JP2014191836A - Shift register circuit and image display device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce circuit scale of a driver circuit comprising shift register circuits connected in multiple stages.SOLUTION: A shift register circuit 20 includes a transistor 1 which pulls down the potential of a node 22 in response to rise in the potential of a node 21, and a transistor 2 which pulls down the potential of the node 21 in response to rise in the potential of the node 22. The shift register circuit 20 also includes a transistor 3 which raises the potential of a source thereof when a "CLK" enters, and a transistor 4 which supplies the potential of the source of the transistor 3 to a node 23 in response to rise in the potential of the node 21. The shift register circuit 20 further includes a transistor 5 which outputs "OUT" and a transistor 6 which outputs "OUT" in response to rise in the potential of the node 23.

Description

本発明は、シフトレジスタ回路および画像表示装置に関する。   The present invention relates to a shift register circuit and an image display device.

従来、前段の回路が出力した信号を後段の回路へ伝達するシフトレジスタ回路が知られている。このようなシフトレジスタ回路は、LCD(Liquid Crystal Display)や有機EL(Electro-Luminescence)ディスプレイ等の表示素子を順次操作するためのドライバ回路として用いられている。   Conventionally, a shift register circuit that transmits a signal output from a preceding circuit to a subsequent circuit is known. Such a shift register circuit is used as a driver circuit for sequentially operating display elements such as an LCD (Liquid Crystal Display) and an organic EL (Electro-Luminescence) display.

以下、図14を用いて、シフトレジスタ回路の動作について説明する。図14は、従来のシフトレジスタ回路を説明する回路図である。例えば、図14に示すシフトレジスタ回路30は、複数のトランジスタ31〜38、ノード40、41を有する。なお、図14に示す例では、トランジスタ31、37は、ゲート(ベース)およびドレイン(コレクタ)がダイオード接続されている。   Hereinafter, the operation of the shift register circuit will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a circuit diagram illustrating a conventional shift register circuit. For example, the shift register circuit 30 illustrated in FIG. 14 includes a plurality of transistors 31 to 38 and nodes 40 and 41. In the example shown in FIG. 14, the gates (base) and drain (collector) of the transistors 31 and 37 are diode-connected.

このようなシフトレジスタ回路30では、前段の回路から入力された信号を次段の回路に出力しない非選択時においては、ノード40の電位がLow状態となり、ノード41の電位がHigh状態となる。また、シフトレジスタ回路30では、前段の回路から入力された信号を次段の回路に出力する選択時においては、ノード40の電位がHigh状態となり、ノード41の電位がLow状態となる。   In such a shift register circuit 30, when the signal input from the previous circuit is not output to the next circuit, the potential of the node 40 is in the low state and the potential of the node 41 is in the high state. In the shift register circuit 30, when the signal input from the previous circuit is output to the next circuit, the potential of the node 40 is in a high state and the potential of the node 41 is in a low state.

ここで、シフトレジスタ回路30は、前段の回路から入力信号である「in」のパルスが入力されると、ダイオードとして動作するトランジスタ31を介し、パルスをノード40に入力する。このような場合には、ノード40の電位がHigh状態となり、トランジスタ35がオン状態となる結果、シフトレジスタ回路30は、クロック信号である「CLK」を出力信号である「OUT」として出力する。   Here, when a pulse of “in” that is an input signal is input from the preceding circuit, the shift register circuit 30 inputs a pulse to the node 40 via the transistor 31 that operates as a diode. In such a case, as a result of the potential of the node 40 being in a high state and the transistor 35 being in an on state, the shift register circuit 30 outputs “CLK” that is a clock signal as “OUT” that is an output signal.

また、シフトレジスタ回路30は、「in」のパルスをトランジスタ34のゲート(ベース)に入力する。このような場合には、トランジスタ34がオン状態となり、ノード41の電位が「VGL(低電位)」へと降下する。また、シフトレジスタ回路30は、クロック信号のパルスをトランジスタ38のゲートに入力する。この結果、トランジスタ38がオン状態になり、ノード41の電位が「VGL」へと降下し、トランジスタ33がオフ状態となり、ノード40の電位がHigh状態となる。   Further, the shift register circuit 30 inputs an “in” pulse to the gate (base) of the transistor 34. In such a case, the transistor 34 is turned on, and the potential of the node 41 drops to “VGL (low potential)”. The shift register circuit 30 inputs a clock signal pulse to the gate of the transistor 38. As a result, the transistor 38 is turned on, the potential of the node 41 is lowered to “VGL”, the transistor 33 is turned off, and the potential of the node 40 is in a high state.

また、シフトレジスタ回路30は、次段の回路が出力した「OUT」を、トランジスタ32のゲートに入力する。すると、トランジスタ32がオン状態となるので、ノード40の電位が「VGL」へと降下する。また、シフトレジスタ回路30の動作終了後は、トランジスタ34、38がオフ状態となり、ノード41の電位がLow状態からHigh状態へと遷移し、トランジスタ33、36がオン状態となる結果、ノード40が安定してLow状態となる。   Further, the shift register circuit 30 inputs “OUT” output from the circuit in the next stage to the gate of the transistor 32. Then, since the transistor 32 is turned on, the potential of the node 40 drops to “VGL”. After the operation of the shift register circuit 30, the transistors 34 and 38 are turned off, the potential of the node 41 is changed from the low state to the high state, and the transistors 33 and 36 are turned on. As a result, the node 40 is turned on. A stable low state is obtained.

特開2003−046090号公報JP 2003-046090 A

しかしながら、上述したシフトレジスタ回路30では、1つの「in」に対して1つの「OUT」しか出力できないので、シフトレジスタ回路を多段に設置するドライバ回路の回路規模を増大させてしまうという問題がある。   However, since the shift register circuit 30 described above can output only one “OUT” for one “in”, there is a problem that the circuit scale of the driver circuit in which the shift register circuits are arranged in multiple stages is increased. .

例えば、LCDや有機ELディスプレイ等の表示素子を操作するドライバ回路にシフトレジスタ回路30を適用する場合は、シフトレジスタ回路30を走査線の数だけ設置しなければならず、回路規模が増大する結果、狭額縁化を図ることができない。   For example, when the shift register circuit 30 is applied to a driver circuit that operates a display element such as an LCD or an organic EL display, the shift register circuits 30 must be provided by the number of scanning lines, resulting in an increase in circuit scale. It is not possible to narrow the frame.

開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、シフトレジスタ回路を多段に接続したドライバ回路の回路規模を縮小させることができるシフトレジスタ回路および画像表示装置を提供することを目的とする。   The disclosed technique has been made in view of the above, and an object thereof is to provide a shift register circuit and an image display device capable of reducing the circuit scale of a driver circuit in which shift register circuits are connected in multiple stages. .

本発明に係るシフトレジスタ回路および画像表示装置は、ゲートが第1の導電経路に接続されて、ドレインが第2の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第1の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第2の導電経路の電位を降下させる第1のトランジスタと、ゲートが前記第2の導電経路に接続されて、ドレインが前記第1の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第2の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第1の導電経路の電位を降下させる第2のトランジスタと、ゲートおよびドレインが第1のクロック信号の入力端子に接続された、前記第1のクロック信号が入力された際にソースの電位を上昇させる第3のトランジスタと、ゲートが前記第1の導電経路に接続され、ドレインが前記第3のトランジスタのソースに接続されるとともにソースが第3の導電経路に接続された、前記第1の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第3のトランジスタのソースの電位を前記第3の導電経路に供給する第4のトランジスタと、ゲートが前記第3の導電経路に接続され、ドレインが前記第1のクロック信号を所定量遅延させた第2のクロック信号の入力端子に接続されるとともにソースが第1の出力端子に接続された、前記第3の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第2のクロック信号を第1の出力信号として前記第1の出力端子から出力させる第5のトランジスタと、ゲートが前記第3の導電経路に接続され、ドレインが前記第2のクロック信号を所定量遅延させた第3のクロック信号の入力端子に接続されるとともにソースが第2の出力端子に接続された、前記第3の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第3のクロック信号を第2の出力信号として前記第2の出力端子から出力させる第6のトランジスタとを有する。   In the shift register circuit and the image display device according to the present invention, the gate is connected to the first conductive path, the drain is connected to the second conductive path, and the source is connected to the low potential terminal. A first transistor that lowers the potential of the second conductive path in response to an increase in the potential of the second conductive path, a gate connected to the second conductive path, and a drain connected to the first conductive path A second transistor having a source connected to a low potential terminal and lowering the potential of the first conductive path in response to an increase in potential of the second conductive path, and a gate and a drain Connected to the input terminal of the first clock signal, the third transistor for raising the potential of the source when the first clock signal is input, and the gate of the first conductive path Connected, the drain is connected to the source of the third transistor and the source is connected to the third conductive path, and the potential of the first transistor rises in response to an increase in potential of the first conductive path. A fourth transistor for supplying a source potential to the third conductive path; a gate connected to the third conductive path; and a drain for delaying the first clock signal by a predetermined amount. The second clock signal is used as the first output signal in response to a rise in the potential of the third conductive path, the source of which is connected to the first output terminal and the source is connected to the first output terminal. A fifth transistor output from one output terminal, a gate connected to the third conductive path, and a drain of a third clock signal obtained by delaying the second clock signal by a predetermined amount. The second clock signal is used as the second output signal in response to an increase in potential of the third conductive path, which is connected to the power terminal and the source is connected to the second output terminal. And a sixth transistor for outputting from the output terminal.

本発明に係るシフトレジスタ回路および画像表示装置は、シフトレジスタ回路を多段に接続したドライバ回路の回路規模を縮小させることができる。   The shift register circuit and the image display device according to the present invention can reduce the circuit scale of a driver circuit in which shift register circuits are connected in multiple stages.

第1形態のシフトレジスタ回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the shift register circuit of a 1st form. トランジスタの電流特性を説明するグラフである。It is a graph explaining the current characteristic of a transistor. シフトレジスタ回路に入力される信号波形を説明する図である。It is a figure explaining the signal waveform input into a shift register circuit. シフトレジスタ回路の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of a shift register circuit. 期間T0におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。FIG. 10 illustrates a state of a shift register circuit in a period T0. 期間T1におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。FIG. 10 illustrates a state of a shift register circuit in a period T1. 期間T3におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。FIG. 10 illustrates a state of a shift register circuit in a period T3. 期間T5におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。FIG. 10 illustrates a state of a shift register circuit in a period T5. 期間T7におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。FIG. 10 illustrates a state of a shift register circuit in a period T7. 期間T9におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。FIG. 10 illustrates a state of a shift register circuit in a period T9. 期間T15におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。FIG. 10 illustrates a state of a shift register circuit in a period T15. シフトレジスタ回路の適用例を説明する第1の図である。FIG. 11 is a first diagram illustrating an application example of a shift register circuit. シフトレジスタ回路の適用例を説明する第2の図である。It is a 2nd figure explaining the application example of a shift register circuit. 従来のシフトレジスタ回路を説明する回路図である。It is a circuit diagram explaining the conventional shift register circuit.

以下に、本発明に係るシフトレジスタ回路および画像表示装置の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。そして、以下に例示する実施形態は、形状を矛盾させない範囲で適宜変更、組み合わせることが可能である。   Embodiments of a shift register circuit and an image display device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments. And the embodiment illustrated below can be suitably changed and combined in the range which does not contradict a shape.

[第1形態]
[シフトレジスタ回路の構造]
図1を用いて、シフトレジスタ回路の第1形態を説明する。図1は、第1形態のシフトレジスタ回路を示す回路図である。図1に示したように、シフトレジスタ回路20は、シフトレジスタ部25と、OUT波形制御部26とからなる。具体的には、シフトレジスタ回路20は、複数のトランジスタ1〜15と、複数のノード21〜24を有する。また、シフトレジスタ回路20は、前段のシフトレジスタ回路が出力した信号である「in」、クロック信号である「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の入力端子を有する。
[First form]
[Structure of shift register circuit]
A first embodiment of the shift register circuit will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a circuit diagram showing a shift register circuit according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the shift register circuit 20 includes a shift register unit 25 and an OUT waveform control unit 26. Specifically, the shift register circuit 20 includes a plurality of transistors 1 to 15 and a plurality of nodes 21 to 24. Further, the shift register circuit 20 has input terminals for “in” which is a signal output from the preceding shift register circuit and clock signals “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ” and “CLK 4 ”. Have.

また、シフトレジスタ回路20は、シフトレジスタ回路20の出力である「OUT」、「OUT」の出力端子を有する。すなわち、シフトレジスタ回路20は、1つの入力信号「in」に対して、2つの信号「OUT」、「OUT」を順に出力する。例えば、シフトレジスタ回路20は、画像表示装置のドライバ回路に適用される場合には、「OUT」、「OUT」の出力端子から、画像表示領域の連続する2つのゲート線に信号を順次出力する。 The shift register circuit 20 has output terminals “OUT 1 ” and “OUT 2 ” that are outputs of the shift register circuit 20. That is, the shift register circuit 20 sequentially outputs two signals “OUT 1 ” and “OUT 2 ” for one input signal “in”. For example, when the shift register circuit 20 is applied to a driver circuit of an image display device, signals are sequentially sent from the output terminals of “OUT 1 ” and “OUT 2 ” to two continuous gate lines in the image display area. Output.

また、シフトレジスタ回路20は、「OUT」および「OUT」の出力後に、待機状態へと遷移するために、「OUT」が入力される入力端子を有する。「OUT」は、次段のシフトレジスタ回路において、上記シフトレジスタ回路20の「OUT」に対応する出力信号である。なお、次段のシフトレジスタ回路では、上記シフトレジスタ回路20の「CLK」が「CLK」に対応し、「CLK」が「CLK」に対応し、「CLK」が「CLK」に対応し「CLK」が「CLK」に対応する。 Further, the shift register circuit 20 has an input terminal to which “OUT 3 ” is input in order to shift to a standby state after outputting “OUT 1 ” and “OUT 2 ”. “OUT 3 ” is an output signal corresponding to “OUT 1 ” of the shift register circuit 20 in the shift register circuit at the next stage. In the next stage of the shift register circuit, "CLK 1" of the shift register circuit 20 corresponds to "CLK 4", "CLK 2" corresponds to "CLK 2", "CLK 3" is "CLK 3 “CLK 4 ” corresponds to “CLK 1 ”.

また、シフトレジスタ回路20は、電位が所定の閾値よりも高い値「VGH」に保たれている高電位端子と、電位が所定の閾値よりも低い値「VGL」に保たれている低電位端子とを有する。なお、以下の説明では、「VGH」の値はGND(グランド)よりも高い値とし、例えば、8(V)〜20(V)、「VGL」の値はGNDよりも低い値とし、例えば、−5(V)〜−15(V)とする。   Further, the shift register circuit 20 includes a high potential terminal in which the potential is maintained at a value “VGH” higher than a predetermined threshold, and a low potential terminal in which the potential is maintained at a value “VGL” lower than the predetermined threshold. And have. In the following description, the value of “VGH” is a value higher than GND (ground), for example, 8 (V) to 20 (V), and the value of “VGL” is a value lower than GND. -5 (V) to -15 (V).

