JP2012033823A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

発光装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012033823A
JP2012033823A JP2010173852A JP2010173852A JP2012033823A JP 2012033823 A JP2012033823 A JP 2012033823A JP 2010173852 A JP2010173852 A JP 2010173852A JP 2010173852 A JP2010173852 A JP 2010173852A JP 2012033823 A JP2012033823 A JP 2012033823A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting element
wavelength conversion
light
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010173852A
Other languages
English (en)
Inventor
Kozaburo Ito
功三郎 伊藤
Toshihiro Seko
利裕 世古
Kazuhiko Ueno
一彦 上野
Naoto Suzuki
直人 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP2010173852A priority Critical patent/JP2012033823A/ja
Priority to US13/196,868 priority patent/US8921877B2/en
Priority to CN201110219868.7A priority patent/CN102347427B/zh
Publication of JP2012033823A publication Critical patent/JP2012033823A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】薄い波長変換層を備えた発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】所定の粒径の粒子状のスペーサー13bと、粒子状のスペーサーよりも小さい粒径の蛍光体粒子13aとが分散された未硬化の基材ペースト13を間に挟んで、発光素子11と光学部材14を重ね合わせる。これにより、粒子状のスペーサー13bを発光素子の上面と光学部材の下面との間に挟み込み、粒子状のスペーサー13bの粒径で規定された未硬化の基材ペースト層13を形成する。未硬化の基材ペースト層13を硬化させ、波長変換層13を形成する。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光素子からの光を波長変換層で変換する発光装置およびその製造方法に関する。
発光素子からの光の一部を蛍光体で異なる波長の光に変換し、発光素子からの光と混合して出射する発光装置が知られている。このような発光装置の波長変換層の形成方法としては、蛍光体粒子を分散した樹脂を発光素子の上面に塗布または印刷する方法や、ホーン内へ注入する方法が用いられている。
例えば、特許文献1には、ホーン内に複数の発光素子を並べて配置し、ホーン内を蛍光体分散樹脂で充填した構造が開示されている。特許文献2には、発光素子の上面に蛍光体分散樹脂層をポッティングし、ドーム状に盛り上げた構造が開示されている。特許文献3には、ステンシル印刷等の印刷手法により、発光素子の上面および側面を覆うように蛍光体分散樹脂層を形成した構成が開示されている。
蛍光体分散樹脂層を波長変換層として用いる発光装置では、蛍光体分散樹脂層に含まれる蛍光体の量により波長変換される光の量が変化するため、所望の色度の発光を得るためには、蛍光体分散樹脂層の蛍光体濃度に応じて蛍光体分散樹脂層の厚さを設計し、その厚さになるように蛍光体分散樹脂層を形成する必要がある。
特開2006−48934号公報 特開2009−135136号公報 特開2010−118531号公報
従来の塗布、印刷、ホーン内への注入等の手法により形成される蛍光体分散樹脂層は、その厚みに十数%程度の製造誤差が生じる。
近年、蛍光体分散樹脂層の蛍光体濃度を従来よりも高濃度(例えば50%以上)にすることにより、色変換効率が大幅に向上し、発光効率が向上することが明らかになっている。高い蛍光体濃度の蛍光体分散樹脂層を用いる場合、所望の色度を得るためには、従来よりも薄い蛍光体分散樹脂層を厚み方向について高精度に形成する必要がある。
しかしながら、従来の塗布、印刷、注入等の手法では十数%程度の厚みの誤差が生じるため、高濃度の蛍光体分散樹脂層を形成した場合、色度のバラつきが大きくなり、所望の色度の発光装置を高い製造効率で製造することは困難である。
本発明の目的は、薄い波長変換層を備えた発光効率の高い発光装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の第1の態様では、以下のような発光装置が提供される。すなわち、本発明の発光装置は、基板と、基板上に実装された発光素子と、発光素子上に配置された波長変換層と、波長変換層の上に搭載された下面が平坦な光学部材とを有する。波長変換層は、蛍光体粒子と、粒子状のスペーサーと、これらが分散された基材とを含む。蛍光体粒子の粒径は、粒子状のスペーサーの粒径よりも小さく、粒子状のスペーサーは、発光素子の上面と光学部材の下面との間に挟まれ、波長変換層の厚さを規定している。
粒子状のスペーサーは、発光素子の上面に3個以上配置されていることが望ましい。
粒子状のスペーサーは、例えば、発光素子の発する光に対して透明なものを用いる。粒子状のスペーサーには、蛍光体が含有されていてもよい。
光学部材の平坦な下面には、光を制御するための微細な凹凸加工が施されていてもよい。光学部材の上面形状は、光を制御するための所定の形状を有することが可能である。
波長変換層は、蛍光体粒子が、例えば13wt.%以上、好ましくは30wt.%以上、より好ましくは50wt.%以上含有されている。
光学部材の下面は、発光素子の上面より大きく、波長変換層の側面は、発光素子の側面と前記板状光学層の側面とを結ぶ傾斜面を形成している構成にすることができる。
発光素子および波長変換層の側面は、反射材料層で覆われている構成とすることも可能である。
また、本発明の第2の態様によれば、以下のような発光装置が提供される。すなわち、第2の態様の発光装置は、基板と、基板上に実装された複数の発光素子と、複数の発光素子上に配置された波長変換層と、複数の発光素子を覆うように波長変換層の上に搭載された1枚の光学部材とを有する。波長変換層は、蛍光体粒子と、粒子状のスペーサーと、これらが分散された基材とを含む。蛍光体粒子の粒径は、粒子状のスペーサーの粒径よりも小さく、粒子状のスペーサーは、複数の発光素子のうちの少なくとも一つの上面と光学部材の下面との間に挟まれ、波長変換層の厚さを規定している。
また、本発明の第3の態様によれば、以下のような発光装置の製造方法が提供される。すなわち、本製造方法は、所定の粒径の粒子状のスペーサーと、粒子状のスペーサーよりも小さい粒径の蛍光体粒子とが分散された未硬化の基材ペーストを、発光素子の上面、および、光学部材の平坦な下面のいずれかまたは両方に配置し、未硬化の基材ペーストを介して発光素子の上面と光学部材の下面を重ね合わせ、粒子状のスペーサーを発光素子の上面と光学部材の下面との間に挟み込むことにより、粒子状のスペーサーの粒径で規定された未硬化の基材ペースト層を発光素子と板状光学層との間に形成する第1工程と、未硬化のペースト層を硬化させる第2工程と、を有する。
第1の工程では、光学部材の下面が発光素子の上面よりも大きい場合、未硬化の基材ペーストの表面張力により、傾斜した側面を有する基材ペースト層を形成することが可能である。
本発明によれば、粒子状のスペーサーによって波長変換層の厚さを規定するため、薄い波長変換層を精度よく形成できる。よって、高濃度の蛍光体を含有する波長変換層を用いて、発光効率の高い発光装置を提供できる。
(a)実施形態1の発光装置の断面図、(b)および(c)実施形態1の発光装置を上面から見た場合のスペーサー13bの配置を模式的に示す説明図。 (a)〜(c)実施形態1の発光装置の製造工程を示す説明図。 (a)〜(c)実施形態1の発光装置の波長変換層13の構造のバリエーションを示す断面図。 (a)および(b)図2(b)の工程において、ペースト13’の塗布位置のバリエーションを示す断面図。 (a)〜(c)図2(b)の工程において、発光素子11の向きを下向きとし、ペースト13’の塗布位置のバリエーションを示す断面図。 実施形態2の発光装置の断面図。 (a)〜(e)実施形態2の発光装置の製造工程を示す説明図。 (a)〜(c)実施形態3の複数の発光素子を搭載した発光装置の各種形状を示す断面図。
以下、本発明の一実施の形態の発光装置について説明する。
(実施形態1)
