JP2009058747A - Optoelectronic circuit board and inspecting device of the same - Google Patents

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直志 小竹
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optoelectronic circuit board that can inspect failures in a light receiving/emitting light part and an optical transmission path after being mounted on a circuit board of the light receiving/emitting part, and to provide an inspecting device the same. <P>SOLUTION: A substrate 10 is provided with, on a second board 10B side thereof, a photoreceiver 14 for receiving light emitted from a light emitting element 125 of a first optical module 12A. The photoreceiver 14 is provided so as to be located in an opening 10b provided in the second board 10B so that part of the light incident from an opening 10a provided in a first board 10A may transmit through an optical waveguide 10C; and the photoreceiver 14 photoelectrically converts light reception signals that corresponds to light intensity of the received light to output the converted signals as analog signals. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、光電子回路基板および光電子回路基板の検査装置に関する。   The present invention relates to an optoelectronic circuit board and an inspection apparatus for an optoelectronic circuit board.

光を情報の伝送媒体として利用した光通信技術が広く普及してきている。このような光通信技術においては、情報を示す信号により光を変調した光信号を伝送するため、従来、基板に光導波路を内蔵した光実装基板が提案されている(例えば、非特許文献1参照)。   Optical communication technology using light as an information transmission medium has become widespread. In such an optical communication technology, in order to transmit an optical signal obtained by modulating light with a signal indicating information, conventionally, an optical mounting substrate in which an optical waveguide is built in the substrate has been proposed (for example, see Non-Patent Document 1). ).

この光実装基板は、両端に光路変換面を有する光導波路が内蔵されたプリント配線板を有し、サブマウントの下面に発光素子が実装され、上面にドライバが実装された発光側光デバイスを、発光素子が一方の光路変換面の直上に位置するように半田ボールによってプリント配線板上に電気的に接続し、サブマウントの下面に受光素子が実装され、上面にレシーバが実装された受光側光デバイスを、受光素子が他方の光路変換面の直上に位置するように半田ボールによってプリント配線板上に電気的に接続した構造を有する。
エレクトロニクス実装学会誌 Vol.8 No.1(2005)、p.29-32
This optical mounting board has a printed wiring board in which optical waveguides having optical path conversion surfaces at both ends are built, a light emitting element mounted on the lower surface of the submount, and a light emitting side optical device mounted with a driver on the upper surface, Light receiving side light that is electrically connected to the printed wiring board by solder balls so that the light emitting element is positioned directly above one optical path conversion surface, the light receiving element is mounted on the lower surface of the submount, and the receiver is mounted on the upper surface. The device has a structure in which a light receiving element is electrically connected to a printed wiring board by a solder ball so that the light receiving element is positioned immediately above the other optical path conversion surface.
Journal of Japan Institute of Electronics Packaging Vol.8 No.1 (2005), p.29-32

本発明の目的は、受発光部の回路基板上への実装後に受発光部および光伝送路の不具合を検査することのできる光電子回路基板および光電子回路基板の検査装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an optoelectronic circuit board and an optoelectronic circuit board inspection apparatus capable of inspecting defects of the light emitting / receiving section and the optical transmission path after mounting the light emitting / receiving section on the circuit board.

本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路基板を提供する。   In order to achieve the above object, one embodiment of the present invention provides the following optoelectronic circuit board.

(1)発光素子を有する光モジュールを実装される実装面を有する第1の基板と、
前記第1の基板の前記実装面と反対側の面に設けられ、前記発光素子から発せられる光を伝播させるコアと前記コアを覆うクラッドとを有し、前記コアの光入射位置および光出射位置に光路変換面が設けられている光導波路と、
前記光導波路の前記第1の基板が設けられる面と反対側の面に設けられ、前記発光素子から発せられる光を前記光導波路を介して出射させる光出射部を設けられた第2の基板とを有する光電子回路基板。
(1) a first substrate having a mounting surface on which an optical module having a light emitting element is mounted;
A core provided on a surface opposite to the mounting surface of the first substrate and having a core for propagating light emitted from the light emitting element and a clad covering the core; An optical waveguide provided with an optical path conversion surface;
A second substrate provided on a surface of the optical waveguide opposite to the surface on which the first substrate is provided, and provided with a light emitting portion that emits light emitted from the light emitting element via the optical waveguide; An optoelectronic circuit board.

(2)前記光出射部は、前記光入射位置に対応して前記第2の基板に設けられる開口部である前記(1)に記載の光電子回路基板。 (2) The optoelectronic circuit board according to (1), wherein the light emitting portion is an opening provided in the second substrate corresponding to the light incident position.

(3)前記光出射部は、前記光出射位置に対応して前記第2の基板に設けられる開口部である前記(1)に記載の光電子回路基板。 (3) The optoelectronic circuit board according to (1), wherein the light emitting portion is an opening provided in the second substrate corresponding to the light emitting position.

(4)前記光路変換面は、前記発光素子から発せられる光の径より小なる反射面を有する前記(1)に記載の光電子回路基板。 (4) The optoelectronic circuit board according to (1), wherein the optical path conversion surface has a reflective surface smaller than a diameter of light emitted from the light emitting element.

(5)前記光路変換面は、前記光入射位置で前記コアおよび前記クラッドに前記光を入射するように設けられる第1の光路変換面と、
前記第1の光路変換面で反射されて前記クラッドを伝播した前記光を光路変換して前記光出射部から出射させる第2の光路変換面とを有する前記(1)に記載の光電子回路基板。
(5) The first optical path conversion surface provided so that the light is incident on the core and the clad at the light incident position,
The optoelectronic circuit board according to (1), further comprising: a second optical path conversion surface that converts the light reflected by the first optical path conversion surface and propagated through the clad into an optical path and emits the light from the light emitting unit.

(6)前記光路変換面は、前記光入射位置に前記コアのサイズより小なるサイズで設けられる第1の光路変換面と、
前記光出射位置に前記コアのサイズより小なるサイズで設けられ、前記第1の光路変換面で反射されて前記コアを伝播した前記光の一部を光路変換して前記光出射部から出射させる第2の光路変換面とを有する前記(1)に記載の光電子回路基板。
(6) The optical path conversion surface is a first optical path conversion surface provided in the light incident position with a size smaller than the size of the core;
The light emitting position is provided with a size smaller than the size of the core, and a part of the light reflected by the first optical path conversion surface and propagated through the core is optically converted and emitted from the light emitting unit. The optoelectronic circuit board according to (1), further including a second optical path conversion surface.

また、本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路基板の検査装置を提供する。   In order to achieve the above object, one embodiment of the present invention provides the following optoelectronic circuit board inspection apparatus.

(7)発光素子を有する光モジュールを実装される実装面を有する第1の基板と、前記第1の基板の前記実装面と反対側の面に設けられる光導波路と、前記光導波路の前記第1の基板が設けられる面と反対側の面に設けられる第2の基板とを有する光電子回路基板と、
前記第1の基板の前記実装面に実装された前記光モジュールの前記発光素子に駆動電圧を印加する電源部と、
前記駆動電圧の印加に基づいて前記発光素子から発せられる検査光を前記第1の基板、前記光導波路、および前記第2基板を介して受光する受光部と、
前記検査光の受光に基づいて検出信号を出力する信号検出部とを有する光電子回路基板の検査装置。
(7) a first substrate having a mounting surface on which an optical module having a light emitting element is mounted; an optical waveguide provided on a surface opposite to the mounting surface of the first substrate; and the first of the optical waveguides An optoelectronic circuit board having a second substrate provided on a surface opposite to the surface on which the first substrate is provided;
A power supply unit that applies a driving voltage to the light emitting element of the optical module mounted on the mounting surface of the first substrate;
A light-receiving unit that receives inspection light emitted from the light-emitting element based on application of the drive voltage via the first substrate, the optical waveguide, and the second substrate;
An inspection apparatus for an optoelectronic circuit board, comprising: a signal detection unit that outputs a detection signal based on reception of the inspection light.

(8)前記受光部は、前記光導波路への光入射位置に応じて前記第1および前記第2の基板に設けられる開口部に位置するように設けられる前記(7)に記載の光電子回路基板の検査装置。 (8) The optoelectronic circuit board according to (7), wherein the light receiving section is provided so as to be positioned in an opening provided in the first and second substrates according to a light incident position on the optical waveguide. Inspection equipment.

(9)前記受光部は、前記光導波路への光入射位置に応じて前記第2の基板に設けられる第1の開口部に位置するように設けられる第1の受光部と、前記光導波路からの光出射位置に応じて前記第2の基板に設けられる第2の開口部に位置するように設けられる第2の受光部とを有する前記(7)に記載の光電子回路基板の検査装置。 (9) The light receiving unit includes a first light receiving unit provided to be positioned at a first opening provided in the second substrate according to a light incident position on the optical waveguide, and the optical waveguide. The inspection apparatus for an optoelectronic circuit board according to (7), further comprising: a second light receiving portion provided so as to be positioned in a second opening provided in the second substrate in accordance with the light emission position of the first and second substrates.

