JP2005052786A - Treating apparatus of exhaust gas - Google Patents

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Yukichi Takamatsu
勇吉 高松
Koji Kiriyama
晃二 桐山
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treating apparatus, in which a powdered substance contained in an exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process can be removed efficiently and easily without using a large-sized or complicated constitution, and in which, further, much time and effort are not required in maintenance. <P>SOLUTION: The treating apparatus is provided with an inlet of the exhaust gas, an exhaust of the treated gas, and a reservoir of the powdered substance, further, a partition to circulate the exhaust gas turning back in an up-and down direction, a partition to circulate the exhaust gas turning back in a horizontal direction, or a partition to circulate the exhaust gas spirally in the horizontal direction, and a cooling means of the above partitions. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を除去する処理装置に関する。さらに詳細には、ＰＺＴ、ＢＳＴ、ＳＢＴ、ＰＬＺＴ等の強誘電体膜の製造工程等から排出される排ガスに含まれる多量の粉化物を効率よく除去するための処理装置に関する。   The present invention relates to a processing apparatus for removing powdered substances contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process. More specifically, the present invention relates to a processing apparatus for efficiently removing a large amount of powdered material contained in exhaust gas discharged from a manufacturing process of a ferroelectric film such as PZT, BST, SBT, and PLZT.

近年、半導体分野においては、半導体メモリー用の酸化物系誘電体膜として、高誘電率を有しステップカバレッジ性が高いチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜、チタン酸ストロンチウムバリウム（ＢＳＴ）膜、タンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ）膜、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）膜等が用いられている。これらの半導体薄膜のＣＶＤ原料としては、例えばＰｂ源としてＰｂ（ＤＰＭ）2（固体原料）、Ｚｒ源としてＺｒ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4（液体原料）、Ｚｒ（ＤＰＭ）4（固体原料）、Ｔｉ源としてＴｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）4（液体原料）、Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）2（ＤＰＭ）2（固体原料）、Ｂａ源としてＢａ（ＤＰＭ）2（固体原料）、Ｓｒ源としてＳｒ（ＤＰＭ）2（固体原料）が用いられている。 In recent years, in the semiconductor field, lead oxide zirconate titanate (PZT) film, strontium barium titanate (BST) film, tantalum having high dielectric constant and high step coverage as oxide-based dielectric films for semiconductor memory Bismuth strontium oxide (SBT) films, lead lanthanum zirconate titanate (PLZT) films, and the like are used. Examples of CVD raw materials for these semiconductor thin films include Pb (DPM) 2 (solid raw material) as a Pb source, Zr (OC (CH 3 ) 3 ) 4 (liquid raw material), and Zr (DPM) 4 (solid raw material) as a Zr source. ), Ti (OCH (CH 3 ) 2 ) 4 (liquid raw material), Ti (OCH (CH 3 ) 2 ) 2 (DPM) 2 (solid raw material), Ba source as Ba (DPM) 2 (solid raw material) ), Sr (DPM) 2 (solid raw material) is used as the Sr source.

前記の強誘電体膜の成膜において、ＣＶＤ原料として液体原料を使用する場合、液体原料がキャリアガスとともに気化器に供給され、気化器でガス状にされた後、半導体製造装置に供給される。また、ＣＶＤ原料として固体原料を使用する場合、これを高温に保持し昇華して気化供給することにより高純度の原料を得ることが可能であるが、工業的には充分な供給量を確保することが極めて困難であるため、通常はテトラヒドロフラン等の有機溶媒に溶解させて液体原料とし、前記と同様な方法で気化させて半導体製造装置に供給している。   In the formation of the ferroelectric film, when a liquid source is used as a CVD source, the liquid source is supplied to a vaporizer together with a carrier gas, gasified by the vaporizer, and then supplied to a semiconductor manufacturing apparatus. . Moreover, when using a solid raw material as a CVD raw material, it is possible to obtain a high-purity raw material by holding it at a high temperature, sublimating it, and supplying it by vaporization, but a sufficient supply amount is ensured industrially. Therefore, it is usually dissolved in an organic solvent such as tetrahydrofuran to obtain a liquid raw material, which is vaporized by the same method as described above and supplied to a semiconductor manufacturing apparatus.

これらのＣＶＤ原料及び有機溶媒は毒性が高く、大気にそのまま放出した場合は人体および環境に悪影響を与えるので、半導体製造工程で使用した後は浄化する必要がある。また、前記のＣＶＤ原料を使用した場合、特に固体ＣＶＤ原料を使用した場合には、半導体製造工程からは有害ガスとともに多量の粉化物が排出され、後段の浄化筒において急激な圧力損失の増加や閉塞を生じたり、ポンプ等の排気設備に余分な負荷を与える等の悪影響を及ぼすので、粉化物を除去するための処理装置が使用されている。   These CVD raw materials and organic solvents are highly toxic and, if released into the atmosphere as they are, will adversely affect the human body and the environment, so it is necessary to purify them after use in the semiconductor manufacturing process. Further, when the above-mentioned CVD raw material is used, particularly when a solid CVD raw material is used, a large amount of pulverized material is discharged from the semiconductor manufacturing process together with harmful gas, and a rapid increase in pressure loss or A processing apparatus for removing powdered materials is used because it has an adverse effect such as blocking or giving an extra load to exhaust equipment such as a pump.

従来から、半導体製造工程の後段に用いられるこのような処理装置としては、一般的にはフィルターが備えられた濾過装置が使用されるが、フィルターを清掃するまでの時間、あるいは交換するまでの時間を引き延ばしてメンテナンス性を向上する目的で、逆洗機構が備えられた濾過装置（特開平８−１９２０１９）が開発されている。また、そのほかに、浄化装置と一体化され、浄化剤の充填部の上流側に粉化物の溜り部を備えた処理装置（特開平６−２１０１３３、特開２００２−６６２３２）等がある。
特開平８−１９２０１９号公報 特開平６−２１０１３３号公報 特開２００２−６６２３２号公報 Conventionally, as such a processing apparatus used in the latter stage of the semiconductor manufacturing process, a filtration apparatus equipped with a filter is generally used. However, the time until the filter is cleaned or the time until the filter is replaced. In order to improve the maintainability by extending the length, a filtration device (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 8-192019) equipped with a backwashing mechanism has been developed. In addition, there are processing devices (JP-A-6-210133, JP-A-2002-66232) and the like that are integrated with the purification device and have a pulverized material reservoir upstream of the purification agent filling portion.
JP-A-8-192019 JP-A-6-210133 JP 2002-66232 A

しかしながら、フィルターが備えられた濾過装置においては、フィルターを頻繁に交換する必要があり、逆洗機構が装備されている場合は交換周期が延びるが、装置が複雑になるという不都合があった。また、浄化剤の充填部の上流側に粉化物の溜り部を備えた処理装置は、粉化物の除去率が低いという不都合があり、粉化物を充分に除去するためには排ガスの流路を長くする必要があり、装置が大きくなる不都合があった。
従って、本発明が解決しようとする課題は、前述の強誘電体膜の製造工程等から排出される排ガスに含まれる多量の粉化物を、大型あるいは複雑な構成を用いることなく、効率よく容易に除去でき、しかもメンテナンスに手間がかからない処理装置を提供することである。 However, in a filtering device equipped with a filter, it is necessary to frequently replace the filter. When the filter is equipped with a backwashing mechanism, the replacement cycle is extended, but the device is complicated. In addition, the processing apparatus provided with the powdered material reservoir on the upstream side of the purifier filling part has a disadvantage that the removal rate of the powdered material is low, and in order to sufficiently remove the powdered material, the exhaust gas flow path is provided. There is an inconvenience that the apparatus needs to be long and the apparatus becomes large.
Therefore, the problem to be solved by the present invention is to easily and efficiently remove a large amount of pulverized material contained in the exhaust gas discharged from the above-described ferroelectric film manufacturing process without using a large or complicated structure. It is an object of the present invention to provide a processing apparatus that can be removed and that does not require maintenance.