図1(a)に、実施形態1の発光装置の断面図を、図1(b)および(c)に上面図を示す。図1(a)のように、上面に配線が形成されたサブマウント基板10の上に、フリップチップタイプの発光素子11が、複数のバンプ12により接合されることにより実装されている。発光素子11の上面には、波長変換層13が搭載され、波長変換層13の上には透明な板状部材14が搭載されている。
波長変換層13の基材には、蛍光体粒子13aが高濃度に分散され、さらにスペーサー13bが分散されている。基材としては、発光素子11の発する光、および、発光素子11の発する光により励起された蛍光体粒子13aが発する蛍光に対して透明な材料を用いられる。基材は、透明樹脂等の有機材料であっても、ガラス等の無機材料であってもかまわない。例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を用いることができる。スペーサー13bの粒径よりも小さければ、フィラーや色素を基材に分散させることも可能である。
波長変換層13に含有されるスペーサー13bは、発光素子11と透明板状部材14との間に挟まれることにより、発光素子11上面と透明板状部材14との間隔を定め、これにより波長変換層13の層厚を規定(決定)している。スペーサー13bは、形成すべき波長変換層13の層厚に応じて、所望の粒径を有する粒子状のものであればよく、その形状は、多面体であっても球状であってもよい。例えば、10μm以上100μm以下の粒径のスペーサー13bを好適に用いることができる。このような粒径のスペーサー13bは、発光素子11の発する可視光波長よりも粒径がひと桁以上大きいため、光を散乱させる作用はほとんど生じない。
スペーサー13bの上部および下部はそれぞれ、透明板状部材14および発光素子11と直接接していてもよいし、スペーサー13bと透明板状部材との間、および、スペーサー13bと発光素子11上面との間に、波長変換層13を構成する基材が挟まれていてもかまわない。硬化前の基材の粘度や、スペーサー13b表面の基材に対する濡れ性によって、スペーサー13bの周囲には基材との親和性が発生し、スペーサー13bと板状部材との間に基材が入り込むためである。ただし、すべてのスペーサー13bに対して同じ条件で基材との親和性が発生するため、スペーサー13bが波長変換層13の厚みを規定する作用を発揮することに変わりはない。
スペーサー13bの材質は、高精度に所定の粒径を実現できるものであればガラス等の無機材料であっても樹脂等の有機材料であっても構わない。スペーサー13bは、発光素子11の発する光および蛍光体の蛍光に対して、半透明または透明であることが望ましく、より好ましくは透明なものを用いる。また、スペーサー13bの内部に蛍光体を分散させることも可能である。分散させる蛍光体は、蛍光体粒子13aと同様のものを用いることができる。
スペーサー13bは、板状透明部材14を発光素子11の上面に対して平行に支持するために、図1(c)に示すように、発光素子11の上面に最低で3個配置されていることが望ましい。特に、図1(b)の黒丸で示すように発光素子11の四隅に1個ずつ配置されていることが望ましい。
スペーサー13bは、粒径が大きいため、粒子間の引力・斥力により相互位置を変化させる作用は生じず、基材および蛍光体粒子13aに混練された時点の分散状態を維持して発光素子11上に展開される。よって、図1(b)の黒丸のように発光素子11上面の四隅近傍に1個ずつ配置するためには、図1(b)のように発光素子11上面を仮想的に正方形の領域に縦横に分割し、隣接する正方形の領域の中心同士の距離でスペーサー13bが分散される密度となる量で、スペーサー13bを基材および蛍光体粒子13aに添加し、混練して分散させる。この混練物を発光素子11上面に塗布や印刷で広げると、確率的に、仮想的な正方形の領域に1つずつスペーサー13bが配置されるため、発光素子11の上面の四隅の正方形の領域にそれぞれ高い確率でスペーサー13bを配置することができる。
蛍光体粒子13aは、粒径がスペーサー13bよりも小さいものを用いる。具体的には、スペーサー13bの粒径よりもわずかでも小さければよいが、10%以上小さいものが好ましい。蛍光体粒子13aとしては、発光素子11の発する光により励起され、所望の波長の蛍光を発する蛍光体を用いる。例えば、白色光を発する発光装置を構成する場合、青色光を発する発光素子11を用い、青色光を励起光として黄色蛍光を発する蛍光体(例えばYAG蛍光体)を用いることができる。
透明板状部材14は、平坦な下面を備え、この下面がスペーサー13bにより支持されることにより、発光素子11の上面と距離が一定の空間(波長変換層13)が形成できる部材であればよい。透明板状部材14の平坦な下面は、巨視的に平坦であればよく、微視的には光を拡散・配光等させるための微細な凹凸が形成されていてもよい。凹凸を形成する場合には、スペーサー13bや蛍光体粒子の作用に影響を与えないために、凹凸のサイズは5μm以下であることが好ましい。また、透明板状部材14の上面側に、光拡散・配光用の凹凸を設けることも可能である。
また、透明板状部材14の上面は、光取り出し面となるため、光の取り出し効率を向上させるために表面処理を施し加工してもよい。また、透明板状部材14の上面は必ずしも平面である必要はなく、散乱、集光、配光を目的とした形状、例えば凹凸形状やレンズ形状に加工されていてもよい。
ここでは、透明板状部材14は、発光素子11の発する光、および、蛍光体粒子13aの発する蛍光に対して透明なものを用いるが、所望の光学特性を有するものであっても構わない。例えば、所定の波長をカットする板状フィルターを透明板状部材14として用いることも可能である。また、発光素子11からの光を所望の波長光に変換する蛍光体成分を含有する蛍光ガラスプレートや、蛍光体原料を焼結して作製した蛍光セラミックスのプレート(例えばYAGプレート)を用いることも可能である。
サブマウント基板10としては、例えば、Auなどの配線パターンが形成されたAlNセラミックス製の基板を用いる。バンプ12としては、例えばAuバンプを用いる。
本実施形態では、スペーサー13bを配置したことにより、波長変換層13を薄く、かつ、所定の層厚に精度よく形成することができるため、波長変換層13の基材に含有される蛍光体粒子13aの濃度を変換効率が大幅に向上する高濃度にすることができる。例えば、波長変換層13の基材に含有される蛍光体粒子13aの濃度を13%〜90%、波長変換層13の層厚を200μm〜30μm、膜厚のバラつきを10%以下にすることが可能である。蛍光体粒子13aの濃度は、13wt.%以上であればよいが、好ましくは30wt.%以上、より好ましくは50wt.%以上である。
つぎに、本実施形態の発光装置の製造方法について図2(a)〜(c)を用いて説明する。まず、図2(a)のように、サブマウント基板10の上面の配線パターンに、フリップチップタイプの発光素子11の素子電極をバンプ12を用いて接合し、実装する。波長変換層13の未硬化の基材を用意し、蛍光体粒子13aおよびスペーサー13bを予め定めた濃度で添加し、十分に混練することにより、基材中に一様に分散させ、未硬化のペースト13’を得る。このペースト13’を図2(b)のように、発光素子11の上面に所定量塗布(または滴下)し、発光素子11の上面より若干大きい透明板状部材14を搭載する。透明板状部材14の自重、もしくは、必要に応じて透明板状部材14の上面に荷重をかけ、ペースト13’中のスペーサー13bによって透明板状部材14が発光素子11上面に支持され、発光素子11上面と透明板状部材14との間隔がスペーサー13bによって定まるようにする。
これにより、図2(c)のように未硬化のペースト13’は、スペーサー13bの粒径相当もしくは、スペーサー13bの周囲を覆う基材層の厚さを粒径に加えたものに相当する層厚のペースト13’の層が形成される。このとき、ペースト13’は、発光素子11の側面の少なくとも一部を覆いつつ表面張力を保つことによって、発光素子11の側面と透明板状部材14の下面を接続する傾斜面130が形成される。
ペースト13’を所定の硬化処理により硬化させ、波長変換層13を形成する。これにより、図1(a)の発光装置が完成する。なお、この後の工程で波長変換層13の形状が変わらないのであれば、完全に硬化させず、半硬化となる条件で硬化させても良い。
このような構成の発光装置の各部の作用について説明する。
発光素子11から上方に放射された光は、波長変換層13に入射し、一部が蛍光体によって所定の波長の光に変換され、蛍光体によって変換されなかった光と混合されて透明板状部材14の上面から出射される。発光素子11の側面から出射される光は、波長変換層13に入射し、一部が蛍光体によって所定の波長の光に変換され、波長変換層の傾斜面130から外部に出射されるか、傾斜面130によって上方に反射され、透明板状部材14の上面から出射される。
波長変換層13は、蛍光体粒子13aの濃度を大きくすることができるため、変換効率が大幅に向上することができる。このとき波長変換層13の層厚は、蛍光体粒子13aの濃度に応じた厚さに、スペーサー13bによって高精度に定められているため、厚さが一様であり、しかも、製品間のばらつきも小さい。よって、同一製品内の色ムラが少なく、しかも、製品間の色のばらつきも小さい発光装置を提供できる。
