JP5647485B2 - Optical module - Google Patents

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Description

本発明は、光信号を送信あるいは受信する光モジュールに関する。   The present invention relates to an optical module that transmits or receives an optical signal.

図8に示す光モジュール50は、発光(送信)側光モジュール50Aと受光(受信)側光モジュール50Bの各第1基板51の表面に形成された溝内に設けられた内部導波路52と、この溝の先端部に形成された光路変換用のミラー部53とが設けられている。また、各第1基板51の表面に実装され、ミラー部53を介して内部導波路52のコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部53を介して内部導波路52のコア部からの光信号を受光する発光素子(光素子)54Aと受光素子(光素子)54Bとが設けられている。さらに、発光素子54Aと受光素子54Bの各内部導波路52のコア部と光学的に結合される外部導波路(光ファイバー)55が設けられている(特許文献1参照)。なお、特許文献1では、外部導波路として、樹脂光導波路を薄型化したフレキシブルなフィルム状のものを用いている。   The optical module 50 shown in FIG. 8 includes an internal waveguide 52 provided in a groove formed on the surface of each first substrate 51 of the light emitting (transmitting) side optical module 50A and the light receiving (receiving) side optical module 50B. An optical path changing mirror 53 formed at the tip of the groove is provided. Further, it is mounted on the surface of each first substrate 51 and emits an optical signal to the core portion of the internal waveguide 52 via the mirror portion 53, or light from the core portion of the internal waveguide 52 via the mirror portion 53. A light emitting element (optical element) 54A and a light receiving element (optical element) 54B for receiving signals are provided. Further, an external waveguide (optical fiber) 55 optically coupled to the core portion of each internal waveguide 52 of the light emitting element 54A and the light receiving element 54B is provided (see Patent Document 1). In Patent Document 1, a flexible film-like one in which a resin optical waveguide is thinned is used as an external waveguide.

この特許文献1では、各第1基板51の表面に、発光素子54Aの発光面と受光素子54Bの受光面を実装面として、それぞれバンプでフリップチップ実装している。   In this patent document 1, the surface of each first substrate 51 is flip-chip mounted with bumps using the light emitting surface of the light emitting element 54A and the light receiving surface of the light receiving element 54B as mounting surfaces.

また、各第1基板51は、別の第2基板(インタポーザ基板)56の表面にそれぞれ設置されている。この各第2基板56の表面には、発光素子54Aに電気信号を送信するためのIC回路が形成されたIC基板57Aと、受光素子54Bからの電気信号を受信するためのIC回路が形成されたIC基板57Bがそれぞれ実装されている。   Each first substrate 51 is installed on the surface of another second substrate (interposer substrate) 56. On the surface of each second substrate 56, an IC substrate 57A on which an IC circuit for transmitting an electric signal to the light emitting element 54A is formed and an IC circuit for receiving an electric signal from the light receiving element 54B are formed. Each IC substrate 57B is mounted.

そして、発光素子54Aと受光素子54Bと、各第2基板6のIC基板57A,57Bとは、ワイヤーボンディング58でそれぞれ電気的に接続されている。なお、59は、各IC基板57A,57Bを他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタである。   The light emitting element 54A, the light receiving element 54B, and the IC substrates 57A and 57B of each second substrate 6 are electrically connected by wire bonding 58, respectively. Reference numeral 59 denotes a connector for electrically connecting the IC boards 57A and 57B to other circuit devices.

ところで、発光側光モジュール50Aと、受光側光モジュール50Bと、外部導波路(光ファイバー)55とが分離できるタイプで、光通信でビットエラー等の異常が発生したとする。この場合には、発光側光モジュール50Aの光出力検査、受光側光モジュール50Bの光受光強度の検査、外部導波路55の検査を個別にすることが可能であるため、異常箇所を特定して修理等をすることができる。   By the way, it is assumed that the light emitting side optical module 50A, the light receiving side optical module 50B, and the external waveguide (optical fiber) 55 are separable, and an abnormality such as a bit error occurs in the optical communication. In this case, the light output inspection of the light emitting side optical module 50A, the light reception intensity inspection of the light receiving side optical module 50B, and the inspection of the external waveguide 55 can be individually performed. Can be repaired.

なお、光導波路の一部から光を分岐させて、モニタする方法が提案されている(特許文献2参照)。   A method of branching light from a part of an optical waveguide and monitoring it has been proposed (see Patent Document 2).

特開2009−260227号公報JP 2009-260227 A 特開2006−208794号公報JP 2006-208794 A

しかしながら、特許文献1のように、発光側光モジュール50Aと受光側光モジュール50Bと外部導波路(光ファイバー)55とが分離できないタイプで、光通信でビットエラー等の異常が発生したとする。この場合には、各光モジュール50A,50Bと外部導波路(光ファイバー)55の検査を個別にすることは不可能であり、異常箇所を特定して修理等をすることが困難である。   However, as in Patent Document 1, it is assumed that the light-emitting side optical module 50A, the light-receiving side optical module 50B, and the external waveguide (optical fiber) 55 cannot be separated, and an abnormality such as a bit error occurs in optical communication. In this case, it is impossible to individually test each of the optical modules 50A and 50B and the external waveguide (optical fiber) 55, and it is difficult to specify an abnormal location and repair it.

そのため、特許文献2のような方法を採用することも考えられる。しかし、光通信に用いる光の一部を使用するために光効率が低下することから、光通信の安定のためにレーザ出力を増大させると、レーザ寿命が低下するという懸念がある。   Therefore, it is conceivable to adopt a method as described in Patent Document 2. However, since a part of the light used for optical communication is used, the light efficiency is lowered. Therefore, there is a concern that increasing the laser output for stabilization of the optical communication reduces the laser life.

本発明は、前記問題を解消するためになされたもので、発光側光モジュールと受光側光モジュールと外部導波路とが分離できないタイプであっても、簡易に異常箇所を特定することができる光モジュールを提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in order to solve the above-described problem. Even if the light-emitting side optical module, the light-receiving side optical module, and the external waveguide cannot be separated from each other, the light that can easily identify an abnormal portion is provided. The purpose is to provide modules.

