JP2013517140A - Method for forming a surface improvement wall for use in an apparatus for processing, surface improvement wall, and apparatus incorporating a surface improvement wall - Google Patents
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Abstract
処理を行うための表面改善壁部を形成する方法が開示されている。この方法は、両側に初期表面を有する1本の材料を用意するステップであって、前記材料が、その表面の間の実質的に中ほどに位置する長手方向中心線を有し、前記初期表面の各々が初期面密度を有する、ステップと、面密度を有する2次模様を前記初期表面の各々に型押しして、前記材料をゆがめるステップと、面密度を有する1次模様をこのようなゆがめられた表面の各々に型押しして、前記材料をさらにゆがめ、且つ、各々の前記表面の面密度をさらに増大させるステップとを広く含む。 A method of forming a surface improvement wall for processing is disclosed. The method comprises providing a single material having an initial surface on both sides, the material having a longitudinal centerline located substantially midway between the surfaces, wherein the initial surface Each having an initial areal density, embossing a secondary pattern having an areal density on each of the initial surfaces to distort the material, and distorting the primary pattern having an areal density in such a manner. Embossing each of the formed surfaces to further distort the material and further increase the surface density of each of the surfaces.
Description
本願は、2010年4月5日に出願され、継続中である米国特許出願第12/754,094号の一部継続出願であり、さらにまた、2010年1月15日に出願された米国仮出願第61/295,653号の利益を主張するものであり、米国特許出願第12/754,094号及び米国仮出願第61/295,653号の両方の全開示内容は参照することによりここに組み入れられる。 This application is a continuation-in-part of US patent application Ser. No. 12 / 754,094 filed on Apr. 5, 2010 and is pending, and is also a US provisional application filed Jan. 15, 2010. No. 61 / 295,653, which claims the benefit of US patent application Ser. No. 12 / 754,094 and US Provisional Application No. 61 / 295,653, hereby incorporated by reference. Is incorporated into.
本発明は、概して、処理を行うための装置(たとえば、熱伝達機器、流体混合機器など)に使用する表面改善壁部を形成するための方法、表面改善壁部それ自体、及び、このような表面改善壁部を組み入れた装置に関する。 The present invention generally relates to a method for forming a surface improvement wall for use in an apparatus for performing processing (eg, heat transfer equipment, fluid mixing equipment, etc.), the surface improvement wall itself, and such The present invention relates to a device incorporating a surface improvement wall.
熱交換器機器や流体混合機器で使用するために表面改善壁部を用意することは公知である。このような壁部には、一般に、表面積の増大、流体の混合の改善、乱流の促進、表面近傍の境界層の破壊、熱伝達の改善などのために、複数の特徴部が型押しされている。 It is known to provide surface improvement walls for use in heat exchanger equipment and fluid mixing equipment. Such walls are typically embossed with multiple features to increase surface area, improve fluid mixing, promote turbulence, destroy boundary layers near the surface, improve heat transfer, etc. ing.
特許文献1は、乱流を増大し環流効率を高めるために、U字形状の1次溝、V字形状の2次溝、西洋ナシ形状の3次溝がある熱伝達管を開示しているものと思われる。この管は、最初に平板として形成され、次に丸めて管にされ、その後、その管の近接する端部が溶接される。2次溝の深さは、1次溝の深さの50〜100%であるとされている。 Patent Document 1 discloses a heat transfer tube having a U-shaped primary groove, a V-shaped secondary groove, and a pear-shaped tertiary groove in order to increase turbulent flow and increase the circulation efficiency. It seems to be. The tube is first formed as a flat plate and then rolled into a tube, after which the adjacent ends of the tube are welded. The depth of the secondary groove is assumed to be 50 to 100% of the depth of the primary groove.
特許文献2は、略矩形形状の主溝と、幅が狭く、主溝を斜めに交差する2次溝とがある熱伝達管を開示しているものと思われる。この機器は、平坦に形成され、丸められまたは巻かれ、次に溶接されるものと思われる。幅の狭い溝の深さは0.02ミリメートル(mm)とされている。主溝の深さは、0.20〜0.30mmとされている。
特許文献3は、長手方向に伸び、周方向に間隔をあけて配置されたリブであって、乱流を増大させるための、且つ、熱伝達性能を高めるための平行な、斜めの切り欠きを備えたリブのある熱交換管を開示しているものと思われる。 Patent Document 3 is a rib that extends in the longitudinal direction and is spaced apart in the circumferential direction, and has parallel, oblique notches for increasing turbulence and improving heat transfer performance. It is believed that a ribbed heat exchange tube is disclosed.
特許文献4は、周方向に間隔をあけて配置され、らせん状に巻かれているリブであって、平行な、斜めの切り欠きを備えたリブがある熱交換管を開示しているものと思われる。 Patent Document 4 discloses a heat exchange tube having ribs that are arranged at intervals in the circumferential direction and are spirally wound, and have ribs that are parallel and have diagonal notches. Seem.
特許文献5は、熱伝達特性を高めるために、多面体列を備えた熱伝達管を開示しているものと思われる。多面体列は、管の内側面にも、外側面にも用いることができる。この参考文献は、境界層を壊すために、リブ、フィン、コーティング、及び、挿入物を利用することを教示しうる。 Patent Document 5 seems to disclose a heat transfer tube having a polyhedron array in order to improve heat transfer characteristics. Polyhedron rows can be used on the inner and outer surfaces of the tube. This reference can teach utilizing ribs, fins, coatings, and inserts to break the boundary layer.
特許文献6は、ひび状の空洞部が多面体の少なくとも2つの面にある多面体列を有する熱伝達管を開示しているものと思われる。
特許文献7は、冷間溶接又は鍛接されており、さまざまな形状のくぼみ模様がある熱伝達管を開示しているものと思われる。 Patent Document 7 seems to disclose a heat transfer tube that is cold-welded or forged and has various shapes of indentations.
特許文献8は、アリの巣状(すなわち、アリ状)腐食を阻止するためのスズ−真ちゅう合金の熱伝達管を開示しているものと思われる。 U.S. Pat. No. 6,057,836 is believed to disclose a tin-brass alloy heat transfer tube to prevent ant nest (ie, ant) corrosion.
特許文献9は、多面体の列を有し、第2の列が第1の列に対して斜めに配置されている熱伝達管を開示しているものと思われる。 Patent Document 9 seems to disclose a heat transfer tube having a polyhedron row and the second row arranged obliquely with respect to the first row.
特許文献10は、隆起部によって隔てられた第1パターンの溝と、隆起部に機械加工されたより浅い第2パターンの溝とを有する、ロール状に形成された核沸騰平板を開示しているものと思われる。第2パターンの深さは、第1パターンの深さの約10〜50%であるとされている。 Patent Document 10 discloses a nucleate boiling flat plate formed in a roll shape having a first pattern groove separated by a ridge and a shallower second pattern groove machined in the ridge. I think that the. The depth of the second pattern is supposed to be about 10 to 50% of the depth of the first pattern.
特許文献11は、表面が改善されたフィンを有し、そのフィンに穴がある熱交換器を開示しているものと思われる。 Patent Document 11 seems to disclose a heat exchanger having fins with improved surfaces and having holes in the fins.
特許文献12は、フレーム溶射された鉄合金で改善された沸騰面を有する熱交換器の表面を開示しているものと思われる。 U.S. Pat. No. 6,057,836 is believed to disclose a heat exchanger surface having an improved boiling surface with a flame sprayed iron alloy.
最後に、特許文献13は、熱伝達を向上させるための多孔性のコーティングを備えた熱交換器管を開示しているものと思われる。 Finally, U.S. Pat. No. 6,057,836 seems to disclose a heat exchanger tube with a porous coating to improve heat transfer.
限定するためではなく、単に説明目的のために、開示した1つ又は複数の実施例おいて対応する部品、部分、又は、表面を括弧内で参照しながら、本発明は、(1)処理を行うための装置(たとえば、熱伝達機器、流体混合機器など)で使用する表面改善壁部を形成する改良された方法、(2)表面改善壁部自体、及び(3)このような表面改善壁部を組み入れたさまざまな装置を広く提供する。 For purposes of illustration only and not limitation, the present invention refers to (1) processing, with reference to corresponding parts, portions or surfaces in parentheses in the disclosed embodiment (s). An improved method of forming a surface improvement wall for use in an apparatus for performing (eg, heat transfer equipment, fluid mixing equipment, etc.), (2) the surface improvement wall itself, and (3) such a surface improvement wall Various devices incorporating parts are widely offered.
一態様において、本発明は、処理を行うための装置で使用する表面改善壁部(20)を形成する改良された方法を提供するものであり、この方法は、両側に初期表面(21a、22b)を有する1本の材料(21)を用意するステップであって、材料が初期表面の間の実質的に中ほどに位置する長手方向中心線(x−x)を有し、材料が、中心線から、初期表面のどちらか一方の、中心線から最も遠くにある位置まで測定された初期横断寸法を有し、初期表面の各々が初期面密度を有し、面密度が単位投影表面積あたりの表面にある特徴部の数として定義される、ステップと、2次模様面密度を有する2次模様(23a、23b)を初期表面の各々に型押しして、材料をゆがめ、且つ、表面の各々の面密度を増大させ、且つ、中心線からこのようなゆがめられた材料の最も遠い位置までの材料の横断寸法を増大させるステップと、1次模様面密度を有する1次模様(25a、25b)をこのようなゆがめられた表面の各々に型押しして、材料をさらにゆがめ、且つ、各々の表面の面密度をさらに増大させるステップとを含み、これにより、処理を行うための装置で使用する表面改善壁部を提供する。 In one aspect, the present invention provides an improved method of forming a surface improvement wall (20) for use in an apparatus for processing, the method comprising an initial surface (21a, 22b on both sides). A single material (21) having a longitudinal centerline (xx) located substantially midway between the initial surfaces, wherein the material is centered The initial transverse dimension measured from the line to one of the initial surfaces, furthest away from the centerline, each of the initial surfaces having an initial surface density, and the surface density per unit projected surface area Steps defined as the number of features on the surface and secondary patterns (23a, 23b) having a secondary pattern surface density are embossed on each of the initial surfaces to distort the material and each of the surfaces And increase the surface density of the Increasing the transverse dimension of the material to the furthest position of the undistorted material and embossing a primary pattern (25a, 25b) having a primary pattern surface density on each such distorted surface Further distorting the material and further increasing the areal density of each surface, thereby providing a surface improvement wall for use in an apparatus for processing.