本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、粉化物の溜り部を備えた処理装置において、半導体製造工程から排出される未反応のＣＶＤ原料、金属を含有する分解生成物、金属を含有する反応生成物等の粉化物となり得る化合物を含む排ガスを、効率よく冷却し、これらの化合物を析出しやすくすることにより、大型あるいは複雑な構成を用いることなく、効率よく容易にこれらの化合物を除去でき、しかもメンテナンスに手間がかからないことを見い出し本発明の排ガスの処理装置に到達した。   As a result of intensive studies to solve these problems, the present inventors, as a result, in a processing apparatus equipped with a pulverized material reservoir, an unreacted CVD raw material discharged from a semiconductor manufacturing process and a decomposition product containing metal By efficiently cooling an exhaust gas containing a compound that can become a pulverized product such as a reaction product containing a metal and facilitating precipitation of these compounds, it can be efficiently and easily performed without using a large or complicated structure. The inventors have found that these compounds can be removed and that maintenance is not time-consuming, and have reached the exhaust gas treatment apparatus of the present invention.

すなわち本発明は、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を除去する処理装置であって、排ガスの導入口、排ガスを上下方向に折り返して流通させるための仕切り、該仕切りの冷却手段、処理されたガスの排出口、及び装置の底部に粉化物の溜り部を備えてなることを特徴とする排ガスの処理装置である。
また、本発明は、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を除去する処理装置であって、排ガスの導入口、排ガスを水平方向に折り返して流通させるための仕切り、該仕切りの冷却手段、処理されたガスの排出口、及び装置の底部に粉化物の溜り部を備えてなることを特徴とする排ガスの処理装置でもある。
また、本発明は、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を除去する処理装置であって、排ガスの導入口、排ガスを水平方向に渦巻き状に流通させるための仕切り、該仕切りの冷却手段、処理されたガスの排出口、及び装置の底部に粉化物の溜り部を備えてなることを特徴とする排ガスの処理装置でもある。 That is, the present invention is a processing apparatus for removing pulverized substances contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process, which is an inlet for exhaust gas, a partition for folding and circulating the exhaust gas in the vertical direction, and cooling means for the partition An exhaust gas treatment apparatus comprising a treated gas outlet and a pulverized material reservoir at the bottom of the apparatus.
The present invention also relates to a processing apparatus for removing pulverized substances contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process, an exhaust gas inlet, a partition for folding the exhaust gas in a horizontal direction, and cooling the partition The exhaust gas treatment apparatus is characterized by comprising a means, an outlet for the treated gas, and a pulverized material reservoir at the bottom of the apparatus.
The present invention also relates to a processing apparatus for removing pulverized matter contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process, an exhaust gas inlet, a partition for circulating the exhaust gas in a spiral shape, The exhaust gas treatment apparatus is characterized by comprising a cooling means, a treated gas discharge port, and a pulverized material reservoir at the bottom of the apparatus.

本発明は、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を除去する処理装置に適用されるが、液体ＣＶＤ原料または固体ＣＶＤ原料を用いた半導体の製造工程、特に固体ＣＶＤ原料を用いた半導体の製造工程から排出される排ガスを処理する場合に、未反応のＣＶＤ原料、金属を含有する分解生成物、金属を含有する反応生成物等を効率よく除去できる点で効果を発揮する。このような半導体製造工程としては、例えば、ＰＺＴ、ＢＳＴ、ＳＢＴ、ＰＬＺＴ等の強誘電体膜の製造工程が挙げられる。   The present invention is applied to a processing apparatus for removing pulverized substances contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process, but a semiconductor manufacturing process using a liquid CVD raw material or a solid CVD raw material, particularly a solid CVD raw material is used. When exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process is processed, it is effective in that it can efficiently remove unreacted CVD raw materials, metal-containing decomposition products, metal-containing reaction products, and the like. Examples of such a semiconductor manufacturing process include a process for manufacturing a ferroelectric film such as PZT, BST, SBT, and PLZT.

本発明の第１の形態の排ガスの処理装置は、排ガスの導入口、排ガスを上下方向に折り返して流通させるための仕切り、仕切りの冷却手段、処理されたガスの排出口、及び装置の底部に粉化物の溜り部を備えてなる排ガスの処理装置である。
本発明の第２の形態の排ガスの処理装置は、排ガスの導入口、排ガスを水平方向に折り返して流通させるための仕切り、仕切りの冷却手段、処理されたガスの排出口、及び装置の底部に粉化物の溜り部を備えてなる排ガスの処理装置である。
本発明の第３の形態の排ガスの処理装置は、排ガスの導入口、排ガスを水平方向に渦巻き状に流通させるための仕切り、仕切りの冷却手段、処理されたガスの排出口、及び装置の底部に粉化物の溜り部を備えてなる排ガスの処理装置である。 The exhaust gas treatment apparatus of the first aspect of the present invention includes an exhaust gas introduction port, a partition for folding and circulating the exhaust gas in the vertical direction, a cooling means for the partition, a treated gas discharge port, and a bottom part of the device. It is an exhaust gas treatment device provided with a pulverized material reservoir.
The exhaust gas treatment apparatus according to the second aspect of the present invention includes an exhaust gas inlet, a partition for folding the exhaust gas in a horizontal direction, a cooling means for the partition, an outlet for the treated gas, and a bottom of the apparatus. It is an exhaust gas treatment device provided with a pulverized material reservoir.
The exhaust gas treatment apparatus of the third aspect of the present invention comprises an exhaust gas introduction port, a partition for circulating the exhaust gas in a spiral shape, a cooling means for the partition, a treated gas discharge port, and the bottom of the device It is an exhaust gas treatment device provided with a pulverized material reservoir.

本発明の排ガスの処理装置における除去対象の粉化物は、主に未反応の固体ＣＶＤ原料、液体ＣＶＤ原料または固体ＣＶＤ原料が分解あるいは反応して生成する金属含有化合物である。また、処理対象の排ガスは、これらの粉化物を含有する水素、ヘリウム、窒素、酸素、またはアルゴン等をベースガスとする排ガスであり、さらにＣＶＤ原料として固体原料が使用された場合は、有機溶媒を含むものである。   The pulverized product to be removed in the exhaust gas treatment apparatus of the present invention is a metal-containing compound produced mainly by decomposition or reaction of an unreacted solid CVD raw material, liquid CVD raw material or solid CVD raw material. The exhaust gas to be treated is an exhaust gas containing hydrogen, helium, nitrogen, oxygen, or argon containing these pulverized materials as a base gas. Further, when a solid raw material is used as a CVD raw material, an organic solvent is used. Is included.

