JP2008545266A - 窒化物半導体ｌｅｄ及びその製造方法 - Google Patents

窒化物半導体ｌｅｄ及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上でき、光出力及び信頼性を向上できる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による窒化物半導体発光素子は、基板２と、前記基板２上に形成されるバッファ層４と、前記バッファ層４上に形成されるＩｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層６と、前記Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層６上に形成される第１の電極層８と、前記第１の電極層８上に形成されるＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１０と、前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１０上に形成される活性層１２と、前記活性層１２上に形成される第１のＰ−ＧａＮ層１４と、前記第１のＰ−ＧａＮ層１４上に形成される第２の電極層１６と、前記第２の電極層１６上に部分的に突出されて形成される第２のＰ−ＧａＮ層１８と、前記第２のＰ−ＧａＮ層１８上に形成される第３の電極層２０とを含むことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、窒化物半導体発光素子(Light Emittiｎg Diode;ＬＥＤ)及びその製造方法に関する。
一般に、ＧａＮ系窒化物半導体は、その応用分野において青色／緑色ＬＥＤの光素子及びＭＥＳＦＥＴやＨＥＭＴ等の高速スイッチング、高出力素子である電子素子に応用されている。特に、青色／緑色ＬＥＤは、既に量産化が進行された状態であり、全世界的な売上げは指数関数的に増加しつつある。
このようなＧａＮ系窒化物半導体発光素子は、主にサファイア基板又はＳｉＣ基板上で成長する。また、低温の成長温度でサファイア基板又はＳｉＣ基板上にＡｌｙＧａ１−ｙＮの多結晶薄膜をバッファ層として成長させる。以後、高温で上記バッファ層上にドープしないＧａＮ層、シリコン(Ｓｉ)がドープしたＮ−ＧａＮ層又はこれらの混合構造で成長させてＮ−ＧａＮ層を形成する。また、上部にマグネシウム(Ｍｇ)がドープしたＰ−ＧａＮ層を形成して窒化物半導体発光素子が製造される。そして、発光層(量子井戸構造の活性層)は、Ｎ−ＧａＮ層とＰ−ＧａＮ層との間にサンドウィッチ構造で形成される。
Ｐ−ＧａＮ層は、結晶成長中にＭｇ原子をドープして形成するが、結晶成長中にドーピング原に注入されたＭｇ原子がＧａ位置に置換されてＰ−ＧａＮ層として作用すべきである。しかしながら、キャリアガス及びソースから分解された水素ガスと結合して、ＧａＮ結晶層でＭｇ−Ｈ複合体を形成して１０ＭΩ程度の高低抗体となる。
したがって、ＰＮ接合発光素子を形成した後、Ｍｇ−Ｈ複合体を切断してＭｇ原子をＧａの位置に置換させるための後続の活性化工程が要求される。しかしながら、発光素子は、活性化工程で発光に寄与するキャリアとして作用する量は１０１７／ｃｍ３程度で、１０１９／ｃｍ３以上のＭｇ原子濃度より非常に低くて抵抗性接触形成が難しいという短所がある。
これを改善するために、非常に薄い透過性抵抗性金属物質を使用して接触抵抗を下げて電流注入効率を増加させる方案が利用されている。ところが、接触抵抗を減少させるために使用された薄い透過性抵抗性金属は、一般的に光透過度が７５〜８０％程度であり、その他には損失として作用する。また、内部量子効率を増加させるために発光素子の設計及び発光層とＰ−ＧａＮ層の結晶性を向上させず、窒化物半導体の結晶成長自体で光出力を向上させることは限界がある。
また、前述した構造の発光素子は、Ｎ−ＧａＮ層とＰ−ＧａＮ層とにバイアス電圧の印加時、電子及びホールが各々Ｎ型及びＰ型の窒化物半導体層に注入されて発光層で再結合して光を放出する。このとき、発光素子の表面上に放出される光は空気との屈折率差により、Ｐ−ＧａＮ層と接触層との界面で一部が内部に更に逆反射されて光出力を減少させるという問題点がある。
よって、本発明の目的は、窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上でき、光出力及び信頼性を向上できる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明による窒化物半導体発光素子は、基板と、前記基板上に形成されるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されるＩｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層と、前記Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層上に形成される第１の電極層と、前記第１の電極層上に形成されるＩｎｘＧａ１−ｘＮ層と、前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層上に形成される活性層と、前記活性層上に形成される第１のＰ−ＧａＮ層と、前記第１のＰ−ＧａＮ層上に形成される第２の電極層と、前記第２の電極層上に部分的に突出されて形成される第２のＰ−ＧａＮ層と、前記第２のＰ−ＧａＮ層上に形成される第３の電極層とを含むことを特徴とする。
ここで、前記第２及び第３の電極層は、インジウム含量が順次変化されるスーパーグレーディング構造のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層、IｎＧａＮ／IｎＧａＮ超格子構造層又はIｎＧａＮ／ＡｌＩｎＧａＮ超格子構造層で形成されることを特徴とする。
また、前記第２及び第３の電極層にバイアス電圧が印加される透明電極をさらに具備し、前記透明電極は透過性金属酸化物又は透過性抵抗性金属で形成され、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ又はＮｉ金属を含むＡｕ合金層で形成されることを特徴とする。
また、前記目的を達成するために、本発明による窒化物半導体発光素子の他の実施形態は、基板と、前記基板上に形成されるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されるＩｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層と、前記Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層上に形成される第１の電極層と、前記第１の電極層上に形成される第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層と、前記第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層上に形成される活性層と、前記活性層上に形成されるＰ−ＧａＮ層と、前記Ｐ−ＧａＮ層上に形成されるインジウム含量が順次変化されるスーパーグレーディング構造の第２のＮ−ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層とを含むことを特徴とする。