前記課題を解決するために、本発明は、シリコン基板の表面に形成された第1溝内の先端部に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するようにシリコン基板の表面側に実装された光素子と、シリコン基板の表面に第1溝と連なって形成された略V字形状の第2溝内に設置され、前記ミラー部を介して前記光素子と光学的に結合されるファイバーコア部を有する光ファイバーを備え、前記光素子は、ミラー部を介して光ファイバーのファイバーコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して光ファイバーのファイバーコア部からの光信号を受光する光モジュールにおいて、前記ミラー部と前記光ファイバーのファイバーコア部の先端との間に隙間があり、この隙間からの漏れ光は、前記光素子が発光素子であるときは、第2溝の側面である斜面で、前記シリコン基板の表面方向に反射若しくは拡散され、前記光素子が受光素子であるときは、第1溝と第2溝との間の境界面である斜面で、前記シリコン基板の表面方向に反射若しくは拡散され、前記シリコン基板の表面に、前記漏れ光を検出するフォトダイオードが実装されていることを特徴とする光モジュールを提供するものである。 In order to solve the above problems, the present invention includes a mirror for optical path conversion formed on the distal end portion of the first groove formed in the surface of the silicon substrate, the silicon substrate so as to face the mirror portion An optical element mounted on the front surface side and a second groove having a substantially V-shape formed on the surface of the silicon substrate and connected to the first groove, are optically connected to the optical element via the mirror portion. The optical element includes an optical fiber having a fiber core portion to be coupled, and the optical element emits an optical signal to the fiber core portion of the optical fiber via the mirror portion, or receives an optical signal from the fiber core portion of the optical fiber via the mirror portion. in the optical module for receiving, there is a gap between the tip of the fiber core section of the said mirror unit optical fiber, light leaking from the gap, when the optical element is a light emitting element A slope that is a side surface of the second groove is reflected or diffused toward the surface of the silicon substrate, and when the optical element is a light receiving element, the slope is a boundary surface between the first groove and the second groove. The present invention provides an optical module characterized in that a photodiode that is reflected or diffused toward the surface of the silicon substrate and that detects the leakage light is mounted on the surface of the silicon substrate.

前記第1溝内に内部導波路が設けられ、この内部導波路のコア部と前記光ファイバーのファイバーコア部とが光学的に結合されている構成とすることができる。   An internal waveguide may be provided in the first groove, and the core portion of the internal waveguide and the fiber core portion of the optical fiber may be optically coupled.

本発明によれば、光素子と光ファイバーとの間の漏れ光を、基板の表面方向に反射若しくは拡散させ、この反射若しくは拡散された漏れ光を検出する。例えば、漏れ光を発光側光モジュールと光ファイバーとの間で検出できれば、発光側光モジュールは正常と判断でき、ついで光ファイバーと受光側光モジュールとの間で検出できれば、光ファイバーは正常と判断できる。このようにして、発光側光モジュール、受光側光モジュール、光ファイバーの異常箇所を、簡易に特定することができる。   According to the present invention, the leakage light between the optical element and the optical fiber is reflected or diffused in the direction of the surface of the substrate, and the reflected or diffused leakage light is detected. For example, if leakage light can be detected between the light emitting side optical module and the optical fiber, it can be determined that the light emitting side optical module is normal, and if it can be detected between the optical fiber and the light receiving side optical module, it can be determined that the optical fiber is normal. In this way, abnormal portions of the light emitting side optical module, the light receiving side optical module, and the optical fiber can be easily identified.

また、光通信に用いる光ではなく、その漏れ光を利用するだけであるから、光通信の安定のためにレーザ出力を増大させる必要もない。   Further, since only the leaked light is used instead of the light used for the optical communication, it is not necessary to increase the laser output for the stability of the optical communication.

特に、発光素子は、発光面を下向きとして基板にフリップチップ実装している場合には、動作確認が困難である。そこで、発光素子と光ファイバーとの間の漏れ光を基板の表面方向に反射若しくは拡散させることにより、発光素子の動作確認が容易になる。   In particular, when the light emitting element is flip-chip mounted on the substrate with the light emitting surface facing downward, it is difficult to confirm the operation. Therefore, by confirming or diffusing the leaked light between the light emitting element and the optical fiber toward the surface of the substrate, the operation of the light emitting element can be easily confirmed.

本発明に係る光モジュールの側面図である。It is a side view of the optical module which concerns on this invention. 図1の発光側光モジュールの第1基板であり、(a)は側面断面図、(b)は(a)のI−I線断面図、(c)は(a)のII−II線断面図である。FIG. 2 is a first substrate of the light emitting side optical module of FIG. 1, (a) is a side sectional view, (b) is a sectional view taken along line II in (a), and (c) is a sectional view taken along line II-II in (a). FIG. 図2の第1基板であり、(a)は斜視図、(b)は内部導波路を形成した斜視図である。2A is a perspective view of the first substrate of FIG. 2, and FIG. 3B is a perspective view in which an internal waveguide is formed. 第1基板であり、(a)は発光素子を実装した斜視図、(b)は光ファイバーを挿入した斜視図である。FIG. 3A is a perspective view in which a light emitting element is mounted, and FIG. 3B is a perspective view in which an optical fiber is inserted. 漏れ光を示す発光側光モジュールであり、(a)は概略側面断面図、(b)は第1基板の平面図、(c)は(b)のIII−III線断面図である。It is the light emission side optical module which shows leak light, (a) is a schematic sectional side view, (b) is a top view of a 1st board | substrate, (c) is the III-III sectional view taken on the line of (b). 漏れ光を示す受光側光モジュールの概略側面断面図である。It is a schematic side sectional view of a light receiving side optical module showing leakage light. フォトダイオードを実装した第1基板であり、(a)は側面断面図、(b)は平面図である。It is the 1st board | substrate which mounted the photodiode, (a) is side sectional drawing, (b) is a top view. 従来の光モジュールの側面断面図である。It is side surface sectional drawing of the conventional optical module.

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明に係る光モジュール40の側面断面図である。図2は図1の発光側光モジュール40Aであり、(a)は側面断面図、(b)は(a)のI−I線断面図、(c)は(a)のII−II線断面図である。図3は第1基板1であり、(a)は斜視図、(b)は内部導波路16を形成した斜視図である。図4は第1基板1であり、(a)は発光素子12aを実装した斜視図、(b)は光ファイバー2を挿入した斜視図である。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a side sectional view of an optical module 40 according to the present invention. 2A and 2B show the light-emitting side optical module 40A of FIG. 1, in which FIG. 2A is a side cross-sectional view, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line II in FIG. FIG. 3A and 3B show the first substrate 1. FIG. 3A is a perspective view, and FIG. 3B is a perspective view in which an internal waveguide 16 is formed. 4A and 4B show the first substrate 1, in which FIG. 4A is a perspective view in which the light emitting element 12a is mounted, and FIG. 4B is a perspective view in which the optical fiber 2 is inserted.