請求項1に記載の光電子回路基板によれば、受発光部の回路基板上への実装後に受発光部および光伝送路の不具合を検査することができる。   According to the optoelectronic circuit board according to the first aspect, it is possible to inspect defects of the light emitting / receiving section and the optical transmission path after mounting the light receiving / emitting section on the circuit board.

請求項2に記載の光電子回路基板によれば、光出射部から出射される光に基づいて発光素子の不具合を検査することができる。   According to the optoelectronic circuit board of the second aspect, it is possible to inspect a defect of the light emitting element based on the light emitted from the light emitting portion.

請求項3に記載の光電子回路基板によれば、光出射部から出射される光に基づいて発光素子および光導波路の不具合を検査することができる。   According to the optoelectronic circuit board according to the third aspect, it is possible to inspect the defects of the light emitting element and the optical waveguide based on the light emitted from the light emitting portion.

請求項4に記載の光電子回路基板によれば、発光素子から発せられた光を光出射部から出射させることができる。   According to the optoelectronic circuit board according to the fourth aspect, the light emitted from the light emitting element can be emitted from the light emitting portion.

請求項5に記載の光電子回路基板によれば、クラッドを伝播した光に基づいて光導波路の不具合を検査することができる。   According to the optoelectronic circuit board of the fifth aspect, it is possible to inspect a defect of the optical waveguide based on the light propagated through the clad.

請求項6に記載の光電子回路基板によれば、コアを伝播した光に基づいて光導波路の不具合を検査することができる。   According to the optoelectronic circuit board according to the sixth aspect, it is possible to inspect the defect of the optical waveguide based on the light propagated through the core.

請求項7に記載の光電子回路基板の検査装置によれば、受発光部の回路基板上への実装後に受発光部および光伝送路の不具合を検査することができる。   According to the inspection apparatus for an optoelectronic circuit board according to the seventh aspect, it is possible to inspect defects of the light emitting / receiving section and the optical transmission path after mounting the light emitting / receiving section on the circuit board.

請求項8に記載の光電子回路基板の検査装置によれば、発光素子の発光状態について不具合を検査することができる。   According to the optoelectronic circuit board inspection apparatus of the eighth aspect, it is possible to inspect the light emitting state of the light emitting element.

請求項9に記載の光電子回路基板の検査装置によれば、発光素子の発光状態および光導波路の光伝送状態について不具合を検査することができる。   According to the optoelectronic circuit board inspection apparatus of the ninth aspect, it is possible to inspect the light emitting state of the light emitting element and the light transmission state of the optical waveguide.

[第1の実施の形態]
(光電子回路基板の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光電子回路基板の概略構成を示し、(a)は光電子回路基板の斜視図、(b)は(a)のA−A部における光電子回路基板中央部分の縦断面図、(c)は(a)のB−B部における光電子回路基板の横断面図である。
[First embodiment]
(Configuration of optoelectronic circuit board)
FIG. 1 shows a schematic configuration of an optoelectronic circuit board according to a first embodiment of the present invention, wherein (a) is a perspective view of the optoelectronic circuit board, and (b) is an optoelectronic circuit in the AA portion of (a). The longitudinal cross-sectional view of the center part of a board | substrate, (c) is a cross-sectional view of the optoelectronic circuit board in the BB part of (a).

この光電子回路基板1は、図1(a)に示すように、第1基板10Aと第2基板10Bとの間に光導波路10Cを積層して構成される基板10と、光導波路10Cの一方の側(送信側)に位置して基板10に実装される第1光モジュール12Aと、光導波路10Cの他方の側(受信側)に位置して基板10に実装される第2光モジュール12Bとを有して構成されている。第1光モジュール12Aと第2光モジュール12Bは、光導波路10Cのコア層100を介して光信号2を受送信する。   As shown in FIG. 1A, the optoelectronic circuit board 1 includes a substrate 10 configured by laminating an optical waveguide 10C between a first substrate 10A and a second substrate 10B, and one of the optical waveguides 10C. A first optical module 12A mounted on the substrate 10 positioned on the side (transmitting side) and a second optical module 12B mounted on the substrate 10 positioned on the other side (receiving side) of the optical waveguide 10C. It is configured. The first optical module 12A and the second optical module 12B receive and transmit the optical signal 2 through the core layer 100 of the optical waveguide 10C.

光電子回路基板1の第1基板10Aには、光モジュールの発光素子を後述する検査装置20によって発光させるための検査用端子1A,1B,1D,1Eおよび検査用グランド1Cが設けられている。   The first substrate 10A of the optoelectronic circuit board 1 is provided with inspection terminals 1A, 1B, 1D, 1E and an inspection ground 1C for causing a light emitting element of the optical module to emit light by an inspection device 20 described later.

検査用端子1Aは第1光モジュール12Aの発光素子駆動用であり、検査用端子1Bは第1光モジュール12Aの受光素子出力用であり、1Cは光電子回路基板1の検査用グランドであり、検査用端子1Dは第2光モジュール12Bの発光素子駆動用であり、検査用端子1Eは第2光モジュール12Bの受光素子出力用である。   The inspection terminal 1A is for driving the light emitting element of the first optical module 12A, the inspection terminal 1B is for outputting the light receiving element of the first optical module 12A, and 1C is an inspection ground for the optoelectronic circuit board 1, The terminal 1D is for driving the light emitting element of the second optical module 12B, and the inspection terminal 1E is for outputting the light receiving element of the second optical module 12B.

光導波路10Cは、図1(b)に示すように、コア層100と、コア層100より屈折率の小なるクラッド層101とで構成され、コア層100がクラッド層101の間に挟まれた構造を有する。この光導波路10Cは、例えば、一般によく用いられるフォトリソグラフィや反応性イオンエッチング(RIE)を利用した方法で作製可能である。特に、本出願人が既に提案した特開2004−29507号公報等に記載されている鋳型を用いた作製工程により効率的に製造することができる。   As shown in FIG. 1B, the optical waveguide 10 </ b> C includes a core layer 100 and a clad layer 101 having a refractive index smaller than that of the core layer 100, and the core layer 100 is sandwiched between the clad layers 101. It has a structure. The optical waveguide 10C can be manufactured by, for example, a method using photolithography or reactive ion etching (RIE) that is generally used. In particular, it can be efficiently produced by a production process using a mold described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-29507 already proposed by the present applicant.

図2は、光電子回路基板を図1(a)のA−A部において切断した第1光モジュール部分における部分断面図、図3は、光電子回路基板を図1(a)のA−A部において切断した第2光モジュール部分における部分断面図である。   FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the first optical module section obtained by cutting the optoelectronic circuit board at the AA portion in FIG. 1A, and FIG. 3 shows the optoelectronic circuit board at the AA section in FIG. It is the fragmentary sectional view in the cut 2nd optical module part.

第1光モジュール12Aおよび第2光モジュール12Bは、外部接続用として設けられる端子120と基板10の第1基板10Aに設けられた端子110Aとをハンダボール121を介して接続するボールグリッドアレイ(BGA)型の光モジュールである。   The first optical module 12A and the second optical module 12B have a ball grid array (BGA) that connects a terminal 120 provided for external connection and a terminal 110A provided on the first substrate 10A of the substrate 10 via a solder ball 121. ) Type optical module.

第1光モジュール12Aは、図2に示すように、大規模集積回路(LSI)等の電子部品を実装可能な支持基板122と、支持基板122のハンダボール121接合側である裏面側に固定され、ワイヤ123を介して端子124に電気的に接続される発光素子125と、発光素子125の固定された側とは反対の表面側に固定されるLSI等の制御部126と、支持基板122を貫通して裏面側のハンダボール121と電気的に接続され、制御部126とワイヤ123を介して電気的に接続される端子127と、支持基板122表面の制御部126,ワイヤ123,および端子127を封止する封止樹脂128とを有する。   As shown in FIG. 2, the first optical module 12 </ b> A is fixed to a support substrate 122 on which electronic components such as a large scale integrated circuit (LSI) can be mounted, and a back surface side of the support substrate 122 on the solder ball 121 bonding side. The light emitting element 125 electrically connected to the terminal 124 through the wire 123, the control unit 126 such as LSI fixed to the surface side opposite to the side on which the light emitting element 125 is fixed, and the support substrate 122 A terminal 127 that penetrates and is electrically connected to the solder ball 121 on the back surface side and is electrically connected to the controller 126 via the wire 123, and the controller 126, the wire 123, and the terminal 127 on the surface of the support substrate 122. And a sealing resin 128 for sealing.