なお、上述の実施形態では、波長変換層13の側面が表面張力により傾斜面130を構成する例について説明したが、本発明はこの形状に限定されるものではない。例えば、傾斜面130は、図3(a)のように、内側(発光素子11の中心に向かう側)に凸の曲面であっても、図3(b)のように外側に凸の曲面であっても構わない。また、図3(c)のように表面張力による傾斜面を形成せず、サブマウント基板10の上面まで波長変換層13が達していてもよい。
波長変換層13の側面の形状は、製造時の図2(b)の工程で塗布(または滴下)するペースト13’の量により制御することができる。ペースト13’の量が少なければ、図3(a)のように内側に凸の曲面の傾斜面130が形成され、ペースト13’の量を増やすと、図1(a)のように直線状の傾斜面130となり、さらに増やすと図3(b)のように外側に凸の曲面の傾斜面130が形成される。表面張力が生じないほどにペースト13’の量を増やすと、図3(c)のようにサブマウント基板10の上面まで波長変換層13が達する。
なお、上述の製造方法において、図2(b)の工程では、発光素子11の上面に未硬化のペースト13’を塗布したが、本実施形態の製造方法はこれに限られるものではない。例えば、図4(a)のように、透明板状部材14の下面にペースト13’を塗布することも可能であるし、図4(b)のように、発光素子11の上面と透明板状部材14の下面の両方にペースト13’を塗布することもできる。また、図5(a)〜(c)のように、サブマウント10に実装された発光素子11を下向きにして、図5(a)のようにペースト13’を発光素子11の下面、図5(b)のように透明板状部材14の上面、図5(c)のように発光素子11の下面と透明板状部材14の上面の両方、にそれぞれ塗布する構成とすることも可能である。
(実施形態2)
図6に、実施形態2の発光装置の断面図を示す。この発光装置は、光の取り出し効率をさらに向上させるために、実施形態1の図3の発光装置の発光素子11の下面の空隙を反射材料層15によって充填した構成である。また、反射材料層15は、発光素子11、波長変換層13および透明板状部材14の側面も覆っている。
具体的には、発光素子11の外側には、枠体16が配置され、発光素子11と枠体16との間の空間は反射材料層15により充填されている。反射材料層15は、非導電性で反射率の高い材料が用いられる。反射材料層15は、発光素子11、波長変換層13および透明板状部材14の外周側面を覆っている。反射材料層15は、バンプ12の間を埋めるように、発光素子11の底面と基板10の上面との間の空間も充填している。
反射材料層15としては、例えば、酸化チタンや酸化亜鉛等の反射性のフィラーを分散させた樹脂を用いる。枠体16は、例えばセラミックリングを用いる。
このような構成の発光装置は、図6のように発光素子11から放射される光のうち、上方から出射される光は、実施形態1と同様に波長変換層13に入射し、波長変換されて、透明板状部材14から上方に出射される。
発光素子11の下面側に出射される光は、発光素子11の底面と基板10の上面との間の空隙を充填する反射材料層15により上方に向けて反射される。よって、発光素子11の底面と基板10の上面との間で光が繰り返し反射されて減衰するのを防止できるため、上方への光の取り出し効率を向上させることができる。
発光素子11の側面から出射される光は、側面から波長変換層13に入射し、一部が波長変換され、反射材料層15と波長変換層13との境界の傾斜面130によって上方に反射される。これにより、発光素子11の側面から出射される光の多くは、発光素子11の内部に戻されず、上方に向かうため、発光素子11によって吸収されない。よって、横方向伝搬光を上方から効率よく取り出すことができるため、光の取り出し効率を向上させることができる。
また、反射材料層15は、透明板状部材14の側面に接しているため、反射材料層15の開口(発光面)は、透明板状部材14の面積と等しく、発光面積の小さい光源を提供できる。
反射材料層15と波長変換層13との境界の傾斜面130は、図6では、内側に凸の曲面である例を示しているが、この形状に限らず、図1(a)のように直線的な傾斜面や、図3(b)のように外側(枠体16側)に凸の曲面であってもよい。特に好ましいのは、図6のように傾斜面130が内側に凸の曲面であって、その曲率が5以下の場合である。
また、傾斜面130の下端は、必ずしも図6、図1(a)、図3(b)のように発光素子11の底面と同じ高さにある必要はなく、少なくとも発光素子11の側面にあればよい。傾斜面130の上端は、少なくとも発光素子11の上面よりも基板10側にあれば発光素子11側面からの光を反射する傾斜面130となる。また、発光素子11は、基板10にフリップチップ実装されることが好ましい。フリップチップ実装の場合、発光面が発光素子の底面に近い位置にあるため、傾斜面130による反射を最も利用することができるためである。
つぎに、実施形態2の発光装置の製造方法について図7(a)〜(e)を用いて説明する。まず、図7(a)〜(c)の工程は、実施形態1の図2(a)〜(c)の工程と同様である。つぎに、図7(d)のように、発光素子11を取り囲むように、基板10上面に枠体16を樹脂等で接着する。図7(e)のように、発光素子11、波長変換層13および透明板状部材14と、枠体16との間に、ディスペンサなどで反射材料(未硬化)を注入する。この際、発光素子11の下部のバンプ12の周囲にも反射材料が十分充填されるように注入する。また、波長変換層13の傾斜面130および波長変換層の側面に、反射材料(未硬化)が隙間なく密着するように充填する。これにより、波長変換層13の傾斜面130に沿う形状の傾斜面を有する反射材料層15を形成することができる。最後に、反射材料を所定の硬化処理により硬化させ、反射材料層15を形成する。以上により、本実施形態2の発光装置が製造される。
(実施形態3)
つぎに、実施形態1では、複数の発光素子11を一つのサブマウント基板10に搭載した発光装置について説明する。図8(a),(b),(c)に、実施形態3の発光装置の断面図を示す。
複数の発光素子11の全体を一つの透明板状部材14によって覆うようにマウントされている。複数の発光素子11と透明板状部材14の間隔は、これらの間に挟まるスペーサー13bによって定められている。発光素子11と透明板状部材14との間には、薄い波長変換層13が形成される。
複数の発光素子11をサブマウント基板10へ実装する際の誤差等により、複数の発光素子11の上面の高さが同一ではない場合があり得る。この場合、複数の発光素子11全体に1つの透明板状部材14をマウントすると、最も上面が高い発光素子11上のスペーサー13bによって透明板状部材14が支持され、それよりも上面が低い発光素子11上のスペーサー13bは、波長変換層13の層厚決定には寄与せず、スペーサー13bと透明板状部材14との間には、厚い基材層や蛍光体粒子13aが挟まれる構造になることもあるが、それでも構わない。このような場合、最も上面が高い発光素子11上のスペーサー13bのみがスペーサーとして機能し、上面が低い発光素子11のスペーサー13bはスペーサーとして機能していないが、発光素子11の高さのばらつきが許容される誤差範囲であれば、波長変換層13の層厚のばらつきを所定の範囲内に収めることができるからである。
波長変換層13の外周の傾斜面130は、図8(a)〜(c)のように内側に凸の曲面、または、図1(a)のように発光素子11の底面と透明板状部材14の下面を直線的に結ぶ傾斜面であることが好ましい。また、図3(b)のように外側に凸の曲面にすることも可能である。
図8(a),(b)のように複数の発光素子11の間の波長変換層13の側面も傾斜面130を形成していることが好ましい。複数の発光素子11の間の波長変換層13の傾斜面は、図8(b)のように透明板状部材14まで達していない形状であることが好ましい。図8(a)のように透明板状部材14に達していても構わない。
図8(a)〜(c)の発光装置の製造方法は、実施形態1の図2(a)〜(c)と同様であるが、図8(a)の構成の場合、各発光素子11上、もしくは、透明板状部材14の各発光素子11と重ね合わされる各領域上、のいずれかまたは両方にペースト13’を等量ずつ塗布し、各発光素子11上の波長変換層13の傾斜面130が所望の形状になるように形成する。ただし、図8(b)、(c)のように隣合う発光素子11上部の波長変換層13が連結している場合には、ペースト13’の総塗布量が所定量となるように、各発光素子11上に塗布するペースト13’の量を変えてもよい。
実施形態3の発光装置は、複数の発光素子11を搭載した構成でありながら、上面方向の光の取り出し効率を向上させることができる。さらに、図8(a),(b)のように、複数の発光素子11の間の領域に傾斜面130を形成することにより、複数の発光素子11の間の領域で光を上方に向けて反射できるため、複数の発光素子11の間で輝度が低下し、発光面に輝度ムラが生じるのを防止することができる。