図1において、光モジュール40は、発光側光モジュール40Aと、受光側光モジュール40Bと、この発光側と受光側の光モジュール40A,40Bを光学的に結合する光ファイバー2とを備えている。   In FIG. 1, the optical module 40 includes a light emitting side optical module 40A, a light receiving side optical module 40B, and an optical fiber 2 that optically couples the light emitting side and the light receiving side optical modules 40A and 40B.

発光側光モジュール40Aの第1基板(マウント基板)1と受光側光モジュール40Bの第1基板(マウント基板)1は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子から受光素子までの光結合効率が必要になるので、光素子を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第1基板1として、本実施形態ではシリコン(Si)基板が採用されている。   The first substrate (mount substrate) 1 of the light emitting side optical module 40A and the first substrate (mount substrate) 1 of the light receiving side optical module 40B are rigid in order to avoid the influence of heat during mounting and the stress due to the use environment. is necessary. Further, in the case of optical transmission, since optical coupling efficiency from the light emitting element to the light receiving element is required, it is necessary to mount the optical element with high accuracy and to suppress position fluctuation during use as much as possible. For this reason, a silicon (Si) substrate is employed as the first substrate 1 in the present embodiment.

特にシリコン基板であれば、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能〔この溝を利用して高精度なミラー部15(後述)、溝内に内部導波路16(後述)を形成する。〕となる。また、シリコン基板は、平坦性も良好である。   In particular, in the case of a silicon substrate, it is possible to process a highly accurate etching groove on the surface by utilizing the crystal orientation of silicon [a highly accurate mirror portion 15 (described later) using this groove, and an internal waveguide 16 ( (To be described later). ]. In addition, the silicon substrate has good flatness.

第1基板1は、それよりもサイズが大きい第2基板(インタポーザ基板)6の表面(上面)にそれぞれ設置されている。各第2基板6の裏面(下面)には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ7がそれぞれ取付けられている。   The first substrate 1 is installed on the surface (upper surface) of a second substrate (interposer substrate) 6 having a larger size. Connectors 7 for electrically connecting to other circuit devices are respectively attached to the back surface (lower surface) of each second substrate 6.

第1基板1の表面(上面)には、電気信号を光信号に変換する発光素子12aが発光面を下向きとしてバンプ12c(図2参照)でフリップチップ実装されている。また、第2基板6の表面には、この発光素子12aに電気信号を送信するためのIC回路が形成されたIC基板(信号処理部)4aが実装されている。   On the surface (upper surface) of the first substrate 1, a light emitting element 12a that converts an electrical signal into an optical signal is flip-chip mounted with bumps 12c (see FIG. 2) with the light emitting surface facing downward. An IC substrate (signal processing unit) 4a on which an IC circuit for transmitting an electrical signal to the light emitting element 12a is formed is mounted on the surface of the second substrate 6.

発光素子12aとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ〔VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)〕が採用されている。この発光素子12aはLED等でもよい。   In the present embodiment, a surface emitting laser (VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)) that is a semiconductor laser is employed as the light emitting element 12a. The light emitting element 12a may be an LED or the like.

IC基板4aは、前記VCSELを駆動させるドライバICであり、発光素子12aの近傍に配設されている。そして、発光素子12aおよびIC基板4aは、第1基板1の表面と第2基板6の表面に形成されたメタル回路(銅や金スパッタによるパターニング回路)に接続されている。   The IC substrate 4a is a driver IC that drives the VCSEL, and is disposed in the vicinity of the light emitting element 12a. The light emitting element 12a and the IC substrate 4a are connected to a metal circuit (patterning circuit by copper or gold sputtering) formed on the surface of the first substrate 1 and the surface of the second substrate 6.

第1基板1の表面には、図3(a)に示すように、略台形状の第1溝(導波路形成用溝)1aと、第1溝1aよりも深い略V字形状の第2溝1bが前後方向に連なって形成されている。なお、第1溝1aは、第2溝1bよりも浅い略V字形状の溝であってもよい。   On the surface of the first substrate 1, as shown in FIG. 3 (a), a substantially trapezoidal first groove (waveguide forming groove) 1a and a substantially V-shaped second deeper than the first groove 1a. The groove 1b is formed continuously in the front-rear direction. The first groove 1a may be a substantially V-shaped groove that is shallower than the second groove 1b.

第1溝1aの先端部には、発光素子12aの真下となる位置に、光路を90度屈曲させるための光路変換用のミラー部15が形成されている。   At the tip of the first groove 1a, an optical path changing mirror 15 for bending the optical path by 90 degrees is formed at a position directly below the light emitting element 12a.

第1基板1の第1溝1a内には、図3(b)に示すように、第1基板1の発光素子12aと光学的に結合する内部導波路16が設けられている。この内部導波路16は、ミラー部15から第2溝1bの方向に延在していて、第1溝1aの後端部1dと面一となっている。   As shown in FIG. 3B, an internal waveguide 16 that is optically coupled to the light emitting element 12a of the first substrate 1 is provided in the first groove 1a of the first substrate 1. The internal waveguide 16 extends from the mirror portion 15 in the direction of the second groove 1b and is flush with the rear end portion 1d of the first groove 1a.

内部導波路16は、光が伝播する屈折率の高い断面略正方形状のコア部17と、それよりも屈折率の低いクラッド部18とから構成されている。図2(c)のように、コア部17の左右の両面は、クラッド部18で覆われている。なお、第1溝1aが第2溝1bよりも浅い略V字形状の溝である場合には、コア部17は、断面略正方形状でなく、略V字形状の溝に沿った断面略五角形状に形成する。   The internal waveguide 16 includes a core portion 17 having a substantially square cross section with a high refractive index through which light propagates, and a cladding portion 18 having a refractive index lower than that. As shown in FIG. 2C, the left and right surfaces of the core portion 17 are covered with the cladding portion 18. When the first groove 1a is a shallow V-shaped groove that is shallower than the second groove 1b, the core portion 17 is not substantially square in cross section, but is substantially pentagonal in cross section along the substantially V-shaped groove. Form into shape.