また、第1光モジュール12Aは、後述する第2光モジュール12Bから送信された光信号を受信する受光素子を支持基板122の裏面側に有している。   The first optical module 12 </ b> A has a light receiving element that receives an optical signal transmitted from the second optical module 12 </ b> B, which will be described later, on the back side of the support substrate 122.

この第1光モジュール12Aは、基板10の方向に光を発する発光素子125と基板10内に設けられた光導波路10Cのクラッド層101とが光結合可能となるように、第1基板10Aに設けられた開口部10aに発光素子125が位置するように固定されている。   The first optical module 12A is provided on the first substrate 10A so that the light emitting element 125 emitting light in the direction of the substrate 10 and the cladding layer 101 of the optical waveguide 10C provided in the substrate 10 can be optically coupled. The light emitting element 125 is fixed so as to be positioned in the opening 10a.

また、基板10の第2基板10B側には、第1光モジュール12Aの発光素子125から発せられる光を受光する受光器14が設けられている。受光器14は、第1基板10Aに設けられる開口部10aから入射する光信号2の一部が光導波路10Cを介して透過するように第2基板10Bに設けられる開口部10bに位置するように設けられており、受光した光信号2の光強度に応じた受光信号を光電変換してアナログ信号として出力する。   In addition, a light receiver 14 that receives light emitted from the light emitting element 125 of the first optical module 12A is provided on the second substrate 10B side of the substrate 10. The light receiver 14 is positioned in the opening 10b provided in the second substrate 10B so that a part of the optical signal 2 incident from the opening 10a provided in the first substrate 10A is transmitted through the optical waveguide 10C. A received light signal corresponding to the light intensity of the received light signal 2 is photoelectrically converted and output as an analog signal.

受光器14は、検査装置20に接続されている。検査装置20は、第1光モジュール12Aおよび基板10の検査を行うためのオペレータによる入力操作を行う操作部21と、受光器14から入力するアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する信号変換部22と、受光器14の検出結果に基づく画面表示を行うカラー液晶パネル等の表示器からなる表示部23と、検査の実行に基づく駆動電圧を発生する電源部24と、検査装置20の各部を制御する制御部25と、電源部24に電源線26を介して接続される駆動電圧印加用の検電プローブ27とを有しており、電源部24には図示しない構成として検査用グランド1Cとの間にグランド線が接続される。   The light receiver 14 is connected to the inspection apparatus 20. The inspection apparatus 20 includes an operation unit 21 that performs an input operation by an operator for inspecting the first optical module 12A and the substrate 10, and a signal conversion unit that converts an analog signal input from the light receiver 14 into a digital signal and outputs the digital signal. 22, a display unit 23 composed of a display such as a color liquid crystal panel that performs screen display based on the detection result of the light receiver 14, a power supply unit 24 that generates a driving voltage based on the execution of the inspection, and each unit of the inspection apparatus 20. The power supply unit 24 includes a control unit 25 for controlling, and a voltage detection probe 27 for applying a drive voltage connected to the power supply unit 24 via a power supply line 26. The power supply unit 24 includes a test ground 1C as a configuration (not shown). A ground line is connected between the two.

上記した受光器14,グランド線を含む電源線26,および検電プローブ27についても検査装置20に含まれる構成としている。   The above-described light receiver 14, the power supply line 26 including the ground line, and the voltage detection probe 27 are also included in the inspection apparatus 20.

受光器14は、例えば、面型のフォトダイオード等の面型光素子を用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、高速応答性に優れたGaAs系のPINフォトダイオードを用いる。   For the light receiver 14, for example, a planar optical element such as a planar photodiode can be used. In this embodiment, a GaAs PIN photodiode excellent in high-speed response is used as the light receiving element.

第2光モジュール12Bは、図3に示すように、光導波路10Cのコア層100から光信号2を受信可能な光路上に受光素子129が位置するように第1基板10Aに固定されている構成以外については、第1光モジュール12Aと同様の構成を有する。受光素子129は、第1基板10Aに設けられた開口部10aを介して光導波路10Cのコア層100からミラー10Dによって光路変換された光信号2を受信する。   As shown in FIG. 3, the second optical module 12B is fixed to the first substrate 10A so that the light receiving element 129 is positioned on the optical path capable of receiving the optical signal 2 from the core layer 100 of the optical waveguide 10C. Other than that, the configuration is the same as that of the first optical module 12A. The light receiving element 129 receives the optical signal 2 whose optical path has been changed by the mirror 10D from the core layer 100 of the optical waveguide 10C through the opening 10a provided in the first substrate 10A.

第2光モジュール12Bは、第1光モジュール12Aに対して光信号2を送信する発光素子を支持基板122の裏面側に有している。   The second optical module 12B has a light emitting element that transmits an optical signal 2 to the first optical module 12A on the back side of the support substrate 122.

(発光素子)
発光素子125は、面型発光ダイオードや面型レーザ等の発光素子(面型光素子)を用いることができる。本実施の形態では、発光素子125として、VCSEL(面発光レーザ)を用いており、その発光波長は850nmである。
(Light emitting element)
As the light emitting element 125, a light emitting element (surface type optical element) such as a surface type light emitting diode or a surface type laser can be used. In this embodiment mode, a VCSEL (surface emitting laser) is used as the light emitting element 125, and the emission wavelength is 850 nm.

この面発光レーザは、例えば、n型GaAs基板上に、n型下部反射鏡層、活性層、電流狭窄層、p型上部反射鏡層、p型コンタクト層、p側電極を形成し、n型GaAs基板の裏面にn側電極を形成したものであり、p側電極は、活性層の発光領域の直上に開口を有する。   In this surface emitting laser, for example, an n-type lower reflector layer, an active layer, a current confinement layer, a p-type upper reflector layer, a p-type contact layer, and a p-side electrode are formed on an n-type GaAs substrate. An n-side electrode is formed on the back surface of the GaAs substrate, and the p-side electrode has an opening immediately above the light emitting region of the active layer.

なお、本実施の形態では、発光素子はひとつであるが、複数の発光素子をアレイ状に配列したものを用いることもできる。   Note that although one light-emitting element is provided in this embodiment, a plurality of light-emitting elements arranged in an array can also be used.

(受光素子)
受光素子129は、例えば、面型のフォトダイオード等の面型光素子を用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、高速応答性に優れたGaAs系のPINフォトダイオードを用いる。
(Light receiving element)
As the light receiving element 129, for example, a planar optical element such as a planar photodiode can be used. In this embodiment, a GaAs PIN photodiode excellent in high-speed response is used as the light receiving element.

この受光素子129は、例えば、GaAs基板上に、PIN接合されたP層、I層およびN層と、P層に接続されたp側電極と、N層に形成されたn側電極とを備え、p側電極は、開口を有し、開口の内側がレーザ光を受光する受光部となっている。   The light receiving element 129 includes, for example, a P-layer, an I-layer, and an N-layer that are PIN-bonded on a GaAs substrate, a p-side electrode connected to the P-layer, and an n-side electrode formed on the N layer. The p-side electrode has an opening, and the inside of the opening serves as a light receiving portion that receives laser light.

なお、本実施の形態では、受光素子はひとつであるが、送信側の複数の発光素子に対応した複数の受光素子をアレイ状に配列したものを用いることもできる。   In the present embodiment, the number of light receiving elements is one, but a plurality of light receiving elements corresponding to the plurality of light emitting elements on the transmission side may be arranged in an array.

(支持基板)
第1光モジュール12Aおよび第2光モジュール12Bの支持基板122は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成され、外部回路への実装側となる裏面に銅等の導電性材料から形成された端子120を有する。また端子120の一部は、スルーホールを介して制御部126が固定される表面に銅等の導電性材料から形成された端子や配線パターンと接続されている。
(Support substrate)
The support substrate 122 of the first optical module 12A and the second optical module 12B is formed of an insulating material such as glass epoxy resin, and a terminal formed of a conductive material such as copper on the back surface on the mounting side to the external circuit. 120. A part of the terminal 120 is connected to a terminal or a wiring pattern formed of a conductive material such as copper on the surface to which the control unit 126 is fixed through a through hole.

発光素子125については、図2に示す端子120と同様の導電性材料によって支持基板122の裏面に形成されたグランドに導電性接着剤によりn側電極が接着される。発光素子125のp側電極と端子124とは金等からなるワイヤ123により接続される。   As for the light emitting element 125, the n-side electrode is bonded to the ground formed on the back surface of the support substrate 122 by the same conductive material as the terminal 120 shown in FIG. The p-side electrode of the light emitting element 125 and the terminal 124 are connected by a wire 123 made of gold or the like.