各2次模様面密度は、各1次模様面密度より大きくてもよい。 Each secondary pattern surface density may be greater than each primary pattern surface density.
2次模様を初期表面の各々に型押しするステップは、材料を冷間加工する追加のステップを含んでもよい。 Embossing the secondary pattern on each of the initial surfaces may include an additional step of cold working the material.
ゆがめられた表面の各々に1次模様を型押しするステップは、材料を冷間加工する追加のステップを含んでもよい。 Embossing the primary pattern on each of the distorted surfaces may include an additional step of cold working the material.
2次模様は、同じものであってもよい。 The secondary pattern may be the same.
2次模様は、中心線から一方のゆがめられた表面までの最大寸法が、中心線から他方のゆがめられた表面までの最小寸法に対応するように、互いに位置がずらされていてもよい。 The secondary patterns may be offset from each other such that the maximum dimension from the center line to one distorted surface corresponds to the minimum dimension from the center line to the other distorted surface.
2次模様を材料に型押しするステップは、中心線からゆがめられた材料の最も遠い位置までの材料の最大横断寸法を、中心線から初期表面の最も遠い位置までの最大横断寸法の135%まで増大させてもよい。 The step of embossing the secondary pattern into the material is to increase the maximum transverse dimension of the material from the center line to the farthest position of the distorted material up to 135% of the maximum transverse dimension from the center line to the farthest position of the initial surface. It may be increased.
2次模様を材料に型押しするステップは、中心線からゆがめられた材料の最も遠い位置までの材料の最大横断寸法を、中心線から初期表面の最も遠い位置までの最大横断寸法の150%まで増大させてもよい。 The step of embossing the secondary pattern into the material is to increase the maximum transverse dimension of the material from the centerline to the farthest position of the distorted material up to 150% of the maximum transverse dimension from the centerline to the farthest position of the initial surface. It may be increased.
2次模様を材料に型押しするステップは、中心線からゆがめられた材料の最も遠い位置までの材料の最大横断寸法を、中心線から初期表面の最も遠い位置までの最大横断寸法の300%まで増大させてもよい。 The step of embossing the secondary pattern into the material is to increase the maximum transverse dimension of the material from the center line to the farthest position of the distorted material up to 300% of the maximum transverse dimension from the center line to the farthest position of the initial surface. It may be increased.
2次模様を材料に型押しするステップは、中心線からゆがめられた材料の最も遠い位置までの材料の最大横断寸法を、中心線から初期表面の最も遠い位置までの最大横断寸法の700%まで増大させてもよい。 The step of embossing the secondary pattern into the material takes the maximum transverse dimension of the material from the center line to the farthest position of the distorted material up to 700% of the maximum transverse dimension from the center line to the farthest position of the initial surface. It may be increased.
2次模様を材料に型押しするステップは、このようなゆがめられた表面の一方にある任意の位置から、このようなゆがめられた表面の反対側の方にある最も近い位置まで測定した場合の材料の最小寸法を、初期表面の一方にある任意の位置から、反対側の初期表面にある最も近い位置までの最小寸法の95%より減少させてはいけない。 The step of embossing the secondary pattern into the material is when measured from any position on one of these distorted surfaces to the nearest position on the opposite side of such distorted surface. The minimum dimension of the material should not be reduced below 95% of the minimum dimension from any position on one of the initial surfaces to the closest position on the opposite initial surface.
2次模様を材料に型押しするステップは、このようなゆがめられた表面の一方にある任意の位置から、このようなゆがめられた表面の反対側の方にある最も近い位置まで測定した場合の材料の最小寸法を、初期表面の一方にある任意の位置から、反対側の初期表面にある最も近い位置までの最小寸法の50%より減少させてはいけない。 The step of embossing the secondary pattern into the material is when measured from any position on one of these distorted surfaces to the nearest position on the opposite side of such distorted surface. The minimum dimension of the material should not be reduced by less than 50% of the minimum dimension from any position on one of the initial surfaces to the closest position on the opposite initial surface.
1次模様は、同じものであってもよい。 The primary pattern may be the same.
1次模様は、中心線から一方のさらにゆがめられた表面までの最大寸法が、中心線から他方のさらにゆがめられた表面までの最小寸法に対応するように、互いに位置がずらされていてもよい。 The primary patterns may be offset from each other such that the maximum dimension from the centerline to one of the more distorted surfaces corresponds to the minimum dimension from the centerline to the other more distorted surface. .
1次模様を材料に型押しするステップは、中心線から、さらにゆがめられた表面のどちらか一方にある任意の位置まで測定した場合のさらにゆがめられた材料の最小寸法を、中心線から初期表面のどちらか一方まで測定した場合の材料の最小寸法の95%より減少させてはいけない。 The step of embossing the primary pattern into the material is to measure the minimum dimension of the further distorted material from the center line to the initial surface when measured from the center line to any position on either side of the distorted surface. It should not be reduced below 95% of the minimum dimension of the material when measured to either of these.
1次模様を材料に型押しするステップは、中心線から、さらにゆがめられた表面のどちらか一方にある任意の位置まで測定した場合のさらにゆがめられた材料の最小寸法を、中心線から初期表面のどちらか一方まで測定した場合の材料の最小寸法の50%より減少させてはいけない。 The step of embossing the primary pattern into the material is to measure the minimum dimension of the further distorted material from the center line to the initial surface when measured from the center line to any position on either side of the distorted surface. It should not be reduced below 50% of the minimum dimension of the material when measured to either one of the above.
1次模様を表面の各々に型押しするステップは、中心線から、さらにゆがめられた材料の最も遠い位置までの寸法をさらに増大させてもよい。 The step of embossing the primary pattern on each of the surfaces may further increase the dimension from the centerline to the farthest position of the further distorted material.
材料の両面は、はじめは平坦であってもよい。 Both sides of the material may initially be flat.
模様を型押しするステップは、硬化、型打ち、圧延、プレス加工、及び、エンボス加工作業の少なくとも1つによって模様を型押しするステップを含んでもよい。 Embossing the pattern may include embossing the pattern by at least one of curing, stamping, rolling, pressing, and embossing operations.
本方法は、表面改善壁部を最も近い端部が互いに隣接して位置するように曲げる追加のステップと、材料の最も近い端部を接合する追加のステップとをさらに含み、これにより表面改善管を形成してもよい。 The method further includes the additional steps of bending the surface improvement wall such that the closest ends are located adjacent to each other, and the additional step of joining the closest ends of the material, thereby providing a surface improvement tube. May be formed.
材料の最も近い端部を接合するステップは、材料の最も近い端部を溶接して接合するさらなるステップを含んでもよい。 Joining the closest ends of the material may include a further step of welding and joining the closest ends of the material.
本方法は、材料に穴を通す追加のステップをさらに含んでもよい。 The method may further include the additional step of passing a hole through the material.
本方法は、表面改善壁部を熱交換器に取り付ける追加のステップをさらに含んでもよい。 The method may further include the additional step of attaching the surface improvement wall to the heat exchanger.
本発明は、表面改善壁部を流体処理装置に取り付ける追加ステップをさらに含んでもよい。 The present invention may further include an additional step of attaching the surface improvement wall to the fluid treatment device.
他の態様では、本発明は、上記ステップのいずれかによって定義される方法によって製作される表面改善壁部を提供する。 In another aspect, the present invention provides a surface improvement wall made by a method defined by any of the above steps.
1次模様は、方向性があっても、方向性がなくてもよい。 The primary pattern may be directional or non-directional.
2次模様は、方向性があっても、方向性がなくてもよい。 The secondary pattern may or may not have directionality.
壁部は、以下のASME/ASTM規格、A249/A、A135、A370、A751、E213、E273、E309、E1806、A691、A139、A213、A214、A268、A269、A270、A312、A334、A335、A498、A631、A671、A688、A691、A778、A299/A、A789、A789/A、A789/M、A790、A803、A480、A763、A941、A1016、A1012、A1047/A、A250、A771、A826、A851、B674、E112、A370、A999、E381、E426、E527、E340、A409、A358、A262、A240、A537、A530、A435、A387、A299、A204、A20、A577、A578、A285、E165、A380、A262、及び、A179、の少なくとも1つを満たしてもよい。これらの規格の各々の開示の総てが参照することによりここに組み入れられる。 Walls are the following ASME / ASTM standards, A249 / A, A135, A370, A751, E213, E273, E309, E1806, A691, A139, A213, A214, A268, A269, A270, A312, A334, A335, A498 A631, A671, A688, A691, A778, A299 / A, A789, A789 / A, A789 / M, A790, A803, A480, A763, A941, A1016, A1012, A1047 / A, A250, A771, A826, A851 , B674, E112, A370, A999, E381, E426, E527, E340, A409, A358, A262, A240, A537, A530, A435, A387, A299, A204, A20, A577, A 78, A285, E165, A380, A262, and, A179, may satisfy at least one of. The entire disclosure of each of these standards is hereby incorporated by reference.
