JP2020070491A - Alignment device, film deposition, alignment method, film deposition method, and electronic device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法に関するものである。 The present invention relates to an alignment apparatus, a film forming apparatus, an alignment method, a film forming method, and an electronic device manufacturing method.
有機EL表示装置(有機ELディスプレイ)の製造においては、有機EL表示装置を構成する有機発光素子(有機EL素子;OLED)を形成する際に、成膜装置の蒸発源から蒸発した蒸着材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に蒸着させることで、有機物層や金属層を形成する。 In the production of an organic EL display device (organic EL display), when forming an organic light emitting element (organic EL element; OLED) that constitutes the organic EL display device, a vapor deposition material evaporated from an evaporation source of a film forming device is used. An organic material layer or a metal layer is formed by vapor deposition on a substrate through a mask on which a pixel pattern is formed.
上向蒸着方式(デポアップ)の成膜装置において、蒸発源は成膜装置の真空容器の下部に設けられる。一方、基板は真空容器の上部に配置され、基板の下面に蒸着材料が蒸着される。このような上向蒸着方式の成膜装置の真空容器内において、基板はその下面の周縁部だけが基板ホルダによって保持されるので、基板がその自重によって撓み、これが蒸着精度を落とす一つの要因となっている。上向蒸着方式以外の方式の成膜装置においても、また、基板の自重による撓みは生じる可能性がある。 In an upward deposition type (deposition up) film forming apparatus, an evaporation source is provided below a vacuum container of the film forming apparatus. On the other hand, the substrate is placed on the upper portion of the vacuum container, and the vapor deposition material is deposited on the lower surface of the substrate. In such a vacuum container of an upward deposition type film forming apparatus, the substrate is held only by the peripheral portion of the lower surface of the substrate by the substrate holder, so that the substrate bends due to its own weight, which is one factor that reduces the deposition accuracy. Is becoming Even in a film forming apparatus of a method other than the upward evaporation method, the substrate may be bent due to its own weight.
基板の自重による撓みを低減するための方法として、静電チャックを使う技術が検討されている。すなわち、基板の上面をその全体にわたって静電チャックで吸着することで、基板の撓みを低減することができる。 As a method for reducing the bending of the substrate due to its own weight, a technique using an electrostatic chuck has been studied. That is, by bending the entire upper surface of the substrate with the electrostatic chuck, the bending of the substrate can be reduced.
特許文献1には、静電チャックに基板とマスクを吸着させる技術が開示されており、静電チャックを水平方向に移動させるための構成が開示されている。 Patent Document 1 discloses a technique for adsorbing a substrate and a mask on an electrostatic chuck, and discloses a configuration for moving the electrostatic chuck in the horizontal direction.
搬送ロボットによる基板の搬送誤差などによって静電チャックと基板との相対的位置が静電チャックの吸着面に平行な方向にずれた状態で、基板を静電チャックに吸着させる場合、基板が静電チャックにきちんと密着されなくなる。このような状態で基板のマスクに対するアライメント工程を行うと、基板のマスクに対する相対的位置調整の精度が落ちてしまう。 When the substrate is attracted to the electrostatic chuck when the relative position between the electrostatic chuck and the substrate is shifted in the direction parallel to the attraction surface of the electrostatic chuck due to the error of the substrate transfer by the transfer robot, etc. The chuck will not fit properly. If the alignment process of the substrate with respect to the mask is performed in such a state, the accuracy of the relative position adjustment of the substrate with respect to the mask deteriorates.
また、搬送ロボットによるマスクの搬送誤差などによって静電チャックとマスクとの間の相対的位置がずれた状態で、静電チャックにマスクの吸着のための電圧を印加する場合、静電チャックからの吸着力がマスクに十分に作用できず、基板とマスクとの間の密着精度が落ちてしまう。 Further, when a voltage for attracting the mask is applied to the electrostatic chuck in a state where the relative position between the electrostatic chuck and the mask is deviated due to an error in the transfer of the mask by the transfer robot, etc. The suction force cannot sufficiently act on the mask, and the adhesion accuracy between the substrate and the mask deteriorates.
本発明は、静電チャックと基板との間及び静電チャックとマスクとの間のうち少なくとも一方に対して静電チャックの吸着面に平行な方向に相対的な位置ずれが発生した場合にも、静電チャックと基板との間、もしくは静電チャックとマスクとの間の相対的位置を調整することができるアライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することを主な目的とする。 The present invention is also applicable to a case where relative displacement occurs between at least one of the electrostatic chuck and the substrate and between the electrostatic chuck and the mask in a direction parallel to the attraction surface of the electrostatic chuck. An alignment apparatus, a film forming apparatus, an alignment method, a film forming method, and an electronic device manufacturing method capable of adjusting a relative position between an electrostatic chuck and a substrate or between an electrostatic chuck and a mask are provided. The main purpose is to provide.
本発明の第1態様によるアライメント装置は、基板を支持するための基板支持ユニットと、マスクを支持するためのマスク支持ユニットと、前記基板及び前記基板を介して前記マスクを吸着するための静電チャックとを含み、前記基板支持ユニット及び前記マスク支持ユニットは、前記静電チャックに対して、前記静電チャックの吸着面と平行な方向である第1方向及び前記第1方向と直交する方向であって、前記静電チャックの吸着面と平行な方向である第2方向のうち、少なくとも一つの方向に移動可能であり、かつ、前記第1方向と前記第2方向のそれぞれと直交する第3方向を軸とした回転方向に回転可能であることを特徴とする。 An alignment apparatus according to a first aspect of the present invention includes a substrate support unit for supporting a substrate, a mask support unit for supporting a mask, the substrate and an electrostatic device for adsorbing the mask via the substrate. A chuck, wherein the substrate support unit and the mask support unit have a first direction parallel to the attraction surface of the electrostatic chuck and a direction orthogonal to the first direction with respect to the electrostatic chuck. A third direction that is movable in at least one of the second directions that are parallel to the attraction surface of the electrostatic chuck, and that is orthogonal to each of the first direction and the second direction. It is characterized in that it can rotate in a rotation direction around the direction.
本発明の第2態様による成膜装置は、マスクを介して基板に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、本発明の第1態様によるアライメント装置を含むことを特徴とする。 A film forming apparatus according to a second aspect of the present invention is a film forming apparatus for forming an evaporation material on a substrate through a mask, and is characterized by including the alignment apparatus according to the first aspect of the present invention.
本発明の第3態様によるアライメント方法は、基板を基板支持ユニットによって支持する工程と、マスクをマスク支持ユニットによって支持する工程と、前記基板と前記マスクのうち少なくとも一つを静電チャックに対して前記静電チャックの吸着面と平行な方向である第1方向及び前記第1方向と直交する方向であって、前記静電チャックの吸着面と平行な方向である第2方向のうち、少なくとも一つの方向に移動、または前記第1方向及び前記第2方向と直交する第3方向を軸とした回転方向に回転させることによって位置調整するプリアライメント工程と、前記基板と前記マスクの相対的な位置を調整するアライメント工程とを含むことを特徴とする。 An alignment method according to a third aspect of the present invention includes a step of supporting a substrate by a substrate supporting unit, a step of supporting a mask by a mask supporting unit, and at least one of the substrate and the mask with respect to an electrostatic chuck. At least one of a first direction that is a direction parallel to the attraction surface of the electrostatic chuck and a second direction that is a direction orthogonal to the first direction and that is parallel to the attraction surface of the electrostatic chuck. A pre-alignment step of adjusting the position by moving in one direction or rotating in a rotation direction around a third direction orthogonal to the first direction and the second direction; and a relative position of the substrate and the mask. And an alignment step for adjusting.
本発明の第4態様による成膜方法は、マスクを介して基板に蒸着材料を成膜するための成膜方法であって、前記マスクをマスク支持ユニットによって支持する工程と、前記基板を基板支持ユニットによって支持する工程と、前記基板支持ユニットに支持された前記基板を静電チャックに対して、前記静電チャックの吸着面と平行な方向である第1方向、前記第1方向と直交する方向であって、前記静電チャックの吸着面と平行な方向である第2方向のうち少なくとも一つの方向に移動、または前記第1方向及び前記第2方向のそれぞれと直交する第3方向を軸とした回転方向に回転させることによって位置調整するプリアライメント工程と、位置調整された前記基板を、前記静電チャックに吸着させる工程と、前記マスク支持ユニットに支持された前記マスクを前記静電チャックに吸着された前記基板に対して位置調整するアライメント工程と、位置調整された前記マスクを前記静電チャックに前記基板を介して吸着させる工程と、前記マスクを介して前記基板上に蒸着材料を成膜する工程とを含むことを特徴とする。 A film forming method according to a fourth aspect of the present invention is a film forming method for forming a film of an evaporation material on a substrate through a mask, comprising a step of supporting the mask by a mask supporting unit, and a step of supporting the substrate on the substrate. A step of supporting by a unit, a first direction which is a direction parallel to the attraction surface of the electrostatic chuck with respect to the electrostatic chuck, and a direction orthogonal to the first direction, with respect to the substrate supported by the substrate supporting unit. And moving in at least one of the second directions parallel to the attraction surface of the electrostatic chuck, or using a third direction orthogonal to each of the first direction and the second direction as an axis. A pre-alignment step of adjusting the position by rotating the substrate in the rotating direction, a step of adhering the position-adjusted substrate to the electrostatic chuck, and a step of supporting the mask supporting unit. An alignment step of adjusting the position of the mask to the substrate sucked by the electrostatic chuck; a step of adhering the position-adjusted mask to the electrostatic chuck through the substrate; And a step of forming a vapor deposition material on the substrate via the above.
本発明の第5態様による電子デバイスの製造方法は、本発明の第4態様による成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする。 A method of manufacturing an electronic device according to a fifth aspect of the present invention is characterized in that the electronic device is manufactured using the film forming method according to the fourth aspect of the present invention.