また、受光素子129については、図3に示す端子120と同様の導電性材料によって支持基板122の裏面に形成されたグランドに導電性接着剤によりn側電極が接着される。受光素子129のp側電極と端子124とは金等からなるワイヤ123により接続される。   For the light receiving element 129, the n-side electrode is bonded to the ground formed on the back surface of the support substrate 122 by the same conductive material as the terminal 120 shown in FIG. The p-side electrode of the light receiving element 129 and the terminal 124 are connected by a wire 123 made of gold or the like.

なお、支持基板122は、他の回路基板上に実装できるように構成されていてもよい。例えば、支持基板122の表面に形成された端子,グランドからスルーホールを介して支持基板122の裏面に設けられたハンダボール121に接続し、このハンダボール121を介して支持基板122を他の回路基板に実装してもよい。   Note that the support substrate 122 may be configured to be mounted on another circuit board. For example, a terminal formed on the surface of the support substrate 122 and a ground are connected to a solder ball 121 provided on the back surface of the support substrate 122 through a through hole, and the support substrate 122 is connected to another circuit via the solder ball 121. You may mount on a board | substrate.

(制御部)
制御部126は、発光素子125を駆動する駆動回路と、受光素子129での受光に基づいて光電変換された電気信号を増幅する増幅回路とを有している。
(Control part)
The control unit 126 includes a drive circuit that drives the light emitting element 125 and an amplification circuit that amplifies the electrical signal photoelectrically converted based on light received by the light receiving element 129.

(封止樹脂)
封止樹脂128は、エポキシ樹脂等の熱硬化性成形材料からなり、ワイヤ123、制御部126、および端子127を光・熱や湿度などの環境から保護する。なお、エポキシ樹脂を主成分とし、シリカ等の充填材を加えたものであってもよい。
(Sealing resin)
The sealing resin 128 is made of a thermosetting molding material such as an epoxy resin, and protects the wire 123, the control unit 126, and the terminal 127 from the environment such as light, heat, and humidity. An epoxy resin as a main component and a filler such as silica may be added.

(基板)
基板10は、第1基板10Aと第2基板10Bについて、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成されている。第1基板10Aは、表面に銅等の導電性材料から形成された端子110Aを有する。
(substrate)
The substrate 10 is formed of an insulating material such as glass epoxy resin for the first substrate 10A and the second substrate 10B. 10 A of 1st board | substrates have the terminal 110A formed from electroconductive materials, such as copper, on the surface.

第1基板10Aは、図2に示すように、第1光モジュール12Aが設けられる位置に発光素子125と基板10に設けられる光導波路10Cのコア層100とを光結合させるための開口部10aを有している。なお、開口部10aについては、光導波路10Cのコア層100との光結合が可能であれば、発光素子125から発せられる光の波長に対して透明な光透過性材料で埋められていてもよい。   As shown in FIG. 2, the first substrate 10A has an opening 10a for optically coupling the light emitting element 125 and the core layer 100 of the optical waveguide 10C provided on the substrate 10 at a position where the first optical module 12A is provided. Have. Note that the opening 10a may be filled with a light-transmitting material that is transparent to the wavelength of light emitted from the light emitting element 125, as long as optical coupling with the core layer 100 of the optical waveguide 10C is possible. .

また、第1基板10Aは、図3に示すように、第2光モジュール12Bが設けられる位置に受光素子129と基板10に設けられる光導波路10Cのコア層100とを光結合させるための開口部10aを有している。この開口部10aについても、光導波路10Cのコア層100との光結合が可能であれば、発光素子125から発せられる光の波長に対して透明な光透過性材料で埋められていてもよい。   Further, as shown in FIG. 3, the first substrate 10A has an opening for optically coupling the light receiving element 129 and the core layer 100 of the optical waveguide 10C provided on the substrate 10 at a position where the second optical module 12B is provided. 10a. The opening 10a may also be filled with a light transmissive material that is transparent to the wavelength of light emitted from the light emitting element 125, as long as optical coupling with the core layer 100 of the optical waveguide 10C is possible.

第2基板10Bは、図2に示すように、第1基板10Aの開口部10aが設けられる位置と同じ位置に第2基板10B側に光信号2を取り出すための開口部10bを有している。なお、この開口部10bについても、発光素子125から発せられる光の波長に対して透明な光透過性材料で埋められていてもよい。   As shown in FIG. 2, the second substrate 10B has an opening 10b for extracting the optical signal 2 on the second substrate 10B side at the same position as the position where the opening 10a of the first substrate 10A is provided. . The opening 10b may also be filled with a light transmissive material that is transparent to the wavelength of light emitted from the light emitting element 125.

(光導波路)
光導波路10Cは、コア層100と、コア層100の周囲に形成されたクラッド層101とから構成されている。コア層100は、第1基板10Aの開口部10aに対応する位置に45度に傾斜した光路変換面としてのミラー10Dが形成されている。このミラー10Dは、発光素子125、コア層100、および受光素子129の間の光路上に設けられる。ミラー10Dの周囲にはクラッド層101と同等の屈折率を有する光透過性樹脂10Eが充填されており、ミラー10Dの表面は光透過性樹脂10Eによって覆われている。
(Optical waveguide)
The optical waveguide 10 </ b> C includes a core layer 100 and a cladding layer 101 formed around the core layer 100. In the core layer 100, a mirror 10D as an optical path conversion surface inclined at 45 degrees is formed at a position corresponding to the opening 10a of the first substrate 10A. The mirror 10D is provided on the optical path between the light emitting element 125, the core layer 100, and the light receiving element 129. The periphery of the mirror 10D is filled with a light transmissive resin 10E having a refractive index equivalent to that of the cladding layer 101, and the surface of the mirror 10D is covered with the light transmissive resin 10E.

光導波路10Cは、例えば、コア層100とクラッド層101を含む層厚さが100〜200μmで形成される。   For example, the optical waveguide 10 </ b> C is formed with a layer thickness including the core layer 100 and the clad layer 101 of 100 to 200 μm.

光導波路10Cの作製は、まず、コア層100に対応する凹部を有した鋳型を作製する。   For the production of the optical waveguide 10 </ b> C, first, a mold having a recess corresponding to the core layer 100 is produced.

次に、鋳型にクラッド用フィルム基材を密着させ、鋳型の凹部に硬化性樹脂を充填する。   Next, the clad film substrate is brought into intimate contact with the mold, and the concave portion of the mold is filled with a curable resin.

次に、凹部内の硬化性樹脂を硬化させてコア層100とした後、鋳型を剥離する。これにより、クラッド層101となるクラッド用フィルム基材上にコア層100が残される。   Next, the curable resin in the recess is cured to form the core layer 100, and then the mold is peeled off. As a result, the core layer 100 is left on the clad film substrate to be the clad layer 101.

次に、クラッド用フィルム基材のコア層100が形成された面側に、コア層100を覆うようにクラッド層101を設ける。本実施の形態では、このようにして形成された光導波路10Cのコア層100にミラー10Dを設ける。   Next, the clad layer 101 is provided on the surface of the clad film substrate on which the core layer 100 is formed so as to cover the core layer 100. In the present embodiment, the mirror 10D is provided on the core layer 100 of the optical waveguide 10C thus formed.

図4Aおよび図4Bは、光導波路に光路変換面としてのミラーを設ける工程を示す図である。   4A and 4B are diagrams illustrating a process of providing a mirror as an optical path conversion surface on an optical waveguide.

まず、図4A(a)に示すように、前述したコア層100およびクラッド層101からなる光導波路10Cを用意する。   First, as shown in FIG. 4A (a), an optical waveguide 10C composed of the core layer 100 and the clad layer 101 described above is prepared.

次に、図4A(b)に示すように、光導波路10Cに対してコア層100への光入射位置となる所定の位置にダイサーで切り込みを入れて45度の傾斜面103Aを有するように溝103を形成する。溝103内にはコア層100が露出する。   Next, as shown in FIG. 4A (b), the optical waveguide 10C is grooved so as to have a 45-degree inclined surface 103A by making a cut with a dicer at a predetermined position as the light incident position on the core layer 100. 103 is formed. The core layer 100 is exposed in the groove 103.

次に、図4A(c)に示すように、光導波路10Cの溝103を形成した側にフォトレジスト104を形成する。   Next, as shown in FIG. 4A (c), a photoresist 104 is formed on the side where the groove 103 of the optical waveguide 10C is formed.

次に、図4A(d)に示すように、コア層100の端面に形成するミラーの形状に応じたマスクパターンを有するフォトマスクをフォトレジスト104形成面に重ねてフォトレジスト104を露光する。この後、エッチングによってフォトレジスト104を部分的に除去することにより、開口部105を形成する。   Next, as shown in FIG. 4A (d), a photomask having a mask pattern corresponding to the shape of the mirror formed on the end surface of the core layer 100 is overlaid on the surface where the photoresist 104 is formed, and the photoresist 104 is exposed. Thereafter, the photoresist 105 is partially removed by etching to form the opening 105.