前記の固体ＣＶＤ原料としては、ヘキサカルボニルモリブデン（Ｍｏ（ＣＯ）6）、ジメチルペントオキシ金（Ａｕ（ＣＨ3）2（ＯＣ5Ｈ7））、ビスマス（III）ターシャリーブトキシド（Ｂｉ（ＯｔＢｕ）3）、ビスマス（III）ターシャリーペントキシド（Ｂｉ（ＯｔＡｍ）3）、トリフェニルビスマス（ＢｉＰｈ3）、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム（Ｒｕ（ＥｔＣｐ）2）、（エチルシクロペンタジエニル）（トリメチル）白金（Ｐｔ（ＥｔＣｐ）Ｍｅ3）、1,5-シクロオクタジエン（エチルシクロペンタジエニル）イリジウム（Ｉｒ（ＥｔＣｐ）（ｃｏｄ））、ビス（ヘキサエトキシタンタル）ストロンチウム（Ｓｔ［Ｔａ（ＯＥｔ）6］2）、ビス（ヘキサイソプロポキシタンタル）ストロンチウム（Ｓｔ［Ｔａ（ＯｉＰｒ）6］2）、トリス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ランタン（Ｌａ（ＤＰＭ）3）、トリス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）イットリウム（Ｙ（ＤＰＭ）3）、トリス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ルテニウム（Ｒｕ（ＤＰＭ）3）、ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）バリウム（Ｂａ（ＤＰＭ）2）、ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ストロンチウム（Ｓｒ（ＤＰＭ）2）、テトラ（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）チタニウム（Ｔｉ（ＤＰＭ）4）、テトラ（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ジルコニウム（Ｚｒ（ＤＰＭ）4）、テトラ（2,6,-ジメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ジルコニウム（Ｚｒ（ＤＭＨＤ）4）、ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）鉛（Ｐｂ（ＤＰＭ）2）、（ジ-ターシャリーブトキシ）ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3.5.ヘプタンジオナイト）チタニウム（Ｔｉ（ＯｔＢｕ）2（ＤＰＭ）2）、（ジ-イソプロポキシ）ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナイト）チタニウム（Ｔｉ（ＯｉＰｒ）2（ＤＰＭ）2）、（イソプロポキシ）トリス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナイト）ジルコニウム（Ｚｒ（ＯｉＰｒ）（ＤＰＭ）3）、（ジ-イソプロポキシ）トリス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナイト）タンタル（Ｔａ（ＯｉＰｒ）2（ＤＰＭ）3）等の常温、常圧で固体の原料を例示することができる。 Examples of the solid CVD raw material include hexacarbonylmolybdenum (Mo (CO) 6 ), dimethylpentoxy gold (Au (CH 3 ) 2 (OC 5 H 7 )), bismuth (III) tertiary butoxide (Bi (OtBu)). 3 ), bismuth (III) tertiary pentoxide (Bi (OtAm) 3 ), triphenylbismuth (BiPh 3 ), bis (ethylcyclopentadienyl) ruthenium (Ru (EtCp) 2 ), (ethylcyclopentadienyl) ) (Trimethyl) platinum (Pt (EtCp) Me 3 ), 1,5-cyclooctadiene (ethylcyclopentadienyl) iridium (Ir (EtCp) (cod)), bis (hexaethoxytantalum) strontium (St [Ta (OEt) 6 ] 2 ), bis (hexaisopropoxytantalum) strontium (St [Ta (OiPr) 6 ] 2 ), tris (2,2,6,6, -tetramethyl-3,5 heptanedionite) lanthanum (La (DPM) 3 ), tris (2,2,6,6, -tetra Methyl-3,5 heptanedionite) yttrium (Y (DPM) 3 ), tris (2,2,6,6, -tetramethyl-3,5 heptanedionite) ruthenium (Ru (DPM) 3 ), bis ( 2,2,6,6, -Tetramethyl-3,5 heptanedionite) barium (Ba (DPM) 2 ), bis (2,2,6,6, -tetramethyl-3,5 heptanedionite) strontium (Sr (DPM) 2 ), tetra (2,2,6,6, -tetramethyl-3,5 heptanedionite) titanium (Ti (DPM) 4 ), tetra (2,2,6,6, -tetra Methyl-3,5 heptanedionite) zirconium (Zr (DPM) 4 ), tetra (2,6, -dimethyl-3,5 heptanedionite) zirconium (Zr (DMHD) 4 ), bis (2,2,6,6, -tetramethyl-3,5 heptanedionite) lead (Pb (DPM) 2 ), (di-tertiary butoxy) bis (2,2,6,6, -tetramethyl- 3.5. Heptanedionite) Titanium (Ti (OtBu) 2 (DPM) 2 ), (Di-isopropoxy) bis (2,2,6,6, -tetramethyl-3,5, -heptanedionite) titanium ( Ti (OiPr) 2 (DPM) 2 ), (isopropoxy) tris (2,2,6,6, -tetramethyl-3,5, -heptanedionite) zirconium (Zr (OiPr) (DPM) 3 ), (Di-isopropoxy) tris (2,2,6,6, -tetramethyl-3,5, -heptanedionite) tantalum (Ta (OiPr) 2 (DPM) 3 ), etc. A raw material can be illustrated.

前記の液体ＣＶＤ原料としては、テトラiso-プロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）4）、テトラn-プロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ3Ｈ7）4）、テトラtert-ブトキシジルコニウム（Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4）、テトラn-ブトキシジルコニウム（Ｚｒ（ＯＣ4Ｈ9）4）、テトラメトキシバナジウム（Ｖ（ＯＣＨ3）4）、トリメトキシバナジルオキシド（ＶＯ（ＯＣＨ3）3）、ペンタエトキシニオブ（Ｎｂ（ＯＣ2Ｈ5）5）、ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5）、トリメトキシホウ素（Ｂ（ＯＣＨ3）3）、トリiso-プロポキシアルミニウム（Ａｌ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）3）、テトラエトキシケイ素（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、テトラエトキシゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＣ2Ｈ5）4）、テトラメトキシスズ（Ｓｎ（ＯＣＨ3）4）、トリメトキシリン（Ｐ（ＯＣＨ3）3）、トリメトキシホスフィンオキシド（ＰＯ（ＯＣＨ3）3）、トリエトキシヒ素（Ａｓ（ＯＣ2Ｈ5）3）、トリエトキシアンチモン（Ｓｂ（ＯＣ2Ｈ5）3）等の常温、常圧で液体のアルコキシドを挙げることができる。 Examples of the liquid CVD raw material include tetraiso-propoxytitanium (Ti (OCH (CH 3 ) 2 ) 4 ), tetra n-propoxytitanium (Ti (OC 3 H 7 ) 4 ), and tetra tert-butoxyzirconium (Zr ( OC (CH 3 ) 3 ) 4 ), tetra n-butoxyzirconium (Zr (OC 4 H 9 ) 4 ), tetramethoxy vanadium (V (OCH 3 ) 4 ), trimethoxy vanadyl oxide (VO (OCH 3 ) 3 ) , Pentaethoxyniobium (Nb (OC 2 H 5 ) 5 ), pentaethoxy tantalum (Ta (OC 2 H 5 ) 5 ), trimethoxy boron (B (OCH 3 ) 3 ), triiso-propoxyaluminum (Al (OCH) (CH 3) 2) 3) , tetraethoxysilicon (Si (OC 2 H 5) 4), tetraethoxy germanium (Ge (OC 2 H 5) 4), tetramethoxysilane tin ( n (OCH 3) 4), trimethoxy phosphate (P (OCH 3) 3) , trimethoxy phosphine oxide (PO (OCH 3) 3) , Torietokishihi iodine (As (OC 2 H 5) 3), triethoxy antimony Examples thereof include liquid alkoxides at normal temperature and normal pressure, such as (Sb (OC 2 H 5 ) 3 ).