図4(a)のように、内部導波路16が設けられた第1基板1の表面の所定位置には、発光素子12aが実装され、この発光素子12aとコア部17との間の空間には、図2(a)のように、光学透明樹脂13が充填されている。   As shown in FIG. 4A, a light emitting element 12a is mounted at a predetermined position on the surface of the first substrate 1 on which the internal waveguide 16 is provided, and the space between the light emitting element 12a and the core portion 17 is mounted. As shown in FIG. 2A, the optical transparent resin 13 is filled.

図1に戻って、受光側光モジュール40Bの第1基板1について説明する。この受光側光モジュール40Bの第1基板1の基本的な構成は、発光側光モジュール40Aの第1基板1と同様に構成されている。ただし、受光側光モジュール40Bの第1基板1の表面(上面)に、光信号を電気信号に変換する受光素子12bが受光面を下向きとしてバンプでフリップチップ実装されている。また、第2基板6の表面に、この受光素子12bに電気信号を送信するためのIC回路が形成されたIC基板(信号処理部)4bが実装されている点で、発光側光モジュール40Aの第1基板1と異なる。この受光素子12bとしては、PD(Photo Diode)が採用されており、IC基板4bは、電流・電圧の変換を行うTIA(Trans−impedance Amplifier)などの素子である。   Returning to FIG. 1, the first substrate 1 of the light-receiving side optical module 40B will be described. The basic configuration of the first substrate 1 of the light receiving side optical module 40B is the same as that of the first substrate 1 of the light emitting side optical module 40A. However, a light receiving element 12b for converting an optical signal into an electric signal is flip-chip mounted with bumps on the surface (upper surface) of the first substrate 1 of the light receiving side optical module 40B with the light receiving surface facing downward. In addition, an IC substrate (signal processing unit) 4b on which an IC circuit for transmitting an electric signal to the light receiving element 12b is mounted on the surface of the second substrate 6, and the light emitting side optical module 40A is mounted. Different from the first substrate 1. As this light receiving element 12b, PD (Photo Diode) is adopted, and the IC substrate 4b is an element such as a TIA (Trans-impedance Amplifier) that performs current / voltage conversion.

次に、光ファイバー2を説明する。光ファイバー2は、図1および図4(b)に示すように、発光側光モジュール40Aの第1基板1の内部導波路16のコア部17と、受光側光モジュール40Bの第1基板1の内部導波路16のコア部17とを光学的に結合可能なファイバーコア部21を内部に有している。そして、このファイバーコア部21の外周を包囲するファイバークラッド部22と、このファイバークラッド部22の外周を被覆する被覆部23とで構成されるコードタイプである。このファイバーコア部21とファイバークラッド部22と被覆部23は円形状である。   Next, the optical fiber 2 will be described. As shown in FIG. 1 and FIG. 4B, the optical fiber 2 includes the core portion 17 of the internal waveguide 16 of the first substrate 1 of the light emitting side optical module 40A and the inside of the first substrate 1 of the light receiving side optical module 40B. A fiber core portion 21 that can be optically coupled to the core portion 17 of the waveguide 16 is provided inside. And it is a cord type comprised by the fiber cladding part 22 surrounding the outer periphery of this fiber core part 21, and the coating | coated part 23 which coat | covers the outer periphery of this fiber cladding part 22. FIG. The fiber core portion 21, the fiber clad portion 22, and the covering portion 23 are circular.

光ファイバー2は、図1のように、第1基板1の第2溝1bの手前付近で被覆部23が剥がされて、ファイバークラッド部22が露出されている。   As shown in FIG. 1, the optical fiber 2 has the covering portion 23 peeled off in the vicinity of the second groove 1 b of the first substrate 1 to expose the fiber cladding portion 22.

そして、図2(a)(c)および図4(b)のように、第1基板1の第2溝1bに光ファイバー2のファイバークラッド部22を設置して、第1溝1aとの境部分の斜面1cでファイバークラッド部22の位置決めをする。このときに、第1基板1の内部導波路16のコア部17と光ファイバー2のファイバーコア部21の光軸が一致した位置決め状態で光学的に結合されるようになる。   Then, as shown in FIGS. 2A, 2C, and 4B, the fiber clad portion 22 of the optical fiber 2 is installed in the second groove 1b of the first substrate 1, and the boundary portion with the first groove 1a. The fiber clad portion 22 is positioned on the inclined surface 1c. At this time, it is optically coupled with the optical axis of the core part 17 of the internal waveguide 16 of the first substrate 1 and the fiber core part 21 of the optical fiber 2 being aligned.

第1基板1の内部導波路16のコア部17の端面と光ファイバー2のファイバーコア部21の端面との間の隙間は、200μm以下となる。一般的には、光結合効率が100%となる、隙間0が好ましいが、本構成においては、第1基板1の溝幅とファイバークラッド部22の外径サイズの制約上、隙間は60μmから100μmとなる。   The gap between the end face of the core portion 17 of the internal waveguide 16 of the first substrate 1 and the end face of the fiber core portion 21 of the optical fiber 2 is 200 μm or less. In general, the gap 0 is preferable in which the optical coupling efficiency is 100%. However, in this configuration, the gap is 60 μm to 100 μm due to restrictions on the groove width of the first substrate 1 and the outer diameter size of the fiber clad portion 22. It becomes.

第1基板1の表面の位置において、図2(a)(b)のように、第2溝1b内には、光ファイバー2を第1基板1に固定するために、接着性の光学透明樹脂14が充填されている。   At the position of the surface of the first substrate 1, as shown in FIGS. 2A and 2B, an adhesive optical transparent resin 14 is provided in the second groove 1 b in order to fix the optical fiber 2 to the first substrate 1. Is filled.

そして、発光側光モジュール40Aでは、発光素子12aからミラー部15を介して光ファイバー2のファイバーコア部21に光信号を発光する。また、受光側光モジュール40Bでは、ミラー部15を介して光ファイバー2のファイバーコア部21からの光信号を受光素子12bで受光する。   In the light emitting side optical module 40A, an optical signal is emitted from the light emitting element 12a to the fiber core portion 21 of the optical fiber 2 via the mirror portion 15. In the light receiving side optical module 40B, the light signal from the fiber core portion 21 of the optical fiber 2 is received by the light receiving element 12b via the mirror portion 15.