また、前記目的を達成するために、本発明による窒化物半導体発光素子のさらに他の実施形態は、基板と、前記基板上に形成されるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されるインジウムがドープされるIｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層と、前記Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層上に形成される第１の電極層と、前記第１の電極層上に形成されるＩｎｘＧａ１−ｘＮ層と、前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層上に形成される活性層と、前記活性層上に形成されるＰ−ＧａＮ層と、前記Ｐ−ＧａＮ層上に形成されるIｎＧａＮ／ＡｌＩｎＧａｎ超格子構造層とを含むことを特徴とする。
また、前記目的を達成するために、本発明による窒化物半導体発光素子の製造方法は、基板上にバッファ層を形成するステップと、前記バッファ層上にＩｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層を形成するステップと、前記Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層上に第１の電極層を形成するステップと、前記第１の電極層上に第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層を形成するステップと、前記第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層上に活性層を形成するステップと、前記活性層上に第１のＰ−ＧａＮ層を形成するステップと、前記第１のＰ−ＧａＮ層上に第２の電極層を形成するステップと、前記第２の電極層上に部分的に突出された第２のＰ−ＧａＮ層及び第３の電極層を形成するステップとを含むことを特徴とする。
本発明によれば、窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上でき、光出力及び信頼性を向上できる。
以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
図１は、本発明による窒化物半導体発光素子の第１の実施形態の積層構造を概略的に示す図である。
本発明による窒化物半導体発光素子１は、図１に示すように、基板２上にバッファ層４が形成される。ここで、バッファ層４は、ＡｌＩｎＮ／ＧａＮ層構造、ＩｎｘＧａ１−ＸＮ／ＧａＮ積層構造及びＡｌｘＩｎｙＧａ１−（ｘ＋ｙ）Ｎ／ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮ積層構造から選択されて形成できる。
また、バッファ層４上にはＩｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層６が形成され、Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層６上にはＮ型の第１の電極層が形成される。ここで、Ｎ型の第１の電極層としては、シリコンとインジウムとが同時にドープして形成されるＳｉ−Ｉｎ ｃｏ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層８が採用され得る。
また、Ｓｉ−Ｉｎ ｃｏ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層８上にはインジウム含量が低いｌｏｗ−ｍｏｌｅ第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１０が形成され、第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１０上には光を放出する活性層１２が形成される。活性層１２は、ＩｎＧａＮ井戸層／ＩｎＧａＮ障壁層で形成される単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造で具備できる。その積層構造の詳細は図３を参照して後述する。
次に、活性層１２上には第１のＰ−ＧａＮ層１４が形成される。このとき、第１のＰ−ＧａＮ層１４にはマグネシウムをドープして形成することができる。
また、第１のＰ−ＧａＮ層１４上にはＮ型の第２の電極層が形成される。ここで、Ｎ型の第２の電極層としては、インジウム造成を順次変化させてエネルギーバンドギャップを制御したスーパーグレーディングＮ−ＩｎｘＧａ１-ｘＮ層１６が採用できる。このとき、スーパーグレーディングＮ−ＩｎｘＧａ１-ｘＮ層１６は、その造成範囲が０＜ｘ＜０.２で形成されるようにすることができる。
このように、本発明による窒化物半導体発光素子は、第１の電極層８と第２の電極層１６ともＮ型の窒化物で形成され、その間に第１のＰ−ＧａＮ層１４が形成された点を勘案すれば、従来のＰＮ接合発光素子とは異なり、ＮＰＮ接合発光素子の構造を持つと解析することができる。
また、スーパーグレーディングＮ−ＩｎｘＧａ１-ｘＮ層１６上には、部分的に凹凸構造で突出された第２のＰ−ＧａＮ層１８及び第３の電極層であるＮ−ＩｎｘＧａ１-ｘＮ層２０が形成される。ここで、第２のＰ−ＧａＮ層１８及び第３の電極層２０は、第１のＰ−ＧａＮ層１４及び第２の電極層と同一又は類似な構造を有し、次のような工程を介して形成されることができる。
すなわち、まず、スーパーグレーディングＮ−ＩｎｘＧａ１-ｘＮ層１６上に絶縁膜を部分的に形成し、スーパーグレーディングＮ−ＩｎｘＧａ１-ｘＮ層１６を部分的に露出させる。露出されたスーパーグレーディングＮ−ＩｎｘＧａ１-ｘＮ層１６上に第２のＰ−ＧａＮ層１８及びＮ−ＩｎｘＧａ１-ｘＮ層２０を形成し、絶縁膜を除去する過程を介して遂行されることができる。
このとき、多様な形態で絶縁膜を選択的にマスキングし、第２の電極層１６上にＮ／Ｐ窒化物半導体２０、１８を選択的に多様な形態の大きさ、模様、深さ等で再成長できる。このような本発明によれば、選択的に絶縁膜でマスキングした部分を除去して発光素子の表面に屈曲(凹凸)を形成して外部量子効率を向上できる。
従来にはＰＮ接合発光素子の表面を部分的にエッチングし、屈曲(凹凸)形態を形成した。このようなエッチング工程技術は、Ｐ−ＧａＮ表面の損傷を発生させ、それに従う接触抵抗が増加して電流注入効果を減少させ、光出力を減少させる問題点があった。また、増加された接触抵抗により、高電流の印加時に、高い接触抵抗に従う熱発生により素子の信頼性に深刻な影響を及ぼすという問題点があった。
また、第２及び第３の電極層として使用されるＮ型の窒化物半導体(例えば、スーパーグレーディングＮ−ＩｎｘＧａ１-ｘＮ層１６、２０は、既存のＰ−ＧａＮ接触層より抵抗が低いため、接触抵抗を減少させ、電流注入を極大化できる。また、第２及び第３の電極層にバイアス電圧が印加される電極としては、透光性電極と非透過性電極とも使用できる。透光性電極としては、光出力を極大化させるために、電流拡張を極大化でき、且つ優れた光透過度を持つ透過抵抗性金属又は透過酸化金属層を使用できる。このような物質としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＲｕＯｘ、ＩｒＯｘ及びＮｉＯ又はＮｉを含むＡｕ合金が利用されることができる。ここで、電極は、第２の電極層１６及び第３の電極層２０上に形成できる。
一方、図２は、本発明による窒化物半導体発光素子の第２の実施形態の積層構造を概略的に示す図である。