なお、実施形態3の図8(a),(b),(c)の構成の外側に、図6のように反射材料層15を配置することも可能である。この場合、図8(a),(b)の構成では、複数の発光素子11の間の領域の傾斜面130にも反射材料層15が接するように充填することが望ましい。
<実施例1>
実施例1として、図1の構造の発光装置を図3(a)〜(c)の製造方法により製造した。
lmm角で厚さ100μmのフリップチップタイプの発光素子11が実装されたサブマウント基板10を用意した。シリコーン樹脂に、蛍光体粒子13aとして粒径15μmのYAG蛍光体を60wt%、スペーサー13bとして、中心粒径41±2μm、粒径ばらつき±3μmのバリウムチタン系ガラス(GS40S、日本電気硝子(株))の球形ビーズを5wt.%添加し、十分に混練して均一に分散させ、ペースト13’を得た。
発光素子11上面にペースト13’としてペースト13’を約7.0×10−4ml塗布した。その上から厚さ0.1mmで1.2mm角の板ガラス(透明板状部材14)をマウントした。板ガラスの自重により、ペースト13’は発光素子11上面と板ガラスとの間の空間に広がり、板ガラスは、ガラスビーズ(スペーサー13a)によって発光素子11の支持された状態となった。これにより、高濃度に蛍光体粒子13aが含有されたペースト13’(未硬化の波長変換層13)の薄い層が形成された。この層の膜厚は、スペーサー13bを挟んだ板ガラス(透明板状部材14)と発光素子11との間隔によって規定されていた。
シリコーン樹脂を硬化させるために150℃で4時間加熱した。これにより、薄い波長変換層13を備えた、図1の形状の発光装置を製造した。
<実施例2>
実施例2として、図6の構造の発光装置を図7(a)〜(e)の製造方法により製造した。
実施例1と同様に、サブマウント基板10およびペースト13’を用意し、ペースト13’を発光素子11上面に約7.0×10−4ml塗布した。その上から実施例1と同様の板ガラス(透明板状部材14)をマウントした。板ガラスの自重により、ペースト13’は発光素子11上面と板ガラスとの間の空間に広がり、スペーサー13bを挟んだ板ガラス(透明板状部材14)と発光素子11との間隔によって規定された、薄い層(未硬化の波長変換層13)が形成された。
シリコーン樹脂を硬化させるために150℃で4時間加熱した。
その後、サブマウント基板10上に枠体16としてセラミックリングをシリコーン樹脂により接着して、150℃で4時間硬化させた。TiOフィラーを分散させたシリコーン樹脂を反射材料としてリング枠体16内に充填し、150℃にて4時間加熱し硬化させ、反射材料層15を形成した。これにより、図6の形状の発光装置を製造した。
<実施例3>
実施例3として、図8(a)の発光装置を製造した。
lmm角で厚さ100μmのフリップチップタイプの発光素子11が200μmの間隔をあけて2個実装されたサブマウント基板10を用意し、それぞれの発光素子11上面に実施例1と同様のペースト13’を約7.0×10−4mlずつ塗布した。その上面から1.2mm×2.4mmの板ガラス(透明板状部材14)をマウントした。シリコーン樹脂を硬化させるために150℃で4時間加熱した。
その後、サブマウント基板10上に枠体16としてセラミックリングをシリコーン樹脂により接着して、150℃で4時間硬化させた。TiOフィラーを分散させたシリコーン樹脂を反射材料としてリング枠体16内に充填し、150℃にて4時間加熱し硬化させ、反射材料層15を形成した。これにより、図8(a)の形状の発光装置を製造した。
<比較例>
比較例として、印刷法により、発光装置の波長変換層を形成した。具体的には、実施例1と同様の発光素子11が実装されたサブマウント基板に、所定の厚さで、所定の大きさの開口を備えたマスクを被せた。実施例1と同様に、シリコーン樹脂に高濃度に蛍光体粒子を分散させたペースト(ただし、スペーサー13bは添加しない)を用意し、ステンシル印刷法によりマスク内の開口に充填し、マスクを除去した。その後、シリコーン樹脂を硬化させるために150℃で4時間加熱した。
これにより、発光素子11の上面での厚さが45μmの波長変換層を形成した。
<評価>
実施例1の発光装置と、比較例の発光装置をそれぞれ複数(10個前後)製造し、製品間の波長変換層の膜厚のばらつきを測定したところ、比較例の印刷法で製造した発光装置では、±15%程度のばらつきが生じていたが、実施例1の発光装置では、±5%程度であった。
このことから、本実施例1は、膜厚のばらつきに起因した製品間の色度ずれが小さく、高濃度に蛍光体粒子に添加した高効率の波長変換層を実現できることが確認された。
10…サブマウント基板、11…発光素子、12…バンプ、13…波長変換層、13a…蛍光体粒子、13b…スペーサー、14…透明板状部材、15…反射材料層、16…外枠、130…傾斜面

Claims (12)

  1. 基板と、該基板上に実装された発光素子と、前記発光素子上に配置された波長変換層と、波長変換層の上に搭載された下面が平坦な光学部材とを有し、
    前記波長変換層は、蛍光体粒子と、粒子状のスペーサーと、これらが分散された基材とを含み、
    前記蛍光体粒子の粒径は、前記粒子状のスペーサーの粒径よりも小さく、前記粒子状のスペーサーは、前記発光素子の上面と前記光学部材の下面との間に挟まれ、前記波長変換層の厚さを規定していることを特徴とする発光装置。
  2. 請求項1に記載の発光装置において、前記粒子状のスペーサーは、前記発光素子の上面に3個以上配置されていることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項1または2に記載の発光装置において、前記粒子状のスペーサーは、前記発光素子の発する光に対して透明であることを特徴とする発光装置。
  4. 請求項3に記載の発光装置において、前記粒子状のスペーサーには、少なくとも蛍光体が含有されていることを特徴とする発光装置。
  5. 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光装置において、前記光学部材の平坦な下面には、光を制御するための微細な凹凸加工が施されていることを特徴とする発光装置。
  6. 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の発光装置において、前記光学部材は、上面形状が光を制御するための所定の形状を有することを特徴とする発光装置。
  7. 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の発光装置において、前記波長変換層は、前記蛍光体粒子を13wt.%以上含有することを特徴とする発光装置。
  8. 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の発光装置において、前記光学部材の下面は、前記発光素子の上面より大きく、
    前記波長変換層の側面は、前記発光素子の側面と前記板状光学層の側面とを結ぶ傾斜面を形成していることを特徴とする発光装置。
  9. 請求項1ないし8のいずれか1項に記載の発光装置において、前記発光素子および前記波長変換層の側面は、反射材料層で覆われていることを特徴とする発光装置。
  10. 基板と、該基板上に実装された複数の発光素子と、前記複数の発光素子上に配置された波長変換層と、前記複数の発光素子を覆うように波長変換層の上に搭載された1枚の光学部材とを有し、
    前記波長変換層は、蛍光体粒子と、粒子状のスペーサーと、これらが分散された基材とを含み、
    前記蛍光体粒子の粒径は、前記粒子状のスペーサーの粒径よりも小さく、前記粒子状のスペーサーは、前記複数の発光素子のうちの少なくとも一つの上面と前記光学部材の下面との間に挟まれ、前記波長変換層の厚さを規定していることを特徴とする発光装置。
  11. 所定の粒径の粒子状のスペーサーと、前記粒子状のスペーサーよりも小さい粒径の蛍光体粒子とが分散された未硬化の基材ペーストを、発光素子の上面、および、光学部材の平坦な下面のいずれかまたは両方に配置し、前記未硬化の基材ペーストを介して発光素子の上面と光学部材の下面を重ね合わせ、前記粒子状のスペーサーを前記発光素子の上面と光学部材の下面との間に挟み込むことにより、前記粒子状のスペーサーの粒径で規定された未硬化の基材ペースト層を前記発光素子と前記板状光学層との間に形成する第1工程と、
    前記未硬化のペースト層を硬化させる第2工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
  12. 請求項11に記載の発光装置の製造方法において、前記第1の工程では、前記光学部材の下面は、前記発光素子の上面よりも大きく、前記未硬化の基材ペーストの表面張力により、傾斜した側面を有する基材ペースト層を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
JP2010173852A 2010-08-02 2010-08-02 発光装置およびその製造方法 Pending JP2012033823A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010173852A JP2012033823A (ja) 2010-08-02 2010-08-02 発光装置およびその製造方法