また、前記のほかに、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）、ジメチルアルミニウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ3）2Ｈ）、トリiso-ブチルアルミニウム（Ａｌ（iso-Ｃ4Ｈ9）3）、ヘキサフルオロアセチルアセトン銅ビニルトリメチルシラン（（ＣＦ3ＣＯ）2ＣＨＣｕ・ＣＨ2ＣＨＳｉ（ＣＨ3）3）、ヘキサフルオロアセチルアセトン銅アリルトリメチルシラン（（ＣＦ3ＣＯ）2ＣＨＣｕ・ＣＨ2ＣＨＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）3）、ビス（iso-プロピルシクロペンタジエニル）タングステンジハライド（（iso-Ｃ3Ｈ7Ｃ5Ｈ5）2ＷＨ2）、テトラジメチルアミノジルコニウム（Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ3）2）4）、ペンタジメチルアミノタンタル（Ｔａ（Ｎ（ＣＨ3）2）5）、ペンタジエチルアミノタンタル（Ｔａ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2）5）、テトラジメチルアミノチタン（Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ3）2）4）、テトラジエチルアミノチタン（Ｔｉ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2）4）等の常温、常圧で液体の原料を例示することができる。 In addition to the above, trimethylaluminum (Al (CH 3 ) 3 ), dimethylaluminum hydride (Al (CH 3 ) 2 H), triiso-butylaluminum (Al (iso-C 4 H 9 ) 3 ), hexa Fluoroacetylacetone copper vinyltrimethylsilane ((CF 3 CO) 2 CHCu · CH 2 CHSi (CH 3 ) 3 ), hexafluoroacetylacetone copper allyltrimethylsilane ((CF 3 CO) 2 CHCu · CH 2 CHCH 2 Si (CH 3 ) 3 ), bis (iso-propylcyclopentadienyl) tungsten dihalide ((iso-C 3 H 7 C 5 H 5 ) 2 WH 2 ), tetradimethylamino zirconium (Zr (N (CH 3 ) 2 ) 4 ) , Pentadimethylamino tantalum (Ta (N (CH 3 ) 2 ) 5 ), pentadiethylamino tantalum (Ta (N (C 2 H 5 2 ) 5 ), tetradimethylamino titanium (Ti (N (CH 3 ) 2 ) 4 ), tetradiethylamino titanium (Ti (N (C 2 H 5 ) 2 ) 4 ), etc. Can be illustrated.

前記の有機溶媒としては、プロピルエーテル、メチルブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール、アセトン、エチルメチルケトン、iso-プロピルメチルケトン、iso-ブチルメチルケトン等のケトン、プロピルアミン、ブチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、トリエチルアミン等のアミン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の炭化水素等を例示することができる。   Examples of the organic solvent include propyl ether, methyl butyl ether, ethyl propyl ether, ethyl butyl ether, trimethylene oxide, tetrahydrofuran, tetrahydropyran and other ethers, methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, butyl alcohol and other alcohols, acetone, ethyl methyl Ketones, ketones such as iso-propyl methyl ketone and iso-butyl methyl ketone, amines such as propylamine, butylamine, diethylamine, dipropylamine and triethylamine, esters such as ethyl acetate, propyl acetate and butyl acetate, hexane, heptane and octane And the like.

以下、本発明の排ガスの処理装置を、図１〜図７に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
図１、図２は、本発明の第１の形態の排ガスの処理装置の例を示す図である。図３、図４は、本発明の第２の形態の排ガスの処理装置の例を示す図である。図５、図６は、本発明の第３の形態の排ガスの処理装置の例を示す図である。また、図１〜図５の（１）は、各々の装置における排ガスの導入口の面を含んだ断面図（正面図）、図６の（１）は、排ガスの排出口の面を含んだ断面図（正面図）、図１〜図６の（２）は、各々（１）におけるａ−ａ’面の断面図（側面図）、図１〜図６の（３）は、各々（１）におけるｂ−ｂ’面の断面図（平面図）である。図７は、本発明の排ガスの処理装置において、粉化物の溜り部を設けた仕切りの形態の例を示す断面図である。 Hereinafter, the exhaust gas treatment apparatus of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 7, but the present invention is not limited thereto.
1 and 2 are views showing an example of an exhaust gas treatment apparatus according to the first embodiment of the present invention. 3 and 4 are diagrams showing an example of an exhaust gas treatment apparatus according to the second embodiment of the present invention. 5 and 6 are diagrams showing an example of an exhaust gas treatment apparatus according to the third embodiment of the present invention. Moreover, (1) of FIGS. 1-5 is sectional drawing (front view) including the surface of the inlet port of the exhaust gas in each apparatus, (1) of FIG. 6 includes the surface of the exhaust port of exhaust gas. A cross-sectional view (front view), (2) in FIGS. 1 to 6 are respectively a cross-sectional view (side view) of the aa ′ plane in (1), and (3) in FIGS. Is a cross-sectional view (plan view) of the bb ′ plane in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a partition having a pulverized material reservoir in the exhaust gas treatment apparatus of the present invention.

本発明の第１の形態の排ガスの処理装置は、図１、図２に示すように、排ガスの導入口１、排ガスを上下方向に折り返して流通させるための仕切り２、仕切りの冷却手段３、処理されたガスの排出口４、及び装置の底部に粉化物の溜り部５を備えた処理装置である。
また、本発明の第２の形態の排ガスの処理装置は、図３、図４に示すように、排ガスの導入口１、排ガスを水平方向に折り返して流通させるための仕切り２、仕切りの冷却手段３、処理されたガスの排出口４、及び装置の底部に粉化物の溜り部５を備えた処理装置である。 As shown in FIGS. 1 and 2, an exhaust gas treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention includes an exhaust gas inlet 1, a partition 2 for circulating the exhaust gas in a vertical direction, a partition cooling means 3, It is the processing apparatus provided with the exhaust port 4 of the processed gas, and the accumulation part 5 of the powdered material in the bottom part of the apparatus.
Further, as shown in FIGS. 3 and 4, the exhaust gas treatment apparatus according to the second embodiment of the present invention includes an exhaust gas inlet 1, a partition 2 for circulating the exhaust gas in a horizontal direction, and a cooling means for the partition. 3. A processing apparatus having a treated gas discharge port 4 and a pulverized material reservoir 5 at the bottom of the apparatus.