本発明によると、静電チャックと基板との間及び静電チャックとマスクとの間の少なくとも一方に対して静電チャックの吸着面に平行な方向に相対的な位置ずれが発生した場合、静電チャックと基板との間の相対的位置及び静電チャックとマスクとの間の相対的位置の少なくとも一方を調整することができる。これにより、静電チャックと基板との間の吸着精度、及び静電チャックとマスクとの間の吸着精度の少なくとも一方を向上させることができ、その結果、成膜精度を向上させることができる。 According to the present invention, when a relative position shift occurs in a direction parallel to the attraction surface of the electrostatic chuck with respect to at least one of the electrostatic chuck and the substrate and between the electrostatic chuck and the mask, a static displacement occurs. At least one of the relative position between the electric chuck and the substrate and the relative position between the electrostatic chuck and the mask can be adjusted. As a result, at least one of the suction accuracy between the electrostatic chuck and the substrate and the suction accuracy between the electrostatic chuck and the mask can be improved, and as a result, the film forming accuracy can be improved.
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples merely exemplify preferable configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to those configurations. Further, in the following description, the hardware configuration and software configuration of the apparatus, the processing flow, the manufacturing conditions, the dimensions, the material, the shape, etc., unless otherwise specified, limit the scope of the present invention to them. It isn't meant.
本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜(材料層)を形成する装置に好ましく適用することができる。基板の材料としては、ガラス、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選択することができ、基板は、例えば、ガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板であってもよい。また、蒸着材料としても、有機材料、金属性材料(金属、金属酸化物など)などの任意の材料を選択してもよい。なお、以下に説明する真空蒸着装置以外にも、スパッタ装置やCVD(Chemical Vapor Deposition)装置を含む成膜装置にも、本発明を適用することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス(例えば、有機EL素子、薄膜太陽電池)、光学部材などの製造装置に適用可能である。その中でも、蒸着材料を蒸発させてマスクを介して基板に蒸着させることで有機EL素子を形成する有機EL素子の製造装置は、本発明の好ましい適用例の一つである。 The present invention can be applied to an apparatus that deposits various materials on the surface of a substrate to form a film, and can be preferably applied to an apparatus that forms a thin film (material layer) having a desired pattern by vacuum vapor deposition. As the material of the substrate, any material such as glass, a film of a polymer material, and metal can be selected, and the substrate may be, for example, a substrate in which a film such as polyimide is laminated on a glass substrate. .. Further, as the vapor deposition material, any material such as an organic material or a metallic material (metal, metal oxide, etc.) may be selected. The present invention can be applied to a film forming apparatus including a sputtering apparatus and a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus in addition to the vacuum vapor deposition apparatus described below. The technique of the present invention is specifically applicable to an apparatus for manufacturing an organic electronic device (for example, an organic EL element, a thin film solar cell), an optical member, or the like. Among them, an organic EL element manufacturing apparatus that forms an organic EL element by evaporating a vapor deposition material and depositing it on a substrate through a mask is one of preferable application examples of the present invention.
<電子デバイスの製造装置>
図1は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
<Electronic device manufacturing equipment>
FIG. 1 is a plan view schematically showing a partial configuration of an electronic device manufacturing apparatus.
図1の製造装置は、例えば、スマートフォン用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、4.5世代の基板(約700mm×約900mm)や6世代のフルサイズ(約1500mm×約1850mm)又はハーフカットサイズ(約1500mm×約925mm)の基板に、有機EL素子の形成のための成膜を行った後、該基板を切り抜いて複数の小さなサイズのパネルを製作する。 The manufacturing apparatus of FIG. 1 is used for manufacturing a display panel of an organic EL display device for a smartphone, for example. In the case of a display panel for smartphones, for example, a 4.5th generation substrate (about 700 mm × about 900 mm), a 6th generation full size (about 1500 mm × about 1850 mm) or a half cut size (about 1500 mm × about 925 mm) substrate After forming a film for forming an organic EL element, the substrate is cut out to manufacture a plurality of small-sized panels.
電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置1と、クラスタ装置の間を繋ぐ中継装置とを含む。 An electronic device manufacturing apparatus generally includes a plurality of cluster devices 1 and a relay device that connects the cluster devices.
クラスタ装置1は、基板Sに対する処理(例えば、成膜処理)を行う複数の成膜装置11と、使用前後のマスクMを収納する複数のマスクストック装置12と、その中央に配置される搬送室13と、を具備する。搬送室13は、図1に示すように、複数の成膜装置11およびマスクストック装置12のそれぞれと接続されている。 The cluster apparatus 1 includes a plurality of film forming apparatuses 11 that perform a process (for example, a film forming process) on a substrate S, a plurality of mask stocking devices 12 that store masks M before and after use, and a transfer chamber arranged in the center thereof. 13 are provided. As shown in FIG. 1, the transfer chamber 13 is connected to each of the plurality of film forming apparatuses 11 and the mask stock apparatus 12.
搬送室13内には、基板およびマスクを搬送する搬送ロボット14が配置されている。搬送ロボット14は、上流側に配置された中継装置のパス室15から成膜装置11へと基板Sを搬送する。また、搬送ロボット14は、成膜装置11とマスクストック装置12との間でマスクMを搬送する。搬送ロボット14は、例えば、多関節アームに、基板S又はマスクMを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。 A transfer robot 14 that transfers the substrate and the mask is arranged in the transfer chamber 13. The transfer robot 14 transfers the substrate S from the path chamber 15 of the relay device arranged on the upstream side to the film forming apparatus 11. Further, the transfer robot 14 transfers the mask M between the film forming apparatus 11 and the mask stock apparatus 12. The transfer robot 14 is, for example, a robot having a structure in which a robot hand holding the substrate S or the mask M is attached to an articulated arm.
成膜装置11(蒸着装置とも呼ぶ)では、蒸発源に収納された蒸着材料がヒータによっ
て加熱されて蒸発し、マスクを介して基板上に蒸着される。搬送ロボット14との基板Sの受け渡し、基板SとマスクMの相対位置の調整(アライメント)、マスクM上への基板Sの固定、成膜(蒸着)などの一連の成膜プロセスは、成膜装置11によって行われる。
In the film forming apparatus 11 (also referred to as a vapor deposition apparatus), a vapor deposition material stored in an evaporation source is heated by a heater to be vaporized and vapor-deposited on a substrate through a mask. A series of film forming processes such as transfer of the substrate S to and from the transfer robot 14, adjustment of the relative position of the substrate S and the mask M (alignment), fixing of the substrate S on the mask M, film formation (vapor deposition), etc. Performed by the device 11.
マスクストック装置12には、成膜装置11での成膜工程に使われる新しいマスクと、使用済みのマスクとが、二つのカセットに分けて収納される。搬送ロボット14は、使用済みのマスクを成膜装置11からマスクストック装置12のカセットに搬送し、マスクストック装置12の他のカセットに収納された新しいマスクを成膜装置11に搬送する。 In the mask stock device 12, a new mask used in the film forming process in the film forming device 11 and a used mask are separately stored in two cassettes. The transfer robot 14 transfers a used mask from the film forming apparatus 11 to a cassette of the mask stock apparatus 12, and transfers a new mask stored in another cassette of the mask stock apparatus 12 to the film forming apparatus 11.
クラスタ装置1には、基板Sの流れ方向において上流側からの基板Sを当該クラスタ装置1に受け渡すパス室15と、当該クラスタ装置1で成膜処理が完了した基板Sを下流側の他のクラスタ装置に受け渡すためのバッファー室16が連結される。搬送室13の搬送ロボット14は、上流側のパス室15から基板Sを受け取って、当該クラスタ装置1内の成膜装置11の一つ(例えば、成膜装置11a)に搬送する。また、搬送ロボット14は、当該クラスタ装置1での成膜処理が完了した基板Sを複数の成膜装置11の一つ(例えば、成膜装置11b)から受け取って、下流側に連結されたバッファー室16に搬送する。 The cluster apparatus 1 includes a pass chamber 15 for transferring the substrate S from the upstream side in the flow direction of the substrate S to the cluster apparatus 1, and a substrate chamber S for which the film forming process is completed in the cluster apparatus 1 on the downstream side. A buffer chamber 16 for transferring to the cluster device is connected. The transfer robot 14 in the transfer chamber 13 receives the substrate S from the upstream pass chamber 15 and transfers it to one of the film forming apparatuses 11 (for example, the film forming apparatus 11 a) in the cluster apparatus 1. In addition, the transfer robot 14 receives the substrate S for which the film forming process is completed in the cluster apparatus 1 from one of the plurality of film forming apparatuses 11 (for example, the film forming apparatus 11b), and the buffer connected to the downstream side. It is transported to the chamber 16.
バッファー室16とパス室15との間には、基板の向きを変える旋回室17が設置される。旋回室17には、バッファー室16から基板Sを受け取って基板Sを180°回転させ、パス室15に搬送するための搬送ロボット18が設けられる。これにより、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置で基板Sの向きが同じになり、基板処理が容易になる。 A swirl chamber 17 for changing the orientation of the substrate is installed between the buffer chamber 16 and the pass chamber 15. The swirl chamber 17 is provided with a transfer robot 18 that receives the substrate S from the buffer chamber 16, rotates the substrate S by 180 °, and transfers the substrate S to the pass chamber 15. As a result, the orientation of the substrate S is the same in the upstream cluster device and the downstream cluster device, and substrate processing is facilitated.
パス室15、バッファー室16、旋回室17は、クラスタ装置間を連結する、いわゆる中継装置であり、クラスタ装置の上流側及び下流側の少なくとも一方に設置される中継装置は、パス室15、バッファー室16、旋回室17のうち少なくとも1つを含む。 The pass chamber 15, the buffer chamber 16, and the swirl chamber 17 are so-called relay devices that connect the cluster devices, and the relay device installed on at least one of the upstream side and the downstream side of the cluster device is the pass chamber 15, the buffer chamber. At least one of the chamber 16 and the swirl chamber 17 is included.
成膜装置11、マスクストック装置12、搬送室13、バッファー室16、旋回室17などは、有機発光素子の製造の過程で、高真空状態に維持される。パス室15は、通常低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されてもよい。 The film forming device 11, the mask stock device 12, the transfer chamber 13, the buffer chamber 16, the swirl chamber 17, and the like are maintained in a high vacuum state during the process of manufacturing the organic light emitting device. The pass chamber 15 is normally maintained in a low vacuum state, but may be maintained in a high vacuum state as needed.