図5は、発光側光モジュール40Aであり、(a)は概略側面断面図、(b)は第1基板1の平面図、(c)は(b)のIII−III線断面図である。図5の発光側光モジュール40Aは、第1溝1a内に内部導波路16を設けていないタイプであり、このタイプにおける発光側光モジュール40Aでの漏れ光bについて説明する。   5A is a light-emitting side optical module 40A, where FIG. 5A is a schematic side sectional view, FIG. 5B is a plan view of the first substrate 1, and FIG. 5C is a sectional view taken along line III-III in FIG. The light emitting side optical module 40A of FIG. 5 is a type in which the internal waveguide 16 is not provided in the first groove 1a, and the leakage light b in the light emitting side optical module 40A in this type will be described.

図5(a)のように、発光素子12aからミラー部15を介して光ファイバー2のファイバーコア部21に光信号aが発光される。このとき、ミラー部15と光ファイバー2のファイバーコア部21の先端との間に隙間Sがあることから、図5(b)のように、光ファイバー2のファイバーコア部21の先端に至らない漏れ光bが発生する。   As shown in FIG. 5A, the optical signal a is emitted from the light emitting element 12 a to the fiber core portion 21 of the optical fiber 2 through the mirror portion 15. At this time, since there is a gap S between the mirror portion 15 and the tip of the fiber core portion 21 of the optical fiber 2, leaked light that does not reach the tip of the fiber core portion 21 of the optical fiber 2 as shown in FIG. b occurs.

この漏れ光bは、図5(c)のように、略V字形状の第2溝1bの側面である斜面(反射若しくは拡散させる部位…反射面若しくは拡散面)1eで、第1基板1の表面(上)方向に反射若しくは拡散されるようになる。また、光ファイバー2のファイバークラッド部22に入光した光もファイバークラッド部22を透過して斜面1eに到達し、同様に、反射若しくは拡散されるようになる。   As shown in FIG. 5C, the leaked light b is a slope (reflecting or diffusing portion: reflecting surface or diffusing surface) 1e which is a side surface of the substantially V-shaped second groove 1b. Reflected or diffused in the surface (up) direction. Further, the light that has entered the fiber cladding portion 22 of the optical fiber 2 passes through the fiber cladding portion 22 and reaches the inclined surface 1e, and is similarly reflected or diffused.

図6は、受光側光モジュール40Bの概略側面断面図である。図6の受光側光モジュール40Bは、図5の発光側光モジュール40Aと同様に、第1溝1a内に内部導波路16を設けていないタイプであり、このタイプにおける受光側光モジュール40Bでの漏れ光cについて説明する。   FIG. 6 is a schematic side sectional view of the light receiving side optical module 40B. The light receiving side optical module 40B in FIG. 6 is a type in which the internal waveguide 16 is not provided in the first groove 1a, similarly to the light emitting side optical module 40A in FIG. The leakage light c will be described.

図6のように、ミラー部15を介して光ファイバー2のファイバーコア部21からの光信号aが受光素子12bで受光される。このとき、ミラー部15と光ファイバー2のファイバーコア部21の先端との間に隙間Sがあることから、ミラー部15に至らない漏れ光cが発生する。   As shown in FIG. 6, the light signal a from the fiber core portion 21 of the optical fiber 2 is received by the light receiving element 12b via the mirror portion 15. At this time, since there is a gap S between the mirror portion 15 and the tip of the fiber core portion 21 of the optical fiber 2, leakage light c that does not reach the mirror portion 15 is generated.

この漏れ光cは、第1溝1aと第2溝1bとの間の境界面である斜面(反射若しくは拡散させる部位…反射面若しくは拡散面)1cで、第1基板1の表面(上)方向に反射若しくは拡散されるようになる。また、斜面1c以外に、略台形状(または略V字形状)の第1溝1aの斜面でも、同様に、反射若しくは拡散されるようになる。   The leaked light c is an inclined surface (reflected or diffused portion: reflecting surface or diffusing surface) 1c that is a boundary surface between the first groove 1a and the second groove 1b, and the surface (upward) direction of the first substrate 1 Reflected or diffused. In addition to the inclined surface 1c, the inclined surface of the substantially trapezoidal (or substantially V-shaped) first groove 1a is similarly reflected or diffused.

図5の発光側光モジュール40Aであれば、発光素子12aと光ファイバー2との間の漏れ光bを、斜面1eで第1基板1の表面方向に反射若しくは拡散させる。この反射若しくは拡散された漏れ光bを、第1基板1の表面側に配置した漏れ光検出手段(後述する。)で検出する。   In the case of the light emitting side optical module 40A of FIG. 5, the leaked light b between the light emitting element 12a and the optical fiber 2 is reflected or diffused toward the surface of the first substrate 1 by the inclined surface 1e. The reflected or diffused leakage light b is detected by leakage light detection means (described later) arranged on the surface side of the first substrate 1.

また、図6の受光側光モジュール40Bであれば、光ファイバー2と受光素子12bの間の漏れ光cを、斜面1c(前述のように、斜面1c以外に、略台形状(または略V字形状)の第1溝1aの斜面も含む。以下同様。)で第1基板1の表面方向に反射若しくは拡散させる。この反射若しくは拡散された漏れ光cを、第1基板1の表面側に配置した漏れ光検出手段(後述する。)で検出する。   Further, in the case of the light receiving side optical module 40B of FIG. 6, the leaked light c between the optical fiber 2 and the light receiving element 12b is caused to have a substantially trapezoidal shape (or a substantially V shape other than the inclined surface 1c as described above). ) Including the inclined surface of the first groove 1a, and so on. The reflected or diffused leakage light c is detected by leakage light detection means (described later) disposed on the surface side of the first substrate 1.

例えば、漏れ光bを発光側光モジュール40Aと光ファイバー2との間で検出できれば、発光側光モジュール40Aは正常と判断でき、ついで光ファイバー2と受光側光モジュール40Bとの間で漏れ光cを検出できれば、光ファイバー2は正常と判断できる。このようにして、発光側光モジュール40A、受光側光モジュール40B、光ファイバー2の異常箇所を、簡易に特定することができる。また、光通信に用いる光ではなく、その漏れ光b,cを利用するだけであるから、光通信の安定のためにレーザ出力を増大させる必要もない。   For example, if the leakage light b can be detected between the light emitting side optical module 40A and the optical fiber 2, the light emitting side optical module 40A can be determined to be normal, and then the leakage light c is detected between the optical fiber 2 and the light receiving side optical module 40B. If possible, it can be determined that the optical fiber 2 is normal. In this way, abnormal portions of the light emitting side optical module 40A, the light receiving side optical module 40B, and the optical fiber 2 can be easily identified. Further, since only the leaked light b and c is used instead of the light used for optical communication, it is not necessary to increase the laser output in order to stabilize the optical communication.