本発明の第１の形態及び第２の形態の排ガスの処理装置においては、排ガスが導入口１から導入され、仕切り２によって構成された複数の折り返し部６を流通した後、排出口４から排出される。排ガスは、導入口１から排出口４まで流通する間に冷却手段３によって仕切り２を介して冷却され、排ガスに含まれる未反応のＣＶＤ原料、金属を含有する分解生成物、あるいは金属を含有する反応生成物等が析出し、粉化物の溜り部５に落下、堆積する。排ガスを効率よく冷却できるように排ガスの流路を長くすることが好ましく、そのために、第１の形態及びの第２の形態の処理装置においては、仕切りを３個以上備えることが好ましい。   In the exhaust gas treatment apparatus according to the first and second aspects of the present invention, exhaust gas is introduced from the introduction port 1, circulated through the plurality of folded portions 6 constituted by the partitions 2, and then discharged from the discharge port 4. Is done. The exhaust gas is cooled through the partition 2 by the cooling means 3 while flowing from the introduction port 1 to the discharge port 4, and contains unreacted CVD raw material, decomposition product containing metal, or metal contained in the exhaust gas. A reaction product or the like is deposited and falls and accumulates in the pulverized material reservoir 5. It is preferable to lengthen the flow path of the exhaust gas so that the exhaust gas can be efficiently cooled. Therefore, in the treatment apparatuses of the first and second embodiments, it is preferable to provide three or more partitions.

本発明の第３の形態の排ガスの処理装置は、図５、図６に示すように、排ガスの導入口１、排ガスを水平方向に渦巻き状に流通させるための仕切り２、仕切りの冷却手段３、処理されたガスの排出口４、及び装置の底部に粉化物の溜り部５を備えた処理装置である。
本発明の第３の排ガスの処理装置においては、排ガスが導入口１から導入され、仕切り２によって構成された渦巻き状の流路を流通した後、排出口４から排出される。排ガスは、導入口１から排出口４まで流通する間に冷却手段３によって仕切り２を介して冷却され、排ガスに含まれる未反応のＣＶＤ原料、金属を含有する分解生成物、あるいは金属を含有する反応生成物等が析出し、粉化物の溜り部５に落下、堆積する。排ガスを効率よく冷却できるように排ガスの流路を長くすることが好ましく、そのために、第３の形態の処理装置においては、仕切りを円１周以上に相当する長さとすることが好ましい。
尚、以上のような第１の形態、第２の形態、第３の形態のうち、２つ以上の構成を同一装置内に有するものも本発明の処理装置である。 As shown in FIGS. 5 and 6, the exhaust gas treatment apparatus according to the third embodiment of the present invention includes an exhaust gas inlet 1, a partition 2 for circulating the exhaust gas in a spiral shape, and a partition cooling means 3. The processing apparatus is provided with a treated gas discharge port 4 and a pulverized material reservoir 5 at the bottom of the apparatus.
In the third exhaust gas treatment apparatus of the present invention, the exhaust gas is introduced from the introduction port 1, circulates through the spiral flow path constituted by the partition 2, and then discharged from the discharge port 4. The exhaust gas is cooled through the partition 2 by the cooling means 3 while flowing from the introduction port 1 to the discharge port 4, and contains unreacted CVD raw material, decomposition product containing metal, or metal contained in the exhaust gas. A reaction product or the like is deposited and falls and accumulates in the pulverized material reservoir 5. It is preferable to lengthen the flow path of the exhaust gas so that the exhaust gas can be efficiently cooled. For this reason, in the processing apparatus of the third embodiment, it is preferable that the partition has a length corresponding to one circle or more.
In addition, what has two or more structures in the same apparatus among the above 1st forms, 2nd forms, and 3rd forms is also a processing apparatus of this invention.

本発明の排ガスの処理装置の外形は、通常は、図１、図３、図５に示すような直方体、または立方体、あるいは図２、図４、図６に示すような円筒形である。排ガスの導入口１及び排出口４は、通常は処理装置の側面の上部、あるいは処理装置の上面に各々１箇所設けられるが、導入口１は、図２に示すように複数箇所設け、複数の排ガスラインから排出される排ガスを、１個の処理装置で同時に処理可能な構成とすることもできる。   The external shape of the exhaust gas treatment apparatus of the present invention is usually a rectangular parallelepiped as shown in FIGS. 1, 3, and 5, or a cube, or a cylindrical shape as shown in FIGS. The exhaust gas introduction port 1 and the exhaust port 4 are usually provided at one location on the upper part of the side surface of the processing apparatus or on the upper surface of the treatment device. However, the introduction port 1 is provided at a plurality of locations as shown in FIG. The exhaust gas discharged from the exhaust gas line can be configured to be simultaneously processed by one processing apparatus.

本発明における仕切り２は、通常は平板状のものが用いられ、排ガスが滞ることなく導入口１から排出口４に流通するように設けられる。また、仕切り２は、通常は、排ガス流路が、実質的に全域にわたり、その下方において、粉化物の溜り部５に直面した構成となるように設置される。このような構成とすることにより、排ガス流路のいずれの箇所で生成した粉化物も全て粉化物の溜り部５に収容される。
また、本発明においては、処理装置の底部に備えた粉化物の溜り部のほか、図７に示すように仕切りに粉化物を溜めるための手段を設けることができる。このような手段は、特に第１の形態の処理装置において、排ガスを下方向に流通する流路に面した仕切りに設ける場合、粉化物を多く収納できる効果がある。 The partition 2 in the present invention is usually a flat plate, and is provided so that the exhaust gas flows from the inlet 1 to the outlet 4 without stagnation. Moreover, the partition 2 is normally installed so that it may become the structure which faced the accumulation part 5 of the pulverized material in the exhaust gas flow path over the substantially whole area and the downward direction. By setting it as such a structure, all the powdery materials produced | generated in any location of an exhaust gas flow path are accommodated in the accumulation part 5 of a powdered material.
Further, in the present invention, in addition to the pulverized product reservoir provided at the bottom of the processing apparatus, means for storing the pulverized product in the partition as shown in FIG. 7 can be provided. Such means has an effect of storing a large amount of powdered material, particularly in the processing apparatus of the first embodiment, when provided in a partition facing the flow path through which the exhaust gas flows downward.

本発明の排ガスの処理装置においては、仕切り２の少なくとも一部に冷却手段３が設けられるが、このような冷却手段３としては、例えば図１〜図６に示すような水等の冷却液を流すための冷却管が用いられる。また、本発明においては、冷却手段３の冷却液、仕切り２、あるいは仕切り２の近辺を流通する排ガスの温度をコントロールするための温度制御手段を設けることが好ましい。特に排ガスが有機溶媒を含む場合は、排ガスの温度が有機溶媒の液化温度以下に低下しないようにする必要がある。また、本発明においては、仕切りのほか、装置の外壁にも冷却するための手段を設けることもできる。   In the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, the cooling means 3 is provided in at least a part of the partition 2. As such a cooling means 3, for example, a cooling liquid such as water as shown in FIGS. A cooling pipe is used for flow. Moreover, in this invention, it is preferable to provide the temperature control means for controlling the temperature of the cooling fluid of the cooling means 3, the partition 2, or the exhaust gas flowing in the vicinity of the partition 2. In particular, when the exhaust gas contains an organic solvent, it is necessary to prevent the temperature of the exhaust gas from dropping below the liquefaction temperature of the organic solvent. In the present invention, in addition to the partition, means for cooling the outer wall of the apparatus can also be provided.