本実施例では、図1を参照して、電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバーを有してもよく、これらの装置やチャンバー間の配置が変わってもよい。 In the present embodiment, the configuration of the electronic device manufacturing apparatus has been described with reference to FIG. 1. However, the present invention is not limited to this, and other types of apparatuses and chambers may be included. The arrangement between the chambers may change.
例えば、本発明は、基板SとマスクMを、成膜装置11ではなく、別の装置またはチャンバーで合着させた後、これをキャリアに乗せて、一列に並んだ複数の成膜装置を通して搬送させながら成膜工程を行うインラインタイプの製造装置にも適用することができる。 For example, according to the present invention, the substrate S and the mask M are bonded together not by the film forming apparatus 11 but by another apparatus or chamber, which is then placed on a carrier and conveyed through a plurality of film forming apparatuses arranged in a line. The present invention can also be applied to an in-line type manufacturing apparatus that performs a film forming process while performing the above.
<成膜装置>
図2は、成膜装置11の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をZ方向(第3方向)とするXYZ直交座標系を用いる。成膜時に基板Sが水平面(XY平面)と平行となるよう固定された場合、基板Sの短手方向(短辺に平行な方向)をX方向(第1方向)、長手方向(長辺に平行な方向)をY方向(第2方向)とする。また、Z軸まわりの回転角をθ(回転方向)で表す。
<Film forming device>
FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the film forming apparatus 11. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system in which the vertical direction is the Z direction (third direction) will be used. When the substrate S is fixed so as to be parallel to the horizontal plane (XY plane) during film formation, the lateral direction (direction parallel to the short side) of the substrate S is the X direction (first direction) and the longitudinal direction (long side is the long side). The parallel direction) is defined as the Y direction (second direction). Further, the rotation angle around the Z axis is represented by θ (rotation direction).
成膜装置11は、真空雰囲気又は窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される真空容器21と、真空容器21の内部に設けられる、基板支持ユニット22と、マスク支持ユニット23と、静電チャック24と、蒸発源25とを含む。本実施例の成膜装置11は、真
空容器21に固定されるように設置されるフレーム状のマスク台26をさらに含むことができる。
The film forming apparatus 11 includes a vacuum container 21 maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas, a substrate support unit 22, a mask support unit 23, and an electrostatic chuck provided inside the vacuum container 21. 24 and an evaporation source 25. The film forming apparatus 11 of the present embodiment may further include a frame-shaped mask table 26 installed so as to be fixed to the vacuum container 21.
基板支持ユニット22は、搬送室13に設けられた搬送ロボット14が搬送してきた基板Sを受取って保持する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。 The substrate support unit 22 is means for receiving and holding the substrate S transported by the transport robot 14 provided in the transport chamber 13, and is also called a substrate holder.
基板支持ユニット22の下方には、マスク支持ユニット23が設けられる。マスク支持ユニット23は、搬送室13に設けられた搬送ロボット14が搬送してきたマスクMを受取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。 A mask support unit 23 is provided below the substrate support unit 22. The mask support unit 23 is means for receiving and holding the mask M transported by the transport robot 14 provided in the transport chamber 13, and is also called a mask holder.
マスクMは、基板S上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット23に支持される。特に、スマートフォン用の有機EL素子を製造するのに使われるマスクは、微細な開口パターンが形成された金属製のマスクであり、FMM(Fine Metal Mask)とも呼ばれる。 The mask M has an opening pattern corresponding to the thin film pattern formed on the substrate S, and is supported by the mask support unit 23. In particular, a mask used to manufacture an organic EL element for a smartphone is a metal mask having a fine opening pattern formed thereon and is also called an FMM (Fine Metal Mask).
成膜装置11がマスク台26を含む実施例において、マスクMは、マスク支持ユニット23からマスク台26に搬送されて、成膜工程中にマスク台26上に載置される。 In the embodiment in which the film forming apparatus 11 includes the mask table 26, the mask M is transported from the mask supporting unit 23 to the mask table 26 and placed on the mask table 26 during the film forming process.
基板支持ユニット22の上方には、基板を静電引力によって吸着し固定するための静電チャック24が設けられる。静電チャック24は、誘電体(例えば、セラミック材質)マトリックス内に金属電極などの電気回路が埋設された構造を有する。静電チャック24は、クーロン力タイプの静電チャックであってもよいし、ジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよい。さらには、グラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。しかし、静電チャック24は、グラジエント力タイプの静電チャックであることが好ましい。なぜなら、静電チャック24がグラジエント力タイプの静電チャックであることによって、基板Sが絶縁性基板である場合であっても、静電チャック24によって良好に吸着することができるからである。静電チャック24がクーロン力タイプの静電チャックである場合には、金属電極にプラス(+)及びマイナス(−)の電圧が印加されると、誘電体マトリックスを通じて基板Sなどの被吸着体に金属電極と反対極性の分極電荷が誘導され、これら間の静電引力によって基板Sが静電チャック24に吸着固定される。 Above the substrate support unit 22, an electrostatic chuck 24 for attracting and fixing the substrate by electrostatic attraction is provided. The electrostatic chuck 24 has a structure in which an electric circuit such as a metal electrode is embedded in a dielectric (for example, ceramic material) matrix. The electrostatic chuck 24 may be a Coulomb force type electrostatic chuck or a Johnson-Rahbek force type electrostatic chuck. Further, it may be a gradient force type electrostatic chuck. However, the electrostatic chuck 24 is preferably a gradient force type electrostatic chuck. This is because the electrostatic chuck 24 is a gradient force type electrostatic chuck, so that even if the substrate S is an insulating substrate, the electrostatic chuck 24 can favorably attract the substrate S. In the case where the electrostatic chuck 24 is a Coulomb force type electrostatic chuck, when positive (+) and negative (-) voltages are applied to the metal electrode, the attracted object such as the substrate S is applied through the dielectric matrix. A polarized charge having the opposite polarity to that of the metal electrode is induced, and the substrate S is attracted and fixed to the electrostatic chuck 24 by the electrostatic attraction between them.
静電チャック24は、一つのプレートで形成されてもよく、複数のサブプレートを有するように形成されてもよい。また、一つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電気回路を含み、一つのプレート内で位置によって静電引力が異なるように制御してもよい。 The electrostatic chuck 24 may be formed of one plate or may be formed to have a plurality of sub plates. Further, even in the case of being formed by one plate, a plurality of electric circuits may be included therein and the electrostatic attraction may be controlled so as to be different depending on the position in one plate.
図2に示したように、静電チャック24の吸着面とは反対側に基板Sの温度上昇を抑える冷却機構として、例えば、冷却板27を設けてもよい。これにより、基板S上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制することができる。 As shown in FIG. 2, for example, a cooling plate 27 may be provided as a cooling mechanism for suppressing the temperature rise of the substrate S on the side opposite to the attraction surface of the electrostatic chuck 24. As a result, alteration or deterioration of the organic material deposited on the substrate S can be suppressed.
蒸発源25は、基板に成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ(不図示)、るつぼを加熱するためのヒータ(不図示)、蒸発源からの蒸発レートが一定になるまで蒸着材料が基板に飛散することを阻むシャッタ(不図示)などを含む。蒸発源25は、点(point)蒸発源や線状(linear)蒸発源など、用途に従って多様な構成を有することができる。 The evaporation source 25 is a crucible (not shown) in which an evaporation material to be deposited on the substrate is stored, a heater (not shown) for heating the crucible, and the evaporation material from the evaporation source is a substrate until the evaporation rate becomes constant. It includes a shutter (not shown) and the like that prevent the particles from scattering. The evaporation source 25 may have various configurations such as a point evaporation source and a linear evaporation source according to the application.
図2に示さなかったが、成膜装置11は、基板に蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ(不図示)及び膜厚算出ユニット(不図示)を含む。 Although not shown in FIG. 2, the film deposition apparatus 11 includes a film thickness monitor (not shown) and a film thickness calculation unit (not shown) for measuring the thickness of the film deposited on the substrate.
成膜装置11の真空容器21の外部(大気側)上面には、詳細は後述の図3にて説明す
るが、基板支持ユニット22を鉛直方向(Z方向、第3方向)に昇降させるための基板支持ユニット昇降駆動機構31(基板支持ユニット駆動機構)、マスク支持ユニット23を鉛直方向(Z方向、第3方向)に昇降させるためのマスク支持ユニット昇降駆動機構33(マスク支持ユニット駆動機構)、静電チャック24などを鉛直方向(Z方向、第3方向)に昇降させるための静電チャック昇降駆動機構32(静電チャック駆動機構)が設置される。さらに、静電チャック24と基板Sとの間、または静電チャック24とマスクMとの間の相対的な位置調整を行うプリアライメント(pre−alignment)と、基板SとマスクMとの間の相対的な位置調整を行うアライメントのために水平駆動機構(アライメントステージ)などが設置される。その水平駆動機構(アライメントステージ)は、基板支持ユニット22およびマスク支持ユニット23の少なくとも一方を、静電チャック24に対して、X方向、Y方向のうち少なくとも一つの方向に移動可能に、またはZ方向を軸とする回転角をθとしたときのZ軸方向を中心とする回転方向であるθ方向に回転させることが可能に構成されている。
The outer (atmosphere side) upper surface of the vacuum container 21 of the film forming apparatus 11 will be described later in detail with reference to FIG. 3, but is used for raising and lowering the substrate support unit 22 in the vertical direction (Z direction, third direction). A substrate support unit lifting drive mechanism 31 (substrate support unit drive mechanism), a mask support unit lift drive mechanism 33 (mask support unit drive mechanism) for lifting and lowering the mask support unit 23 in the vertical direction (Z direction, third direction), An electrostatic chuck elevating drive mechanism 32 (electrostatic chuck drive mechanism) for elevating the electrostatic chuck 24 and the like in the vertical direction (Z direction, third direction) is installed. Further, between the electrostatic chuck 24 and the substrate S, or between the electrostatic chuck 24 and the mask M, a pre-alignment for adjusting the relative position between the electrostatic chuck 24 and the mask M, and between the substrate S and the mask M. A horizontal drive mechanism (alignment stage) or the like is installed for alignment for relative position adjustment. The horizontal drive mechanism (alignment stage) can move at least one of the substrate support unit 22 and the mask support unit 23 with respect to the electrostatic chuck 24 in at least one of the X direction and the Y direction, or Z. It is configured so that it can be rotated in a θ direction, which is a rotation direction around the Z-axis direction, where θ is a rotation angle about the direction.