材料は均一であっても、不均一であってもよい。 The material may be uniform or non-uniform.
材料は、初期表面の一方の少なくとも一部にコーティングが施されてもよい。 The material may be coated on at least a portion of one of the initial surfaces.
初期表面の一方の少なくとも一部は、化学的に処理されてもよい。 At least a portion of one of the initial surfaces may be chemically treated.
他の態様において、本発明は、改良された表面改善壁部を組み入れた改良された熱伝達機器を提供する。 In another aspect, the present invention provides an improved heat transfer device that incorporates an improved surface improvement wall.
他の態様において、本発明は、改良された表面改善壁部を組み入れた改良された流体処理装置を提供する。 In another aspect, the present invention provides an improved fluid treatment device that incorporates an improved surface improvement wall.
他の態様において、本発明は、処理を行うための装置で使用する改良された表面改善壁部(20)を提供するものであり、この壁部は、両側に初期表面(21a、21b)を有する1本の材料(21)であって、初期表面の間の実質的に中ほどに位置する長手方向中心線(x−x)を有し、中心線から、初期表面のどちらか一方にあり、中心線から最も遠くにある位置まで測定された初期横断寸法を有し、初期表面の各々が初期面密度を有し、面密度が単位投影表面積あたりの表面にある特徴部の数(ゼロを含む)として定義される、材料と、2次模様面密度を有し、初期表面の各々に型押しされた2次模様(23)であって、材料をゆがめ、且つ、表面の各々の面密度を増大させ、且つ、中心線からこのようなゆがめられた材料の最も遠い位置までの材料の横断寸法を増大させる、2次模様と、1次模様面密度を有し、このようなゆがめられた表面の各々に型押しされ、材料をさらにゆがめ、表面の各々の面密度をさらに増大させる、1次模様(25)とを備える。 In another aspect, the present invention provides an improved surface improvement wall (20) for use in an apparatus for performing processing, the wall having an initial surface (21a, 21b) on both sides. A single material (21) having a longitudinal centerline (xx) located substantially midway between the initial surfaces and from the centerline to either of the initial surfaces , Having an initial transverse dimension measured to the furthest position from the centerline, each of the initial surfaces having an initial surface density, and the number of features on the surface per unit projected surface area (zero A secondary pattern (23) having a secondary pattern surface density and embossed on each of the initial surfaces, distorting the material, and each surface density of the surface And the farthest of such distorted material from the centerline Each of the distorted surfaces has a secondary pattern and a primary pattern surface density that increases the cross-sectional dimension of the material until it is placed, and is embossed on each such distorted surface, further distorting the material and each surface density of the surface And a primary pattern (25).
各2次模様面密度は、各1次模様面密度より大きくてもよい。 Each secondary pattern surface density may be greater than each primary pattern surface density.
2次模様は、同じものであってもよい。 The secondary pattern may be the same.
2次模様は、中心線から一方のゆがめられた表面までの最大寸法が、中心線から他方のゆがめられた表面までの最小寸法に対応するように、互いに対して位置がずらされていてもよい。 The secondary patterns may be offset relative to each other such that the maximum dimension from the centerline to one distorted surface corresponds to the minimum dimension from the centerline to the other distorted surface. .
中心線からゆがめられた材料の最も遠い位置までの材料の最大横断寸法は、中心線から初期表面にある最も遠い位置までの最大横断寸法の135%より小さくてもよい。 The maximum transverse dimension of the material from the centerline to the furthest position of the distorted material may be less than 135% of the maximum transverse dimension from the centerline to the furthest position on the initial surface.
中心線からゆがめられた材料の最も遠い位置までの材料の最大横断寸法は、中心線から初期表面にある最も遠い位置までの最大横断寸法の150%より小さくてもよい。 The maximum transverse dimension of the material from the centerline to the furthest position of the distorted material may be less than 150% of the maximum transverse dimension from the centerline to the furthest position on the initial surface.
中心線からゆがめられた材料の最も遠い位置までの材料の最大横断寸法は、中心線から初期表面にある最も遠い位置までの最大横断寸法の300%より小さくてもよい。 The maximum transverse dimension of the material from the centerline to the farthest position of the distorted material may be less than 300% of the maximum transverse dimension from the centerline to the furthest position on the initial surface.
中心線からゆがめられた材料の最も遠い位置までの材料の最大横断寸法は、中心線から初期表面にある最も遠い位置までの最大横断寸法の700%より小さくてもよい。 The maximum transverse dimension of the material from the centerline to the farthest position of the distorted material may be less than 700% of the maximum transverse dimension from the centerline to the furthest position on the initial surface.
このようなゆがめられた表面の一方にある任意の位置から、このようなゆがめられた表面の反対側の方にある最も近い位置まで測定した場合の前記材料の最小寸法は、前記初期表面の一方にある任意の位置から、反対側の初期表面にある最も近い位置までの最小寸法の少なくとも95%である。 The minimum dimension of the material when measured from any location on one of such distorted surfaces to the closest location on the opposite side of such distorted surface is one of the initial surfaces. At least 95% of the smallest dimension from any position in to the nearest position on the opposite initial surface.
このようなゆがめられた表面の一方にある任意の位置から、このようなゆがめられた表面の反対側の方にある最も近い位置まで測定した場合の材料の最小寸法は、初期表面の一方にある任意の位置から、反対側の初期表面にある最も近い位置までの最小寸法の少なくとも50%であってもよい。 The minimum dimension of the material when measured from any location on one of these distorted surfaces to the closest location on the opposite side of such distorted surface is on one of the initial surfaces It may be at least 50% of the smallest dimension from any location to the closest location on the opposite initial surface.
1次模様は、同じものであっても、異なるものであってもよい。 The primary pattern may be the same or different.
1次模様は、中心線から一方のさらにゆがめられた表面までの最大寸法が、中心線から他方のさらにゆがめられた表面までの最小寸法に対応するように、互いに対して位置がずらされていてもよい。 The primary patterns are offset with respect to each other such that the maximum dimension from the center line to one further distorted surface corresponds to the minimum dimension from the center line to the other more distorted surface. Also good.
中心線から、さらにゆがめられた表面のどちらか一方にある任意の位置まで測定した場合のさらにゆがめられた材料の最小寸法は、中心線から初期表面のどちらか一方まで測定した場合の材料の最小寸法の少なくとも95%であってもよい。 The minimum dimension of a further distorted material when measured from the centerline to any position on one of the more distorted surfaces is the minimum material dimension when measured from the centerline to one of the initial surfaces. It may be at least 95% of the dimension.
中心線から、さらにゆがめられた表面のどちらか一方にある任意の位置まで測定した場合のさらにゆがめられた材料の最小寸法は、中心線から初期表面のどちらか一方まで測定した場合の材料の最小寸法の少なくとも50%であってもよい。 The minimum dimension of a further distorted material when measured from the centerline to any position on one of the more distorted surfaces is the minimum material dimension when measured from the centerline to one of the initial surfaces. It may be at least 50% of the dimension.
型押しされた1次模様は、中心線から、さらにゆがめられた材料の最も遠い位置までの寸法をさらに増大させてもよい。 The embossed primary pattern may further increase the dimension from the centerline to the farthest position of the distorted material.
よって、1つの目的は、処理を行うための装置で使用する表面改善壁部を形成する、改良された方法を提供することである。 Thus, one object is to provide an improved method of forming a surface improvement wall for use in an apparatus for processing.
別の目的は、改良された表面改善壁部を提供することである。 Another object is to provide an improved surface improvement wall.
さらに別の目的は、改良された表面改善壁部を組み入れた改良された装置を提供することである。 Yet another object is to provide an improved device incorporating an improved surface improvement wall.
これら及び他の目的及び利点は、前述の、及び、進行中の書面による明細書、図面及び添付の特許請求の範囲から明らかとなるであろう。 These and other objects and advantages will become apparent from the foregoing and ongoing written specification, drawings and appended claims.
最初に、明確に理解されなければならないのは、同様の参照番号が、いくつかの図面を通して、一貫して同じ構造要素、部分又は面を識別することが意図されているということであり、これは、このような要素、部分又は面が、書面による明細書全体でさらに記載され、説明される可能性があり、この詳細な説明がその明細書の不可欠の部分であることによる。別段示されない限り、図面は、本明細書とともに読み取られる(たとえば、クロスハッチング、部品の配置、比率、程度などが)ことが意図されており、本発明の書面による説明全体の一部であるとみなすべきである。以下の説明で用いられる場合、用語「横」、「縦」、「左」、「右」、「上」及び「下」、及びそれらの形容詞的及び副詞的派生語(たとえば、「横方向に」、「右方向に」、「上方向に」など)も、特定の図面が読み手と向き合ったときに、単に、説明された構造の向きをいうものである。同様に、用語「内側へ」及び「外側へ」は、概して、面の向きをその面の伸長軸又は回転軸に対して適宜いうものである。別段示されない限り、本明細書及び添付の図面に記載した全ての寸法は、インチで表されている。 First of all, it should be clearly understood that like reference numerals are intended to consistently identify the same structural element, part or face throughout the several views. Because such elements, portions or aspects may be further described and explained throughout the written specification, and this detailed description is an integral part of the specification. Unless otherwise indicated, the drawings are intended to be read with this specification (eg, cross-hatching, component placement, proportions, degrees, etc.) and are considered part of the overall written description of the invention. Should be considered. As used in the following description, the terms “horizontal”, “vertical”, “left”, “right”, “upper” and “lower”, and their adjective and adverbial derivatives (eg, “laterally ”,“ Rightward ”,“ upwardly ”, etc.) also simply refer to the orientation of the described structure when a particular drawing faces the reader. Similarly, the terms “inward” and “outward” generally refer to the orientation of a surface as appropriate with respect to the axis of extension or rotation of the surface. Unless otherwise indicated, all dimensions described herein and in the accompanying drawings are expressed in inches.
