wを基板載置部PASS13に載置する。   The substrate W that has been subjected to the cleaning and drying processing in the cleaning / drying processing unit SD2 is taken out by the hand H1 (FIG. 4) of the interface transport mechanism IFR. The interface transport mechanism IFR places the substrate W on the substrate platform PASS13 with the hand H1.

基板載置部PASS13に載置された基板Wは、第6のセンターロボットCR6により受け取られる。第6のセンターロボットCR6は、その基板Wをレジストカバー膜除去ブロック14(図1)の露光後ベーク用熱処理部141に搬送する。   The substrate W placed on the substrate platform PASS13 is received by the sixth central robot CR6. The sixth central robot CR6 transports the substrate W to the post-exposure bake heat treatment unit 141 of the resist cover film removal block 14 (FIG. 1).

なお、除去ユニットREM(図2)の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック14が一時的に基板Wの受け入れをできないときは、戻りバッファ部RBFに露光処理後の基板Wを一時的に収納保管することができる。   When the resist cover film removal block 14 temporarily cannot accept the substrate W due to a failure of the removal unit REM (FIG. 2), the substrate W after the exposure processing is temporarily stored in the return buffer unit RBF. can do.

ここで、本実施の形態においては、第6のセンターロボットCR6は、基板載置部PASS11(図1)、エッジ露光部EEW、洗浄/乾燥処理ユニットSD1、送りバッファ部SBF、載置兼冷却ユニットP−CP、基板載置部PASS13および露光後ベーク用熱処理部141の間で基板Wを搬送するが、この一連の動作を短時間(例えば、24秒)で行うことができる。   Here, in the present embodiment, the sixth central robot CR6 includes the substrate platform PASS11 (FIG. 1), the edge exposure unit EEW, the cleaning / drying processing unit SD1, the feed buffer unit SBF, and the placement / cooling unit. Although the substrate W is transported between the P-CP, the substrate platform PASS13, and the post-exposure bake heat treatment unit 141, this series of operations can be performed in a short time (for example, 24 seconds).

また、インターフェース用搬送機構IFRは、載置兼冷却ユニットP−CP、露光装置16、洗浄/乾燥処理ユニットSD2および基板載置部PASS13の間で基板Wを搬送するが、この一連の動作を短時間(例えば、24秒)で行うことができる。   The interface transport mechanism IFR transports the substrate W between the placement / cooling unit P-CP, the exposure apparatus 16, the cleaning / drying processing unit SD2, and the substrate platform PASS13. This can be done in time (eg, 24 seconds).

これらの結果、スループットを確実に向上させることができる。   As a result, the throughput can be improved reliably.

(3)ハンド洗浄処理
基板処理装置500では、第1〜第6のセンターロボットCR1〜CR6のハンドCRH1〜CRH12、およびインターフェース用搬送機構IFRのハンドH1,H2を洗浄するハンド洗浄処理が行われる。以下、その詳細について説明する。なお、以下に示す各構成要素の動作は、図1のメインコントローラ30により制御される。
(3) Hand Cleaning Processing In the substrate processing apparatus 500, hand cleaning processing for cleaning the hands CRH1 to CRH12 of the first to sixth center robots CR1 to CR6 and the hands H1 and H2 of the interface transport mechanism IFR is performed. The details will be described below. The operation of each component shown below is controlled by the main controller 30 in FIG.

(3−1)基板処理装置の動作の概要
まず、図1〜図4を参照しながらハンド洗浄処理時における基板処理装置500の動作の概要について説明する。なお、ハンド洗浄処理は、ロット間において自動的に行われてもよく、使用者による図示しないコントロールパネルの操作により任意のタイミングで行われてもよい。ハンド洗浄処理時には、上記の基板Wの処理は行われない。
(3-1) Outline of Operation of Substrate Processing Apparatus First, an outline of the operation of the substrate processing apparatus 500 during the hand cleaning process will be described with reference to FIGS. The hand cleaning process may be automatically performed between lots, or may be performed at an arbitrary timing by a user operating a control panel (not shown). During the hand cleaning process, the above-described processing of the substrate W is not performed.

反射防止膜用処理ブロック10においては、第1のセンターロボットCR1が洗浄用基板収容部ST1から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を塗布ユニットBARCのいずれかに搬入する。塗布ユニットBARCに搬入された基板Wは、スピンチャック51により水平姿勢で保持される。そして、塗布ユニットBARCにおいて第1のセンターロボットCR1のハンドCRH1,CRH2が洗浄用基板により順に洗浄される。塗布ユニットBARCにおける動作の詳細については後述する。その後、第1のセンターロボットCR1が塗布ユニットBARCから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ST1に戻す。   In the anti-reflection film processing block 10, the first central robot CR1 takes out the cleaning substrate from the cleaning substrate storage unit ST1, and carries the cleaning substrate into one of the coating units BARC. The substrate W carried into the coating unit BARC is held in a horizontal posture by the spin chuck 51. Then, in the coating unit BARC, the hands CRH1 and CRH2 of the first center robot CR1 are sequentially cleaned by the cleaning substrate. Details of the operation in the coating unit BARC will be described later. Thereafter, the first central robot CR1 carries out the cleaning substrate from the coating unit BARC, and returns the cleaning substrate to the cleaning substrate housing portion ST1.

レジスト膜処理用ブロック11においては、第2のセンターロボットCR2が洗浄用基板収容部ST2から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を塗布ユニットRESのいずれかに搬入する。塗布ユニットRESに搬入された基板Wは、スピンチャック61により水平姿勢で保持される。そして、塗布ユニットRESにおいて第2のセンターロボットCR2のハンドCRH3,CRH4が洗浄用基板により順に洗浄される。塗布ユニットRESにおける動作の詳細については後述する。その後、第2のセンターロボットCR2が塗布ユニットRESから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ST2に戻す。   In the resist film processing block 11, the second central robot CR2 takes out the cleaning substrate from the cleaning substrate housing portion ST2, and carries the cleaning substrate into one of the coating units RES. The substrate W carried into the coating unit RES is held in a horizontal posture by the spin chuck 61. Then, in the coating unit RES, the hands CRH3 and CRH4 of the second center robot CR2 are sequentially cleaned by the cleaning substrate. Details of the operation in the coating unit RES will be described later. Thereafter, the second center robot CR2 carries out the cleaning substrate from the coating unit RES, and returns the cleaning substrate to the cleaning substrate housing portion ST2.