本発明では、図3を参照して後述するとおり、水平方向(X方向、Y方向、θ方向のうち少なくとも一つの方向)において、静電チャック24に対する基板Sの相対的な位置調整及び静電チャック24に対するマスクMの相対的な位置調整の少なくとも一方のために、静電チャック24を昇降させるための静電チャック昇降駆動機構32を真空容器21に固定して設け、基板支持ユニット昇降駆動機構31及びマスク支持ユニット昇降駆動機構33はアライメントステージ30上に搭載されるように設置する。 In the present invention, as will be described later with reference to FIG. 3, in the horizontal direction (at least one of the X direction, the Y direction, and the θ direction), relative position adjustment of the substrate S with respect to the electrostatic chuck 24 and electrostatic discharge are performed. An electrostatic chuck elevating drive mechanism 32 for elevating and lowering the electrostatic chuck 24 is fixedly provided on the vacuum container 21 for at least one of adjusting the relative position of the mask M with respect to the chuck 24. 31 and the mask support unit lifting drive mechanism 33 are installed so as to be mounted on the alignment stage 30.
真空容器21の外側上面には、上述した昇降駆動機構及び水平駆動機構の他に、真空容器21の上面に設けられた透明窓(不図示)を介して、基板S及びマスクMに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラ(不図示)を設置してもよい。 The substrate S and the mask M are formed on the outer upper surface of the vacuum container 21 through a transparent window (not shown) provided on the upper surface of the vacuum container 21 in addition to the lifting drive mechanism and the horizontal drive mechanism described above. An alignment camera (not shown) for photographing the alignment mark may be installed.
成膜装置11は、制御部28を具備する。制御部28は、基板SやマスクMの搬送、プリアライメント及びアライメント、蒸発源25の制御、成膜の制御などの機能を有する。制御部28は、例えば、プロセッサ、メモリー、ストレージ、I/Oなどを持つコンピューターによって構成可能である。この場合、制御部28の機能はメモリーまたはストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピューターとしては、汎用のパーソナルコンピューターを使用してもよく、組込み型のコンピューターまたはPLC(programmable logic controller)を使用してもよい。または、制御部28の機能の一部または全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部28が設置されていてもよく、一つの制御部が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。 The film forming apparatus 11 includes a control unit 28. The control unit 28 has functions of carrying the substrate S and the mask M, pre-alignment and alignment, controlling the evaporation source 25, controlling film formation, and the like. The control unit 28 can be configured by, for example, a computer having a processor, a memory, a storage, an I / O and the like. In this case, the function of the control unit 28 is realized by the processor executing the program stored in the memory or the storage. As the computer, a general-purpose personal computer may be used, or an embedded computer or PLC (programmable logic controller) may be used. Alternatively, some or all of the functions of the control unit 28 may be configured by a circuit such as an ASIC or FPGA. Further, the control unit 28 may be installed for each film forming apparatus, and one control unit may be configured to control a plurality of film forming apparatuses.
<アライメント装置>
以下、図3を参照して本発明の一実施例によるアライメント装置の構成を説明する。図3に示した実施例は、アライメント装置を成膜装置11の一部として構成する例であるが、本発明はこれに限定されず、成膜工程が行われない装置として構成されてもよい。例えば、成膜工程が行われる前に、成膜装置11とは別途設けられたアライメント装置で、静電チャック24と、基板SまたはマスクMとの間のプリアライメント及び、基板SとマスクMとの間のアライメント工程が行われてもよい。
<Alignment device>
Hereinafter, the configuration of the alignment apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Although the embodiment shown in FIG. 3 is an example in which the alignment apparatus is configured as a part of the film forming apparatus 11, the present invention is not limited to this and may be configured as an apparatus in which the film forming process is not performed. .. For example, before the film forming process is performed, an alignment device provided separately from the film forming device 11 is used to perform pre-alignment between the electrostatic chuck 24 and the substrate S or the mask M, and the substrate S and the mask M. An alignment step between may be performed.
本実施形態のアライメント装置は、真空容器21と、基板支持ユニット22と、マスク支持ユニット23と、静電チャック24と、アライメントステージ30とを含む。 The alignment apparatus according to this embodiment includes a vacuum container 21, a substrate support unit 22, a mask support unit 23, an electrostatic chuck 24, and an alignment stage 30.
真空容器21の外部上面には、静電チャック24に対する基板S及び/又はマスクMの水平方向(X方向、Y方向、θ方向のうち少なくとも一つの方向)においての相対的な位
置調整(プリアライメント)、及び基板SとマスクMとの間の水平方向(X方向、Y方向、θ方向のうち少なくとも一つの方向)においての相対的な位置調整(アライメント)のために、基板支持ユニット22及びマスク支持ユニット23を上述の水平方向のうちX方向とY方向に移動させる、もしくは上述の水平方向のうちθ方向に回転させるアライメントステージ30と、基板支持ユニット22をZ軸方向に昇降させるための基板支持ユニット昇降駆動機構31(基板支持ユニット駆動機構)と、静電チャック24をZ軸方向に昇降させるための静電チャック昇降駆動機構32(静電チャック駆動機構)と、マスク支持ユニット23をZ軸方向に昇降させるためのマスク支持ユニット昇降駆動機構33(マスク支持ユニット駆動機構)とが設置される。
Relative position adjustment (pre-alignment) of the substrate S and / or the mask M with respect to the electrostatic chuck 24 in the horizontal direction (at least one of the X direction, Y direction, and θ direction) is performed on the outer upper surface of the vacuum container 21. ), And the relative position adjustment (alignment) in the horizontal direction (at least one of the X direction, the Y direction, and the θ direction) between the substrate S and the mask M, the substrate supporting unit 22 and the mask. An alignment stage 30 that moves the support unit 23 in the X and Y directions of the above horizontal direction, or rotates in the θ direction of the above horizontal direction, and a substrate for raising and lowering the substrate support unit 22 in the Z axis direction. Support unit lift drive mechanism 31 (substrate support unit drive mechanism) and electrostatic chuck lift for lifting the electrostatic chuck 24 in the Z-axis direction. Kinematic mechanism 32 (the electrostatic chuck drive mechanism), a mask support unit elevation driving mechanism 33 for raising and lowering the mask supporting unit 23 in the Z-axis direction (the mask supporting unit drive mechanism) are installed.
アライメントステージ30は、真空容器21の外部上面に固定されたアライメントステージ駆動用モータ301からリニアガイドを通じて水平方向(X方向、Y方向、θ方向のうち少なくとも一つの方向)への駆動力を受ける。すなわち、真空容器21の外側上面にガイドレール(不図示)が固定されて設置され、ガイドレール上にリニアブロックが移動可能に設置される。さらに、リニアブロック上にアライメントステージベース板302が搭載される。真空容器21の外側上面に固定されたアライメントステージ駆動用モータ301からの駆動力によって、リニアブロックを水平方向のうちX方向とY方向に移動させる、もしくは水平方向のうちθ方向に回転させることで、リニアブロック上に搭載されたアライメントステージベース板302がアライメントステージ30に追従する形で、アライメントステージ30全体を水平方向のうちX方向とY方向に移動させることや、水平方向のうちθ方向に回転させることができる。 The alignment stage 30 receives a driving force in the horizontal direction (at least one of the X direction, the Y direction, and the θ direction) from the alignment stage driving motor 301 fixed to the outer upper surface of the vacuum container 21 through the linear guide. That is, a guide rail (not shown) is fixedly installed on the outer upper surface of the vacuum container 21, and the linear block is movably installed on the guide rail. Further, the alignment stage base plate 302 is mounted on the linear block. By moving the linear block in the X and Y directions of the horizontal direction or by rotating it in the θ direction of the horizontal direction by the driving force from the alignment stage drive motor 301 fixed to the outer upper surface of the vacuum container 21. , The alignment stage base plate 302 mounted on the linear block follows the alignment stage 30, and moves the entire alignment stage 30 in the X and Y directions of the horizontal direction, or in the θ direction of the horizontal direction. It can be rotated.
基板支持ユニット昇降駆動機構31及びマスク支持ユニット昇降駆動機構33は後述するようにアライメントステージ30に搭載される。したがって、基板支持ユニット22及びマスク支持ユニット23は、アライメントステージが水平方向のうちX方向やY方向に移動したり、水平方向のうちθ方向に回転するにつれて、基板支持ユニット22及びマスク支持ユニット23のそれぞれに支持された基板S及びマスクMとともに水平方向のうちX方向やY方向に移動したり、水平方向のうちθ方向に回転する。 The substrate support unit elevation drive mechanism 31 and the mask support unit elevation drive mechanism 33 are mounted on the alignment stage 30 as described later. Therefore, the substrate support unit 22 and the mask support unit 23 may move along the substrate support unit 22 and the mask support unit 23 as the alignment stage moves in the X and Y directions of the horizontal direction and rotates in the θ direction of the horizontal direction. With the substrate S and the mask M supported by each of them, they move in the X and Y directions of the horizontal direction, or rotate in the θ direction of the horizontal direction.
基板支持ユニット昇降駆動機構31は、基板支持ユニット22をZ軸方向に昇降させる機構であり、アライメントステージベース板302上に設置される。真空容器21内の基板支持ユニット22は、真空容器21の外部上面を通して基板支持ユニット昇降駆動機構31に繋がる。基板支持ユニット昇降駆動機構31は、基板支持ユニット昇降駆動用モータ311と、基板支持ユニット昇降駆動用モータ311の駆動力を基板支持ユニット22に伝達するための基板支持ユニット昇降駆動力伝達機構としてリニアガイド312を含む。本実施形態では、基板支持ユニット昇降駆動力伝達機構としてリニアガイド312を用いているが、本発明はこれに限定されず、ボールねじなどを用いてもよい。 The substrate support unit lift drive mechanism 31 is a mechanism for moving the substrate support unit 22 up and down in the Z-axis direction, and is installed on the alignment stage base plate 302. The substrate support unit 22 in the vacuum container 21 is connected to the substrate support unit lift drive mechanism 31 through the outer upper surface of the vacuum container 21. The substrate support unit lifting / lowering drive mechanism 31 is linear as a substrate support unit lifting / lowering drive motor 311 and a substrate support unit lifting / lowering drive force transmission mechanism for transmitting the driving force of the substrate support unit lifting / lowering drive motor 311 to the substrate support unit 22. Includes a guide 312. In this embodiment, the linear guide 312 is used as the substrate support unit lifting drive force transmission mechanism, but the present invention is not limited to this, and a ball screw or the like may be used.