US13/196,868 US8921877B2 (en) 2010-08-02 2011-08-02 Semiconductor light-emitting device for producing wavelength-converted light and method for manufacturing the same
CN201110219868.7A CN102347427B (zh) 2010-08-02 2011-08-02 发光装置及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010173852A JP2012033823A (ja) 2010-08-02 2010-08-02 発光装置およびその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015058066A Division JP6006824B2 (ja) 2015-03-20 2015-03-20 発光装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012033823A true JP2012033823A (ja) 2012-02-16

Family

ID=45525818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010173852A Pending JP2012033823A (ja) 2010-08-02 2010-08-02 発光装置およびその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8921877B2 (ja)
JP (1) JP2012033823A (ja)
CN (1) CN102347427B (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013175531A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
JP2013179132A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2013197450A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2013239673A (ja) * 2012-05-17 2013-11-28 Stanley Electric Co Ltd 発光装置、および車両用灯具
JP2014041942A (ja) * 2012-08-23 2014-03-06 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
JP2014075450A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Nitto Denko Corp 封止シート被覆半導体素子、その製造方法、半導体装置およびその製造方法
JP2014107351A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置、その製造方法、および、照明装置
JP2014120722A (ja) * 2012-12-19 2014-06-30 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2014143300A (ja) * 2013-01-24 2014-08-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2014216416A (ja) * 2013-04-24 2014-11-17 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP2015070124A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20150092800A (ko) * 2014-02-05 2015-08-17 삼성디스플레이 주식회사 파장 변환 부재, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 및 표시 장치
KR20160106152A (ko) * 2014-01-07 2016-09-09 코닌클리케 필립스 엔.브이. 인광체 변환기를 갖는 비접착식 발광 디바이스
JP2017188686A (ja) * 2016-04-04 2017-10-12 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2018050082A (ja) * 2017-12-28 2018-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2018148075A (ja) * 2017-03-07 2018-09-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
JP2022056551A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG106050A1 (en) * 2000-03-13 2004-09-30 Megic Corp Method of manufacture and identification of semiconductor chip marked for identification with internal marking indicia and protection thereof by non-black layer and device produced thereby
JP2012033823A (ja) 2010-08-02 2012-02-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
KR20120024104A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자
EP2448028B1 (en) 2010-10-29 2017-05-31 Nichia Corporation Light emitting apparatus and production method thereof
JP5962102B2 (ja) 2011-03-24 2016-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102011105010A1 (de) * 2011-06-20 2012-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP5956167B2 (ja) 2012-01-23 2016-07-27 スタンレー電気株式会社 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法
JP5883662B2 (ja) 2012-01-26 2016-03-15 スタンレー電気株式会社 発光装置
US9041808B2 (en) 2012-03-08 2015-05-26 Stanley Electric Co., Ltd. Headlight controller, optical unit and vehicle headlight
DE102012104363A1 (de) * 2012-05-21 2013-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2014002235A (ja) 2012-06-18 2014-01-09 Stanley Electric Co Ltd 立体画像表示装置、照明装置
JP6149487B2 (ja) * 2012-11-09 2017-06-21 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP2014138046A (ja) 2013-01-16 2014-07-28 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子パッケージ固定構造
DE102013102482A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
EP2999014B1 (en) * 2013-05-13 2020-01-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Manufacturing method of light-emitting device package
JP6357225B2 (ja) 2013-06-20 2018-07-11 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 少なくとも2組のledを有する照明装置