現像処理ブロック12においては、第3のセンターロボットCR3が洗浄用基板収容部ST3から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を現像処理ユニットDEVにいずれかに搬入する。現像処理ユニットDEVに搬入された基板Wは、スピンチャック71により水平姿勢で保持される。そして、現像処理ユニットDEVにおいて第3のセンターロボットCR3のハンドCRH5,CRH6が洗浄用基板により順に洗浄される。現像処理ユニットDEVにおける動作の詳細については後述する。その後、第3のセンターロボットCR3が現像処理ユニットDEVから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ST3に戻す。   In the development processing block 12, the third central robot CR3 takes out the cleaning substrate from the cleaning substrate storage unit ST3 and carries the cleaning substrate into any of the development processing units DEV. The substrate W carried into the development processing unit DEV is held in a horizontal posture by the spin chuck 71. In the development processing unit DEV, the hands CRH5 and CRH6 of the third central robot CR3 are sequentially cleaned by the cleaning substrate. Details of the operation in the development processing unit DEV will be described later. Thereafter, the third central robot CR3 carries out the cleaning substrate from the development processing unit DEV, and returns the cleaning substrate to the cleaning substrate housing portion ST3.

レジストカバー膜用処理ブロック13においては、第4のセンタ−ロボットCR4が洗浄用基板収容部ST4から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を塗布ユニットCOVのいずれかに搬入する。塗布ユニットCOVに搬入された基板Wは、スピンチャック81により水平姿勢で保持される。そして、塗布ユニットCOVにおいて第4のセンターロボットCR4のハンドCRH7,CRH8が洗浄用基板により順に洗浄される。塗布ユニットCOVにおける動作の詳細については後述する。その後、第4のセンターロボットCR4が塗布ユニットCOVから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ST4に戻す。   In the resist cover film processing block 13, the fourth center robot CR4 takes out the cleaning substrate from the cleaning substrate housing portion ST4 and carries the cleaning substrate into one of the coating units COV. The substrate W carried into the coating unit COV is held in a horizontal posture by the spin chuck 81. Then, in the coating unit COV, the hands CRH7 and CRH8 of the fourth center robot CR4 are sequentially cleaned by the cleaning substrate. Details of the operation in the coating unit COV will be described later. Thereafter, the fourth central robot CR4 carries out the cleaning substrate from the coating unit COV, and returns the cleaning substrate to the cleaning substrate housing portion ST4.

レジストカバー膜除去ブロック14においては、第5のセンターロボットCR5が洗浄用基板収容部ST5から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を除去ユニットREMのいずれかに搬入する。除去ユニットREMに搬入された基板Wは、スピンチャック91により水平姿勢で保持される。そして、除去ユニットREMにおいて第5のセンターロボットCR5のハンドCRH9,CRH10が洗浄用基板により順に洗浄される。除去ユニットREMにおける動作の詳細については後述する。その後、第5のセンターロボットCR5が除去ユニットREMから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ST5に戻す。   In the resist cover film removal block 14, the fifth central robot CR5 takes out the cleaning substrate from the cleaning substrate housing portion ST5 and carries the cleaning substrate into one of the removal units REM. The substrate W carried into the removal unit REM is held in a horizontal posture by the spin chuck 91. Then, in the removal unit REM, the hands CRH9 and CRH10 of the fifth central robot CR5 are sequentially cleaned by the cleaning substrate. Details of the operation in the removal unit REM will be described later. Thereafter, the fifth central robot CR5 carries out the cleaning substrate from the removal unit REM, and returns the cleaning substrate to the cleaning substrate housing portion ST5.

インターフェースブロック15においては、第6のセンターロボットCR6が洗浄用基板収容部ST6から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を洗浄/乾燥処理ユニットSD1に搬入する。洗浄/乾燥処理ユニットSD1に搬入された基板Wは、スピンチャック106(図3)により水平姿勢で保持される。そして、洗浄/乾燥処理ユニットSD1において第6のセンターロボットCR6のハンドCRH11,CRH12が順に洗浄される。洗浄/乾燥処理ユニットSD1における動作の詳細については後述する。その後、第6のセンターロボットCR6が洗浄/乾燥処理ユニットSD1から洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ST6に戻す。   In the interface block 15, the sixth central robot CR6 takes out the cleaning substrate from the cleaning substrate storage unit ST6 and carries the cleaning substrate into the cleaning / drying processing unit SD1. The substrate W carried into the cleaning / drying processing unit SD1 is held in a horizontal posture by the spin chuck 106 (FIG. 3). Then, in the cleaning / drying processing unit SD1, the hands CRH11 and CRH12 of the sixth center robot CR6 are sequentially cleaned. Details of the operation in the cleaning / drying processing unit SD1 will be described later. Thereafter, the sixth central robot CR6 carries out the cleaning substrate from the cleaning / drying processing unit SD1, and returns the cleaning substrate to the cleaning substrate housing portion ST6.

また、インターフェースブロック15においては、インターフェース用搬送機構IFRが洗浄用基板収容部ST7から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を洗浄/乾燥処理ユニットSD2に搬入する。洗浄/乾燥処理ユニットSD2に搬入された基板Wは、スピンチャック105(図2)により保持される。そして、洗浄/乾燥処理ユニットSD2においてインターフェース用搬送機構IFRのハンドH1,H2が順に洗浄される。洗浄/乾燥処理ユニットSD2における動作の詳細については後述する。その後、インターフェース用搬送機構IFRが洗浄/乾燥処理ユニットSD2から洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ST7に戻す。   Further, in the interface block 15, the interface transport mechanism IFR takes out the cleaning substrate from the cleaning substrate storage unit ST7 and carries the cleaning substrate into the cleaning / drying processing unit SD2. The substrate W carried into the cleaning / drying processing unit SD2 is held by the spin chuck 105 (FIG. 2). In the cleaning / drying processing unit SD2, the hands H1 and H2 of the interface transport mechanism IFR are sequentially cleaned. Details of the operation in the cleaning / drying processing unit SD2 will be described later. Thereafter, the interface transport mechanism IFR carries the cleaning substrate out of the cleaning / drying processing unit SD2, and returns the cleaning substrate to the cleaning substrate housing portion ST7.