特に、発光素子12a(受光素子12bも同様。)は、発光面を下向きとして第1基板1にフリップチップ実装されているから、このままでは動作(発光)確認が困難である。そこで、発光素子12aと光ファイバー2との間の漏れ光bを第1基板1の表面方向に反射若しくは拡散させることにより、発光素子12aの動作確認が容易になる。   In particular, since the light emitting element 12a (the same applies to the light receiving element 12b) is flip-chip mounted on the first substrate 1 with the light emitting surface facing downward, it is difficult to confirm the operation (light emission) as it is. Therefore, by reflecting or diffusing the leaked light b between the light emitting element 12a and the optical fiber 2 in the direction of the surface of the first substrate 1, the operation of the light emitting element 12a can be easily confirmed.

ここで、漏れ光b,cを、第1基板1の表面方向に反射等させる部位として、発光側光モジュール40Aでは、第2溝1bの側面である斜面1eとし、受光側光モジュール40Bでは、第1溝1aと第2溝1bとの間の境界面である斜面1cとしている。   Here, as a part for reflecting the leaked light b and c in the surface direction of the first substrate 1, in the light emitting side optical module 40A, the inclined surface 1e which is the side surface of the second groove 1b, and in the light receiving side optical module 40B, The slope 1c is a boundary surface between the first groove 1a and the second groove 1b.

すなわち、第1基板1がシリコン基板であれば、シリコン基板の結晶方位を利用して、エッチング等により、ミラー部15と第1溝1aと第2溝2bとを同時に形成する際に、各斜面1e,1cも一度のエッチングプロセスで同時に形成することも可能である。このようにして形成された斜面1e,1cは、光学反射面としての平滑性が確保されている。   That is, if the first substrate 1 is a silicon substrate, each inclined surface is formed when the mirror portion 15, the first groove 1a, and the second groove 2b are simultaneously formed by etching or the like using the crystal orientation of the silicon substrate. It is also possible to simultaneously form 1e and 1c by a single etching process. The slopes 1e and 1c formed in this way ensure smoothness as an optical reflecting surface.

このように、シリコン基板(第1基板1)にエッチング等で第1溝1aと第2溝1bを形成する際に、斜面(反射面若しくは拡散面)1e,1cを高精度で同時に形成することができる。これにより、漏れ光b,cを効率的に反射若しくは拡散することができる。また、反射面若しくは拡散面は、第1溝1aと第2溝1bの斜面1e,1cをそのまま利用できるので、反射面若しくは拡散面の形成用のスペースも不要になる。   As described above, when the first groove 1a and the second groove 1b are formed on the silicon substrate (first substrate 1) by etching or the like, the inclined surfaces (reflection surfaces or diffusion surfaces) 1e and 1c are simultaneously formed with high accuracy. Can do. Thereby, the leakage lights b and c can be efficiently reflected or diffused. Further, since the reflecting surface or the diffusing surface can use the inclined surfaces 1e and 1c of the first groove 1a and the second groove 1b as they are, a space for forming the reflecting surface or the diffusing surface becomes unnecessary.

ここで、シリコン基板は、近赤外線を透過するために、斜面1e,1cの表面には、Au、Al、Ag等の金属薄膜(数十nm以上)を形成して、反射面となるようにすることが好ましい。この金属薄膜の形成としてスパッタリング等の手法が有効である。また、発光素子12aまたは受光素子12bの回路パターン形成時に、同一の金属メッキ等を形成してもよい。   Here, in order for the silicon substrate to transmit near-infrared rays, a metal thin film (several tens of nm or more) such as Au, Al, or Ag is formed on the surfaces of the inclined surfaces 1e and 1c so as to be a reflective surface. It is preferable to do. A technique such as sputtering is effective for forming the metal thin film. Further, the same metal plating or the like may be formed when forming the circuit pattern of the light emitting element 12a or the light receiving element 12b.

つぎに、漏れ光検出手段を説明する。一般的な光通信に用いられる波長は、850nm、1310nm、1550nm等の近赤外線であるため、目視で漏れ光b,cの検出はできない。そのため、通信波長に対応した感度のある赤外線カメラを漏れ光検出手段として用いれば、漏れ光b,cの検出が可能となる。   Next, the leakage light detection means will be described. Since the wavelength used for general optical communication is near infrared rays such as 850 nm, 1310 nm, and 1550 nm, the leakage lights b and c cannot be detected visually. For this reason, if an infrared camera having sensitivity corresponding to the communication wavelength is used as the leakage light detection means, the leakage lights b and c can be detected.

ただし、第1基板1の斜面1e,1cに、通信波長に対応して蛍光発光(可視光に変換)する蛍光材を漏れ光検出手段として配置(塗布)すると、赤外線カメラを用いなくても、漏れ光b,cの検出が目視で可能となる。   However, if a fluorescent material that emits fluorescence (converts to visible light) corresponding to the communication wavelength is disposed (applied) on the inclined surfaces 1e and 1c of the first substrate 1 as a leakage light detection means, even without using an infrared camera, The leakage lights b and c can be detected visually.

しかし、前記のような漏れ光検出手段では、発光強度の検出には、精度を欠く懸念がある。そこで、図7に示すように、第1基板1の表面(上)方向に反射若しくは拡散される漏れ光bに対応して、第1基板1の表面に、漏れ光検出手段としてのフォトダイオード25を実装する。   However, there is a concern that the leakage light detection means described above lacks accuracy in detecting the emission intensity. Therefore, as shown in FIG. 7, a photodiode 25 as a leakage light detection unit is formed on the surface of the first substrate 1 in correspondence with the leakage light b reflected or diffused in the surface (upward) direction of the first substrate 1. Is implemented.