静電チャック昇降駆動機構32は、静電チャック24をZ方向に駆動させるための静電チャック昇降駆動用モータ321及び静電チャック昇降駆動力伝達機構としてボールねじ322とを含み、真空容器21の外部上面に固定された静電チャック昇降駆動機構ベース板323上に設置される。本実施形態では、静電チャック昇降駆動力伝達機構としてボールねじ322を用いているが、本発明はこれに限定されず、リニアガイドなどを用いてもよい。 The electrostatic chuck lifting / lowering drive mechanism 32 includes an electrostatic chuck lifting / lowering drive motor 321 for driving the electrostatic chuck 24 in the Z direction and a ball screw 322 as an electrostatic chuck lifting / lowering drive force transmission mechanism. The electrostatic chuck lifting / lowering drive mechanism fixed to the outer upper surface is installed on the base plate 323. In the present embodiment, the ball screw 322 is used as the electrostatic chuck up-and-down driving force transmission mechanism, but the present invention is not limited to this, and a linear guide or the like may be used.
このように、本実施例では、静電チャック昇降駆動機構32が、従来のように、アライメントステージベース板302に設置されるのではなく、アライメントステージ30から分離して独立的に真空容器21の外部上面に固定された静電チャック昇降駆動機構ベース板323に設置されるので、アライメントステージ30が水平方向のうちX方向やY方向に移動したり、水平方向のうちθ方向に回転しても、静電チャック昇降駆動機構32はア
ライメントステージ30の動きに追従して水平方向のうちX方向やY方向への移動や、θ方向への回転をせず、水平方向(X方向、Y方向、θ方向のうち少なくとも一つの方向)における真空容器21の外部上面に対する相対的な位置が固定される。
As described above, in this embodiment, the electrostatic chuck elevating and lowering drive mechanism 32 is not installed on the alignment stage base plate 302 as in the related art, but is separated from the alignment stage 30 and independently of the vacuum container 21. Since it is installed on the electrostatic chuck lifting / lowering drive mechanism base plate 323 fixed to the outer upper surface, even if the alignment stage 30 moves in the X and Y directions of the horizontal direction or rotates in the θ direction of the horizontal direction. The electrostatic chuck elevating / lowering drive mechanism 32 follows the movement of the alignment stage 30 and does not move in the X direction or Y direction of the horizontal direction or rotate in the θ direction, but moves in the horizontal direction (X direction, Y direction, The relative position with respect to the outer upper surface of the vacuum container 21 in at least one of the θ directions) is fixed.
本明細書において、静電チャック昇降駆動機構32がアライメントステージ30から分離して独立的に設置されるということは、広い意味では、静電チャック昇降駆動機構32がアライメントステージ30上に搭載されず、アライメントステージ30から水平方向のうちX方向やY方向への移動や、θ方向への回転のための駆動力を受けないという意味であり、狭い意味では、静電チャック昇降駆動機構32がアライメントステージ30上に搭載されず、水平方向(X方向、Y方向、θ方向のうち少なくとも一つの方向)において真空容器21の外部上面に固定されるように設置される(すなわち、水平方向のうちX方向、Y方向に移動せず、なおかつ、θ方向への回転もしないで真空容器21の外部上面に対する相対的な位置が固定される)と言う意味である。 In this specification, the electrostatic chuck lifting / lowering drive mechanism 32 is installed independently of the alignment stage 30 in a broad sense, so that the electrostatic chuck lifting / lowering drive mechanism 32 is not mounted on the alignment stage 30. In the narrow sense, the electrostatic chuck up-and-down drive mechanism 32 does not receive the driving force for moving in the X and Y directions of the horizontal direction or rotating in the θ direction from the alignment stage 30. It is not mounted on the stage 30 and is installed so as to be fixed to the outer upper surface of the vacuum container 21 in the horizontal direction (at least one of the X direction, the Y direction, and the θ direction) (that is, X in the horizontal direction). Direction, the Y direction is not moved, and the relative position to the outer upper surface of the vacuum container 21 is fixed without rotating in the θ direction). It is meant to say.
マスク支持ユニット昇降駆動機構33は、マスク支持ユニット23をZ軸方向に昇降させるための機構であり、アライメントステージ30に搭載される。真空容器21内のマスク支持ユニット23は、真空容器21の外部上面を通してマスク支持ユニット昇降駆動機構33に繋がっている。マスク支持ユニット昇降駆動機構33は、マスク支持ユニット昇降駆動用モータ331とボールねじ332とを含み、マスク支持ユニット23を昇降させる機能を有する。 The mask support unit up-and-down drive mechanism 33 is a mechanism for moving up and down the mask support unit 23 in the Z-axis direction, and is mounted on the alignment stage 30. The mask support unit 23 in the vacuum container 21 is connected to the mask support unit lift drive mechanism 33 through the outer upper surface of the vacuum container 21. The mask support unit up-and-down drive mechanism 33 includes a mask support unit up-and-down drive motor 331 and a ball screw 332, and has a function of moving up and down the mask support unit 23.
このように、本実施例では、基板支持ユニット昇降駆動機構31及びマスク支持ユニット昇降駆動機構33がアライメントステージ30のベース板302上に設置され、静電チャック昇降駆動機構32はアライメントステージ30から分離して独立的に設置されるので、アライメントステージ30が水平方向のうちX方向やY方向に移動したり、θ方向に回転するにつれて、基板支持ユニット昇降駆動機構31及びマスク支持ユニット昇降駆動機構32が、静電チャック昇降駆動機構32に対して水平方向のうちX方向やY方向に移動する、またはθ方向に回転する。すなわち、基板支持ユニット22に支持された基板Sと、マスク支持ユニット23に支持されたマスクMが、静電チャック昇降駆動機構32に対して水平方向のうちX方向やY方向に移動する、またはθ方向に回転する。 As described above, in this embodiment, the substrate support unit up-and-down drive mechanism 31 and the mask support unit up-and-down drive mechanism 33 are installed on the base plate 302 of the alignment stage 30, and the electrostatic chuck up-and-down drive mechanism 32 is separated from the alignment stage 30. Since the alignment stage 30 moves in the X and Y directions of the horizontal direction or rotates in the θ direction, the substrate support unit lift drive mechanism 31 and the mask support unit lift drive mechanism 32 are installed independently of each other. Moves in the X and Y directions of the horizontal direction with respect to the electrostatic chuck up-and-down drive mechanism 32, or rotates in the θ direction. That is, the substrate S supported by the substrate support unit 22 and the mask M supported by the mask support unit 23 move in the X direction or the Y direction of the horizontal direction with respect to the electrostatic chuck lifting drive mechanism 32, or Rotate in the θ direction.
その結果、後述するとおり、基板支持ユニット22に支持された基板Sが静電チャック24に対して水平方向(X方向、Y方向、θ方向のうち少なくとも一つの方向)に相対的に位置がずれた場合にも、基板Sと静電チャック24の間の水平方向(X方向、Y方向、θ方向のうち少なくとも一つの方向)においての相対的な位置を調整することができる。同様に、マスク支持ユニット23に支持されたマスクMが静電チャック24に対して相対的に位置がずれた場合にも、マスクMを水平方向のうちX方向やY方向に移動させたり、θ方向に回転させることで静電チャック24との相対的な位置を調整することができる。 As a result, as will be described later, the substrate S supported by the substrate support unit 22 is displaced relative to the electrostatic chuck 24 in the horizontal direction (at least one of the X direction, the Y direction, and the θ direction). Also in the case, the relative position between the substrate S and the electrostatic chuck 24 in the horizontal direction (at least one of the X direction, the Y direction, and the θ direction) can be adjusted. Similarly, when the mask M supported by the mask support unit 23 is displaced relative to the electrostatic chuck 24, the mask M is moved in the X direction or the Y direction of the horizontal direction, or θ. The relative position with respect to the electrostatic chuck 24 can be adjusted by rotating in the direction.
<アライメント方法及び成膜方法>
図4(a)〜(h)を参照して、静電チャック24に対する基板SやマスクMのプリアライメント、基板Sに対するマスクMのアライメント工程、及びこれを含む成膜方法を説明する。なお、これらの説明に際し、基板S、マスクMや静電チャック24の昇降運動を分かりやすくするため、アライメントステージ30、基板支持ユニット昇降駆動機構31、静電チャック昇降駆動機構32およびマスク支持ユニット昇降駆動機構33については不図示としている。
<Alignment method and film forming method>
With reference to FIGS. 4A to 4H, a pre-alignment process of the substrate S and the mask M with respect to the electrostatic chuck 24, an alignment process of the mask M with respect to the substrate S, and a film forming method including the same will be described. In addition, in order to make it easy to understand the vertical movements of the substrate S, the mask M, and the electrostatic chuck 24 in these explanations, the alignment stage 30, the substrate support unit vertical drive mechanism 31, the electrostatic chuck vertical drive mechanism 32, and the mask support unit vertical movement The drive mechanism 33 is not shown.
マスクの交換時期になると、図4(a)に示したように、成膜装置11の真空容器21内に新たなマスクMが搬入されて、マスク支持ユニット23に支持される。 When it is time to replace the mask, as shown in FIG. 4A, a new mask M is carried into the vacuum container 21 of the film forming apparatus 11 and supported by the mask supporting unit 23.
続いて、図4(b)に示すように、当該マスクMを使用して蒸着材料が成膜される基板Sが真空容器21内に搬入されて、基板支持ユニット22に支持される。 Subsequently, as shown in FIG. 4B, the substrate S on which the vapor deposition material is formed using the mask M is carried into the vacuum container 21 and supported by the substrate support unit 22.