図２に示す窒化物半導体発光素子２１の積層構造は、図１に示す窒化物半導体発光素子１と比較する際、第２及び第３の電極層のみが異なるため、ここでは第２及び第３の電極層のみについて説明する。
すなわち、本発明による窒化物半導体発光素子２１の第２の実施形態では、第２及び第３の電極層として第１及び第２のＩｎＧａＮ／ＡｌＩｎＧａＮ超格子構造層２６、３０が形成された場合を示すものである。ここで、ＩｎＧａＮ／ＡｌＩｎＧａＮ超格子構造層２６、３０には、シリコンをドープすることができる。
このような積層構造を形成することにより、Ｎ／Ｐ／Ｎ発光素子を形成でき、その表面に絶縁膜を用いて選択的にマスキングしてＮ／Ｐ窒化物半導体のみを再成長した後、更に絶縁層で選択的にマスキングした領域を除去して、凹凸(屈曲)を有する発光素子を製作できる。
また、図には示さないが、第２及び第３の電極層として第１及び第２のＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ超格子構造層を形成でき、シリコンをドープすることもできる。
図３に基づき、本発明による窒化物半導体発光素子３１に採用される活性層の構造について詳細に説明する。図３は、本発明による窒化物半導体発光素子の第３の実施形態の積層構造を概略的に示す図である。図３に示す積層構造のうちで、図１に基づいて説明した層(同じ符号を付ける)については、説明を省略する。
本発明による窒化物半導体発光素子３１には、図３に示すように、内部量子効率を増加させるために、活性層の歪を制御するインジウム含量が低いｌｏｗ−ｍｏｌｅ ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１０が形成される。また、インジウム変動による光出力及び逆方向漏れ電流を改善させるために、ｌｏｗ−ｍｏｌｅ ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１０の下部及び上部に、原子スケール形態で制御して、第１のＳｉＮｘクラスター層３３と第２のＳｉＮｘクラスター層３５とが各々さらに具備される。
また、光を放出する活性層は、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層／ＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層で形成される単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造で形成されることができる。
図３は、活性層として、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層３７、４３と、ＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層４１、４７との間にＳｉＮｘクラスター層３９、４５がさらに具備された多重量子井戸構造で形成された発光素子の例を示す。ここで、活性層の発光効率を改善するために、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層(０＜ｙ＜０.３５)／ＳｉＮｘクラスター層／ＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層(０＜ｚ＜０.１)で造成比を調節することもできる。また、インジウム含量が低いｌｏｗ−ｍｏｌｅ ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１０との関係を考慮すれば、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層３７、４３／ＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層４１、４７にドープされるインジウム含量と、ｌｏｗ−ｍｏｌｅ ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１０にドープされるインジウム含量とは、各々０＜ｘ＜０.１、０＜ｙ＜０.３５、０＜ｚ＜０.１の値を有するように調節できる。
また、図には示さないが、活性層をなすＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層とＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層との間に、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層のインジウム変動量を制御するＧａＮキャップ層が形成されることができる。このとき、光を放出する井戸層及び障壁層のそれぞれのインジウム含量は、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ(０＜ｙ＜０.３５)／ＧａＮキャップ／ＩｎｚＧａ１−ｚＮ(０＜ｚ＜０.1)で構成することができる。
また、単一量子井戸層又は多重量子井戸構造で構成された活性層の最後層を成長させた後、更にＳｉＮｘ層４９を原子スケールの厚さで成長させ、第１の Ｐ−ＧａＮ層１４のＭｇ元素の活性層内の拡散を抑制できる。
一方、図３では、第２の電極層としてスーパーグレーディングＮ−ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１６が形成された場合を示すが、第２の電極層としては、ＩｎＧａＮ／ＡｌＩｎＧａｎ超格子構造層又はIｎＧａＮ／IｎＧａＮ超格子構造層で形成されることもできる。
ここで、前述した実施形態(図１〜図３)には示さないが、第１の電極層の電極(又は電極パッド)は、窒化物半導体の第１の電極層まで部分エッチングして第１の電極層上に形成でき、第２の電極層又は第３の電極層上に形成された透明電極上に電極パッドをさらに形成できる。
以上で説明したように、本発明による窒化物半導体発光素子によれば、ｎ／Ｐ／Ｎ接合発光素子構造を適用して動作電圧を減少させながら電流注入を向上させることで、従来のＰ／Ｎ接合発光素子においてＰ型の電極層として使用されるｐ−ＧａＮ層自体の高い接触抵抗による電流集中現象を改善できる。また、絶縁膜を用いてＮ／Ｐ接合層のみを選択的に再成長して、発光素子の表面に屈曲(凹凸)を形成させて外部量子効率を増加できる。
また、本発明による窒化物半導体発光素子は、既存のＰ−ＧａＮ表面の部分エッチングにより発生する表面損傷と、それに従う動作電圧とを減少させ、発光素子の外部量子効率を増加させ、再成長を介して優れた結晶性を有する発光素子を作って内部量子効率を根本的に向上させた(Ｎ／Ｐ／)Ｎ／Ｐ／Ｎ接合発光素子である。
また、本発明による窒化物半導体発光素子は、第１の電極層及び第２の電極層がＮ型の窒化物半導体で構成される。特に、第２の電極層の接触抵抗を改善した構造で光出力を向上できる。
本発明による窒化物半導体発光素子及びその製造方法によれば、窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上でき、光出力及び信頼性を向上できる。
本発明による窒化物半導体発光素子の第１の実施形態の積層構造を概略的に示す図である。 本発明による窒化物半導体発光素子の第２の実施形態の積層構造を概略的に示す図である。 本発明による窒化物半導体発光素子の第３の実施形態の積層構造を概略的に示す図である。

Claims (62)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成されるバッファ層と、