本発明の排ガスの処理装置において、導入される排ガスの温度については、処理装置に支障がない限り特に制限されることはないが、通常は１５０℃〜５００℃程度である。また、排出されるガスの温度は、有機溶媒が含まれている場合は、通常は有機溶媒の液化温度〜１５０℃程度、有機溶媒が含まれていない場合は、通常は２０℃〜１５０℃程度である。排ガスの圧力についても特に制限されることはなく、通常は常圧であるが、１ＫＰａ（絶対圧力）のような減圧あるいは２ＭＰａ（絶対圧力）のような加圧下で処理することも可能である。   In the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, the temperature of the introduced exhaust gas is not particularly limited as long as there is no problem with the treatment apparatus, but is usually about 150 ° C to 500 ° C. The temperature of the exhausted gas is usually about liquefied temperature of the organic solvent to about 150 ° C. when the organic solvent is contained, and usually about 20 to 150 ° C. when the organic solvent is not contained. It is. The pressure of the exhaust gas is not particularly limited and is usually a normal pressure, but can be processed under a reduced pressure such as 1 KPa (absolute pressure) or a pressurized pressure such as 2 MPa (absolute pressure).

本発明の排ガスの処理装置は、内部に、排ガスを上下方向に折り返して流通させるための仕切り、排ガスを水平方向に折り返して流通させるための仕切り、あるいは排ガスを水平方向に渦巻き状に流通させるための仕切り、及び、前記仕切りの冷却手段を備えた処理装置であり、半導体製造工程から排出される未反応のＣＶＤ原料、金属を含有する分解生成物、金属を含有する反応生成物等の粉化物となり得る化合物を含む排ガスを、効率よく冷却し、これらの化合物を容易に析出させて、溜り部に収容することができる。従って、本発明の排ガスの処理装置により、排ガスに含まれる前記粉化物を、大型あるいは複雑な構成を用いることなく、メンテナンスに手間をかけることなく、効率よく容易に除去することが可能となった。   The exhaust gas treatment apparatus of the present invention has a partition for folding and circulating the exhaust gas in the vertical direction, a partition for folding and circulating the exhaust gas in the horizontal direction, or for circulating the exhaust gas in a spiral shape in the horizontal direction. And a processing apparatus including a cooling means for the partition, and a powdered product such as an unreacted CVD raw material discharged from a semiconductor manufacturing process, a decomposition product containing a metal, a reaction product containing a metal, etc. The exhaust gas containing the compound which can become becomes efficiently cooled, and these compounds can be easily deposited and accommodated in the reservoir. Therefore, the exhaust gas treatment apparatus of the present invention makes it possible to efficiently and easily remove the pulverized material contained in the exhaust gas without using a large-sized or complicated structure and without trouble in maintenance. .

次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited by these.

（処理装置の製作）
図２に示すようなステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の処理装置を製作した。処理装置の内部の大きさは、直径２４０ｍｍ、高さ３８０ｍｍであり、３枚の円筒系の仕切り板は、直径が各々６０ｍｍ、１２０ｍｍ、１８０ｍｍ、高さがいずれも３１０ｍｍ、厚さがいずれも１０ｍｍであった。また、冷却管の内径は８ｍｍであった。排ガスの導入口、及び処理されたガスの排出口は、内径が５０ｍｍの管であり、導入口の処理装置内部における中心の高さが３２０ｍｍとなるように設定した。さらに冷却管に水が流通するように冷却ライン及び温度制御装置に接続した。 (Manufacture of processing equipment)
A processing apparatus made of stainless steel (SUS316) as shown in FIG. 2 was manufactured. The inside size of the processing apparatus is 240 mm in diameter and 380 mm in height. The three cylindrical partition plates are 60 mm, 120 mm, and 180 mm in diameter, 310 mm in height, and 10 mm in thickness. Met. The inner diameter of the cooling pipe was 8 mm. The exhaust gas inlet and the treated gas outlet were pipes having an inner diameter of 50 mm, and the height of the center of the inlet inside the processing apparatus was set to 320 mm. Furthermore, it connected to the cooling line and the temperature control apparatus so that water might distribute | circulate to a cooling pipe.

（処理装置の評価）
前記の処理装置を、ＰＺＴ製造工程からの排ガスラインに接続するとともに、処理装置のガスの排出口にステンレスフィルターを設置した。また、処理装置の排ガスの導入口、及びガスの排出口に温度計を設けた。次に、ＰＺＴ製造工程からの排ガスを２個の導入口から合計２０Ｌ／ｍｉｎの流量で処理装置に流して、ステンレスフィルターにおける圧力損失の経時変化を測定した。 (Evaluation of processing equipment)
While connecting the said processing apparatus to the exhaust gas line from a PZT manufacturing process, the stainless steel filter was installed in the gas exhaust port of the processing apparatus. In addition, thermometers were provided at the exhaust gas inlet and the gas outlet of the processing apparatus. Next, exhaust gas from the PZT manufacturing process was flowed from the two inlets to the treatment apparatus at a total flow rate of 20 L / min, and the change with time in pressure loss in the stainless steel filter was measured.

尚、この間、排ガスの導入口におけるガスの温度は２４５〜２５５℃であり、排出口のガス温度が７０〜７５℃になるように冷却管に水を流した。また、この排ガス中には、１ｖｏｌ％のＴＨＦのほか、多量の鉛化合物、ジルコニウム化合物、チタン化合物、及び少量の未反応のＣＶＤ原料（Ｐｂ（ＤＰＭ）２、Ｚｒ（ＤＰＭ）4、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）2（ＤＰＭ）2）が含まれている。以上のようにして実施したステンレスフィルターにおける圧力損失の経時変化の測定結果を表１に示す。また、実験終了後、粉化物の溜り部には、多量の粉化物が確認された。 During this time, the temperature of the gas at the exhaust gas inlet was 245 to 255 ° C., and water was passed through the cooling pipe so that the gas temperature at the outlet was 70 to 75 ° C. Further, in this exhaust gas, in addition to 1 vol% of THF, a large amount of lead compound, zirconium compound, titanium compound, and a small amount of unreacted CVD raw materials (Pb (DPM) 2 , Zr (DPM) 4 , Ti (OiPr) 2 (DPM) 2 ) is included. Table 1 shows the measurement results of changes with time in pressure loss in the stainless steel filter carried out as described above. In addition, after the experiment was completed, a large amount of powdered material was confirmed in the powdered material reservoir.