CN104347784A (zh) * 2013-08-01 2015-02-11 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种led及其封装方法
JP6477001B2 (ja) * 2014-03-14 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN105098025A (zh) 2014-05-07 2015-11-25 新世纪光电股份有限公司 发光装置
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI557952B (zh) 2014-06-12 2016-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件
CN111816750B (zh) * 2014-06-19 2024-07-19 亮锐控股有限公司 具有小源尺寸的波长转换发光设备
TWI641285B (zh) 2014-07-14 2018-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光模組與發光單元的製作方法
CN105280795A (zh) * 2014-07-25 2016-01-27 新世纪光电股份有限公司 发光单元与发光模块
JP2016099558A (ja) * 2014-11-25 2016-05-30 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、光源装置、プロジェクターおよび波長変換素子の製造方法
JP2016181689A (ja) 2015-03-18 2016-10-13 新世紀光電股▲ふん▼有限公司Genesis Photonics Inc. 発光ダイオード及びその製造方法
TWI657597B (zh) 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
EP3076444B1 (en) 2015-04-02 2017-06-07 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
JP6179555B2 (ja) * 2015-06-01 2017-08-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3327804B1 (en) * 2015-07-22 2019-04-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device and light emitting module
US9922963B2 (en) * 2015-09-18 2018-03-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device
JP7080010B2 (ja) * 2016-02-04 2022-06-03 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光素子及びその製造方法
KR102532804B1 (ko) * 2016-03-14 2023-05-16 주식회사 루멘스 반도체 발광 소자 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
WO2018056157A1 (ja) 2016-09-21 2018-03-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 波長変換装置及び照明装置
TWI651870B (zh) 2016-10-19 2019-02-21 新世紀光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
DE102017125413A1 (de) * 2016-11-01 2018-05-03 Nichia Corporation Lichtemitierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
KR102680862B1 (ko) * 2016-12-16 2024-07-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
US10700252B2 (en) 2017-04-18 2020-06-30 Bridgelux Chongqing Co., Ltd. System and method of manufacture for LED packages
WO2019025009A1 (en) * 2017-08-04 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh PROCESS FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
CN109994458B (zh) 2017-11-05 2022-07-01 新世纪光电股份有限公司 发光装置
CN109755220B (zh) 2017-11-05 2022-09-02 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
TWI853336B (zh) 2017-12-26 2024-08-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置、其製造方法及顯示模組
US11011677B2 (en) * 2018-03-09 2021-05-18 Innolux Corporation Display device
KR102527384B1 (ko) 2018-03-09 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
US10553768B2 (en) * 2018-04-11 2020-02-04 Nichia Corporation Light-emitting device
KR20190138418A (ko) 2018-06-05 2019-12-13 삼성전자주식회사 발광 다이오드 장치
JP7117170B2 (ja) * 2018-06-20 2022-08-12 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP7057508B2 (ja) * 2019-03-28 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7277223B2 (ja) * 2019-04-02 2023-05-18 スタンレー電気株式会社 光源装置および投射装置
JP7405662B2 (ja) * 2020-03-24 2023-12-26 スタンレー電気株式会社 発光装置
US20220102597A1 (en) * 2020-09-28 2022-03-31 Tek Beng Low Light emitting devices having profiled side surfaces
TWI809408B (zh) * 2021-06-01 2023-07-21 國立屏東科技大學 加熱輔助覆晶接合裝置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10151794A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその形成方法
JP2005330459A (ja) * 2003-10-28 2005-12-02 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光物質および発光装置
JP2006037097A (ja) * 2004-06-09 2006-02-09 Lumileds Lighting Us Llc 作成済み波長変換素子を有する半導体発光装置
JP2006080312A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2006190813A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Fujikura Ltd 発光デバイス、発光デバイスの色度調節方法及び照明装置
JP2007103901A (ja) * 2005-09-09 2007-04-19 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
WO2007119782A1 (ja) * 2006-04-12 2007-10-25 Showa Denko K.K. 発光装置及びその製造方法