また、各トランジスタ1〜15は、例えば、nチャンネルのMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)であるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、各トランジスタ1〜15は、NPN型のトランジスタや、キャリアが電子であるタイプ(n型)のMIS(Metal Insulator Semiconductor)構造を採用した電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)であってもよい。   Each of the transistors 1 to 15 is, for example, an n-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), but the present invention is not limited to this. For example, each of the transistors 1 to 15 may be an NPN type transistor or a field effect transistor (FET) adopting a MIS (Metal Insulator Semiconductor) structure of a type (n type) in which carriers are electrons. Good.

また、各トランジスタ1〜15は、FETの一種である薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)、すなわちn−MISFETTFTであってもよい。また、PNP型のトランジスタやキャリアが正孔である(p型)のFET、又はTFT等を用いて、シフトレジスタ回路20と同等の機能を発揮する回路を構成してもよい。   Each of the transistors 1 to 15 may be a thin film transistor (TFT) that is a kind of FET, that is, an n-MISFET TFT. Alternatively, a circuit that exhibits a function equivalent to that of the shift register circuit 20 may be configured using a PNP transistor, a FET whose carrier is a hole (p-type), a TFT, or the like.

ここで、各トランジスタ1〜15は、ゲート、ソース、ドレインの3つの電極が存在するが、ソース、およびドレインは、トランジスタの導電性及び相対的な電位関係によって定義される。このため、以下の説明では、各トランジスタ1〜15がnチャンネルのMOSFETであるものとし、各トランジスタ1〜15が有する端子のうち、高電位側の端子をドレイン、低電位側の端子をソースと記載する。   Here, each of the transistors 1 to 15 has three electrodes of a gate, a source, and a drain, and the source and the drain are defined by the conductivity of the transistor and the relative potential relationship. Therefore, in the following description, it is assumed that each of the transistors 1 to 15 is an n-channel MOSFET, and among the terminals of each of the transistors 1 to 15, the high potential side terminal is the drain, and the low potential side terminal is the source. Describe.

[接続関係]
ここで、図1に示したシフトレジスタ回路20における各トランジスタ1〜15、ノード21〜24の接続関係について説明する。
[Connection]
Here, a connection relationship between the transistors 1 to 15 and the nodes 21 to 24 in the shift register circuit 20 illustrated in FIG. 1 will be described.

ノード21は、トランジスタ1、2、4、14、15を接続する導電経路である。詳細には、ノード21は、トランジスタ1のゲート、トランジスタ2のドレイン、トランジスタ4のゲート、トランジスタ14のドレイン、トランジスタ15のソースに接続される。   The node 21 is a conductive path that connects the transistors 1, 2, 4, 14, and 15. Specifically, the node 21 is connected to the gate of the transistor 1, the drain of the transistor 2, the gate of the transistor 4, the drain of the transistor 14, and the source of the transistor 15.

ノード22は、トランジスタ1、2、11、12、13を接続する導電経路である。詳細には、ノード22は、トランジスタ1のドレイン、トランジスタ2のゲート、トランジスタ11のソース、トランジスタ12のゲート、トランジスタ13のゲートに接続される。   The node 22 is a conductive path that connects the transistors 1, 2, 11, 12, and 13. Specifically, the node 22 is connected to the drain of the transistor 1, the gate of the transistor 2, the source of the transistor 11, the gate of the transistor 12, and the gate of the transistor 13.

ノード23は、トランジスタ4、5、6、7、8、9を接続する導電経路である。詳細には、ノード23は、トランジスタ4のソース、トランジスタ5のゲート、トランジスタ6のゲート、トランジスタ7のドレイン、トランジスタ8のゲート、トランジスタ9のドレインに接続される。   The node 23 is a conductive path that connects the transistors 4, 5, 6, 7, 8, and 9. Specifically, the node 23 is connected to the source of the transistor 4, the gate of the transistor 5, the gate of the transistor 6, the drain of the transistor 7, the gate of the transistor 8, and the drain of the transistor 9.

ノード24は、トランジスタ8、9、10を接続する導電経路である。詳細には、ノード24は、トランジスタ8のドレイン、トランジスタ9のゲート、トランジスタ10のソースに接続される。   Node 24 is a conductive path connecting transistors 8, 9, and 10. Specifically, the node 24 is connected to the drain of the transistor 8, the gate of the transistor 9, and the source of the transistor 10.

トランジスタ1は、ゲートがノード21に接続されて、ドレインがノード22に接続されるとともにソースが低電位端子に接続される。そして、トランジスタ1は、ノード21の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード22の電位が「VGL」へ引き下げられる。   The transistor 1 has a gate connected to the node 21, a drain connected to the node 22, and a source connected to the low potential terminal. The transistor 1 is turned on when the potential of the node 21 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 22 is lowered to “VGL”.

トランジスタ2は、ゲートがノード22に接続されて、ドレインがノード21に接続されるとともにソースが低電位端子に接続される。そして、トランジスタ2は、ノード22の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード21の電位が「VGL」へ引き下げられる。   The transistor 2 has a gate connected to the node 22, a drain connected to the node 21, and a source connected to the low potential terminal. The transistor 2 is turned on when the potential of the node 22 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 21 is lowered to “VGL”.

トランジスタ3は、ゲートおよびドレインが「CLK」の入力端子に接続されて、ソースがトランジスタ4のドレインに接続される。そして、トランジスタ3は、「CLK」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、トランジスタ4に「VGH」が供給される。 The transistor 3 has a gate and a drain connected to the input terminal of “CLK 1 ” and a source connected to the drain of the transistor 4. The transistor 3 is turned on when the potential of “CLK 1 ” is higher than a predetermined threshold value. As a result, “VGH” is supplied to the transistor 4.

トランジスタ4は、ゲートがノード21に接続され、ドレインがトランジスタ3のソースに接続されるとともにソースがノード23に接続される。そして、トランジスタ4は、ノード21の電位が所定の閾値よりも高い場合に、オン状態となる。この結果、「CLK」の電位が所定の閾値よりも高く、ノード21の電位が所定の閾値よりも高い場合に、トランジスタ3から供給される「VGH」がノード23へ供給され、ノード23の電位が上昇する。 Transistor 4 has a gate connected to node 21, a drain connected to the source of transistor 3, and a source connected to node 23. The transistor 4 is turned on when the potential of the node 21 is higher than a predetermined threshold value. As a result, when the potential of “CLK 1 ” is higher than the predetermined threshold and the potential of the node 21 is higher than the predetermined threshold, “VGH” supplied from the transistor 3 is supplied to the node 23, The potential increases.

トランジスタ5は、ゲートがノード23に接続され、ドレインが「CLK」の入力端子に接続されるとともにソースが「OUT」に接続される。そして、トランジスタ5は、ノード23の電位が所定の閾値よりも高い場合に、オン状態となる。この結果、「CLK」が「OUT」として出力される。 The transistor 5 has a gate connected to the node 23, a drain connected to the input terminal of “CLK 2 ”, and a source connected to “OUT 1 ”. The transistor 5 is turned on when the potential of the node 23 is higher than a predetermined threshold value. As a result, “CLK 2 ” is output as “OUT 1 ”.

トランジスタ6は、ゲートがノード23に接続され、ドレインが「CLK」の入力端子に接続されるとともにソースが「OUT」に接続される。そして、トランジスタ6は、ノード23の電位が所定の閾値よりも高い場合に、オン状態となる。この結果、「CLK」が「OUT」として出力される。 The transistor 6 has a gate connected to the node 23, a drain connected to the input terminal of “CLK 3 ”, and a source connected to “OUT 2 ”. The transistor 6 is turned on when the potential of the node 23 is higher than a predetermined threshold value. As a result, “CLK 3 ” is output as “OUT 2 ”.

トランジスタ7は、ゲートが「OUT」の入力端子に接続され、ドレインがノード23に接続されるとともにソースが低電位端子に接続される。そして、トランジスタ7は、「OUT」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード23の電位が「VGL」へと引き下げられる。 The transistor 7 has a gate connected to the input terminal of “OUT 3 ”, a drain connected to the node 23, and a source connected to the low potential terminal. The transistor 7 is turned on when the potential of “OUT 3 ” is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 23 is lowered to “VGL”.

トランジスタ8は、ゲートがノード23に接続されて、ドレインがノード24に接続されるとともにソースが低電位端子に接続される。そして、トランジスタ8は、ノード23の電位が所定の閾値よりも高い場合に、オン状態となる。この結果、ノード24の電位が「VGL」へ引き下げられる。   The transistor 8 has a gate connected to the node 23, a drain connected to the node 24, and a source connected to the low potential terminal. The transistor 8 is turned on when the potential of the node 23 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 24 is lowered to “VGL”.

トランジスタ9は、ゲートがノード24に接続され、ドレインがノード23に接続されるとともにソースが低電位端子に接続される。そして、トランジスタ9は、ノード24の電位が所定の閾値よりも高い場合に、オン状態となる。この結果、ノード23の電位が「VGL」へ引き下げられる。   The transistor 9 has a gate connected to the node 24, a drain connected to the node 23, and a source connected to the low potential terminal. The transistor 9 is turned on when the potential of the node 24 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 23 is lowered to “VGL”.

トランジスタ10は、ゲートが「CLK」の入力端子に接続されて、ドレインが高電位端子に接続されるとともにソースがノード24に接続される。そして、トランジスタ10は、「CLK」の電位が所定の閾値よりも高い場合に、オン状態となる。この結果、ノード24に「VGH」が供給されて、ノード24の電位が上昇する。 The transistor 10 has a gate connected to the input terminal of “CLK 4 ”, a drain connected to the high potential terminal, and a source connected to the node 24. The transistor 10 is turned on when the potential of “CLK 4 ” is higher than a predetermined threshold value. As a result, “VGH” is supplied to the node 24 and the potential of the node 24 rises.

トランジスタ11は、ゲートが「CLK」の入力端子に接続されて、ドレインが高電位端子に接続されるとともにソースがノード22に接続される。そして、トランジスタ11は、「CLK」の電位が所定の閾値よりも高い場合に、オン状態となる。この結果、ノード22に「VGH」が供給されて、ノード22の電位が上昇する。 The transistor 11 has a gate connected to the input terminal of “CLK 4 ”, a drain connected to the high potential terminal, and a source connected to the node 22. The transistor 11 is turned on when the potential of “CLK 4 ” is higher than a predetermined threshold value. As a result, “VGH” is supplied to the node 22 and the potential of the node 22 rises.

トランジスタ12は、ゲートがノード22に接続され、ドレインにトランジスタ5のソースおよび「OUT」の出力端子が接続され、ソースに低電位端子が接続される。そして、トランジスタ12は、ノード22の電位が所定の閾値よりも高い場合に、オン状態となる。この結果、トランジスタ5のソース、すなわち「OUT」の出力端子における電位が「VGL」へ引き下げられる。 The transistor 12 has a gate connected to the node 22, a drain connected to the source of the transistor 5 and the output terminal of “OUT 1 ”, and a source connected to the low potential terminal. The transistor 12 is turned on when the potential of the node 22 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential at the source of the transistor 5, that is, the output terminal of “OUT 1 ” is lowered to “VGL”.

トランジスタ13は、ゲートがノード22に接続され、ドレインにトランジスタ6のソースおよび「OUT」の出力端子が接続され、ソースに低電位端子が接続される。そして、トランジスタ13は、ノード22の電位が所定の閾値よりも高い場合に、オン状態となる。この結果、トランジスタ6のソース、すなわち「OUT」の出力端子における電位が「VGL」へ引き下げられる。 The transistor 13 has a gate connected to the node 22, a drain connected to the source of the transistor 6 and an output terminal of “OUT 2 ”, and a source connected to a low potential terminal. The transistor 13 is turned on when the potential of the node 22 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential at the source of the transistor 6, that is, the output terminal of “OUT 2 ” is lowered to “VGL”.

トランジスタ14は、ゲートに「OUT」の入力端子が接続され、ドレインにノード21が接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ14は、「OUT」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード21の電位が「VGL」へと引き下げられる。 The transistor 14 has a gate connected to the input terminal “OUT 3 ”, a drain connected to the node 21, and a source connected to the low potential terminal. The transistor 14 is turned on when the potential of “OUT 3 ” is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 21 is lowered to “VGL”.

トランジスタ15は、ゲートに信号「in」の入力端子が接続され、ドレインに高電位端子が接続され、ソースにノード21が接続される。そして、トランジスタ15は、信号「in」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード21に「VGH」が供給され、ノード21の電位が上昇する。   The transistor 15 has a gate connected to the input terminal of the signal “in”, a drain connected to the high potential terminal, and a source connected to the node 21. The transistor 15 is turned on when the potential of the signal “in” is higher than a predetermined threshold value. As a result, “VGH” is supplied to the node 21 and the potential of the node 21 rises.

このように、シフトレジスタ回路20は、ノード21の電位の上昇に伴って、ノード22の電位を下降させるトランジスタ1と、ノード22の電位の上昇に伴って、ノード21の電位を下降させるトランジスタ2とを有する。また、シフトレジスタ回路20は、トランジスタ3とトランジスタ4により、「CLK」の電位が高く、ノード21の電位が高い場合に、「VGH」をノード23に供給する。このとき、ノード21の電位を降下させるトランジスタ2、14がオフ状態となり、さらに、トランジスタ15もオフ状態となることから、ブートストラップによりノード21の電位が上昇し、ノード23へ安定的に「VGH」が供給される。 As described above, the shift register circuit 20 includes the transistor 1 that decreases the potential of the node 22 as the potential of the node 21 increases, and the transistor 2 that decreases the potential of the node 21 as the potential of the node 22 increases. And have. In addition, the shift register circuit 20 supplies “VGH” to the node 23 when the potential of “CLK 1 ” is high and the potential of the node 21 is high due to the transistors 3 and 4. At this time, the transistors 2 and 14 for lowering the potential of the node 21 are turned off, and the transistor 15 is also turned off. Therefore, the potential of the node 21 is increased by bootstrap, and the “VGH” Is supplied.