（処理装置の製作）
図３に示すようなステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の処理装置を製作した。処理装置の内部の大きさは、横幅２００ｍｍ、奥行き２００ｍｍ、高さ３８０ｍｍであり、３枚の仕切り板はいずれも、奥行き１５０ｍｍ、高さ３１０ｍｍ、厚さ１０ｍｍであった。また、冷却管の内径は８ｍｍであった。また、排ガスの導入口、及び処理されたガスの排出口は、内径が５０ｍｍの管であり、処理装置の内部における中心の高さがいずれも３２０ｍｍとなるように設定した。さらに冷却管に水が流通するように冷却ライン及び温度制御装置に接続した。 (Manufacture of processing equipment)
A processing apparatus made of stainless steel (SUS316) as shown in FIG. 3 was manufactured. The size of the inside of the processing apparatus was 200 mm in width, 200 mm in depth, and 380 mm in height, and all three partition plates were 150 mm in depth, 310 mm in height, and 10 mm in thickness. The inner diameter of the cooling pipe was 8 mm. The exhaust gas inlet and the treated gas outlet were pipes having an inner diameter of 50 mm, and the center height inside the processing apparatus was set to 320 mm. Furthermore, it connected to the cooling line and the temperature control apparatus so that water might distribute | circulate to a cooling pipe.

（処理装置の評価）
前記の処理装置を、実施例１と同様にしてＰＺＴ製造工程からの排ガスラインに接続した後、実施例１と同様の条件でステンレスフィルターにおける圧力損失の経時変化を測定した結果を表１に示す。また、実験終了後、粉化物の溜り部には、多量の粉化物が確認された。 (Evaluation of processing equipment)
Table 1 shows the results of measuring the time-dependent change in pressure loss in the stainless steel filter under the same conditions as in Example 1 after connecting the above processing apparatus to the exhaust gas line from the PZT manufacturing process in the same manner as in Example 1. . In addition, after the experiment was completed, a large amount of powdered material was confirmed in the powdered material reservoir.

（処理装置の製作）
図５に示すようなステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の処理装置を製作した。処理装置の内部の大きさは、横幅２００ｍｍ、奥行き２００ｍｍ、高さ３８０ｍｍであった。また、５枚の仕切り板はいずれも、高さ３１０ｍｍ、厚さ１０ｍｍであり、横幅は各々５０ｍｍ、５０ｍｍ、１００ｍｍ、１００ｍｍ、１５０ｍｍであった。また、冷却管の内径は１０ｍｍであった。また、排ガスの導入口、及び処理されたガスの排出口は、内径が５０ｍｍの管であり、処理装置の内部における中心の高さがいずれも３２０ｍｍとなるように設定した。さらに冷却管に水が流通するように冷却ライン及び温度制御装置に接続した。 (Manufacture of processing equipment)
A processing apparatus made of stainless steel (SUS316) as shown in FIG. 5 was manufactured. The inside size of the processing apparatus was 200 mm in width, 200 mm in depth, and 380 mm in height. All of the five partition plates were 310 mm high and 10 mm thick, and the horizontal widths were 50 mm, 50 mm, 100 mm, 100 mm, and 150 mm, respectively. The inner diameter of the cooling pipe was 10 mm. The exhaust gas inlet and the treated gas outlet were pipes having an inner diameter of 50 mm, and the center height inside the processing apparatus was set to 320 mm. Furthermore, it connected to the cooling line and the temperature control apparatus so that water might distribute | circulate to a cooling pipe.

（処理装置の評価）
前記の処理装置を、実施例１と同様にしてＰＺＴ製造工程からの排ガスラインに接続した後、実施例１と同様の条件でステンレスフィルターにおける圧力損失の経時変化を測定した結果を表１に示す。また、実験終了後、粉化物の溜り部には、多量の粉化物が確認された。 (Evaluation of processing equipment)
Table 1 shows the results of measuring the time-dependent change in pressure loss in the stainless steel filter under the same conditions as in Example 1 after connecting the above processing apparatus to the exhaust gas line from the PZT manufacturing process in the same manner as in Example 1. . In addition, after the experiment was completed, a large amount of powdered material was confirmed in the powdered material reservoir.

比較例１
実施例１の処理装置の製作において、冷却管を設けなかったほかは実施例１と同様にして処理装置を製作した。
この処理装置を、実施例１と同様にしてＰＺＴ製造工程からの排ガスライン等に接続した後、冷却水を流さなかったほかは実施例１と同様の条件で評価した。この間、排出口のガス温度は２１０〜２２０℃であった。ステンレスフィルターにおける圧力損失の経時変化を表１に示す。尚、１６時間経過した時点で圧力損失の急激な上昇により中止した。また、実験終了後、粉化物の溜り部には、少量の粉化物が確認された。 Comparative Example 1
In manufacturing the processing apparatus of Example 1, a processing apparatus was manufactured in the same manner as in Example 1 except that no cooling pipe was provided.
After this processing apparatus was connected to an exhaust gas line from the PZT manufacturing process in the same manner as in Example 1, it was evaluated under the same conditions as in Example 1 except that no cooling water was allowed to flow. During this time, the gas temperature at the outlet was 210 to 220 ° C. Table 1 shows changes with time in pressure loss in the stainless steel filter. When 16 hours passed, the operation was stopped due to a rapid increase in pressure loss. Moreover, after the experiment was completed, a small amount of powdered material was confirmed in the powdered material reservoir.

Figure 2005052786
Figure 2005052786

以上のように、本発明の実施例における排ガスの処理装置は、比較例の排ガスの処理装置より、粉化物によるフィルターの目詰まりが少なく、排ガス中の粉化物を効率よく除去できることが確認された。   As described above, it was confirmed that the exhaust gas treatment apparatus in the examples of the present invention had less filter clogging due to powdered materials and could efficiently remove the powdery substances in the exhaust gas than the exhaust gas treatment apparatus of the comparative example. .

本発明の排ガスの処理装置（第１の形態）の例を示す断面図Sectional drawing which shows the example of the processing apparatus (1st form) of the waste gas of this invention 本発明の図１以外の排ガスの処理装置（第１の形態）の例を示す断面図Sectional drawing which shows the example of the waste gas processing apparatus (1st form) other than FIG. 1 of this invention. 本発明の排ガスの処理装置（第２の形態）の例を示す断面図Sectional drawing which shows the example of the processing apparatus (2nd form) of the waste gas of this invention 本発明の図３以外の排ガスの処理装置（第２の形態）の例を示す断面図Sectional drawing which shows the example of the processing apparatus (2nd form) of waste gas other than FIG. 3 of this invention 本発明の排ガスの処理装置（第３の形態）の例を示す断面図Sectional drawing which shows the example of the waste gas processing apparatus (3rd form) of this invention 本発明の図５以外の排ガスの処理装置（第３の形態）の例を示す断面図Sectional drawing which shows the example of the waste gas processing apparatus (3rd form) other than FIG. 5 of this invention. 本発明の排ガスの処理装置における仕切りの形態の例を示す断面図Sectional drawing which shows the example of the form of the partition in the waste gas processing apparatus of this invention

符号の説明Explanation of symbols

１ 排ガスの導入口
２ 仕切り
３ 仕切りの冷却手段
４ 処理されたガスの排出口
５ 粉化物の溜り部
６ 排ガスの折り返し部
７ 粉化物を溜めるための手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Exhaust gas inlet 2 Partition 3 Partition cooling means 4 Discharged gas outlet 5 Pulverized product reservoir 6 Exhaust gas return unit 7 Means for collecting pulverized product

Claims (14)