以下、図面を、より詳細には図1〜図3を参照すると、本発明は、処理を実行するための装置において用いられる、表面改善壁部20を形成する、改良された方法を広く提供する。この装置は、熱伝達機器、(関連する熱交換機能がある、又は、ない)一種の流体混合装置、又は、何らかの他の形式の装置であってもよい。
Referring now to the drawings, and more particularly to FIGS. 1-3, the present invention broadly provides an improved method of forming a
本願は、さまざまな1次模様及び/又は2次模様を有する表面改善壁部の複数の実施例を開示している。第1の実施例は図1A〜図6Dに、第2の実施例は図7A〜図7Cに、第3の実施例は図8A〜図8Cに、第4の実施例は図9A〜図9Cに、第5の実施例は図10A〜図10Cに、第6の実施例は図11A〜図11Cに、第7の実施例は図12A〜図12Cに、第8の実施例は図13A〜図13Cに、第9の実施例は図14A〜図14Cに、第10の実施例は図15A〜図15Cに、第11の実施例は図16A〜図16Cに示されている。これらのさまざまな模様は、互いにさまざまな組み合わせで用いることができ、添付の特許請求の範囲に入る全ての模様を網羅するものではない。 The present application discloses several examples of surface improvement walls having various primary and / or secondary patterns. The first embodiment is shown in FIGS. 1A to 6D, the second embodiment is shown in FIGS. 7A to 7C, the third embodiment is shown in FIGS. 8A to 8C, and the fourth embodiment is shown in FIGS. 9A to 9C. The fifth embodiment is shown in FIGS. 10A to 10C, the sixth embodiment is shown in FIGS. 11A to 11C, the seventh embodiment is shown in FIGS. 12A to 12C, and the eighth embodiment is shown in FIGS. 13C, the ninth embodiment is shown in FIGS. 14A to 14C, the tenth embodiment is shown in FIGS. 15A to 15C, and the eleventh embodiment is shown in FIGS. 16A to 16C. These various patterns can be used in various combinations with each other and are not exhaustive of all patterns that fall within the scope of the appended claims.
表面改善管を作る1つの工程が図17に概略的に示されており、このような管のいくつかの変形形態が図18A〜図21Dに描かれている。 One process for making a surface improvement tube is schematically illustrated in FIG. 17, and several variations of such tubes are depicted in FIGS. 18A-21D.
表面改善フィンを作る1つの工程が図22に概略的に示されており、このようなフィンのいくつかの変形形態が図23A〜図25Eに描かれている。 One process for making surface improvement fins is schematically illustrated in FIG. 22, and several variations of such fins are depicted in FIGS. 23A-25E.
表面改善管を組み入れた改良された熱交換器が図26に概略的に示されている。 An improved heat exchanger incorporating a surface improvement tube is shown schematically in FIG.
このような表面改善フィンを組み入れた冷却器が図27A〜図27Eに描かれている。 A cooler incorporating such surface improvement fins is depicted in FIGS. 27A-27E.
別の流体流動容器に組み入れられた改善された表面が図28に描かれている。 An improved surface incorporated in another fluid flow container is depicted in FIG.
最後に、さまざまな改善された表面を有する改良された平板が図29A〜図29Bに示されている。 Finally, an improved flat plate with various improved surfaces is shown in FIGS. 29A-29B.
これらのさまざまな実施例及び用途を以下に順次述べる。 These various embodiments and applications are described in turn below.
改良された方法は、広く、1本の材料を用意することから始まり、その断片部分が21で全体を示されている。この材料は、1つの平板状のストックであってもよく、コイルから広げたものであってもよく、出所や形態が何らかの他のものであってもよい。材料は、平坦な上側初期表面21a及び下側初期表面21bを有する矩形であってもよく、これらの初期表面の間の実質的に中ほどに位置する長手方向横断中心線x−xを有することであってもよい。図3Aに示すように、材料の初期表面21a〜21bの間の厚さは、約0.889mm(0.035インチ)であってもよく、中心線からどちらか一方の面までの名目間隔は、したがって約0.4445mm(0.0175インチ)であってもよい(図1A〜図6D)。
The improved method broadly begins with the preparation of a single material, the fragment of which is indicated generally at 21. This material may be a single flat stock, may be unrolled from a coil, or may have some other source or form. The material may be rectangular with a flat upper
この第1の実施例の材料の前縁は、次に、右方向へ(図1Aに示した矢印の方向へ)、一対の上下の第1ロール又は金型22a、22bの間を通され、第1ロール又は金型22a、22bが2次第1模様を材料の上面及び下面にそれぞれ型押しする。2次第1模様が型押しされた後の材料の上面及び下面は、23a、23bでそれぞれ示されている。材料は、次に、右方向へ、第2の対の上下のロール又は金型24a、24bの間を並進させられ、ロール又は金型24a、24bが1次第1模様を材料の上面及び下面にそれぞれ型押しする。
The leading edge of the material of this first embodiment is then passed to the right (in the direction of the arrow shown in FIG. 1A) between a pair of upper and lower first rolls or
図2A及び図3Bは、2次第1模様が型押しされた後の材料の形状及び形態を示している。2次第1模様は、上面図(図2A)で見たときに、互いにかみ合った舗装ブロックが並んだ形状をしているが、断面(図3B)で見たときには、波打つ形状、又は、正弦曲線の形状をしている。 2A and 3B show the shape and form of the material after the secondary first pattern is embossed. The secondary first pattern has a shape in which pavement blocks meshing with each other when viewed in a top view (FIG. 2A), but when viewed in a cross section (FIG. 3B), a wavy shape or a sine curve It has the shape of
図2B及び図3Cは、1次第1模様を無地のストック材の薄板に型押し、2次第1模様を型押していない場合の1次第1模様の形状を示している。図2B及び図3Cに示されているように、1次第1模様は、繰り返される一連のステップ状関数の形をしている。図2B及び3Cでは、材料の上面が25aで示されており、材料の下面が25bで示されている。 2B and 3C show the shape of the primary first pattern when the primary first pattern is embossed on a thin sheet of plain stock material and the secondary first pattern is not embossed. As shown in FIGS. 2B and 3C, the primary first pattern is in the form of a series of repeated step-like functions. In FIGS. 2B and 3C, the upper surface of the material is indicated by 25a and the lower surface of the material is indicated by 25b.
このように、第2の金型を出た材料には、1次第1模様及び2次第1模様を重ねて型押しされている。重ね合わせた1次第1模様及び2次第1模様を含む材料のこれら上面及び下面は、それぞれ、26a、26bで示されている。 In this way, the material exiting the second mold is embossed with the primary first pattern and the secondary first pattern overlapped. These upper and lower surfaces of the material including the superimposed primary first pattern and secondary first pattern are indicated by 26a and 26b, respectively.
図3A〜図3Bに示すように、材料に2次第1模様を型押しするステップは、材料の最小初期領域壁厚を約0.889mm(0.035インチ)から約1.143mm(0.045インチ)まで増大させる。図3A及び図3Cに示すように、最初に供給された材料に1次第1模様を型押しするステップは、初期領域壁厚を約0.889mm(0.035インチ)から約1.27mm(0.050インチ)まで増大させるであろう。しかしながら、図3Dに示すように、1次第1模様を2次第2模様に重ねると、材料の厚さは、2次第1模様でゆがめられているので(すなわち、1.143mm(0.045インチ))、約1.321mm(0.052インチ)という寸法までさらにゆがめられる。 As shown in FIGS. 3A-3B, the step of embossing the secondary first pattern on the material may reduce the minimum initial region wall thickness of the material from about 0.889 inches (0.035 inches) to about 1.143 mm (0.045 inches). Inch). As shown in FIGS. 3A and 3C, the step of embossing the primary first pattern on the initially supplied material is to reduce the initial region wall thickness from about 0.889 mm (0.035 inches) to about 1.27 mm (0 .050 inches). However, as shown in FIG. 3D, when the primary primary pattern is superimposed on the secondary secondary pattern, the thickness of the material is distorted by the secondary primary pattern (ie, 1.145 mm (0.045 inch)). ), And is further distorted to a dimension of about 0.052 inches.
添付図面では、図2A〜図2Cが(寸法6.0×6.0で示すように)同じ縮尺で描かれており、図1Aに示した構造に対して拡大されている。図3A〜図3Dもまた同じ縮尺で描かれており、図2A〜図2Cの縮尺に対してさらに拡大されており、図1A〜図1Bの縮尺に対して著しく拡大されている。 In the accompanying drawings, FIGS. 2A-2C are drawn to the same scale (as shown by the dimensions 6.0 × 6.0) and are enlarged relative to the structure shown in FIG. 1A. 3A-3D are also drawn at the same scale and are further enlarged relative to the scales of FIGS. 2A-2C, and are significantly enlarged relative to the scales of FIGS. 1A-1B.