また、シフトレジスタ回路20は、ノード23の電位の上昇に伴って、「CLK」を「OUT」として出力するトランジスタ5と、「CLK」を「OUT」として出力するトランジスタ6とを有する。このとき、ノード23の電位を降下させるトランジスタ7、9がオフ状態となることから、さらに、トランジスタ3もオフ状態となることから、ブートストラップによりノード23の電位が上昇し、各OUTを安定的に出力することができる。 The shift register circuit 20 includes a transistor 5 that outputs “CLK 2 ” as “OUT 1 ” and a transistor 6 that outputs “CLK 3 ” as “OUT 2 ” as the potential of the node 23 increases. Have. At this time, since the transistors 7 and 9 that lower the potential of the node 23 are turned off, and the transistor 3 is also turned off, the potential of the node 23 is increased by bootstrap, and each OUT is stabilized. Can be output.

ここで、各トランジスタ1〜15のドレイン、ソース間に流れる電流は、ゲート、ソース間の電位に応じて変化する。このため、各トランジスタ1〜15は、ゲートの電位が所定の閾値よりも十分に高い場合は、完全なオン状態となるが、所定の閾値よりも十分に高くない場合は、完全なオン状態とはならない。また、各トランジスタ1〜15は、ゲートの電位が所定の閾値よりも十分に低い場合は、完全なオフ状態となるが、ゲートの電位が所定の閾値よりも十分に低くない場合は、完全なオフ状態とはならない。   Here, the current flowing between the drain and source of each of the transistors 1 to 15 varies depending on the potential between the gate and source. Therefore, each of the transistors 1 to 15 is completely turned on when the gate potential is sufficiently higher than the predetermined threshold, but is completely turned on when not sufficiently higher than the predetermined threshold. Must not. Each of the transistors 1 to 15 is completely turned off when the gate potential is sufficiently lower than the predetermined threshold value, but is completely turned off when the gate potential is not sufficiently lower than the predetermined threshold value. It is not turned off.

例えば、図2は、トランジスタの電流特性を説明するグラフである。なお、図2に示すグラフは、横軸を各トランジスタ1〜15のゲート、ソース間の電位Vg(V:Volt)とし、縦軸にドレイン、ソース間の電流Id(A:Ampere)を対数表示した。図2に示すように、各トランジスタ1〜15は、電位Vgが十分に低い場合には、電流Idをほぼ流さないオフ状態となる。   For example, FIG. 2 is a graph illustrating current characteristics of a transistor. In the graph shown in FIG. 2, the horizontal axis represents the potential Vg (V: Volt) between the gate and source of each transistor 1-15, and the vertical axis represents the current Id (A: Ampere) between the drain and source in logarithm. did. As shown in FIG. 2, when the potential Vg is sufficiently low, each of the transistors 1 to 15 is in an off state in which almost no current Id flows.

また、各トランジスタ1〜15は、電位Vgが十分に低くない場合には、電流Idが流れるオン(低)状態となる。また、各トランジスタ1〜15は、電位Vgが十分に高くない場合には、電流Idが十分に流れないオン(中)状態となる。また、各トランジスタ1〜15は、電位Vgが十分に高い場合には、電流Idが飽和し、完全なオン状態であるオン(高)状態となる。   Further, each of the transistors 1 to 15 is in an on (low) state in which the current Id flows when the potential Vg is not sufficiently low. Further, each of the transistors 1 to 15 is in an on (medium) state where the current Id does not flow sufficiently when the potential Vg is not sufficiently high. Further, when the potential Vg is sufficiently high, each of the transistors 1 to 15 is saturated with the current Id and is turned on (high), which is a complete on state.

このため、図14に例示した従来のシフトレジスタ回路30は、各トランジスタ31〜38のゲートに印加される電位が所定の閾値よりも十分に高くない場合には、各トランジスタ31〜38がオン(高)状態とはならず、動作不良を引き起こす場合がある。また、従来のシフトレジスタ回路30は、各トランジスタ31〜38のゲートに印加される電位が所定の閾値よりも十分に低くない場合には、オフ状態とはならず、動作不良を引き起こす場合がある。   Therefore, in the conventional shift register circuit 30 illustrated in FIG. 14, when the potential applied to the gates of the transistors 31 to 38 is not sufficiently higher than a predetermined threshold, the transistors 31 to 38 are turned on ( May not be in a high state and may cause malfunction. Further, the conventional shift register circuit 30 is not turned off and may cause malfunction when the potential applied to the gates of the transistors 31 to 38 is not sufficiently lower than a predetermined threshold value. .

一方、本発明のシフトレジスタ回路20は、「OUT」の電位にではなく、ノード21の電位に応じてノード22の電位を下げる。この結果、シフトレジスタ回路20は、「OUT」および「OUT」を出力する際に、ノード22の電位を確実に下げることができる。さらに、シフトレジスタ回路20は、「OUT」および「OUT」を出力する際に、ブートストラップによるカップリングによって、ノード23の電位を「VGH」以上にすることができる。この結果、ノード23の電位を十分高い状態に保てることで、信号出力の降下を防ぐことができる。 On the other hand, the shift register circuit 20 of the present invention lowers the potential of the node 22 according to the potential of the node 21, not the potential of “OUT 1 ”. As a result, the shift register circuit 20 can reliably lower the potential of the node 22 when outputting “OUT 1 ” and “OUT 2 ”. Furthermore, when the shift register circuit 20 outputs “OUT 1 ” and “OUT 2 ”, the potential of the node 23 can be set to “VGH” or more by coupling by bootstrap. As a result, by keeping the potential of the node 23 sufficiently high, a drop in signal output can be prevented.

[シフトレジスタ回路20の動作の流れ]
このようなシフトレジスタ回路20の動作の流れを説明する。まず、図3を用いて、シフトレジスタ回路20に入力する信号について説明する。図3は、シフトレジスタ回路に入力される信号波形を説明する図である。例えば、図3に示す例では、シフトレジスタ回路20には、「in」として、例えば「VST」(垂直走査開始信号:Vertical Start Technology)が入力されるとともに、複数のクロック信号「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」が入力される。
[Operation Flow of Shift Register Circuit 20]
The operation flow of the shift register circuit 20 will be described. First, a signal input to the shift register circuit 20 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram for explaining a signal waveform input to the shift register circuit. For example, in the example illustrated in FIG. 3, for example, “VST” (vertical scan start signal: Vertical Start Technology) is input to the shift register circuit 20 as “in”, and a plurality of clock signals “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ” are input.

ここで、「VST」とは、シフトレジスタ回路20の前段に他のシフトレジスタ回路が存在しない場合に、「in」としてシフトレジスタ回路20に入力される信号であり、複数のシフトレジスタが信号を伝達する処理の開始を示す信号である。   Here, “VST” is a signal that is input to the shift register circuit 20 as “in” when there is no other shift register circuit in the previous stage of the shift register circuit 20. It is a signal which shows the start of the process to transmit.

また、「CLK」とは、電位がVGHからVGLまで周期的に変化する第1のクロック信号であり、シフトレジスタ回路20が「OUT」および「OUT」を出力する期間を示す信号である。この「CLK」は、特許請求の範囲の「第1のクロック信号」の一例である。 “CLK 1 ” is a first clock signal whose potential periodically changes from VGH to VGL, and is a signal indicating a period during which the shift register circuit 20 outputs “OUT 1 ” and “OUT 2 ”. is there. This “CLK 1 ” is an example of the “first clock signal” in the claims.

また、「CLK」とは、電位がVGHからVGLまで周期的に変化し、「CLK」を所定量遅延させた信号であり、シフトレジスタ回路20が「OUT」を出力するタイミングを示すクロック信号である。この「CLK」は、特許請求の範囲に記載の「第2のクロック信号」の一例である。 “CLK 2 ” is a signal obtained by periodically changing the potential from VGH to VGL and delaying “CLK 1 ” by a predetermined amount, and indicates the timing at which the shift register circuit 20 outputs “OUT 1 ”. This is a clock signal. This “CLK 2 ” is an example of a “second clock signal” recited in the claims.

また、「CLK」とは、電位がVGHからVGLまで周期的に変化し、「CLK」を所定量遅延させた信号であり、シフトレジスタ回路20が「OUT」を出力するタイミングを示すクロック信号である。この「CLK」は、特許請求の範囲に記載の「第3のクロック信号」の一例である。 “CLK 3 ” is a signal in which the potential changes periodically from VGH to VGL and “CLK 2 ” is delayed by a predetermined amount, and indicates the timing at which the shift register circuit 20 outputs “OUT 2 ”. This is a clock signal. This “CLK 3 ” is an example of a “third clock signal” recited in the claims.

また、「CLK」とは、電位がVGHからVGLまで周期的に変化し、「CLK」の位相をずらして「CLK」と同じタイミングで立ち上がる信号である。この「CLK」は、特許請求の範囲に記載の「第4のクロック信号」の一例である。 “CLK 4 ” is a signal whose potential changes periodically from VGH to VGL and rises at the same timing as “CLK 3 ” by shifting the phase of “CLK 1 ”. This “CLK 4 ” is an example of a “fourth clock signal” recited in the claims.

すなわち、「CLK」は、「in」と同期してシフトレジスタ回路20へ入力される。「CLK」と「CLK」は、「CLK」と同じタイミングで立ち上がる信号であるが、位相がずれており、「CLK」と同じタイミングで交互に立ち上がる。「CLK」は、「CLK」を反転させた信号であり、「CLK」が「VGH」のときに「VGL」となる。 That is, “CLK 2 ” is input to the shift register circuit 20 in synchronization with “in”. “CLK 1 ” and “CLK 4 ” are signals that rise at the same timing as “CLK 3 ”, but are out of phase and rise alternately at the same timing as “CLK 3 ”. “CLK 2 ” is a signal obtained by inverting “CLK 3 ”, and becomes “VGL” when “CLK 3 ” is “VGH”.

次に、図4を用いて、各信号が入力された際のシフトレジスタ回路20の動作について説明する。図4は、シフトレジスタ回路の動作を説明する図である。なお、図4には、シフトレジスタ回路20に入力される「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」および「in」の入力波形と、ノード21〜24の電位変化、「OUT」、「OUT」、「OUT」、「OUT」の波形を示した。 Next, the operation of the shift register circuit 20 when each signal is input will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the shift register circuit. Note that FIG. 4 shows input waveforms of “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, “CLK 4 ”, and “in” input to the shift register circuit 20, and potential changes at the nodes 21 to 24. , “OUT 1 ”, “OUT 2 ”, “OUT 3 ”, “OUT 4 ” waveforms are shown.

ここで、「OUT」は、次段の回路が「in」の入力後、最初に出力する信号であり、シフトレジスタ回路20が出力する「OUT」に対応する信号である。また「OUT」は、次段の回路が「in」の入力後、2番目に出力する信号であり、シフトレジスタ回路20が出力する「OUT」に対応する信号である。 Here, “OUT 3 ” is a signal output first after the next-stage circuit inputs “in”, and is a signal corresponding to “OUT 1 ” output from the shift register circuit 20. “OUT 4 ” is a signal that is output second after the next-stage circuit inputs “in”, and is a signal corresponding to “OUT 2 ” output by the shift register circuit 20.

また、図4には、各トランジスタ1〜15がオン(高)状態となる範囲を網かけで示し、オン(中)状態となる範囲を濃い点描で示し、オン(低)状態となる範囲を薄い点描で示す。また、各トランジスタ1〜15がオフ状態となる範囲は、白抜きで示す。また、図4の期間T1よりも前の状態では、ノード21、23の電位が「VGL」であり、ノード22、24の電位が「VGH」付近の電位であるものとする。   Further, in FIG. 4, the range in which each of the transistors 1 to 15 is in the on (high) state is indicated by shading, the range in which the transistor is in the on (medium) state is indicated by dark stippling, and the range in which the on (low) state is indicated Shown in light stippling. Further, the range in which each of the transistors 1 to 15 is turned off is shown in white. In the state before the period T1 in FIG. 4, the potentials of the nodes 21 and 23 are “VGL”, and the potentials of the nodes 22 and 24 are potentials in the vicinity of “VGH”.

このような状態において、シフトレジスタ回路20が、周期的に変化する「CLK」と同期した「in」が入力されたことに応じて、「OUT」および「OUT」を順次出力し、後段のシフトレジスタ回路から入力される「OUT」によって出力を停止する一連の流れを示す。ここでは、図4のT1〜T16に示した期間におけるトランジスタ1〜15の状態を用いて、上記一連の流れを具体的に説明する。 In such a state, the shift register circuit 20 sequentially outputs “OUT 1 ” and “OUT 2 ” in response to the input of “in” synchronized with “CLK 2 ” that periodically changes, A series of flows for stopping output by “OUT 3 ” input from the shift register circuit at the subsequent stage is shown. Here, the above series of flows will be specifically described using the states of the transistors 1 to 15 in the period shown by T1 to T16 in FIG.

(期間T0)期間T0は、「in」が入力される前の非選択期間である。具体的には、「in」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の電位がそれぞれ「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。 (Period T0) The period T0 is a non-selection period before “in” is input. Specifically, it is a period in which the potentials of “in”, “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, and “CLK 4 ” are “VGL” and the potential of “CLK 3 ” is “VGH”.

図5は、期間T0におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。なお、図5−図11では、電位がVGLより高いノードを太線で表し、電位がVGLとなるノードを細線で表すこととする。図5に示すように、期間T0では、ノード22とノード24が「VGH」を保持しており、トランジスタ2と9がオン状態であることから、ノード21とノード23は「VGL」状態を維持している。このように、期間T0は、ノード22およびノード24の電位を「VGH」に維持することで、ノード21およびノード23の電位を「VGL」に維持し、各OUTの出力を抑制する非選択期間の一例である。   FIG. 5 is a diagram illustrating the state of the shift register circuit in the period T0. 5 to 11, nodes whose potential is higher than VGL are represented by bold lines, and nodes whose potential is VGL are represented by thin lines. As shown in FIG. 5, in the period T0, the node 22 and the node 24 hold “VGH”, and the transistors 2 and 9 are in the on state. Therefore, the node 21 and the node 23 maintain the “VGL” state. doing. As described above, in the period T0, the potentials of the nodes 22 and 24 are maintained at “VGH”, so that the potentials of the nodes 21 and 23 are maintained at “VGL” and the output of each OUT is suppressed. It is an example.

具体的には、図4に示すように、ノード22およびノード24の電位が「VGH」であることから、トランジスタ2、9、12、13がオン(高)状態となる。そして、ノード21は、「VGH」が供給されていない状態で、トランジスタ2がオン(高)状態であることから、「VGL」に引っ張られる。この結果、ノード21の電位は「VGL」となる。また、ノード23は、「CLK」も「VGH」も供給されていない状態で、トランジスタ9がオン(高)状態であることから、「VGL」に引っ張られる。この結果、ノード23の電位は「VGL」となる。 Specifically, as shown in FIG. 4, since the potentials of the nodes 22 and 24 are “VGH”, the transistors 2, 9, 12, and 13 are turned on (high). The node 21 is pulled to “VGL” because “VGH” is not supplied and the transistor 2 is on (high). As a result, the potential of the node 21 becomes “VGL”. The node 23 is pulled to “VGL” because the transistor 9 is in an on (high) state in a state where neither “CLK 1 ” nor “VGH” is supplied. As a result, the potential of the node 23 becomes “VGL”.