WO2007146860A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-21 3M Innovative Properties Company Led device with re-emitting semiconductor construction and optical element
JP2008047906A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射放出素子
WO2008078235A2 (en) * 2006-12-21 2008-07-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting apparatus with shaped wavelength converter
JP2008277592A (ja) * 2007-04-28 2008-11-13 Nichia Corp 窒化物半導体発光素子、これを備える発光装置及び窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2009182241A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Panasonic Corp 発光ダイオード
WO2010001306A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted light emitting diode with reduced emission of unconverted light
WO2010017831A1 (de) * 2008-08-11 2010-02-18 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions led

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BRPI9715293B1 (pt) 1996-06-26 2016-11-01 Osram Ag elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico
JP4536171B2 (ja) 1998-05-22 2010-09-01 日亜化学工業株式会社 Led表示装置
JP3930710B2 (ja) 2000-09-13 2007-06-13 シチズン電子株式会社 チップ型発光ダイオード及びその製造方法
US7023019B2 (en) * 2001-09-03 2006-04-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
DE10229067B4 (de) 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7824937B2 (en) * 2003-03-10 2010-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. Solid element device and method for manufacturing the same
DE102004036157B4 (de) 2004-07-26 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Leuchtmodul
JP4599111B2 (ja) 2004-07-30 2010-12-15 スタンレー電気株式会社 灯具光源用ledランプ
DE102005059524A1 (de) 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements
DE102006005299A1 (de) 2006-02-06 2007-08-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein Lumineszenzdioden-Bauelement und Lumineszenzdioden-Bauelement
US8425271B2 (en) 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
JP5212777B2 (ja) 2007-11-28 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び照明装置
JP5224173B2 (ja) 2008-03-07 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2010118531A (ja) 2008-11-13 2010-05-27 Stanley Electric Co Ltd 白色照明装置および車輛用灯具
TWI380483B (en) * 2008-12-29 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Led device and method of packaging the same
JP5406566B2 (ja) 2009-03-11 2014-02-05 スタンレー電気株式会社 車両用前照灯
JP5482378B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5572013B2 (ja) 2010-06-16 2014-08-13 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2012033823A (ja) 2010-08-02 2012-02-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2013038187A (ja) 2011-08-05 2013-02-21 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10151794A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその形成方法
JP2005330459A (ja) * 2003-10-28 2005-12-02 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光物質および発光装置
JP2006037097A (ja) * 2004-06-09 2006-02-09 Lumileds Lighting Us Llc 作成済み波長変換素子を有する半導体発光装置
JP2006080312A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2006190813A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Fujikura Ltd 発光デバイス、発光デバイスの色度調節方法及び照明装置
JP2007103901A (ja) * 2005-09-09 2007-04-19 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
WO2007119782A1 (ja) * 2006-04-12 2007-10-25 Showa Denko K.K. 発光装置及びその製造方法
WO2007146860A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-21 3M Innovative Properties Company Led device with re-emitting semiconductor construction and optical element
JP2008047906A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射放出素子
WO2008078235A2 (en) * 2006-12-21 2008-07-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting apparatus with shaped wavelength converter
JP2008277592A (ja) * 2007-04-28 2008-11-13 Nichia Corp 窒化物半導体発光素子、これを備える発光装置及び窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2009182241A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Panasonic Corp 発光ダイオード
WO2010001306A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted light emitting diode with reduced emission of unconverted light