図4は、2次第1模様がどのように材料に型押しされるかを示している。この目的のために、上ロール22a及び下ロール22bは、一方の頂点が他方の谷と位置が揃うよう互いに縦方向に位置が合わせてある、波打つ正弦曲線を描く2次第1模様を与える。材料21は、2つのロールによって部分的にのみ変形される。したがって、材料は、個別に28で示す、中間弓状凸部で隔てられた、27で示す、一連のくぼみ状の凹部を有することになる。代替工程では、材料を上下のロールの間で完全に変形させる、すなわち、「圧印加工」することもできよう。
FIG. 4 shows how the secondary first pattern is embossed on the material. For this purpose, the
好ましい実施例では、1次及び2次の模様を材料に型押しするステップに材料を冷間加工する効果がある。しかしながら、代替工程では、材料を加熱でき、材料を熱間加工するステップを工程が含むことができる。2次模様は、同じものであっても、互いに異なるものであってもよい。2次模様を材料に型押しするステップは、中心線から、ゆがめられた材料の最も遠い位置までの材料の最大横断寸法を、中心線から、初期表面の最も遠い位置までの最大横断寸法の、1つのケースでは135%、別のケースでは150%、第3のケースでは300%、第4のケースでは700%まで増大させる。1次及び2次の模様を材料に型押しするステップは、ゆがめられた面の一方にある任意の位置から、反対側のゆがめられた面にある最も近い位置まで測定したときの材料の最小寸法を、初期表面の一方にある任意の位置から、反対側の初期表面にある閉じた位置までの最小寸法の、1つのケースでは95%、第2のケースでは50%より減少させない。 In the preferred embodiment, the step of embossing the primary and secondary patterns into the material has the effect of cold working the material. However, in an alternative process, the material can be heated and the process can include hot working the material. The secondary patterns may be the same or different from each other. The step of embossing the secondary pattern into the material includes the maximum transverse dimension of the material from the centerline to the farthest position of the distorted material, and the maximum transverse dimension from the centerline to the farthest position of the initial surface. Increase to 135% in one case, 150% in the other case, 300% in the third case, and 700% in the fourth case. The step of embossing the primary and secondary patterns into the material is the minimum dimension of the material when measured from any position on one of the distorted faces to the closest position on the opposite distorted face Is less than 95% in one case and 50% in the second case of the smallest dimension from any position on one of the initial surfaces to the closed position on the opposite initial surface.
材料の両側に型押しされる1次模様は、同じものであっても、異なるものであってもよい。1次模様を材料に型押しするステップは、中心線から、さらにゆがめられた面のどちらか一方の任意の位置まで測定したときのさらにゆがめられた材料の最小寸法を、中心線から、初期表面のどちらか一方まで測定したときの材料の最小寸法の95%より小さくしない。 The primary pattern embossed on both sides of the material may be the same or different. The step of embossing the primary pattern into the material is to measure the minimum dimension of the further distorted material from the center line to the initial surface when measured from the center line to any position on either side of the distorted surface. No more than 95% of the minimum material dimension when measured to either of these.
材料の両側に型押しされる1次模様は、同じものであっておよいし、異なるものであってもよい。1次模様を材料に型押しするステップは、中心線から、さらにゆがめられた面のどちらか一方にある任意の位置まで測定したときのさらにゆがめられた材料の最小寸法を、中心線から、初期表面のどちらか一方まで測定したときの材料の最小寸法の50%より小さくしない。 The primary pattern embossed on both sides of the material may be the same or different. The step of embossing the primary pattern into the material is the initial measurement of the minimum dimension of the further distorted material from the centerline when measured from the centerline to any position on either side of the distorted surface. No less than 50% of the minimum material dimension when measured to either side of the surface.
一つの側面において、1次模様を各々の面に型押しするステップは、中心線から、さらにゆがめられた材料の最も遠い位置までの寸法をさらに大きくしてもよい。 In one aspect, the step of embossing the primary pattern on each side may further increase the dimension from the centerline to the farthest position of the distorted material.
初期表面は、平坦であっても、何らかの模様、又は、複数の模様が与えられていてもよい。1次模様及び2次模様を材料に型押しするステップは、硬化作業、型打ち作業、圧延作業、プレス加工作業、エンボス加工作業による、又は、何らかの他の種類の工程又は作業によるものであってもよい。同様に、材料には、望まれている型であればどんなものでも、冷却管開口部及び/又はフロー・スルー開口部が備えられてもよい。 The initial surface may be flat or provided with some pattern or a plurality of patterns. The step of embossing the primary pattern and the secondary pattern onto the material may be by a curing operation, a stamping operation, a rolling operation, a pressing operation, an embossing operation, or by some other type of process or operation. Also good. Similarly, the material may be provided with a cooling tube opening and / or a flow through opening of any desired type.
本方法は、最も近い端部が互いに隣り合って位置するように表面改善壁部を曲げ、材料の最も近い端部を溶接などで接合して表面改善管を形成する追加的なステップをさらに含んでもよい。本方法は、材料に穴を通すさらなるステップを含んでもよい。 The method further includes the additional steps of bending the surface improvement wall so that the closest ends are adjacent to each other and joining the closest ends of the material, such as by welding, to form a surface improvement tube. But you can. The method may include a further step of passing a hole through the material.
前述したように、表面改善壁部は、熱交換器、何らかの種類の流体処理装置、又は、さらに別の形式の装置に同様に取り付けてもよい。 As previously described, the surface improvement wall may be similarly attached to a heat exchanger, some type of fluid treatment device, or yet another type of device.
1次模様は、方向性があっても、方向性がなくてもよい。表面改善壁部は、以下のASME/ASTM規格、すなわち、A249/A、A135、A370、A751、E213、E273、E309、E1806、A691、A139、A213、A214、A268、A269、A270、A312、A334、A335、A498、A631、A671、A688、A691、A778、A299/A、A789、A789/A、A789/M、A790、A803、A480、A763、A941、A1016、A1012、A1047/A、A250、A771、A826、A851、B674、E112、A370、A999、E381、E426、E527、E340、A409、A358、A262、A240、A537、A530、A435、A387、A299、A204、A20、A577、A578、A285、E165、A380、A262、及び、A179の少なくとも1つを満たす。上記規格の各々は、参照することによりここに組み入れられる。 The primary pattern may be directional or non-directional. The surface improvement wall has the following ASME / ASTM standards: A249 / A, A135, A370, A751, E213, E273, E309, E1806, A691, A139, A213, A214, A268, A269, A270, A312, A334. A335, A498, A631, A671, A688, A691, A778, A299 / A, A789, A789 / A, A789 / M, A790, A803, A480, A763, A941, A1016, A1012, A1047 / A, A250, A771 A826, A851, B674, E112, A370, A999, E381, E426, E527, E340, A409, A358, A262, A240, A537, A530, A435, A387, A299, A204, A 0, A577, A578, A285, E165, A380, A262, and satisfies at least one of A179. Each of the above standards is hereby incorporated by reference.
材料は、その初期表面の一方の少なくとも一部分にコーティング(たとえば、メッキなど)が施されてもよく、又は、このような初期表面は、化学的に処理(たとえば、電解研磨されるなど)されてもよい。このようなコーティング及び/又は化学的処理は、材料に改善された表面を形成する前、途中、又は、後に施してもよい。本明細書で用いる場合、「部分」という用語は、0〜100%の範囲を含む。 The material may be coated (eg, plated, etc.) on at least a portion of one of its initial surfaces, or such initial surface may be chemically treated (eg, electropolished, etc.). Also good. Such coating and / or chemical treatment may be applied before, during, or after forming an improved surface on the material. As used herein, the term “portion” includes a range of 0-100%.
本発明はまた、鍛造法によって形成される表面改善壁部を含む。 The present invention also includes a surface improvement wall formed by a forging method.
図5A〜図5Dは、2点間壁厚が本方法のさまざまな段階でどのように測定されるかを示している。本明細書で使用する場合、「2点間壁厚」という用語は、材料の一方の面のある位置から、材料の反対側の面の最も近い位置までの材料の厚みを意味する。したがって、図5Aは、マイクロメータが、平坦面21a,21bの間の初期の厚さを測定しているところを示している。図5Bは、マイクロメータが、2次第1模様が型押しされた後の壁厚を測定しているところを示している。この図は、2つの測定方向を概略的に示しており、一方は垂直厚みについてであり、他方は斜めであり、測定された2つの厚さの小さい方を使用できるようにしている。図5Cは、1次模様が材料に型押しされている場合に、2点間壁厚がどのように測定されるかを示している。最後に、図5Dは、マイクロメータが、1次第1模様及び2次第1模様が型押しされた後の材料の2点間壁厚を測定しているところを示している。ここでも再び、測定された2つの厚さの小さい方が、最小壁厚の測定値として使用される。マイクロメータの向きについてのこれら2つの実例は、可能性のある全ての向きを網羅したものではない。
Figures 5A-5D show how the wall thickness between two points is measured at various stages of the method. As used herein, the term “two-point wall thickness” means the thickness of a material from a location on one side of the material to the nearest location on the opposite side of the material. Thus, FIG. 5A shows the micrometer measuring the initial thickness between the
図6A〜図6Dは、材料の領域厚さが本方法を実行しているさまざまな段階でどのように測定されるかを示している。厚さは、両面の頂点間の距離を測定することにより測定され、また、普通は、2つの面の各々に沿っていくつかの頂点を取り囲むことによって測定される。したがって、図6Aは、マイクロメータが、平坦な上面21a及び下面21bを有する、最初に供給された材料の厚みを測定しているところを示している。これらの面は平坦であるので、マイクロメータは、その間の距離を簡単に測定できる。図6Bは、マイクロメータが、2次第1模様が型押しされた後に、材料の厚みを測定しているところを示している。マイクロメータは、両方の面の振幅の頂点間の厚さを測定している点に留意しなければならない。図6Cは、最初に与えられた材料に1次第1模様が型押しされたとした場合に、マイクロメータが材料の厚さを測定しているところを示している。この図では、マイクロメータは、再び、面に型押しされた複数の特徴部の端から端までの頂点間厚さを測定している。最後に、図6Dは、マイクロメータが、1次第1模様及び2次第2模様が型押しされた後の材料の壁厚を測定しているところを示している。
Figures 6A-6D show how the region thickness of the material is measured at various stages during the performance of the method. Thickness is measured by measuring the distance between the vertices on both sides, and is usually measured by surrounding several vertices along each of the two faces. Thus, FIG. 6A shows the micrometer measuring the thickness of the initially supplied material having a flat
「2点間壁厚」は、一方の面のある位置から、反対側の面の最も近い位置までの材料の厚さを意味するので、このような寸法を垂直方向とさまざまな角度の両方で測定して、最小の厚さがいずれであるかを決定することがときとして必要である。しかしながら、「領域厚さ」は、一方の面にある頂点から、反対側の面にある頂点までの寸法をいうので、これは、普通、垂直に測定できる。「領域厚さ」は、好ましくは、各面の複数の頂点を取り囲む。 “Between two points” means the thickness of the material from one location on one side to the nearest location on the opposite side, so such dimensions can be measured both vertically and at various angles. It is sometimes necessary to measure and determine what the minimum thickness is. However, “region thickness” refers to the dimension from the apex on one side to the apex on the opposite side, so this can usually be measured vertically. The “region thickness” preferably surrounds a plurality of vertices on each face.