(3−2)各ロボットのハンドについて
次に、ハンドCRH1の具体的な構成について説明する。なお、ハンドCRH2〜CRH12,H1,H2は、ハンドCRH1と同様の構成を有する。図5(a)はハンドCRH1の具体例を示す平面図である。図5(b)は、図5(a)に示す基板支持部704のP−P線断面図である。
(3-2) Regarding the Hand of Each Robot Next, a specific configuration of the hand CRH1 will be described. The hands CRH2 to CRH12, H1, and H2 have the same configuration as the hand CRH1. FIG. 5A is a plan view showing a specific example of the hand CRH1. FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line P-P of the substrate support portion 704 shown in FIG.

図5(a)に示すように、ハンドCRH1は略U字形状を有し、基板Wの外周に沿って湾曲している。ハンドCRH1には、3つの基板支持部704がほぼ等角度間隔で設けられている。図5(b)に示すように、各基板支持部704は、内側下方に傾斜する傾斜面704a、およびその傾斜面704aの下端部から内方に延びる基板支持面704bを有する。基板支持面704bによって基板Wの下面の周縁部が支持されるとともに傾斜面704aによって基板Wが水平方向に位置決めされる。   As shown in FIG. 5A, the hand CRH <b> 1 has a substantially U shape and is curved along the outer periphery of the substrate W. In the hand CRH1, three substrate support portions 704 are provided at substantially equal angular intervals. As shown in FIG. 5B, each substrate support portion 704 has an inclined surface 704a inclined inward and downward, and a substrate support surface 704b extending inward from the lower end of the inclined surface 704a. The peripheral edge of the lower surface of the substrate W is supported by the substrate support surface 704b, and the substrate W is positioned in the horizontal direction by the inclined surface 704a.

なお、ハンドCRH1〜CRH12,H1,H2の形状は図5の例に限定されない。例えば、ハンドCRH1〜CRH12,H1,H2が基板Wの下面側に延びるような形状を有してもよい。また、基板支持部704の基板支持面704bによって基板Wが支持される代わりに、基板支持部704の傾斜面704aによって基板Wが支持されてもよい。また、ハンドCRH1〜CRH12,H1,H2の形状は同一であっても互いに異なってもよい。   The shapes of the hands CRH1 to CRH12, H1, and H2 are not limited to the example of FIG. For example, the hands CRH <b> 1 to CRH <b> 12, H <b> 1, H <b> 2 may have a shape that extends to the lower surface side of the substrate W. Further, instead of the substrate W supported by the substrate support surface 704b of the substrate support portion 704, the substrate W may be supported by the inclined surface 704a of the substrate support portion 704. Further, the shapes of the hands CRH1 to CRH12, H1 and H2 may be the same or different.

(3−3)各ユニットについて
ハンド洗浄処理時には、塗布ユニットBARC,RES,COV、現像処理ユニットDEV、除去ユニットREMおよび洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2において、第1〜第6のセンターロボットCR1〜CR6のハンドCRH1〜CRH12およびインターフェース用搬送機構IFRのハンドH1,H2が洗浄される。以下、ハンド洗浄処理時における塗布ユニットBARC,RES,COV、現像処理ユニットDEV、除去ユニットREMおよび洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2の動作の詳細について、塗布ユニットBARCを例にして説明する。
(3-3) About each unit During the hand cleaning process, the coating units BARC, RES, COV, the development processing unit DEV, the removal unit REM, and the cleaning / drying processing units SD1 and SD2, the first to sixth central robots CR1 to CR1 The CR6 hands CRH1 to CRH12 and the interface transport mechanism IFR hands H1 and H2 are cleaned. Hereinafter, the details of the operations of the coating units BARC, RES, COV, the development processing unit DEV, the removal unit REM, and the cleaning / drying processing units SD1, SD2 during the hand cleaning process will be described using the coating unit BARC as an example.

図6は、ハンド洗浄処理時における塗布ユニットBARCの動作を説明するための側面図および平面図である。なお、図6には、塗布ユニットBARCにおいて第1のセンターロボットCR1のハンドCRH1が洗浄される場合が示される。   FIG. 6 is a side view and a plan view for explaining the operation of the coating unit BARC during the hand cleaning process. FIG. 6 shows a case where the hand CRH1 of the first center robot CR1 is cleaned in the coating unit BARC.

図6(a)に示すように、塗布ユニットBARCは、スピンチャック51および洗浄ノズル55を有する。スピンチャック51は、回転軸512の上端に固定されている。回転軸512は、チャック回転機構511によって回転駆動される。スピンチャック51には吸気路(図示せず)が形成されており、その吸気路内を排気することによってスピンチャック51上に載置された洗浄用基板Waを真空吸着して水平姿勢で保持することができる。   As shown in FIG. 6A, the coating unit BARC includes a spin chuck 51 and a cleaning nozzle 55. The spin chuck 51 is fixed to the upper end of the rotating shaft 512. The rotating shaft 512 is rotationally driven by a chuck rotating mechanism 511. An intake passage (not shown) is formed in the spin chuck 51, and the cleaning substrate Wa placed on the spin chuck 51 is vacuum-sucked and held in a horizontal posture by exhausting the inside of the intake passage. be able to.

洗浄ノズル55はスピンチャック51の斜め上方に設けられている。洗浄ノズル55には洗浄液(例えば純水)を供給するための液供給管56が接続されている。   The cleaning nozzle 55 is provided obliquely above the spin chuck 51. A liquid supply pipe 56 for supplying a cleaning liquid (for example, pure water) is connected to the cleaning nozzle 55.

ハンド洗浄処理時には、洗浄用基板Waがスピンチャック51により保持された状態で、チャック回転機構511によってスピンチャック51が回転駆動される。それにより、洗浄用基板Waが回転する。この場合、洗浄用基板Waの回転速度は例えば10rpmに調整される。   During the hand cleaning process, the spin chuck 51 is rotated by the chuck rotating mechanism 511 while the cleaning substrate Wa is held by the spin chuck 51. As a result, the cleaning substrate Wa rotates. In this case, the rotation speed of the cleaning substrate Wa is adjusted to 10 rpm, for example.