次に、図4B(e)に示すように、溝103の傾斜面103Aに露出したコア層100の部分に蒸着等の薄膜形成法によって光反射膜としてのミラー10Dを形成する。ミラー10Dとして、例えばAu、Al等の金属膜、TiN等の金属光沢を有する膜を設けることができる。   Next, as shown in FIG. 4B (e), a mirror 10D as a light reflecting film is formed on the core layer 100 exposed at the inclined surface 103A of the groove 103 by a thin film forming method such as vapor deposition. As the mirror 10D, for example, a metal film such as Au or Al, or a film having a metallic luster such as TiN can be provided.

次に、図4B(f)に示すように、ミラー10Dを形成した光導波路10Cからフォトレジスト104を除去する。   Next, as shown in FIG. 4B (f), the photoresist 104 is removed from the optical waveguide 10C on which the mirror 10D is formed.

次に、図4B(g)に示すように、傾斜面103Aにミラー10Dを形成された溝103にクラッド層101と同等の屈折率を有する光透過性樹脂10Eを充填する。これによりコア層100の形成方向に対して45度の傾斜角を有する光路変換面としてのミラー10Dを備え、ミラー10D以外の部分では光路変換しない光導波路10Cが得られる。   Next, as shown in FIG. 4B (g), the groove 103 in which the mirror 10D is formed on the inclined surface 103A is filled with a light-transmitting resin 10E having a refractive index equivalent to that of the cladding layer 101. As a result, an optical waveguide 10 </ b> C that includes the mirror 10 </ b> D as an optical path conversion surface having an inclination angle of 45 degrees with respect to the formation direction of the core layer 100 and does not perform optical path conversion in portions other than the mirror 10 </ b> D is obtained.

図5(a)および(b)は、光導波路と第1基板および第2基板とを一体化する工程を示す図である。   FIGS. 5A and 5B are diagrams showing a process of integrating the optical waveguide with the first substrate and the second substrate.

まず、図5(a)に示すように、光導波路10Cの下面に対して、コア層100に形成されたミラー10Dが開口部10bの位置に配置されるように第2基板10Bを位置決めする。次に、位置決めされた第2基板10Bを熱硬化型接着剤等の接着剤によって開口部10bがミラー10Dを設けた部分に位置するように第2基板10Bを接合する。   First, as shown in FIG. 5A, the second substrate 10B is positioned so that the mirror 10D formed on the core layer 100 is disposed at the position of the opening 10b with respect to the lower surface of the optical waveguide 10C. Next, the second substrate 10B is bonded to the positioned second substrate 10B by an adhesive such as a thermosetting adhesive so that the opening 10b is positioned at a portion where the mirror 10D is provided.

次に、図5(b)に示すように、光導波路10Cの上面に対して、コア層100に形成されたミラー10Dが開口部10aの位置に配置されるように第1基板10Aを位置決めする。次に、位置決めされた第1基板10Aを熱硬化型接着剤等の接着剤によって上面に接合して基板10とする。   Next, as shown in FIG. 5B, the first substrate 10A is positioned so that the mirror 10D formed in the core layer 100 is disposed at the position of the opening 10a with respect to the upper surface of the optical waveguide 10C. . Next, 10 A of positioned 1st board | substrates are joined to an upper surface by adhesives, such as a thermosetting adhesive, and it is set as the board | substrate 10. FIG.

なお、上記した工程については光導波路10Cの光入射位置側について説明したが、光出射位置側についても同様に形成される。また、光導波路10Cに対して第1基板10Aを先に接合し、次に第2基板10Bを接合するようにしてもよい。また、第1基板10Aと第2基板10Bを同時に接合することも可能である。   In addition, although the above-described process was described on the light incident position side of the optical waveguide 10C, it is similarly formed on the light emitting position side. Alternatively, the first substrate 10A may be bonded first to the optical waveguide 10C, and then the second substrate 10B may be bonded. Further, the first substrate 10A and the second substrate 10B can be bonded simultaneously.

(光電子回路基板の動作)
以下に、第1の実施の形態の光電子回路基板の動作について、図1から図5を参照しつつ説明する。
(Operation of optoelectronic circuit board)
The operation of the optoelectronic circuit board according to the first embodiment will be described below with reference to FIGS.

(光信号の送受信)
第1光モジュール12Aの制御部126は、一例として、画像信号の送信を第2光モジュール12Bに対して行うとき、画像信号に基づいて駆動回路に制御信号を出力する。駆動回路は、制御信号に基づく発光素子125への通電制御を行う。発光素子125は、通電に基づいてp型電極とn型電極との間に電圧を印可されることにより、波長850nmのレーザ光を出射する。
(Transmission and reception of optical signals)
For example, when the image signal is transmitted to the second optical module 12B, the control unit 126 of the first optical module 12A outputs a control signal to the drive circuit based on the image signal. The drive circuit performs energization control to the light emitting element 125 based on the control signal. The light emitting element 125 emits laser light having a wavelength of 850 nm by applying a voltage between the p-type electrode and the n-type electrode based on energization.

図2に示すように、発光素子125から発せられたレーザ光の光信号2は、開口部10aを介して光導波路10Cに入射し、コア層100に設けられたミラー10Dで反射されて90度光路変換することによりコア層100内を伝播する。光導波路10Cは、コア層100にミラー10Dが設けられているので、開口部10aから入射した光信号2がクラッド層101には入射しない。このような構成によって、第2光モジュール12Bでクラッド層101を伝播した光を受信することがなく、光信号2にノイズが含まれず、ビットエラーの発生を防ぐことができる。   As shown in FIG. 2, the optical signal 2 of the laser beam emitted from the light emitting element 125 enters the optical waveguide 10C through the opening 10a, is reflected by the mirror 10D provided in the core layer 100, and is 90 degrees. It propagates in the core layer 100 by changing the optical path. In the optical waveguide 10 </ b> C, since the mirror 10 </ b> D is provided in the core layer 100, the optical signal 2 incident from the opening 10 a does not enter the cladding layer 101. With such a configuration, light propagated through the cladding layer 101 by the second optical module 12B is not received, noise is not included in the optical signal 2, and occurrence of bit errors can be prevented.

図3に示すように、コア層100を伝播した光信号2は、コア層100の光出射位置側に設けられるミラー10Dに入射する。ミラー10Dは、コア層100を伝播した光信号2を反射して90度光路変換する。光路変換された光信号2は開口部10aより出射し、第2光モジュール12Bの受光素子129に入射する。   As shown in FIG. 3, the optical signal 2 propagated through the core layer 100 is incident on a mirror 10 </ b> D provided on the light emission position side of the core layer 100. The mirror 10D reflects the optical signal 2 propagated through the core layer 100 and changes the optical path by 90 degrees. The optical signal 2 whose optical path has been changed is emitted from the opening 10a and enters the light receiving element 129 of the second optical module 12B.

受光素子129は、入射した光信号2の光強度に応じてp側電極とn側電極の間に電圧が生じ、この電圧に基づく電流を制御部126に出力する。制御部126は、受光素子129から出力される電流を増幅回路で増幅した後に信号処理する。   The light receiving element 129 generates a voltage between the p-side electrode and the n-side electrode according to the light intensity of the incident optical signal 2, and outputs a current based on this voltage to the control unit 126. The control unit 126 performs signal processing after the current output from the light receiving element 129 is amplified by an amplifier circuit.

第1光モジュール12Aと第2光モジュール12Bは、上記したように基板10に設けられた光導波路10Cを介して光信号2の受送信を行う。このように光導波路10Cが基板10内に設けられる光電子回路基板1の構成では、光導波路10Cに何らかの異常や損傷が生じても、外部からその異常について把握することが困難である。   The first optical module 12A and the second optical module 12B transmit and receive the optical signal 2 through the optical waveguide 10C provided on the substrate 10 as described above. Thus, in the configuration of the optoelectronic circuit board 1 in which the optical waveguide 10C is provided in the substrate 10, even if some abnormality or damage occurs in the optical waveguide 10C, it is difficult to grasp the abnormality from the outside.

さらに第1光モジュール12Aおよび第2光モジュール12Bが基板10に面実装されており、受発光部が露出していないので、発光素子125や受光素子129を直接的に検査することが困難である。以下に、本実施の形態における光電子回路基板1の検査方法について説明する。   Furthermore, since the first optical module 12A and the second optical module 12B are surface-mounted on the substrate 10 and the light emitting / receiving section is not exposed, it is difficult to directly inspect the light emitting element 125 and the light receiving element 129. . Below, the inspection method of the optoelectronic circuit board 1 in this Embodiment is demonstrated.

(光電子回路基板の検査)
図6は、第1の実施の形態における第1光モジュールの検査について示すフローチャートである。
(Inspection of optoelectronic circuit board)
FIG. 6 is a flowchart illustrating the inspection of the first optical module according to the first embodiment.