すなわち、期間T0の状態では、トランジスタ2、9、12、13がオン(高)状態となり、その他のトランジスタがオフ状態となる。また、ノード21およびノード23の電位は、「VGL」となり、ノード22およびノード24の電位は、「VGH」付近の高電位となる。   That is, in the period T0, the transistors 2, 9, 12, and 13 are turned on (high), and the other transistors are turned off. Further, the potential of the node 21 and the node 23 is “VGL”, and the potential of the node 22 and the node 24 is a high potential near “VGH”.

(期間T1)期間T1は、上段のシフトレジスタ回路から出力されたOUTが「in」に入力される、または、最上段の場合はスタートパルスが「in」に入力される期間である。具体的には、「in」の電位が「VGH」となり、「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGH」となり、「CLK」の電位が「VGH」から「VGL」へ遷移し、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。 (Period T1) The period T1 is a period in which OUT output from the upper shift register circuit is input to “in” or, in the uppermost stage, a start pulse is input to “in”. Specifically, the potential of “in” is “VGH”, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGH”, and the potential of “CLK 3 ” is “VGH”. Is a period in which the potential of “CLK 4 ” becomes “VGL”.

図6は、期間T1におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。図6に示すように、シフトレジスタ回路20の「in」が入力されると、ノード21に「VGH」が供給され、トランジスタ1がオン状態となるので、ノード22の保持されていた「VGH」が「VGL」に引っ張られる。したがって、ノード22の電位が下降し、ノード21の電位が上昇する。   FIG. 6 is a diagram illustrating the state of the shift register circuit in the period T1. As shown in FIG. 6, when “in” of the shift register circuit 20 is input, “VGH” is supplied to the node 21 and the transistor 1 is turned on, so that “VGH” held at the node 22 is held. Is pulled to “VGL”. Therefore, the potential of the node 22 decreases and the potential of the node 21 increases.

具体的には、図4に示すように、「in」の電位が「VGH」となることから、トランジスタ15がオン(高)状態となり、ノード21に「VGH」が供給されはじめる。そして、ノード21の電位が上昇することにより、ノード21の電位をゲートに入力するトランジスタ1およびトランジスタ4がオン(中)状態となる。   Specifically, as illustrated in FIG. 4, since the potential of “in” becomes “VGH”, the transistor 15 is turned on (high), and “VGH” starts to be supplied to the node 21. When the potential of the node 21 rises, the transistor 1 and the transistor 4 that input the potential of the node 21 to the gate are turned on (medium).

また、トランジスタ1がオン(中)状態となることから、ノード22の電位が「VGL」へ引っ張られる。したがって、ノード22の電位は、「VGH」から降下し、「VGL」よりも高く「GND」よりも低い電位となる。また、トランジスタ2、12、13は、ゲートに入力されるノード22の電位が「VGH」よりも降下するので、オン(高)状態からオン(低)状態となる。したがって、ノード21は、トランジスタ2によって、若干「VGL」へ引っ張られる。この結果、ノード21の電位は、「VGH」よりも低く「GND」よりも高くなる。なお、ノード24の電位は、引き続き「VGH」を維持するので、トランジスタ9は、オン(高)状態を維持する。   Further, since the transistor 1 is turned on (medium), the potential of the node 22 is pulled to “VGL”. Therefore, the potential of the node 22 drops from “VGH” and becomes higher than “VGL” and lower than “GND”. In addition, since the potential of the node 22 input to the gate of the transistors 2, 12, and 13 is lower than “VGH”, the transistors 2, 12, and 13 are turned from an on (high) state to an on (low) state. Therefore, the node 21 is slightly pulled to “VGL” by the transistor 2. As a result, the potential of the node 21 is lower than “VGH” and higher than “GND”. Note that since the potential of the node 24 continues to be “VGH”, the transistor 9 is maintained in an on (high) state.

すなわち、期間T1の状態では、トランジスタ9および15がオン(高)状態となり、トランジスタ1および4がオン(中)状態となり、トランジスタ2、12、13がオン(低)状態となり、その他のトランジスタがオフ状態となる。また、ノード21の電位は、「VGH」よりも低く「GND」よりも高くなり、ノード22の電位は、「GND」よりも低い電位となり、ノード23の電位は、「VGL」となり、ノード24の電位は、期間T0から引き続き、「VGH」付近の高電位となる。   That is, in the state of the period T1, the transistors 9 and 15 are turned on (high), the transistors 1 and 4 are turned on (middle), the transistors 2, 12, and 13 are turned on (low), and the other transistors are turned on. Turns off. Further, the potential of the node 21 is lower than “VGH” and higher than “GND”, the potential of the node 22 is lower than “GND”, the potential of the node 23 is “VGL”, and the node 24 Continues to be a high potential in the vicinity of “VGH” from the period T0.

(期間T2)期間T2は、「in」が「VGL」となる期間である。具体的には、「in」、「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の各電位が「VGL」となる期間である。期間T2は、期間T1から「in」が「VGL」となる期間なので、トランジスタ15がオフ状態となる。しかし、ノード21は、いずれのトランジスタからも「VGL」へ引っ張られない。したがって、ノード21の電位は、T1期間の電位を保持する。 (Period T2) The period T2 is a period in which “in” becomes “VGL”. Specifically, it is a period in which each potential of “in”, “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ” is “VGL”. Since the period T2 is a period in which “in” becomes “VGL” from the period T1, the transistor 15 is turned off. However, the node 21 is not pulled from any transistor to “VGL”. Therefore, the potential of the node 21 holds the potential of the T1 period.

(期間T3)期間T3は、「CLK」と「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。具体的には、「in」の電位が「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGH」となり、「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGH」となり、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。 (Period T3) The period T3 is a period in which the potentials of “CLK 1 ” and “CLK 3 ” are “VGH”. Specifically, the potential of “in” becomes “VGL”, the potential of “CLK 1 ” becomes “VGH”, the potential of “CLK 2 ” becomes “VGL”, and the potential of “CLK 3 ” becomes “VGH”. This is a period in which the potential of “CLK 4 ” is “VGL”.

図7は、期間T3におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。図7に示すように、「CLK」により、ノード23に「VGH」が供給されるので、トランジスタ8がオン状態となり、ノード24が「VGL」に引っ張られる。そして、トランジスタ4においてブートストラップが発生し、ノード21が「VGH」よりも高い電位となる。このため、トランジスタ1がよりオン状態となり、ノード22が「VGL」となる。また、ノード23が「VGH」であることから、「CLK」のパルスは、トランジスタ6を介して「OUT」へ出力される。この結果、前段の「OUT」と同じように表示エリアのゲートがオンし、前段の画素に書き込まれる電位がこの画素にも書き込まれる。しかし、これはプリチャージの役割を果たす。 FIG. 7 is a diagram illustrating a state of the shift register circuit in the period T3. As illustrated in FIG. 7, “VGH” is supplied to the node 23 by “CLK 1 ”, so that the transistor 8 is turned on and the node 24 is pulled to “VGL”. Then, a bootstrap occurs in the transistor 4, and the node 21 becomes a potential higher than “VGH”. For this reason, the transistor 1 is further turned on, and the node 22 becomes “VGL”. Further, since the node 23 is “VGH”, the pulse of “CLK 3 ” is output to “OUT 2 ” via the transistor 6. As a result, the gate of the display area is turned on in the same manner as “OUT 2 ” in the previous stage, and the potential written in the previous stage pixel is also written in this pixel. However, this serves as a precharge.

具体的には、図4に示すように、「CLK」の電位が「VGH」となることから、トランジスタ3がオン(高)状態となり、トランジスタ4のドレインに「VGH」が供給される。一方で、トランジスタ2および14がオフ状態であることから、ノード21は「VGL」へ引っ張られない。これらの結果、トランジスタ4を介してノード21でブートストラップが発生し、カップリングによってノード21の電位が「VGH」以上となる。例えば、ノード21の電位は、「VGH」に対して1.3〜1.5倍程度に上昇する。 Specifically, as shown in FIG. 4, since the potential of “CLK 1 ” is “VGH”, the transistor 3 is turned on (high), and “VGH” is supplied to the drain of the transistor 4. On the other hand, since the transistors 2 and 14 are in the off state, the node 21 is not pulled to “VGL”. As a result, a bootstrap occurs at the node 21 through the transistor 4, and the potential of the node 21 becomes “VGH” or more by coupling. For example, the potential of the node 21 rises to about 1.3 to 1.5 times “VGH”.

そして、ノード21の電位上昇に伴って、トランジスタ1がオン(高)状態となり、ノード22の電位が「VGL」へ引っ張られる。このため、ノード22の電位は、完全に「VGL」へと引き下げられる。このようにノード22の電位が「VGL」となることから、トランジスタ2、12、13は、オフ状態となる。   As the potential of the node 21 rises, the transistor 1 is turned on (high), and the potential of the node 22 is pulled to “VGL”. For this reason, the potential of the node 22 is completely lowered to “VGL”. Thus, since the potential of the node 22 is “VGL”, the transistors 2, 12, and 13 are turned off.

また、トランジスタ3および4がオン状態となるので、ノード23へ「VGH」が供給され、ノード23の電位が「VGH」となる。そして、ノード23の電位が「VGH」となることから、トランジスタ8がオン(中)状態となり、ノード24の電位が「VGL」へと引っ張られる。この結果、ノード24の電位は、「VGL」よりも高く「GND」よりも低くなる。このノード24の電位降下に伴ってトランジスタ9はオフ状態となる。   Further, since the transistors 3 and 4 are turned on, “VGH” is supplied to the node 23 and the potential of the node 23 becomes “VGH”. Since the potential of the node 23 becomes “VGH”, the transistor 8 is turned on (medium), and the potential of the node 24 is pulled to “VGL”. As a result, the potential of the node 24 is higher than “VGL” and lower than “GND”. As the potential of the node 24 drops, the transistor 9 is turned off.

そして、ノード23の電位が「VGH」となることから、トランジスタ5および6もオン(中)状態となる。また、「CLK」の電位が「VGH」であることから、「CLK」が、トランジスタ6を介して、「OUT」へ出力される。 Since the potential of the node 23 is “VGH”, the transistors 5 and 6 are also turned on (medium). Further, since the potential of “CLK 3 ” is “VGH”, “CLK 3 ” is output to “OUT 2 ” via the transistor 6.

すなわち、期間T3の状態では、トランジスタ1、3、4がオン(高)状態となり、トランジスタ5、6、8がオン(中)状態となり、その他のトランジスタがオフ状態となる。また、ノード21の電位が「VGH」以上となり、ノード22の電位が「VGL」となり、ノード23の電位が「VGH」となり、ノード24の電位が「VGL」よりも高く「GND」よりも低くなる。さらに、プリチャージとして「OUT」が出力される。 That is, in the state of the period T3, the transistors 1, 3, and 4 are turned on (high), the transistors 5, 6, and 8 are turned on (middle), and the other transistors are turned off. In addition, the potential of the node 21 becomes “VGH” or higher, the potential of the node 22 becomes “VGL”, the potential of the node 23 becomes “VGH”, and the potential of the node 24 is higher than “VGL” and lower than “GND”. Become. Furthermore, “OUT 2 ” is output as precharge.

(期間T4)期間T4は、「CLK」と「CLK」が「VGH」から「VGL」となる期間である。具体的には、「in」、「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の各電位が「VGL」となる期間である。期間T4は、「CLK」と「CLK」が「VGL」となるので、トランジスタ3がオフ状態となる。一方で、ノード21および23の電位は「VGH」を保持し、ノード22および24の電位は「VGL」を保持する。 (Period T4) The period T4 is a period in which “CLK 1 ” and “CLK 3 ” change from “VGH” to “VGL”. Specifically, it is a period in which each potential of “in”, “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ” is “VGL”. In the period T4, since “CLK 1 ” and “CLK 3 ” are “VGL”, the transistor 3 is turned off. On the other hand, the potentials of the nodes 21 and 23 hold “VGH”, and the potentials of the nodes 22 and 24 hold “VGL”.

(期間T5)期間T5は、「CLK」のパルスが「VGL」から「VGH」へ切り替る期間である。具体的には、「CLK」の電位が「VGH」となり、その他の「in」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の各電位が「VGL」となる期間である。 (Period T5) The period T5 is a period in which the pulse of “CLK 2 ” switches from “VGL” to “VGH”. Specifically, this is a period in which the potential of “CLK 2 ” becomes “VGH” and the other potentials of “in”, “CLK 1 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ” become “VGL”.

図8は、期間T5におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。図8に示すように、「CLK」の電位が「VGH」となることから、トランジスタ5のドレイン−ゲート間容量によって、ブートストラップが発生し、ノード23が「VGH」よりも高い電位に持ち上げられる。これにより、「CLK」のパルスは電圧降下もなく「OUT」へ出力される。 FIG. 8 illustrates the state of the shift register circuit in the period T5. As shown in FIG. 8, since the potential of “CLK 2 ” becomes “VGH”, a bootstrap occurs due to the drain-gate capacitance of the transistor 5, and the node 23 is raised to a potential higher than “VGH”. It is done. Thereby, the pulse of “CLK 2 ” is output to “OUT 1 ” without a voltage drop.

具体的には、図4に示すように、「CLK」が「VGL」であることから、トランジスタ3がオフ状態となり、トランジスタ4におけるブートストラップが終了し、ノード21の電位が「VGH」となる。また、ノード21の電位が「VGH」であることから、トランジスタ1は引き続きオン(高)状態を維持する。このため、ノード22は、「VGL」へ引き続き引っ張られるので、「VGL」を維持する。したがって、トランジスタ2、12、13は、オフ状態を維持する。 Specifically, as shown in FIG. 4, since “CLK 1 ” is “VGL”, the transistor 3 is turned off, the bootstrap in the transistor 4 is finished, and the potential of the node 21 becomes “VGH”. Become. In addition, since the potential of the node 21 is “VGH”, the transistor 1 continues to be on (high). For this reason, since the node 22 is continuously pulled to “VGL”, it maintains “VGL”. Therefore, the transistors 2, 12, and 13 maintain the off state.

