JP2005260038A - 研磨装置及びウェーハの研磨方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 140
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 2
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】チャックテーブル2を回転させると共に研磨砥石33を回転させて、少なくともウェーハWの回転中心と研磨砥石33の研磨面33aの外周部とが接触するようにウェーハWを研磨すると共に、研磨面33aのうち、ウェーハWと対面しない部分に放射温度計7の検出端面70を対面させ、放射温度計7を用いて研磨面70の温度を計測し、計測した温度が許容値を超えないように送り手段を制御する。
【選択図】図2
Description
2:チャックテーブル
20:移動基台 21:ジャバラ
3:研磨手段
30:スピンドル 31:マウンタ 32:研磨ホイール 33:研磨砥石
4:送り手段
40:ガイドレール 41:ボールネジ 42:駆動源 43:昇降板
5:オペレーションパネル
6:送り手段制御部
7:放射温度計
70:検出端面
8:エアーノズル
90:計測温度記憶部 91:許容温度記憶部 92:温度比較部
Claims (4)
- ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハを乾式にて研磨する研磨砥石を備えた研磨手段と、該研磨手段を研磨送りする送り手段とを少なくとも備えた研磨装置であって、
該研磨砥石の研磨面の温度を計測する放射温度計が配設され、ウェーハの研磨時に該放射温度計の検出端面が該研磨砥石の研磨面に対面する研磨装置。 - 前記放射温度計の検出端面に向けてエアーを噴出するエアーノズルが配設される請求項1に記載の研磨装置。
- 前記放射温度計が出力する温度を記憶する計測温度記憶部と、
前記研磨面の許容温度を記憶する許容温度記憶部と、
該計測温度記憶部に記憶された温度と該許容温度記憶部に記憶された許容温度とを比較する温度比較部と、
該温度比較部における比較結果に基づいて前記送り手段を制御する送り手段制御部と
が含まれる請求項1または2に記載の研磨装置。 - ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハを乾式にて研磨する研磨砥石を備えた研磨手段と、該研磨手段を研磨送りする送り手段とを少なくとも備えた研磨装置を用い、表面に保護テープが貼着されたウェーハの裏面を研磨するウェーハの研磨方法であって、
該チャックテーブルを回転させると共に該研磨砥石を回転させて、少なくとも該ウェーハの回転中心と該研磨砥石の研磨面の外周部とが接触するように該ウェーハの裏面を研磨すると共に、
該研磨面のうち、該ウェーハの裏面と対面しない部分に、放射温度計の検出端面を対面させ、
該放射温度計を用いて該研磨面の温度を計測し、該計測した温度が許容値を超えないように該送り手段を制御するウェーハの研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004070486A JP4631021B2 (ja) | 2004-03-12 | 2004-03-12 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004070486A JP4631021B2 (ja) | 2004-03-12 | 2004-03-12 | 研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005260038A true JP2005260038A (ja) | 2005-09-22 |
JP4631021B2 JP4631021B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004070486A Expired - Lifetime JP4631021B2 (ja) | 2004-03-12 | 2004-03-12 | 研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4631021B2 (ja) |
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