    前記バッファ層上に形成されるＩｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層と、
    前記Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層上に形成される第１の電極層と、
    前記第１の電極層上に形成されるＩｎｘＧａ１−ｘＮ層と、
    前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層上に形成される活性層と、
    前記活性層上に形成される第１のＰ−ＧａＮ層と、
    前記第１のＰ−ＧａＮ層上に形成される第２の電極層と、
    前記第２の電極層上に部分的に突出されて形成される第２のＰ−ＧａＮ層と、
    前記第２のＰ−ＧａＮ層上に形成される第３の電極層とを含むことを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
  2. 前記バッファ層は、ＡｌＩｎＮ／ＧａＮ積層構造、IｎＧａＮ／ＧａＮ超格子構造、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮ積層構造、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−（ｘ＋ｙ）Ｎ／ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮの積層構造から選択されて形成されることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  3. 前記第１の電極層は、シリコンとインジウムとが同時にドープされるＧａＮ層であることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  4. 前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層の下部及び上部には、第１のＳｉＮｘクラスター層と第２のＳｉＮｘクラスター層とが各々さらに形成されることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  5. 第１のＳｉＮｘクラスター層と第２のＳｉＮｘクラスター層とは、原子スケールの厚さで形成されることを特徴とする、請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。
  6. 前記活性層は、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層／ＩｎＺＧａ１−ＺＮ障壁層で形成される単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造で構成されることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  7. 前記活性層をなす井戸層と障壁層との間に、ＳｉＮｘクラスター層がさらに形成されることを特徴とする、請求項５に記載の窒化物半導体発光素子。
  8. 前記活性層をなすＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層とＩｎＺＧａ１−ＺＮ障壁層との間に、 ＳｉＮｘクラスター層がさらに形成されることを特徴とする、請求項６に記載の窒化物半導体発光素子。
  9. 前記活性層をなすＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層とＩｎＺＧａ１−ＺＮ障壁層との間に、ＧａＮキャップ層がさらに形成されることを特徴とする、請求項６に記載の窒化物半導体発光素子。
  10. 前記活性層と第１のＰ−ＧａＮ層との間に、ＳｉＮｘクラスター層がさらに形成されることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  11. 前記ＳｉＮｘクラスター層は、原子スケールの厚さで形成されることを特徴とする、請求項７に記載の窒化物半導体発光素子。
  12. 前記ＳｉＮｘクラスター層は、原子スケールの厚さで形成されることを特徴とする、請求項８に記載の窒化物半導体発光素子。
  13. 前記ＳｉＮｘクラスター層は、原子スケールの厚さで形成されることを特徴とする、請求項１０に記載の窒化物半導体発光素子。
  14. 前記ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層／ＩｎＺＧａ１−ＺＮ障壁層にドープされるインジウム含量と、前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層にドープされるインジウム含量とは、各々０＜ｘ＜０.１、０＜ｙ＜０.３５、０＜ｚ＜０.１の値を有することを特徴とする、請求項６に記載の窒化物半導体発光素子。
  15. 前記第１のＰ−ＧａＮ層は、マグネシウムがドープされて形成されることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  16. 前記第２の電極層及び／又は第３の電極層は、インジウム含量が順次変化されるスーパーグレーディング構造のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層であることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  17. 前記スーパーグレーディング構造のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層は、０＜ｘ＜０.２の範囲で形成されることを特徴とする、請求項１６に記載の窒化物半導体発光素子。
  18. 前記第２の電極層及び／又は第３の電極層は、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ又はＩｎＧａＮ／ＡｌＩｎＧａＮ超格子構造で形成されることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  19. 前記第２の電極層及び／又は第３の電極層には、シリコンがドープされることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  20. 前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層は、インジウム含量が低いｌｏｗ−ｍｏｌｅ ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層であることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  21. 前記電極層は、Ｎ型の窒化物半導体であることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  22. 前記第２の電極層及び／又は第３の電極層に電極がさらに具備されることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  23. 前記電極は、透過性金属酸化物又は透過性抵抗性金属で形成されることを特徴とする、請求項２２に記載の窒化物半導体発光素子。