そして、ノード23には、期間T3からトランジスタ4を介して「VGH」が供給される。また、ノード23が高電位であることから、トランジスタ8がオン(高)状態となり、ノード24が「VGL」を維持するので、トランジスタ9もオフ状態を維持する。このように、ノード23の電位を降下させる各トランジスタおよびトランジスタ3がオフ状態のときに、「CLK」の電位が「VGH」となることから、ノード23においてブートストラップが発生する。この結果、ノード23の電位がカップリングによって「VGH」以上となる。したがって、トランジスタ5が完全にオン(高)状態となり、電圧降下もなく、「CLK」が「OUT」から出力される。なお、ノード23の電位は、例えば「VGH」に対して1.3〜1.5倍程度に上昇する。 Then, “VGH” is supplied to the node 23 through the transistor 4 from the period T3. Further, since the node 23 is at a high potential, the transistor 8 is turned on (high), and the node 24 maintains “VGL”, so that the transistor 9 also maintains the off state. In this manner, when each transistor that lowers the potential of the node 23 and the transistor 3 are in the OFF state, the potential of “CLK 2 ” becomes “VGH”, and therefore, a bootstrap occurs at the node 23. As a result, the potential of the node 23 becomes “VGH” or more by coupling. Therefore, the transistor 5 is completely turned on (high), and there is no voltage drop, and “CLK 2 ” is output from “OUT 1 ”. Note that the potential of the node 23 rises by about 1.3 to 1.5 times, for example, “VGH”.

すなわち、期間T5の状態では、トランジスタ1、4、5、6、8がオン(高)状態となり、その他のトランジスタがオフ状態となる。また、ノード21の電位が「VGH」となり、ノード22の電位が「VGL」となり、ノード23の電位が「VGH」以上となり、ノード24の電位が「VGL」となる。さらに、「CLK」が「OUT」として出力される。 That is, in the period T5, the transistors 1, 4, 5, 6, and 8 are turned on (high), and the other transistors are turned off. Further, the potential of the node 21 becomes “VGH”, the potential of the node 22 becomes “VGL”, the potential of the node 23 becomes “VGH” or more, and the potential of the node 24 becomes “VGL”. Further, “CLK 2 ” is output as “OUT 1 ”.

(期間T6)期間T6は、「CLK」のパルスが「VGH」から「VGL」に切り替る期間である。具体的には、「in」、「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の各電位が「VGL」となる期間である。期間T6では、「OUT」が「CLK」により「VGH」から「VGL」へ引かれる。また、ノード23もカップリングの影響を受けブートストラップ前の電位まで降下する。 (Period T6) The period T6 is a period in which the pulse of “CLK 2 ” switches from “VGH” to “VGL”. Specifically, it is a period in which each potential of “in”, “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ” is “VGL”. In the period T6, “OUT 1 ” is pulled from “VGH” to “VGL” by “CLK 2 ”. The node 23 is also affected by the coupling and drops to the potential before the bootstrap.

(期間T7)期間T7は、「CLK」と「CLK」のパルスが「VGL」から「VGH」へと切り替る期間である。具体的には、「in」、「CLK」、「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」および「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。 (Period T7) The period T7 is a period in which the pulses of “CLK 3 ” and “CLK 4 ” are switched from “VGL” to “VGH”. Specifically, it is a period in which the potentials of “in”, “CLK 1 ”, and “CLK 2 ” are “VGL” and the potentials of “CLK 3 ” and “CLK 4 ” are “VGH”.

図9は、期間T7におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。図9に示すように、「CLK」は、トランジスタ6を介して「OUT」へ出力される時にブートストラップ効果により、ノード23が「VGH」よりも高い電位に持ち上げられる。この結果、「CLK」のパルスが、「VGH」から電位の降下もなく「OUT」へ出力される。また、「CLK」も電位が「VGL」から「VGH」へと切り替り、トランジスタ10および11がオン状態となり、ノード22とノード24へ「VGH」が供給される。ところが、トランジスタ1およびトランジスタ8がオン状態であることから、ノード22とノード24の電位が「VGL」から変化することなく、そのままの電位を維持する。 FIG. 9 is a diagram illustrating the state of the shift register circuit in the period T7. As shown in FIG. 9, when “CLK 3 ” is output to “OUT 2 ” via the transistor 6, the node 23 is raised to a potential higher than “VGH” due to the bootstrap effect. As a result, a pulse of “CLK 3 ” is output from “VGH” to “OUT 2 ” without a potential drop. Further, the potential of “CLK 4 ” also switches from “VGL” to “VGH”, the transistors 10 and 11 are turned on, and “VGH” is supplied to the node 22 and the node 24. However, since the transistor 1 and the transistor 8 are in the on state, the potentials of the nodes 22 and 24 are not changed from “VGL” and are maintained as they are.

具体的には、図4に示すように、「CLK」の電位が「VGH」であることから、トランジスタ10および11がオン(高)状態となり、ノード22およびノード24へ「VGH」が供給される。一方で、ノード21の電位が「VGH」であることから、トランジスタ1がオン(高)状態となり、ノード22は「VGL」へ引っ張られる。したがって、ノード22の電位は「VGL」を維持する。また、ノード23の電位が「VGH」であることから、トランジスタ8がオン(高)状態となり、ノード24は「VGL」へ引っ張られる。したがって、ノード24の電位は「VGL」を維持する。 Specifically, as shown in FIG. 4, since the potential of “CLK 4 ” is “VGH”, the transistors 10 and 11 are turned on (high), and “VGH” is supplied to the nodes 22 and 24. Is done. On the other hand, since the potential of the node 21 is “VGH”, the transistor 1 is turned on (high), and the node 22 is pulled to “VGL”. Therefore, the potential of the node 22 is maintained at “VGL”. Further, since the potential of the node 23 is “VGH”, the transistor 8 is turned on (high), and the node 24 is pulled to “VGL”. Therefore, the potential of the node 24 maintains “VGL”.

ノード24が「VGL」を維持するので、トランジスタ9もオフ状態を維持する。このように、ノード23の電位を降下させる各トランジスタおよびトランジスタ3がオフ状態のときに、「CLK」の電位が「VGH」となることから、ノード23においてブートストラップが発生する。この結果、ノード23の電位がカップリングによって「VGH」以上となる。したがって、トランジスタ6が完全にオン(高)状態となり、電圧降下もなく、「CLK」が「OUT」から出力される。 Since the node 24 maintains “VGL”, the transistor 9 also maintains the off state. In this way, when each transistor that lowers the potential of the node 23 and the transistor 3 are in the OFF state, the potential of “CLK 3 ” becomes “VGH”, and thus a bootstrap occurs at the node 23. As a result, the potential of the node 23 becomes “VGH” or more by coupling. Therefore, the transistor 6 is completely turned on (high), there is no voltage drop, and “CLK 3 ” is output from “OUT 2 ”.

すなわち、期間T7の状態では、トランジスタ1、4、5、6、8、10、11がオン(高)状態となり、その他のトランジスタがオフ状態となる。また、ノード21の電位が「VGH」となり、ノード22の電位が「VGL」となり、ノード23の電位が「VGH」以上となり、ノード24の電位が「VGL」となる。さらに、「CLK」が「OUT」として出力される。なお、期間T7では、次段のシフトレジスタ回路において「OUT」が出力される。 That is, in the period T7, the transistors 1, 4, 5, 6, 8, 10, and 11 are turned on (high), and the other transistors are turned off. Further, the potential of the node 21 becomes “VGH”, the potential of the node 22 becomes “VGL”, the potential of the node 23 becomes “VGH” or more, and the potential of the node 24 becomes “VGL”. Further, “CLK 3 ” is output as “OUT 2 ”. Note that in the period T7, “OUT 4 ” is output in the shift register circuit in the next stage.

(期間T8)期間T8は、「CLK」と「CLK」のパルスが「VGH」から「VGL」となる期間である。具体的には、「in」、「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の各電位が「VGL」となる期間である。期間T8では、「OUT」が「「CLK」により「VGH」から「VGL」へ引っ張られる。また、ノード23もカップリングの影響を受けブートストラップ前の電位まで降下する。また、「CLK」の電位は「VGH」から「VGL」となるので、トランジスタ10および11がオン(高)状態からオフ状態となり、ノード22とノード24への「VGH」の供給が停止する。 (Period T8) The period T8 is a period in which the pulses of “CLK 4 ” and “CLK 3 ” change from “VGH” to “VGL”. Specifically, it is a period in which each potential of “in”, “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ” is “VGL”. In the period T8, “OUT 2 ” is pulled from “VGH” to “VGL” by “CLK 3 ”. The node 23 is also affected by the coupling and drops to the potential before the bootstrap. Further, since the potential of “CLK 4 ” is changed from “VGH” to “VGL”, the transistors 10 and 11 are turned from the on (high) state to the off state, and the supply of “VGH” to the nodes 22 and 24 is stopped. .

(期間T9)期間T9は、次段の「OUT」が出力される期間である。具体的には、期間T5と同様、「CLK」の電位が「VGH」となり、その他の「in」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の各電位が「VGL」となるとともに、「OUT」の電位が「VGH」となる期間である。 (Period T9) The period T9 is a period in which “OUT 3 ” of the next stage is output. Specifically, as in the period T5, the potential of “CLK 2 ” is “VGH”, and the other potentials of “in”, “CLK 1 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ” are “VGL”. And a period during which the potential of “OUT 3 ” is “VGH”.

図10は、期間T9におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。図10に示すように、「OUT」のパルスによって、トランジスタ7および14がオン状態となり、ノード21とノード23が「VGL」へ引かれる。また、ノード21およびノード23の電位が降下することにより、トランジスタ1、4、5、6、8がオフ状態となる。 FIG. 10 is a diagram illustrating the state of the shift register circuit in the period T9. As shown in FIG. 10, the transistors 7 and 14 are turned on by the pulse of “OUT 3 ”, and the nodes 21 and 23 are pulled to “VGL”. Further, when the potentials of the nodes 21 and 23 drop, the transistors 1, 4, 5, 6, and 8 are turned off.

具体的には、図4に示すように、「OUT」の電位が「VGH」となることから、トランジスタ7および14がオン(高)状態となる。このため、ノード21の電位は、トランジスタ14のオンに伴って、「VGL」に引っ張られるので、完全な「VGL」となる。また、ノード23の電位も、トランジスタ7のオンに伴って、「VGL」に引っ張られるので、完全な「VGL」となる。 Specifically, as shown in FIG. 4, since the potential of “OUT 3 ” is “VGH”, the transistors 7 and 14 are turned on (high). For this reason, the potential of the node 21 is pulled to “VGL” as the transistor 14 is turned on, and thus becomes completely “VGL”. Further, the potential of the node 23 is also pulled to “VGL” as the transistor 7 is turned on, and thus becomes completely “VGL”.

そして、ノード21の電位が「VGL」になることから、トランジスタ1および4もオフ状態となる。同様に、ノード23の電位が「VGL」になることから、トランジスタ5、6、8もオフ状態となる。   Since the potential of the node 21 becomes “VGL”, the transistors 1 and 4 are also turned off. Similarly, since the potential of the node 23 becomes “VGL”, the transistors 5, 6, and 8 are also turned off.

すなわち、期間T9の状態では、トランジスタ7および14がオン(高)状態となり、その他のトランジスタがオフ状態となる。また、ノード21の電位は、「VGL」へ降下し、ノード22の電位は、「VGL」を維持し、ノード23の電位は、「VGL」へ降下し、ノード24の電位は、「VGL」を維持する。   That is, in the state of the period T9, the transistors 7 and 14 are turned on (high), and the other transistors are turned off. Further, the potential of the node 21 drops to “VGL”, the potential of the node 22 maintains “VGL”, the potential of the node 23 drops to “VGL”, and the potential of the node 24 changes to “VGL”. To maintain.

(期間T10)期間T10は、期間T9から「CLK」が「VGL」に切り替り、「OUT」が「VGL」に切り替る期間である。具体的には、「in」、「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」、「OUT」の各電位が「VGL」となる期間である。 (Period T10) Period T10 is a period in which “CLK 2 ” switches to “VGL” and “OUT 3 ” switches to “VGL” from period T9. Specifically, it is a period in which each potential of “in”, “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, “CLK 4 ”, “OUT 3 ” is “VGL”.

この期間T10は、期間T9の状態から変化しない。   This period T10 does not change from the state of the period T9.

(期間T11)期間T11は、期間T10から「CLK」および「CLK」が「VGH」に切り替わる期間であり、「OUT」が「VGH」に切り替る期間である。具体的には、「CLK」の電位が「VGH」となり、「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGH」となり、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。なお、この期間では、次段のシフトレジスタ回路において「OUT」が出力される。 (Period T11) The period T11 is a period in which “CLK 1 ” and “CLK 3 ” are switched to “VGH” from the period T10, and “OUT 4 ” is switched to “VGH”. Specifically, the potential of “CLK 1 ” is “VGH”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the potential of “CLK 3 ” is “VGH”, and the potential of “CLK 4 ” is “VGL”. Is the period. Note that during this period, “OUT 4 ” is output from the shift register circuit in the next stage.

図4に示すように、期間T11では、「CLK」が「VGH」となるが、トランジスタの状態に影響を及ぼさない。一方、「CLK」が「VGH」となるので、トランジスタ3がオン(高)状態となる。 As shown in FIG. 4, in the period T11, “CLK 3 ” becomes “VGH”, but the state of the transistor is not affected. On the other hand, since “CLK 1 ” becomes “VGH”, the transistor 3 is turned on (high).

(期間T12)期間T12は、期間T11から「CLK」および「CLK」が「VGL」に切り替る期間である。具体的には、「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の各電位が「VGL」となる期間である。したがって、トランジスタ3がオン(高)状態からオフ状態になる。 (Period T12) The period T12 is a period in which “CLK 1 ” and “CLK 3 ” are switched to “VGL” from the period T11. Specifically, it is a period in which each potential of “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ” is “VGL”. Accordingly, the transistor 3 is changed from the on (high) state to the off state.

(期間T13)期間T13は、期間T12から「CLK」が「VGH」に切り替る期間である。具体的には、「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGH」となり、「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。図4に示すように、期間T13では、「CLK」が「VGH」となるが、トランジスタの状態に影響を及ぼさないので、期間T12の状態から各トランジスタの状態および各ノードの状態は変化しない。 (Period T13) The period T13 is a period in which “CLK 2 ” switches to “VGH” from the period T12. Specifically, the potential of “CLK 1 ” becomes “VGL”, the potential of “CLK 2 ” becomes “VGH”, the potential of “CLK 3 ” becomes “VGL”, and the potential of “CLK 4 ” becomes “VGL”. Is the period. As shown in FIG. 4, in the period T13, “CLK 2 ” becomes “VGH”, but does not affect the state of the transistor, so the state of each transistor and the state of each node do not change from the state of the period T12. .

(期間T14)期間T14は、期間T13から「CLK」が「VGL」に切り替る期間である。具体的には、「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の各電位が「VGL」となる期間である。したがって、期間T13の状態から各トランジスタの状態および各ノードの状態は変化しない。 (Period T14) The period T14 is a period in which “CLK 2 ” switches to “VGL” from the period T13. Specifically, it is a period in which each potential of “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ” is “VGL”. Therefore, the state of each transistor and the state of each node do not change from the state of the period T13.