回転する洗浄用基板Waを取り囲むように、第1のセンターロボットCR1のハンドCRH1が移動する。その状態で、ハンドCRH1が上下方向および水平方向に僅かに往復移動する。それにより、ハンドCRH1の基板支持部704の傾斜面704a(図5(b)参照)および基板支持面704bが、回転する洗浄用基板Waの外周端部に軽く押し当てられる。これにより、ハンドCRH1の基板支持部704の傾斜面704aおよび基板支持面704bに付着する汚染物が洗浄用基板Waによって擦り取られる。   The hand CRH1 of the first center robot CR1 moves so as to surround the rotating cleaning substrate Wa. In this state, the hand CRH1 slightly reciprocates up and down and horizontally. Thereby, the inclined surface 704a (see FIG. 5B) and the substrate support surface 704b of the substrate support portion 704 of the hand CRH1 are lightly pressed against the outer peripheral end portion of the rotating cleaning substrate Wa. Thereby, the contaminant adhering to the inclined surface 704a and the substrate support surface 704b of the substrate support portion 704 of the hand CRH1 is scraped off by the cleaning substrate Wa.

所定時間経過後、ハンドCRH1が塗布ユニットBARCから退出するとともにハンドCRH2が塗布ユニットBARC内に進入する。そして、ハンドCRH1と同様にして、ハンドCRH2の基板支持部704の傾斜面704aおよび基板支持面704bが、回転する洗浄用基板Waに押し当てられる。それにより、ハンドCRH2の基板支持部704の傾斜面704aおよび基板支持面704bに付着する汚染物が洗浄用基板Waによって擦り取られる。その後、ハンドCRH2が塗布ユニットBARCから退出する。   After a predetermined time elapses, the hand CRH1 leaves the coating unit BARC and the hand CRH2 enters the coating unit BARC. Then, similarly to the hand CRH1, the inclined surface 704a and the substrate support surface 704b of the substrate support portion 704 of the hand CRH2 are pressed against the rotating cleaning substrate Wa. Accordingly, contaminants attached to the inclined surface 704a and the substrate support surface 704b of the substrate support portion 704 of the hand CRH2 are scraped off by the cleaning substrate Wa. Thereafter, the hand CRH2 leaves the coating unit BARC.

続いて、洗浄用基板Waの回転が維持された状態で、端部洗浄ノズル55から洗浄用基板Waの外周端部に洗浄液が供給される。これにより、第1のセンターロボットCR1のハンドCRH1,CRH2から洗浄用基板Waの外周端部に転移した汚染物が洗い流される。   Subsequently, the cleaning liquid is supplied from the end cleaning nozzle 55 to the outer peripheral end of the cleaning substrate Wa while the rotation of the cleaning substrate Wa is maintained. As a result, the contaminants transferred from the hands CRH1 and CRH2 of the first central robot CR1 to the outer peripheral edge of the cleaning substrate Wa are washed away.

続いて、スピンチャック51が高速で回転駆動されることによって洗浄用基板Waが高速で回転し、洗浄用基板Waに付着する洗浄液が振り切られる。その後、第1のセンターロボットCR1により洗浄用基板Waが塗布ユニットBARCから搬出される。   Subsequently, when the spin chuck 51 is rotationally driven at a high speed, the cleaning substrate Wa is rotated at a high speed, and the cleaning liquid adhering to the cleaning substrate Wa is shaken off. Thereafter, the cleaning substrate Wa is unloaded from the coating unit BARC by the first central robot CR1.

このようにして、塗布ユニットBARCにおいて第1のセンターロボットCR1のハンドCRH1,CRH2が洗浄される。なお、本例では、ハンドCRH1が先に洗浄されるが、ハンドCRH2が先に洗浄されてもよい。   In this manner, the hands CRH1 and CRH2 of the first center robot CR1 are cleaned in the coating unit BARC. In this example, the hand CRH1 is washed first, but the hand CRH2 may be washed first.

上記のように、塗布ユニットRES,COV、現像処理ユニットDEV、除去ユニットREMおよび洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2には、塗布ユニットBARCのスピンチャック51および洗浄ノズル55と同様のスピンチャック61,71,81,91,105,106および洗浄ノズルが設けられている。   As described above, the coating units RES and COV, the development processing unit DEV, the removal unit REM, and the cleaning / drying processing units SD1 and SD2 include spin chucks 61 and 71 similar to the spin chuck 51 and the cleaning nozzle 55 of the coating unit BARC. 81, 91, 105, 106 and a cleaning nozzle.

そのスピンチャック61,71,81,91,105,106および洗浄ノズルを用いて、塗布ユニットRES,COV、現像処理ユニットDEV、除去ユニットREMおよび洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2においても塗布ユニットBARCと同様の処理が行われる。それにより、第2〜第6のセンターロボットCR2〜CR6のハンドCRH3〜CRH12およびインターフェース用搬送機構IFRのハンドH1,H2が洗浄される。   Using the spin chucks 61, 71, 81, 91, 105, 106 and the cleaning nozzle, the coating units RES, COV, the development processing unit DEV, the removal unit REM, and the cleaning / drying processing units SD1, SD2 Similar processing is performed. Thereby, the hands CRH3 to CRH12 of the second to sixth central robots CR2 to CR6 and the hands H1 and H2 of the interface transport mechanism IFR are washed.

(4)実施の形態の効果
本実施の形態では、ハンド洗浄処理によってハンドCRH1〜CRH12,H1,H2に付着する汚染物が取り除かれる。それにより、ハンドCRH1〜CRH12,H1,H2を清浄に維持することができる。したがって、ハンドCRH1〜CRH12,H1,H2から基板Wに汚染物が転移すること、およびハンドCRH1〜CRH12,H1,H2から基板処理装置500内に汚染物が落下することが防止される。その結果、基板Wの処理不良の発生および基板処理装置500の動作不良の発生が防止される。
(4) Effects of the embodiment In the present embodiment, contaminants attached to the hands CRH1 to CRH12, H1, and H2 are removed by the hand cleaning process. Thereby, the hands CRH1 to CRH12, H1, and H2 can be kept clean. Therefore, contaminants are prevented from transferring from the hands CRH1 to CRH12, H1, and H2 to the substrate W and from falling into the substrate processing apparatus 500 from the hands CRH1 to CRH12, H1, and H2. As a result, it is possible to prevent the processing failure of the substrate W and the operation failure of the substrate processing apparatus 500 from occurring.

また、人手を必要とせずにハンドCRH1〜CRH12,H1,H2を清浄に維持することができるので、使用者の作業負担の増大を抑制することができる。   In addition, since the hands CRH1 to CRH12, H1, and H2 can be kept clean without the need for manpower, an increase in the work burden on the user can be suppressed.