まず、オペレータは、図2に示すように第2基板10Bの開口部10bの位置に受光器14を配置する(S1)。   First, as shown in FIG. 2, the operator places the light receiver 14 at the position of the opening 10b of the second substrate 10B (S1).

次に、オペレータは、検査装置20の操作部21を操作して初期設定を行い、電源部24から駆動電圧を供給可能な待機状態とする(S2)。   Next, the operator operates the operation unit 21 of the inspection apparatus 20 to perform initial setting, and enters a standby state in which a drive voltage can be supplied from the power supply unit 24 (S2).

次に、オペレータは、検査用グランド1Cにグランド線を接続し、検電プローブ27を検査用端子1Aに接触させる(S3)。発光素子125に異常がなく正常に動作する状況では、検電プローブ27を接触させることにより検査用端子1Aから第1光モジュール12Aの発光素子125に駆動電圧が供給される。発光素子125は駆動電圧に基づいて発光し、検査光としての光信号2を発する。   Next, the operator connects a ground wire to the inspection ground 1C and brings the voltage detection probe 27 into contact with the inspection terminal 1A (S3). In a situation where the light emitting element 125 operates normally without any abnormality, a driving voltage is supplied from the inspection terminal 1A to the light emitting element 125 of the first optical module 12A by bringing the voltage detection probe 27 into contact therewith. The light emitting element 125 emits light based on the driving voltage and emits an optical signal 2 as inspection light.

オペレータは、表示部23の画面表示を監視して、受光器14の出力が変化しているか否かを確認する。画面表示により閾値以上の光強度と入力信号に応じたON、OFF信号が得られていると確認された場合(S4:Yes)は、第1光モジュール12Aの発光素子125は正常動作しているものと判断する(S5)。また、画面表示により光強度が閾値以下、もしくは受光器14からの出力がないと確認された場合(S4:No)は、第1光モジュール12Aの発光素子125に発光不良が生じているものと判断する(S6)。   The operator monitors the screen display of the display unit 23 to check whether or not the output of the light receiver 14 has changed. When it is confirmed on the screen display that the light intensity exceeding the threshold and the ON / OFF signal corresponding to the input signal are obtained (S4: Yes), the light emitting element 125 of the first optical module 12A is operating normally. Judgment is made (S5). In addition, when it is confirmed by the screen display that the light intensity is equal to or less than the threshold value or there is no output from the light receiver 14 (S4: No), the light emitting element 125 of the first optical module 12A has a light emission failure. Judgment is made (S6).

[第2の実施の形態]
(光電子回路基板の構成)
図7は、本発明の第2の実施の形態に係る光電子回路基板および検査装置の概略構成図である。同図においては、第1光モジュール12Aから第2光モジュール12Bへの光伝送を示し、基板10を断面図示している。以下の説明において、第1の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については共通の符号を付している。
[Second Embodiment]
(Configuration of optoelectronic circuit board)
FIG. 7 is a schematic configuration diagram of an optoelectronic circuit board and an inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention. In the figure, optical transmission from the first optical module 12A to the second optical module 12B is shown, and the substrate 10 is shown in a sectional view. In the following description, portions having the same configuration and function as those of the first embodiment are denoted by common reference numerals.

この光電子回路基板1は、第1の実施の形態で説明した第1光モジュール12A側の構成に加えて、第2光モジュール12B側の光導波路10Cに受光素子129への光路変換面と検査光取り出し用の光路変換面とを有する構成において、第1の実施の形態と相違している。   In addition to the configuration on the first optical module 12A side described in the first embodiment, the optoelectronic circuit board 1 has an optical path conversion surface to the light receiving element 129 and inspection light on the optical waveguide 10C on the second optical module 12B side. The configuration having the optical path conversion surface for extraction is different from the first embodiment.

検査装置20は、光電子回路基板1の光入射位置側に設けられる受光器14Aと、受光器14Aから入力するアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する信号変換部22Aとを有する。また、光電子回路基板1の光出射位置側に設けられる受光器14Bと、受光器14Bから入力するアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する信号変換部22Bとを有する。また、第2光モジュール12B側の検査用端子1Eには、受光素子129の受光に基づく信号を信号変換部22Bに出力する信号線28が接続される。   The inspection apparatus 20 includes a light receiver 14A provided on the light incident position side of the optoelectronic circuit board 1, and a signal converter 22A that converts an analog signal input from the light receiver 14A into a digital signal and outputs the digital signal. Moreover, it has the light receiver 14B provided in the light emission position side of the optoelectronic circuit board 1, and the signal conversion part 22B which converts the analog signal input from the light receiver 14B into a digital signal, and outputs it. Further, a signal line 28 that outputs a signal based on light reception of the light receiving element 129 to the signal conversion unit 22B is connected to the inspection terminal 1E on the second optical module 12B side.

光入射位置側では、光導波路10Cのクラッド層101に設けられる光入射位置側のミラー10Dが、コア層100のサイズより大に形成されている。この光入射位置では、光路変換された光信号2がコア層100およびクラッド層101へ入射される。また、ミラー10Dで光路変換されない光信号2が開口部10bを介して受光器14Aに入射する。   On the light incident position side, the mirror 10 </ b> D on the light incident position side provided in the cladding layer 101 of the optical waveguide 10 </ b> C is formed larger than the size of the core layer 100. At this light incident position, the optical signal 2 whose optical path has been changed is incident on the core layer 100 and the clad layer 101. Further, the optical signal 2 that is not subjected to optical path conversion by the mirror 10D enters the light receiver 14A through the opening 10b.

光出射位置側では、コア層100と同等のサイズで形成されるミラー10Fと、ミラー10Fの後段にコア層100より大なるサイズでクラッド層101を伝播した光信号2を光路変換するミラー10Gを有している。第1基板10Aには開口部10aが設けられ、第2基板10Bには開口部10bが設けられている。この開口部10aおよび10bは、ミラー10Fおよび10Gが形成される部分に位置している。この光出射位置では、コア層100を伝播した光信号2がミラー10Fによって受光素子129に入射するように光路変換される。また、クラッド層101を伝播した光信号2がミラー10Gによって受光器14Bに入射するように光路変換される。   On the light emission position side, a mirror 10F formed with the same size as the core layer 100 and a mirror 10G for optical path conversion of the optical signal 2 propagated through the cladding layer 101 with a size larger than the core layer 100 at the subsequent stage of the mirror 10F are provided. Have. The first substrate 10A is provided with an opening 10a, and the second substrate 10B is provided with an opening 10b. The openings 10a and 10b are located at portions where the mirrors 10F and 10G are formed. At this light emission position, the optical signal 2 propagated through the core layer 100 is optically path-changed so as to enter the light receiving element 129 by the mirror 10F. Further, the optical path 2 of the optical signal 2 propagated through the cladding layer 101 is changed by the mirror 10G so as to enter the light receiver 14B.

第1光モジュール12Aから第2光モジュール12Bへ光信号2を伝送する場合、受信側の第2光モジュール12Bで光信号2の受信が可能か否かを監視するだけでは、異常が生じたことを発見できても、その発生箇所が第1光モジュール12Aなのか、光導波路10Cなのか、あるいは第2光モジュール12Bなのかを特定することができない。   When transmitting the optical signal 2 from the first optical module 12A to the second optical module 12B, an abnormality has occurred simply by monitoring whether or not the optical signal 2 can be received by the second optical module 12B on the receiving side. Even if it can be found, it cannot be specified whether the generation location is the first optical module 12A, the optical waveguide 10C, or the second optical module 12B.

第2の実施の形態では、複数の受光器14Aおよび14Bを設けて光路変換面から検査用の光を受光することにより、光路の各部における異常を判断する。   In the second embodiment, an abnormality in each part of the optical path is determined by providing a plurality of light receivers 14A and 14B and receiving inspection light from the optical path conversion surface.

(光電子回路基板の検査)
図8は、第2の実施の形態における第1光モジュール,光導波路,および第2光モジュールの検査について示すフローチャートである。
(Inspection of optoelectronic circuit board)
FIG. 8 is a flowchart illustrating the inspection of the first optical module, the optical waveguide, and the second optical module in the second embodiment.

まず、オペレータは、図7に示すように光入射位置側である第2基板10Bの開口部10bの位置に受光器14Aを配置し、光出射位置側である第2基板10Bの開口部10bの位置に受光器14Bを配置する(S11)。   First, as shown in FIG. 7, the operator places the light receiver 14A at the position of the opening 10b of the second substrate 10B on the light incident position side, and the opening 10b of the second substrate 10B on the light emission position side. The light receiver 14B is disposed at the position (S11).

次に、オペレータは、検査装置20の操作部21を操作して初期設定を行い、電源部24から駆動電圧を供給可能な待機状態とする(S12)。   Next, the operator operates the operation unit 21 of the inspection apparatus 20 to perform initial setting, and enters a standby state in which a drive voltage can be supplied from the power supply unit 24 (S12).