  24. 前記透過性金属酸化物は、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ及びＮｉＯの物質から選択されて形成されることを特徴とする、請求項２３に記載の窒化物半導体発光素子。
  25. 前記透過性抵抗性金属は、Ｎｉ金属を含むＡｕ合金層で形成されることを特徴とする、請求項２３に記載の窒化物半導体発光素子。
  26. 前記電極は、前記第２の電極層及び第３の電極層上に形成されることを特徴とする、請求項２２に記載の窒化物半導体発光素子。
  27. 基板と、
    前記基板上に形成されるバッファ層と、
    前記バッファ層上に形成されるＩｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層と、
    前記Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層上に形成される第１の電極層と、
    前記第１の電極層上に形成される第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層と、
    前記第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層上に形成される活性層と、
    前記活性層上に形成されるＰ−ＧａＮ層と、
    前記Ｐ−ＧａＮ層上に形成されるインジウム含量が順次変化されるスーパーグレーディング構造の第２のＮ−ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層とを含むことを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
  28. 前記バッファ層は、ＡｌＩｎＮ／ＧａＮ積層構造、IｎＧａＮ／ＧａＮ超格子構造、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮ積層構造、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−（ｘ＋ｙ）Ｎ／ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮの積層構造から選択されて形成されることを特徴とする、請求項２７に記載の窒化物半導体発光素子。
  29. 前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層は、インジウム含量が低いｌｏｗ−ｍｏｌｅ ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層であることを特徴とする、請求項２７に記載の窒化物半導体発光素子。
  30. 前記第１の電極層は、シリコンとインジウムとが同時にドープされるＧａＮ層であることを特徴とする、請求項２７に記載の窒化物半導体発光素子。
  31. 前記第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層の下部及び上部には、第１のＳｉＮｘクラスター層と第２のＳｉＮｘクラスター層とが各々さらに形成されることを特徴とする、請求項２７に記載の窒化物半導体発光素子。
  32. 前記活性層は、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層／ＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層で形成される単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造で構成されることを特徴とする、請求項２７に記載の窒化物半導体発光素子。
  33. 前記活性層をなす井戸層と障壁層との間に、ＳｉＮｘクラスター層がさらに形成されることを特徴とする、請求項２７に記載の窒化物半導体発光素子。
  34. 前記活性層をなすＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層とＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層との間に、ＧａＮキャップ層がさらに形成されることを特徴とする、請求項３２に記載の窒化物半導体発光素子。
  35. 前記活性層とＰ−ＧａＮ層との間に、ＳｉＮｘクラスター層がさらに形成されることを特徴とする、請求項２７に記載の窒化物半導体発光素子。
  36. 前記ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層／ＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層にドープされるインジウム含量と、前記第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層にドープされるインジウム含量とは、各々０＜ｘ＜０.１、０＜ｙ＜０.３５、０＜ｚ＜０.１の値を有することを特徴とする、請求項３２に記載の窒化物半導体発光素子。
  37. 基板と、
    前記基板上に形成されるバッファ層と、
    前記バッファ層上に形成されるインジウムがドープされるＩｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層と、
    前記Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層上に形成される第１の電極層と、
    前記第１の電極層上に形成されるＩｎｘＧａ１−ｘＮ層と、
    前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層上に形成される活性層と、
    前記活性層上に形成されるＰ−ＧａＮ層と、
    前記Ｐ−ＧａＮ層上に形成されるIｎＧａＮ／ＡｌＩｎＧａｎ超格子構造層とを含むことを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
  38. 前記バッファ層は、ＡｌＩｎＮ／ＧａＮ積層構造、IｎＧａＮ／ＧａＮ超格子構造、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮ積層構造、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−（ｘ＋ｙ）Ｎ／ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮの積層構造から選択されて形成されることを特徴とする、請求項３７に記載の窒化物半導体発光素子。
  39. 前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層は、インジウム含量が低いｌｏｗ−ｍｏｌｅ ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層であることを特徴とする、請求項３７に記載の窒化物半導体発光素子。
  40. 前記第１の電極層は、シリコンとインジウムとが同時にドープされるＧａＮ層であることを特徴とする、請求項３７に記載の窒化物半導体発光素子。
  41. 前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層の下部及び上部には、第１のＳｉＮｘクラスター層と第２のＳｉＮｘクラスター層とが各々さらに形成されることを特徴とする、請求項３７に記載の窒化物半導体発光素子。