また、本実施の形態では、塗布ユニットBARC,RES,COV、現像処理ユニットDEV、除去ユニットREMおよび洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2において、ハンドCRH1〜CRH12,H1,H2の洗浄が行われる。すなわち、基板Wに処理を行うユニットを利用してハンドCRH1〜CRH12,H1,H2の洗浄が行われる。それにより、基板処理装置500の大型化およびコストの増大を抑制することができる。   In the present embodiment, the hands CRH1 to CRH12, H1, and H2 are cleaned in the coating units BARC, RES, and COV, the development processing unit DEV, the removal unit REM, and the cleaning / drying processing units SD1 and SD2. That is, the hands CRH1 to CRH12, H1, and H2 are cleaned using a unit that processes the substrate W. Thereby, an increase in size and cost of the substrate processing apparatus 500 can be suppressed.

(5)洗浄用基板の他の例
上記実施の形態では、洗浄用基板Waとして未処理の基板Wを用いたが、図7に示す洗浄用基板を用いてもよい。
(5) Other Examples of Cleaning Substrate In the above embodiment, the unprocessed substrate W is used as the cleaning substrate Wa. However, the cleaning substrate shown in FIG. 7 may be used.

図7は、洗浄用基板の他の例を示す平面図である。図7の洗浄用基板Wbの外周端部には、洗浄用部材Woが取り付けられている。洗浄用部材Woは、例えばスポンジまたはゴム等の軟質材料からなる。   FIG. 7 is a plan view showing another example of the cleaning substrate. A cleaning member Wo is attached to the outer peripheral end of the cleaning substrate Wb in FIG. The cleaning member Wo is made of a soft material such as sponge or rubber, for example.

洗浄用基板Wbを用いる場合のハンド洗浄処理の例について、塗布ユニットBARCにおける処理を例として上記実施の形態と異なる点を説明する。   Regarding the example of the hand cleaning process in the case of using the cleaning substrate Wb, the difference from the above embodiment will be described by taking the process in the coating unit BARC as an example.

塗布ユニットBARCにおいて、洗浄用基板Wbはスピンチャック51により保持されるとともにスピンチャック51の回転に伴い回転する。続いて、洗浄ノズル55から回転する洗浄用基板Wbの洗浄用部材Woに洗浄液が供給される。この場合、洗浄液としてアセトンまたはシンナー等の溶剤が用いられる。これにより、洗浄用基板Wbの洗浄用部材Woが溶剤を含有した状態となる。   In the coating unit BARC, the cleaning substrate Wb is held by the spin chuck 51 and rotates as the spin chuck 51 rotates. Subsequently, the cleaning liquid is supplied from the cleaning nozzle 55 to the cleaning member Wo of the cleaning substrate Wb that rotates. In this case, a solvent such as acetone or thinner is used as the cleaning liquid. As a result, the cleaning member Wo of the cleaning substrate Wb contains the solvent.

その状態で、上記実施の形態と同様に第1のセンターロボットCR1のハンドCRH1,CRH2の基板支持部704の傾斜面704aおよび基板支持面704bが洗浄用基板Wbの外周端部に押し当てられる。   In this state, the inclined surface 704a and the substrate support surface 704b of the substrate support portion 704 of the hands CRH1 and CRH2 of the first central robot CR1 are pressed against the outer peripheral end portion of the cleaning substrate Wb in the same manner as in the above embodiment.

図8は、洗浄用基板WbとハンドCRH1,CRH2の基板支持部704との接触状態を示す図である。図8に示すように、洗浄用基板Wbを用いた場合には、基板支持部704の傾斜面704aおよび基板支持面704bが、回転する洗浄用基板Wbの洗浄用部材Woに接触する。それにより、基板支持部704の傾斜面704aおよび基板支持面704bに付着する汚染物が洗浄用部材Woによって磨き取られる。   FIG. 8 is a diagram showing a contact state between the cleaning substrate Wb and the substrate support portions 704 of the hands CRH1 and CRH2. As shown in FIG. 8, when the cleaning substrate Wb is used, the inclined surface 704a and the substrate support surface 704b of the substrate support portion 704 come into contact with the cleaning member Wo of the rotating cleaning substrate Wb. As a result, contaminants adhering to the inclined surface 704a and the substrate support surface 704b of the substrate support portion 704 are polished by the cleaning member Wo.

このように、洗浄用基板Wbを用いた場合には、アセトンまたはシンナー等の溶剤を用いてハンドCRH1,CRH2の洗浄を行うことができるので、ハンドCRH1,CRH2に付着する汚染物をより確実に取り除くことができる。   As described above, when the cleaning substrate Wb is used, since the hands CRH1 and CRH2 can be cleaned using a solvent such as acetone or thinner, the contaminants attached to the hands CRH1 and CRH2 can be more reliably detected. Can be removed.

(6)インデクサ洗浄機構
インデクサロボットIRのハンドIRHを洗浄するための洗浄機構(以下、インデクサ洗浄機構と呼ぶ)を設けてもよい。図9は、インデクサ洗浄機構の一例を示す図である。図9の例では、インデクサ洗浄機構が基板載置部PASS1に設けられる。
(6) Indexer cleaning mechanism A cleaning mechanism (hereinafter referred to as an indexer cleaning mechanism) for cleaning the hand IRH of the indexer robot IR may be provided. FIG. 9 is a diagram illustrating an example of the indexer cleaning mechanism. In the example of FIG. 9, the indexer cleaning mechanism is provided in the substrate platform PASS1.

図9(a)に示すように、基板載置部PASS1は水平に配置された棚板601を有する。棚板601上には、基板Wを支持するための複数本の支持ピン603が設けられている。   As shown in FIG. 9A, the substrate platform PASS1 has a shelf plate 601 arranged horizontally. A plurality of support pins 603 for supporting the substrate W are provided on the shelf board 601.

インデクサ洗浄機構600は、棚板602を貫通するように設けられた回転軸605、その回転軸605の上端に固定されたチャック部606、および回転軸605を昇降駆動および回転駆動する昇降回転駆動部607を含む。ハンド洗浄処理が行われない期間は、チャック部606が支持ピン603よりも低位置に配置される。   The indexer cleaning mechanism 600 includes a rotating shaft 605 provided so as to penetrate the shelf plate 602, a chuck portion 606 fixed to the upper end of the rotating shaft 605, and a lifting / lowering driving unit that drives the rotating shaft 605 to move up and down. 607 is included. During a period when the hand cleaning process is not performed, the chuck portion 606 is disposed at a lower position than the support pin 603.