このように、漏れ光検出手段がフォトダイオード25であれば、より高精度に通信状態を検知することができる。また、フォトダイオード25では、正常動作時から漏れ光を検知することができるために、異常動作をいち早く検知することが可能となる。   Thus, if the leakage light detection means is the photodiode 25, the communication state can be detected with higher accuracy. Further, since the photodiode 25 can detect leaked light from the normal operation, the abnormal operation can be detected quickly.

図5〜図7の実施形態は、発光側と受光側光モジュール40A,40Bのいずれにも、第1溝1a内に内部導波路16を設けていないタイプであった。これに対して、図1〜図4に示した実施形態のように、発光側と受光側光モジュール40A,40Bのいずれにも、第1溝1a内に内部導波路16を設けて、そのコア部17と光ファイバー2のファイバーコア部21とを光学的に結合させることもできる。   The embodiment of FIGS. 5 to 7 is a type in which neither the light emitting side nor the light receiving side optical modules 40A and 40B are provided with the internal waveguide 16 in the first groove 1a. On the other hand, as in the embodiment shown in FIGS. 1 to 4, the inner waveguide 16 is provided in the first groove 1a in both the light emitting side and the light receiving side optical modules 40A and 40B, and the core The portion 17 and the fiber core portion 21 of the optical fiber 2 can be optically coupled.

すなわち、発光素子12aまたは受光素子12bの直下に光ファイバー2を配置すると、その実装工程で、発光素子12aまたは受光素子12bと光ファイバー2とが接触するおそれがある。そのため、図5(a)のように、発光素子12a(または受光素子12b)と光ファイバー2との間に距離〔図5(a)の隙間Sに相当〕を隔てることが望ましい。   That is, if the optical fiber 2 is disposed immediately below the light emitting element 12a or the light receiving element 12b, the light emitting element 12a or the light receiving element 12b and the optical fiber 2 may be in contact with each other in the mounting process. Therefore, as shown in FIG. 5A, it is desirable to separate a distance (corresponding to the gap S in FIG. 5A) between the light emitting element 12a (or the light receiving element 12b) and the optical fiber 2.

しかし、半導体レーザ等の発光素子12aから出射される光は、10度〜30度ほどの広がり角度を持つため、発光素子12aと光ファイバー2との距離が離れると、光ファイバー2に入光する効率が悪くなる。同様に、受光素子12b側でも、光ファイバー2から出射される光は、光ファイバー2の開口数(NA)に依存した広がり角度をもって出射されるため、受光素子12bに入光する効率が悪くなる。   However, since the light emitted from the light emitting element 12a such as a semiconductor laser has a spread angle of about 10 degrees to 30 degrees, the efficiency of entering the optical fiber 2 is increased when the distance between the light emitting element 12a and the optical fiber 2 is increased. Deteriorate. Similarly, on the light receiving element 12b side, the light emitted from the optical fiber 2 is emitted with a spread angle depending on the numerical aperture (NA) of the optical fiber 2, so that the efficiency of entering the light receiving element 12b is deteriorated.

そのため、発光素子12aまたは受光素子12bと光ファイバー2との間に内部導波路16を形成すると、発光素子12aまたは受光素子12bと光ファイバー2との光結合効率が向上する。その結果、光モジュール全体の光利用効率(発光素子12aから受光素子12bに到達する光量の割合)が高まって、光通信の信頼性が向上するようになる。   Therefore, if the internal waveguide 16 is formed between the light emitting element 12a or the light receiving element 12b and the optical fiber 2, the optical coupling efficiency between the light emitting element 12a or the light receiving element 12b and the optical fiber 2 is improved. As a result, the light utilization efficiency of the entire optical module (the ratio of the amount of light reaching the light receiving element 12b from the light emitting element 12a) is increased, and the reliability of optical communication is improved.

以上のように、本発明に係る光モジュールは、基板の表面に形成された第1溝内の先端部に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するように基板の表面側に実装された光素子と、基板の表面に第1溝と連なって形成された第2溝内に設置され、前記ミラー部を介して前記光素子と光学的に結合されるファイバーコア部を有する光ファイバーを備え、前記光素子は、ミラー部を介して光ファイバーのファイバーコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して光ファイバーのファイバーコア部からの光信号を受光する光モジュールにおいて、前記基板に、前記光素子と前記光ファイバーとの間の漏れ光を、基板の表面方向に反射若しくは拡散させる部位が形成され、前記基板の表面側に、前記漏れ光を検出する手段が配置されていることを特徴とするものである。   As described above, the optical module according to the present invention includes the optical path changing mirror portion formed at the tip portion in the first groove formed on the surface of the substrate and the surface of the substrate so as to face the mirror portion. An optical element mounted on the side, and a fiber core portion installed in a second groove formed on the surface of the substrate and connected to the first groove, and optically coupled to the optical element via the mirror portion. In the optical module, the optical element emits an optical signal to the fiber core part of the optical fiber through the mirror part, or receives an optical signal from the fiber core part of the optical fiber through the mirror part. A portion for reflecting or diffusing leakage light between the optical element and the optical fiber in the direction of the surface of the substrate is formed on the substrate, and means for detecting the leakage light is arranged on the surface side of the substrate. And it is characterized in that it is.

これによれば、光素子と光ファイバーとの間の漏れ光を、基板の表面方向に反射若しくは拡散させ、この反射若しくは拡散された漏れ光を検出する。例えば、漏れ光を発光側光モジュールと光ファイバーとの間で検出できれば、発光側光モジュールは正常と判断でき、ついで光ファイバーと受光側光モジュールとの間で検出できれば、光ファイバーは正常と判断できる。このようにして、発光側光モジュール、受光側光モジュール、光ファイバーの異常箇所を、簡易に特定することができる。また、光通信に用いる光ではなく、その漏れ光を利用するだけであるから、光通信の安定のためにレーザ出力を増大させる必要もない。特に、発光素子は、発光面を下向きとして基板にフリップチップ実装している場合には、動作確認が困難である。そこで、発光素子と光ファイバーとの間の漏れ光を基板の表面方向に反射若しくは拡散させることにより、発光素子の動作確認が容易になる。   According to this, the leakage light between the optical element and the optical fiber is reflected or diffused toward the surface of the substrate, and the reflected or diffused leakage light is detected. For example, if leakage light can be detected between the light emitting side optical module and the optical fiber, it can be determined that the light emitting side optical module is normal, and if it can be detected between the optical fiber and the light receiving side optical module, it can be determined that the optical fiber is normal. In this way, abnormal portions of the light emitting side optical module, the light receiving side optical module, and the optical fiber can be easily identified. Further, since only the leaked light is used instead of the light used for the optical communication, it is not necessary to increase the laser output for the stability of the optical communication. In particular, when the light emitting element is flip-chip mounted on the substrate with the light emitting surface facing downward, it is difficult to confirm the operation. Therefore, by confirming or diffusing the leaked light between the light emitting element and the optical fiber toward the surface of the substrate, the operation of the light emitting element can be easily confirmed.