1次第2模様と呼ばれる第2の1次模様が図7A〜図7Cに示されており、30で全体が示されている。この模様は、直立したハニカムにいくらか似ており、上面31a及び下面31bを有する。この模様は、縦方向に方向性があるが、横方向に方向性がない。縦及び横の横断面図が図7B〜図7Cに示されている(図7A〜図7C)。
A second primary pattern, referred to as the primary second pattern, is shown in FIGS. 7A-7C and is shown generally at 30. This pattern is somewhat similar to an upright honeycomb and has an
図8A〜図8Cは、1次第3模様と呼ばれる別の筋状の1次模様を示している。この模様は、32で全体が示されている。この模様は、縦方向に方向性があるが、横方向に方向性がない。縦及び横の横断面図が図8B〜図8Cに示されている。この模様は、その上面及び下面の2つの直交する横断方向の各々に、さまざまな周期ではあるが、正弦曲線の起伏を有する(図8A〜図8C)。 8A to 8C show another streaky primary pattern called a primary third pattern. This pattern is shown generally at 32. This pattern is directional in the vertical direction but not directional in the horizontal direction. Vertical and horizontal cross-sectional views are shown in FIGS. 8B-8C. This pattern has sinusoidal undulations in each of two orthogonal transverse directions on its upper and lower surfaces, albeit with different periods (FIGS. 8A-8C).
図9A〜図9Cは、2次第2模様と呼ばれる、別の2次模様を示している。この模様は、一方の面にある一連のくぼみ状のへこみ部と、反対側の面にある縦方向に位置を合わせた凸部とから構成されている。これらのくぼみ部は、要望に応じて、千鳥状にすることも、一列に並べることもできる。この模様は、図9Aにおいて34で全体が示されており、上面35aを有するように示されている(図9A〜図9C)。
9A to 9C show another secondary pattern called a secondary secondary pattern. This pattern is composed of a series of indentations on one surface and convex portions aligned in the vertical direction on the opposite surface. These indentations can be staggered or lined up as desired. This pattern is shown generally at 34 in FIG. 9A and is shown having an
図9B〜図9Cは、図9Aに示した模様の密度の変形形態を示している。図9Aでは、模様は34’で示されており、上面は35a’で示されている。図9Aに示した模様34でのくぼみ状特徴部の面密度は、図9Bに示した変更された模様34’に対する面密度の0.5倍であり、図9Cに示したさらに変更された模様34’’に対する面密度の0.25倍である。したがって、図9Bにおけるくぼみ状特徴部の面密度は、図9Aに示した面密度の2倍である。同様に、図9Cにおけるくぼみ状特徴部の面密度は、図9Bにおける特徴部の面密度の2倍であり、図9Aに示した特徴部の面密度の4倍である。
9B to 9C show variations of the density of the pattern shown in FIG. 9A. In FIG. 9A, the pattern is indicated by 34 'and the upper surface is indicated by 35a'. The area density of the concave feature in the
図9A〜図9Cは、6.0×6.0の寸法で示されているように、同じ縮尺で描かれている。 9A-9C are drawn to the same scale, as shown by the dimensions of 6.0 × 6.0.
図10A〜図10Cは、1次第4模様と呼ばれる、別の、山形状の1次模様を示している。この模様は、横方向及び縦方向の両方において方向性がない。模様は、36で全体が示されており、上面38a及び下面38bを有する(図10A〜図10C)。
FIGS. 10A to 10C show another mountain-shaped primary pattern called a primary fourth pattern. This pattern is not directional in both the horizontal and vertical directions. The pattern is shown generally at 36 and has an
図11A〜図11Cは、2次第2模様と呼ばれる、材料に型押しされた2次模様の別の形式を示している。この形式では、個々のくぼみ部又は特徴部がいくらか楕円形状をしている。くぼみ部の周期が、図11B〜図11Cに示すように、2つの直交方向で異なることに留意しなければならない。この模様は、39で全体が示されており、上面40a及び下面40bがあるように示されている(図11A〜図11C)。
FIGS. 11A-11C show another form of secondary pattern embossed with material, called secondary secondary pattern. In this form, the individual indentations or features are somewhat elliptical. It should be noted that the indentation period is different in the two orthogonal directions as shown in FIGS. 11B-11C. This pattern is shown generally at 39, with an
図12A〜図12Cは、2次第3模様と呼ばれる、さらに別の種類の2次模様を示している。この模様のくぼみ部又は特徴部は、いくらかレモン形状をしているように見える。ここでもまた、模様の周期が、図12B〜図12Cに示すように、2つの直行している横断方向の各々において異なっている点に留意しなければならない。この模様は、41で全体が示されており、上面42a及び下面42bがあるように示されている(図12A〜図12C)。
12A to 12C show yet another type of secondary pattern called a secondary third pattern. This pattern of indentations or features appears to have some lemon shape. Again, it should be noted that the pattern period is different in each of the two orthogonal transverse directions, as shown in FIGS. 12B-12C. This pattern is shown generally at 41, with an
図13A〜図13Bは、1次第6模様と呼ばれる、方向性のある模様を示すのに用いられる。この模様は、43で全体が示されており、上面44a及び下面44bがあるように示されている。模様は、図13Bに示すように、両面に一連のステップ関数を有するように見えることに留意しなければならない。特徴部は、一方の面の各突出部が、他方の面のへこみ部に対応するように位置が合わせてある点にも留意しなければならない。この模様は、横方向に方向性があるが、縦方向にはない(図13A〜図13B)。
13A to 13B are used to show a directional pattern called a primary sixth pattern. This pattern is shown generally at 43, with an
図14A〜図14Cは、1次第7模様と呼ばれる、材料に型押しされた十字模様を示している。この模様は、45で全体が示されており、上面46a及び下面46bがあるように示されている。この模様は、横方向及び縦方向の両方に方向性がある(すなわち、中断されていない)。特徴部の周期が2つの直行する横断方向の両方において同じであることに留意しなければならない(図14A〜図14C)。
14A to 14C show a cross pattern embossed on a material, called a first-order seventh pattern. This pattern is shown generally at 45, with an
図15A〜図15Cは、繰り返してはいるが不規則な小石状で、方向性がなく、材料に型押しされた2次模様を示している。この模様は、2次第4模様と呼ばれている。この模様は、48で全体が示されており、上面49a及び下面49bを有する。直交軸における断面が図15B〜図15Cにそれぞれ示されている。図15B〜図15Cにおいて、一方の面のへこみ部が、他方の面の突出部と縦方向に位置が合っていることに留意しなければならない。この模様は、横方向及び縦方向の各々において、その模様が中断しているという意味で方向性がない。本明細書で使用する場合、模様についての「方向性」という用語は、その模様の並びが連続的であって、ある方向に沿って中断していないことを意味し、これに対して、「方向性がない」という用語は、その模様は繰り返していてもよいが、その模様の並びがある方向に沿って中断していることを意味する(図15A〜図15C)。
15A-15C show secondary patterns that are repeated but irregular pebbles, have no directionality, and are embossed into the material. This pattern is called a secondary fourth pattern. This pattern is shown generally at 48 and has an
図16A〜図16Cは、さらに別のハニカム状の方向性のない2次模様を示しており、材料に型押しされた2次第5模様と呼ばれている。この模様は、50で全体が示されており、上面51a及び下面51bがあるように示されている。この模様は、横方向及び縦方向に方向性がない(図16A〜図16C)。
表面改善管を作る方法(図17)
FIGS. 16A to 16C show another honeycomb-shaped non-directional secondary pattern, which is called a secondary fifth pattern embossed on the material. This pattern is shown generally at 50, with an
How to make a surface improvement tube (Figure 17)
図17は、改善された表面を有する円管を作る一方法を示す。この工程によれば、1次及び2次の模様(また、任意選択で、冷却管及びフロー・スルー開口部が望ましいどんなものでも)を有するコイル52が広げられる。材料の前縁は、53で個々に示されている一連のローラ及びローラ金型を通過し、平坦な薄板材は、この中で丸められて円管になり、2つの長手方向端部が互いに密接に隣接する、又は、好ましくは当接するように配置される。丸められた管は、次に、予備加熱器54及び溶接器55に通されて、長手方向端部を溶接される。溶接された管は、次に、2次加熱器56に通されて、溶接部及び材料が焼きなまされ、次に、冷却器58で冷却される。冷却した溶接済みの管は、次に、ばり取り装置に通されて、溶接端部が滑らかにされ、ローラ60、60によって右方向へさらに送られる。
円管(図18A〜図18C)
FIG. 17 illustrates one method of making a circular tube with an improved surface. This process unfolds the
Circular pipe (FIGS. 18A to 18C)
管は、さまざまな形状及び断面を有してもよい。図18A〜図18Cは、図17に示した工程で製作しうる1本の溶接された円管を示す。管は、62で全体が示されており、1次模様及び2次模様があるように示されている。図18Bに最もよく示されているように、管62は、壁部が薄い、円形の横断面を有する。
The tube may have various shapes and cross sections. 18A to 18C show one welded circular tube that can be manufactured by the process shown in FIG. The tube is shown generally at 62, with a primary pattern and a secondary pattern. As best shown in FIG. 18B, the
管の外側壁部は、コーティング63が施されているようにも示されている。このコーティングは、メッキであっても、何らかの他の形式のコーティング又は積層部であってもよい。このコーティングは任意であり、本明細書に開示したどの改善された表面に設けてもよい。コーティングは、要望に応じて、管の内側又は外側の面に設けることができる。
矩形管(図19A〜図19C)
The outer wall of the tube is also shown as having a
Rectangular tube (FIGS. 19A to 19C)
前述したように、全ての管が円形横断面を有するのではない。管によっては、楕円形断面、多角形断面、又は同様のものを有する。 As previously mentioned, not all tubes have a circular cross section. Some tubes have an elliptical cross section, a polygonal cross section, or the like.