  42. 前記活性層は、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層／ＩｎＺＧａ１−ＺＮ障壁層で形成される単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造で構成されることを特徴とする、請求項３７に記載の窒化物半導体発光素子。
  43. 前記活性層をなす井戸層と障壁層との間に、ＳｉＮｘクラスター層がさらに形成されることを特徴とする、請求項３７に記載の窒化物半導体発光素子。
  44. 前記活性層をなすＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層とＩｎＺＧａ１−ＺＮ障壁層との間に、 ＧａＮキャップ層がさらに形成されることを特徴とする、請求項４２に記載の窒化物半導体発光素子。
  45. 前記活性層とＰ−ＧａＮ層との間に、ＳｉＮｘクラスター層がさらに形成されることを特徴とする、請求項３７に記載の窒化物半導体発光素子。
  46. 前記ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層／ＩｎＺＧａ１−ＺＮ障壁層にドープされるインジウム含量と、前記第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層にドープされるインジウム含量とは、各々０＜ｘ＜０.１、０＜ｙ＜０.３５、０＜ｚ＜０.１の値を有することを特徴とする、請求項４２に記載の窒化物半導体発光素子。
  47. 基板上にバッファ層を形成するステップと、
    前記バッファ層上にＩｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層を形成するステップと、
    前記Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層上に第１の電極層を形成するステップと、
    前記第１の電極層上に第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層を形成するステップと、
    前記第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層上に光を放出する活性層を形成するステップと、
    前記活性層上に第１のＰ−ＧａＮ層を形成するステップと、
    前記第１のＰ−ＧａＮ層上に第２の電極層を形成するステップと、
    前記第２の電極層上に部分的に突出された第２のＰ−ＧａＮ層及び第３の電極層を形成するステップとを含むことを特徴とする、窒化物半導体発光素子の製造方法。
  48. 前記第１の電極層は、シリコンとインジウムとが同時にドープされるＧａＮ層であることを特徴とする、請求項４７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  49. 前記第１のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層を形成するステップの前後に、第１のＳｉＮｘクラスター層と第２のＳｉＮｘクラスター層とが形成されるステップを各々さらに含むことを特徴とする、請求項４７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  50. 前記活性層は、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層／ＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層で形成される単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造で構成されることを特徴とする、請求項４７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  51. 前記活性層をなす井戸層と障壁層とが形成されるステップ間に、ＳｉＮｘクラスター層が形成されるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項４７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  52. 前記活性層をなすＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層とＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層とが形成されるステップ間に、ＧａＮキャップ層が形成されるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項５０に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  53. 前記活性層とＰ−ＧａＮ層とが形成されるステップ間に、ＳｉＮｘクラスター層が形成されるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項４７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  54. 前記第２の電極層及び／又は第３の電極層は、インジウム含量が順次変化されるスーパーグレーディング構造のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層で形成されることを特徴とする、請求項４７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  55. 前記第２の電極層及び／又は第３の電極層は、IｎＧａＮ／IｎＧａＮ又はＩｎＧａｎ／ＡｌＩｎＧａｎ超格子構造で形成されることを特徴とする、請求項４７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  56. 前記第２の電極層及び／又は第３の電極層は、シリコンをドープして形成されることを特徴とする、請求項５５に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  57. 前記第２の電極層上に部分的に突出された第２のＰ−ＧａＮ層及び第３の電極層を形成するステップは、
    前記第２の電極層上に絶縁膜を部分的に形成し、前記第２の電極層を部分的に露出させるステップと、
    前記露出された第２の電極層上にＰ−ＧａＮ層及び第３の電極層を形成するステップと、