半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を除去する処理装置であって、排ガスの導入口、排ガスを上下方向に折り返して流通させるための仕切り、該仕切りの冷却手段、処理されたガスの排出口、及び装置の底部に粉化物の溜り部を備えてなることを特徴とする排ガスの処理装置。   A processing apparatus for removing pulverized substances contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process, which is an inlet for exhaust gas, a partition for folding the exhaust gas in a vertical direction, a cooling means for the partition, and a processed gas An exhaust gas treatment apparatus comprising a pulverized material reservoir at the bottom of the apparatus and the bottom of the apparatus. 半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を除去する処理装置であって、排ガスの導入口、排ガスを水平方向に折り返して流通させるための仕切り、該仕切りの冷却手段、処理されたガスの排出口、及び装置の底部に粉化物の溜り部を備えてなることを特徴とする排ガスの処理装置。   A processing apparatus for removing pulverized matter contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process, which is an inlet for exhaust gas, a partition for folding the exhaust gas in a horizontal direction, a cooling means for the partition, and a processed gas An exhaust gas treatment apparatus comprising a pulverized material reservoir at the bottom of the apparatus and the bottom of the apparatus. 半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を除去する処理装置であって、排ガスの導入口、排ガスを水平方向に渦巻き状に流通させるための仕切り、該仕切りの冷却手段、処理されたガスの排出口、及び装置の底部に粉化物の溜り部を備えてなることを特徴とする排ガスの処理装置。   A processing apparatus for removing pulverized substances contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process, wherein an exhaust gas introduction port, a partition for circulating the exhaust gas in a spiral shape, cooling means for the partition, and processing An exhaust gas treatment apparatus comprising a gas discharge port and a pulverized material reservoir at the bottom of the apparatus. 排ガス流路が、実質的に全域にわたり、その下方において、粉化物の溜り部に直面した構成である請求項１乃至請求項３のいずれかの１項に記載の排ガスの処理装置。   The exhaust gas treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the exhaust gas flow channel is configured so as to face a pulverized material reservoir portion substantially below the entire area. 仕切りが３個以上備えられた請求項１または請求項２に記載の排ガスの処理装置。   The exhaust gas treatment apparatus according to claim 1 or 2, wherein three or more partitions are provided. 仕切りが円１周以上に相当する長さを有する請求項３に記載の排ガスの処理装置。   The exhaust gas treatment apparatus according to claim 3, wherein the partition has a length corresponding to one circle or more. 装置の底部に備えた粉化物の溜り部のほか、仕切りに粉化物を溜めるための手段を備えた請求項１乃至請求項３のいずれかの１項に記載の排ガスの処理装置。   The exhaust gas processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising means for storing the powdered material in the partition, in addition to the powdered material storing part provided at the bottom of the apparatus. 装置の底部に備えた粉化物の溜り部のほか、排ガスを下方向に流通する流路に面した仕切りに、粉化物を溜めるための手段を備えた請求項１に記載の排ガスの処理装置。   2. The exhaust gas treatment apparatus according to claim 1, further comprising means for storing the powdered material in a partition facing a flow path through which the exhaust gas flows downward, in addition to the powdered material reservoir provided at the bottom of the device. 仕切りの冷却手段のほか、装置の外壁を冷却するための手段を備えた請求項１乃至請求項３のいずれかの１項に記載の排ガスの処理装置。   The exhaust gas treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising means for cooling an outer wall of the apparatus in addition to the partition cooling means. 半導体製造工程が、液体ＣＶＤ原料または固体ＣＶＤ原料を用いた半導体の製造工程である請求項１乃至請求項３のいずれかの１項に記載の排ガスの処理装置。   The exhaust gas processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the semiconductor manufacturing process is a semiconductor manufacturing process using a liquid CVD raw material or a solid CVD raw material. 半導体製造工程が、ＰＺＴ、ＢＳＴ、ＳＢＴ、及びＰＬＺＴから選ばれる強誘電体膜の製造工程である請求項１乃至請求項３のいずれかの１項に記載の排ガスの処理装置。   The exhaust gas treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the semiconductor manufacturing process is a manufacturing process of a ferroelectric film selected from PZT, BST, SBT, and PLZT. 粉化物が、鉛化合物、ジルコニウム化合物、チタン化合物、バリウム化合物、ストロンチウム化合物、ビスマス化合物、タンタル化合物、及びランタン化合物から選ばれる１種以上の化合物である請求項１乃至請求項３のいずれかの１項に記載の排ガスの処理装置。   The powdered product is one or more compounds selected from lead compounds, zirconium compounds, titanium compounds, barium compounds, strontium compounds, bismuth compounds, tantalum compounds, and lanthanum compounds. The exhaust gas treatment apparatus according to item. 排ガスが、有機溶媒を含むものである請求項１乃至請求項３のいずれかの１項に記載の排ガスの処理装置。   The exhaust gas treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the exhaust gas contains an organic solvent. さらに、排ガスの温度が有機溶媒の液化温度以下に低下しないようにコントロールするための温度制御手段を備えた請求項１３に記載の排ガスの処理装置。   14. The exhaust gas treatment apparatus according to claim 13, further comprising temperature control means for controlling the temperature of the exhaust gas so as not to fall below the liquefaction temperature of the organic solvent.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027590A (en) * 2005-07-21 2007-02-01 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing system
JP2007039751A (en) * 2005-08-03 2007-02-15 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrates processing system and its trapping mechanism
WO2011009445A1 (en) * 2009-07-22 2011-01-27 Ulraum Ruediger Filter unit for removing liquids and/or solids from liquid-gas or solid-gas mixtures or liquid-air or solid-air mixtures and a filter device having such a filter unit
KR101017179B1 (en) * 2008-09-11 2011-02-25 주식회사 동부하이텍 Horizontal gas scrubber containing plane type heater equipped with scraper
CN108701583A (en) * 2016-04-13 2018-10-23 应用材料公司 For being vented cooling equipment
JP2020521328A (en) * 2017-05-19 2020-07-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Device for collecting liquid and solid effluents for subsequent reaction into gaseous effluents

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027590A (en) * 2005-07-21 2007-02-01 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing system
JP4580833B2 (en) * 2005-07-21 2010-11-17 株式会社日立国際電気 Substrate processing system and trap apparatus
JP2007039751A (en) * 2005-08-03 2007-02-15 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrates processing system and its trapping mechanism
KR101017179B1 (en) * 2008-09-11 2011-02-25 주식회사 동부하이텍 Horizontal gas scrubber containing plane type heater equipped with scraper
WO2011009445A1 (en) * 2009-07-22 2011-01-27 Ulraum Ruediger Filter unit for removing liquids and/or solids from liquid-gas or solid-gas mixtures or liquid-air or solid-air mixtures and a filter device having such a filter unit
CN108701583A (en) * 2016-04-13 2018-10-23 应用材料公司 For being vented cooling equipment
JP2019514222A (en) * 2016-04-13 2019-05-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Exhaust cooling device
US11114285B2 (en) 2016-04-13 2021-09-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for exhaust cooling
CN108701583B (en) * 2016-04-13 2023-12-01 应用材料公司 Device for cooling exhaust gases
JP2020521328A (en) * 2017-05-19 2020-07-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Device for collecting liquid and solid effluents for subsequent reaction into gaseous effluents

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