この状態で、静電チャック24に対する基板Sのプリアライメント工程を行う。基板Sのプリアライメント工程においては、例えば、矩形の静電チャック24のコーナー部と基板Sに形成されたアライメントマークとをアライメント用カメラ(ラフアライメント用カメラ)で撮影して、静電チャック24に対する基板Sの相対的な位置ずれ量を測定する。 In this state, a pre-alignment process of the substrate S with respect to the electrostatic chuck 24 is performed. In the pre-alignment step of the substrate S, for example, a corner portion of the rectangular electrostatic chuck 24 and the alignment mark formed on the substrate S are photographed by an alignment camera (rough alignment camera), and the electrostatic chuck 24 is imaged. The relative position shift amount of the substrate S is measured.
他の実施例では、静電チャック24のコーナー部の代わりに静電チャック24のコーナー部に形成された別の静電チャックアライメントマークを基板のアライメントマークと共に撮影して、相対的な位置ずれ量を測定してもよい。 In another embodiment, instead of the corner portion of the electrostatic chuck 24, another electrostatic chuck alignment mark formed on the corner portion of the electrostatic chuck 24 is photographed together with the alignment mark of the substrate, and the relative positional deviation amount is detected. May be measured.
また、静電チャック24には静電チャック24の下に置かれた基板Sのアライメントマークが上から見えるように開口が形成される。 Further, an opening is formed in the electrostatic chuck 24 so that the alignment mark of the substrate S placed under the electrostatic chuck 24 can be seen from above.
静電チャック24と基板Sの相対的な位置がずれていると判明した場合、図4(c)に示すように、アライメントステージ30を水平方向のうちX方向やY方向に移動させたり、θ方向へ回転させることで、静電チャック24と基板Sとの水平方向(X方向、Y方向、θ方向のうち少なくとも一つの方向)においての相対的な位置を調整する。 When it is determined that the relative positions of the electrostatic chuck 24 and the substrate S are deviated, as shown in FIG. 4C, the alignment stage 30 is moved in the X direction or the Y direction of the horizontal direction, or θ. By rotating the electrostatic chuck 24 in the horizontal direction, the relative position of the electrostatic chuck 24 and the substrate S in the horizontal direction (at least one of the X direction, the Y direction, and the θ direction) is adjusted.
本実施例では、図3を参照して説明したとおり、基板支持ユニット22及び基板支持ユニット昇降駆動機構31は、アライメントステージ30上に搭載され、静電チャック昇降駆動機構32は、アライメントステージ30から分離して独立的に設置されるので、アライメントステージ30を水平方向のうちX方向やY方向に移動させる、もしくは、θ方向へ回転させることで、静電チャック24と基板Sとの間の相対的な位置を調整することができる。このように、本発明によると、静電チャック24と基板Sとの水平方向(X方向、Y方向、θ方向のうち少なくとも一つの方向)の相対的な位置が、搬送ロボット14の基板搬送誤差によって互いにずれた場合にも、基板Sを静電チャック24に対して相対的な位置を調整することができるので、基板Sを静電チャック24に良好に吸着させることができる。 In the present embodiment, as described with reference to FIG. 3, the substrate support unit 22 and the substrate support unit lift drive mechanism 31 are mounted on the alignment stage 30, and the electrostatic chuck lift drive mechanism 32 moves from the alignment stage 30. Since they are installed separately, the alignment stage 30 is moved relative to the electrostatic chuck 24 and the substrate S by moving the alignment stage 30 in the X and Y directions of the horizontal direction or by rotating it in the θ direction. The target position can be adjusted. As described above, according to the present invention, the relative position between the electrostatic chuck 24 and the substrate S in the horizontal direction (at least one of the X direction, the Y direction, and the θ direction) is determined by the substrate transfer error of the transfer robot 14. Even when they are deviated from each other, the relative position of the substrate S with respect to the electrostatic chuck 24 can be adjusted, so that the substrate S can be favorably attracted to the electrostatic chuck 24.
静電チャック24に対する基板Sの相対的な位置の調整(基板プリアライメント)が完了すれば、図4(d)に示したように、静電チャック24を静電チャック昇降駆動機構32によって下降させ、静電チャック24に所定の電圧(ΔV1)を印加して、基板Sを静電チャック24に吸着させる。 When the adjustment of the relative position of the substrate S with respect to the electrostatic chuck 24 (substrate pre-alignment) is completed, the electrostatic chuck 24 is lowered by the electrostatic chuck lifting drive mechanism 32, as shown in FIG. 4D. A predetermined voltage (ΔV1) is applied to the electrostatic chuck 24 to attract the substrate S to the electrostatic chuck 24.
続いて、図4(e)に示したように、静電チャック昇降駆動機構32を駆動して、静電チャック24に吸着された基板SをマスクM上に下降させる。この時、基板支持ユニット昇降駆動機構31によって基板支持ユニット22を静電チャック24の下降に合わせて一緒に下降させることもできる。 Subsequently, as shown in FIG. 4E, the electrostatic chuck elevating and lowering drive mechanism 32 is driven to lower the substrate S attracted to the electrostatic chuck 24 onto the mask M. At this time, the substrate support unit elevating / lowering mechanism 31 can lower the substrate support unit 22 together with the lowering of the electrostatic chuck 24.
静電チャック24に吸着された基板Sがアライメント計測位置(例えば、ファインアライメント工程の計測位置)まで下降すると、図4(f)に示したように、アライメント用カメラ(ファインアライメント用カメラ)を使用して基板Sとマスクのアライメントマークを撮影して、その相対的な位置ずれ量を測定する。基板SとマスクMとの相対的な位置ずれ量が閾値を超えると、マスク支持ユニット昇降駆動機構33が搭載されたアライメントステージ30を水平方向のうちX方向やY方向に移動させたり、θ方向へ回転させて、基板SとマスクMとの間の相対的な位置を調整する。なお、基板SとマスクMとの間の相対的な位置を調整する際に、基板Sは、図4(d)に示すように、既に静電チャック24に吸着されている。そのため、上述のようにアライメントステージ30を水平方向に移動
させるなどして、基板SとマスクMの間の相対的な位置の調整を行っても、基板Sはその影響を受けず、上述の基板SとマスクMとの間の水平方向における相対的な位置の調整がされることとなる。
When the substrate S attracted to the electrostatic chuck 24 is lowered to the alignment measurement position (for example, the measurement position in the fine alignment process), the alignment camera (fine alignment camera) is used as shown in FIG. Then, the alignment marks of the substrate S and the mask are photographed, and the relative positional deviation amount is measured. When the relative positional displacement amount between the substrate S and the mask M exceeds a threshold value, the alignment stage 30 on which the mask support unit elevating and lowering drive mechanism 33 is mounted is moved in the X direction or the Y direction in the horizontal direction, or in the θ direction. To adjust the relative position between the substrate S and the mask M. When adjusting the relative position between the substrate S and the mask M, the substrate S has already been attracted to the electrostatic chuck 24, as shown in FIG. 4D. Therefore, even if the relative position between the substrate S and the mask M is adjusted by moving the alignment stage 30 in the horizontal direction as described above, the substrate S is not affected, and the above-mentioned substrate The relative position in the horizontal direction between S and the mask M is adjusted.
これによって、基板SとマスクMの相対的な位置ずれ量が閾値内に収まれば、図4(g)に示したように、静電チャック昇降駆動機構32を駆動して、静電チャック24をマスクM上に下降させる。マスクM上に下降された静電チャック24に所定の電圧(ΔV2)を印加して、マスクMを基板S側に引き寄せ、これによって基板SとマスクMが密着される。 As a result, when the relative positional deviation amount between the substrate S and the mask M falls within the threshold value, the electrostatic chuck elevating and lowering drive mechanism 32 is driven to move the electrostatic chuck 24, as shown in FIG. The mask M is lowered. A predetermined voltage (ΔV2) is applied to the electrostatic chuck 24 lowered onto the mask M to draw the mask M toward the substrate S, whereby the substrate S and the mask M are brought into close contact with each other.
続いて、蒸発源25のシャッターを開けて、蒸発源25から蒸発した蒸着材料を、マスクを介して基板の下面上に蒸着する(図4(h))。 Then, the shutter of the evaporation source 25 is opened, and the evaporation material evaporated from the evaporation source 25 is evaporated on the lower surface of the substrate through the mask (FIG. 4 (h)).
本発明によると、静電チャック24に対する基板Sのプリアライメントが可能になるので、静電チャック/基板/マスクの積層体の積層精度が向上し、その結果、成膜精度が向上する。 According to the present invention, pre-alignment of the substrate S with respect to the electrostatic chuck 24 is possible, so that the stacking accuracy of the stack of the electrostatic chuck / substrate / mask is improved, and as a result, the film forming accuracy is improved.
図4では、基板Sの静電チャック24に対するプリアライメントを行う構成を中心に説明したが、マスクMの静電チャック24に対するプリアライメントを行っても良い。つまり、搬送ロボット14によりマスクMが真空容器21内に搬入されて、マスク支持ユニット23によって支持された後、基板プリアライメントと同様の方法で、マスクMと静電チャック24の相対的な位置ずれ量を測定し、相対的な位置の調整を行っても良い。その後、基板SとマスクMとの間の水平方向における相対的な位置の調整を行う。その場合には、まず、マスクMの静電チャック24に対するプリアライメントを行う。次に、基板Sの静電チャック24に対するプリアライメントを上述の方法で行う。そして、その際の基板Sの静電チャック24に対する位置調整量(差分)を座標データとして保存しておく。ここで、基板Sの静電チャック24に対するプリアライメントを行ったことで、基板SとマスクMの間では相対的な位置にずれが生じているので、基板SとマスクMとの間の水平方向における相対的な位置の調整を行う際には、基板SとマスクMのラフアライメント時に、上述の基板Sの静電チャック24に対するプリアライメントを行ったときの座標データに基づいて、マスクMを静電チャック24に対して移動させた方向とは逆方向に移動させる。これにより、静電チャック/基板/マスクの積層体の積層精度をさらに向上させることができ、その結果、成膜精度を向上させることができる。 Although FIG. 4 mainly describes the configuration in which the substrate S is pre-aligned with the electrostatic chuck 24, the mask M may be pre-aligned with the electrostatic chuck 24. That is, after the mask M is carried into the vacuum container 21 by the transfer robot 14 and supported by the mask supporting unit 23, the relative displacement between the mask M and the electrostatic chuck 24 is performed by the same method as the substrate pre-alignment. The amount may be measured and the relative position may be adjusted. Then, the relative position between the substrate S and the mask M in the horizontal direction is adjusted. In that case, first, pre-alignment of the mask M with respect to the electrostatic chuck 24 is performed. Next, pre-alignment of the substrate S with respect to the electrostatic chuck 24 is performed by the above method. Then, the position adjustment amount (difference) of the substrate S with respect to the electrostatic chuck 24 at that time is stored as coordinate data. Here, since the substrate S and the mask M are pre-aligned with respect to the electrostatic chuck 24, the relative positions of the substrate S and the mask M are deviated from each other. When the relative position of the mask S is adjusted during the rough alignment between the substrate S and the mask M, the mask M is not moved based on the coordinate data when the pre-alignment of the substrate S with respect to the electrostatic chuck 24 is performed. The electric chuck 24 is moved in a direction opposite to the direction in which the electric chuck 24 is moved. Thereby, the stacking accuracy of the stacked body of the electrostatic chuck / substrate / mask can be further improved, and as a result, the film forming accuracy can be improved.