    前記絶縁膜を除去するステップとを含むことを特徴とする、請求項４７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  58. 前記部分的に突出された第２のＰ−ＧａＮ層及び第３の電極層を形成するステップの以後に、前記第２の電極層上に電極を形成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項４７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  59. 前記電極は、透過性金属酸化物又は透過性抵抗性金属で形成されることを特徴とする、請求項５８に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  60. 前記透過性金属酸化物は、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ及びＮｉＯの物質から選択されて形成されることを特徴とする、請求項５９に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  61. 前記透過性抵抗性金属は、Ｎｉ金属を含むＡｕ合金層で形成されることを特徴とする、請求項５９に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  62. 前記電極は、前記第２の電極層及び第３の電極層上に形成されることを特徴とする、請求項５８に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101656288B (zh) * 2005-07-06 2013-06-12 Lg伊诺特有限公司 氮化物半导体led
JP5529963B2 (ja) * 2009-07-20 2014-06-25 ソイテック 半導体構造体または半導体デバイスを形成する方法および光起電力構造体
US7781242B1 (en) * 2009-12-10 2010-08-24 Walsin Lihwa Corporation Method of forming vertical structure light emitting diode with heat exhaustion structure
DE102009060747A1 (de) 2009-12-30 2011-07-07 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Halbleiterchip
KR101646664B1 (ko) * 2010-05-18 2016-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지
US8431178B2 (en) 2010-09-10 2013-04-30 Pepsico, Inc. Increasing the concentration of terpene compounds in liquids
GB2485418B (en) * 2010-11-15 2014-10-01 Dandan Zhu Semiconductor materials
CN102569581B (zh) * 2012-02-28 2015-07-01 江苏新广联科技股份有限公司 具有重叠电极的led芯片结构
CN102646767A (zh) * 2012-04-14 2012-08-22 杭州士兰明芯科技有限公司 ZnO基透明电极发光二极管及其制备方法
US9343626B2 (en) 2013-03-15 2016-05-17 Soitec Semiconductor structures having active regions comprising InGaN, methods of forming such semiconductor structures, and light emitting devices formed from such semiconductor structures
TWI593135B (zh) 2013-03-15 2017-07-21 索泰克公司 具有含氮化銦鎵之主動區域之半導體結構，形成此等半導體結構之方法，以及應用此等半導體結構形成之發光元件
CN105051921A (zh) * 2013-03-15 2015-11-11 索泰克公司 具有包含InGaN的有源区的发光二极管半导体结构体
FR3003397B1 (fr) * 2013-03-15 2016-07-22 Soitec Silicon On Insulator Structures semi-conductrices dotées de régions actives comprenant de l'INGAN
TW201511327A (zh) 2013-09-06 2015-03-16 Ind Tech Res Inst 發光二極體
CN104716237B (zh) * 2013-12-17 2017-08-04 比亚迪股份有限公司 一种GaN基LED外延片及其制备方法
CN104894532B (zh) * 2015-04-23 2018-07-10 安徽三安光电有限公司 一种改善漏电流的发光二极管制备方法
CN113906574A (zh) * 2019-06-10 2022-01-07 苏州晶湛半导体有限公司 半导体结构和半导体结构的制备方法
CN116565080A (zh) * 2023-07-11 2023-08-08 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274568A (ja) * 1998-02-19 1999-10-08 Hewlett Packard Co <Hp> Ｌｅｄおよびｌｅｄの組立方法
JPH11340509A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
JP2003060236A (ja) * 2001-05-30 2003-02-28 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 絶縁基板を有する発光ダイオード
WO2004114421A1 (en) * 2003-06-25 2004-12-29 Lg Innotek Co.,Ltd A light emitting device using nitride semiconductor and fabrication method of the same
WO2005038937A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-28 Lg Innotek Co.,Ltd Nitride semiconductor light emitting device

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4316156A (en) * 1979-07-12 1982-02-16 Xerox Corporation Optical repeater integrated lasers
US4450567A (en) * 1979-07-12 1984-05-22 Xerox Corporation Optical repeater integrated lasers
US4555785A (en) * 1979-07-12 1985-11-26 Xerox Corporation Optical repeater integrated lasers
US5031012A (en) * 1989-04-21 1991-07-09 At&T Bell Laboratories Devices having asymmetric delta-doping
US5136353A (en) * 1990-05-10 1992-08-04 The University Of Colorado Foundation, Inc. Optical switch
US5404373A (en) * 1991-11-08 1995-04-04 University Of New Mexico Electro-optical device