図19A〜図19Cは、略矩形の横断面を有し、1次模様及び2次模様が内側面及び外側面にある管64を示す。この管は、要望があれば、コーティング付きで形成しても、化学的に処理をしてもよい。
U字形管(図20A〜図20C)
19A-19C show a
U-shaped tube (FIGS. 20A to 20C)
図20A〜図20Cは、立面図で見たときにU字形となるように曲げられた円管を示す。このチューブは、65で全体が示されており、1次模様及び2次模様を内側面及び外側面に有する。
円管から形成されたコイル(図21A〜図21D)
20A-20C show a circular tube bent into a U shape when viewed in elevation. This tube is generally indicated at 65 and has a primary pattern and a secondary pattern on the inner and outer surfaces.
Coil formed from a circular tube (FIGS. 21A to 21D)
図21A〜図21Dは、1本の円管から形成された、らせん状に巻かれたコイルを示す。このコイルは、68で全体が示されており、1次模様及び2次模様を内側面及び外側面に有する。
表面改善フィンの製造方法(図22)
FIGS. 21A-21D show a spirally wound coil formed from a single circular tube. This coil is shown generally at 68 and has a primary pattern and a secondary pattern on the inner and outer surfaces.
Manufacturing method of surface improvement fin (FIG. 22)
図22は、表面改善フィンを形成するための一工程の模式図である。この工程では、1次模様及び2次模様がある材料のコイル68が広げられる。材料の前縁は、遊びローラ69a、69b、c9cをまわり、次に、対向する一対のローラ金型70a、70bの間を通り、ローラ金型70a、70bは、材料の型抜きをする、又は、さまざまな穴(たとえば、望まれている型の冷却管孔及び/又はフロー・スルー孔であればなんでも)を形成する。前縁は、次に、第2の一対のローラ金型71a、71bに通され、ローラ金型71a、71bは、材料にフランジ部を形成する。前縁は、次に、切り離し剪断機72の下を通され、ここで、73で個別に示されている個々のフィンが、ロール材から切り取られる。これらのフィンは、ローラ74の作用により、右方向に移動する。
冷却管開口部及びフロー・スルー開口部を有するフィン(図23A〜図25E)
FIG. 22 is a schematic diagram of one process for forming the surface improvement fin. In this step, the
Fins with cooling pipe openings and flow through openings (FIGS. 23A-25E)
図23A〜図25Eは、1次模様及び2次模様のさまざまな組み合わせを有し、且つ、冷却管開口部及びいろいろな大きさのフロー・スルー開口部を有する改良されたフィンのさまざまな形式を示している。 FIGS. 23A-25E show various types of improved fins having various combinations of primary and secondary patterns and having cooling tube openings and various sized flow through openings. Show.
フィンの第1の形式が、図23A〜図23Bにおいて、75で全体が示されている。この第1の形式では、第1模様及び第2模様の個々の特徴部が76’、76’’でそれぞれ示されている。冷却管開口部(すなわち、さまざまな冷却管(不図示)を通せるようにするためのフィンにある開口部)が、77で個別に示されており、比較的小さいフロー・スルー開口部が78で個別に示されている。 A first type of fin is shown generally at 75 in FIGS. 23A-23B. In this first form, the individual features of the first pattern and the second pattern are indicated by 76 ', 76 ", respectively. Cooling tube openings (i.e., openings in fins to allow passage of various cooling tubes (not shown)) are individually shown at 77 and relatively small flow-through openings are 78. Are shown individually.
フィンの第2の形式が、図24A〜図24Bにおいて、79で全体が示されている。この第2の形式では、第1模様及び第2模様の個々の特徴部が、再度、76’、76’’でそれぞれ示されている。冷却管開口部、及び、比較的小さいフロー・スルー開口部が、再度、それぞれ77、78で示されている。第2のフィン78の方が薄く、第1のフィン75よりも深くゆがめられている点に留意しなければならない。
A second type of fin is shown generally at 79 in FIGS. 24A-24B. In this second form, the individual features of the first pattern and the second pattern are again indicated by 76 ', 76 ", respectively. The cooling tube opening and the relatively small flow through opening are again shown at 77 and 78, respectively. It should be noted that the
5つの異なるフィンが図25A〜図25Eに示されている。これらの図の各々において、冷却管開口部又は穴が77で示されている。これら5つの図の顕著な相違は、フロー・スルー開口部の大きさ及び形態にある。図25Aでは、79で全体が示されているフィンの第3の形式が、80で個別に示した複数の小型フロー・スルー開口部を有するものとして示されている。図25Bでは、79’で全体が示されているフィンの第4の形式が、80’で個別に示した中型フロー・スルー開口部を有するものとして示されている。図25Cでは、79’’で全体が示されているフィンの第5の形式が、80’’で個別に示した大型フロー・スルー開口部を有するものとして示されている。図25Dは、小、中,大のフロー・スルー開口部のさまざまな縦柱状部を有するフィンの第6の形式を示している。図25Eは、小、中,大のフロー・スルー開口部の別の組み合わせを有するフィンの第7の形式を示している。これらの場合の各々において、フィンに1次模様及び2次模様がある。
改良された熱交換器(図26)
Five different fins are shown in FIGS. 25A-25E. In each of these figures, a cooling tube opening or hole is shown at 77. The notable difference between these five figures is the size and form of the flow-through opening. In FIG. 25A, a third type of fin, indicated generally at 79, is shown as having a plurality of small flow-through openings, individually indicated at 80. In FIG. 25B, a fourth type of fin, indicated generally at 79 ', is shown as having a medium flow through opening, individually indicated at 80'. In FIG. 25C, a fifth form of fin, indicated generally at 79 ″, is shown as having a large flow through opening, individually indicated at 80 ″. FIG. 25D shows a sixth form of fin with various vertical columns of small, medium and large flow-through openings. FIG. 25E shows a seventh type of fin having another combination of small, medium and large flow through openings. In each of these cases, the fin has a primary pattern and a secondary pattern.
Improved heat exchanger (Figure 26)
81で全体が示されている改良された熱交換器が、外殻82を有するものとして、図26に示されている。蛇行する表面改善熱伝達管83が、殻にある高温注入口と高温排出口の間に延びている。冷たい流体が、低温注入口を介して殻に入れられ、管の周りを低温排出口へ向かって流れ、低温排出口を通って殻から出る。注入口及び排出口の接続部及び/又は管の幾何学的構造は、要望に応じて変更してもよい。
改良された冷却器(図27A〜図27E)
An improved heat exchanger, indicated generally at 81, is shown in FIG. 26 as having an
Improved cooler (FIGS. 27A-27E)
図27A〜図27Eは、改良された冷却器を描いており、84で全体が示されている。この冷却器は、85で個別に示す複数の表面改善管を有するものとして示されており、複数の表面改善管は、底部86を貫通し、88で個別に示す、縦方向に間隔をおいて配置された複数のフィンを通って上方へと上っている。管は、蛇行するようにフィンの中を曲がって進む。ここでも、流体接続部及び/又は管の幾何学的構造は、要望に応じて変更してもよい。各フィンは、管を通せるようにするために、複数の冷却管開口部を有するものとして示されている。各フィンには、1次模様及び2次模様があり、任意であるが、望まれる型であればなんでも、多数のフロー・スルー開口部があってもよい。 FIGS. 27A-27E depict an improved cooler, generally indicated at 84. The cooler is shown as having a plurality of surface improvement tubes, indicated individually at 85, which are spaced longitudinally through the bottom 86 and individually indicated at 88. It goes up through the plurality of fins arranged. The tube goes around the fins to meander. Again, the fluid connection and / or tube geometry may be varied as desired. Each fin is shown as having a plurality of cooling tube openings to allow passage of the tube. Each fin has a primary pattern and a secondary pattern, which are optional, but may have any number of flow through openings as long as they are of the desired type.