次に、オペレータは、検査用グランド1Cにグランド線を接続し、検電プローブ27を検査用端子1Aに接触させる(S13)。発光素子125に異常がなく正常に動作する状況では、検電プローブ27を接触させることにより検査用端子1Aから第1光モジュール12Aの発光素子125に駆動電圧が供給される。発光素子125は駆動電圧に基づいて発光し、検査光としての光信号2を発する。   Next, the operator connects the ground wire to the inspection ground 1C and brings the voltage detection probe 27 into contact with the inspection terminal 1A (S13). In a situation where the light emitting element 125 operates normally without any abnormality, a driving voltage is supplied from the inspection terminal 1A to the light emitting element 125 of the first optical module 12A by bringing the voltage detection probe 27 into contact therewith. The light emitting element 125 emits light based on the driving voltage and emits an optical signal 2 as inspection light.

オペレータは、表示部23の画面表示を監視して、受光器14Aの出力が変化しているか否かを確認する。画面表示により閾値以上の光強度と入力信号に応じたON、OFF信号が得られていると確認された場合(S14:Yes)は、第1光モジュール12Aの発光素子125は正常動作しているものと判断する。   The operator monitors the screen display of the display unit 23 and confirms whether or not the output of the light receiver 14A has changed. When it is confirmed by the screen display that the light intensity exceeding the threshold and the ON / OFF signal corresponding to the input signal are obtained (S14: Yes), the light emitting element 125 of the first optical module 12A is operating normally. Judge that.

また、オペレータは、表示部23の画面表示を監視して、受光器14Bの出力が変化しているか否かを確認する。画面表示により閾値以上の光強度と入力信号に応じたON、OFF信号が得られていると確認された場合(S15:Yes)は、光導波路10Cのクラッド層101を介して光信号2が正常に伝播しているものと判断する。   Further, the operator monitors the screen display of the display unit 23 and confirms whether or not the output of the light receiver 14B has changed. When it is confirmed on the screen display that the light intensity exceeding the threshold and the ON / OFF signal corresponding to the input signal are obtained (S15: Yes), the optical signal 2 is normal through the cladding layer 101 of the optical waveguide 10C. It is judged that it is propagated to.

また、オペレータは、表示部23の画面表示を監視して、信号線28から受光素子129の受光に基づく出力が得られているかを確認する。画面表示により閾値以上の光強度と入力信号に応じたON、OFF信号が得られていると確認された場合(S16:Yes)は、受光素子129が正常に動作しているものと判断する。これにより第1光モジュール12Aから第2光モジュール12Bへの光信号2の受送信が正常動作していると判断する(S17)。   Further, the operator monitors the screen display of the display unit 23 and confirms whether or not an output based on light reception of the light receiving element 129 is obtained from the signal line 28. If it is confirmed by the screen display that the light intensity equal to or higher than the threshold and the ON / OFF signal corresponding to the input signal are obtained (S16: Yes), it is determined that the light receiving element 129 is operating normally. Thereby, it is determined that the transmission / reception of the optical signal 2 from the first optical module 12A to the second optical module 12B is operating normally (S17).

一方、受光器14Aから閾値以上の光強度、または、入力信号に応じたON、OFF信号が得られていないと確認された場合(S14:No)は、第1光モジュール12Aの発光素子125が発光不良を生じているものと判断する。   On the other hand, when it is confirmed that the light intensity exceeding the threshold value or the ON / OFF signal corresponding to the input signal is not obtained from the light receiver 14A (S14: No), the light emitting element 125 of the first optical module 12A is It is determined that a light emission failure has occurred.

また、受光器14Bから閾値以上の光強度、または、入力信号に応じたON、OFF信号が得られていないと確認された場合(S15:No)は、第1光モジュール12Aの発光素子125は正常であるが、光導波路10Cに何らかの損傷が生じているものと判断する。   When it is confirmed that the light intensity exceeding the threshold value or the ON / OFF signal corresponding to the input signal is not obtained from the light receiver 14B (S15: No), the light emitting element 125 of the first optical module 12A is Although it is normal, it is determined that some damage has occurred in the optical waveguide 10C.

また、受光素子129の受光に基づく出力が得られていないと確認された場合(S16:No)は、第1光モジュール12Aの発光素子125は正常で、光導波路10Cも正常であるものの、第2光モジュール12Bの受光素子129が受光不良を生じているものと判断する。   When it is confirmed that the output based on the light reception of the light receiving element 129 is not obtained (S16: No), the light emitting element 125 of the first optical module 12A is normal and the optical waveguide 10C is also normal. It is determined that the light receiving element 129 of the two-optical module 12B has a light reception failure.

[第3の実施の形態]
(光電子回路基板の構成)
図9は、本発明の第3の実施の形態に係る光電子回路基板の概略構成図である。
[Third embodiment]
(Configuration of optoelectronic circuit board)
FIG. 9 is a schematic configuration diagram of an optoelectronic circuit board according to the third embodiment of the present invention.

第3の実施の形態では、光導波路10Cに光路変換面として設けるミラー10Dおよび10Eのサイズをコア層100のサイズより小なるものとする構成について第2の実施の形態と相違している。   The third embodiment is different from the second embodiment in the configuration in which the size of the mirrors 10D and 10E provided as the optical path conversion surface in the optical waveguide 10C is smaller than the size of the core layer 100.

このような光導波路10Cを有する基板10の場合、発光素子125から発せられて光入射位置に設けられるミラー10Dで光路変換された光信号2は、コア層100に入射する。コア層100に入射した光信号2は拡散しながら伝播する。この光信号2は、光出入射位置に設けられるミラー10Fで一部が光路変換されて受光素子129に入射し、光路変換されない成分は後段のミラー10Gで反射されて受光器14Bに入射する。   In the case of the substrate 10 having such an optical waveguide 10 </ b> C, the optical signal 2 emitted from the light emitting element 125 and subjected to optical path conversion by the mirror 10 </ b> D provided at the light incident position enters the core layer 100. The optical signal 2 incident on the core layer 100 propagates while diffusing. A part of the optical signal 2 is optically path-converted by the mirror 10F provided at the light incident / incident position and enters the light receiving element 129, and a component not optical path-reflected is reflected by the mirror 10G at the subsequent stage and enters the light receiver 14B.

このように、コア層100を伝播したノイズの少ない光の一部を検査光として用いるようにしてもよい。   As described above, a part of light with less noise that has propagated through the core layer 100 may be used as inspection light.

[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記した各実施の形態に限定されず、その発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形実施が可能である。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で各実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることが可能である。
[Other embodiments]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. In addition, the constituent elements of the respective embodiments can be arbitrarily combined without departing from the spirit of the present invention.

例えば、図4Aおよび4Bで説明した光導波路の傾斜面103Aは45度に限定されない。また、ミラー10Dとして形成される光反射膜についても金属膜に限定されず、波長選択性を有する誘電体多層膜を形成してもよい。   For example, the inclined surface 103A of the optical waveguide described in FIGS. 4A and 4B is not limited to 45 degrees. Further, the light reflecting film formed as the mirror 10D is not limited to the metal film, and a dielectric multilayer film having wavelength selectivity may be formed.

また、第1光モジュール12Aと第2光モジュール12Bは、それぞれ発光素子125と受光素子129の両方を有する双方向型の光モジュールとして説明したが、発光素子125のみ、または受光素子129のみを有する一方向型の光モジュールとして、光導波路10Cを介した光通信を行うものであってもよい。   In addition, the first optical module 12A and the second optical module 12B have been described as bidirectional optical modules each having both the light emitting element 125 and the light receiving element 129. However, the first optical module 12A and the second optical module 12B have only the light emitting element 125 or only the light receiving element 129. As the unidirectional optical module, optical communication via the optical waveguide 10C may be performed.