前記漏れ光を検出する手段は、基板の表面に実装されたフォトダイオードである構成とすることができる。   The means for detecting leakage light may be a photodiode mounted on the surface of the substrate.

これによれば、漏れ光を検出する手段がフォトダイオードであれば、より高精度に通信状態を検知することができる。また、フォトダイオードでは、正常動作時から漏れ光を検知することができるために、異常動作をいち早く検知することが可能となる。   According to this, if the means for detecting leakage light is a photodiode, the communication state can be detected with higher accuracy. In addition, since the photodiode can detect the leaked light from the normal operation, it is possible to detect the abnormal operation quickly.

前記基板はシリコン基板であり、前記漏れ光を基板の表面方向に反射若しくは拡散させる部位は、シリコン基板の第1溝と第2溝に形成された反射面若しくは拡散面である構成とすることができる。   The substrate is a silicon substrate, and the site for reflecting or diffusing the leakage light toward the surface of the substrate is a reflection surface or a diffusion surface formed in the first groove and the second groove of the silicon substrate. it can.

これによれば、シリコン基板にエッチング等で第1溝と第2溝を形成する際に、反射面若しくは拡散面を高精度で同時に形成することができる。これにより、漏れ光を効率的に反射若しくは拡散することができる。また、反射面若しくは拡散面は、第1溝と第2溝の斜面をそのまま利用できるので、形成用のスペースも不要になる。   According to this, when the first groove and the second groove are formed on the silicon substrate by etching or the like, the reflection surface or the diffusion surface can be simultaneously formed with high accuracy. Thereby, leakage light can be reflected or diffused efficiently. Further, since the reflecting surface or the diffusing surface can use the slopes of the first groove and the second groove as they are, a space for formation becomes unnecessary.

前記第1溝内に内部導波路が設けられ、この内部導波路のコア部と前記光ファイバーのファイバーコア部とが光学的に結合されている構成とすることができる。   An internal waveguide may be provided in the first groove, and the core portion of the internal waveguide and the fiber core portion of the optical fiber may be optically coupled.

これによれば、第1溝内に内部導波路を設けることで、光モジュール全体の光利用効率(発光素子から受光素子に到達する光量の割合)が高まって、光通信の信頼性が向上するようになる。   According to this, by providing the internal waveguide in the first groove, the light utilization efficiency of the entire optical module (the ratio of the amount of light reaching the light receiving element from the light emitting element) is increased, and the reliability of optical communication is improved. It becomes like this.

1 第1基板
1a 第1溝
1b 第2溝
1c,1e 斜面(漏れ光を反射若しくは拡散させる部位)
2 光ファイバー
12a 発光素子(光素子)
12b 受光素子(光素子)
15 ミラー部
16 内部導波路
17 コア部
21 ファイバーコア部
25 フォトダイオード(漏れ光検出手段)
40 光モジュール
40A 発光側光モジュール
40B 受光側光モジュール
b,c 漏れ光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st board | substrate 1a 1st groove | channel 1b 2nd groove | channel 1c, 1e Slope (site | part which reflects or diffuses leak light)
2 Optical fiber 12a Light emitting element (optical element)
12b Light receiving element (optical element)
15 Mirror part 16 Internal waveguide 17 Core part 21 Fiber core part 25 Photodiode (leakage light detecting means)
40 Optical module 40A Light emitting side optical module 40B Light receiving side optical module b, c Leakage light

Claims (2)

シリコン基板の表面に形成された第1溝内の先端部に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するようにシリコン基板の表面側に実装された光素子と、シリコン基板の表面に第1溝と連なって形成された略V字形状の第2溝内に設置され、前記ミラー部を介して前記光素子と光学的に結合されるファイバーコア部を有する光ファイバーを備え、前記光素子は、ミラー部を介して光ファイバーのファイバーコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して光ファイバーのファイバーコア部からの光信号を受光する光モジュールにおいて、
前記ミラー部と前記光ファイバーのファイバーコア部の先端との間に隙間があり、
この隙間からの漏れ光は、
前記光素子が発光素子であるときは、第2溝の側面である斜面で、前記シリコン基板の表面方向に反射若しくは拡散され、
前記光素子が受光素子であるときは、第1溝と第2溝との間の境界面である斜面で、前記シリコン基板の表面方向に反射若しくは拡散され、
前記シリコン基板の表面に、前記漏れ光を検出するフォトダイオードが実装されていることを特徴とする光モジュール。
A mirror for optical path conversion formed on the distal end portion of the first groove formed in the surface of the silicon substrate, and an optical element mounted on the surface of the silicon substrate so as to be opposed to the mirror portion, the silicon substrate An optical fiber having a fiber core portion that is installed in a substantially V-shaped second groove formed on the surface of the first groove and is optically coupled to the optical element via the mirror portion; In the optical module, the optical element emits an optical signal to the fiber core part of the optical fiber through the mirror part, or receives an optical signal from the fiber core part of the optical fiber through the mirror part.
There is a gap between the mirror part and the tip of the fiber core part of the optical fiber,
The leaked light from this gap
When the optical element is a light emitting element, it is reflected or diffused in the direction of the surface of the silicon substrate on the slope that is the side surface of the second groove,
When the optical element is a light receiving element, it is reflected or diffused in the direction of the surface of the silicon substrate at a slope that is a boundary surface between the first groove and the second groove,
An optical module, wherein a photodiode for detecting the leakage light is mounted on a surface of the silicon substrate.
前記第1溝内に内部導波路が設けられ、この内部導波路のコア部と前記光ファイバーのファイバーコア部とが光学的に結合されていることを特徴とする請求項に記載の光モジュール。 The optical module according to claim 1 , wherein an internal waveguide is provided in the first groove, and a core portion of the internal waveguide and a fiber core portion of the optical fiber are optically coupled .
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