JP2009123823A - 発光素子パッケージおよびそれを実装した発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の発光素子パッケージは、発光素子11と、発光素子11の電極部と電気的に接続される第1パターン金属部152と、当該第1パターン金属部152と電気的に接続される第2パターン金属部153とを有する樹脂基材層15と、を備え、樹脂基材層15に当該樹脂基材層15を貫設する金属貫通部15aを設け、当該金属貫通部上に発光素子11を実装するように構成し、樹脂基材層15の第2パターン金属部面側を平坦にするように充填部31を設けたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
(基板の実施例1)
市販人造黒鉛材(密度:1.85g/cm3)から、100mm×100mm×70mmのブロックを70mm厚方向に黒鉛粒子が配向する様に切り出した。得られた成形体は、電気炉で窒素雰囲気中、温度700℃に予備加熱した後、予め加熱しておいた内径Φ300mm×300mmtのプレス型内に収め、シリコンを12質量%含有するアルミニウム合金の溶湯を注ぎ、100MPaの圧力で20分間加圧して、成形体にアルミニウム合金を含浸させた。次に、室温まで冷却した後、湿式バンドソーでアルミニウム合金及び鉄製容器部分を切断し、100mmL×100mmW×70mmHの黒鉛−アルミニウム合金複合体を得た。得られた複合体は、含浸時の歪み除去の為、温度500℃で2時間のアニール処理を行った。
粒子径0.1mm〜2mmの人造黒鉛粉末1600gとメディアン径7μmの炭化珪素粉末(大平洋ランダム社製/NC#2000)600gとをV型混合機にて混合した後、内径寸法が100mmL×100mmW×150mmHの鉄製容器に充填し、面圧100MPaの圧力で成形して、100mmL×100mmW×90mmHの成形体を作製した。得られた成形体は、鉄製容器ごと電気炉で窒素雰囲気中、温度700℃に予備加熱した後、予め加熱しておいた内径Φ300mm×300mmtのプレス型内に収め、シリコンを12質量%含有するアルミニウム合金の溶湯を注ぎ、100MPaの圧力で20分間加圧して、成形体にアルミニウム合金を含浸させた。次に、室温まで冷却した後、湿式バンドソーでアルミニウム合金及び鉄製容器部分を切断し、100mmL×100mmW×90mmHの黒鉛−炭化珪素−アルミニウム合金複合体を得た。得られた複合体は、含浸時の歪み除去の為、温度500℃で2時間のアニール処理を行った。
(1)金属層12および/または絶縁層13の積層面側に、接着剤を塗布して接着層を設けて構成でき、これにより接合力を強化できる。また、図2に示すように、樹脂部151と第1、第2パターン金属部152、153との両方或いはいずれか一方の積層面側に接着剤を塗布して接着層21を設けて構成でき、これにより接合力を強化できる。
11 発光素子
12 金属層
12a 伝熱金属部
12b 電極金属部
13 絶縁層
14 基板
15 樹脂基材層
15a 金属貫通部
16 反射部
151 樹脂
152 第1パターン金属部
153 第2パターン金属部
154 反射層
31 充填部
Claims (4)
- 発光素子と、
前記発光素子の電極部と電気的に接続される第1パターン金属部と、当該第1パターン金属部と電気的に接続される第2パターン金属部とを有する樹脂基材層と、を備え、
前記樹脂基材層に当該樹脂基材層を貫設する金属貫通部を設け、当該金属貫通部上に前記発光素子を実装するように構成し、
前記樹脂基材層の第2パターン金属部面側を平坦にするように充填部を設けた発光素子パッケージ。 - 請求項1に記載の発光素子パッケージと、
前記発光素子パッケージを少なくとも金属層を介して実装される基板と、を備え、
前記金属層は、前記金属貫通部からの熱を前記基板側に伝熱する伝熱金属部と、前記第2パターン金属部と電気的に接続される電極金属部を有するように構成した発光装置。 - 前記基板が黒鉛およびアルミニウム合金の複合材料で構成された請求項2に記載の発光装置。
- 前記基板が黒鉛、セラミックスおよびアルミニウム合金の複合材料で構成された請求項2に記載の発光装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015115532A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基板およびそれを備えた発光装置 |
CN107170872A (zh) * | 2016-03-07 | 2017-09-15 | 紫岳科技有限公司 | 用于紫外光发射装置的封装 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1145958A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Kyowa Kasei Kk | 表面実装部品及びその製造方法 |
JP2000188358A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002066724A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-05 | Toyota Industries Corp | 複合材及びその製造方法 |
JP2002252373A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP2003309232A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Am Technology:Kk | ヒートシンク |
JP2005002470A (ja) * | 2003-05-16 | 2005-01-06 | Hitachi Metals Ltd | 高熱伝導・低熱膨張複合材及び放熱基板並びにこれらの製造方法 |
JP2005209763A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2007142479A (ja) * | 2003-03-14 | 2007-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
JP2009054801A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 放熱部材及びそれを備えた発光モジュール |
-
2007
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1145958A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Kyowa Kasei Kk | 表面実装部品及びその製造方法 |
JP2000188358A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002066724A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-05 | Toyota Industries Corp | 複合材及びその製造方法 |
JP2002252373A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP2003309232A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Am Technology:Kk | ヒートシンク |
JP2007142479A (ja) * | 2003-03-14 | 2007-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
JP2005002470A (ja) * | 2003-05-16 | 2005-01-06 | Hitachi Metals Ltd | 高熱伝導・低熱膨張複合材及び放熱基板並びにこれらの製造方法 |
JP2005209763A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2009054801A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 放熱部材及びそれを備えた発光モジュール |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015115532A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基板およびそれを備えた発光装置 |
CN107170872A (zh) * | 2016-03-07 | 2017-09-15 | 紫岳科技有限公司 | 用于紫外光发射装置的封装 |
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