図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光電子回路基板の概略構成を示し、(a)は光電子回路基板の斜視図、(b)は(a)のA−A部における光電子回路基板中央部分の縦断面図、(c)は(a)のB−B部における光電子回路基板の横断面図である。FIG. 1 shows a schematic configuration of an optoelectronic circuit board according to a first embodiment of the present invention, wherein (a) is a perspective view of the optoelectronic circuit board, and (b) is an optoelectronic circuit in the AA portion of (a). The longitudinal cross-sectional view of the center part of a board | substrate, (c) is a cross-sectional view of the optoelectronic circuit board in the BB part of (a). 図2は、光電子回路基板を図1(a)のA−A部において切断した第1光モジュール部分における部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the first optical module portion obtained by cutting the optoelectronic circuit board at the AA portion in FIG. 図3は、光電子回路基板を図1(a)のA−A部において切断した第2光モジュール部分における部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the second optical module section obtained by cutting the optoelectronic circuit board at the AA section in FIG. 図4A(a)から(d)は、光導波路に光路変換面としてのミラーを設ける工程を示す図である。4A (a) to 4 (d) are diagrams illustrating a process of providing a mirror as an optical path conversion surface in an optical waveguide. 図4B(e)から(g)は、光導波路に光路変換面としてのミラーを設ける工程を示す図である。FIGS. 4B (e) to 4 (g) are diagrams showing a process of providing a mirror as an optical path conversion surface in the optical waveguide. 図5(a)および(b)は、光導波路と第1基板および第2基板とを一体化する工程を示す図である。FIGS. 5A and 5B are diagrams showing a process of integrating the optical waveguide with the first substrate and the second substrate. 図6は、第1の実施の形態における第1光モジュールの検査について示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart illustrating the inspection of the first optical module according to the first embodiment. 図7は、本発明の第2の実施の形態に係る光電子回路基板および検査装置の概略構成図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of an optoelectronic circuit board and an inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図8は、第2の実施の形態における第1光モジュール,光導波路,および第2光モジュールの検査について示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart illustrating the inspection of the first optical module, the optical waveguide, and the second optical module in the second embodiment. 図9は、本発明の第3の実施の形態に係る光電子回路基板の概略構成図である。FIG. 9 is a schematic configuration diagram of an optoelectronic circuit board according to the third embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…光電子回路基板、1A,1B,1D,1E…検査用端子、1C…検査用グランド、2…光信号、10…基板、10A…第1基板、10B…第2基板、10a,10b…開口部、10C…光導波路、10D,10F,10G…ミラー、10E…光透過性樹脂、12A…第1光モジュール、12B…第2光モジュール、14,14A,14B…受光器、20…検査装置、21…操作部、22,22A,22B…信号変換部、23…表示部、24…電源部、25…制御部、26…電源線、27…検電プローブ、28…信号線、100…コア層、101…クラッド層、103…溝、103A…傾斜面、104…フォトレジスト、105…開口部、110A…端子、120…端子、121…ハンダボール、122…支持基板、123…ワイヤ、124…端子、125…発光素子、126…制御部、127…端子、128…封止樹脂、129…受光素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optoelectronic circuit board, 1A, 1B, 1D, 1E ... Inspection terminal, 1C ... Inspection ground, 2 ... Optical signal, 10 ... Substrate, 10A ... First substrate, 10B ... Second substrate, 10a, 10b ... Opening Part, 10C ... optical waveguide, 10D, 10F, 10G ... mirror, 10E ... light transmitting resin, 12A ... first optical module, 12B ... second optical module, 14, 14A, 14B ... light receiver, 20 ... inspection device, DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 ... Operation part, 22,22A, 22B ... Signal conversion part, 23 ... Display part, 24 ... Power supply part, 25 ... Control part, 26 ... Power supply line, 27 ... Electric detection probe, 28 ... Signal line, 100 ... Core layer , 101 ... cladding layer, 103 ... groove, 103A ... inclined surface, 104 ... photoresist, 105 ... opening, 110A ... terminal, 120 ... terminal, 121 ... solder ball, 122 ... support substrate, 123 ... wire, 12 ... terminal, 125 ... light emitting element, 126 ... controller, 127 ... terminal, 128 ... sealing resin, 129 ... light-receiving element

Claims (9)

発光素子を有する光モジュールを実装される実装面を有する第1の基板と、
前記第1の基板の前記実装面と反対側の面に設けられ、前記発光素子から発せられる光を伝播させるコアと前記コアを覆うクラッドとを有し、前記コアの光入射位置および光出射位置に光路変換面が設けられている光導波路と、
前記光導波路の前記第1の基板が設けられる面と反対側の面に設けられ、前記発光素子から発せられる光を前記光導波路を介して出射させる光出射部を設けられた第2の基板とを有する光電子回路基板。
A first substrate having a mounting surface on which an optical module having a light emitting element is mounted;
A core provided on a surface opposite to the mounting surface of the first substrate and having a core for propagating light emitted from the light emitting element and a clad covering the core; An optical waveguide provided with an optical path conversion surface;
A second substrate provided on a surface of the optical waveguide opposite to the surface on which the first substrate is provided, and provided with a light emitting portion that emits light emitted from the light emitting element via the optical waveguide; An optoelectronic circuit board.
前記光出射部は、前記光入射位置に対応して前記第2の基板に設けられる開口部である請求項1に記載の光電子回路基板。   The optoelectronic circuit board according to claim 1, wherein the light emitting portion is an opening provided in the second substrate corresponding to the light incident position. 前記光出射部は、前記光出射位置に対応して前記第2の基板に設けられる開口部である請求項1に記載の光電子回路基板。   The optoelectronic circuit board according to claim 1, wherein the light emitting portion is an opening provided in the second substrate corresponding to the light emitting position. 前記光路変換面は、前記発光素子から発せられる光の径より小なる反射面を有する請求項1に記載の光電子回路基板。   The optoelectronic circuit board according to claim 1, wherein the optical path changing surface has a reflecting surface smaller than a diameter of light emitted from the light emitting element. 前記光路変換面は、前記光入射位置で前記コアおよび前記クラッドに前記光を入射するように設けられる第1の光路変換面と、
前記第1の光路変換面で反射されて前記クラッドを伝播した前記光を光路変換して前記光出射部から出射させる第2の光路変換面とを有する請求項1に記載の光電子回路基板。
The optical path conversion surface is a first optical path conversion surface provided so that the light is incident on the core and the clad at the light incident position;
2. The optoelectronic circuit board according to claim 1, further comprising: a second optical path conversion surface configured to perform optical path conversion of the light reflected by the first optical path conversion surface and propagated through the cladding and to emit the light from the light emitting unit.
前記光路変換面は、前記光入射位置に前記コアのサイズより小なるサイズで設けられる第1の光路変換面と、
前記光出射位置に前記コアのサイズより小なるサイズで設けられ、前記第1の光路変換面で反射されて前記コアを伝播した前記光の一部を光路変換して前記光出射部から出射させる第2の光路変換面とを有する請求項1に記載の光電子回路基板。
The optical path conversion surface is a first optical path conversion surface provided at a size smaller than the size of the core at the light incident position;
The light emitting position is provided with a size smaller than the size of the core, and a part of the light reflected by the first optical path conversion surface and propagated through the core is optically converted and emitted from the light emitting unit. The optoelectronic circuit board according to claim 1, further comprising a second optical path conversion surface.
発光素子を有する光モジュールを実装される実装面を有する第1の基板と、前記第1の基板の前記実装面と反対側の面に設けられる光導波路と、前記光導波路の前記第1の基板が設けられる面と反対側の面に設けられる第2の基板とを有する光電子回路基板と、
前記第1の基板の前記実装面に実装された前記光モジュールの前記発光素子に駆動電圧を印加する電源部と、
前記駆動電圧の印加に基づいて前記発光素子から発せられる検査光を前記第1の基板、前記光導波路、および前記第2基板を介して受光する受光部と、
前記検査光の受光に基づいて検出信号を出力する信号検出部とを有する光電子回路基板の検査装置。
A first substrate having a mounting surface on which an optical module having a light emitting element is mounted; an optical waveguide provided on a surface of the first substrate opposite to the mounting surface; and the first substrate of the optical waveguide An optoelectronic circuit board having a second substrate provided on a surface opposite to the surface provided with
A power supply unit that applies a driving voltage to the light emitting element of the optical module mounted on the mounting surface of the first substrate;
A light-receiving unit that receives inspection light emitted from the light-emitting element based on application of the drive voltage via the first substrate, the optical waveguide, and the second substrate;
An inspection apparatus for an optoelectronic circuit board, comprising: a signal detection unit that outputs a detection signal based on reception of the inspection light.
前記受光部は、前記光導波路への光入射位置に応じて前記第1および前記第2の基板に設けられる開口部に位置するように設けられる請求項7に記載の光電子回路基板の検査装置。   The optoelectronic circuit board inspection apparatus according to claim 7, wherein the light receiving unit is provided so as to be positioned in an opening provided in the first and second substrates in accordance with a light incident position on the optical waveguide. 前記受光部は、前記光導波路への光入射位置に応じて前記第2の基板に設けられる第1の開口部に位置するように設けられる第1の受光部と、前記光導波路からの光出射位置に応じて前記第2の基板に設けられる第2の開口部に位置するように設けられる第2の受光部とを有する請求項7に記載の光電子回路基板の検査装置。   The light receiving portion includes a first light receiving portion provided to be positioned in a first opening provided in the second substrate according to a light incident position on the optical waveguide, and light emission from the optical waveguide. The inspection apparatus for an optoelectronic circuit board according to claim 7, further comprising: a second light receiving portion provided so as to be positioned in a second opening provided in the second substrate according to a position.
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