(期間T15)期間T15は、「CLK」が「VGL」から「VGH」へ切り替る期間である。具体的には、「CLK」および「CLK」の電位が「VGL」となり、「CLK」および「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。 (Period T15) Period T15 is a period in which “CLK 4 ” switches from “VGL” to “VGH”. Specifically, it is a period in which the potentials of “CLK 1 ” and “CLK 2 ” are “VGL” and the potentials of “CLK 3 ” and “CLK 4 ” are “VGH”.

図11は、期間T15におけるシフトレジスタ回路の状態を説明する図である。図11に示すように、「CLK」が「VGH」となることから、トランジスタ10および11がオン状態となり、「VGH」がノード22とノード24へ供給される。このため、トランジスタ2、9、12、13がオン状態となり、ノード21とノード23が安定して「VGL」となる。したがって、「CLK」や「CLK」や「CLK」が「VGL」から「VGH」へ切り替っても影響を受けず誤動作することはない。この「CLK」は定期的に「VGL」から「VGH」へ切り替るので、電位供給も定期的に行われる。このため、ノード22とノード24は、安定して「VGH」を保つ。 FIG. 11 is a diagram illustrating the state of the shift register circuit in the period T15. As shown in FIG. 11, since “CLK 4 ” becomes “VGH”, the transistors 10 and 11 are turned on, and “VGH” is supplied to the node 22 and the node 24. Therefore, the transistors 2, 9, 12, and 13 are turned on, and the node 21 and the node 23 are stably “VGL”. Therefore, even if “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, and “CLK 3 ” are switched from “VGL” to “VGH”, they are not affected and do not malfunction. Since “CLK 4 ” is periodically switched from “VGL” to “VGH”, potential supply is also performed periodically. For this reason, the node 22 and the node 24 stably maintain “VGH”.

具体的には、「CLK」が「VGH」となることから、トランジスタ10および11がオン(高)状態となる。このため、ノード22へ「VGH」が供給されるとともに、ノード24へ「VGH」が供給され、ノード22およびノード24が「VGH」付近の高電位となる。ノード22の電位が高電位になるので、ノード22の電位をゲートに入力するトランジスタ2、12、13がオン(高)状態となる。この結果、ノード21の電位は、トランジスタ2を介して「VGL」へ引っ張られるので、安定して「VGL」を保つ。また、「OUT」および「OUT」についても、それぞれトランジスタ12およびトランジスタ13によって「VGL」へ引っ張られる。 Specifically, since “CLK 4 ” becomes “VGH”, the transistors 10 and 11 are turned on (high). Therefore, “VGH” is supplied to the node 22, and “VGH” is supplied to the node 24, so that the node 22 and the node 24 have a high potential near “VGH”. Since the potential of the node 22 becomes high, the transistors 2, 12, and 13 that input the potential of the node 22 to the gate are turned on (high). As a result, the potential of the node 21 is pulled to “VGL” via the transistor 2, so that “VGL” is stably maintained. Further, “OUT 1 ” and “OUT 2 ” are also pulled to “VGL” by the transistor 12 and the transistor 13, respectively.

そして、ノード23が「VGL」であることから、トランジスタ8はオフ状態であるので、ノード24は、供給される「VGH」を維持する。このため、ノード24の電位をゲートに入力するトランジスタ9がオン(高)状態となり、ノード23は、安定して「VGL」を保つ。さらに、ノード23の電位が「VGL」で安定するので、トランジスタ5およびトランジスタ6もオフ状態を維持する。   Since the node 23 is “VGL”, the transistor 8 is in an off state, so that the node 24 maintains the supplied “VGH”. Therefore, the transistor 9 that inputs the potential of the node 24 to the gate is turned on (high), and the node 23 stably maintains “VGL”. Further, since the potential of the node 23 is stabilized at “VGL”, the transistors 5 and 6 also maintain the off state.

すなわち、期間T15の状態では、トランジスタ2、9、10、11、12、13がオン(高)状態となり、その他のトランジスタがオフ状態となる。また、ノード21およびノード23の電位が「VGL」となり、ノード22およびノード24の電位が「VGH」付近の高電位となる。   That is, in the period T15, the transistors 2, 9, 10, 11, 12, and 13 are turned on (high), and the other transistors are turned off. Further, the potential of the node 21 and the node 23 becomes “VGL”, and the potential of the node 22 and the node 24 becomes a high potential in the vicinity of “VGH”.

(期間T16)期間T16は、期間T15の状態から、「CLK」および「CLK」が「VGH」から「VGL」へ切り替る期間である。具体的には、「CLK」、「CLK」、「CLK」、「CLK」の各電位が「VGL」となる期間である。 (Period T16) The period T16 is a period in which “CLK 3 ” and “CLK 4 ” are switched from “VGH” to “VGL” from the state of the period T15. Specifically, it is a period in which each potential of “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, “CLK 3 ”, and “CLK 4 ” is “VGL”.

図4に示すように、「CLK」が「VGL」となることから、トランジスタ10および11がオフ状態となる。このため、ノード22およびノード24への「VGH」の供給が抑制される。ところが、ノード22またはノード24を「VGL」へ降下させるトランジスタがいずれもオフ状態であることから、ノード22およびノード24の電位は、期間T15から引き続き「VGH」を維持する。 As shown in FIG. 4, since “CLK 4 ” becomes “VGL”, the transistors 10 and 11 are turned off. For this reason, supply of “VGH” to the nodes 22 and 24 is suppressed. However, since both the transistors that drop the node 22 or the node 24 to “VGL” are in the off state, the potentials of the node 22 and the node 24 continue to maintain “VGH” from the period T15.

[シフトレジスタ回路20の効果]
上述したように、シフトレジスタ回路20は、1つの「in」に対して、「OUT」および「OUT」を出力することができるので、シフトレジスタ回路20からなるドライバ回路の回路規模を縮小させることができる。例えば、シフトレジスタ回路20は、表示素子を操作するドライバ回路に適用した場合は、ドライバ回路の回路規模を縮小させる結果、狭額縁化を図ることができる。
[Effect of the shift register circuit 20]
As described above, since the shift register circuit 20 can output “OUT 1 ” and “OUT 2 ” for one “in”, the circuit scale of the driver circuit including the shift register circuit 20 is reduced. Can be made. For example, when the shift register circuit 20 is applied to a driver circuit that operates a display element, the frame size of the driver circuit can be reduced, resulting in a narrow frame.

また、「CLK」が「VGH」のときにノード21を「VGL」へ引っ張るトランジスタがオフ状態となるので、ノード21にブートストラップが発生し、ノード23へ「VGH」を維持した「CLK」が安定的に出力することができる。また、「CLK」が「VGH」のときにノード23を「VGL」へ引っ張るトランジスタがオフ状態とすることができる。さらに、このときに、トランジスタ3が「CLK」によってオフ状態となることから、ノード23の「VGH」がノード23内に留まることができるので、ノード23にブートストラップを発生させることができる。したがって、「OUT」を安定的に出力することができる。 In addition, when “CLK 1 ” is “VGH”, the transistor that pulls the node 21 to “VGL” is turned off, so that a bootstrap occurs at the node 21, and “CLK 1 ” maintains “VGH” at the node 23. Can be output stably. Further, when “CLK 2 ” is “VGH”, the transistor that pulls the node 23 to “VGL” can be turned off. Further, at this time, since the transistor 3 is turned off by “CLK 1 ”, “VGH” of the node 23 can remain in the node 23, so that a bootstrap can be generated in the node 23. Therefore, “OUT 1 ” can be output stably.

同様に、「CLK」が「VGH」のときにノード23を「VGL」へ引っ張るトランジスタがオフ状態とすることができる。さらに、このときに、トランジスタ3が「CLK」によってオフ状態となることから、ノード23の「VGH」がノード23内に留めることができるので、ノード23にブートストラップを発生させることができる。したがって、「OUT」を安定的に出力することができる。 Similarly, when “CLK 3 ” is “VGH”, the transistor that pulls the node 23 to “VGL” can be turned off. Further, at this time, since the transistor 3 is turned off by “CLK 1 ”, “VGH” of the node 23 can be kept in the node 23, so that a bootstrap can be generated in the node 23. Therefore, “OUT 2 ” can be output stably.

また、シフトレジスタ回路20は、ゲートが「OUT」の入力端子に接続され、ドレインがノード23に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、「OUT」の電位に応じてノード23の電位を降下させるトランジスタ7を有する。このため、シフトレジスタ回路20の非選択期間では、ノード23の電位を降下させることができるので、信号の出力を正確に抑制できる。 In addition, the shift register circuit 20 has a gate connected to the input terminal of “OUT 3 ”, a drain connected to the node 23, and a source connected to the low potential terminal according to the potential of “OUT 3 ”. 23 has a transistor 7 for dropping the potential of 23. For this reason, in the non-selection period of the shift register circuit 20, the potential of the node 23 can be lowered, so that signal output can be accurately suppressed.

すなわち、「CLK」はノード23に「VGH」を出力した後には「VGL」となり、また、トランジスタ3はダイオード接続となっている。このため、「CLK」を「OUT」へ出力する時にはトランジスタ5のゲート−ドレイン間容量によってブートストラップを発生させることができ、「CLK」を「OUT」へ出力する時にはトランジスタ6のゲート−ドレイン間容量によってブートストラップを発生させることができる。この結果、ノード23の電位が「VGH」以上に高くなり、「OUT」は「CLK」と同じ電位を出力することができ、「OUT」は「CLK」と同じ電位を出力することができる。 That is, “CLK 1 ” becomes “VGL” after outputting “VGH” to the node 23, and the transistor 3 is diode-connected. Therefore, when “CLK 2 ” is output to “OUT 1 ”, a bootstrap can be generated by the gate-drain capacitance of the transistor 5, and when “CLK 3 ” is output to “OUT 2 ”, the transistor 6 Bootstrap can be generated by the gate-drain capacitance. As a result, the potential of the node 23 becomes higher than “VGH”, “OUT 1 ” can output the same potential as “CLK 2 ”, and “OUT 2 ” outputs the same potential as “CLK 3 ”. be able to.

また、シフトレジスタ回路20は、ノード23の電位に応じてノード24の電位を降下させるトランジスタ8と、ノード24の電位に応じてノード23の電位を降下させるトランジスタ9を有する。このため、シフトレジスタ回路20が選択期間、すなわち、ノード23が「VGH」などの高電位の場合には、ノード24の電位を「VGL」へ降下させることができるので、ノード23を高電位に維持することができ、安定的に出力することができる。また、シフトレジスタ回路20が非選択期間、すなわち、ノード23が「VGL」などの低電位の場合には、ノード24の電位を「VGH」に維持することができるので、ノード23を低電位にすることができ、安定的に出力を抑制することができる。   The shift register circuit 20 includes a transistor 8 that lowers the potential of the node 24 according to the potential of the node 23 and a transistor 9 that lowers the potential of the node 23 according to the potential of the node 24. Therefore, when the shift register circuit 20 is in the selection period, that is, when the node 23 is at a high potential such as “VGH”, the potential of the node 24 can be lowered to “VGL”. It can be maintained and can output stably. Further, when the shift register circuit 20 is in a non-selection period, that is, when the node 23 is at a low potential such as “VGL”, the potential of the node 24 can be maintained at “VGH”. It is possible to suppress the output stably.

また、シフトレジスタ回路20は、ゲートが「CLK」と位相をずらして「CLK」と同じタイミングで立ち上がる「CLK」の入力に応じてノード24の電位を上昇させるトランジスタ10を有する。このため、ノード24へ安定的に「VGH」を供給することができる。 Further, the shift register circuit 20 includes the transistor 10 that raises the potential of the node 24 in accordance with the input of “CLK 4 ” whose gate is shifted in phase from “CLK 1 ” and rises at the same timing as “CLK 3 ”. Therefore, “VGH” can be stably supplied to the node 24.

また、シフトレジスタ回路20は、「CLK」の入力に応じてノード22の電位を上昇させるトランジスタ11を有する。このため、ノード22へ安定的に「VGH」を供給することができる。そして、ノード22の電位上昇に伴って、「OUT」または「OUT」の電位を「VGL」へ降下させるトランジスタ12および13を有する。このため、シフトレジスタ回路20は、オフ状態の際に、誤った「OUT」および「OUT」の出力を防ぐことができる。 The shift register circuit 20 includes the transistor 11 that raises the potential of the node 22 in accordance with the input of “CLK 4 ”. Therefore, “VGH” can be stably supplied to the node 22. Then, as the potential of the node 22 increases, the transistors 12 and 13 that decrease the potential of “OUT 1 ” or “OUT 2 ” to “VGL” are included. Therefore, the shift register circuit 20 can prevent erroneous output of “OUT 1 ” and “OUT 2 ” in the off state.

また、シフトレジスタ回路20は、次段の回路が出力した「OUT」の電位が上昇することに応じて、ノード21の電位を降下させるトランジスタ14を有する。このため、シフトレジスタ回路20は、後段の回路が信号を出力した際に、確実に非選択状態に遷移することができる。また、シフトレジスタ回路20は、「in」の電位が上昇することに応じて、ノード21の電位を上昇させるトランジスタ15を有する。このため、シフトレジスタ回路20は、「in」が入力された際にノード21の電位を上昇させ、選択状態に遷移することができる。 In addition, the shift register circuit 20 includes a transistor 14 that lowers the potential of the node 21 in response to the rise of the potential of “OUT 3 ” output from the circuit in the next stage. For this reason, the shift register circuit 20 can reliably transit to the non-selected state when the circuit in the subsequent stage outputs a signal. The shift register circuit 20 includes a transistor 15 that raises the potential of the node 21 in response to the rise of the potential of “in”. For this reason, the shift register circuit 20 can increase the potential of the node 21 when “in” is input, and shift to the selected state.

[適用範囲]
例えば、上記の実施形態で例示したシフトレジスタ回路20は、液晶パネルや有機EL(Electro-Luminescence)パネルを用いた画像表示装置を動作させるドライバ回路に好適に適用される。また、シフトレジスタ回路20は、上述したドライバ回路以外の回路にも適用することができる。また、シフトレジスタ回路20は、複数のトランジスタと、各素子を順次駆動するためのドライバ回路とを有するセンサ装置、発光素子アレイ、サーマルヘッド等、任意の装置に適用することができる。
[Scope of application]
For example, the shift register circuit 20 exemplified in the above embodiment is suitably applied to a driver circuit that operates an image display device using a liquid crystal panel or an organic EL (Electro-Luminescence) panel. The shift register circuit 20 can also be applied to circuits other than the driver circuit described above. The shift register circuit 20 can be applied to an arbitrary device such as a sensor device, a light emitting element array, or a thermal head having a plurality of transistors and a driver circuit for sequentially driving each element.