ハンド洗浄処理時には、インデクサロボットIRが洗浄用基板収容部ST1から洗浄用基板Waを取り出し、その洗浄用基板Waを基板載置部PASS1の支持ピン603上に載置する。   During the hand cleaning process, the indexer robot IR takes out the cleaning substrate Wa from the cleaning substrate storage unit ST1, and places the cleaning substrate Wa on the support pins 603 of the substrate platform PASS1.

その状態で、図9(b)に示すように、昇降回転駆動部607によって回転軸605が上昇する。それにより、支持ピン603上に載置された洗浄用基板Waがチャック部606により受け取られる。チャック部606は、洗浄用基板Waを真空吸着して水平姿勢に保持する。昇降回転駆動部607によって回転軸605が回転駆動されることにより、洗浄用基板Waが回転する。   In this state, as shown in FIG. 9B, the rotary shaft 605 is raised by the lifting / lowering drive unit 607. Accordingly, the cleaning substrate Wa placed on the support pins 603 is received by the chuck portion 606. The chuck portion 606 holds the cleaning substrate Wa in a vacuum posture by vacuum suction. When the rotary shaft 605 is rotationally driven by the up-and-down rotation driving unit 607, the cleaning substrate Wa rotates.

図9(c)に示すように、回転する洗浄用基板Waを取り囲むように、にインデクサロボットIRのハンドIRHが移動する。なお、インデクサロボットIRのハンドIRHは、図5に示したハンドCRH1と同様の構成を有する。   As shown in FIG. 9C, the hand IRH of the indexer robot IR moves so as to surround the rotating cleaning substrate Wa. The hand IRH of the indexer robot IR has the same configuration as the hand CRH1 shown in FIG.

その状態で、ハンドIRHが上下方向および水平方向に僅かに往復移動する。それにより、ハンドIRHの基板支持部704(図5参照)の傾斜面704aおよび基板支持面704bが、回転する洗浄用基板Waの外周端部に軽く押し当てられ、基板支持部704の傾斜面704aおよび基板支持面704bに付着する汚染物が擦り取られる。   In this state, the hand IRH slightly reciprocates up and down and horizontally. Accordingly, the inclined surface 704a and the substrate support surface 704b of the substrate support portion 704 (see FIG. 5) of the hand IRH are lightly pressed against the outer peripheral end portion of the rotating cleaning substrate Wa, and the inclined surface 704a of the substrate support portion 704 is obtained. In addition, contaminants attached to the substrate support surface 704b are scraped off.

このように、洗浄用基板Waを保持して回転させるインデクサ洗浄機構600を基板載置部PASS1に設けることにより、インデクサロボットIRのハンドIRHの洗浄が可能となる。   Thus, by providing the substrate platform PASS1 with the indexer cleaning mechanism 600 that holds and rotates the cleaning substrate Wa, the hand IRH of the indexer robot IR can be cleaned.

なお、インデクサ洗浄機構600は、基板載置部PASS2に設けられてもよい。また、インデクサ洗浄機構600を備えたユニットが、隔壁17またはインデクサブロック9内に設けられてもよい。また、洗浄用基板Waの代わりに図7の洗浄用基板Wbを用いてもよい。   The indexer cleaning mechanism 600 may be provided in the substrate platform PASS2. A unit including the indexer cleaning mechanism 600 may be provided in the partition wall 17 or the indexer block 9. Further, the cleaning substrate Wb of FIG. 7 may be used instead of the cleaning substrate Wa.

(7)他の実施の形態
上記実施の形態では、洗浄用基板収容部ST1〜ST7が基板載置部PASS1〜PASS13と同様の構成を有するが、洗浄用基板収容部ST1〜ST7の構成はこれに限らない。例えば、洗浄用基板収容部ST1〜ST7は、洗浄用基板Wa,Wbを密閉空間内に収容するチャンバ構造を有してもよい。その場合、洗浄用基板収容部ST1〜ST7に収容されている洗浄用基板Wa,Wbに塵埃等が付着することが防止される。
(7) Other Embodiments In the above embodiment, the cleaning substrate storage units ST1 to ST7 have the same configuration as the substrate platform PASS1 to PASS13, but the configuration of the cleaning substrate storage units ST1 to ST7 is this. Not limited to. For example, the cleaning substrate storage units ST1 to ST7 may have a chamber structure that stores the cleaning substrates Wa and Wb in a sealed space. In this case, dust or the like is prevented from adhering to the cleaning substrates Wa and Wb stored in the cleaning substrate storage units ST1 to ST7.

また、図9において、インデクサロボットIRのハンドIRHを洗浄するためのインデクサ洗浄機構600が基板載置部PASS1に設けられる例が示されるが、インデクサ洗浄機構600と同様の構成の洗浄機構が、基板載置部PASS3〜PASS13に設けられてもよい。その場合、第1〜第6のセンターロボットCR1〜CR6およびインターフェース用搬送機構IFRのハンドIRH,CRH1〜CRH12,H1,H2を基板載置部PASS3〜PASS13において洗浄することが可能となる。   FIG. 9 shows an example in which the indexer cleaning mechanism 600 for cleaning the hand IRH of the indexer robot IR is provided in the substrate platform PASS1, but the cleaning mechanism having the same configuration as the indexer cleaning mechanism 600 is configured as follows. You may provide in mounting part PASS3-PASS13. In this case, the first to sixth central robots CR1 to CR6 and the hands IRH, CRH1 to CRH12, H1, and H2 of the interface transport mechanism IFR can be cleaned in the substrate platforms PASS3 to PASS13.

また、インターフェースブロック15においては、洗浄用基板Wa,Wbが洗浄用基板収容部ST6,ST7の代わりに送りバッファ部SBFおよび戻りバッファ部RBFの少なくとも一方に収容されてもよい。   In the interface block 15, the cleaning substrates Wa and Wb may be stored in at least one of the sending buffer unit SBF and the return buffer unit RBF instead of the cleaning substrate storage units ST6 and ST7.