また本実施例では、図4を用いて、基板Sが静電チャック24に吸着された状態で、基板SとマスクMとの間のアライメントが行われると説明したが、本発明はこれに限定されず、マスクMをマスク支持ユニット23からマスク台26に移動させた後、基板支持ユニット22によって支持された基板Sと、マスク台26上のマスクMとの間のアライメントを行ってもよい。 Further, in the present embodiment, it has been described with reference to FIG. 4 that the alignment between the substrate S and the mask M is performed while the substrate S is attracted to the electrostatic chuck 24, but the present invention is not limited to this. Instead, the mask M may be moved from the mask support unit 23 to the mask base 26, and then the substrate S supported by the substrate support unit 22 and the mask M on the mask base 26 may be aligned.
さらに本実施例では、図4を用いて、基板Sのプリアライメントの後に、基板SとマスクMとの間のアライメントを一つの工程(つまり、高精度に位置合わせを行うファインアライメント)で行う構成を中心に説明したが、本発明はこれに限定されず、プリアライメントの後に行われるアライメント工程は、2つの工程(大まかに位置合わせを行うラフアライメント及び上述のファインアライメント)で行ってもよい。 Further, in the present embodiment, referring to FIG. 4, after the pre-alignment of the substrate S, the alignment between the substrate S and the mask M is performed in one step (that is, fine alignment for performing highly accurate alignment). However, the present invention is not limited to this, and the alignment step performed after the pre-alignment may be performed in two steps (a rough alignment for performing rough alignment and the above-described fine alignment).
なお、上述の説明では、成膜装置11は、基板Sの成膜面が鉛直方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆる上向蒸着方式(デポアップ)の構成としたが、これに限定はされず、基板Sが真空容器21の側面側に垂直に立てられた状態で配置され、基板Sの成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。なお、上記実施例に
おいては、静電チャック24の吸着面が水平面となるように構成され、第1方向(X方向)、第2方向(Y方向)が水平方向で、第3方向(Z方向)が鉛直方向となるように構成される場合を示した。これに対し、基板Sが垂直に立てられた状態で構成される場合には、静電チャック24の吸着面は水平面に対して垂直な面となり、第3方向は水平方向となり、第1方向と第2方向は水平面に対して垂直な面内において、互いに直交する方向となる。
In the above description, the film forming apparatus 11 has a so-called upward vapor deposition method (deposition up) in which film formation is performed with the film forming surface of the substrate S facing vertically downward. The present invention is not limited to this, and the substrate S may be arranged vertically on the side surface of the vacuum container 21, and the film formation may be performed in a state where the film formation surface of the substrate S is parallel to the gravity direction. .. In the above-described embodiment, the electrostatic chuck 24 is configured such that the attracting surface is a horizontal surface, the first direction (X direction), the second direction (Y direction) are horizontal, and the third direction (Z direction). ) Is configured to be vertical. On the other hand, when the substrate S is vertically set, the attraction surface of the electrostatic chuck 24 is a surface perpendicular to the horizontal plane, the third direction is the horizontal direction, and the first direction is the horizontal direction. The second direction is a direction orthogonal to each other in a plane perpendicular to the horizontal plane.
<電子デバイスの製造方法>
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
<Electronic device manufacturing method>
Next, an example of a method for manufacturing an electronic device using the film forming apparatus of this embodiment will be described. Hereinafter, a configuration and a manufacturing method of an organic EL display device will be illustrated as an example of an electronic device.
まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図5(a)は有機EL表示装置60の全体図、図5(b)は1画素の断面構造を表している。 First, the organic EL display device to be manufactured will be described. 5A shows an overall view of the organic EL display device 60, and FIG. 5B shows a sectional structure of one pixel.
図5(a)に示すように、有機EL表示装置60の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。 As shown in FIG. 5A, in the display area 61 of the organic EL display device 60, a plurality of pixels 62 including a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix. Although details will be described later, each of the light emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. It should be noted that the pixel here refers to a minimum unit that enables display of a desired color in the display area 61. In the case of the organic EL display device according to the present embodiment, the pixel 62 is configured by a combination of the first light emitting element 62R, the second light emitting element 62G, and the third light emitting element 62B which emit different lights. The pixel 62 is often composed of a combination of a red light emitting element, a green light emitting element, and a blue light emitting element, but may be a combination of a yellow light emitting element, a cyan light emitting element, and a white light emitting element. It is not limited.
図5(b)は、図5(a)のA−B線における部分断面模式図である。画素62は、基板63上に、第1電極(陽極)64と、正孔輸送層65と、発光層66R、66G、66Bのいずれかと、電子輸送層67と、第2電極(陰極)68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R、66G、66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。発光層66R、66G、66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、第1電極64は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と第2電極68は、複数の発光素子62R、62G、62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極64と第2電極68とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層70が設けられている。 FIG. 5B is a schematic partial sectional view taken along the line AB of FIG. The pixel 62 includes a first electrode (anode) 64, a hole transport layer 65, any one of the light emitting layers 66R, 66G, and 66B, an electron transport layer 67, and a second electrode (cathode) 68 on a substrate 63. , And an organic EL element including. Among these, the hole transport layer 65, the light emitting layers 66R, 66G, 66B, and the electron transport layer 67 correspond to the organic layers. In the present embodiment, the light emitting layer 66R is an organic EL layer that emits red, the light emitting layer 66G is an organic EL layer that emits green, and the light emitting layer 66B is an organic EL layer that emits blue. The light-emitting layers 66R, 66G, and 66B are formed in patterns corresponding to light-emitting elements that emit red, green, and blue (sometimes described as organic EL elements). The first electrode 64 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 65, the electron transport layer 67, and the second electrode 68 may be formed commonly to the plurality of light emitting elements 62R, 62G, and 62B, or may be formed for each light emitting element. An insulating layer 69 is provided between the first electrodes 64 in order to prevent the first electrode 64 and the second electrode 68 from being short-circuited by foreign matter. Furthermore, since the organic EL layer is deteriorated by water and oxygen, a protective layer 70 is provided to protect the organic EL element from water and oxygen.
図5(b)では正孔輸送層65や電子輸送層67が一つの層で示されているが、有機EL表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、第1電極64と正孔輸送層65との間には、第1電極64から正孔輸送層65への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、第2電極68と電子輸送層67の間にも電子注入層が形成されことができる。 Although the hole transport layer 65 and the electron transport layer 67 are shown as one layer in FIG. 5B, they are formed as a plurality of layers including a hole block layer and an electron block layer depending on the structure of the organic EL display element. May be done. Further, between the first electrode 64 and the hole transport layer 65, there is an energy band structure capable of smoothly injecting holes from the first electrode 64 into the hole transport layer 65. A hole injection layer can also be formed. Similarly, an electron injection layer may be formed between the second electrode 68 and the electron transport layer 67.
次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。 Next, an example of the method for manufacturing the organic EL display device will be specifically described.
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および第1電極64が形成された基板63を準備する。 First, a circuit 63 (not shown) for driving the organic EL display device and the substrate 63 on which the first electrode 64 is formed are prepared.
第1電極64が形成された基板63の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第1電極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。 An acrylic resin is formed by spin coating on the substrate 63 on which the first electrode 64 is formed, and the acrylic resin is patterned by a lithography method so that an opening is formed in a portion where the first electrode 64 is formed. 69 is formed. This opening corresponds to a light emitting region where the light emitting element actually emits light.
絶縁層69がパターニングされた基板63を第1の有機材料成膜装置に搬入し、基板支持ユニット22及び静電チャック24の少なくとも一方にて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の第1電極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には、正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。 The substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the first organic material film forming apparatus, the substrate is held by at least one of the substrate supporting unit 22 and the electrostatic chuck 24, and the hole transport layer 65 is displayed in the display area. The first electrode 64 is formed as a common layer. The hole transport layer 65 is formed by vacuum vapor deposition. In reality, the hole transport layer 65 is formed to have a size larger than that of the display region 61, so that a high-definition mask is unnecessary.
次に、正孔輸送層65までが形成された基板63を第2の有機材料成膜装置に搬入し、基板支持ユニット22及び静電チャック24にて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板63の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。 Next, the substrate 63 on which the hole transport layer 65 has been formed is carried into the second organic material film forming apparatus and held by the substrate supporting unit 22 and the electrostatic chuck 24. The substrate and the mask are aligned, the substrate is placed on the mask, and the light emitting layer 66R that emits red light is formed on the portion of the substrate 63 where the element that emits red light is arranged.
本発明によると、基板支持ユニット昇降駆動機構31及びマスク支持ユニット昇降駆動機構33を、アライメントステージ30に搭載し、静電チャック昇降駆動機構32はアライメントステージ30から分離して独立的に設置することで、静電チャック24、基板支持ユニット22、マスク支持ユニット23と間の相対的な位置を効果的に調整することができ、これによって成膜不良を効果的に低減させることができる。 According to the present invention, the substrate support unit lift drive mechanism 31 and the mask support unit lift drive mechanism 33 are mounted on the alignment stage 30, and the electrostatic chuck lift drive mechanism 32 is separately installed from the alignment stage 30. Thus, the relative positions of the electrostatic chuck 24, the substrate support unit 22, and the mask support unit 23 can be effectively adjusted, and thus the film deposition failure can be effectively reduced.