(液晶パネルへの適用)
以下の説明では、シフトレジスタ回路20の適用例として、液晶パネルを用いた画像表示装置を動作させるドライバ回路にシフトレジスタ回路20を適用する例について説明する。
(Application to LCD panel)
In the following description, an example in which the shift register circuit 20 is applied to a driver circuit that operates an image display device using a liquid crystal panel will be described as an application example of the shift register circuit 20.

図12は、シフトレジスタ回路の適用例を説明する第1の図である。図12に示す例では、画像表示装置50は、制御回路51とパネル52とを有する。なお、画像表示装置50は、バックライト等の光源装置、カラーフィルタ基板、偏光方向が互いに異なる偏光板等を有するが、図12では、理解を容易にするため、それらの記載を省略した。   FIG. 12 is a first diagram illustrating an application example of the shift register circuit. In the example illustrated in FIG. 12, the image display device 50 includes a control circuit 51 and a panel 52. Note that the image display device 50 includes a light source device such as a backlight, a color filter substrate, a polarizing plate having different polarization directions, and the like. However, in FIG.

制御回路51は、例えば、パネル52に配置されるFPC(Flexible Printed Circuits)上に設けられたり、または、パネル52の外部回路基板上に設けられており、パネル52を駆動させるための制御信号を駆動回路55に出力する。なお、図12では、FPC、または外部回路基板についての図示を省略した。   The control circuit 51 is provided on, for example, an FPC (Flexible Printed Circuits) arranged on the panel 52 or on an external circuit board of the panel 52, and receives a control signal for driving the panel 52. Output to the drive circuit 55. In FIG. 12, illustration of the FPC or the external circuit board is omitted.

また、パネル52には、液晶パネルが用いられており、一対の基板から構成されている。例えば、パネル52は、アクティブエリア57に薄膜トランジスタが形成されたアレイ基板とアレイ基板に対向するカラーフィルタ基板とからなる一対のガラス基板で構成されている。また、アクティブエリア57のアレイ基板の周辺には、周辺部54が形成されている。周辺部54には、駆動回路55および走査線駆動回路56が設けられており、走査線駆動回路56はアレイ基板のガラス上に形成されている。また、駆動回路55と走査線駆動回路56とは走査線制御線53で接続されている。   In addition, a liquid crystal panel is used for the panel 52, and it is composed of a pair of substrates. For example, the panel 52 is composed of a pair of glass substrates including an array substrate in which a thin film transistor is formed in the active area 57 and a color filter substrate facing the array substrate. A peripheral portion 54 is formed around the array substrate in the active area 57. The peripheral portion 54 is provided with a driving circuit 55 and a scanning line driving circuit 56, and the scanning line driving circuit 56 is formed on the glass of the array substrate. The driving circuit 55 and the scanning line driving circuit 56 are connected by a scanning line control line 53.

駆動回路55は、駆動用の半導体素子からなり、アクティブエリア上に延在されたデータ線に画像信号を出力する信号線駆動回路、走査線制御回路および対向電位駆動回路等で構成されている。なお、駆動回路55は、アクティブエリア57の周辺部54にCOG(Chip On Glass)方式で実装されている。   The drive circuit 55 is composed of a semiconductor element for driving, and includes a signal line drive circuit for outputting an image signal to a data line extending on the active area, a scanning line control circuit, a counter potential drive circuit, and the like. The drive circuit 55 is mounted on the peripheral portion 54 of the active area 57 by a COG (Chip On Glass) method.

また、パネル52の周辺部54に設けられた走査線駆動回路56には、第1形態において説明したシフトレジスタ回路20と同じ機能を発揮する複数の回路が適用されている。具体的には、走査線駆動回路56には、シフトレジスタ部25と同様の機能を発揮するシフトレジスタ部25〜25bが多段に接続され、各シフトレジスタ部25〜25bには、OUT波形制御部26と同様の機能を発揮するOUT波形制御部26〜26bが接続されている。   In addition, a plurality of circuits that exhibit the same function as the shift register circuit 20 described in the first embodiment are applied to the scanning line driving circuit 56 provided in the peripheral portion 54 of the panel 52. Specifically, the scan line driving circuit 56 is connected in multiple stages to shift register units 25 to 25b that perform the same function as the shift register unit 25. Each shift register unit 25 to 25b includes an OUT waveform control unit. 26 are connected to OUT waveform control units 26 to 26b that perform the same functions as the H.26.

なお、シフトレジスタ部25〜25bは、パネル52のアレイ基板上に一体的に形成された走査線駆動回路56上に形成されている。また、走査線駆動回路56は、シフトレジスタ部25〜25b、およびOUT波形制御部26〜26b以外にも、複数のシフトレジスタ部、およびOUT波形制御部の組からなるシフトレジスタ回路を有するが、図12では、理解を容易にするため、記載を省略した。また、各OUT波形制御部26〜26bのそれぞれには、アクティブエリア57上に延設された走査線が2つずつ接続されている。また、図12に示す例では、理解を容易にするため、「CLK」〜「CLK」の入力線については、記載を省略した。 The shift register units 25 to 25b are formed on a scanning line driving circuit 56 that is integrally formed on the array substrate of the panel 52. In addition to the shift register units 25 to 25b and the OUT waveform control units 26 to 26b, the scanning line driving circuit 56 includes a shift register circuit including a plurality of shift register units and an OUT waveform control unit. In FIG. 12, the description is omitted for easy understanding. In addition, two scanning lines extending on the active area 57 are connected to each of the OUT waveform control units 26 to 26b. In the example shown in FIG. 12, the input lines of “CLK 1 ” to “CLK 4 ” are omitted for easy understanding.

駆動回路55は、走査線制御線53で走査線駆動回路56と接続されており、走査線制御線53を介して初段のシフトレジスタ部25に制御信号を出力する。   The drive circuit 55 is connected to the scan line drive circuit 56 through the scan line control line 53, and outputs a control signal to the first-stage shift register unit 25 through the scan line control line 53.

アクティブエリア57は、マトリックス状に配置した画素58を複数有する。詳細には、アクティブエリア57には、複数のデータ線が列方向に延在され、複数の走査線が行方向に延在されている。そして、アクティブエリア57には、データ線と走査線との交差に対応して、それぞれ画素58が形成されている。   The active area 57 has a plurality of pixels 58 arranged in a matrix. Specifically, in the active area 57, a plurality of data lines are extended in the column direction, and a plurality of scanning lines are extended in the row direction. In the active area 57, pixels 58 are formed corresponding to the intersections of the data lines and the scanning lines.

ここで、画素58は、アクティブ素子として動作する薄膜トランジスタ59と、画素電極60とを有する。画像表示装置50は、アレイ基板に設けられた画素電極60とカラーフィルタ基板に設けられた共通電極(図示せず)との間に印加された電圧によって液晶分子を制御して画像表示する。ここでは、パネル52は、アレイ基板に画素電極60が設けられ、カラーフィルタ基板に共通電極が設けられた縦電界方式で説明しているが、これに限らず、例えば、アレイ基板の画素58内に画素電極60および共通電極が設けられた横電界方式であってもよい。   Here, the pixel 58 includes a thin film transistor 59 that operates as an active element, and a pixel electrode 60. The image display device 50 displays an image by controlling liquid crystal molecules with a voltage applied between a pixel electrode 60 provided on the array substrate and a common electrode (not shown) provided on the color filter substrate. Here, the panel 52 is described in a vertical electric field method in which the pixel electrode 60 is provided on the array substrate and the common electrode is provided on the color filter substrate. Alternatively, a horizontal electric field method in which a pixel electrode 60 and a common electrode are provided may be used.

走査線駆動回路56は、第1形態に係わるシフトレジスタ部25と同様のシフトレジスタ部25〜25bを多段に接続し、各シフトレジスタ部25〜25bにOUT波形制御部26〜26bを接続した回路により構成される。ここで、走査線駆動回路56は、上述したシフトレジスタ部25の動作によりOUT波形制御部26が出力する「OUT」および「OUT」をアクティブエリア57上に延在する走査線に順次入力する。 The scanning line driving circuit 56 is a circuit in which shift register units 25 to 25b similar to the shift register unit 25 according to the first embodiment are connected in multiple stages, and OUT waveform control units 26 to 26b are connected to the shift register units 25 to 25b. Consists of. Here, the scanning line driving circuit 56 sequentially inputs “OUT 1 ” and “OUT 2 ” output from the OUT waveform control unit 26 to the scanning lines extending on the active area 57 by the operation of the shift register unit 25 described above. To do.

また、シフトレジスタ部25が有する「OUT」の電位は、シフトレジスタ部25aに「in」として入力されているので、走査線駆動回路56は、シフトレジスタ回路25aの動作によりOUT波形制御部26aが出力する「OUT」および「OUT」をアクティブエリア57上に延在する走査線に順次入力する。このように、多段に設置されたシフトレジスタ部25〜25bが信号を順次シフトさせ、各OUT波形制御部26〜26bが2つの信号を順次出力する。このため、走査線駆動回路56は、駆動回路55から走査線制御線53を介して、制御信号が入力された場合には、アクティブエリア57上の各走査線に対して上方向から順に電圧を印加する。 Further, since the potential of “OUT 1 ” included in the shift register unit 25 is input as “in” to the shift register unit 25a, the scanning line driving circuit 56 operates the OUT waveform control unit 26a by the operation of the shift register circuit 25a. “OUT 3 ” and “OUT 4 ” output from the signal are sequentially input to the scanning lines extending on the active area 57. As described above, the shift register units 25 to 25b installed in multiple stages sequentially shift the signals, and each OUT waveform control unit 26 to 26b sequentially outputs the two signals. For this reason, when a control signal is input from the drive circuit 55 via the scanning line control line 53, the scanning line driving circuit 56 applies voltages to the scanning lines on the active area 57 in order from the top. Apply.

例えば、走査線駆動回路56は、制御信号を受信すると、シフトレジスタ部25、およびOUT波形制御部26の動作により、「OUT」を1段目の走査線に出力し、次に「OUT」を2段目の走査線に出力する。次に、走査線駆動回路56は、シフトレジスタ部25aおよびOUT波形制御部26aの動作により、「OUT」を3段目の走査線に出力し、次に「OUT」を4段目の走査線に出力する。この結果、走査線駆動回路56は、アクティブエリア57上の各走査線に対して、順番に電圧を印加する。 For example, when the scanning line driving circuit 56 receives the control signal, the operation of the shift register unit 25 and the OUT waveform control unit 26 outputs “OUT 1 ” to the first scanning line, and then outputs “OUT 2 ”. Is output to the second scanning line. Next, the scanning line driving circuit 56 outputs “OUT 3 ” to the third-stage scanning line by the operation of the shift register unit 25 a and the OUT waveform control unit 26 a, and then outputs “OUT 4 ” to the fourth-stage scanning line. Output to scan line. As a result, the scanning line driving circuit 56 sequentially applies a voltage to each scanning line on the active area 57.

ここで、従来のシフトレジスタ回路を用いて、走査線駆動回路56を構成する場合には、アクティブエリア57上に延設された走査線と同数のシフトレジスタ回路を多段に接続し、各シフトレジスタ回路から各走査線上に信号を出力する。しかしながら、シフトレジスタ部25とOUT波形制御部26からなるシフトレジスタ回路20を用いて、走査線駆動回路56を構成した場合には、1つのシフトレジスタ回路20から2つの走査線に対して信号を出力することができるので、走査線駆動回路56の回路規模を減少させ、画像表示装置50の狭額縁化を実現することができる。   Here, when the scanning line driving circuit 56 is configured using a conventional shift register circuit, the same number of shift register circuits as the scanning lines extended on the active area 57 are connected in multiple stages, and each shift register is connected. A signal is output from the circuit onto each scanning line. However, when the scanning line driving circuit 56 is configured using the shift register circuit 20 including the shift register unit 25 and the OUT waveform control unit 26, a signal is sent from one shift register circuit 20 to two scanning lines. Therefore, the circuit scale of the scanning line driving circuit 56 can be reduced, and the narrowed frame of the image display device 50 can be realized.

また、シフトレジスタ回路20は、ブートストラップ効果により、出力する信号の電位を下げることなく出力することができるので、走査線駆動回路56が各走査線に印加する電圧の低下を防ぐことができる。この結果、画像表示装置50は、アクティブエリア57の大型化や画素58の細密化により走査線の数が増加した場合にも、各画素58に印加する電圧の低下を防ぐことができるので、正常に動作することができる。   In addition, the shift register circuit 20 can output the output signal without lowering the potential of the signal due to the bootstrap effect, so that the voltage applied to each scanning line by the scanning line driving circuit 56 can be prevented from being lowered. As a result, the image display device 50 can prevent a decrease in the voltage applied to each pixel 58 even when the number of scanning lines increases due to the increase in the size of the active area 57 or the densification of the pixels 58. Can work.

薄膜トランジスタ59は、画素58が形成された位置に応じたデータ線とソースとが接続され、画素58が形成された位置に応じた走査線とゲートとが接続されている。そして、走査線駆動回路56から対応する走査線に電圧が印加されるとともに、駆動回路55から対応するデータ線に電圧が印加された場合に、データ線に印加された電圧が薄膜トランジスタ59を介して画素電極60に印加される。   In the thin film transistor 59, a data line and a source corresponding to the position where the pixel 58 is formed are connected, and a scanning line and a gate corresponding to the position where the pixel 58 is formed are connected. When a voltage is applied to the corresponding scanning line from the scanning line driving circuit 56 and a voltage is applied to the corresponding data line from the driving circuit 55, the voltage applied to the data line is passed through the thin film transistor 59. Applied to the pixel electrode 60.

なお、図12では、液晶パネルを用いた画像表示装置にシフトレジスタ回路20を適用する例について説明した。しかしながら、実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば、有機ELパネルを用いた画像表示装置にシフトレジスタ回路20を適用してもよい。例えば、図13は、シフトレジスタ回路20の適用例を説明する第2の図である。   Note that FIG. 12 illustrates an example in which the shift register circuit 20 is applied to an image display device using a liquid crystal panel. However, the embodiment is not limited to this. For example, the shift register circuit 20 may be applied to an image display device using an organic EL panel. For example, FIG. 13 is a second diagram illustrating an application example of the shift register circuit 20.