図27Aは、冷却器底部の平面図を示す。図27Bは、概して図27Aの線27B−27Bでとられた、冷却器の部分縦断面図であり、管がフィンにある整列した冷却管開口部を上下に通っているところを示している。図27Cは、冷却器の側面図である。図27Dは、概して図27Cの線27D−27Dでとられた、冷却器の部分横断面図であり、フィンの1つの底部平面図を示している。最後に、図27Eは、フィンの右下部分の拡大詳細図であり、この図は、図27D内で示す円内からとったものである。
改良された流体流動容器(図28)
FIG. 27A shows a plan view of the bottom of the cooler. FIG. 27B is a partial longitudinal section view of the cooler, generally taken at
Improved fluid flow container (FIG. 28)
改良された流体流動容器が図28において90で全体が示されている。この容器は、91で全体が示されている処理塔を含むものとして示されており、処理塔は、92で個別に示されている、複数の縦方向に間隔をあけて配置された表面改善壁部を含む。蒸気は、さまざまな壁部を順次通過しながら塔の中を上方へ上っていき、液体は、同様にさまざまな壁部を通過しながら塔の中を下っていく。塔の最上部の蒸気は、導管93を介して凝縮器94へ進む。液体は、塔内の一番上の部屋に導管95によって戻される。処理塔の底部では、集められた液体が、導管96を介して、表面改善再沸騰器98へ供給される。この再沸騰器を出ていく蒸気は、導管99を介して、塔の一番下の部屋へ供給される。
改良された熱交換器平板(図29A〜図29B)
An improved fluid flow container is shown generally at 90 in FIG. This vessel is shown as including a processing tower generally indicated at 91, which is a plurality of longitudinally spaced surface improvement, indicated individually at 92. Includes walls. Vapor goes up through the tower as it sequentially passes through the various walls, and liquid goes down through the tower as it passes through the various walls. The vapor at the top of the column proceeds to condenser 94 via
Improved heat exchanger plate (FIGS. 29A-29B)
図29Aは、100で全体が示されている、改良された熱交換器平板を示す。複数のこのような平板が互いの上に積み重ねられてもよく、隣接する平板がガスケット(不図示)によって密閉状態で分離されて、間に流路を画定してもよい。図29Bは、熱伝達を促進するために、熱交換器平板の部分々々に改善された表面があってもよいことを示している。図29Bは、平板の図示した部分に1次模様101及び2次模様102があってもよいことを明確に示している。
FIG. 29A shows an improved heat exchanger plate, indicated generally at 100. A plurality of such flat plates may be stacked on top of each other and adjacent flat plates may be sealed off by a gasket (not shown) to define a flow path therebetween. FIG. 29B shows that there may be improved surfaces on portions of the heat exchanger plate to facilitate heat transfer. FIG. 29B clearly shows that there may be a
したがって、本発明は、処理を行う装置において使用する表面改善壁部を形成する改良された方法、改良された表面改善壁部、及びその使い方を広く提供するものである。
変更
Accordingly, the present invention broadly provides an improved method of forming a surface improvement wall for use in an apparatus for processing, an improved surface improvement wall, and uses thereof.
Change
本発明は、多くの変更及び修正がなされうることを予期している。たとえば、材料をステンレススチールから形成することが好ましいであろうが、他の種類の材料(たとえば、アルミニウム、チタン、銅等のさまざまな合金、又は、さまざまなセラミックス)を使用してもよい。材料は均一であっても、不均一であってもよい。材料は、本明細書に記載の方法の前、途中、又は、後にコーティング又は化学的処理が施されてもよい。前述したように、1次模様及び2次模様は、さまざまな異なる形状及び形態にあり、一部は規則性及び方向性があり、他はなくてもよい。同じ種類又は形態の特徴部を1次模様及び2次模様に使用し、違いが、このような特徴部の深さ及び/又は面密度にあってもよい。本明細書に記載のさまざまな熱交換機器は、それ自体で、単独で完成したものであっても、より大きな機器の一部であり、示されたものと異なる形状を有してもよい。 The present invention contemplates that many changes and modifications may be made. For example, it may be preferable to form the material from stainless steel, but other types of materials (eg, various alloys such as aluminum, titanium, copper, or various ceramics) may be used. The material may be uniform or non-uniform. The material may be coated or chemically treated before, during, or after the methods described herein. As described above, the primary pattern and the secondary pattern are in various different shapes and forms, some are regular and directional, and others may be absent. Features of the same type or form may be used for primary and secondary patterns, and the difference may be in the depth and / or surface density of such features. The various heat exchange devices described herein may be completed by themselves or may be part of a larger device and have a different shape than that shown.
したがって、改良された方法及び装置を示し、説明し、またいくつかの修正及び変更について論じたが、当業者は、以下の特許請求の範囲によって定義され、区別される、本発明の精神から逸脱することなく、さまざまな変更及び修正をさらに行いうることを容易に理解するであろう。 Thus, while improved methods and apparatus have been shown and described, and several modifications and changes have been discussed, those skilled in the art will depart from the spirit of the invention as defined and differentiated by the following claims. It will be readily appreciated that various changes and modifications may be made without doing so.
Claims (47)
両側に初期表面を有する1本の材料を用意するステップであって、前記材料が前記初期表面の間の実質的に中ほどに位置する長手方向中心線を有し、前記材料が、前記中心線から、前記初期表面のどちらか一方の、前記中心線から最も遠くにある位置まで測定された初期横断寸法を有し、前記初期表面の各々が初期面密度を有し、前記面密度が単位投影表面積あたりの表面にある特徴部の数として定義される、ステップと、
2次模様面密度を有する2次模様を前記初期表面の各々に型押しして、前記材料をゆがめ、且つ、前記表面の各々の面密度を増大させ、且つ、前記中心線からこのようなゆがめられた材料の最も遠い位置までの前記材料の横断寸法を増大させるステップと、
1次模様面密度を有する1次模様をこのようなゆがめられた表面の各々に型押しして、前記材料をさらにゆがめ、且つ、各々の前記表面の面密度をさらに増大させるステップと、を含み、
これにより、処理を行うための装置で使用する表面改善壁部を提供する、方法。 In a method of forming a surface improvement wall for use in an apparatus for processing,
Providing a single material having an initial surface on both sides, said material having a longitudinal centerline located substantially midway between said initial surfaces, said material being said centerline To an initial transverse dimension measured from one of the initial surfaces to a position furthest from the centerline, each of the initial surfaces having an initial surface density, and the surface density is a unit projection. A step, defined as the number of features on the surface per surface area;
A secondary pattern having a secondary pattern surface density is embossed on each of the initial surfaces to distort the material and to increase the surface density of each of the surfaces and to distort such a centerline. Increasing the transverse dimension of the material to the farthest location of the formed material;
Embossing a primary pattern having a primary pattern surface density on each such distorted surface to further distort the material and further increase the surface density of each of the surfaces. ,
This provides a surface improvement wall for use in an apparatus for processing.
前記材料を冷間加工する追加のステップを含む、請求項1に記載の方法。 Embossing the secondary pattern on each of the initial surfaces,
The method of claim 1, comprising the additional step of cold working the material.
前記材料を冷間加工する追加のステップを含む、請求項1に記載の方法。 Embossing the primary pattern on each of the distorted surfaces comprises:
The method of claim 1, comprising the additional step of cold working the material.
前記材料の最も近い端部を接合する追加のステップと、をさらに含み、
これにより表面改善管を形成する、請求項1に記載の方法。 An additional step of bending the surface improvement wall so that the closest ends are located adjacent to each other;
An additional step of joining the closest ends of the material; and
The method of claim 1, whereby a surface improvement tube is formed.
前記材料の最も近い端部を溶接して接合するさらなるステップ、を含む、請求項20に記載の方法。 Joining the nearest ends of the materials comprises:
21. The method of claim 20, comprising the further step of welding and joining the closest ends of the material.
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 An additional step of passing a hole through the material,
The method of claim 1, further comprising:
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 The method of claim 1, further comprising the additional step of attaching the surface improvement wall to a heat transfer device.
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 The method of claim 1, further comprising the additional step of attaching the surface improvement wall to a fluid treatment device.
両側に初期表面を有する1本の材料であって、前記初期表面の間の実質的に中ほどに位置する長手方向中心線を有し、前記中心線から、前記初期表面のどちらか一方にあり、前記中心線から最も遠くにある位置まで測定された初期横断寸法を有し、前記初期表面の各々が初期面密度を有し、前記面密度が単位投影表面積あたりの表面にある特徴部の数として定義される、材料と、
2次模様面密度を有し、前記初期表面の各々に型押しされた2次模様であって、前記材料をゆがめ、且つ、前記表面の各々の面密度を増大させ、且つ、前記中心線からこのようなゆがめられた材料の最も遠い位置までの前記材料の横断寸法を増大させる、2次模様と、
1次模様面密度を有し、このようなゆがめられた表面の各々に型押しされ、前記材料をさらにゆがめ、前記表面の各々の面密度をさらに増大させる1次模様と、を備える、表面改善壁部。 In the surface improvement wall used in the apparatus for processing,
A material having an initial surface on both sides, having a longitudinal centerline located substantially midway between the initial surfaces, from the centerline to either of the initial surfaces The number of features having an initial transverse dimension measured to a position furthest from the centerline, each of the initial surfaces having an initial surface density, wherein the surface density is on the surface per unit projected surface area Defined as a material, and
A secondary pattern having a secondary pattern surface density, embossed on each of the initial surfaces, distorting the material, increasing the surface density of each of the surfaces, and from the centerline A secondary pattern that increases the transverse dimension of the material to the farthest location of such warped material;
A surface improvement comprising: a primary pattern having a primary pattern surface density, embossed on each such distorted surface, further distorting the material and further increasing the surface density of each of the surfaces Wall.
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