発光層66Rの成膜と同様に、第3の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の有機材料成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸送層67を成膜する。電子輸送層67は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。 Similar to the film formation of the light emitting layer 66R, the light emitting layer 66G emitting green is formed by the third organic material film forming apparatus, and the light emitting layer 66B emitting blue is formed by the fourth organic material film forming apparatus. .. After the film formation of the light emitting layers 66R, 66G, 66B is completed, the electron transport layer 67 is formed over the entire display region 61 by the fifth film forming apparatus. The electron transport layer 67 is formed as a layer common to the three color light emitting layers 66R, 66G, and 66B.
電子輸送層67まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて第2電極68を成膜する。 The substrate on which the electron transport layer 67 has been formed is moved by the metallic vapor deposition material film forming apparatus to form the second electrode 68.
その後プラズマCVD装置に移動して保護層70を成膜して、有機EL表示装置60が完成する。 After that, the organic EL display device 60 is completed by moving to a plasma CVD device to form a protective layer 70.
絶縁層69がパターニングされた基板63を成膜装置に搬入してから保護層70の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本実施例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。 If the substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the film forming apparatus until the film formation of the protective layer 70 is completed, if the substrate 63 is exposed to an atmosphere containing water and oxygen, the light emitting layer made of an organic EL material will be formed. It may be deteriorated by water or oxygen. Therefore, in this embodiment, the loading and unloading of the substrate between the film forming apparatuses is performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.
前記実施例は本発明の一例を示すものでしかなく、本発明は上記実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適宜に変形しても良い。 The above-described embodiments are merely examples of the present invention, and the present invention is not limited to the configurations of the above-described embodiments, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea thereof.
21:真空容器
22:基板支持ユニット
23:マスク支持ユニット
24:静電チャック
30:アライメントステージ
31:基板支持ユニット昇降駆動機構
32:静電チャック昇降駆動機構
33:マスク支持ユニット昇降駆動機構
21: Vacuum container 22: Substrate support unit 23: Mask support unit 24: Electrostatic chuck 30: Alignment stage 31: Substrate support unit lift drive mechanism 32: Electrostatic chuck lift drive mechanism 33: Mask support unit lift drive mechanism
Claims (18)
マスクを支持するためのマスク支持ユニットと、
前記基板及び前記基板を介して前記マスクを吸着するための静電チャックとを含み、
前記基板支持ユニット及び前記マスク支持ユニットは、前記静電チャックに対して、前記静電チャックの吸着面と平行な方向である第1方向及び前記第1方向と直交する方向であって、前記静電チャックの吸着面と平行な方向である第2方向のうち、少なくとも一つの方向に移動可能であり、かつ、前記第1方向と前記第2方向のそれぞれと直交する第3方向を軸とした回転方向に回転可能であることを特徴とするアライメント装置。 A substrate support unit for supporting the substrate,
A mask support unit for supporting the mask,
An electrostatic chuck for attracting the mask through the substrate and the substrate;
The substrate support unit and the mask support unit are, with respect to the electrostatic chuck, a first direction parallel to an attraction surface of the electrostatic chuck and a direction orthogonal to the first direction, It is movable in at least one of the second directions that are parallel to the adsorption surface of the electric chuck, and has a third direction as an axis, which is orthogonal to the first direction and the second direction. An alignment device capable of rotating in a rotation direction.
前記静電チャックは、前記アライメントステージから分離されて独立的に設置されることを特徴とする請求項1に記載のアライメント装置。 The apparatus further includes an alignment stage for moving the substrate supporting unit and the mask supporting unit in at least one of the first direction and the second direction with respect to the electrostatic chuck and rotating the electrostatic chuck in the rotating direction. ,
The alignment apparatus according to claim 1, wherein the electrostatic chuck is separately installed from the alignment stage.
前記静電チャックは、前記真空容器に対して前記第1方向、前記第2方向及び前記回転方向における相対的な位置が固定されるように設置されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のアライメント装置。 Further including a vacuum vessel,
The electrostatic chuck is installed so that the relative position in the first direction, the second direction, and the rotation direction is fixed with respect to the vacuum container. The alignment apparatus according to any one of items.
前記基板支持ユニット駆動機構は、前記アライメントステージ上に搭載されることを特徴とする請求項2に記載のアライメント装置。 Further comprising a substrate support unit drive mechanism for moving the substrate support unit in the third direction,
The alignment apparatus according to claim 2, wherein the substrate support unit drive mechanism is mounted on the alignment stage.
前記マスク支持ユニット駆動機構は、前記アライメントステージ上に搭載されることを特徴とする請求項2または5に記載のアライメント装置。 Further comprising a mask support unit driving mechanism for moving the mask support unit in the third direction,
The alignment apparatus according to claim 2, wherein the mask support unit driving mechanism is mounted on the alignment stage.
前記静電チャック駆動機構は、前記アライメントステージから分離されて独立的に設置されることを特徴とする請求項2、5、6のいずれか1項に記載のアライメント装置。 Further comprising an electrostatic chuck drive mechanism for moving the electrostatic chuck in the third direction,
The alignment apparatus according to claim 2, wherein the electrostatic chuck drive mechanism is separated from the alignment stage and installed independently.
前記静電チャック駆動機構は、前記ベース板に対して前記第1方向、前記第2方向、及び前記回転方向における相対的な位置が固定されるように設置されることを特徴とする請求項7に記載のアライメント装置。 Further comprising a base plate supporting an electrostatic chuck drive mechanism,
8. The electrostatic chuck driving mechanism is installed such that relative positions in the first direction, the second direction, and the rotation direction are fixed with respect to the base plate. The alignment device described in.
前記静電チャック駆動機構は、前記真空容器に対して前記第1方向、前記第2方向、及び前記回転方向における相対的な位置が固定されるように設置されることを特徴とする請求項7または8に記載のアライメント装置。 Further including a vacuum vessel,
8. The electrostatic chuck drive mechanism is installed so that relative positions in the first direction, the second direction, and the rotation direction are fixed with respect to the vacuum container. Or the alignment device according to 8.
請求項1〜9のいずれか一項に記載のアライメント装置を含むことを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus for forming an evaporation material on a substrate through a mask,
A film forming apparatus comprising the alignment device according to claim 1.
マスクをマスク支持ユニットによって支持する工程と、
前記基板と前記マスクのうち少なくとも一つを静電チャックに対して前記静電チャックの吸着面と平行な方向である第1方向及び前記第1方向と直交する方向であって、前記静電チャックの吸着面と平行な方向である第2方向のうち、少なくとも一つの方向に移動、または前記第1方向及び前記第2方向のそれぞれと直交する第3方向を軸とした回転方向に回転させることによって前記静電チャックと前記基板、及び前記静電チャックと前記マスクのうち、少なくとも一方の相対的な位置を調整するプリアライメント工程と、
前記基板と前記マスクの相対的な位置を調整するアライメント工程とを含むことを特徴とするアライメント方法。 Supporting the substrate by a substrate support unit,
Supporting the mask with a mask support unit,
The electrostatic chuck includes at least one of the substrate and the mask, a first direction that is parallel to an adsorption surface of the electrostatic chuck with respect to the electrostatic chuck, and a direction that is orthogonal to the first direction. Of at least one of the second directions that are parallel to the suction surface, or rotated in a rotation direction around a third direction orthogonal to each of the first direction and the second direction. A pre-alignment step of adjusting the relative position of at least one of the electrostatic chuck and the substrate, and the electrostatic chuck and the mask by:
An alignment method comprising: an alignment step of adjusting relative positions of the substrate and the mask.
前記アライメント工程は、前記マスクを前記静電チャックに吸着された前記基板に対して、前記第1方向、前記第2方向のうち少なくとも一つの方向に移動、または前記回転方向に回転させる工程を含むことを特徴とする請求項11または12に記載のアライメント方法。 After the pre-alignment step, further comprising a step of adsorbing the substrate to the electrostatic chuck,
The alignment step includes a step of moving the mask in at least one of the first direction and the second direction or rotating the mask in the rotation direction with respect to the substrate attracted to the electrostatic chuck. The alignment method according to claim 11 or 12, characterized in that.
前記マスクをマスク支持ユニットによって支持する工程と、
前記基板を基板支持ユニットによって支持する工程と、
前記基板支持ユニットに支持された前記基板を静電チャックに対して、前記静電チャックの吸着面と平行な方向である第1方向、前記第1方向と直交する方向であって、前記静電チャックの吸着面と平行な方向である第2方向のうち少なくとも一つの方向に移動、または前記第1方向及び前記第2方向のそれぞれと直交する第3方向を軸とした回転方向に回転させることによって位置調整するプリアライメント工程と、
位置調整された前記基板を、前記静電チャックに吸着させる工程と、
前記マスク支持ユニットに支持された前記マスクを前記静電チャックに吸着された前記基板に対して位置調整するアライメント工程と、
位置調整された前記マスクを前記静電チャックに前記基板を介して吸着させる工程と、
前記マスクを介して前記基板上に蒸着材料を成膜する工程とを含むことを特徴とする成
膜方法。 A film forming method for forming a vapor deposition material on a substrate through a mask, comprising:
Supporting the mask with a mask support unit,
Supporting the substrate with a substrate support unit,
With respect to the electrostatic chuck, the substrate supported by the substrate support unit is provided with a first direction that is a direction parallel to an adsorption surface of the electrostatic chuck, and a direction that is orthogonal to the first direction. Moving in at least one of the second directions parallel to the chucking surface of the chuck, or rotating in a rotation direction around a third direction orthogonal to each of the first direction and the second direction. Pre-alignment process to adjust the position by
A step of adsorbing the position-adjusted substrate to the electrostatic chuck;
An alignment step of adjusting the position of the mask supported by the mask supporting unit with respect to the substrate attracted to the electrostatic chuck;
Adsorbing the position-adjusted mask to the electrostatic chuck via the substrate,
And a step of forming a vapor deposition material on the substrate through the mask.
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