(有機ELへの適用)
図13に示す例では、シフトレジスタ部25、およびOUT波形制御部26を有する走査線駆動回路56を有し、有機ELパネルを用いた画像表示装置70について記載した。また、図13に示す例では、理解を容易にするため、シフトレジスタ部25、およびOUT波形制御部26からなるシフトレジスタ回路20を有する走査線駆動回路56を記載したが、走査線駆動回路56は、シフトレジスタ回路20と同様の回路を複数有するものとする。具体的には、走査線駆動回路56は、アクティブエリア57上に延設する走査線の数の半分の数だけシフトレジスタ回路20と同様の回路を多段に接続することで構成すればよい。なお、上述の液晶パネルを用いた画像表示装置50と同様に、シフトレジスタ回路20は、パネル52のアレイ基板上の周辺部に一体的に形成されている。
(Application to organic EL)
In the example shown in FIG. 13, the image display device 70 having the scanning register driving circuit 56 having the shift register unit 25 and the OUT waveform control unit 26 and using an organic EL panel is described. In the example shown in FIG. 13, the scanning line driving circuit 56 having the shift register circuit 20 including the shift register unit 25 and the OUT waveform control unit 26 is described for easy understanding. Includes a plurality of circuits similar to the shift register circuit 20. Specifically, the scanning line driving circuit 56 may be configured by connecting, in multiple stages, the same circuits as the shift register circuit 20 by a number that is half the number of scanning lines extending on the active area 57. Note that the shift register circuit 20 is integrally formed on the peripheral portion of the panel 52 on the array substrate, similarly to the image display device 50 using the above-described liquid crystal panel.

図13に示す例では、画素58は、アノードが定電位供給回路71と電気的に接続された発光素子80と、発光素子80のカソードに一方の電極が接続されたトランジスタ81とを有する。また、画素58は、n型の薄膜トランジスタによって形成され、ドレインがトランジスタ82のドレインに接続され、ソースが電源供給回路72と電気的に接続されたドライバ素子83とを有する。また、画素58は、ドライバ素子83を形成する薄膜トランジスタのゲート・ドレイン間の導通状態を制御するトランジスタ82と静電容量84とを有する。   In the example shown in FIG. 13, the pixel 58 includes a light emitting element 80 whose anode is electrically connected to the constant potential supply circuit 71, and a transistor 81 whose one electrode is connected to the cathode of the light emitting element 80. The pixel 58 includes an n-type thin film transistor, and includes a driver element 83 whose drain is connected to the drain of the transistor 82 and whose source is electrically connected to the power supply circuit 72. In addition, the pixel 58 includes a transistor 82 that controls the conduction state between the gate and the drain of the thin film transistor that forms the driver element 83, and a capacitance 84.

また、図13に示す例では、各画素58内に備わる発光素子80のアノードに対して一定のオン電位を供給する定電位供給回路71と、制御線を介して、画素58内に備わるトランジスタ81の駆動を制御する駆動制御回路73と、ドライバ素子83のソースにオン電位または0電位を供給する電源供給回路72とを有する。   In the example shown in FIG. 13, a constant potential supply circuit 71 that supplies a constant on potential to the anode of the light emitting element 80 provided in each pixel 58, and a transistor 81 provided in the pixel 58 via a control line. And a power supply circuit 72 for supplying an ON potential or a zero potential to the source of the driver element 83.

発光素子80は、電流注入によって発光する機構を有し、例えば有機EL素子によって形成される。有機EL素子は、Al、Cu、ITO(Indium Tin Oxide)等によって形成されたアノード層およびカソード層と、アノード層とカソード層との間にフタルシアニン、トリスアルミニウム錯体、ベンゾキノリノラト、ベリリウム錯体等の有機系の材料によって形成された発光層とを少なくとも備えた構造を有し、発光層に注入された正孔と電子とが発光再結合することによって光を生じる機能を有する。   The light emitting element 80 has a mechanism for emitting light by current injection, and is formed of, for example, an organic EL element. The organic EL device includes an anode layer and a cathode layer formed of Al, Cu, ITO (Indium Tin Oxide), and the like, and phthalocyanine, trisaluminum complex, benzoquinolinolato, and beryllium complex between the anode layer and the cathode layer. And a light emitting layer formed of an organic material such as an organic material, and has a function of generating light by recombination of holes and electrons injected into the light emitting layer.

トランジスタ81は、発光素子80とドライバ素子83との間の導通を制御する機能を有し、本実施形態1では、n型の薄膜トランジスタによって形成される。すなわち、薄膜トランジスタのドレインとソースとがそれぞれ発光素子80、ドライバ素子83に接続される一方で、ゲートが駆動制御回路73と電気的に接続された構成を有し、駆動制御回路73から供給される電位に基づいて、発光素子80とドライバ素子83との間の導通状態を制御している。   The transistor 81 has a function of controlling conduction between the light emitting element 80 and the driver element 83, and is formed of an n-type thin film transistor in the first embodiment. That is, the drain and the source of the thin film transistor are connected to the light emitting element 80 and the driver element 83, respectively, while the gate is electrically connected to the drive control circuit 73, and supplied from the drive control circuit 73. Based on the potential, the conduction state between the light emitting element 80 and the driver element 83 is controlled.

ドライバ素子83は、発光素子80に流れる電流を制御するための機能を有する。具体的には、ドライバ素子83は、閾値以上の電位差に応じて発光素子80に流れる電流を制御する機能を有する。本実施形態1では、ドライバ素子83は、n型の薄膜トランジスタによって形成され、ゲートとソースとの間に印加される電位差に応じて発光素子80の発光輝度を制御している。   The driver element 83 has a function for controlling the current flowing through the light emitting element 80. Specifically, the driver element 83 has a function of controlling a current flowing through the light emitting element 80 in accordance with a potential difference equal to or greater than a threshold value. In the first embodiment, the driver element 83 is formed of an n-type thin film transistor, and controls the light emission luminance of the light emitting element 80 according to the potential difference applied between the gate and the source.

このような画素58においては、駆動回路55が信号線に印加した電圧により静電容量84に電荷が蓄積される。そして、駆動制御回路73がトランジスタ81のゲートに電圧を印加している間、静電容量84に蓄積した電荷に応じた電流が発光素子80に流れ、発光素子80が発光する。   In such a pixel 58, charges are accumulated in the capacitance 84 by the voltage applied to the signal line by the drive circuit 55. While the drive control circuit 73 applies a voltage to the gate of the transistor 81, a current corresponding to the charge accumulated in the capacitance 84 flows to the light emitting element 80, and the light emitting element 80 emits light.

このように、各画素58が発光素子80を有する場合であっても、走査線駆動回路56は、シフトレジスタ部25、およびOUT波形制御部26からなるシフトレジスタ回路20が、2つの走査線に各画素の出力信号を出力する。このため、画像表示装置70は、画素58が有機ELパネルを有する場合にも、走査線駆動回路56の回路規模を減少させ、狭額縁化を図ることができる。また、シフトレジスタ回路20は、走査線上に出力する信号の電位の低下を防ぐので、アクティブエリア57上の画素数に係わらず、画像表示装置70を正常に動作させることができる。   As described above, even when each pixel 58 has the light emitting element 80, the scanning line driving circuit 56 includes the shift register unit 25 including the shift register unit 25 and the OUT waveform control unit 26 on two scanning lines. The output signal of each pixel is output. For this reason, the image display device 70 can reduce the circuit scale of the scanning line driving circuit 56 and reduce the frame even when the pixel 58 includes an organic EL panel. Further, since the shift register circuit 20 prevents the potential of the signal output on the scanning line from being lowered, the image display device 70 can be operated normally regardless of the number of pixels on the active area 57.

1〜15 トランジスタ
20 シフトレジスタ回路
21〜24 ノード
25、25a、25b シフトレジスタ部
26、26a、26b OUT波形制御部
1 to 15 transistor 20 shift register circuit 21 to 24 node 25, 25a, 25b shift register unit 26, 26a, 26b OUT waveform control unit

Claims (9)

ゲートが第1の導電経路に接続されて、ドレインが第2の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第1の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第2の導電経路の電位を降下させる第1のトランジスタと、
ゲートが前記第2の導電経路に接続されて、ドレインが前記第1の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第2の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第1の導電経路の電位を降下させる第2のトランジスタと、
ゲートおよびドレインが第1のクロック信号の入力端子に接続された、前記第1のクロック信号が入力された際にソースの電位を上昇させる第3のトランジスタと、
ゲートが前記第1の導電経路に接続され、ドレインが前記第3のトランジスタのソースに接続されるとともにソースが第3の導電経路に接続された、前記第1の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第3のトランジスタのソースの電位を前記第3の導電経路に供給する第4のトランジスタと、
ゲートが前記第3の導電経路に接続され、ドレインが前記第1のクロック信号を所定量遅延させた第2のクロック信号の入力端子に接続されるとともにソースが第1の出力端子に接続された、前記第3の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第2のクロック信号を第1の出力信号として前記第1の出力端子から出力させる第5のトランジスタと、
ゲートが前記第3の導電経路に接続され、ドレインが前記第2のクロック信号を所定量遅延させた第3のクロック信号の入力端子に接続されるとともにソースが第2の出力端子に接続された、前記第3の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第3のクロック信号を第2の出力信号として前記第2の出力端子から出力させる第6のトランジスタと
を有することを特徴とするシフトレジスタ回路。
The gate is connected to the first conductive path, the drain is connected to the second conductive path, and the source is connected to the low potential terminal. A first transistor that lowers the potential of the second conductive path;
In response to an increase in potential of the second conductive path, the gate being connected to the second conductive path, the drain being connected to the first conductive path and the source being connected to the low potential terminal. A second transistor that lowers the potential of the first conductive path;
A third transistor having a gate and a drain connected to an input terminal of the first clock signal, and raising a potential of the source when the first clock signal is input;
The potential of the first conductive path rises with the gate connected to the first conductive path, the drain connected to the source of the third transistor and the source connected to the third conductive path. And a fourth transistor for supplying a potential of the source of the third transistor to the third conductive path according to
A gate is connected to the third conductive path, a drain is connected to an input terminal of a second clock signal obtained by delaying the first clock signal by a predetermined amount, and a source is connected to the first output terminal. A fifth transistor for outputting the second clock signal as a first output signal from the first output terminal in response to an increase in potential of the third conductive path;
The gate is connected to the third conductive path, the drain is connected to the input terminal of the third clock signal obtained by delaying the second clock signal by a predetermined amount, and the source is connected to the second output terminal. And a sixth transistor for outputting the third clock signal as a second output signal from the second output terminal in response to an increase in potential of the third conductive path. Shift register circuit.
ゲートが次段のシフトレジスタ回路が前記第1の出力信号に対応する信号を出力する出力端子に接続され、ドレインが前記第3の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記次段のシフトレジスタ回路が出力した信号の電位に応じて前記第3の導電経路の電位を降下させる第7のトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ回路。   The shift register circuit of the next stage is connected to the output terminal that outputs a signal corresponding to the first output signal, the drain is connected to the third conductive path, and the source is connected to the low potential terminal 2. The shift register circuit according to claim 1, further comprising a seventh transistor that drops the potential of the third conductive path in accordance with the potential of the signal output from the shift register circuit at the next stage. ゲートが前記第3の導電経路に接続されて、ドレインが第4の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第3の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第4の導電経路の電位を降下させる第8のトランジスタと、
ゲートが前記第4の導電経路に接続され、ドレインが前記第3の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第4の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第3の導電経路の電位を降下させる第9のトランジスタとをさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載のシフトレジスタ回路。
In response to an increase in the potential of the third conductive path, the gate being connected to the third conductive path, the drain being connected to the fourth conductive path and the source being connected to the low potential terminal. An eighth transistor for lowering the potential of the fourth conductive path;
In response to an increase in potential of the fourth conductive path, the gate being connected to the fourth conductive path, the drain being connected to the third conductive path and the source being connected to the low potential terminal. The shift register circuit according to claim 1, further comprising: a ninth transistor that lowers a potential of the third conductive path.
ゲートが前記第1のクロック信号の位相をずらして前記第3のクロック信号と同じタイミングで立ち上がる第4のクロック信号の入力端子に接続されて、ドレインが高電位端子に接続されるとともにソースが前記第4の導電経路に接続された、前記第4のクロック信号の入力に応じて前記第4の導電経路の電位を上昇させる第10のトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路。   The gate is connected to the input terminal of the fourth clock signal that rises at the same timing as the third clock signal by shifting the phase of the first clock signal, the drain is connected to the high potential terminal, and the source is the above-mentioned The tenth transistor, which is connected to the fourth conductive path, further increases the potential of the fourth conductive path in response to the input of the fourth clock signal. 4. The shift register circuit according to any one of 3. ゲートが前記第4のクロック信号の入力端子に接続されて、ドレインが高電位端子に接続されるとともにソースが前記第2の導電経路に接続された、前記第4のクロック信号の入力に応じて前記第2の導電経路の電位を上昇させる第11のトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項4に記載のシフトレジスタ回路。   According to the input of the fourth clock signal, the gate is connected to the input terminal of the fourth clock signal, the drain is connected to the high potential terminal, and the source is connected to the second conductive path. The shift register circuit according to claim 4, further comprising an eleventh transistor that raises a potential of the second conductive path. ゲートが前記第2の導電経路に接続され、ドレインが前記第1の出力端子に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第2の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第1の出力端子の電位を降下させる第12のトランジスタと、
ゲートが前記第2の導電経路に接続され、ドレインが前記第2の出力端子に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第2の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第2の出力端子の電位を降下させる第13のトランジスタとをさらに有することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路。
In response to an increase in potential of the second conductive path having a gate connected to the second conductive path, a drain connected to the first output terminal, and a source connected to a low potential terminal. A twelfth transistor for lowering the potential of the first output terminal;
In response to an increase in potential of the second conductive path, the gate being connected to the second conductive path, the drain being connected to the second output terminal and the source being connected to the low potential terminal. The shift register circuit according to claim 1, further comprising a thirteenth transistor that lowers the potential of the second output terminal.
ゲートが入力信号の入力端子に接続され、ドレインが高電位端子に接続されるとともにソースが前記第1の導電経路に接続された、前記入力信号の電位に応じて前記第1の導電経路の電位を上昇させる第15のトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路。   The potential of the first conductive path according to the potential of the input signal, the gate being connected to the input terminal of the input signal, the drain being connected to the high potential terminal and the source being connected to the first conductive path. The shift register circuit according to claim 1, further comprising a fifteenth transistor for raising the voltage. 請求項1乃至請求項7のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路を有するドライバ回路と、
前記ドライバ回路が出力する信号に従って発光する発光素子によって画像を表示する表示パネルと
を備えたことを特徴とする画像表示装置。
A driver circuit having the shift register circuit according to any one of claims 1 to 7,
An image display device comprising: a display panel that displays an image by a light emitting element that emits light according to a signal output from the driver circuit.
請求項1乃至請求項7のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路を有するドライバ回路と、
前記ドライバ回路が出力する信号に従って画像を表示する液晶パネルと
を備えたことを特徴とする画像表示装置。
A driver circuit having the shift register circuit according to any one of claims 1 to 7,
An image display device comprising: a liquid crystal panel that displays an image according to a signal output from the driver circuit.
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