WO2010017831A1 (de) * 2008-08-11 2010-02-18 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions led
JP2011530817A (ja) * 2008-08-11 2011-12-22 オスラム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 変換型led

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013175531A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
JP2013179132A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2013197450A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2013239673A (ja) * 2012-05-17 2013-11-28 Stanley Electric Co Ltd 発光装置、および車両用灯具
JP2014041942A (ja) * 2012-08-23 2014-03-06 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
JP2014075450A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Nitto Denko Corp 封止シート被覆半導体素子、その製造方法、半導体装置およびその製造方法
JP2014107351A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置、その製造方法、および、照明装置
JP2014120722A (ja) * 2012-12-19 2014-06-30 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2014143300A (ja) * 2013-01-24 2014-08-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2014216416A (ja) * 2013-04-24 2014-11-17 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP2015070124A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10069053B2 (en) 2013-09-30 2018-09-04 Nichia Corporation Light emitting device having wire including stack structure
KR20160106152A (ko) * 2014-01-07 2016-09-09 코닌클리케 필립스 엔.브이. 인광체 변환기를 갖는 비접착식 발광 디바이스
JP2017501589A (ja) * 2014-01-07 2017-01-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 蛍光変換体を有する接着剤のない発光デバイス
US11024781B2 (en) 2014-01-07 2021-06-01 Lumileds Llc Glueless light emitting device with phosphor converter
KR102323289B1 (ko) * 2014-01-07 2021-11-08 루미리즈 홀딩 비.브이. 인광체 변환기를 갖는 비접착식 발광 디바이스
KR20150092800A (ko) * 2014-02-05 2015-08-17 삼성디스플레이 주식회사 파장 변환 부재, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 및 표시 장치
KR102254916B1 (ko) * 2014-02-05 2021-05-26 삼성디스플레이 주식회사 파장 변환 부재, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 및 표시 장치
JP2017188686A (ja) * 2016-04-04 2017-10-12 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2018148075A (ja) * 2017-03-07 2018-09-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
JP7046493B2 (ja) 2017-03-07 2022-04-04 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
JP2018050082A (ja) * 2017-12-28 2018-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2022056551A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7332896B2 (ja) 2020-09-30 2023-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102347427A (zh) 2012-02-08
CN102347427B (zh) 2015-12-16
US20120025218A1 (en) 2012-02-02
US8921877B2 (en) 2014-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012033823A (ja) 発光装置およびその製造方法
KR101934594B1 (ko) 발광장치 및 그의 제조방법
JP5941306B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP5572013B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
KR101892593B1 (ko) 발광장치 및 그 제조방법
US9576941B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2013175531A (ja) 発光装置
JP5518662B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
KR100665121B1 (ko) 파장변환형 발광 다이오드 패키지 제조방법
JP2009094199A (ja) 発光装置、面光源、表示装置と、その製造方法
JP7108203B2 (ja) 発光モジュールの製造方法
CN113725346A (zh) Mini LED背光源、背光模组及其制作方法
JP6006824B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP6204525B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP5681532B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2004343149A (ja) 発光素子および発光素子の製造方法
JP7460937B2 (ja) 面状光源及びその製造方法
CN216597633U (zh) Mini LED背光源、背光模组
JP2020021910A (ja) 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール
WO2013168037A1 (en) Remote phosphor and led package
JP6933817B2 (ja) 発光装置の製造方法
CN114566495A (zh) 显示背板及移动终端
JP2013026558A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6399783B2 (ja) Led発光装置及びその製造方法
JP5830561B2 (ja) 発光装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130710

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140114

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140617

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140808

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20141224