JP3323324B2 (ja) * 1993-06-18 2002-09-09 株式会社リコー 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
KR0144521B1 (ko) * 1994-04-08 1998-07-15 쯔지 하루오 발광 소자로부터 광을 수광하여 자기 보유하는 수광 소자 및 이 수광 소자에 구동광을 안내하는 광 통로를 갖고 있는 발광 표시 장치
US5650641A (en) 1994-09-01 1997-07-22 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor device having group III nitride compound and enabling control of emission color, and flat display comprising such device
FR2726126A1 (fr) 1994-10-24 1996-04-26 Mitsubishi Electric Corp Procede de fabrication de dispositifs a diodes electroluminescentes a lumiere visible
TW290743B (ja) 1995-03-27 1996-11-11 Sumitomo Electric Industries
JP3090057B2 (ja) * 1996-08-07 2000-09-18 昭和電工株式会社 短波長発光素子
JP3211870B2 (ja) 1996-12-19 2001-09-25 日亜化学工業株式会社 発光素子及びそれを用いた発光ダイオード
EP1017113B1 (en) * 1997-01-09 2012-08-22 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
US6677619B1 (en) * 1997-01-09 2004-01-13 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
US5866367A (en) * 1997-07-01 1999-02-02 Smithkline Beecham Corporation Gidb
JPH1168158A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体装置
US6266355B1 (en) * 1997-09-12 2001-07-24 Sdl, Inc. Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking
US6541797B1 (en) * 1997-12-04 2003-04-01 Showa Denko K. K. Group-III nitride semiconductor light-emitting device
US6144683A (en) * 1998-01-07 2000-11-07 Xerox Corporation Red, infrared, and blue stacked laser diode array by wafer fusion
KR100611352B1 (ko) * 1998-03-12 2006-09-27 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자
JP4083866B2 (ja) * 1998-04-28 2008-04-30 シャープ株式会社 半導体レーザ素子
US6650641B1 (en) * 1999-07-02 2003-11-18 Cisco Technology, Inc. Network address translation using a forwarding agent
CN1322597C (zh) * 1999-08-23 2007-06-20 日本板硝子株式会社 发光闸流晶体管及自扫描型发光装置
KR100700993B1 (ko) * 1999-12-03 2007-03-30 크리, 인코포레이티드 향상된 광 적출 구조체를 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP3882539B2 (ja) * 2000-07-18 2007-02-21 ソニー株式会社 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置
TW488088B (en) 2001-01-19 2002-05-21 South Epitaxy Corp Light emitting diode structure
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
JP3802424B2 (ja) * 2002-01-15 2006-07-26 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP4233268B2 (ja) * 2002-04-23 2009-03-04 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
KR100497127B1 (ko) * 2002-09-05 2005-06-28 삼성전기주식회사 질화갈륨계 반도체 엘이디 소자
US7122734B2 (en) * 2002-10-23 2006-10-17 The Boeing Company Isoelectronic surfactant suppression of threading dislocations in metamorphic epitaxial layers
US20040227151A1 (en) * 2003-03-31 2004-11-18 Hitachi Cable, Ltd. Light emitting diode
WO2005022654A2 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274568A (ja) * 1998-02-19 1999-10-08 Hewlett Packard Co <Hp> Ｌｅｄおよびｌｅｄの組立方法
JPH11340509A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
JP2003060236A (ja) * 2001-05-30 2003-02-28 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 絶縁基板を有する発光ダイオード
WO2004114421A1 (en) * 2003-06-25 2004-12-29 Lg Innotek Co.,Ltd A light emitting device using nitride semiconductor and fabrication method of the same
WO2005038937A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-28 Lg Innotek Co.,Ltd Nitride semiconductor light emitting device

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