また、上記実施の形態では、塗布ユニットBARC,RES,COV、現像処理ユニットDEV、除去ユニットREMおよび洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2に、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズルが設けられるが、洗浄用基板に洗浄液を供給する手段はこれに限らない。例えば、塗布ユニットBARC,RES,COV、現像処理ユニットDEV、除去ユニットREMにおいて、供給ノズル52,62,72,82,92を用いて洗浄用基板に洗浄液を供給してもよい。   In the above embodiment, the coating units BARC, RES, COV, the development processing unit DEV, the removal unit REM, and the cleaning / drying processing units SD1, SD2 are provided with cleaning nozzles that supply a cleaning liquid to the cleaning substrate. The means for supplying the cleaning liquid to the cleaning substrate is not limited to this. For example, in the coating units BARC, RES, COV, the development processing unit DEV, and the removal unit REM, the cleaning liquid may be supplied to the cleaning substrate using the supply nozzles 52, 62, 72, 82, and 92.

また、塗布ユニットBARC,RES,COVにおいて、洗浄ノズルを用いて成膜処理後の基板Wにエッジリンス処理を行ってもよい。その場合、基板W上に反射防止膜、レジスト膜またはレジストカバー膜が形成された後、洗浄ノズルから基板Wの周縁部に洗浄液(例えばアセトンまたはシンナー)が供給されることにより、基板Wの周縁部に形成された各膜が除去される。   Further, in the coating units BARC, RES, and COV, an edge rinse process may be performed on the substrate W after the film formation process using a cleaning nozzle. In that case, after an antireflection film, a resist film or a resist cover film is formed on the substrate W, a cleaning liquid (for example, acetone or thinner) is supplied to the peripheral portion of the substrate W from the cleaning nozzle, whereby the peripheral edge of the substrate W is obtained. Each film formed on the part is removed.

また、ハンド洗浄処理専用のハンド洗浄ユニットが設けられてもよい。その場合、ハンド洗浄ユニットには、スピンチャック51,61,71,81,91,105,106と同様の基板保持回転手段が設けられる。その基板保持回転手段により保持されて回転する洗浄用基板にハンドIRH,CRH1〜CRH12,H1,H2を接触させることにより、ハンドIRH,CRH1〜CRH12,H1,H2に付着する汚染物を取り除くことができる。   Further, a hand cleaning unit dedicated to the hand cleaning process may be provided. In this case, the hand cleaning unit is provided with a substrate holding and rotating means similar to the spin chucks 51, 61, 71, 81, 91, 105, and 106. By bringing the hands IRH, CRH1 to CRH12, H1, and H2 into contact with the cleaning substrate held and rotated by the substrate holding and rotating means, contaminants attached to the hands IRH, CRH1 to CRH12, H1, and H2 can be removed. it can.

(8)請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
(8) Correspondence between each constituent element of claim and each element of the embodiment Hereinafter, an example of correspondence between each constituent element of the claim and each element of the embodiment will be described. It is not limited to.

上記実施の形態では、塗布ユニットBARC,RES,COV、現像処理ユニットDEV、除去ユニットREMおよび洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2が処理ユニットの例であり、ハンドIRH,CRH1〜CRH12,H1,H2が保持部の例であり、インデクサロボットIR,第1〜第6のセンターロボットCR1〜CR6およびインターフェース用搬送機構IFRが移動機構および基板搬送手段の例であり、メインコントローラ30が制御手段の例である。   In the above embodiment, the coating units BARC, RES, COV, the development processing unit DEV, the removal unit REM, and the cleaning / drying processing units SD1, SD2 are examples of processing units, and the hands IRH, CRH1 to CRH12, H1, H2 It is an example of a holding unit, the indexer robot IR, the first to sixth center robots CR1 to CR6, and the interface transport mechanism IFR are examples of moving mechanisms and substrate transport means, and the main controller 30 is an example of control means. .

また、スピンチャック51,61,71,81,91,105,106およびインデクサ洗浄機構600が保持部洗浄手段および基板保持回転手段の例であり、スピンチャック51,61,71,81,91,105,106が第1の基板保持回転装置の例であり、供給ノズル52,62,72,82,92が処理手段の例であり、インデクサ洗浄機構600が第2の基板保持回転装置の例であり、洗浄用基板Wbが洗浄用の基板の例であり、洗浄用部材Woが洗浄部材の例であり、洗浄ノズル55が洗浄液供給手段の例であり、基板支持部704が支持部材の例である。   Also, the spin chucks 51, 61, 71, 81, 91, 105, 106 and the indexer cleaning mechanism 600 are examples of holding unit cleaning means and substrate holding rotation means, and the spin chucks 51, 61, 71, 81, 91, 105 are examples. 106 are examples of the first substrate holding and rotating device, the supply nozzles 52, 62, 72, 82, and 92 are examples of the processing means, and the indexer cleaning mechanism 600 is an example of the second substrate holding and rotating device. The cleaning substrate Wb is an example of a cleaning substrate, the cleaning member Wo is an example of a cleaning member, the cleaning nozzle 55 is an example of a cleaning liquid supply means, and the substrate support portion 704 is an example of a support member. .

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。   As each constituent element in the claims, various other elements having configurations or functions described in the claims can be used.

本発明は、基板搬送手段を有する種々の装置において有効に利用することができる。   The present invention can be effectively used in various apparatuses having a substrate transfer means.

本発明の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。It is a top view of the substrate processing apparatus concerning an embodiment of the invention. 図1の基板処理装置を+X方向から見た概略側面図である。It is the schematic side view which looked at the substrate processing apparatus of Drawing 1 from the + X direction. 図1の基板処理装置を−X方向から見た概略側面図である。It is the schematic side view which looked at the substrate processing apparatus of Drawing 1 from the -X direction. インターフェースブロックを+Y側から見た概略側面図である。It is the schematic side view which looked at the interface block from the + Y side. ハンドの具体的な構成を示す図である。It is a figure which shows the specific structure of a hand. ハンド洗浄処理時における塗布ユニットの動作を説明するための側面図および平面図である。It is the side view and top view for demonstrating operation | movement of the application | coating unit at the time of a hand washing process. 洗浄用基板の他の例を示す平面図および断面図である。It is the top view and sectional drawing which show the other example of the board | substrate for washing | cleaning. 図7の洗浄用基板との基板支持部との接触状態を示す図である。It is a figure which shows a contact state with the board | substrate support part with the board | substrate for washing | cleaning of FIG. インデクサ洗浄機構の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of an indexer washing | cleaning mechanism.

符号の説明Explanation of symbols

30 メインコントローラ
51,61,71,81,91,105,106 スピンチャック
52,62,72,82,92 供給ノズル
55 洗浄ノズル
500 基板処理装置
600 インデクサ洗浄機構
704 基板支持部
BARC,RES,COV 塗布ユニット
DEV 現像処理ユニット
IR インデクサロボット
IRH,CRH1〜CRH12,H1,H2 ハンド
REM 除去ユニット
SD1,SD2 洗浄/乾燥処理ユニット
CR1〜CR6 第1〜第6のセンターロボット
IFR インターフェース用搬送機構
W 基板
Wo 洗浄用部材
Wa,Wb 洗浄用基板
30 Main controller 51, 61, 71, 81, 91, 105, 106 Spin chuck 52, 62, 72, 82, 92 Supply nozzle 55 Cleaning nozzle 500 Substrate processing apparatus 600 Indexer cleaning mechanism 704 Substrate support part BARC, RES, COV coating Unit DEV Development processing unit IR Indexer robot IRH, CRH1 to CRH12, H1, H2 Hand REM removal unit SD1, SD2 Cleaning / drying processing units CR1 to CR6 First to sixth center robots IFR Interface transport mechanism W Substrate Wo For cleaning Member Wa, Wb Cleaning substrate

Claims (7)

基板に処理を行う処理ユニットと、
基板を保持する保持部および前記保持部を移動させる移動機構を含み、所定位置と前記処理ユニットとの間で基板を搬送する基板搬送手段と、
前記処理ユニットおよび前記基板搬送手段を制御する制御手段と、
前記基板搬送手段による基板の搬送経路および前記処理ユニットの少なくとも一方に設けられ、前記基板搬送手段の前記保持部を洗浄する保持部洗浄手段とを備え、
前記保持部洗浄手段は、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる基板保持回転手段を含み、
前記制御部は、前記保持部の洗浄時に、前記基板保持回転手段により回転する基板に前記保持部が接触するように前記基板保持回転手段および前記移動機構を制御することを特徴とする基板処理装置。
A processing unit for processing the substrate;
A substrate transport unit that transports the substrate between a predetermined position and the processing unit, including a holding unit that holds the substrate and a moving mechanism that moves the holding unit;
Control means for controlling the processing unit and the substrate transport means;
A holding unit cleaning unit that is provided in at least one of the substrate transfer path by the substrate transfer unit and the processing unit, and that cleans the holding unit of the substrate transfer unit;
The holding unit cleaning means includes a substrate holding rotating means for rotating while holding the substrate in a horizontal posture,
The control unit controls the substrate holding and rotating unit and the moving mechanism so that the holding unit comes into contact with a substrate rotated by the substrate holding and rotating unit when cleaning the holding unit. .
前記処理ユニットは、
前記保持部洗浄手段の前記基板保持回転手段と共通に設けられる第1の基板保持回転装置と、
前記第1の基板保持回転装置により回転する基板に処理を行う処理手段とを含み、
前記制御部は、前記保持部の洗浄時に、前記第1の基板保持回転装置により回転する基板に前記保持部が接触するように前記第1の基板保持回転装置および前記移動機構を制御することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
The processing unit is
A first substrate holding and rotating device provided in common with the substrate holding and rotating means of the holding unit cleaning means;
Processing means for processing the substrate rotated by the first substrate holding and rotating device,
The control unit controls the first substrate holding and rotating device and the moving mechanism so that the holding unit comes into contact with a substrate rotated by the first substrate holding and rotating device during cleaning of the holding unit. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
前記搬送経路に設けられ、基板が一時的に載置される基板載置部をさらに備え、
前記基板載置部は、前記保持部洗浄手段の前記基板保持回転手段と共通に設けられる第2の基板保持回転装置を含み、
前記制御部は、前記保持部の洗浄時に、前記第2の基板保持回転装置により回転する基板に前記保持部が接触するように前記第2の基板保持回転装置および前記移動機構を制御することを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
Further comprising a substrate mounting portion provided in the transfer path, on which the substrate is temporarily mounted;
The substrate mounting unit includes a second substrate holding and rotating device provided in common with the substrate holding and rotating unit of the holding unit cleaning unit,
The control unit controls the second substrate holding and rotating device and the moving mechanism so that the holding unit comes into contact with the substrate rotated by the second substrate holding and rotating device when the holding unit is cleaned. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is characterized.
前記基板保持回転手段は、前記保持部の洗浄時に、洗浄用の基板を保持し、前記洗浄用の基板の外周部は、柔軟性を有する洗浄部材を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。 The said substrate holding | maintenance rotation means hold | maintains the board | substrate for washing | cleaning at the time of washing | cleaning of the said holding | maintenance part, The outer peripheral part of the said board | substrate for washing | cleaning has a cleaning member which has a softness | flexibility. The substrate processing apparatus according to any one of the above. 前記保持部の洗浄後に、前記基板保持回転手段により回転する基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a cleaning liquid supply unit that supplies a cleaning liquid to the substrate rotated by the substrate holding and rotating unit after cleaning the holding unit. 前記保持部は、基板の外周端部を支持する支持部材を含み、
前記制御手段は、前記基板保持回転手段により回転する基板の外周端部に前記保持部の前記支持部材が接触するように前記基板保持回転手段および前記移動機構を制御することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。
The holding unit includes a support member that supports an outer peripheral end of the substrate,
The said control means controls the said board | substrate holding | maintenance rotation means and the said moving mechanism so that the said supporting member of the said holding | maintenance part may contact the outer peripheral edge part of the board | substrate rotated by the said board | substrate holding | maintenance rotation means. The substrate processing apparatus in any one of 1-5.
基板搬送手段において基板を保持する保持部を洗浄する保持部洗浄システムであって、
基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる基板保持回転手段と、
前記基板保持回転手段により回転する基板に前記保持部が接触するように前記基板保持回転手段および前記基板搬送手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする保持部洗浄システム。
A holding unit cleaning system for cleaning a holding unit that holds a substrate in a substrate transfer means,
A substrate holding and rotating means for rotating while holding the substrate in a horizontal position;
A holding unit cleaning system comprising: a substrate holding and rotating unit and a control unit that controls the substrate transport unit so that the holding unit comes into contact with a substrate rotated by the substrate holding and rotating unit.
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